TWI707489B - 量子點發光二極體qled器件及其製作方法、裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明一種量子點發光二極體QLED器件及其製作方法、裝置，方法包括：溶解聚電解質和具有無機半導體性質的奈米粒子，形成第一混合溶液；在形成的量子點發光層的一表面沉積第一混合溶液，形成包含聚電解質和奈米粒子的電子傳輸層；其中，至少部分聚電解質所攜帶的端基能夠填充在電子傳輸層中奈米粒子的表面缺陷處。本發明的聚電解質的端基往往帶有偶極，在電極作用下該端基能與奈米粒子的表面缺陷電連接，從而彌補奈米粒子的表面缺陷，降低電子傳輸層的缺陷態密度，避免出現介面淬滅，進而提升QLED器件性能。
Description
本發明涉及發光技術領域，尤其涉及一種量子點發光二極體QLED器件及其製作方法、裝置。
量子點發光二極體(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是一種新型的不需要額外光源的自發光技術，量子點(Quantum Dots)是一些肉眼無法看到的、極其微小的半導體奈米晶體，其粒徑在幾奈米到幾十奈米之間。
如圖1所示，為現有的QLED器件的膜層結構示意圖，在該器件膜層中，由上至下依次主要包括：陰極11、電子傳輸層12、量子點發光層13、電洞傳輸層14、陽極15等膜層。此外，還可以包括：電子注入層、電洞注入層等，圖1並未示出。
由於過渡金屬氧化物(如氧化鋅，氧化鈦等)具有優異的可見光透過性，功函數可調節性，因此，過渡金屬氧化物是量子點發光二極體QLED中電子傳輸層的優選材料。但是上述奈米粒子的表面存在一定的缺陷，該缺陷具有電性，當電子傳輸層中存在的缺陷密度較大時，奈米粒子表面缺陷會捕獲電子，阻礙電子由陰極流向量子點發光層中，因此，該缺陷導致電子傳輸層出
現介面淬滅，降低電子傳導效率，影響量子點發光二極體QLED器件性能及壽命。
本發明之一目的在於提供一種量子點發光二極體QLED器件及其製作方法、裝置，用以緩解現有技術中包含奈米粒子的電子傳輸層的缺陷態密度較大，導致電子傳輸層中出現介面淬滅的問題。
本發明提供一種製作量子點發光二極體QLED器件的方法，其步驟包括：溶解聚電解質和具有無機半導體性質的奈米粒子，形成第一混合溶液；以及在形成的量子點發光層的一表面沉積第一混合溶液，形成包含聚電解質和奈米粒子的電子傳輸層；其中，至少部分聚電解質所攜帶的端基能夠填充在電子傳輸層中奈米粒子的表面缺陷處。
根據本發明的一實施方式，上述方法還包括：溶解聚合物和具有無機半導體性質的奈米粒子，形成第二混合溶液；以及在形成的量子點發光層的另一表面沉積第二混合溶液，形成包含聚合物和奈米粒子的電洞傳輸層。
根據本發明的一實施方式，上述溶解聚電解質和具有無機半導體性質的奈米粒子，形成第一混合溶液，具體包括：採用第一溶劑溶解聚電解質得到第一溶液；採用第二溶劑溶解具有無機半導體性質的奈米粒子得到第二溶液；以及混合第一溶液和第二溶液形成第一混合溶液。
根據本發明的一實施方式，上述方法中，第一溶劑和第二溶劑互溶。
根據本發明的一實施方式，上述方法中，第一溶劑和第二溶劑為同一種溶劑。
根據本發明的一實施方式，上述方法中，第一混合溶液中聚電解質的濃度小於1mg/ml，第一混合溶液中奈米粒子的濃度大於或等於15mg/ml且小於或等於25mg/m。
根據本發明的一實施方式，溶解聚合物和具有無機半導體性質的奈米粒子，形成第二混合溶液，具體包括：採用第三溶劑溶解聚合物得到第三溶液；採用第四溶劑溶解具有無機半導體性質的奈米粒子得到第四溶液；以及混合第三溶液和第四溶液形成第二混合溶液。
根據本發明的一實施方式，上述方法中，第三溶劑和第四溶劑互溶。
根據本發明的一實施方式，上述方法中，第三溶劑和第四溶劑為同一種溶劑。
根據本發明的一實施方式，上述方法中，第二混合溶液中聚合物的濃度小於1mg/ml，第二混合溶液中具有無機半導體性質的奈米粒子的濃度大於或等於15mg/ml且小於或等於25mg/ml。
本發明另外提供一種量子點發光二極體QLED器件，包括：量子點發光層，位於量子點發光層一表面的電子傳輸層，電子傳輸層包含聚電解質和具有無機半導體性質的奈米粒子；其中，至少部分聚電解質所攜帶的端基能夠填充在電子傳輸層中奈米粒子的表面缺陷處。
根據本發明的一實施方式，上述電子傳輸層中的聚電解質呈網狀且包裹該電子傳輸層中的奈米粒子。
根據本發明的一實施方式，上述該器件中還包括：位於量子點發光層另一表面的電洞傳輸層，電洞傳輸層包含聚合物和具有無機半導體性質的奈米粒子。
本發明再進一步提供一種量子點發光二極體QLED裝置，包括上述任一種QLED器件。
本發明實施例採用的上述至少一個技術方案能夠達到以下有益效果：通過以上技術方案，本發明利用聚電解質和具有無機半導體性質的奈米粒子形成電子傳輸層，其中聚電解質為鏈狀結構，其端基帶有偶極，在電極作用下該聚合物的端基能與奈米粒子的表面缺陷電連接，從而彌補奈米粒子的表面缺陷，降低電子傳輸層的缺陷態密度，避免出現介面淬滅，進而提升QLED器件性能。另外，由於上述聚合物具有鏈狀結構，多個鏈狀聚合物電解質形成網狀結構，在電子傳輸層中包裹奈米粒子，能有效限制奈米粒子，避免該電子傳輸層與相鄰膜層出現層間互溶的情況，從而保證膜層性能，進而保證QLED器件發光性能。
11:陰極
12:電子傳輸層
13:量子點發光層
14:電洞傳輸層
15:陽極
31:電子傳輸層
32:量子點發光層
41:電子傳輸層
42:量子點發光層
43:電洞傳輸層
M:奈米粒子
N:聚電解質
此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用於解釋本發明，並不構成對本發明的不當限定。在附圖中：圖1為現有技術中量子點發光二極體QLED膜層結構示意圖；圖2為本發明提供的QLED器件的製作方法流程圖之一；圖3為本發明中步驟21的具體方法流程圖；
圖4為本發明提供的QLED器件的製作方法流程圖之二；圖5為本發明中步驟23的具體方法流程圖；圖6a為本發明提供的QLED器件膜層結構示意圖之一；圖6b為本發明提供的傳輸層結構示意圖；圖7a為本發明提供的QLED器件膜層結構示意圖之二；以及圖7b為本發明提供的QLED器件膜層結構示意圖之三。
為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明具體實施例及相應的附圖對本發明技術方案進行清楚、完整地描述。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
本發明提供的膜層結構示意圖僅示出不同膜層之間的位置關係，並不代表實際的膜層厚度。本發明中步驟的序號並不代表步驟執行的先後順序，而是以說明書解釋以及說明書附圖中的示例為准。
實施例一
在本發明中，該聚電解質也稱為聚合物電解質，是一種帶有可電離基團的長鏈高分子，該聚電解質為鏈狀且具有可電離的端基。溶解該聚電解質和具有無機半導體性質的奈米粒子可以採用醇溶劑或性質相似的其他溶劑，溶解過程中可以通過攪拌、加熱等方式加速溶解，所得的混合溶液中包含鏈狀的上述聚合物以及奈米粒子，該奈米粒子可以為氧化鋅或氧化鈦等過渡金屬氧化物。
步驟22：在形成的量子點發光層的一表面沉積該第一混合溶液，形成包含該聚電解質和該奈米粒子的電子傳輸層。
其中，至少部分該聚電解質所攜帶的端基能夠填充在該電子傳輸層中奈米粒子的表面缺陷處。
在本步驟之前還可以包括：提供一基底，以及在基底上依次形成電極層等膜層的步驟。本步驟中所涉及的沉積工藝具體可以包括塗布、浸塗、噴霧、印刷等，在沉積混合溶液之後，為了加快成膜效果，還可以採用加熱、烘乾等方式蒸發溶劑，使得蒸發後的膜層中僅保留聚合物以及被聚合纏繞包裹的奈米粒子，形成該電子傳輸層。
在本方案中，由於聚電解質的可電離的端基帶有偶極，能與奈米粒子表面的缺陷電連接，因此，至少部分該聚電解質所攜帶的端基能夠填充在該奈米粒子表面，降低電子傳輸層的缺陷態密度，減少電子傳輸層中奈米粒子表面缺陷捕獲電子的情況，避免介面淬滅的現象。
另外，在上述形成的電子傳輸層中，可以不只包含上述聚電解質和奈米粒子，還可以包含其他能夠彌補奈米粒子表面缺陷，降低電子傳輸層缺陷態密度的有機或無機材料，以便進一步提高電子傳輸層的導電性能。
實施例二
基於上述方案，本發明實施例提供一種較優的量子點發光二極體QLED器件的製作方法，該方法包括：
步驟21：溶解聚電解質和具有無機半導體性質的奈米粒子，形成第一混合溶液。
對於上述步驟21，具體可以採用以下溶解方式：
步驟211：採用第一溶劑溶解該聚電解質得到第一溶液。
在實際生產過程中，可以根據選用的聚電解質的特性選擇第一溶劑。第一溶劑往往能夠溶解所選的聚電解質且通常與製備量子點發光層時採用的溶劑不互溶。另外，考慮到隨後第一溶液與第二溶液混合形成混合溶液，選用的第一溶劑應與第二溶劑能夠互溶，以便形成的混合溶液不分層，避免出現溶質析出的現象。由於量子點發光層通常採用非極性溶劑，因此，較優的溶解上述聚合物的第一溶劑為極性溶劑。
步驟212：採用第二溶劑溶解該具有無機半導體性質的奈米粒子得到第二溶液。
該奈米粒子通常為無機半導體奈米粒子，具體的可以選用氧化鋅、氧化鈦等過渡金屬氧化物，可以根據實際選用的奈米粒子材料的特性選擇第二溶劑，第二溶劑往往能夠溶解上述奈米粒子，且通常與製備量子點發光層時採用的溶劑不互溶。另外，考慮到隨後第一溶液與第二溶液混合形成混合溶液，選用的第二溶劑應與第一溶劑能夠互溶，以便形成的混合溶液不分層，避免出現溶質析出的現象。由於量子點發光層通常採用非極性溶劑，因此，較優的溶解上述奈米粒子的第二溶劑為極性溶劑。
步驟213：混合該第一溶液和該第二溶液形成該第一混合溶液。
較優的，上述第一溶液和第二溶液採用極性溶劑，因此，第一溶液和第二溶液能夠互溶。通過混合上述第一溶液和第二溶液獲得的第一混合溶液中同時包含鏈狀的聚電解質以及奈米粒子。
上述方案中，步驟211和步驟212無先後順序限定，可以先執行步驟212再執行步驟211，也可以同時執行步驟211和步驟212，只要能夠獲得上述
第一溶液和第二溶液即可。採用上述兩種溶劑分別溶解聚電解質以及奈米粒子，能夠避免在同一溶液中溶解兩種物質時相互干擾，保證上述兩種物質能較好地溶解在第一混合溶液中，減少混合後的析出現象，保證第一混合溶液中溶質的量的穩定性。
另外，為簡化製作流程，也可以採用同一種溶劑溶解聚合物和奈米粒子，形成第一混合溶液。具體的，可以採用一種能夠同時溶解聚電解質以及奈米粒子的溶劑對上述物質進行溶解，保證在形成的溶液中聚電解質與奈米粒子可以共存，通常情況下該溶劑為極性溶劑，從而保證與製備量子點發光層採用的非極性溶劑不互溶，保證電子傳輸層以及量子點發光層的完整性，緩解層間互溶的現象。
對於上述方案，較優的，該第一混合溶液中聚電解質的濃度小於1mg/ml，該第一混合溶液中該奈米粒子的濃度大於或等於15mg/ml且小於或等於25mg/ml。在該濃度下，聚電解質的帶有電性的端基能夠較好地與奈米粒子表面的缺陷電連接，彌補奈米粒子表面的缺陷，降低電子傳輸層的缺陷態密度，避免介面淬滅的現象。同時，由於聚電解質的導電性能往往比奈米粒子的導電性能差，為保證電子傳輸層的導電性能，採用上述濃度能盡可能減小聚電解質對電子傳導的影響，保證該電子傳輸層具有較好的導電性能。
步驟22：在形成的量子點發光層的一表面沉積該第一混合溶液，形成包含該聚電解質和該奈米粒子的電子傳輸層。
基於上述方案，在製作量子點發光二極體QLED器件的過程中，參見圖4，還包括以下步驟：
步驟23：溶解聚合物和具有無機半導體性質的奈米粒子，形成第二混合溶液。
具體的，該聚合物可以為聚電解質也可以為非聚電解質類聚合物，參見圖5，溶解該聚合物的步驟可以包括：
步驟231：採用第三溶劑溶解該聚合物得到第三溶液。
該聚合物為鏈狀，溶解該聚合物可以採用醇溶劑或性質相似的其他溶劑，溶解過程中可以通過攪拌、加熱等方式加速溶解。可以根據選用的聚合物的特性選擇第三溶劑，所選溶劑往往對選用的聚合物具有較高的溶解性且通常與製備量子點發光層時採用的溶劑不互溶。較優的可以選擇極性溶劑對本步驟中所選的聚合物進行溶解。
步驟232：採用第四溶劑溶解該具有無機半導體性質的奈米粒子得到第四溶液。
本步驟中溶解的奈米粒子可以與步驟21中所使用的具有無機半導體性質的奈米粒子相同或不同，具體的可以選用氧化鋅、氧化鈦等過渡金屬氧化物，較優的溶解上述奈米粒子的第二溶劑為極性溶劑。
步驟233：混合該第三溶液和該第四溶液形成該第二混合溶液。
在混合的過程中，可以通過攪拌、加熱等方式使上述聚合物和奈米粒子充分混合，使第二混合溶液中的聚合物和奈米粒子分佈均勻。較優的，上述第二混合溶液中聚合物的濃度小於1mg/ml，且奈米粒子的濃度大於或等於15mg/ml且小於或等於25mg/ml。在該濃度下，聚合物能夠充分包裹奈米粒子，且由於聚合物的導電性往往比奈米粒子差，在該濃度下，能降低聚合物對電洞
傳輸層導電性的影響，盡可能在限制奈米粒子移動的同時保證該膜層的導電性能，從而保證電洞傳輸層的性能。
在本發明中，上述濃度範圍僅作為優選實施例進行介紹，並不限於採用滿足上述濃度範圍的混合溶液，還可以根據實際生產需求，調整聚合物的濃度範圍和/或調整奈米粒子的濃度範圍，從而採用上述濃度範圍以外的混合溶液，只要能夠得到具有聚合物纏繞包裹奈米粒子的性能的膜層即可。
另外，為簡化製作流程，也可以採用同一種溶劑溶解聚合物和奈米粒子，形成第二混合溶液。具體的，可以採用一種能夠同時溶解聚合物以及奈米粒子的溶劑對上述物質進行溶解，保證在形成的第二溶液中聚合物與奈米粒子可以共存，通常情況下該溶劑為極性溶劑，從而保證與製備量子點發光層採用的非極性溶劑不互溶，緩解層間互溶的現象。
步驟24：在形成的量子點發光層的另一表面沉積該第二混合溶液，形成包含聚合物和該奈米粒子的電洞傳輸層。
其中，該聚合物包裹該電洞傳輸層中的奈米粒子，以阻隔該電洞傳輸層與該量子點發光層之間膜層互溶。在具體的實施過程中，可以通過加熱等方式加速成膜，由於該第一傳輸層中的聚合物可以以三維纏繞的形式包裹奈米粒子，因此，可以有效限制奈米粒子的移動，阻隔奈米粒子由於重力作用而下沉滲漏至相鄰膜層，緩解膜層互溶的情況，進而保證量子點發光層的發光性能。
另外，在上述形成電洞傳輸層的過程中，可以不只包含聚合物和奈米粒子，還可以包含其他能夠加強聚合物對奈米粒子的纏繞包裹能力，或
是，加大網狀聚合物密度的有機或無機材料，以便提升對奈米粒子的限制能力。
在實際的生產過程中，製作QLED器件的步驟可以為先執行步驟21和22，再執行步驟23和24，也可以為先執行步驟23和24，再執行步驟21和22。相類似的，也可以同時執行步驟21和23，再執行22和24，其中22和24的順序可以互換。只要能夠實現在量子點發光層的一側沉積電子傳輸層，另一側沉積電洞傳輸層即可。
當先沉積電洞傳輸層，再沉積電子傳輸層時。電洞傳輸層位於量子點發光層下方，電子傳輸層位於量子點發光層上方。在該方法步驟中，由於電洞傳輸層中聚合物三維包裹纏繞奈米粒子，提高電洞傳輸層整體密度，減少電洞傳輸層與量子點發光層接觸面的空隙，從而能夠減少量子點發光層中奈米粒子滲漏至電洞傳輸層的情況。而位於量子點發光層上的電子傳輸層中，由於聚電解質三維纏繞包裹奈米粒子，限制奈米粒子的移動，一定程度上緩解了電子傳輸層中奈米粒子滲漏至量子點發光層中的情況，進而緩解上述膜層之間出現滲漏或互溶的情況，保證QLED器件整體性能。
當先沉積電子傳輸層，再沉積電洞傳輸層時。電子傳輸層位於量子點發光層下方，電洞傳輸層位於量子點發光層上方。在該方法步驟中，由於電子傳輸層中聚電解質三維包裹纏繞奈米粒子，提高電子傳輸層整體密度，使電子傳輸層與量子點發光層的接觸面具有緊密的結構，從而能夠減少量子點發光層中奈米粒子滲漏至電子傳輸層的情況。而位於量子點發光層上的電洞傳輸層中，由於聚合物三維纏繞包裹奈米粒子，限制奈米粒子的移動，一定程度上
緩解了電洞傳輸層中奈米粒子滲漏至量子點發光層中的情況，進而緩解上述膜層之間出現滲漏或互溶的情況，保證QLED器件整體性能。
本方案中沉積電子傳輸層的過程中使用的聚電解質的端基帶有偶極，能與奈米粒子的表面缺陷電性連接，彌補奈米粒子表面的缺陷，降低電子傳輸層中的缺陷態密度，避免介面淬滅的現象。而且，由於聚電解質為鏈狀，能夠三維包裹奈米粒子並限制奈米粒子的移動，緩解層間滲漏或互溶的情況。相類似的，電洞傳輸層中的聚合物也能夠三維包裹奈米粒子，由此，緩解層間滲漏或互溶的情況。由於與量子點發光層相鄰的電子傳輸層與電洞傳輸層都具有比較緻密的結構，奈米粒子受到限制不容易移動，位於上方的奈米粒子受到鏈狀聚合物的限制或受到下方膜層緻密接觸面的阻擋，從而緩解滲漏或層間互溶的情況。
實施例三
本發明實施例提供一種量子點發光二極體QLED器件，如圖6a所示，包括：量子點發光層32，位於該量子點發光層32一表面的電子傳輸層31，該電子傳輸層31包含聚電解質和具有無機半導體性質的奈米粒子，其中，該聚電解質所攜帶的端基能夠填充在該電子傳輸層31中奈米粒子的表面缺陷處。
上述量子點發光層32是QLED器件中具有發光功能的膜層，在QLED器件工作狀態下，陰極提供的電子與陽極提供的電洞通過傳輸層傳輸至該量子點發光層32，量子點發光層32中的量子點吸收光子使電子躍遷，從而發光。其中，量子點具體是微小的半導體奈米級晶體。
在上述結構中，電子傳輸層31中的聚電解質的端基往往帶有偶極，在電極作用下該端基能與奈米粒子的表面缺陷電連接，從而彌補奈米粒子
的表面缺陷，降低電子傳輸層31的缺陷態密度，緩解電子傳輸層31中奈米粒子捕獲電子的作用，避免出現介面淬滅，進而提升QLED器件性能。
在上述QLED器件中，該電子傳輸層中的聚電解質呈網狀且包裹該電子傳輸層中的奈米粒子，以阻隔該電子傳輸層與該量子點發光層之間膜層互溶。
上述電子傳輸層的結構示意圖如圖6b所示，圖中白色空心圓代表電子傳輸層中的具有無機半導體性質的奈米粒子M，纏繞在該奈米粒子M周圍的黑線代表聚電解質N，該聚電解質N具體包括主鏈和與主鏈連接的多個支鏈，其中支鏈未在圖中示出。圖中僅示出不同物質的位置關係，不用於限制膜層中物質的量。電子傳輸層中的聚電解質的端基與奈米粒子表面缺陷電連接，彌補奈米粒子表面缺陷，降低電子傳輸層的缺陷態密度，避免介面淬滅的現象。
對於上述QLED器件，參見圖7a，還包括：位於量子點發光層42另一表面的電洞傳輸層43，該電洞傳輸層43包含聚合物和具有無機半導體性質的奈米粒子。
該電洞傳輸層的結構參見圖6b，圖中白色空心圓代表電洞傳輸層中的具有無機半導體性質的奈米粒子M，纏繞在該奈米粒子M周圍的黑線代表聚合物N，該聚合物N具體包括主鏈和與主鏈連接的多個支鏈，其中支鏈未在圖中示出。圖中僅示出不同物質的位置關係，不用於限制膜層中物質的量。電洞傳輸層中的聚合物為鏈狀，纏繞奈米粒子以形成緻密的結構，限制奈米粒子的移動，緩解層間互溶的情況。
當電洞傳輸層43位於量子點發光層42下方時，由於電洞傳輸層43中聚合物三維包裹纏繞奈米粒子，提高電洞傳輸層43整體密度，減少電洞傳輸層43與量子點發光層42接觸面的空隙，從而能夠減少量子點發光層42中奈米粒子滲漏至電洞傳輸層43的情況。而位於量子點發光層42上的電子傳輸層41中，由於聚電解質三維纏繞包裹奈米粒子，限制奈米粒子的移動，一定程度上緩解了電子傳輸層41中奈米粒子滲漏至量子點發光層42中的情況，進而緩解上述膜層之間出現滲漏或互溶的情況，保證QLED器件整體性能。
當電子傳輸層位於量子點發光層下方時，參見圖7b，由於電子傳輸層41中聚電解質三維包裹纏繞奈米粒子，提高電子傳輸層41整體密度，減少電子傳輸層41與量子點發光層42接觸面的空隙，從而能夠減少量子點發光層42中奈米粒子滲漏至電子傳輸層41的情況。而位於量子點發光層42上的電洞傳輸層43中，由於聚合物三維纏繞包裹奈米粒子，限制奈米粒子的移動，一定程度上緩解了電洞傳輸層43中奈米粒子滲漏至量子點發光層42中的情況，進而緩解上述膜層之間出現滲漏或互溶的情況，保證QLED器件整體性能。
實施例四
本發明實施例提供一種QLED裝置，包括上述提及的任一QLED器件。該QLED裝置可以為手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記型電腦、數碼相框、導航儀、智慧穿戴設備、虛擬實境(Virtual Reality，VR)設備、增強現實(Augmented Reality，AR)設備等任何具有顯示功能的產品或部件，也可以應用於照明設備。對於該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領域的普通技術人員應該理解具有的，在此不做贅述，也不應作為對本發明的限制。
以上僅為本發明的實施例而已，並不用於限制本發明。對於本領域技術人員來說，本發明可以有各種更改和變化。凡在本發明的精神和原理之內所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的申請專利範圍之內。
Claims (9)
- 一種製作量子點發光二極體QLED器件的方法，其步驟包括：溶解聚電解質和具有無機半導體性質的奈米粒子，形成第一混合溶液，其中該第一混合溶液中該聚電解質的濃度小於1mg/ml，該第一混合溶液中該奈米粒子的濃度大於或等於15mg/ml且小於或等於25mg/ml；在形成的量子點發光層的一表面沉積該第一混合溶液，形成包含該聚電解質和該奈米粒子的電子傳輸層；以及在形成的量子點發光層的另一表面形成電洞傳輸層；其中，至少部分該聚電解質所攜帶的端基能夠填充在該電子傳輸層中奈米粒子的表面缺陷處。
- 如請求項第1項所述之製作量子點發光二極體QLED器件的方法，其中，於在形成的量子點發光層的另一表面形成電洞傳輸層的步驟還包括：溶解聚合物和具有無機半導體性質的奈米粒子，形成第二混合溶液；以及在形成的量子點發光層的另一表面沉積該第二混合溶液，形成包含聚合物和該奈米粒子的該電洞傳輸層。
- 如請求項第1或2項所述之製作量子點發光二極體QLED器件的方法，其中，溶解聚電解質和具有無機半導體性質的奈米粒子，形成第一混合溶液，具體包括：採用第一溶劑溶解該聚電解質得到第一溶液；採用第二溶劑溶解該具有無機半導體性質的奈米粒子得到第二溶液；以及混合該第一溶液和該第二溶液形成該第一混合溶液。
- 如請求項第2項所述之製作量子點發光二極體QLED器件的方法，其中，溶解聚合物和具有無機半導體性質的奈米粒子，形成第二混合溶液，具 體包括：採用第三溶劑溶解該聚合物得到第三溶液；採用第四溶劑溶解該具有無機半導體性質的奈米粒子得到第四溶液；以及混合該第三溶液和該第四溶液形成該第二混合溶液。
- 如請求項第4項所述之製作量子點發光二極體QLED器件的方法，其中，該第二混合溶液中該聚合物的濃度小於1mg/ml，該第二混合溶液中該具有無機半導體性質的奈米粒子的濃度大於或等於15mg/ml且小於或等於25mg/ml。
- 一種量子點發光二極體QLED器件，其包括：量子點發光層，位於該量子點發光層一表面的電子傳輸層，該電子傳輸層包含聚電解質和具有無機半導體性質的奈米粒子，其中該電子傳輸層是由包含濃度小於1mg/ml的聚電解質以及濃度大於或等於15mg/ml且小於或等於25mg/ml的奈米粒子的第一混合溶液沈積而成，以及位於該量子點發光層另一表面的電洞傳輸層；其中，至少部分該聚電解質所攜帶的端基能夠填充在該電子傳輸層中奈米粒子的表面缺陷處。
- 如請求項第6項所述之量子點發光二極體QLED器件，其中，該電子傳輸層中的聚電解質呈網狀且包裹該電子傳輸層中的奈米粒子。
- 如請求項第6或7項所述之量子點發光二極體QLED器件，其中，位於量子點發光層另一表面的電洞傳輸層還包括：聚合物和具有無機半導體性質的奈米粒子。
- 一種量子點發光二極體QLED裝置，其包括如請求項第6-8項任一項該的QLED器件。
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