TWI707415B - 半導體裝置 - Google Patents

半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI707415B
TWI707415B TW106101673A TW106101673A TWI707415B TW I707415 B TWI707415 B TW I707415B TW 106101673 A TW106101673 A TW 106101673A TW 106101673 A TW106101673 A TW 106101673A TW I707415 B TWI707415 B TW I707415B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor device
pressure measurement
package
pressure
internal space
Prior art date
Application number
TW106101673A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201737380A (zh
Inventor
門井聖明
Original Assignee
日商艾普凌科有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商艾普凌科有限公司 filed Critical 日商艾普凌科有限公司
Publication of TW201737380A publication Critical patent/TW201737380A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI707415B publication Critical patent/TWI707415B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

本發明提供一種可對中空結構的空間的內壓變化進行檢查的半導體裝置。半導體裝置1包含在內部具有空間的中空型封裝，在半導體裝置1的表面具備可對內部空間的狀態進行檢查的壓力測度2。壓力測度2包含呈直角交叉的多條直線，藉由對交點間的尺寸變化進行測定，從而可確認內壓有無變化。

Description

半導體裝置
本發明是有關於一種具有中空結構並在其內部搭載半導體元件的半導體裝置。
習知型的具有中空結構的半導體裝置的剖面圖如圖11所示。習知型的中空結構的半導體裝置11中，在其表面形成有所需的電氣電路的半導體元件12被配置於作為引線框架（lead frame）的一部分的島（island）16。並且，半導體元件12與外部端子14經由金線13而電性連接。蓋（cap）材15包含金屬，以覆蓋半導體元件12及金線13的方式而設於引線框架上。
當將此種封裝（package）的內部空間例如設為真空時，使用藉由蓋材15來將半導體裝置密封於真空腔室（chamber）內的方法。而且，當對封裝的內部空間進行加壓時，使用藉由蓋材15來將半導體裝置密封於加壓腔室內的方法。因此，無法獲知經密封並完成的半導體裝置的內部空間的真空度或加壓狀況等。極少關注內部空間的狀態變化，例如在因內部空間由真空狀態成為大氣壓狀態而喪失半導體裝置的原本功能或性能後才知曉內部空間的狀態變化，從而導致耽誤了針對半導體裝置故障的應對。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-223295號公報 [發明所欲解決之課題]
在如上所述般將內部空間設為真空的半導體裝置的情況下，熔接時的逸出氣體（out gas）會導致真空度發生劣化。尤其在高真空的半導體裝置中，有時會在封裝內配置被稱作吸氣劑（getter）的、對封裝內部的氣體進行吸附的吸附材，但來自烴等有機物的逸出氣體無法被吸附材吸附。進而，若產生逸出氣體，則蓋材、引線框架的金屬亦會吸收該逸出氣體。因此，因時間的經過，被吸收的逸出氣體會從金屬再次釋放至內部空間，藉此亦會造成真空度發生劣化。
而且，在對內部空間進行加壓的封裝中，在蓋材為有機材料等的情況下，隨時間的經過，加壓氣體成分會滲透至有機材料內部而導致壓力下降。即使於蓋材中使用金屬，但若使用黏著劑，則亦會造成同樣的結果。
即，無論是對內部空間進行減壓、加壓，其壓力均會因時間的經過而發生變化，但在具有內部空間的中空型半導體裝置中，並無檢測該變化的方法，因此無法瞭解內部空間的狀態。
本發明是鑒於所述不良情況而完成，提供一種可容易地確認內壓變化的中空結構封裝。 [解決課題之手段]
為了解決所述課題，本發明中使用了以下手段。
首先，採用一種半導體裝置，在中空結構的內部搭載有半導體元件，在所述半導體裝置的表面設有壓力測度（measure），所述壓力測度對因所述中空結構的內壓變化引起的形狀應變進行測定。
而且，採用一種半導體裝置，所述壓力測度包含正交的多條直線或曲線。
而且，採用一種半導體裝置，所述壓力測度被設於所述半導體裝置的上表面或側面。
而且，採用一種半導體裝置，第1面與其他面相比而壁薄。
進而，採用一種半導體裝置，所述壓力測度具備第1壓力測度及第2壓力測度。 [發明的效果]
如上所述，在具有內部空間的中空型半導體裝置中，在半導體裝置表面設置壓力測度，藉由對該壓力測度進行檢查，從而可非破壞地知曉內部空間的狀態。
以下，對於用於實施發明的形態，使用圖式來說明實施例。
[實施例1]
圖1是本發明的第1實施形態的半導體裝置的立體圖。
半導體裝置1包含在內部具有空間的中空型封裝6。在封裝6的表面，具備可對內部空間的狀態進行檢查的壓力測度2。壓力測度2包含呈直角交叉的多條直線，圖示者為雙刃梳狀。
圖2是標註有圖1所示的壓力測度的半導體裝置1的俯視圖。在與封裝6的長邊方向即第1邊平行的第1方向上，配置有長的一條直線，在與和所述直線正交的封裝6的第2邊平行的第2方向上，沿著封裝6的上表面而以某間隔配置有短的多條直線。該些線形成對於觀測第1方向的封裝6的應變而有效的壓力測度。
圖3是半導體裝置1的內部空間成為真空狀態時的立體圖。在內部成為真空狀態的封裝中，在封裝的上表面配置有圖2所圖示般的壓力測度2的情況下，當如圖3般從斜向觀察時，成為變形（彎曲）成凹型的形狀。若此種減壓型封裝的真空度下降，則變形的曲率變小而第2方向的多條直線的間隔縮小。藉由測定該縮皺，從而可確認內部空間的真空度有無下降。如此，利用真空時與非真空時壓力測度2的線的間隔的不同，可簡便地知曉封裝內部的真空度是否發生了變化。雖未圖示，但藉由在第1方向上配置多條直線，便可觀察第2方向的應變。該壓力測度可在真空封裝完成後使用雷射標記（laser marking）或油墨標記（ink marking）的方法來形成。
圖4是沿著圖2中的第1方向的長的一條直線的封裝的剖面圖。真空（減壓）狀態下的封裝的上表面7是以彎曲成凹型的曲線表示，大氣壓狀態下的封裝的上表面8因內壓與外壓取得均衡而以直線表示。位於真空（減壓）狀態下的封裝的上表面7上的二個交點A在轉變為大氣壓狀態時，移動至藉由直線表示的封裝的上表面8上的二個交點A'。此時，A'-A'間的間隔與A-A間的間隔相比而縮皺、變短。利用該現象，可知曉封裝內部的真空度的變化。另外，本圖中，在上表面設置凹型而進行了說明，但在側面亦同樣。
以上，以對減壓狀態的封裝標註有壓力測度的示例進行了說明，但該壓力測度亦可標註至加壓封裝。當在加壓狀態下彎曲變形的封裝的內壓下降時，變形的曲率變小而第2方向的多條直線的間隔縮皺。藉由測定該縮皺，可確認內部空間的真空度有無下降。如此，利用加壓狀態時與非加壓狀態時壓力測度2的線的間隔的不同，可簡便地知曉封裝內部的壓力是否發生了變化。
[實施例2]
圖5是本發明的第2實施形態的半導體裝置1的俯視圖。藉由在半導體裝置1的封裝6的上表面設置壓力測度2，從而可對基板安裝後的半導體裝置1的內部空間的真空狀態進行檢查，但該壓力測度包含作為曲線的同心圓，且對各個圓的間隙或圓的直徑進行檢查，藉此可知曉內部空間的真空狀態。與真空狀態相比，封裝6在大氣壓狀態下，各圓的直徑及間隙變小。
[實施例3]
圖6是本發明的第3實施形態的半導體裝置1的立體圖。本實施形態是壓力測度被設於半導體裝置1的封裝6的側面的實施形態。半導體裝置1有時會將製品資訊標記於封裝6的上表面。此時，藉由將壓力測度2設於封裝6的側面，而從側面檢查基板安裝後的半導體裝置1，藉此可檢查半導體裝置1的內部空間的真空狀態。這是利用了形成在半導體裝置1的上表面的凹型的變形於側面亦會同樣形成的現象者。該壓力測度2包含直線，但即使是與圖5所示的實施例2同樣地由曲線所形成的壓力測度，亦具有同樣的功能。而且，亦可將圖3及圖6予以組合而在多個面設置壓力測度。
[實施例4]
圖7是本發明的第4實施形態的半導體裝置的剖面圖。本實施例是如下所述的實施例，即：藉由使具有壓力測度2的、半導體裝置1的上表面的構件3的厚度薄於未設置壓力測度2的部分，而使具有壓力測度2的面的變形大於未設置壓力測度2的部分，從而提高壓力測度2的靈敏度。該壓力測度無論是直線抑或是曲線，均可獲得同樣的效果。當在側面設有壓力測度2時，可使側面的構件的厚度薄於其他面而提高靈敏度。
[實施例5]
圖8是本發明的第5實施形態的半導體裝置的剖面圖。本實施例是如下所述的實施例，即：在具有壓力測度2的面的一部分且設有壓力測度2的部分，以局部地具有的方式而形成構件厚度薄的部分4，藉此不降低未設有壓力測度2的部分的構件強度，且使壓力測度2部分的變形較除此以外部分的變形而相對變大，藉此提高壓力測度2的靈敏度。
[實施例6]
本發明是具有內部空間的半導體裝置1的外形發生變 形，藉由壓力測度2來容易地檢查該變形量，亦有時根據半導體裝置1的外形的變形方式而包含直線的壓力測度2容易進行檢查，亦有時根據變形方式而包含曲線的壓力測度2容易進行檢查。而且，兼具這兩者的壓力測度2的形狀亦有效。圖9所示者是將同心圓與多條直線組合而成者。而且，該些壓力測度2形成於半導體裝置1的表面，因此壓力測度2被印刷或刻製於環氧(epoxy)系的半導體密封樹脂或CAN型半導體裝置中所用的金屬材料的表面。
[實施例7]
圖10是本發明的第7實施形態的半導體裝置的俯視圖。這是壓力測度包含多個構件的實施例。該實施例是除了設於半導體裝置1的表面的第1壓力測度2以外，還附加有第2壓力測度5者。第2壓力測度5是以較第1壓力測度2的線間隔更細的間隔而形成，藉由與第1壓力測度2鄰接地設置第2壓力測度5，從而可如游標卡尺般使用，即使目測亦可進行精度更高的讀取。
1:半導體裝置
2:壓力測度
3:上表面的構件
4:構件厚度薄的部分
5:第2壓力測度
6:封裝
11:半導體裝置
12:半導體元件
13:金線
14:外部端子
15:蓋材
16:島
A:交點
A':交點
圖1是本發明的第1實施形態的半導體裝置的立體圖。 圖2是本發明的第1實施形態的半導體裝置的俯視圖。 圖3是本發明的第1實施形態的半導體裝置的立體圖。 圖4是本發明的第1實施形態的半導體裝置的剖面圖。 圖5是本發明的第2實施形態的半導體裝置的俯視圖。 圖6是本發明的第3實施形態的半導體裝置的立體圖。 圖7是本發明的第4實施形態的半導體裝置的剖面圖。 圖8是本發明的第5實施形態的半導體裝置的剖面圖。 圖9是本發明的第6實施形態的半導體裝置的俯視圖。 圖10是本發明的第7實施形態的半導體裝置的俯視圖。 圖11是習知的半導體裝置的剖面圖。
1‧‧‧半導體裝置
2‧‧‧壓力測度
6‧‧‧封裝

Claims (9)

  1. 一種半導體裝置，在具有中空結構的封裝的內部搭載有半導體元件，所述半導體裝置的特徵在於，在所述封裝的表面具有壓力測度，基於所述壓力測度的外觀變化對因所述中空結構的內壓變化引起的所述封裝形狀的應變進行測定，其中所述壓力測度包含正交的多條直線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其中所述壓力測度包含多條曲線。
  3. 如申請專利範圍第1項至第2項中任一項所述的半導體裝置，其中所述壓力測度被設於所述封裝的第1面。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的半導體裝置，其中所述第1面為所述半導體裝置的上表面。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的半導體裝置，其中所述第1面為所述半導體裝置的側面。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的半導體裝置，其中所述第1面不同於所述封裝的標記有識別資訊的面。
  7. 如申請專利範圍第3項所述的半導體裝置，其中所述第1面與所述封裝的其他面相比而壁薄。
  8. 如申請專利範圍第3項所述的半導體裝置，其中所述第1面的一部分與所述封裝的其他面相比而壁薄。
  9. 如申請專利範圍第3項所述的半導體裝置，其中 所述壓力測度包含多個構件，所述多個構件包含第1壓力測度及第2壓力測度。
TW106101673A 2016-01-26 2017-01-18 半導體裝置 TWI707415B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-012514 2016-01-26
JP2016012514A JP6635806B2 (ja) 2016-01-26 2016-01-26 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201737380A TW201737380A (zh) 2017-10-16
TWI707415B true TWI707415B (zh) 2020-10-11

Family

ID=59359126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106101673A TWI707415B (zh) 2016-01-26 2017-01-18 半導體裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20170213775A1 (zh)
JP (1) JP6635806B2 (zh)
KR (1) KR20170089413A (zh)
CN (1) CN106997868B (zh)
TW (1) TWI707415B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03199933A (ja) * 1989-12-27 1991-08-30 Terumo Corp 赤外線センサ
US20060262088A1 (en) * 2005-03-31 2006-11-23 Stmicroelectronics S.R.L. Analog data-input device provided with a pressure sensor of a microelectromechanical type
US20080208425A1 (en) * 2005-07-22 2008-08-28 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated pressure sensor with double measuring scale and a high full-scale value
JP2015118017A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体
JP2015152509A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5608267A (en) * 1992-09-17 1997-03-04 Olin Corporation Molded plastic semiconductor package including heat spreader
DE19812042A1 (de) * 1998-03-19 1999-09-30 Harting Kgaa Gehäuse zur Aufnahme von elektrischen und/oder elektronischen Bauteilen
JP4337656B2 (ja) * 2004-06-29 2009-09-30 株式会社デンソー 圧力センサ
JP2008227087A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Denso Corp 半導体素子
US7739906B2 (en) * 2008-02-26 2010-06-22 Kyocera Corporation Sensor module, wheel with sensor and tire/wheel assembly
JP2016004016A (ja) * 2014-06-19 2016-01-12 富士電機株式会社 二重ダイアフラム式圧力センサ
US11079212B2 (en) * 2014-10-24 2021-08-03 Qnovo Inc. Circuitry and techniques for determining swelling of a battery/cell and adaptive charging circuitry and techniques based thereon
CN105195395B (zh) * 2015-10-15 2019-04-09 重庆路投科技有限公司 一种注胶器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03199933A (ja) * 1989-12-27 1991-08-30 Terumo Corp 赤外線センサ
US20060262088A1 (en) * 2005-03-31 2006-11-23 Stmicroelectronics S.R.L. Analog data-input device provided with a pressure sensor of a microelectromechanical type
US20080208425A1 (en) * 2005-07-22 2008-08-28 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated pressure sensor with double measuring scale and a high full-scale value
JP2015118017A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体
JP2015152509A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体

Also Published As

Publication number Publication date
CN106997868A (zh) 2017-08-01
JP2017135199A (ja) 2017-08-03
US20170213775A1 (en) 2017-07-27
JP6635806B2 (ja) 2020-01-29
KR20170089413A (ko) 2017-08-03
TW201737380A (zh) 2017-10-16
CN106997868B (zh) 2022-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN208847381U (zh) 微机电换能器
JP4925306B2 (ja) 圧力センサ
US20150128713A1 (en) Pressure sensor
US10976205B2 (en) Dynamic quantity measuring apparatus having a strain sensor disposed in a groove
US10446414B2 (en) Semiconductor package with filler particles in a mold compound
TWI707415B (zh) 半導體裝置
JP2016217804A (ja) 多軸触覚センサ及び多軸触覚センサの製造法
US9372243B2 (en) Magnetic sensor
US10788387B2 (en) Component having a micromechanical sensor module
KR101573367B1 (ko) 압저항형 세라믹 압력센서
JP5859133B2 (ja) 半導体装置
JP2017051277A5 (zh)
US8729697B2 (en) Sensor arrangement, a measurement circuit, chip-packages and a method for forming a sensor arrangement
US20130264692A1 (en) Integrated circuit package and method of forming the same
Ham et al. Design, fabrication, and characterization of piezoresisitve strain gage-based pressure sensors for mechatronic systems
RU2505782C1 (ru) Наклеиваемый полупроводниковый тензорезистор (варианты)
JP7474964B2 (ja) デバイス製造装置の検査方法及びデバイス製造装置
JP2009074891A (ja) 物理量センサとその製造方法
JP6424780B2 (ja) 力学量センサ
JP2004028746A (ja) 圧力センサ及び圧力センサの製造方法
CN103185650B (zh) 一种封装器件的应力检测方法
JP5041451B2 (ja) センサの取り付け方法
Chaparala et al. A new technique for calibrating piezoresistive stress sensor chips
JP2006153518A (ja) 加速度センサ
JP2015114232A (ja) 半導体圧力センサ

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees