TWI706930B

TWI706930B - 陶瓷構造體

Info

Publication number: TWI706930B
Application number: TW108126162A
Authority: TW
Inventors: 徳留修; 森一; 小松原健司
Original assignee: 日商京瓷股份有限公司
Priority date: 2019-07-24
Filing date: 2019-07-24
Publication date: 2020-10-11
Also published as: TW202104139A

Abstract

本揭示之陶瓷構造體於將在從表面算起的於深度方向為0.7mm以下之表層區域中之氣孔之面積佔有率設為A(%)，並將在從表面算起的於深度方向比0.7mm深之內部區域中之氣孔之面積佔有率設為B(%)時，比率B/A為1.5以下。

Description

陶瓷構造體

本揭示關於陶瓷構造體。

近年來，伴隨著液晶、半導體等製造裝置和精密測定裝置之大型化，使用於該等裝置之陶瓷構造體(例如基板的支撐構件)亦被大型化。該經大型化之支撐構件係有使用長度方向的長度2m以上之長條狀或直徑為1m以上之大型陶瓷構件的情形。

就這種陶瓷構造體的製造方法而言，於專利文獻1係提案有在筒狀的橡膠模具中填充陶瓷原料，並對該橡膠模具的長度方向施加張力，而保持該狀態進行等靜壓壓製(isostatic pressing)之成形方法。另一方面，依據非專利文獻1，其中記載：對橡膠模具填充陶瓷原料並加壓而得之陶瓷成形體，由於其內部為粉末的集合體，因此只有從外表面算起1至2cm的位置為止之壓力為均勻地傳遞，壁厚的素材中，愈往內部則愈顯現出不均勻性。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平4-27503號公報

[非專利文獻]

[非專利文獻1]「入門精細陶瓷製造技術」(技法堂出版(股份有限公司)，昭和59年5月25日，p.187-188

陶瓷成形體若為長條狀或成為大型，則不均勻性會更為增加。因此，將這種陶瓷成形體進行燒製而得之陶瓷構造體即使是從外表面算起的深度尚淺的部分，其與外表面相比仍為密度顯著地變低。其結果係有存在強度、剛性等機械特性低的部分之情形。本揭示提供一種陶瓷構造體，係即使陶瓷成形體為長條狀或大型時，亦少有存在機械特性低之部分的陶瓷構造體。

本揭示之陶瓷構造體中，在剖面的觀察影像中，將在從兩表面算起的於深度方向為0.7mm以下之表層區域中之氣孔之面積佔有率設為A(%)，並將被前述表層區域夾住之內部區域中之氣孔之面積佔有率設為B(%)時，比率B/A為1.5以下。

依據本揭示，可提供少有存在機械特性低的部分之陶瓷構造體。

1、2‧‧‧表面

3、4‧‧‧表層區域

5‧‧‧內部區域

6、7‧‧‧氣孔

10、20‧‧‧陶瓷構造體

第1圖為顯示本揭示之陶瓷構造體的一例之斜視圖。

第2圖為顯示本揭示之陶瓷構造體的其它例之斜視圖。

第3圖為第1圖所示之陶瓷構造體之剖面，(a)為於表層區域中之剖面的觀察影像之一例，(b)為於靠近表層區域側之內部區域中之剖面的觀察影像之一例，(c)為於遠離表層區域側之內部區域中之剖面的觀察影像之一例。

以下，參照圖式詳細說明本揭示之陶瓷構造體。第1圖係顯示本揭示之陶瓷構造體的一例之斜視圖。第2圖係顯示本揭示之陶瓷構造體的其它例之斜視圖。

第1圖所示之陶瓷構造體10為長條狀，例如：長度為2m至4m，寬為200mm至300mm，高度為20mm至80mm。第2圖所示之陶瓷構造體20為大型的圓板狀，例如：直徑為2m至4m，高度為20mm至80mm。陶瓷構造體10、20之任一者均是相對密度為95%以上之緻密質體，具備：從表面1、2算起的於深度方向為0.7mm以下的表層區域3、4，以及從表面算起的於深度方向比0.7mm深之內部區域5。

陶瓷構造體10、20例如可為：由以氧化鋁、氧化釔、釔鋁榴石(yttrium aluminum garnet)、氧化鋯、氮化鋁、堇青石、鈦酸鋁、高鋁紅柱石(mullite)、鹼金屬鋁矽酸鹽(例如LAS(矽酸鋁鋰)等)、碳化矽、氮化矽、氮化矽或矽鋁氮氧化物(sialon)作為主成分之陶瓷所構成。

於陶瓷構造體10、20中之主成分，係指在構成陶瓷構造體10、20之成分100質量%中佔80質量%以上之成分。構成陶瓷構造體10、20之各成分的含量可以是在由使用CuKα射線之X射線繞射裝置的測定結果鑑定之後，使用ICP(Inductively Coupled Plasma)發光分光分析裝置或螢光X射線分析裝置(XRF)求得元素的含量，而換算成鑑定之成分的含量。相對密度係表示相對於經鑑定之主成分之陶瓷構造體10、20的理論密度之依據JIS R 1634-1998求得之陶瓷構造體10、20的表觀密度之百分率(比例)。

第3圖係第1圖所示之陶瓷構造體之剖面，第3圖(a)為於表層區域中之剖面的觀察影像的一例，第3圖(b)為於靠近表層區域側之內部區域中之剖面的觀察影像的一例，第3圖(c)為於遠離表層區域側之內部區域中之剖面的觀察影像的一例。

分別來說，係如第3圖(a)所示般，於表層區域3中分散配置氣孔6，以及如第3圖(b)以及(c)所示般，於內部區域5分散配置氣孔7。將於表層區域3中之氣孔6之面積佔有率設為A(%)，並將於內部區域5中之氣孔7之面積佔有率設為B(%)時，第3圖(a)所示之例的面積佔有率A為3.12%。於靠近表層區域3側之內部區域5中之氣孔7的面積佔有率B(%)(以下，將該面積佔有率B(%)記載為面積佔有率B₁(%))為3.46%。於遠離表層區域3側之內部區域5中之氣孔7之面積佔有率B(%)(以下，將該面積佔有率B(%)記載為面積佔有率B₂(%))為4.16%。

於本揭示之陶瓷構造體之剖面的觀察影像中，比率B/A為1.5以下。比率B/A若在此範圍，則在內部區域5之會使強度、剛性等機械特性減低之空隙部分少。因此，缺乏機械特性之部分少，具有高的機械特性。特別是以比率B/A是1.4以下為較佳。

第3圖所示之例的比率B₁/A為1.1，比率B₂/A為1.3。陶瓷構造體之剖面為從陶瓷構造體之表層區域往內部區域進行研磨所得之研磨面。第3圖(a)為於從表面1算起的於深度方向為0.7mm的位置中之研磨面，第3圖(b)為於從表面1算起的於深度方向為7.5mm的位置中之研磨面，第3圖(c)為於從表面1算起的於深度方向為15mm的位置中之研磨面。

該等研磨面是使用平均粒徑D₅₀為4μm以上之金鋼石研磨粒而以鑄鐵製定盤(fixed pan)進行研磨後，使用平均粒徑D₅₀為2μm以上之金鋼石研磨粒而以錫定盤於深度方向研磨至分別成為0.7mm、7.5mm、15mm為止而得到。該等研磨面的算術平均粗糙度Ra係例如5nm以下。算術平均粗糙度Ra係可使用3D光學表面輪廓儀(optical surface profiler)「NEW VIEW」(註冊商標Zygo Corporation)測定。

就陶瓷構造體而言，於表層區域3、4以及內部區域5之任一者的從氣孔6(7)之重心間距離之平均值減去氣孔6(7)之等效圓直徑之平均值的值皆可為5μm以上10μm以下。從氣孔6(7)之重心間距離之平均值減去氣孔6(7)之等效圓直徑之平均值的值為5μm以上時，空隙部分不會密集而是分散配置，故可具有更高的機械特性。另一方面，從氣孔6(7)之重心間距離之平均值減去氣孔6(7)之等效圓直徑之平均值的值為 10μm以下時，從表面1、2往深度方向進行研削、研磨等加工之情形下，會得到良好的加工性。再者，由於相鄰的氣孔間的間隔變狹窄，故可抑制微裂縫(microcrack)的伸展。藉由相鄰的氣孔間的間隔變狹窄，除去靜電的效果會變高。

氣孔6(7)之等效圓直徑可使用以下的方法求得。首先，使用數位顯微鏡而以200倍的倍率觀察上述剖面，例如可以用CCD相機拍攝面積為0.11mm²(橫向的長度為380.71μm，縱向的長度為285.53μm)之範圍的觀察影像，求得觀察影像內的各氣孔6(7)之等效圓直徑。就屬於顯示圖像之明暗的指標之閾值而言，若將等效圓直徑為0.27μm以下者設為測定之對象外即可。上述方法所求得之氣孔6(7)之等效圓直徑係例如為1μm以上3μm以下。

氣孔6(7)之重心間距離可使用以下的方法求得。以為了求得氣孔6(7)之等效圓直徑而拍攝之觀察影像為對象，使用圖像解析軟體「A像君(ver2.52)」(註冊商標，旭化成工程(股份有限公司)製)，以計算分散度之稱為重心間距離法的手法求得氣孔6(7)之重心間距離即可。以下記載有圖像解析軟體「A像君」時，係指旭化成工程(股份有限公司)製的圖像解析軟體。

該手法之設定條件，例如可將屬於指示圖像之明暗的指標之閾值設為165至176，明亮度設為暗，小圖形除去面積設為0.057μm²，設有降噪過濾器即可。在上述測定之際，閾值係設為165至176，但可對應觀察影像的明亮度來調整閾值，將明亮度進行調暗、2值化的方法設為手動操作，並在將小圖形除去面積設為0.057μm²以及具有降噪過濾器之前提下，以使觀察影像中所顯現的標記與氣孔之形狀成為一致的方式來調整閾值。上述方法所求得的氣孔6(7)之重心間距離係例如為7μm以上14μm以下。

陶瓷構造體10、20於表層區域3、4以及內部區域5之任一者中，觀察影像中之氣孔6(7)之等效圓直徑之最大值均可為10μm以下。氣孔6(7)之等效圓直徑之最大值為10μm以下時，即便從表面1、2往深度方向進行研磨，局部的容易磨耗的部分減少，故可抑制偏向磨耗。陶瓷構造體10、20之於表層區域3、4以及內部區域5之任一者中，在將於觀察影像中之等效圓直徑為5μm以上之氣孔之個數設為a(個)，並將於觀察影像中之等效圓直徑未達5μm之氣孔之個數設為b(個)時，比率b/a均可為50以上。

比率b/a在此範圍時，幾乎不會有在生成過程產生之氣孔聚集而成的大型氣孔，而小的氣孔是分散配置。因此，即使置於反覆昇溫及降溫之環境中而產生微裂縫，也可藉由氣孔6(7)抑制該微裂縫的發展。比率b/a可為80以上，特別是比率可為b/a為100以上。氣孔6(7)之個數可使用數位顯微鏡並以上述觀察影像為對象而求得。

陶瓷構造體10、20於表層區域3、4以及內部區域5之任一者中，於觀察影像中之氣孔6(7)之等效圓直徑之峰度Ku可為0.5以上5以下。氣孔6(7)之等效圓直徑之峰度Ku在此範圍時，氣孔6(7)之等效圓直徑之分布狹窄，而且，異常大的等效圓直徑之氣孔6(7)變少。其結果為即便從表面1(2)往深度方向進行研磨，亦可抑制偏向磨耗。尤其，峰度 Ku可為2以上4以下。第3圖所示之例中，氣孔6(7)之等效圓直徑之峰度Ku在第3圖(a)為2.7，在第3圖(b)為3.8，在第3圖(c)為2.4。

在此，峰度Ku係指顯示分布之峰與尾與常態分布有多少差異的指標(統計量)。峰度Ku>0時，為具有尖銳的峰與長且厚的尾(long fat-tailed)之分布。峰度Ku=0時，為常態分布。峰度Ku<0時，分布為具有帶圓之峰及短且細的尾部之分布。氣孔6(7)之等效圓直徑之峰度Ku係可使用Excel(註冊商標，Microsoft Corporation)所具備之函數Kurt求得。

此外，陶瓷構造體10、20於表層區域3、4以及內部區域5之任一者中，氣孔之等效圓直徑之偏移度Sk均可為0.5以上且2以下。氣孔6(7)之等效圓直徑之偏移度Sk在此範圍時，氣孔6(7)之等效圓直徑之平均值小，而且，等效圓直徑異常大之氣孔6(7)變少。其結果係即便從表面1(2)往深度方向進行研磨，亦可抑制偏向磨耗。尤其，偏移度Sk可為1以上1.8以下。第3圖所示之例中，氣孔6(7)之等效圓直徑之偏移度Sk於第3圖(a)為1.2，於第3圖(b)為1.4，於第3圖(c)為1.1。

在此，偏移度Sk係指分布與常態分布有多少的偏移，亦即，係顯示分布的左右對稱性的指標(統計量)。偏移度Sk>0時，分布的尾朝向右側。偏移度Sk=0時，分布為左右對稱。偏移度Sk<0時，分布的尾朝向左側。氣孔6(7)之等效圓直徑之偏移度Sk可使用Excel(註冊商標，Microsoft Corporation)所具備之數SKEW求得。

陶瓷構造體10、20於表層區域3、4以及內部區域5之至少一者中，於觀察影像中之結晶粒子之粒徑的平均值均可為1μm以上 4μm以下。結晶粒子之粒徑的平均值若為1μm以上，則可抑制將氧化鋁(Al₂O₃)粉末等作為主成分之原料進行粉碎細化之製造成本。結晶粒子之粒徑之平均值若為4μm以下，則可提高破壞靭性(fracture toughness)、剛性等機械特性。尤其，陶瓷構造體10、20於表層區域3、4以及內部區域5之任一者中，觀察影像中之結晶粒子之粒徑的平均值均可為1μm以上4μm以下。

陶瓷構造體10、20於表層區域3、4以及內部區域5之至少一者中，觀察影像中之結晶粒子之粒徑的峰度K_u2均可為0以上。結晶粒子之粒徑之峰度K_u2若為0以上，則可抑制結晶粒子之粒徑不均。其結果係氣孔之凝集減少，而可減少由氣孔之輪廓或內部所產生之脫粒。尤其，陶瓷構造體10、20的表層區域3、4以及內部區域5之任一者，於觀察影像中之結晶粒子之粒徑的峰度K_u2均可為5以上。

陶瓷構造體10、20於表層區域3、4以及內部區域5之至少一者中，於觀察影像中之結晶粒子之粒徑的偏移度S_k2可為0以上。結晶粒子之粒徑的偏移度S_k2若為0以上，則結晶粒子之粒徑的分布係往粒徑小的方向移動。其結果係氣孔之凝集減少，可進一步地減少由氣孔之輪廓或內部所產生之脫粒。尤其，陶瓷構造體10、20於表層區域3、4以及內部區域5之任一者，均以於觀察影像中之結晶粒子之粒徑的偏移度S_k2係1.5以上為佳。

在此，結晶粒子之粒徑能夠由以下的方式求得。首先，將從陶瓷構造體10、20之表面1、2算起於深度方向為例如0.6mm及5mm之各內表面，使用平均粒徑D₅₀為3μm之金鋼石研磨粒而以銅盤進行研磨。之後，使用平均粒徑D₅₀為0.5μm之金鋼石研磨粒而以錫盤進行研磨。將該等藉由研磨所得之研磨面供至1480℃的熱處理，直到能夠識別出結晶粒子與粒界層為止，得到作為觀察面之剖面。熱處理係例如進行30分鐘左右。

以光學顯微鏡觀察經熱處理的面，而例如以400倍的倍率拍攝。將所拍攝到之圖像中面積為4.8747×10²μm之範圍設為計算範圍。該計算範圍可藉由使用圖像解析軟體(例如，三谷商事(股份有限公司)製，Win ROOF)進行解析，而得到各個結晶粒子之粒徑。結晶粒子之粒徑之平均值、峰度K_u2以及偏移度S_k2可使用Excel(註冊商標：Microsoft Corporation)所具備之函數來求得。

其次，說明本揭示之陶瓷構造體的製造方法之一實施形態。首先，準備平均粒徑為0.4至0.8μm之氧化鋁(Al₂O₃)粉末、作為Mg源之氫氧化鎂(Mg(OH)₂)粉末、作為Si源之二氧化矽(SiO₂)粉末、作為Sr源之碳酸鍶(SrCO₃)粉末。任一粉末均具有例如0.4至0.8μm左右之平均粒徑。相對於氧化鋁(Al₂O₃)粉末100質量份，其它粉末係例如以下述的比例混合。

Mg(OH)₂粉末：0.03質量份以上0.06質量份以下

SiO₂粉末：0.02質量份以上0.04質量份以下

SrCO₃粉末：0.03質量份以上0.05質量份以下。

於混合裝置中饋入Al₂O₃粉末、Mg(OH)₂粉末、SiO₂粉末以及SrCO₃粉末，並進一步添加分散劑、消泡劑、增黏穩定劑以及結合劑。之後，混合並粉碎以得到漿體(slurry)。將所得到之漿體用真空泵進行脫泡。

在此，為了得到於觀察影像中之從氣孔之重心間距離之平均值減去氣孔之等效圓直徑之平均值的值為5μm以上10μm以下之陶瓷構造體，相對於氧化鋁(Al₂O₃)粉末100質量份，消泡劑可添加0.05質量份以上0.09質量份以下。就得到於觀察影像中之氣孔之等效圓直徑的最大值為10μm以下之陶瓷構造體而言，為了抑制容易因為粉碎而產生的增黏，相對於氧化鋁(Al₂O₃)粉末100質量份可添加螫合劑0.03質量份、0.07質量份。

就得到比率b/a為50以上之陶瓷構造體而言，若進行脫泡30分鐘以上即可。為了得到氣孔之等效圓直徑之峰度Ku為0.5以上2以下之陶瓷構造體，例如可在上述範圍添加螫合劑，進行10小時以上的混合以及粉碎。為了得到氣孔之等效圓直徑之偏移度Sk為0.5以上2以下之陶瓷構造體，例如可在上述範圍添加螫合劑，並進行15小時以上的混合以及粉碎。

就得到於表層區域以及內部區域之至少一者的觀察影像中之結晶粒子之粒徑的平均值為1μm以上4μm以下之陶瓷構造體而言，經混合及粉碎之粉末的平均粒徑D₅₀若例如設為0.3μm以上0.7μm以下即可。

就得到於表層區域以及內部區域之至少一者的觀察影像中之結晶粒子之粒徑的峰度K_u2為0以上之陶瓷構造體而言，若將進行粉碎的時間延長至粉末之粒徑之峰度成為0以上為止即可。

同樣地，就得到於表層區域及內部區域之至少一者的觀察影像中之結晶粒子之粒徑之偏移度S_k2為0以上之陶瓷構造體而言，若將進行粉碎的時間延長至粉末之粒徑之偏移度成為0以上為止即可。

將用這種方法得到的漿體注入至導熱性高的金屬等所製成的成形模具中之後，在此狀態下以50℃以上100℃以下的溫度使之固化，成為固化體。其次，將固化體脫膜後，在控制溫濕度的狀態下使固化體乾燥而成為乾燥體。其次，將乾燥體在400℃以上550℃以下進行脫脂後，將燒製溫度設為1550℃以上1650℃以下，保持5小時以上10小時以下。以如此方式，可得到比率B/A為1.5以下之本揭示之陶瓷構造體。

藉由上述製造方法所得到的陶瓷構造體，即便為長條狀或大型，機械特性也幾乎不會減低。因此，可以使用在要求高的機械特性之用途，例如可使用作為半導體製造裝置用構件、液晶製造裝置用構件。

1、2‧‧‧表面

3、4‧‧‧表層區域

5‧‧‧內部區域

10‧‧‧陶瓷構造體

Claims

一種陶瓷構造體，係由相對密度為95%以上之緻密質體所構成，且以氧化鋁、氧化釔、釔鋁榴石、氧化鋯、氮化鋁、堇青石、鈦酸鋁、高鋁紅柱石、鹼金屬鋁矽酸鹽、碳化矽、或矽鋁氮氧化物作為主成分，並且，於剖面的觀察影像中，將在從兩表面算起的於深度方向為0.7mm以下之表層區域中之氣孔之面積佔有率設為A(%)，並將被前述表層區域夾住之內部區域中之氣孔之面積佔有率設為B(%)時，比率B/A為1.5以下者。
如申請專利範圍第1項所述之陶瓷構造體，其中，於前述表層區域及前述內部區域之任一者中，於從前述觀察影像中前述氣孔之重心間距離之平均值減去前述氣孔之等效圓直徑之平均值的值均為5μm以上10μm以下。
如申請專利範圍第1或2項所述之陶瓷構造體，其中，於前述表層區域及前述內部區域之任一者中，於前述觀察影像中前述氣孔之等效圓直徑之最大值均為10μm以下。
如申請專利範圍第1或2項所述之陶瓷構造體，其中，於前述表層區域及前述內部區域之任一者中，將於前述觀察影像中等效圓直徑為5μm以上之前述氣孔之個數設為a(個)，並將於前述觀察影像中等效圓直徑為未達5μm之前述氣孔之個數設為b(個)時，比率b/a均為50以上。
如申請專利範圍第1或2項所述之陶瓷構造體，其中，於前述表層區域及前述內部區域之任一者中，於前述觀察影像中之前述氣孔之等效圓直徑的峰度Ku均為0.5以上5以下。
如申請專利範圍第1或2項所述之陶瓷構造體，其中，於前述表層區域及前述內部區域之任一者中，前述氣孔之等效圓直徑之偏移度Sk均為0.5以上2以下。
如申請專利範圍第1或2項所述之陶瓷構造體，其中，前述表層區域及前述內部區域之至少一者，於前述觀察影像中之結晶粒子之粒徑的平均值為1μm以上4μm以下。
如申請專利範圍第1或2項所述之陶瓷構造體，其中，前述表層區域及前述內部區域之至少一者，於前述觀察影像中之結晶粒子之粒徑的峰度K_u2為0以上。
如申請專利範圍第1或2項所述之陶瓷構造體，其中，前述表層區域及前述內部區域之至少一者，於前述觀察影像中之結晶粒子之粒徑的偏移度S_k2為0以上。