TWI705282B - 顯示面板 - Google Patents

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TWI705282B TW108119802A TW108119802A TWI705282B TW I705282 B TWI705282 B TW I705282B TW 108119802 A TW108119802 A TW 108119802A TW 108119802 A TW108119802 A TW 108119802A TW I705282 B TWI705282 B TW I705282B
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Abstract

一種顯示面板，包括一第一基板、一第二基板、一顯示介質層以及一密封膠。第二基板與第一基板組裝。顯示介質層設置在第一基板與第二基板之間。密封膠設置在第一基板與第二基板之間、圍繞顯示介質層並包括連續一體式圖案，其中連續一體式圖案包括一第一段以及一第二段，並且第一段的寬度與第二段的寬度之間的差值大於或等於第二段的寬度的三分之一。

Description

顯示面板
本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種顯示面板。
液晶顯示面板通常包括夾在兩個基板之間的顯示介質層，其可用做液晶單元。兩個基板經由圍繞顯示介質層的密封膠組裝。密封膠由可固化的材料製成，其在製造液晶面板的期間被塗至兩個基板的其中一個上。此後，將另一個基板放置在密封膠的未固化材料上，接著使密封膠的材料固化以組裝兩個基板。
在根據本揭露實施例的顯示面板採用具有良好設計窗口的密封膠，且密封膠的圖案邊緣具有良好的線性度與清晰度。
在根據本揭露實施例中，一種顯示面板包括一第一基板、一第二基板、一顯示介質層以及一密封膠。第二基板與第一基板組裝。顯示介質層設置在第一基板與第二基板之間。密封膠設置在第一基板與第二基板之間、圍繞顯示介質層並包括連續一體式圖案，其中連續一體式圖案包括一第一段以及一第二段，並且第一段的寬度與第二段的寬度之間的差值大於或等於第二段的寬度的三分之一。
在根據本揭露實施例中，上述的密封膠具有與顯示介質層接觸的一內邊緣以及與內邊緣相對的一外邊緣，並且外邊緣在第一段朝向內邊緣內縮處形成一凹部。
在根據本揭露實施例中，一導體更設置在密封膠與第一基板的邊緣之間、與密封膠間隔開並且跨越第一基板與第二基板之間的間隙，其中導體至少部分地位於凹部中。
在根據本揭露實施例中，上述的密封膠的形狀具有多個角部，且凹部設置在兩個角部之間。
在根據本揭露實施例中，上述的密封膠的形狀具有多個角部，且凹部設置在這些角部的其中之一。
在根據本揭露實施例中，上述的密封膠具有與顯示介質層接觸的一內邊緣以及與內邊緣相對的一外邊緣，並且在第一段的內邊緣不與在第一段的外邊緣共形。
在根據本揭露實施例中，在第一段的外邊緣形成倒角。
在根據本揭露實施例中，在第一段的內邊緣形成銳角。
在根據本揭露實施例中，更包括一疏水性表面，其面向顯示介質層，且設置在第一基板與第二基板的至少其中之一上。
在根據本揭露實施例中，更包括一密封膠接觸表面，其設置在第一基板與第二基板的至少其中之一上，其中密封膠在密封膠接觸表面內延伸，並且疏水性表面包括夾著密封膠接觸表面的一內部以及一外部。
在根據本揭露實施例中，一種顯示面板包括一第一基板、一第二基板、一顯示介質層、一疏水性表面、一密封膠接觸表面以及一密封膠。第二基板與第一基板組裝。顯示介質層設置在第一基板與第二基板之間。疏水性表面設置在第一基板與第二基板的至少其中之一上，並且面向顯示介質層。密封膠接觸表面設置在第一基板與第二基板的至少其中之一上，並且疏水性低於疏水性表面，其中疏水性表面包括夾著密封膠接觸表面的一內部以及一外部。密封膠設置在第一基板與第二基板之間，並且在密封膠接觸表面內延伸。
在根據本揭露實施例中，一配向層更設置在第一基板與第二基板的至少其中之一上，且被密封膠所圍繞。
在根據本揭露實施例中，上述的配向層經由一間隙與密封膠隔開，並且疏水性表面的內部在配向層與密封膠之間延伸。
在根據本揭露實施例中，上述的配向層由有機配向材料製成。
在根據本揭露實施例中，上述的配向層延伸以與密封膠接觸，並且配向層經受疏水性處理以形成疏水性表面的內部。
在根據本揭露實施例中，上述的配向層由無機配向材料製成。
在根據本揭露實施例中，上述的配向層更延伸以與密封膠重疊。
在根據本揭露實施例中，一無機層更設置在密封膠與配向層之間，並且無機層的表面形成密封膠接觸表面。
在根據本揭露實施例中，上述的配向層更延伸至第一基板以及第二基板的至少其中之一的邊緣與密封膠之間的區域，並且邊緣與密封膠之間的配向層的表面形成疏水性表面的外部。
在根據本揭露實施例中，一無機層更設置在第一基板與第二基板的至少其中之一上，其中無機層的第一部份與密封膠重疊，且無機層的第二部份向內延伸超過密封膠的內邊緣，無機層的第一部份的疏水性低於無機層的第二部份，無機層的第一部份形成密封膠接觸表面，且無機層的第二部份形成疏水性表面的內部。
基於上述，根據本揭露的一些實施例的顯示面板包括具有靈活設計窗口的密封膠。例如，顯示面板的密封膠具有連續一體式圖案的各種寬度。此外，根據本揭露的一些實施例的顯示面板包括圍繞密封膠接觸表面的疏水性表面，使得密封膠的輪廓可以是清晰的並具有良好的線性。因此，精確地界定了密封膠的形狀而沒有不期望的變形，從而提高了顯示面板的良率，且降低了顯示面板的顯示品質被不期望的密封膠的形狀影響的可能性。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的上視圖。圖2示意性地示出了圖1沿I-I線截取的顯示面板的剖面圖。請參照圖1與圖2，顯示面板100A主要包括第一基板110、第二基板120、顯示介質層130以及密封膠140A。第一基板110經由密封膠140A與第二基板120組裝，同時密封膠140A跨越第一基板110與第二基板120之間的間隙G。顯示介質層130設置在第一基板110與第二基板120之間，且被密封膠140A所圍繞。在實施例中，顯示面板100A還可包括設置在密封膠140A與第一基板110的邊緣之間的導體150，導體150與密封膠140A間隔開，並且跨越第一基板110與第二基板120之間的間隙G。在圖1中，導體150的數量為四。然而，在替代的實施例中，可省略導體，或者在顯示面板100A中可以有多於四個或少於四個導體150。
第一基板110可為電晶體陣列基板，其包括形成在支撐板上的電晶體陣列層。用於第一基板110的支撐板可為玻璃板、矽背板等。電晶體陣列可包括薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）陣列或互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS）裝置陣列。第二基板120可包括支撐板與在支撐板上的導電層。用於第二基板120的支撐板可為玻璃、石英、聚合物基板等。導電層的材料可為透明導電材料，例如包括氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO），氧化鋁鋅（Aluminum Zinc Oxide，AZO）或氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide，IZO）的金屬氧化物。第一基板110上的電晶體陣列層與第二基板120上的導電層用於產生用於驅動顯示介質層130的驅動電場。然而，在替代的實施例中，第二基板120可不包括導電層與/或還可在其上包括其他膜層，例如，配向層、圖案化的光屏蔽層、彩色濾光層等。
顯示介質層130可包括例如液晶分子，其能夠經由第一基板110的電晶體陣列與第二基板120的導電層產生的電場驅動，以顯示影像。顯示面板100A可為薄膜電晶體液晶顯示器（Thin-Film Transistor Liquid-Crystal Display，TFT-LCD）面板或矽上液晶（Liquid Crystal on Silicon，LCoS）顯示面板。在一些實施例中，導體150用於將第二基板120上的導電元件電性連接至第一基板110上的導電元件。導體150可由鎳或其他導電與固體金屬製成，且可為可壓縮的，使得導體150不易損壞第一基板110或第二基板120。在一實施例中，導體150可與相似於密封膠140A的材料混合，以具有可壓縮性質。
密封膠140A包括如圖1所示的連續一體式圖案CP1。在實施例中，密封膠140A整體上為密閉環形的連續一體式圖案CP1，但是本揭露不限於此。密封膠140A具有內邊緣140Ai和外邊緣140Ao。內邊緣140Ai與顯示介質層130接觸，且外邊緣140Ao與內邊緣140Ai相對。連續一體式圖案CP1包括具有寬度WS1A的第一段S1A以及具有與第一段S1A不同的寬度WS2A的第二段S2A。在實施例中，密封膠140A的每一段的寬度可從內邊緣140Ai處的點到外邊緣140Ao處的最鄰近點所測量。
在一些實施例中，密封膠140A的連續一體式圖案CP1經由凸版印刷（快乾）印刷、噴墨印刷以及網版印刷製造。在凸版印刷與網版印刷期間，可使用特定的夾具或遮罩來形成連續一體式圖案CP1的特定圖案，因此連續一體式圖案CP1整體地形成，且在第一段S1A與第二段S2A之間沒有結構邊界。在經由噴墨印刷形成密封膠140A的情況下，第一基板110與/或第二基板120圍繞一密封膠區域的表面的一部分，其密封膠140A被預定位於該密封膠區域，可經由噴墨印刷將疏水處理與密封膠140A的材料印刷到密封膠區域上。由於表面的處理部分的疏水性，密封膠140A形成為具有由表面的處理部分所界定的特定圖案。因此，密封膠140A的圖案具有靈活設計窗口，且連續一體式圖案中的不同段的寬度不相同。例如，在實施例中，第一段S1A的寬度WS1A與第二段S2A的寬度WS2A之間的差值可大於或等於第二段S2A的寬度WS2A的三分之一。
在圖1中，外邊緣140Ao在第一段S1A朝向內邊緣140Ai內縮處形成凹部RA。在實施例中，密封膠140A的形狀具有多個角部，並且在第一部分S1A處所形成的凹部RA設置在其中一個角部處。具體地，在實施例中，密封膠140A的每個角部配置有凹部RA，但是本揭露不限於此。凹部RA具有兩條邊緣線E1與E2。邊緣線E1與邊緣線E2相交一個角度，以在凹部RA的底部處形成尖端。此角度可以大於0度至180度，雖然圖1示出了實質的90度角作為示例。邊緣線E1的長度L1可等於或不同於邊緣線E2的長度L2，且長度L1和長度L2的至少其中之一可大於第二段S2A的寬度WS2A的三分之一。具體地，內邊緣140Ai可具有矩形形狀，但是外邊緣140Ao具有與內邊緣140Ai不同的幾何形狀，使得在第一段S1A的內邊緣140Ai不與在第一段S1A的外邊緣140Ao共形。這裡，導體150可至少部分地位於凹部RA中，使得顯示面板100A的整體尺寸可減小，但是本揭露不限於此。
圖3示意性地示出了根據本揭露的另一實施例的顯示面板的上視圖。在圖3中，顯示面板100B相似於圖1的顯示面板100A，但密封膠的結構不同。請參照圖3，顯示面板100B包括第一基板110、第二基板120、顯示介質層130以及密封膠140B，其中第一基板110、第二基板120以及顯示介質層130與圖1及2中所描繪的那些實質上相同，且其細節不再重述。在顯示面板100B中，密封膠140B包括連續一體式圖案CP2與端部封口ES。具體地，密封膠140B具有分開一距離的兩個末端T1與T2，且端部封口ES設置成連接兩個末端T1與T2，使得連續一體式圖案CP2與端部封口ES一起形成完全地圍繞顯示介質層130的密閉環形。端部封口ES可由與連續一體式圖案CP2相同的材料製成，但不限於此。
在顯示面板100B中，連續一體式圖案CP2具有第一段S1B與第二段S2B，並且第一段S1B的寬度WS1B與第二段S2B的寬度WS2B之間的差值可大於或等於第二段S2B的寬度WS2B的三分之一。即，除了分開的兩個末端T1與T2之外，連續一體式圖案CP2具有與連續一體式圖案CP1相似的設計。
圖4示意性地示出了根據本揭露的另一實施例的顯示面板的上視圖。在圖4中，顯示面板100C相似於圖1的顯示面板100A，但密封膠的結構不同。請參照圖4，顯示面板100C包括第一基板110、第二基板120、顯示介質層130以及密封膠140C，其中第一基板110、第二基板120以及顯示介質層130與圖1及2中所描繪的那些實質上相同，且其細節不再重述。在顯示面板100C中，密封膠140C由連續一體式圖案CP3製成，其形成完全地圍繞顯示介質層130的密閉環形。連續一體式圖案CP3包括具有寬度WS1C的第一段S1C以及具有與第一段S1C不同的寬度WS2C的第二段S2C。第一段S1C的寬度WS1C與第二段S2C的寬度WS2C之間的差值可大於或等於第二段S2C的寬度WS2C的三分之一。
在實施例中，密封膠140C的形狀具有多個角部，並且第一段S1C位於密封膠140C的角部處。連續一體式圖案CP3具有與顯示介質層130接觸的內邊緣140Ci以及與內邊緣140Ci相對的外邊緣140Co，並且在第一段S1C的內邊緣140Ci不與在第一段S1C的外邊緣140Co共形。在本實施例中，在第一段S1C的外邊緣140Co形成倒角，且在第一段S1C的內邊緣140Co形成銳角，例如直角。密封膠140C的連續一體式圖案CP3形成密閉環形，但不限於此。在替代實施例中，密封膠140C的連續一體式圖案CP3可不形成密閉環形，且具有相似於圖3中所描繪的連續一體式圖案CP2的開口。在這樣的實施例中，密封膠140C還可包括如圖3中所描繪的端部封口。
圖5示意性地示出了根據本揭露的另一實施例的顯示面板的上視圖。在圖5中，顯示面板100D相似於圖1的顯示面板100A，但密封膠的結構不同。請參照圖5，顯示面板100D包括第一基板110、第二基板120、顯示介質層130、密封膠140D以及導體150，其中第一基板110、第二基板120、顯示介質層130以及導體150與圖1及2中所描繪的那些實質上相同，且其細節不再重述。在顯示面板100D中，密封膠140D由連續一體式圖案CP4製成，其形成完全地圍繞顯示介質層130的密閉環形。連續一體式圖案CP4具有至少一第一段S1D與至少一第二段S2D，並且第一段S1D的寬度WS1D與第二段S2D的寬度WS2D之間的差值可大於或等於第二段S2D的寬度WS2D的三分之一。
密封膠140D具有與顯示介質層130接觸的內邊緣140Di以及與內邊緣140Di相對的外邊緣140Do。在實施例中，外邊緣140Do在第一段S1D朝向內邊緣140Di內縮處形成凹部RD。密封膠140D的形狀具有多個角部，例如四個，並且凹部RD設置在兩個角部之間。凹部RD實質上具有底線BL與邊緣線E3及E4。底線BL可在第一段S1D處實質上平行於密封膠140D的內邊緣140Di，並且邊緣線E3及E4在與底線BL相交的方向上延伸。邊緣線E3及E4可以大於落在0度至180度的範圍內的角度與底線BL相交。實施例中的凹部RD具有矩形輪廓，但在替代實施例中，凹部RD可具有錐形輪廓、彎曲輪廓等。
圖6示意性地示出了根據本揭露的另一實施例的顯示面板的上視圖。在圖6中，顯示面板100E相似於圖1的顯示面板100A，但密封膠的結構不同。請參照圖6，顯示面板100E包括第一基板110、第二基板120、顯示介質層130、密封膠140E以及導體150，其中第一基板110、第二基板120、顯示介質層130以及導體150與圖1及2中所描繪的那些實質上相同，且其細節不再重述。在顯示面板100E中，密封膠140E由連續一體式圖案CP5製成，其形成完全地圍繞顯示介質層130的密閉環形。連續一體式圖案CP5具有至少一第一段S1E與至少一第二段S2E，並且第一段S1E的寬度WS1E與第二段S2E的寬度WS2E之間的差值可大於或等於第二段S2E的寬度WS2E的三分之一。密封膠140E具有與顯示介質層130接觸的內邊緣140Ei以及與內邊緣140Ei相對的外邊緣140Eo。在實施例中，外邊緣140Eo在第一段S1E朝向內邊緣140Ei內縮處形成凹部RE。凹部RE的配置位置相似於圖5中所描繪的凹部RD，且兩個凹部之間的差異在於凹部RE具有三角形輪廓。換句話說，凹部RE的底部是尖端形狀。
圖7示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。請參照圖7，顯示面板200A主要包括第一基板210A、第二基板220A、顯示介質層130以及密封膠240。第一基板210A與第二基板220A經由密封膠240組裝，並且顯示介質層130設置在第一基板210A與第二基板220A之間，且被密封膠240圍繞。具體地，疏水性表面HBA1與密封膠接觸表面SCA1在第一基板210A上形成，且面向顯示介質層130，並且疏水性表面HBA2與密封膠接觸表面SCA2在第二基板220A上形成，且面向顯示介質層130。在實施例中，在第一基板210A上的密封膠接觸表面SCA1與在第二基板220A上的密封膠接觸表面SCA2彼此對準。密封膠接觸表面SCA1的疏水性低於疏水性表面HBA1，且密封膠接觸表面SCA2的疏水性低於疏水性表面HBA2。在一些實施例中，疏水性表面HBA1或HBA2的水接觸角可大於60度。疏水性表面HBA1包括夾著密封膠接觸表面SCA1的內部HBA1i以及外部HBA1o，並且疏水性表面HBA2包括夾著密封膠接觸表面SCA2的內部HBA2i以及外部HBA2o。具體地，密封膠240的一端與密封膠接觸表面SCA1接觸，且實質上由內部HBA1i與密封膠接觸表面SCA1之間以及外部HBA1o與密封膠接觸表面SCA1之間的邊界區分。密封膠240的另一端與密封膠接觸表面SCA2接觸，且實質上由內部HBA2i與密封膠接觸表面SCA2之間以及外部HBA2o與密封膠接觸表面SCA2之間的邊界區分。在替代實施例中，可省略疏水性表面HBA1與密封膠接觸表面SCA1的組中以及疏水性表面HBA2與密封膠接觸表面SCA2的組中的其中一組。
第一基板210A可為電晶體陣列基板，其包括支撐板212A、電晶體陣列層214A以及配向層216A。用於第一基板210A的支撐板212A可為玻璃板、矽背板等。電晶體陣列層214A設置在支撐板212A上，且可包括薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）陣列或互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS）裝置陣列。配向層216A可由有機配向材料或無機配向材料製成。在本實施例中，配向層216A經由間隙GA1與密封膠240隔開。在配向層216A由例如聚醯亞胺（polyimide）的有機配向材料製成的情況下，配向層216A可經由旋轉塗佈，狹縫塗佈，凸版印刷或噴墨印刷形成。有機配向材料可在支撐板212A的整個表面上形成，且接著經由電漿蝕刻或紫外光蝕刻來圖案化，以形成配向層216A。或者，有機配向材料可以塗佈或印刷在支撐板212A的一部分表面上，同時支撐板212A的表面的另一部分在塗佈或印刷有機配向材料期間被陰影遮罩所屏蔽。此外，有機配向材料可為可固化材料，使得有機配向材料可在塗佈在支撐板212A上之後，經由熱固化、光固化（例如紫外光固化）或其組合而固化。在配向層216A由無機配向材料製成的情況下，配向層216A可經由熱蒸鍍製程或溶膠凝膠製程在支撐板212A上形成。具體地，無機配向材料可包括傾斜沉積的矽或奈米結構的氧化鋅（zinc oxide）。
在實施例中，電晶體陣列層214A的最上面的膜層可從配向層216A的邊緣延伸至支撐板212A的邊緣。電晶體陣列層214A的最上面的膜層可為無機層，並且部分地經受疏水性處理，以界定疏水性表面HBA1與密封膠接觸表面SCA1。在一些實施例中，疏水性處理可包括用於在處理過的表面上沉積疏水材料的化學氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD）製程，疏水材料例如長鏈矽烷（silanes）、酸或長鏈醇（alcohols）。
具體地，可在電晶體陣列層214A的最上面的膜層上從配向層216A的邊緣延伸至支撐板212A的邊緣執行疏水性處理，同時屏蔽電晶體陣列層216A的最上面的膜層其預定與密封膠240接觸的部分，使得在配向層216A以及被屏蔽的部分之間的電晶體陣列層214A的最上面的膜層的部分與在被屏蔽的部分以及支撐板212A的邊緣之間的電晶體陣列層214A的最上面的膜層的部分的疏水性高於被屏蔽的部分，以分別形成疏水性表面HBA1的內部HBA1i以及外部HBA1o，並且被屏蔽的部分形成密封膠接觸表面SCA1。在替代實施例中，從配向層216A的邊緣延伸至支撐板212A的邊緣的電晶體陣列層214A的最上面的膜層可完全地經受疏水性處理，以形成從配向層216A的邊緣延伸至支撐板212A的邊緣的連續疏水性表面，且在連續疏水性表面上執行例如電漿或紫外光蝕刻的圖案化處理，以去除電晶體陣列層214A的最上面的膜層其預定與密封膠240接觸的部分的疏水性材料。這樣，形成了夾在疏水性表面HBA1的內部HBA1i與疏水性表面HBA1的外部HBA1o之間的密封膠接觸表面SCA1。
第二基板220A可包括支撐板222A、導電層224A以及配向層226A。用於第二基板220A的支撐板222A可為玻璃、石英、聚合物基板等。導電層224A的材料可為透明導電材料，例如包括氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO），氧化鋁鋅（Aluminum Zinc Oxide，AZO）或氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide，IZO）的金屬氧化物。配向層226A可由有機配向材料或無機配向材料製成。在實施例中，配向層226A經由間隙GA2與密封膠240隔開。配向層226A的材料與形成可參考配向層216A的材料與形成，且這裡不再重述。
在實施例中，導電層224A可從配向層226A的邊緣延伸至支撐板222A的邊緣。可以部分地對導電層224A進行疏水性處理，以界定疏水性表面HBA2與密封膠接觸表面SCA2。在一些實例中，疏水性處理可包括用於在處理過的表面上沉積疏水材料的化學氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD）製程，疏水材料例如長鏈矽烷（silanes）、酸或長鏈醇（alcohols）。具體地，可在導電層224A從配向層226A的邊緣延伸至支撐板222A的邊緣執行疏水性處理，同時屏蔽導電層224A其預定與密封膠240接觸的部分，使得在配向層226A以及被屏蔽的部分之間的導電層224A的部分與在被屏蔽的部分以及支撐板222A的邊緣之間的導電層224A的部分的疏水性高於被屏蔽的部分，以分別形成疏水性表面HBA2的內部HBA2i以及外部HBA2o，並且被屏蔽的部分形成密封膠接觸表面SCA2。在替代實施例中，從配向層226A的邊緣延伸至支撐板222A的邊緣的導電層224A可完全地經受疏水性處理，以形成從配向層226A的邊緣延伸至支撐板222A的邊緣的連續疏水性表面，且在連續疏水性表面上執行例如電漿或紫外光蝕刻的圖案化處理，以去除導電層224A其預定與密封膠240接觸的部分的疏水性材料。這樣，形成了夾在疏水性表面HBA2的內部HBA2i與疏水性表面HBA2的外部HBA2o之間的密封膠接觸表面SCA2。
密封膠240可以經由噴墨印刷製程在第一基板210A與第二基板220A的其中之一上形成，且隨後，第一基板210A與第二基板220A中的另一個附接到密封膠240，使得第一基板210A與第二基板220A組裝。在噴墨印刷製程的期間，密封膠材料的墨滴被印刷在密封膠接觸表面SCA1或SCA2上。由於密封膠接觸表面SCA1或SCA2的疏水性低於內部HBA1i或HBA2i與外部HBA1o或HBA2o，因此墨滴被限制在密封膠接觸表面SCA1或SCA2內。這樣，墨滴不會擴散到密封膠接觸表面SCA1或SCA2與疏水性表面HBA1或HBA2之間的邊界之外，並且經由固化墨滴所形成的密封膠240將具有由在密封膠接觸表面SCA1或SCA2與疏水性表面HBA1或HBA2之間的邊界所界定的形狀。因此，密封膠240的形狀可具有基於密封膠接觸表面SCA1或SCA2與疏水性表面HBA1或HBA2之間的邊界的特定幾何形狀，且具有良好線性的清晰邊緣。例如，密封膠240可具有在密封膠140A至140E中任何一個所示與其在上文中描述的替代方案的形狀。因此，密封膠240的形狀被精確地界定而沒有不期望的變形，使得顯示面板200A的良率提高了，且顯示面板200A的顯示品質受到不期望的密封膠的形狀所影響的可能性降低了。
圖8示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。請參照圖8，顯示面板200B主要包括第一基板210B、第二基板220B、顯示介質層130以及密封膠240。第一基板210B與第二基板220B經由密封膠240組裝，並且顯示介質層130設置在第一基板210B與第二基板220B之間，且被密封膠240所圍繞。具體地，疏水性表面HBB1與密封膠接觸表面SCB1在第一基板210B上形成，且面向顯示介質層130，並且疏水性表面HBB2與密封膠接觸表面SCB2在第二基板220B上形成，且面向顯示介質層130。在實施例中，第一基板210B上的密封膠接觸表面SCB1與第二基板220B上的密封膠接觸表面SCB2彼此對準。密封膠接觸表面SCB1的疏水性低於疏水性表面HBB1，且密封膠接觸表面SCB2的疏水性低於疏水性表面HBB2。疏水性表面HBB1包括夾著密封膠接觸表面SCB1的內部HBB1i以及外部HBA1o，並且疏水性表面HBB2包括夾著密封膠接觸表面SCB2的內部HBB2i以及外部HBA2o。具體地，密封膠240的一端與密封膠接觸表面SCB1接觸，且實質上由內部HBB1i與密封膠接觸表面SCB1之間以及外部HBA1o與密封膠接觸表面SCB1之間的邊界區分。密封膠240的另一端與密封膠接觸表面SCB2接觸，且實質上由內部HBB2i與密封膠接觸表面SCB2之間以及外部HBA2o與密封膠接觸表面SCB2之間的邊界區分。在替代實施例中，可以省略疏水性表面HBB1與密封膠接觸表面SCB1的組中以及疏水性表面HBB2與密封膠接觸表面SCB2的組中的其中一組。
第一基板210B，相似於圖7中的第一基板210A，包括支撐板212A、電晶體陣列層214A以及配向層216A，且還包括無機層218A。支撐板212A、電晶體陣列層214A以及配向層216A的結構與材料可以參考上面的描述，且這裡不再重述。在本實施例中，無機層218A設置在配向層216A與電晶體陣列層214A之間，且無機層218A的第一部分延伸以與密封膠240重疊。此外，無機層218A的第二部分向內延伸超過密封膠240的內邊緣，且至少在配向層216A與密封膠240之間延伸。無機層218A的第二部分經受疏水性處理，且無機層218A的第一部分的疏水性低於無機層218A的第二部分。這樣，與密封膠240重疊的無機層218A的第一部分形成密封膠接觸表面SCB1，且在配向層216A和密封膠240之間的無機層218A的第二部分形成疏水性表面HBB1的內部HBB1i。此外，在本實施例中，電晶體陣列層214A的最上面的膜層具有在密封膠240與支撐板212A的邊緣之間延伸的部分，相似於圖7中所描繪的部分，其形成外部HBA1o。
第二基板220B，相似於圖7中的第二基板220A，包括支撐板222A、導電層224A以及配向層226A，且還包括無機層228A。在本實施例中，無機層228A設置在配向層226A與導電層224A之間，且延伸以與密封膠240重疊。此外，在配向層226A與密封膠240之間延伸的無機層228A的部分經受疏水性處理，使得在配向層226A與密封膠240之間的無機層228A的部分的疏水性高於與密封膠240重疊的無機層228A的部分。這樣，在配向層226A和密封膠240之間的無機層228A的部分形成疏水性表面HBB2的內部HBB2i，且與密封膠240重疊的無機層228A的部分形成密封膠接觸表面SCB2。此外，在本實施例中，導電層224A，相似於圖7中所描繪的導電層，具有在密封膠240與支撐板222A的邊緣之間延伸的部分，其形成疏水性表面HBB2的外部HBA2o。
密封膠240可經由噴墨印刷製程在第一基板210B與第二基板220B的其中之一上形成。在噴墨印刷製程期間，密封膠材料的墨滴被印刷在密封膠接觸表面SCB1或SCB2上。由於密封膠接觸表面SCB1或SCB2的疏水性低於內部HBB1i或HBB2i與外部HBA1o或HBA2o，因此密封膠材料的墨滴被限制在密封膠接觸表面SCB1或SCB2內。這樣，墨滴將不會擴散到密封膠接觸表面SCB1或SCB2與疏水性表面HBB1或HBB2之間的邊界之外，且經由固化墨滴所形成的密封膠240將具有由在密封膠接觸表面SCB1或SCB2與疏水性表面HBB1或HBB2之間的邊界所界定的形狀。因此，密封膠240的形狀可具有基於設計的特定幾何形狀，且具有良好線性的清晰邊緣。例如，密封膠240可具有在密封膠140A至140E中任何一個所示與其在上文中描述的替代方案的形狀。
圖9示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。請參照圖9，顯示面板200C主要包括第一基板210C、第二基板220C、顯示介質層130以及密封膠240。第一基板210C與第二基板220C經由密封膠240組裝，並且顯示介質層130設置在第一基板210C與第二基板220C之間，且被密封膠240所圍繞。具體地，疏水性表面HBC1與密封膠接觸表面SCC1在第一基板210C上形成，且面向顯示介質層130，並且疏水性表面HBC2與密封膠接觸表面SCC2在第二基板220C上形成，且面向顯示介質層130。在實施例中，第一基板210C上的密封膠接觸表面SCC1與第二基板220C上的密封膠接觸表面SCC2彼此對準。密封膠接觸表面SCC1的疏水性低於疏水性表面HBC1，且密封膠接觸表面SCC2的疏水性低於疏水性表面HBC2。在一些實施例中，疏水性表面HBC1或HBC2可具有大於60度的水接觸角。疏水性表面HBC1包括夾著密封膠接觸表面SCC1的內部HBC1i和外部HBC1o，並且疏水性表面HBC2包括夾著密封膠接觸表面SCC2的內部HBC2i與外部HBC2o。具體地，密封膠240的一端與密封膠接觸表面SCC1接觸，且實質上由內部HBC1i和密封膠接觸表面SCC1之間以及外部HBC1o和密封膠接觸表面SCC1之間的邊界區分。密封膠240的另一端與密封膠接觸表面SCC2接觸，且實質上由內部HBC2i與密封膠接觸表面SCC2之間以及外部HBC2o與密封膠接觸表面SCC2之間的邊界區分。在替代實施例中，可以省略疏水性表面HBC1與密封膠接觸表面SCC1的組中以及疏水性表面HBC2與密封膠接觸表面SCC2的組中的其中一組。
第一基板210C，相似於圖7中的第一基板210A，包括支撐板212A、電晶體陣列層214A以及配向層216B。支撐板212A與電晶體陣列層214A的結構與材料可以參考上面的描述，且這裡不再重述。在實施例中，配向層216B為無機配向層，且延伸以與密封膠240重疊。具體地，配向層216B在第一基板210C的整個表面上延伸。配向層216B可經由熱蒸鍍製程或溶膠凝膠製程形成。配向層216B的材料可包括氧化矽（silicon oxide）或氧化鋅（zinc oxide）。在一些實施例中，配向層216B可由傾斜沉積的氧化矽或奈米結構的氧化鋅所形成。配向層216B可部分地經受疏水性處理，以界定疏水性表面HBC1與密封膠接觸表面SCC1。
在實施例中，除了預定與密封膠240接觸的部分之外，配向層216B的大部分被疏水性功能化。具體地，由密封膠240圍繞的配向層216B的整個部分被疏水性功能化。在一些實施例中，配向層216B完全經受疏水性處理，使得疏水性材料在配向層216B的中間產物的整個表面上延伸，且之後進行圖案化處理，以去除配向層216B其被預定為與密封膠240接觸的部分上的疏水性材料。在一些替代實施例中，在配向層216B上執行疏水性處理的製程，同時屏蔽配向層216B其預定與密封膠240接觸的部分，使得被屏蔽的部分不經受疏水性處理，且形成密封膠接觸表面SCC1。
第二基板220C，相似於圖7中的第二基板220A，包括支撐板222A、導電層224A以及配向層226B。支撐板222A與導電層224A的結構與材料可參考上面的描述，且這裡不再重述。在實施例中，配向層226B為無機配向層，且延伸以與密封膠240重疊。具體地，配向層226B在第二基板220C的整個表面上延伸。配向層226B可經由熱蒸鍍製程或溶膠凝膠製程形成。配向層226B的材料可包括氧化矽（silicon oxide）或氧化鋅（zinc oxide）。在一些實施例中，配向層226B可由傾斜沉積的氧化矽或奈米結構的氧化鋅所形成。配向層226B可部分地經受疏水性處理，以界定疏水性表面HBC2與密封膠接觸表面SCC2。
在實施例中，除了預定與密封膠240接觸的部分之外，配向層226B的大部分被疏水性功能化。具體地，由密封膠240圍繞的配向層226B的整個部分被疏水性功能化。在一些實施例中，配向層226B完全經受疏水性處理，使得疏水材料在配向層226B的中間產物的整個表面上延伸，且之後進行圖案化處理，以去除配向層226B其被預定為與密封膠240接觸的部分上的疏水材料。在一些替代實施例中，疏水性處理的製程在配向層226B上執行，同時屏蔽配向層226B其預定與密封膠240接觸的部分，使得被屏蔽的部分不經受疏水性處理，且形成密封膠接觸表面SCC2。
密封膠240可經由噴墨印刷的製程在第一基板210C與第二基板220C中的其中之一上形成。在噴墨印刷製程期間，密封膠材料的墨滴被印刷在密封膠接觸表面SCC1或SCC2上。由於密封膠接觸表面SCC1或SCC2的疏水性低於內部HBC1i或HBC2i與外部HBC1o或HBC2o，因此密封膠材料的墨滴被限制在密封膠接觸表面SCC1或SCC2內。這樣，經由固化墨滴所形成的密封膠240具有由密封膠接觸表面SCC1或SCC2與疏水性表面HBC1或HBC2之間的邊界所界定的形狀。因此，密封膠240的形狀可具有基於密封膠接觸表面SCC1或SCC2與疏水性表面HBC1或HBC2之間的邊界的特定幾何形狀，且具有良好線性的清晰邊緣。例如，密封膠240可具有在密封膠140A至140E中任何一個所示與其在上文中描述的替代方案的形狀。
圖10示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。請參照圖10，顯示面板200D主要包括第一基板210D、第二基板220D、顯示介質層130以及密封膠240。顯示面板200D相似於圖9中所描繪的顯示面板200C，且兩個實施例之間的差異包括第一基板210D與第二基板220D的結構。因此，在兩個實施例中的相同或相似的元件由相同或相似的符號所表示，且實施例中的這些元件的細節可參考圖9中所描繪的實施例。在本實施例中，疏水性表面HBD1與密封膠接觸表面SCC1在第一基板210D上形成，且疏水性表面HBD2與密封膠接觸表面SCC2在第二基板220D上形成。
在實施例中，第一基板210D包括支撐板212A、電晶體陣列層214A以及配向層216C，其中支撐板212A與電晶體陣列層214A的配置關係以及結構可參考上述說明，且這裡不再重述。配向層216C，相似於圖9中的配向層216B，為無機配向層，但配向層216C不延伸至密封膠240與支撐板212A的邊緣之間的區域。在實施例中，配向層216C的一部分與密封膠240重疊，且配向層216C的另一部分在由密封膠240所圍繞的區域中完全地延伸，而不與密封膠240重疊。與密封膠240重疊的配向層216C的部分的疏水性低於不與密封膠240重疊的配向層216C的部分，以分別界定密封膠接觸表面SCC1與疏水性表面HBD1的內部HBC1i。此外，在密封膠240與支撐板212A的邊緣之間延伸的電晶體陣列層214A的最上面的膜層的部分的疏水性高於密封膠接觸表面SCC1，以界定疏水性表面HBD1的外部HBA1o。
第二基板220D包括支撐板222A、導電層224A以及配向層226C，其中支撐板222A與導電層224A的配置關係與結構可參考上述說明，且這裡不再重述。配向層226C，相似於圖9中的配向層226B，為無機配向層，但配向層226C不延伸至密封膠240和支撐板222A的邊緣之間的區域。在本實施例中，導電層224A在密封膠240與支撐板222A的邊緣之間的區域處曝露。配向層226C的一部分與密封膠240重疊，且配向層226C的另一部分在由密封膠240所圍繞的區域中完全地延伸，而不與密封膠240重疊。與密封膠240重疊的配向層226C的部分的疏水性低於不與密封膠240重疊的配向層226C的部分，以分別界定密封膠接觸表面SCC2與疏水性表面HBD2的內部HBC2i。此外，在密封膠240與支撐板222A的邊緣之間延伸的導電層224A的部分的疏水性高於密封膠接觸表面SCC2，以界定疏水性表面HBD2的外部HBA2o。
疏水性表面HBD1與HBD2以及密封膠接觸表面SCC1與SCC2提供與上述在圖7至9中的疏水性表面與密封膠接觸表面相似的功能。因此，密封膠240的形狀可具有基於疏水性表面HBD1與HBD2以及密封膠接觸表面SCC1與SCC2之間的邊界的特定幾何形狀，且具有良好線性的清晰邊緣。例如，密封膠240可具有在密封膠140A至140E中任何一個所示與其在上文中描述的替代方案的形狀。
圖11示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。請參照圖11，顯示面板200E主要包括第一基板210E、第二基板220E、顯示介質層130以及密封膠240。顯示面板200E相似於圖10中所描繪的顯示面板200D，且兩個實施例之間的差異包括第一基板210E與第二基板220E的結構。因此，兩個實施例中的相同或相似的元件由相同或相似的符號表示，且實施例中的這些元件的細節可以參考圖10中所描繪的實施例。在本實施例中，疏水性表面HBD1與密封膠接觸表面SCA1在第一基板210E上形成，且疏水性表面HBD2與密封膠接觸表面SCA2在第二基板220E上形成。
在實施例中，第一基板210E包括支撐板212A、電晶體陣列層214A以及配向層216D。支撐板212A與電晶體陣列層214A的結構與材料可參考上面的描述，且這裡不再重述。在實施例中，配向層216D為無機配向層，且在由密封膠240所圍繞的區域內延伸而不與密封膠240重疊。具體地，配向層216D到達密封膠240的內邊緣並與密封膠240的內邊緣接觸。疏水性表面HBD1包括由配向層216D所界定的疏水性表面HBD1的內部HBC1i。此外，電晶體陣列層214A的最上面的膜層界定了疏水性表面HBD1的外部HBA1o與密封膠接觸表面SCA1，如圖7中所描繪的相似元件。換句話說，密封膠240在密封膠接觸表面SCA1處與電晶體陣列層214A的最上面的膜層接觸。
第二基板220E包括支撐板222A、導電層224A以及配向層226D。支撐板222A與導電層224A的結構和材料可以參考上面的描述，且這裡不再重述。在實施例中，配向層226D為無機配向層，且在由密封膠240所圍繞的區域內延伸而不與密封膠240重疊。具體地，配向層226D到達密封膠240的內邊緣並與密封膠240的內邊緣接觸。疏水性表面HBD2包括由配向層216D所界定的內部HBC2i。此外，導電層224A界定了疏水性表面HBD2的外部HBA2o與密封膠接觸表面SCA2，如圖7中所描繪的相似元件。換句話說，密封膠240在密封膠接觸表面SCA2處與導電層224A接觸。
疏水性表面HBD1與HBD2以及密封膠接觸表面SCA1與SCA2提供了與圖7至10中的上述的疏水性表面與密封膠接觸表面相似的功能。因此，密封膠240的形狀可具有基於疏水性表面HBD1與HBD2的分佈的特定幾何形狀，並且具有良好線性的清晰邊緣。例如，密封膠240可具有在密封膠140A至140E中任何一個所示與其在上文中描述的替代方案的形狀。
圖12示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。請參照圖12，顯示面板200F主要包括第一基板210F、第二基板220F、顯示介質層130以及密封膠240。第一基板210F與第二基板220F經由密封膠240組裝，並且顯示介質層130設置在第一基板210F與第二基板220F之間，且被密封膠240圍繞。具體地，疏水性表面HBE1與密封膠接觸表面SCD1在第一基板210F上形成，且面向顯示介質層130，並且疏水性表面HBE2與密封膠接觸表面SCD2在第二基板220F上形成，且面向顯示介質層130。在實施例中，第一基板210F上的密封膠接觸表面SCD1與第二基板220F上的密封膠接觸表面SCD2彼此對準。密封膠接觸表面SCD1的疏水性低於疏水性表面HBE1，且密封膠接觸表面SCD2的疏水性低於疏水性表面HBE2。具體地，密封膠240的一端與密封膠接觸表面SCD1接觸，且實質上由密封膠接觸表面SCD1的邊界區分。密封膠240的另一端與密封膠接觸表面SCD2接觸。在替代實施例中，可以省略疏水性表面HBE1與密封膠接觸表面SCD1的組中以及疏水性表面HBE2與密封膠接觸表面SCD2的組中的其中一組。
第一基板210F，相似於圖7中的第一基板210A，包括支撐板212A、電晶體陣列層214A以及配向層216A，並且還包括無機層218B。支撐板212A、電晶體陣列層214A以及配向層216A的結構與材料可以參考上面的描述，且這裡不再重述。在實施例中，電晶體陣列層214A的最上面的膜層的從配向層216A的邊緣延伸至支撐板212A的邊緣的部分完全經受疏水性處理。因此，電晶體陣列層214A的最上面的膜層的從配向層216A的邊緣延伸至支撐板212A的邊緣的部分的整個表面可呈現疏水性，且形成疏水性表面HBE1。無機層218B在電晶體陣列層214A的最上面的膜層上形成，且界定了密封膠接觸表面SCD1。具體地，無機層218B將疏水性表面HBE1分成在無機層218B與配向層216A之間延伸的內部HBA1i、在無機層218B與支撐板212A的邊緣之間延伸的外部HBA1o以及在內部HBA1i與外部HBA1o之間延伸的中間部分HBA1s。特別地，中間部分HBA1s與無機層218B重疊。無機層218B提供了使密封膠接觸表面SCD1的疏水性低於疏水性表面HBE1的內部HBA1i和外部HBA1o。
第二基板220E，相似於圖7中的第二基板220A，包括支撐板222A、導電層224A以及配向層226A，並且還包括無機層228B。支撐板222A、導電層224A以及配向層226A的結構和材料可以參考上面的描述，且這裡不再重述。在實施例中，導電層224A的從配向層226A的邊緣延伸至支撐板222A的邊緣的部分完全地經受疏水處理。因此，導電層224A的從配向層226A的邊緣延伸至支撐板222A的邊緣的部分的整個表面可呈現疏水性，且形成疏水性表面HBE2。無機層228B在導電層224A上形成，且界定了密封膠接觸表面SCD2。具體地，無機層228B將疏水性表面HBE2分成在無機層228B與取向層226A之間延伸的內部HBA2i、在無機層228A與支撐板222A的邊緣之間延伸的外部HBA2o以及在內部HBA2i與外部HBA2o之間延伸的中間部分HBA2s。特別地，中間部分HBA2s與無機層228B重疊。無機層228B提供了使密封膠接觸表面SCD2的疏水性低於疏水性表面HBE2的內部HBA2i與外部HBA2o。
密封膠240的兩端分別與無機層218B上的密封膠接觸表面SCD1以及無機層228B上的密封膠接觸表面SCD2接觸。疏水性表面HBE1與HBE2以及密封膠接觸表面SCD1與SCD2提供與圖7至11中的上述疏水性表面與密封膠接觸表面相似的功能。因此，密封膠240的形狀可具有基於疏水性表面HBE1與HBE2以及密封膠接觸表面SCD1與SCD2的分佈的特定幾何形狀，且具有良好線性的清晰邊緣。例如，密封膠240可具有在密封膠140A至140E中任何一個所示與其在上文中描述的替代方案的形狀。
圖13示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。請參照圖13，顯示面板200G主要包括第一基板210G、第二基板220G、顯示介質層130以及密封膠240。第一基板210G與第二基板220G經由密封膠240組裝，並且顯示介質層130設置在第一基板210G與第二基板220G之間，且被密封膠240所圍繞。具體地，疏水性表面HBF1與密封膠接觸表面SCD1在第一基板210G上形成，且面向顯示介質層130，並且疏水性表面HBF2與密封膠接觸表面SCD2在第二基板220G上形成，且面向顯示介質層130。在實施例中，第一基板210G上的密封膠接觸表面SCD1與第二基板220G上的密封膠接觸表面SCD2彼此對準。密封膠接觸表面SCD1的疏水性低於疏水性表面HBF1，且密封膠接觸表面SCD2的疏水性低於疏水性表面HBF2。具體地，密封膠240的一端與密封膠接觸表面SCD1接觸，且實質上由疏水性表面HBF1與密封膠接觸表面SCD1之間的邊界區分。密封膠240的另一端與密封膠接觸表面SCD2接觸，且實質上由疏水性表面HBF2與密封膠接觸表面SCD2之間的邊界區分。在一替代實施例中，可以省略疏水性表面HBF1與密封膠接觸表面SCD1的組中以及疏水性表面HBF2與密封膠接觸表面SCD2的組中的其中一組。
第一基板210G，相似於圖9中的第一基板210C，包括支撐板212A、電晶體陣列層214A以及配向層216B，並且還包括無機層218B。支撐板212A、電晶體陣列層214A以及配向層216B的結構和材料可參考上面的描述，且這裡不再重述。在實施例中，在支撐板212A的整個表面上延伸的配向層216B為無機配向層，且完全經受疏水處理。因此，配向層216B的整個表面可呈現疏水性，且形成疏水性表面HBF1。無機層218B在配向層216B上形成，且界定了密封膠接觸表面SCD1。具體地，無機層218B將疏水性表面HBF1分成在由密封膠240所圍繞的區域內延伸的內部HBC1i、在無機層218A與支撐板212A的邊緣之間延伸的外部HBC1o以及在內部HBC1i與外部HBC1o之間延伸的中間部分HBC1s。特別地，中間部分HBC1s與無機層218B重疊。無機層218B提供了使密封膠接觸表面SCD1的疏水性低於疏水性表面HBF1的內部HBC1i與外部HBC1o。
第二基板220G，相似於圖9中的第二基板220C，包括支撐板222A、導電層224A以及配向層226B，並且還包括無機層228B。支撐板222A、導電層224A以及配向層226B的結構與材料可以參考上面的描述，且這裡不再重述。在實施例中，在支撐板222A的整個表面上延伸的配向層226B為無機配向層，且完全經受疏水性處理。因此，配向層226B的整個表面可呈現疏水性，且形成疏水性表面HBF2。無機層228B在配向層226B上形成，且界定了密封膠接觸表面SCD2。具體地，無機層228B將疏水性表面HBF2分成在由密封膠240所圍繞的區域內延伸的內部HBC2i、在無機層228B與支撐板222A的邊緣之間延伸的外部HBC2o以及在內部HBC2i和外部HBC2o之間延伸的中間部分HBC2s。特別地，中間部分HBC2s與無機層228B重疊。無機層228B提供了使密封膠接觸表面SCD2的疏水性低於疏水性表面HBF2的內部HBC2i和外部HBC2o。
密封膠240的兩端分別與無機層218B上的密封膠接觸表面SCD1以及無機層228B上的密封膠接觸表面SCD2接觸。疏水性表面HBF1與HBF2以及密封膠接觸表面SCD1與SCD2提供了與圖7至12中的上述疏水性表面與密封膠接觸表面相似的功能。因此，密封膠240的形狀可具有基於疏水性表面HBF1與HBF2的分佈的特定幾何形狀，並且具有良好線性的清晰邊緣。例如，密封膠240可具有在密封膠140A至140E中任何一個所示與其在上文中描述的替代方案的形狀。
顯示面板200A至200G中的任何一個還可包括彩色濾光層或其他功能層，其設置在第一基板上的電晶體陣列層與配向層之間。此外，顯示面板200A至200G中的密封膠240可具有替代的上視形狀。圖14示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板中的密封膠的上視圖。請參照圖14，密封膠340A可包括具有實質上相同寬度的連續一體式圖案CP6，且連續一體式圖案CP6形成密閉環形。上述顯示面板200A至200G中的密封膠240中的每一個，其包括區分了密封膠接觸表面的邊界，可具有如密封膠340A的上視形狀。在這種情況下，連續一體式圖案CP6的邊緣具有良好的線性而沒有明顯的粗糙度。此外，圖15示意性地示出了根據本揭露的另一實施例的顯示面板中的密封膠的上視圖，其中密封膠340B具有連續一體式圖案CP7與端部封口ES。連續一體式圖案CP7具有實質上相同的寬度，且連續一體式圖案CP7具有分開一距離的兩個末端T3與T4，且端部封口ES設置成連接兩個末端T3與T4，使得連續一體式圖案CP7與端部封口ES一起形成密閉環形。上述顯示面板200A至200G中的密封膠240中的每一個，其包括區分了密封膠接觸表面的邊界，可具有如密封膠340B的上視形狀。在這種情況下，連續一體式圖案CP7的邊緣具有良好的線性而沒有明顯的粗糙度。
基於上述，根據本揭露的一些實施例的顯示面板包括具有各種寬度的密封膠。密封膠的圖案經由利用凸版印刷、利用網版印刷或在密封膠接觸表面的周圍形成疏水性表面而涉及了更靈活的設計窗口。此外，在具有較小寬度的密封膠的部分處，可設置導體，其提高了顯示面板的空間利用效率。換句話說，經由將導體至少部分地設置在密封膠的外邊緣上的凹部內，顯示面板的尺寸可更緻密。在本揭露的一些實施例中，顯示面板具有其區分了密封膠接觸表面的邊界的疏水性表面，其有助於確保密封膠的形狀，且改善密封膠形狀的邊緣的線性度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100A、100B、100C、100D、100E、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G:顯示面板 110、210A、210B、210C、210D、210E、210F、210G:第一基板 120、220A、220B、220C、220D、220E、220F、220G:第二基板 130:顯示介質層 140A、140B、140C、140D、140E、240、340A、340B:密封膠 140Ai、140Ci、140Di、140Ei:內邊緣 140Ao、140Co、140Do、140Eo:外邊緣 150:導體 212A、222A:支撐板 214A:電晶體陣列層 216A、216B、216C、226A、226B、226C:配向層 218A、218B、228A、228B:無機層 224A:導電層 BL:底線 CP1、CP2、CP3、CP4、CP5、CP6、CP7:連續一體式圖案 E1、E2、E3、E4:邊緣線 ES:端部封口 G、GA1、GA2:間隙 HBA1、HBA2、HBB1、HBB2、HBC1、HBC2、HBD1、HBD2、HBE1、HBE2、HBF1、HBF2:疏水性表面 HBA1i、HBA2i、HBB1i、HBB2i、HBC1i、HBC2i:內部 HBA1o、HBA2o、HBC1o、HBC2o:外部 HBA1s、HBA2s、HBC1s、HBC2s:中間部分 L1、L2:長度 RA、RD、RE:凹部 S1A、S1B、S1C、S1D、S1E:第一段 S2A、S2B、S2C、S2D、S2E:第二段 SCA1、SCA2、SCB1、SCB2、SCC1、SCC2、SCD1、SCD2:密封膠接觸表面 T1、T2、T3、T4:末端 WS1A、WS1B、WS1C、WS1D、WS1E、WS2A、WS2B、WS2C、WS2D、WS2E:寬度
圖1示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的上視圖。 圖2示意性地示出了圖1沿I-I線截取的顯示面板的剖面圖。 圖3示意性地示出了根據本揭露的另一實施例的顯示面板的上視圖。 圖4示意性地示出了根據本揭露的另一實施例的顯示面板的上視圖。 圖5示意性地示出了根據本揭露的另一實施例的顯示面板的上視圖。 圖6示意性地示出了根據本揭露的另一實施例的顯示面板的上視圖。 圖7示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。 圖8示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。 圖9示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。 圖10示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。 圖11示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。 圖12示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。 圖13示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板的剖面圖。 圖14示意性地示出了根據本揭露的一實施例的顯示面板中的密封膠的上視圖。 圖15示意性地示出了根據本揭露的另一實施例的顯示面板中的密封膠的上視圖。
100A:顯示面板
110:第一基板
120:第二基板
130:顯示介質層
140A:密封膠
140Ai:內邊緣
140Ao:外邊緣
150:導體
CP1:連續一體式圖案
E1、E2:邊緣線
L1、L2:長度
RA:凹部
S1A:第一段
S2A:第二段
WS1A、WS2A:寬度

Claims (18)

  1. 一種顯示面板，包括：一第一基板；一第二基板，與該第一基板組裝；一顯示介質層，設置在該第一基板與該第二基板之間；一疏水性表面，面向該顯示介質層，且設置在該第一基板與該第二基板的至少其中之一上；一密封膠接觸表面，設置在該第一基板與該第二基板的至少其中之一上，其中該密封膠在該密封膠接觸表面內延伸，並且該疏水性表面包括夾著該密封膠接觸表面的一內部以及一外部；以及一密封膠，設置在該第一基板與該第二基板之間，該密封膠圍繞該顯示介質層並包括一連續一體式圖案，其中該連續一體式圖案包括一第一段以及一第二段，並且該第一段的寬度與該第二段的寬度之間的差值大於或等於該第二段的寬度的三分之一。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該密封膠具有與該顯示介質層接觸的一內邊緣以及與該內邊緣相對的一外邊緣，並且該外邊緣在該第一段朝向該內邊緣內縮處形成一凹部。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，更包括：一導體，設置在該密封膠與該第一基板的邊緣之間，該導體與該密封膠間隔開，並且跨越該第一基板與該第二基板之間的間 隙，其中該導體至少部分地位於該凹部中。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中該密封膠的形狀具有多個角部，且該凹部設置在該多個角部中的兩個角部之間。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中該密封膠的形狀具有多個角部，且該凹部設置在該些角部的其中之一。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該密封膠具有與該顯示介質層接觸的一內邊緣以及與該內邊緣相對的一外邊緣，並且在該第一段的該內邊緣不與在該第一段的該外邊緣共形。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的顯示面板，其中在該第一段的該外邊緣形成倒角。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的顯示面板，其中在該第一段的該內邊緣形成銳角。
  9. 一種顯示面板，包括：一第一基板；一第二基板，與該第一基板組裝；一顯示介質層，設置在該第一基板與該第二基板之間；一疏水性表面，設置在該第一基板與該第二基板的至少其中之一上，並且面向該顯示介質層；一密封膠接觸表面，設置在該第一基板與該第二基板的至少 其中之一上，並且疏水性低於該疏水性表面，其中該疏水性表面包括夾著該密封膠接觸表面的一內部以及一外部；以及一密封膠，設置在該第一基板與該第二基板之間，並且在該密封膠接觸表面內延伸。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，更包括：一配向層，設置在該第一基板與該第二基板的至少其中之一上，且被該密封膠所圍繞。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該配向層經由一間隙與該密封膠隔開，並且該疏水性表面的該內部在該配向層與該密封膠之間延伸。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的顯示面板，其中該配向層由有機配向材料製成。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該配向層延伸以與該密封膠接觸，並且該配向層經受疏水性處理以形成該疏水性表面的該內部。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的顯示面板，其中該配向層由無機配向材料製成。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的顯示面板，其中該配向層更延伸以與該密封膠重疊。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，更包括：一無機層，設置在該密封膠與該配向層之間，其中該無機層 的表面形成該密封膠接觸表面。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，其中該配向層更延伸至該第一基板以及該第二基板的至少其中之一的邊緣與該密封膠之間的區域，並且該邊緣與該密封膠之間的該配向層的表面形成該疏水性表面的該外部。
  18. 如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，更包括：一無機層，設置在該第一基板與該第二基板的至少其中之一上，其中該無機層的第一部份與該密封膠重疊，且該無機層的第二部份向內延伸超過該密封膠的內邊緣，該無機層的該第一部份的疏水性低於該無機層的該第二部份，該無機層的該第一部份形成該密封膠接觸表面，且該無機層的該第二部份形成該疏水性表面的該內部。
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