TWI703626B - 支持體分離裝置及支持體分離方法 - Google Patents
支持體分離裝置及支持體分離方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI703626B TWI703626B TW105142286A TW105142286A TWI703626B TW I703626 B TWI703626 B TW I703626B TW 105142286 A TW105142286 A TW 105142286A TW 105142286 A TW105142286 A TW 105142286A TW I703626 B TWI703626 B TW I703626B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- support
- substrate
- light
- laminate
- laminated body
- Prior art date
Links
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title claims abstract description 147
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000734 polysilsesquioxane polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
藉由使分離層變質，將由積層體脫離的基板及支持體之中的其中一方，在基板及支持體之中的另一方之上不會大幅位置偏移來進行保持。
支持體分離裝置(100)係具備有：載置使分離層(13)變質的積層體(16)的載台(1)；及將支承板(12)保持在基板(15)之上的保持部(7)，保持部(7)係被配置成包圍積層體(16)的外周端部。
Description
本發明係關於支持體分離裝置及支持體分離方法。
近年來日益被要求IC卡、行動電話等電子機器的薄型化、小型化、輕量化等。為滿足該等要求，關於所被組入的半導體晶片，亦必須使用薄型的半導體晶片。因此，成為半導體晶片之基礎的晶圓基板的厚度(膜厚)現狀下為125μm~150μm，但是若為次世代的晶片用，被認為必須形成為25μm~50μm。因此，為獲得上述膜厚的晶圓基板，晶圓基板的薄板化工程乃為必須不可或缺。
晶圓基板由於強度會因薄板化而降低，因此為了防止經薄板化的晶圓基板破損，在製造製程中，係一邊在將支承板貼合在晶圓基板的狀態下自動搬送，一邊在晶圓基板上構裝電路等構造物。接著，在製造製程後，將晶圓基板與支承板分離。因此，至今使用將支持體由晶圓分離的各種方法。
在專利文獻1記載一種積層體，其係包含：被研削基材、與被研削基材相接的接合層、含有光吸收劑及熱分解性樹脂的光熱轉換層、及光透過性支持體，但是，光熱轉換層係在將與接合層為相反側的被研削基材的表面研削之後，在被照射到放射能量之時分解，而將研削後的基材與光透過性支持體分離者。
[專利文獻1]日本特開2004-064040號公報(2004年2月26日公開)
但是，關於可藉由使分離層變質，將由積層體脫離的基板及支持體之中的其中一方保持在基板及支持體之中的另一方之上的支持體分離裝置，在專利文獻1中未見任何揭示。
本發明係鑑於前述問題點而完成者，其目的在提供可藉由使分離層變質，將由積層體脫離的基板及支持體之中的其中一方，在基板及支持體之中的另一方之上不會大幅位置偏移來進行保持的支持體分離裝置及支持體分離方法。
本發明人等係為解決上述課題而精心研究的結果，完成以下發明。
本發明之支持體分離裝置係由透過藉由照射光而變質的分離層來積層基板、及透光的支持體而成的積層體，將上述支持體分離的支持體分離裝置，其特徵為：具備有：載置台，其係載置藉由照射光而使上述分離層變質的上述積層體；及保持部，其係將位於被載置於上述載置台的上述積層體的上側的上述基板或上述支持體，保持在位於下側的另一方之上，上述保持部係被配置成包圍上述積層體的外周端部。
此外，本發明之支持體分離方法係由透過藉由照射光而變質的分離層來積層基板、及透光的支持體而成的積層體，將上述支持體分離的支持體分離方法，其特徵為：包含有：保持工程，其係將上述積層體載置於載置台，藉由保持部包圍上述積層體的外周端部；及光照射工程，其係對上述積層體透過上述支持體照射光。
藉由本發明，達成可提供可藉由使分離層變質，將由積層體脫離的基板及支持體之中的其中一方，在基板及支持體之中的另一方之上不會大幅位置偏移來進行保持的支持體分離裝置及支持體分離方法的效果。
1:載台(載置台)
2:多孔部
3:外周部
4:切割帶(支持膜)
4a:露出面(支持膜)
6:切割框架
7:保持部
8:抵接部(保持部)
8a:軸部(抵接部、保持部)
8b:前端部(抵接部、保持部)
11:驅動部
11a:驅動軸(驅動部)
12:支承板(支持體)
13:分離層
14:接著層
15:基板
16:積層體
17:雷射照射部(光照射部)
18:分離板
19:吸附墊
100:支持體分離裝置
O1、O2:中心點
r:距離
圖1係說明本發明之一實施形態之支持體分離裝置100的概略的圖。
圖2係用以說明本發明之一實施形態之支持體分離裝置100所具備之載台1的概略的上面圖、及側面的剖面圖。
圖3係用以說明本發明之一實施形態(第一實施形態)之支持體分離裝置100的動作的概略的圖。
使用圖1~3，詳加說明本發明之一實施形態之支持體分離裝置100。
圖1係說明本實施形態之支持體分離裝置100的概略的圖。圖2(a)係說明在支持體分離裝置100所具備的載台(載置台)1載置有積層體16的狀態的上面圖，圖2(b)係根據圖2(a)中的A-A’線箭視剖面，說明載台1及積層體16的概略的圖。圖3(a)~(d)係說明支持體分離裝置100的動作的概略的圖。
如圖1所示，支持體分離裝置100係具備有：載台(載置台)1、雷射照射部(光照射部)17、及分離板18，載台1係具備有：複數保持部7、及使保持部7的各個驅動的驅動部11。
此外，如圖1所示，支持體分離裝置100係在載台1上載置有依序積層；透光的支承板(支持體)12、因照射光而變質的分離層13、接著層14、及基板15而成的積層體16。其中，本實施形態之支持體分離裝置100係將基板15配置在下側，將支承板12配置在上側地將積層體16載置於載台1。在載置於載台1的積層體16的基板15側係貼著有切割帶(支持膜)4，該切割帶4係具備有切割框架6。
此外，如圖2(a)所示，支持體分離裝置100係藉由保持部7的各個所具備的抵接部8，包圍被載置在載台1上的積層體16的外周端部。
以下更加詳細說明支持體分離裝置100所具備的載台1、保持部7、抵接部8、雷射照射部17、及分離板18。
載台(載置台)1係載置積層體16的台座。載台1係具備有：多孔部2、及外周部3。多孔部2係指載台1中設在外周部3的內側的多孔性部分。多孔部2係可藉由減壓部(未圖示)，吸引且保持在該多孔性部分貼著有切割帶4的積層體16。其中，如圖2(a)及(b)所示，照射光之前的積層體16係其平面部的中心點O1在載台1的中心點O2之上，在平面方向大致相重疊而被載置在載台1上。
其中，在本實施形態之支持體分離裝置100中，載台1係在固定成在平面方向不會移動的狀態下，對載置於該載台1的積層體16的分離層13照射光。其中，在其他實施形態之支持體分離裝置中，載台1亦可具備有：在載置積層體16的面的平面方向，使該載台1自身平行移動、或以中心點O2為中心而進行旋動的驅動部(未圖示)。
保持部7係用以將由積層體16脫離的支承板12，保持在位於該支承板12之下側的基板15上者，亦即，防止脫離的支承板12由基板15上大幅位置偏移，由此變得無法藉由後述之分離板18進行保持的情形者。如圖2(a)所示，支持體分離裝置100係具備有4個保持部7，保持部7的各個係以包圍積層體16的外周端部的方式被配置在載台1。此外，在保持部7的各個係包圍積層體16的外周端部而設有2個抵接部8。
抵接部8係指在保持部7中，使由積層體16脫離的支承板12抵接的部分。在1個保持部7中，至少設置2個抵接部8，藉此可更加適當防止由積層體16脫離的支承板12由基板15上位置偏移。如圖2(b)所示，抵接部8係具有：與積層體16的厚度方向呈平行地延伸的軸
部8a、及與載台1相對向的前端部8b。抵接部8係當對積層體16透過支承板12照射光時，使由積層體16脫離且位置偏移的支承板12的外周端部抵接於軸部8a，藉此將支承板12保持在基板15上(圖3(b))。因此，如圖2(b)所示，在對積層體16的分離層13照射光之前，抵接部8的軸部8a亦可配置成抵接於積層體16的外周端部，但是以配置成近接積層體16的外周端部為較佳。
如圖2(b)所示，保持部7包圍積層體16的外周端部時之抵接部8的軸部8a與積層體16的外周端部之間的距離係可藉由調整載台1的平面方向中的軸部8a與載台1的中心點O2之間的距離r來調整。亦即，若按照積層體16的半徑，來調整圖2(b)所示之距離r即可。在此，距離r係以調整為取得比積層體16的半徑為大0mm~2mm左右的值為佳。如上所示，當藉由調整距離r，在載台1上載置積層體16而對分離層13透過支承板12照射光時，可防止抵接部8遮斷光的情形。此外，藉由支持體分離裝置100，不會取決於連續被處理的每個積層體16的些微大小的不同，藉由抵接部8，可順利地包圍積層體16的外周端部。
其中，保持部7及驅動部11較佳為例如具備有：沿著圖2(b)所示之箭號B的方向而開口伸長的長孔；及透過該長孔來將保持部7及驅動部11扣止的扣止部(未圖示)的構成。藉此，可在圖2(b)所示之箭號B的方向，使保持部7移動，且藉由扣止，按照例如積層體
16的大小等來調整距離r。
如圖2(b)所示，前端部8b係抵接於切割帶4的露出面4a。藉此，可防止當藉由分離板18而將支承板12上抬時，基板15及被貼著在基板15的切割帶4追隨支承板12而被上抬的情形。
前端部8b係如圖2(b)所示，呈圓頭形狀。藉由如上所示之形態，可減小前端部8b與切割帶4接觸的面積。此外，可防止切割帶4因前端部8b而損傷的情形。
前端部8b係藉由樹脂所形成的構成、或者藉由金屬等所形成且塗敷有樹脂的構成。以被使用在前端部8b的樹脂而言，可列舉例如氟樹脂、及聚烯烴樹脂等，以氟樹脂為佳。藉由使用氟樹脂，可使前端部8b不易接著在存在於切割帶4之露出面4a的黏著層。以氟樹脂而言，可列舉：聚四氟乙烯樹脂(PTFE)、及四氟乙烯樹脂(PFA)等，以PTFE為佳。此外，以聚烯烴樹脂而言，可列舉：聚乙烯樹脂、及聚丙烯樹脂等。
驅動部11係具備有驅動軸11a，以該驅動軸11a為中心進行旋動。藉此，當將貼著有切割帶4的積層體16載置於載台1上時、及由載台1上搬出貼著有將支承板12
分離後所殘留的切割帶4的基板15時，使保持部7的各個移動至例如圖1中藉由一點鏈線所示之位置。藉此，可順利地進行貼著有切割帶4時之積層體16的搬入、及將支承板12分離後的基板15的搬出。
如圖3(a)所示，雷射照射部(光照射部)17係透過支承板12，將光照射至照射光之前的積層體16的分離層13，使分離層13變質。
雷射照射部17係例如沿著圖3(a)所示之箭號方向，在被保持在載台1的積層體16之上掃描。藉此，雷射照射部17係透過支承板12而對分離層13的全面照射雷射光。
以雷射照射部17照射至分離層13的光而言，若按照分離層13可吸收的波長，適當選擇例如YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4雷射、LD雷射、及光纖雷射等固體雷射、色素雷射等液體雷射、CO2雷射、準分子雷射、Ar雷射、及He-Ne雷射等氣體雷射、以及半導體雷射、及自由電子雷射等雷射光即可。此外，若可將分離層13變質，亦可照射非雷射光。以照射至分離層13的光的波長而言，並非為限定於此者，可為例如600nm以下的波長的光。此外，關於雷射輸出、脈波頻率，亦若按照分離層的種類、厚度、及基板的種類等條件來適當調整即可。
其中，藉由雷射照射部17所為之對分離層13照射光係若可藉由使雷射照射部17及載台1相對移動來進行即可。亦即，在其他實施形態之支持體分離裝置中，亦可將雷射照射部17固定而僅使載台1移動，藉此對分離層13照射光。此外，亦可使雷射照射部17及載台1之雙方移動，藉此對分離層13照射光。
分離板18係用以將照射光之後的積層體16中的支承板12保持且分離者。分離板18係具備有與減壓部(未圖示)相連通的複數吸附墊(吸附部)19，透過吸附墊19來保持支承板12。分離板18的上面視下的形狀係與積層體16的平面部的形狀為大致相等的圓形，在分離板18之與支承板12相對向的面的周緣部分係較佳為以等間隔分離的方式配置有3個以上的吸附墊19。藉由如上所示之形態，吸附墊19的各個係吸附支承板12的周緣部分。其中，分離板18係可藉由升降部(未圖示)，相對載台1中載置積層體16的面呈垂直地作升降。
如圖3(b)所示，支持體分離裝置100係可將由積層體16脫離的支承板12的位置偏移，藉由配置保持部7而限於0mm~2mm左右。因此，如圖3(c)所示，可將相對載台1呈垂直地作升降的分離板18所具備的吸附墊19的各個，順利地配置在被載置於載台1的支承板12的周緣部分。之後，如圖3(d)所示，在將支承
板12吸附在吸附墊19的狀態下將分離板18上抬，藉此可將支承板12上抬。
其中，有依積層體16的個別差異，支承板12未由使分離層13變質後的積層體16脫離的情形。此時，支持體分離裝置100亦可藉由使分離板18相對載台1呈垂直地作升降，來保持且上抬支承板12。在此，積層體16由於分離層13變質，因此可因分離板18上抬支承板12時所被施加的些微的力，分離層13受到破壞。因此，可將支承板12由積層體16適當地分離。
亦即，支持體分離裝置100係不取決於支承板12是否由使分離層13變質的積層體16脫離，藉由使分離板18進行預定的動作，可將該支承板12上抬而由積層體16分離。
其中，若支承板12未由使分離層13變質的積層體16脫離、及脫離後的支承板12未位置偏移，支持體分離裝置100係無須使支承板12抵接於配置成近接積層體16的外周端部的全部抵接部8，而將該支承板12由積層體16分離。
詳細說明藉由本實施形態之支持體分離裝置100，將支承板12分離的積層體16。
支承板12係用以在基板15的薄化、搬送、構裝等製程時，為了防止基板15破損或變形而支持基板15者，具有光透過性。因此，由積層體16之外朝向支承板12的平面部照射光，藉此可使光透過至支承板12，而到達至分離層13。此外，支承板12並不一定必須使全部光透過，若可使應被分離層13吸收的(具有所希望的波長)光透過即可。
支承板12係若在基板15的薄化、搬送、構裝等製程時，具有為了防止基板15破損或變形而所需的強度即可。由以上所示之觀點來看，以支承板12而言，列舉由玻璃、矽、壓克力所成者等。
分離層13係藉由吸收透過支承板12被照射的光而變質的層。
分離層13係可列舉例如藉由電漿CVD(化學氣相沈積)法被成膜的碳氟化合物。此外，例如在分離層13係可列舉使用將具光吸收性的構造包含在其重複單元的聚合物、無機物、具紅外線吸收性的構造的化合物、及反應性聚倍半矽氧烷等所形成的分離層。其中，照射至分離層13的光若按照分離層13進行吸收的波長來適當選擇即可。
分離層13的厚度係以例如0.05μm以上、50μm以下的範圍內為較佳，以0.3μm以上、1μm以下的
範圍內為更佳。分離層13的厚度若在0.05μm以上、50μm以下的範圍，可藉由短時間的光的照射及低能量的光的照射，使分離層13產生所希望的變質。此外，分離層13的厚度，由生產性的觀點來看，以在1μm以下的範圍為尤佳。
在本說明書中，分離層「變質」意指分離層可受到些微外力而被破壞的狀態、或形成為和與分離層相接之層的接著力降低的狀態的現象。以藉由吸收光所產生的分離層變質的結果而言，分離層係失去接受光照射之前的強度或接著性。亦即，藉由吸收光，分離層係變脆。所謂分離層的變質可為分離層產生因所吸收的光的能量所致之分解、產生立體配置的變化或官能基的解離等。分離層的變質係形成為吸收光的結果而產生。
因此，例如以僅上抬支承板而分離層以被破壞的方式使其變質，而可將支承板與基板輕易分離。更具體而言，例如若藉由支持體分離裝置等，將積層體中的基板及支承板的其中一方固定在載置台，藉由具備有吸附手段的吸附墊(吸附部)等，將另一方保持而上抬，藉此將支承板與基板分離、或將支承板的周緣部分端部的倒角部位，藉由具備有夾具(爪部)等的分離板進行把持，藉此施加力，且將基板與支承板分離即可。此外，例如亦可藉由具備有供給用以將接著劑剝離的剝離液的剝離手段的支持體分離裝置，將支承板由積層體中的基板剝離。藉由該剝離手段，對積層體中的接著層的周端部的至少一部分供
給剝離液，且使積層體中的接著層膨潤，藉此力由該接著層膨潤之處集中在分離層，可對基板與支承板施加力。因此，可將基板與支承板適當分離。
其中，施加於積層體的力若依積層體的大小等來適當調整即可，並非為受限定者，例如若為直徑為300mm左右的積層體，藉由施加0.1~5kgf左右的力，可將基板與支承板適當分離。
接著層14係透過分離層13而將基板15及支承板12相貼合者，藉由在基板15塗佈接著劑而形成。以對基板15塗佈接著劑的塗佈方法而言，並未特別限定，列舉例如：旋塗、浸泡、滾刀、噴霧塗佈、及狹縫式塗佈等方法。此外，接著層14亦可例如藉由將預先在兩面塗佈有接著劑的薄膜(所謂乾膜)黏貼在基板15來形成，來取代將接著劑直接塗佈在基板15。
接著層14的厚度係可按照成為貼合對象的基板15及支承板12的種類、接著後被施行於基板15的處理等來適當設定，以10~150μm為佳，以15~100μm為較佳。
以形成接著層14的接著劑而言，並未特別限定而均可使用，但是以熱流動性因加熱而提升的熱可塑性的接著材料為佳。以熱可塑性的接著材料而言，列舉例如：丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、馬來亞醯胺系樹脂、
烴系樹脂、彈性體、及聚碸系樹脂等。
基板15係可在透過接著層14及分離層13而被支持在支承板12的狀態下，被供在薄化、構裝等製程。以基板15而言，可使用陶瓷基板、薄的薄膜基板、可撓性基板等任意基板，而非限定於矽晶圓基板。
以其他構成而言，在積層體16係貼著有具備切割框架6的切割帶4。
切割帶(支持膜)4係被貼著在積層體16中的基板15側的平面部，被使用在用以切割將支承板12分離後的基板15。
以切割帶4而言，係可使用例如在基底薄膜形成有黏著層的構成的切割帶4。以基底薄膜而言，係可使用例如PVC(聚氯乙烯)、聚烯烴或聚丙烯等樹脂薄膜。其中，切割帶4的外徑係大於基板15的外徑，若將該等相貼合，形成切割帶4的一部分露出於基板15的外緣部分的露出面4a。
在切割帶4的露出面4a的更外周係安裝有用以防止切割帶4撓曲的切割框架6。以切割框架6而言，列舉例如鋁等金屬製的切割框架、不銹鋼(SUS)等合金製的切割框架、及樹脂製的切割框架。
本發明之支持體分離裝置並非限定於上述實施形態。保持部若藉由包圍積層體的外周端部，可將支承板保持在基板上即可。因此，在其他實施形態之支持體分離裝置中，保持部的數量並未被限定。此外，保持部所具備的抵接部的數量及形狀亦未被限定於上述實施形態。
此外，在另外其他實施形態之支持體分離裝置中，若可使保持部的各個移動至切割帶的外緣部分，驅動部的構成並未被限定。亦可為例如驅動部係使保持部沿著積層體16的平面方向旋動、或滑動，藉此移動至切割帶4的外緣部分的形態。
此外，在另外其他實施形態之支持體分離裝置中，保持由積層體脫離的支承板而分離的分離板並非被限定於具備有吸附墊的分離板。亦可為例如分離板係藉由把持支承板的外周端部的倒角部位的複數夾具(爪部)，來把持支承板的構成。
此外，在另外其他實施形態之支持體分離裝置中，被載置於載置台的積層體係若藉由保持部來包圍其外周端部即可，將基板及支持體的何者形成為上側來載
置，係若按照基板、支持體、及分離層的種類來適當變更即可。
本發明之一實施形態之支持體分離方法係由透過藉由照射光而變質的分離層13積層基板15、及透光的支承板(支持體)12而成的積層體16，將支承板12分離的支持體分離方法，其包含有：將積層體16載置在載台1，藉由保持部7包圍積層體16的外周端部的保持工程；及對積層體16透過支承板12照射光的光照射工程。
亦即，上述為支持體分離裝置100的各實施形態，本發明之支持體分離方法係依據上述之實施形態及圖1~3的說明。
本發明並非為限定於上述之各實施形態者，可在請求項所示之範圍內作各種變更，關於將在不同的實施形態分別揭示的技術手段適當組合而得的實施形態，亦包含在本發明之技術範圍內。
本發明之支持體分離裝置及支持體分離方法係可在例如經微細化的半導體裝置之製造工程中被廣泛利用。
1‧‧‧載台(載置台)
2‧‧‧多孔部
3‧‧‧外周部
4‧‧‧切割帶(支持膜)
4a‧‧‧露出面(支持膜)
6‧‧‧切割框架
7‧‧‧保持部
8‧‧‧抵接部(保持部)
8a‧‧‧軸部(抵接部、保持部)
8b‧‧‧前端部(抵接部、保持部)
11‧‧‧驅動部
11a‧‧‧驅動軸(驅動部)
12‧‧‧支承板(支持體)
13‧‧‧分離層
14‧‧‧接著層
15‧‧‧基板
16‧‧‧積層體
17‧‧‧雷射照射部(光照射部)
18‧‧‧分離板
19‧‧‧吸附墊
100‧‧‧支持體分離裝置
Claims (8)
- 一種支持體分離裝置，其係由透過藉由照射光而變質的分離層來積層基板、及透光的支持體而成的積層體，將上述支持體分離的支持體分離裝置，其特徵為：具備有：載置台，其係載置藉由照射光而使上述分離層變質的上述積層體；及保持部，其係將位於被載置於上述載置台的上述積層體的上側的上述基板或上述支持體，保持在位於下側的另一方之上，上述保持部係被配置成包圍上述積層體的外周端部，具有：抵接於由上述分離層已變質的上述積層體脫離的上述基板或上述支持體的外周端部的複數抵接部，在被載置於上述載置台的上述積層體中的上述基板側的平面部貼著有支持膜，該支持膜係具有露出於上述基板的外緣部分的露出面，上述複數抵接部的各個係具備有：與上述積層體的厚度方向呈平行，而且具有與上述載置台相對向的前端部的軸部，將該軸部抵接於由上述積層體脫離的上述支持體的外周端部，且將該前端部抵接於上述支持膜的露出面。
- 如申請專利範圍第1項之支持體分離裝置，其中，上述載置台係以上述支持體位於上側的方式載置積層體，具備有：透過上述支持體，將光照射至照射光之前的上述積層體的上述分離層的光照射部。
- 如申請專利範圍第2項之支持體分離裝置，其中，上述保持部係被配置成近接照射光之前的上述積層體的外周端部。
- 一種支持體分離裝置，其係由透過藉由照射光而變質的分離層來積層基板、及透光的支持體而成的積層體，將上述支持體分離的支持體分離裝置，其特徵為：具備有：載置台，其係載置藉由照射光而使上述分離層變質的上述積層體；及保持部，其係將位於被載置於上述載置台的上述積層體的上側的上述基板或上述支持體，保持在位於下側的另一方之上，上述保持部係被配置成包圍上述積層體的外周端部，具有：抵接於由上述分離層已變質的上述積層體脫離的上述基板或上述支持體的外周端部的複數抵接部，在被載置於上述載置台的上述積層體中的上述基板側的平面部貼著有支持膜，該支持膜係具有露出於上述基板的外緣部分的露出面，具備有使上述保持部移動至上述支持膜的外緣部分的驅動部。
- 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之支持體分離裝置，其中，藉由複數上述保持部，包圍上述積層體的外周端部。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之支持體 分離裝置，其中，上述前端部係含有樹脂而成。
- 一種支持體分離方法，其係由透過藉由照射光而變質的分離層來積層基板、及透光的支持體而成的積層體，將上述支持體分離的支持體分離方法，其特徵為：包含有：保持工程，其係將上述積層體載置於載置台，藉由保持部包圍上述積層體的外周端部；及光照射工程，其係對上述積層體透過上述支持體照射光，上述保持部係具有：抵接於由上述分離層已變質的上述積層體脫離的上述基板或上述支持體的外周端部的複數抵接部，在被載置於上述載置台的上述積層體中的上述基板側的平面部貼著有支持膜，該支持膜係具有露出於上述基板的外緣部分的露出面，上述複數抵接部的各個係具備有：與上述積層體的厚度方向呈平行，而且具有與上述載置台相對向的前端部的軸部，將該軸部抵接於由上述積層體脫離的上述支持體的外周端部，且將該前端部抵接於上述支持膜的露出面。
- 一種支持體分離方法，其係由透過藉由照射光而變質的分離層來積層基板、及透光的支持體而成的積層體，將上述支持體分離的支持體分離方法，其特徵為：包含有：保持工程，其係將上述積層體載置於載置台，藉由保 持部包圍上述積層體的外周端部；及光照射工程，其係對上述積層體透過上述支持體照射光，上述保持部係具有：抵接於由上述分離層已變質的上述積層體脫離的上述基板或上述支持體的外周端部的複數抵接部，在被載置於上述載置台的上述積層體中的上述基板側的平面部貼著有支持膜，該支持膜係具有露出於上述基板的外緣部分的露出面，具備有使上述保持部移動至上述支持膜的外緣部分的驅動部。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016-028387 | 2016-02-17 | ||
| JP2016028387A JP6612648B2 (ja) | 2016-02-17 | 2016-02-17 | 支持体分離装置及び支持体分離方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201730952A TW201730952A (zh) | 2017-09-01 |
| TWI703626B true TWI703626B (zh) | 2020-09-01 |
Family
ID=59683214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105142286A TWI703626B (zh) | 2016-02-17 | 2016-12-20 | 支持體分離裝置及支持體分離方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6612648B2 (zh) |
| KR (1) | KR102643527B1 (zh) |
| TW (1) | TWI703626B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150610A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Canon Inc | 試料の処理システム |
| JP2000150456A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Canon Inc | 試料の分離装置及び分離方法 |
| JP2004064040A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Three M Innovative Properties Co | 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置 |
| JP2013004845A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Tokyo Electron Ltd | 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021929A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | サポートプレート、搬送装置、剥離装置及び剥離方法 |
| JP5926700B2 (ja) * | 2013-04-30 | 2016-05-25 | 東京応化工業株式会社 | 支持体分離装置及び支持体分離方法 |
| JP6216727B2 (ja) * | 2014-05-08 | 2017-10-18 | 東京応化工業株式会社 | 支持体分離方法 |
-
2016
- 2016-02-17 JP JP2016028387A patent/JP6612648B2/ja active Active
- 2016-12-15 KR KR1020160171380A patent/KR102643527B1/ko active IP Right Grant
- 2016-12-20 TW TW105142286A patent/TWI703626B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150610A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Canon Inc | 試料の処理システム |
| JP2000150456A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Canon Inc | 試料の分離装置及び分離方法 |
| JP2004064040A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Three M Innovative Properties Co | 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置 |
| JP2013004845A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Tokyo Electron Ltd | 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017147345A (ja) | 2017-08-24 |
| TW201730952A (zh) | 2017-09-01 |
| KR20170096936A (ko) | 2017-08-25 |
| KR102643527B1 (ko) | 2024-03-06 |
| JP6612648B2 (ja) | 2019-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI797492B (zh) | 用於接合晶片之方法及裝置 | |
| JP5756334B2 (ja) | 積層体、およびその積層体の分離方法 | |
| TWI650809B (zh) | 晶圓之加工方法 | |
| JP6189700B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| CN111095493B (zh) | 薄型化板状部件的制造方法以及薄型化板状部件的制造装置 | |
| TWI708310B (zh) | 支持體分離方法、及基板處理方法 | |
| KR101625730B1 (ko) | 지지체 분리 장치 및 지지체 분리 방법 | |
| JP5714859B2 (ja) | 基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法 | |
| TW202141589A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| TWI703670B (zh) | 支撐體分離裝置及支撐體分離方法 | |
| TWI703626B (zh) | 支持體分離裝置及支持體分離方法 | |
| JP2018006486A (ja) | 支持体分離装置、および支持体分離方法 | |
| CN107309555B (zh) | 晶片的加工方法 | |
| JP2020064921A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| US20220020603A1 (en) | Sheet and protective member forming method | |
| TW201905993A (zh) | 晶圓的加工方法 | |
| WO2021131710A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| WO2022153886A1 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び基板製造方法 | |
| JP2024106774A (ja) | 保護シート配設方法および保護シート | |
| KR20230124483A (ko) | 웨이퍼 전사 방법 및 웨이퍼 전사 장치 | |
| JP2021012950A (ja) | 支持体剥離方法及び支持体剥離システム | |
| JP2022077742A (ja) | 積層体製造方法および積層体製造装置 |