JP2017147345A - 支持体分離装置及び支持体分離方法 - Google Patents
支持体分離装置及び支持体分離方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017147345A JP2017147345A JP2016028387A JP2016028387A JP2017147345A JP 2017147345 A JP2017147345 A JP 2017147345A JP 2016028387 A JP2016028387 A JP 2016028387A JP 2016028387 A JP2016028387 A JP 2016028387A JP 2017147345 A JP2017147345 A JP 2017147345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- substrate
- light
- separating apparatus
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000734 polysilsesquioxane polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
図1〜3を用いて、本発明の一実施形態に係る支持体分離装置100について詳細に説明する。
ステージ(載置台)1は、積層体16を載置する台である。ステージ1は、ポーラス部2と外周部3とを備えている。ポーラス部2は、ステージ1における外周部3の内側に設けられた多孔性部分のことをいう。ポーラス部2は、減圧部(不図示)によりその多孔性部分にダイシングテープ4を貼着した積層体16を吸引し、保持することができる。なお、図2の(a)及び(b)に示すように、光を照射する前における積層体16は、その平面部の中心点O1がステージ1の中心点O2の上に、平面方向において略重なるようにしてステージ1上に載置されている。
保持部7は、積層体16から脱離したサポートプレート12を、当該サポートプレート12の下側に位置する基板15上に保持する、つまり、脱離したサポートプレート12が基板15上から大きく位置ずれすることにより、後述する分離プレート18により保持することができなくなることを防止するためのものである。図2の(a)に示すように、支持体分離装置100は4つの保持部7を備えており、保持部7の夫々は積層体16の外周端部を囲うようにステージ1に配置されている。また、保持部7の夫々には、積層体16の外周端部を囲うようにして、2つの当接部8が設けられている。
当接部8とは、保持部7において、積層体16から脱離したサポートプレート12を当接させる部分のことをいう。1つの保持部7において、少なくとも2つの当接部8を設けることにより、積層体16から脱離したサポートプレート12が基板15上から位置ずれすることをより好適に防止することができる。図2の(b)に示すように、当接部8は、積層体16の厚さ方向に平行に伸びる軸部8aと、ステージ1に対向する先端部8bとを有している。当接部8は、積層体16にサポートプレート12を介して光を照射したときに、積層体16から脱離し、位置ずれしたサポートプレート12の外周端部を、軸部8aに当接させることで、サポートプレート12を基板15上に保持する(図3の(b))。よって、図2の(b)に示すように、積層体16の分離層13に光を照射する前において、当接部8の軸部8aは、積層体16の外周端部に当接するように配置されていてもよいが、積層体16の外周端部に近接するように配置されていることがより好ましい。
図2の(b)に示すように、先端部8bは、ダイシングテープ4の露出面4aに当接するようになっている。これにより、分離プレート18によってサポートプレート12を持ち上げるときに、基板15及び基板15に貼着されているダイシングテープ4が、サポートプレート12に追従して持ち上げられることを防止することができる。
駆動部11は、駆動軸11aを備えており、当該駆動軸11aを中心として回動する。これにより、ダイシングテープ4を貼着した積層体16をステージ1上に載置するとき、及び、サポートプレート12を分離した後に残るダイシングテープ4を貼着した基板15をステージ1上から搬出するときにおいて、保持部7の夫々を、例えば、図1における一点鎖線により示されている位置に移動させる。これにより、ダイシングテープ4を貼着した場合における、積層体16の搬入、及び、サポートプレート12を分離した後の基板15の搬出を首尾よく行うことができる。
図3の(a)に示すように、レーザ照射部(光照射部)17は、光を照射する前における積層体16の分離層13にサポートプレート12を介して光を照射し、分離層13を変質させる。
分離プレート18は、光を照射した後の積層体16におけるサポートプレート12を保持して分離するためのものである。分離プレート18は、減圧部(不図示)に連通している複数の吸着パッド(吸着部)19を備えており、吸着パッド19を介してサポートプレート12を保持する。分離プレート18の上面視における形状は、積層体16の平面部の形状に略等しい円形であり、分離プレート18のサポートプレート12に対向する面の周縁部分には、好ましくは3つ以上の吸着パッド19が等間隔に離れるように配置されている。このような形態によって、吸着パッド19の夫々は、サポートプレート12の周縁部分を吸着する。なお、分離プレート18は、昇降部(不図示)によってステージ1における積層体16を載置する面に対して垂直に昇降させることができる。
本実施形態に係る支持体分離装置100によりサポートプレート12を分離する積層体16について、詳細に説明する。
サポートプレート12は、基板15の薄化、搬送、実装等のプロセス時に、基板15の破損又は変形を防ぐために基板15を支持するためのものであり、光透過性を有している。そのため、積層体16の外からサポートプレート12の平面部に向けて光を照射することにより、サポートプレート12に光を透過させ、分離層13に到達させることができる。また、サポートプレート12は、必ずしも全ての光を透過させる必要はなく、分離層13に吸収されるべき(所望の波長を有している)光を透過させることができればよい。
分離層13は、サポートプレート12を介して照射される光を吸収することにより、変質する層である。
接着層14は、分離層13を介して基板15とサポートプレート12とを貼り合わせるものであり、基板15に接着剤を塗布することによって形成される。基板15への接着剤の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布及びスリット塗布等の方法が挙げられる。また、接着層14は、例えば、接着剤を直接、基板15に塗布する代わりに、接着剤が両面に予め塗布されているフィルム(いわゆる、ドライフィルム)を、基板15に貼付することで形成してもよい。
基板15は、接着層14及び分離層13を介してサポートプレート12に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供され得る。基板15としては、シリコンウエハ基板に限定されず、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板を使用することができる。
その他の構成として、積層体16には、ダイシングフレーム6を備えたダイシングテープ4が貼着されている。
ダイシングテープ(支持膜)4は、積層体16における基板15側の平面部に貼着されており、サポートプレート12を分離した後の基板15をダイシングするために用いられる。
ダイシングテープ4の露出面4aのさらに外周には、ダイシングテープ4の撓みを防止するためのダイシングフレーム6が取り付けられている。ダイシングフレーム6としては、例えば、アルミニウム等の金属製のダイシングフレーム、ステンレススチール(SUS)等の合金製のダイシングフレーム、及び樹脂製のダイシングフレームが挙げられる。
本発明に係る支持体分離装置は、上記実施形態に限定されない。保持部は、積層体の外周端部を囲うことで、基板上にサポートプレートを保持することができればよい。従って、別の実施形態に係る支持体分離装置において、保持部の数は限定されない。また、保持部が備えている当接部の数及び形状も上記実施形態に限定されない。
本発明の一実施形態に係る支持体分離方法は、基板15と、光を透過するサポートプレート(支持体)12とを光を照射することによって変質する分離層13を介して積層してなる積層体16から、サポートプレート12を分離する支持体分離方法であって、積層体を16ステージ1に載置し、積層体16の外周端部を保持部7によって囲う保持工程と、積層体16にサポートプレート12を介して光を照射する光照射工程と、を包含している。
4 ダイシングテープ(支持膜)
4a 露出面(支持膜)
7 保持部
8 当接部(保持部)
8a 軸部(当接部、保持部)
8b 先端部(当接部、保持部)
11 駆動部
11a 駆動軸(駆動部)
12 サポートプレート(支持体)
13 分離層
14 接着層
15 基板
16 積層体
17 レーザ照射部(光照射部)
100 支持体分離装置
Claims (10)
- 基板と、光を透過する支持体とを、光を照射することで変質する分離層を介して積層してなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離装置であって、
光を照射することで上記分離層を変質させた上記積層体を載置する載置台と、
上記載置台に載置された上記積層体の上側に位置する、上記基板又は上記支持体を、下側に位置する他方の上に保持する保持部と、を備えており、
上記保持部は、上記積層体の外周端部を囲うように配置されていることを特徴とする支持体分離装置。 - 上記載置台は、上記支持体が上側に位置するように積層体を載置するようになっており、
光を照射する前における上記積層体の上記分離層に上記支持体を介して光を照射する光照射部を備えていることを特徴とする請求項1に記載の支持体分離装置。 - 上記保持部は、光を照射する前における上記積層体の外周端部に近接するように配置されていることを特徴とする請求項2に記載の支持体分離装置。
- 上記保持部は、上記分離層が変質した上記積層体から脱離した上記基板又は上記支持体の外周端部に当接する複数の当接部を有していることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の支持体分離装置。
- 上記載置台に載置された上記積層体における上記基板側の平面部には、支持膜が貼着されており、当該支持膜は、上記基板の外縁部分に露出する露出面を有していることを特徴とする請求項4に記載の支持体分離装置。
- 上記複数の当接部の夫々は、上記積層体の厚さ方向に平行であり、かつ、上記載置台に対向する先端部を有する軸部を備えており、当該軸部を、上記積層体から脱離した上記支持体の外周端部に当接し、当該先端部を上記支持膜の露出面に当接することを特徴とする請求項5に記載の支持体分離装置。
- 上記保持部を、上記支持膜の外縁部分にまで移動させる駆動部を備えていることを特徴とする請求項5又は6に記載の支持体分離装置。
- 複数の上記保持部により上記積層体の外周端部を囲うことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の支持体分離装置。
- 上記先端部は、樹脂を含んでなることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の支持体分離装置。
- 基板と、光を透過する支持体とを光を照射することによって変質する分離層を介して積層してなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離方法であって、
上記積層体を載置台に載置し、上記積層体の外周端部を保持部によって囲う保持工程と、
上記積層体に上記支持体を介して光を照射する光照射工程と、を包含していることを特徴とする支持体分離方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016028387A JP6612648B2 (ja) | 2016-02-17 | 2016-02-17 | 支持体分離装置及び支持体分離方法 |
KR1020160171380A KR102643527B1 (ko) | 2016-02-17 | 2016-12-15 | 지지체 분리 장치 및 지지체 분리 방법 |
TW105142286A TWI703626B (zh) | 2016-02-17 | 2016-12-20 | 支持體分離裝置及支持體分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016028387A JP6612648B2 (ja) | 2016-02-17 | 2016-02-17 | 支持体分離装置及び支持体分離方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017147345A true JP2017147345A (ja) | 2017-08-24 |
JP6612648B2 JP6612648B2 (ja) | 2019-11-27 |
Family
ID=59683214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016028387A Active JP6612648B2 (ja) | 2016-02-17 | 2016-02-17 | 支持体分離装置及び支持体分離方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6612648B2 (ja) |
KR (1) | KR102643527B1 (ja) |
TW (1) | TWI703626B (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000150610A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Canon Inc | 試料の処理システム |
JP2000150456A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Canon Inc | 試料の分離装置及び分離方法 |
JP2004064040A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Three M Innovative Properties Co | 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置 |
WO2008007454A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Plaque de maintien, dispositif de transfert, dispositif de pelage et procédé de pelage |
JP2013004845A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Tokyo Electron Ltd | 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2014216632A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 東京応化工業株式会社 | 支持体分離装置及び支持体分離方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6216727B2 (ja) * | 2014-05-08 | 2017-10-18 | 東京応化工業株式会社 | 支持体分離方法 |
-
2016
- 2016-02-17 JP JP2016028387A patent/JP6612648B2/ja active Active
- 2016-12-15 KR KR1020160171380A patent/KR102643527B1/ko active IP Right Grant
- 2016-12-20 TW TW105142286A patent/TWI703626B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000150610A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Canon Inc | 試料の処理システム |
JP2000150456A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Canon Inc | 試料の分離装置及び分離方法 |
JP2004064040A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Three M Innovative Properties Co | 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置 |
WO2008007454A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Plaque de maintien, dispositif de transfert, dispositif de pelage et procédé de pelage |
JP2013004845A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Tokyo Electron Ltd | 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2014216632A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 東京応化工業株式会社 | 支持体分離装置及び支持体分離方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI703626B (zh) | 2020-09-01 |
TW201730952A (zh) | 2017-09-01 |
KR20170096936A (ko) | 2017-08-25 |
KR102643527B1 (ko) | 2024-03-06 |
JP6612648B2 (ja) | 2019-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI797492B (zh) | 用於接合晶片之方法及裝置 | |
KR101561359B1 (ko) | 적층체, 및 그 적층체의 분리 방법 | |
KR101625730B1 (ko) | 지지체 분리 장치 및 지지체 분리 방법 | |
JP6189700B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
TWI708310B (zh) | 支持體分離方法、及基板處理方法 | |
JPWO2019044588A1 (ja) | 薄型化板状部材の製造方法、及び薄型化板状部材の製造装置 | |
CN114830295A (zh) | 基板处理方法和基板处理装置 | |
JP2018088492A (ja) | 被加工物の固定方法、及び被加工物の加工方法 | |
JP6622661B2 (ja) | 支持体分離装置、及び支持体分離方法 | |
TW201842559A (zh) | 分割方法 | |
JP6612648B2 (ja) | 支持体分離装置及び支持体分離方法 | |
JP6670190B2 (ja) | 支持体分離装置、および支持体分離方法 | |
JP2021153176A (ja) | ダイボンディング装置、剥離治具および半導体装置の製造方法 | |
TWI690016B (zh) | 支持體分離裝置及支持體分離方法 | |
JP2017199780A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2020064921A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
WO2021131710A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2017199781A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
CN114038781A (zh) | 柔性器件的剥离方法 | |
JP2018065179A (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190827 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191023 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6612648 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |