JP2000150610A - 試料の処理システム - Google Patents
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Abstract
する。 【解決手段】この処理システム3000は、ロボットハ
ンド3152により貼り合わせ基板を保持して搬送する
スカラーロボット3150と、スカラーロボット315
0の駆動軸3151から略等距離の位置に夫々配置され
た芯出し装置3070、分離装置3020、反転装置3
130と、洗浄/乾燥装置3120とを備え、駆動軸3
152を中心としてロボットハンド3152を水平面内
で回動させると共に該ロボットハンド3152を駆動軸
3151から遠ざけたり近づけたりすることにより、各
処理装置の間で貼り合わせ基板又は分離後の基板を搬送
する。
Description
ムに係り、特に、複数の処理装置を含み、該複数の処理
装置により試料を処理する処理システムに関する。
して、SOI(silicon on insulator)構造を有する基
板(SOI基板)が知られている。このSOI基板を採
用したデバイスは、通常のSi基板では達成し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。 (1)誘電体分離が容易で高集積化に適している。 (2)放射線耐性に優れている。 (3)浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 (4)ウェル工程が不要である。 (5)ラッチアップを防止できる。 (6)薄膜化による完全な空乏型電解効果トランジスタ
の形成が可能である。
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められてきた。
ァイア基板上にSiをCVD(化学気層成長)法でヘテ
ロエピタキシ成長させて形成するSOS(silicon on s
apphire)技術が知られている。このSOS技術は、最
も成熟したSOI技術として一応の評価を得たものの、
Si層と下地のサファイア基板との界面における格子不
整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基板を構
成するアルミニウムのSi層への混入、基板の価格、大
面積化への遅れ等の理由により実用化が進んでいない。
した。このSOI技術に関して、結晶欠陥の低減や製造
コストの低減等を目指して様々な方法が試みられてき
た。この方法としては、基板に酸素イオンを注入して埋
め込み酸化層を形成する方法、酸化膜を挟んで2枚のウ
ェハを貼り合わせて一方のウェハを研磨又はエッチング
して、薄い単結晶Si層を酸化膜上に残す方法、更に
は、酸化膜が形成されたSi基板の表面から所定の深さ
に水素イオンを打ち込み、他方の基板と貼り合わせた後
に、加熱処理等により該酸化膜上に薄い単結晶Si層を
残して、貼り合わせた基板(他方の基板)を剥離する方
法等が挙げられる。
いて、新たなSOI技術を開示した。この技術は、多孔
質層が形成された単結晶半導体基板上に非多孔質単結晶
層(単結晶Si層を含む)を形成した第1の基板を、絶
縁層を介して第2の基板に貼り合わせ、その後、多孔質
層で両基板を分離し、第2の基板に非多孔質単結晶層を
移し取るものである。この技術は、SOI層の膜厚均一
性が優れていること、SOI層の結晶欠陥密度を低減し
得ること、SOI層の表面平坦性が良好であること、高
価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数100Å
〜10μm程度の範囲のSOI膜を有するSOI基板を
同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れている。
9号において、上記の第1の基板と第2の基板とを貼り
合わせた後に、第1の基板を破壊することなく第2の基
板から分離し、その後、分離した第1の基板の表面を平
滑にして再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術
を開示した。この技術は、第1の基板を無駄なく使用で
きるため、製造コストを大幅に低減することができ、製
造工程も単純であるという優れた利点を有する。
に係るSOI基板の製造方法によれば、良質のSOI基
板を製造することが可能である。しかしながら、SOI
基板を量産するためには、例えば、一連の処理を高速化
する必要がある。
のであり、例えばSOI基板の製造等に好適な処理シス
テムを提供することを目的とする。
システムは、試料を保持する保持部を有し、該保持部に
より試料を保持して搬送する搬送機構と、前記搬送機構
の駆動軸から略等距離の位置に夫々配置された複数の処
理装置とを備え、前記搬送機構は、前記駆動軸を中心と
して前記保持部を実質的に水平面内で回動させると共に
前記保持部を前記駆動軸から遠ざけたり近づけたりする
ことにより、前記複数の処理装置の間で試料を搬送する
ことを特徴とする。
理対象の試料は板状試料であって、前記保持部は、板状
試料を略水平に保持して搬送することが好ましい。
記複数の処理装置の夫々は、前記搬送機構の保持部との
間で、試料を略水平な状態で受け渡しすることが好まし
い。
処理装置には、例えば、試料を分離する分離装置が含ま
れることが好ましい。
理対象の板状試料は内部に分離用の層を有し、前記複数
の処理装置には、該分離用の層で該板状試料を分離する
分離装置が含まれることが好ましい。
置は、例えば、板状試料を水平に保持した状態で分離す
ることが好ましい。
置は、例えば、板状試料を水平に保持した状態で前記分
離用の層に向けて束状の流体を噴射することにより、該
板状試料を該分離用の層で分離することが好ましい。
置は、例えば、板状試料を水平に保持した状態で回転さ
せながら前記分離用の層に向けて束状の流体を噴射する
ことにより、該板状試料を該分離用の層で分離すること
が好ましい。
置は、例えば、板状試料を上下から挟むようにして保持
しながら分離することが好ましい。
置は、例えば、板状試料を保持する保持機構としてベル
ヌーイチャックを有することが好ましい。
置は、例えば、板状試料の前記分離用の層の少なくとも
一部に対して実質的に静止した流体により圧力を印加す
ることにより、該板状試料を該分離用の層で分離するこ
とが好ましい。
置は、例えば、密閉容器を有し、板状試料を密閉容器内
に収容して前記密閉容器内を高圧にし、これにより該板
状試料を前記分離用の層で分離することが好ましい。
処理装置には、例えば、板状試料を前記分離装置に引き
渡す前に該板状試料の芯出しを行う芯出し装置が含まれ
ることが好ましい。
処理装置には、例えば、前記分離装置により分離して得
られる板状試料の各部を洗浄する洗浄装置が含まれるこ
とが好ましい。
置は、例えば、前記分離装置により分離して得られる板
状試料を水平な状態で洗浄することが好ましい。
処理装置には、例えば、前記分離装置により分離して得
られる板状試料を洗浄し乾燥させる洗浄/乾燥装置が含
まれることが好ましい。
乾燥装置は、例えば、前記分離装置により分離して得ら
れる板状試料を水平な状態で洗浄し乾燥させることが好
ましい。
処理装置には、例えば、前記分離装置により分離して得
られる2枚の板状試料のうち上方の板状試料を180度
回動させてる反転装置が含まれることが好ましい。
記複数の処理装置の夫々による処理を並行して実行する
ことが好ましい。
構は、例えばスカラーロボットであることが好ましい。
の層は、例えば脆弱な構造の層であることが好ましい。
構造の層は、例えば多孔質層であることが好ましい。
構造の層は、例えば微小気泡層であることが好ましい。
板状試料は、半導体基板であることが好ましい。
板状試料は、第1の基板と第2の基板とを貼り合わせて
なり、分離用の層として脆弱な構造の層を有することが
好ましい。
板状試料は、第1の半導体基板の表面を多孔質化した後
にその上に非多孔質層を形成し、該非多孔質層に第2の
基板を貼り合わせてなることが好ましい。
発明の好適な実施の形態を説明する。
SOI基板の製造方法を工程順に説明する図である。
板11を準備して、その表面に陽極化成等により多孔質
Si層12を形成する。次いで、図1(b)に示す工程
では、多孔質Si層12上に非多孔質単結晶Si層13
をエピタキシャル成長法により形成し、その上に絶縁層
(例えば、SiO2層)15を形成する。これにより、
第1の基板10が形成される。
0を準備し、絶縁層15が面するようにして第1の基板
10と第2の基板20とを室温で密着させる。その後、
陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれらを組合わせた
処理により第1の基板10と第2の基板20とを貼り合
わせる。この処理により、絶縁層15と第2の基板20
とが強固に結合される。なお、絶縁層15は、上記のよ
うに非多孔質単結晶Si層13の上に形成しても良い
が、第2の基板20の上に形成しても良く、両者に形成
しても良く、結果として、第1の基板と第2の基板を密
着させた際に、図1(c)に示す状態になれば良い。
2枚の基板を、多孔質Si層12の部分で分離する。こ
れにより、第2の基板側(10''+20)は、多孔質S
i層12''/単結晶Si層13/絶縁層15/単結晶S
i基板20の積層構造となる。一方、第1の基板側(1
0')は、単結晶Si基板11上に多孔質Si層12’
を有する構造となる。
質Si層12’を除去し、必要に応じて、その表面を平
坦化することにより、再び第1の基板(10)を形成す
るための単結晶Si基板11として使用される。
(e)に示す工程では、第2の基板側(10''+20)
の表面の多孔質層12''を選択的に除去する。これによ
り、単結晶Si層13/絶縁層15/単結晶Si基板2
0の積層構造、すなわち、SOI構造を有する基板が得
られる。
基板の他、絶縁性基板(例えば、石英基板)や光透過性
基板(例えば、石英基板)等が好適である。
貼り合わせた後にこれを分離する処理(図1(d))を
容易にするために、分離用の領域に脆弱な構造の多孔質
層12を形成するが、この多孔質層の代わりに、例え
ば、微小気泡層を形成してもよい。微小気泡層は、例え
ば、半導体基板にイオンを注入することにより形成する
ことができる。
ける貼り合わせ基板の分離工程(図1(d))に好適な
処理システムに関して説明する。
処理システムの概略的な構成を示す平面図である。この
処理システム3000は、貼り合わせ基板の搬送機構と
して、支持台3200上の所定位置(例えば、中心)に
スカラーロボット3150を有し、該スカラーロボット
3150の駆動軸3151から略等距離の位置に、貼り
合わせ基板を取り扱い又は処理するための各種の処理装
置を有する。具体的には、この実施の形態では、スカラ
ーロボット3150の駆動軸3151から略等距離の位
置に、ローダ3080、芯出し装置3070、分離装置
3020、反転装置3130、洗浄/乾燥装置312
0、第3アンローダ3110、第2アンローダ3100
及び第1アンローダ3090を有する。
又は複数枚の貼り合わせ基板を収容した第1カセット3
081が載置される。また、処理に先立って、第1アン
ローダ3090には空の第2カセット3091が載置さ
れ、第2アンローダ3100には空の第3カセット31
01が載置され、第3アンローダ3110には空の第4
カセット3111が載置される。
基板を吸着して保持するロボットハンド3152を有
し、駆動軸3151を中心としてロボットハンド315
2を水平面内で回動させると共にロボットハンド315
2を駆動軸3151から遠ざけたり近づけたりすること
により、上記の各装置の間で貼り合わせ基板を搬送す
る。
3150により提供される貼り合わせ基板を受け取っ
て、該貼り合わせ基板の中心を所定位置に一致させる処
理(芯出し)を実行した後に、スカラーロボット315
0に引き渡す。
20は、周辺部にジェット構成媒体(例えば、水)が飛
散することを防止するためにチャンバ3010内に配置
されいる。このチャンバ3010には、スカラーロボッ
ト3150のロボットハンド3152を出し入れするた
めのシャッタ3060が設けられている。また、分離装
置3020は、ジェットを噴射するノズル3040を有
する。このノズル3040の位置は、直交ロボット30
50により制御される。なお、分離装置3020として
は、後述のように、他の方式の分離装置を採用すること
もできる。
板のうち上側の基板を180度回転させて上下を逆にす
る(分離面を上方に向ける)。なお、スカラーロボット
3150に、基板を180度回転させて該基板の上下を
逆にする機能を備え、反転装置3130を省略すること
もできる。
基板を洗浄し乾燥させる。ここで、洗浄/乾燥装置31
20の代わりに、別体をなす洗浄装置と乾燥装置を採用
することもできる。
3140からの指示に基づいて貼り合わせ基板の分離処
理を実行する。
を説明する。まず、手動又は自動で、処理対象の貼り合
わせ基板を収容した第1カセット3081をローダ30
80上の所定位置に載置すると共に、空の第2カセット
3091、第3カセット3101、第4カセット311
1を第1アンローダ3090、第2アンローダ310
0、第3アンローダ3110上に夫々載置する。この実
施の形態では、第2カセット3091は、分離された後
の下側の基板を収容するために使用され、第3カセット
3101は、分離された後の上側の基板を収容するため
に使用され、第4カセット3111は、分離に失敗した
貼り合わせ基板(又は分離後の基板)が収容される。こ
こで、第1カセット3081は、収容された貼り合わせ
基板が水平になるようにローダ3080上に載置され
る。また、第2カセット3091、第3カセット310
1、第4カセット3111は、各基板を水平に収容でき
るように第1アンローダ3090、第2アンローダ31
00、第3アンローダ3110上に夫々載置される。
場合の処理システム3000による処理手順を説明する
ためのフローチャートである。まず、ステップS101
において、スカラーロボット3150により、ローダ2
080上の第1カセット3081内の貼り合わせ基板を
下方から吸着して水平な状態で取り出し、水平な状態を
維持したまま芯出し装置3070に引き渡す。ステップ
S102では、芯出し装置3070により、貼り合わせ
基板の芯出しを行って、スカラーロボット3150に引
き渡す。
のシャッタ3060を開いて、スカラーロボット315
0により芯出し後の貼り合わせ基板を分離装置3020
に引き渡す。ここで、スカラーロボット3150は、芯
出し後の貼り合わせ基板を水平な状態を維持したまま下
方から支持して分離装置3020に引き渡すことが好ま
しい。これにより、貼り合わせ基板の落下を防止するこ
とができる。分離装置3020に引き渡される貼り合わ
せ基板は、既に芯出しを終えているため、スカラーロボ
ット3150のロボットハンド3152を所定位置に移
動させて分離装置3020に引き渡すことにより、該貼
り合わせ基板を分離装置3020に位置合わせすること
ができる。
のシャッタ3060を閉じて、分離装置3020による
分離処理を実行する。具体的には、この実施の形態で
は、分離装置3020は、貼り合わせ基板を水平に保持
しつつ回転させながら、該貼り合わせ基板の多孔質層付
近に向けてノズル3040からジェットを噴射し、この
ジェットにより該貼り合わせ基板を多孔質層の部分で2
枚の基板に分離する。
のシャッタ3060を開いて、スカラーロボット315
0により、分離装置3020から、分離された下側の基
板を受け取って洗浄/乾燥装置3120に引き渡す。こ
こで、スカラーロボット3150は、基板を水平な状態
で下方から支持して分離装置3020から受け取って洗
浄/乾燥装置3120に引き渡すことが好ましい。これ
により基板の落下を防止することができる。
120により、分離された下側の基板を洗浄し乾燥させ
る処理を開始する。
S107では、スカラーロボット3150により、分離
装置3020から、分離された上側の基板を受け取って
反転装置3130に引き渡す。ここで、スカラーロボッ
ト3150は、基板を水平な状態で上方から支持して分
離装置3020から受け取って反転装置3130に引き
渡すことが好ましい。これにより、分離面に付着した切
削屑等がスカラーロボット3150のロボットハンドに
付着する可能性を低減することができる。
により、受け取った基板を180度回転させる。ここ
で、洗浄/乾燥装置3120による下側の基板の洗浄/
乾燥処理が完了するまで待つ。
3150により、洗浄/乾燥装置3120から下側の基
板を受け取って第1アンローダ3090上の第2カセッ
ト3091に収容する。ここで、スカラーロボット31
50は、基板を水平な状態で下方から支持して分離装置
3020から受け取って第2カセット3091に収容す
ることが好ましい。これにより基板の落下を防止するこ
とができる。
3150により、反転装置3130から上側の基板を受
け取って洗浄/乾燥装置3120に引き渡す。ここで、
スカラーロボット3150は、基板を水平な状態で下方
から支持して反転装置3130から受け取って洗浄/乾
燥装置3120に引き渡すことが好ましい。これにより
基板の落下を防止することができる。
120により、上側の基板を洗浄し乾燥させる。ステッ
プS1112では、スカラーロボット3150により、
洗浄/乾燥装置3130から上側の基板を受け取って第
2アンローダ3100上の第3カセット3101に収容
する。ここで、スカラーロボット3150は、基板を水
平な状態で下方から支持して分離装置3020から受け
取って第3カセット3101に収容することが好まし
い。これにより基板の落下を防止することができる。
の基板に対して先に洗浄/乾燥処理を施すが、これとは
逆に分離後の上側の基板に対して先に洗浄/乾燥処理を
施してもよい。この場合の処理は、例えば、S101、
S102、S103、S104、S107、S108、
S110、S111、S112、S105、S106、
S109の順になる。
操作パネル3140を介してオペレータから与えられる
指示に従って、分離に失敗した基板をスカラーロボット
3150により第3アンローダ3110上の第4カセッ
ト3111内に収容する。ここで、分離の失敗の発生を
オペレータからの指示に従って認識するのではなく、分
離状況の監視装置を設けて、該監視装置により分離の失
敗を検知してもよい。
目した場合の分離システム3000の動作である。この
分離システム3000では、複数枚の貼り合わせ基板を
並行して処理することができる。
て処理する場合の処理手順の一例を示す図である。同図
において、「芯出し」は、芯出し装置3070による芯
出し処理、「分離」は、分離装置3020による分離処
理、「反転」は、反転装置3130による反転処理、
「洗浄/乾燥」は、洗浄/乾燥装置3120による洗浄
/乾燥処理を示す。また、T1〜T6は、1つの装置に
より1枚の貼り合わせ基板(分離後は、上下の2枚の基
板)を処理する期間を夫々示している。また、符号「#
1」〜「#6」は、貼り合わせ基板の番号、「#1」〜
「#6」の末尾に「a]を付した符号は、分離後の上側
の基板を示し、「#1」〜「#6」の末尾に「b」を付
した符号は、分離後の下側の基板を示している。
わせ基板#1の芯出し処理のみを実行する。また、期間
T2では、貼り合わせ基板#1の分離処理と、続く貼り
合わせ基板#2の芯出し処理とを並行して実行する。
の分離処理と、続く貼り合わせ基板#3の芯出し処理
と、貼り合わせ基板#1を分離し得られる上側の基板#
1aの反転処理と、貼り合わせ基板#1を分離して得ら
れる2枚の基板#1a及び#1bの洗浄/乾燥処理とを
並行して実行する。ここで、図示の例では、期間T3の
前半では、上側の基板#1aの反転処理と下側の基板#
1bの洗浄/乾燥処理を芯出し処理及び分離処理と並行
して実行し、期間T3の後半では、反転後の上側の基板
#1aの洗浄/乾燥処理を芯出し処理及び分離処理と並
行して実行する。
せ基板又は分離後の各基板の搬送処理及び各装置による
処理の実行手順の一例を示す図である。図5において、
横方向の線は、各装置における処理を示しており、斜め
線は、スカラーロボット3150による基板の搬送処理
を示している。
0では、貼り合わせ基板又は分離後の基板を搬送するた
めのロボットとして、1つのスカラーロボット3150
のみを採用しているため、複数の貼り合わせ基板又は分
離後の基板の搬送を同時に実行することはできない。
による搬送処理に要する時間は、通常は、例えば分離装
置3020による分離処理の時間に比して十分に短いた
め、貼り合わせ基板又は分離後の基板を搬送するロボッ
トは1つで十分である。ただし、複数の貼り合わせ基板
又は分離後の基板の搬送を同時に行う必要がある場合、
例えば、ロボットが1つのみでは処理効率が低くなる場
合は、複数のロボット(例えば、スカラーロボット)を
設ければよい。
ば、複数の貼り合わせ基板を並行して処理することがで
きるため、高いスループットを得ることができる。
せ基板又は分離後の基板を水平な状態で搬送するため、
搬送機構として比較的簡単な構成のロボット(例えば、
スカラーロボット)を採用することができる。
(スカラーロボットの駆動軸)から略等距離の位置に各
装置を配置しているため、駆動軸3151を中心として
ロボットハンド3152を水平面内で回動させると共に
ロボットハンド3152を駆動軸3151から遠ざけた
り近づけたりすることにより、上記の各処理装置の間で
貼り合わせ基板又は分離後の基板を搬送することができ
る。従って、例えば、スカラーロボット3150を水平
面内で移動させるための駆動機構を設ける必要がない。
る。
係る分離装置は、ウォータージェット法を適用したもの
である。一般に、ウォータジェット法は、水を高速、高
圧の束状の流れにして対象物に対して噴射して、セラミ
ックス、金属、コンクリート、樹脂、ゴム、木材等の切
断、加工、表面の塗膜の除去、表面の洗浄等を行う方法
である(「ウォータージェット」第1巻1号(1984
年)第4ページ参照)。
り合わせ基板の多孔質層(分離用の層)に対して、基板
の面方向に、高速、高圧の流体を束状の流れにして噴射
して、多孔質層を選択的に崩壊させることにより、多孔
質層の部分で基板を分離するものである。以下では、こ
の束状の流れを「ジェット」という。また、ジェットを
構成する流体を「ジェット構成媒体」という。ジェット
構成媒体としては、水、アルコール等の有機溶媒、弗
酸、硝酸その他の酸、水酸化カリウムその他のアルカ
リ、空気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガス、エッチングガ
スその他の気体、或いはプラズマ等であってもよい。
えば、貼り合わせ基板の分離工程に適用する場合、ジェ
ット構成媒体としては、不純物金属やパーティクル等を
極力除去した純水を使用することが好ましい。
(例えば、多孔質層)の種類、貼り合わせ基板の外周部
の形状等に応じて決定すればよい。ジェットの噴射条件
として、例えば、ジェット構成媒体に加える圧力、ジェ
ットの走査速度、ノズルの幅又は径(ジェットの径と略
同一)、ノズル形状、ノズルと分離領域との距離、ジェ
ット構成媒体の流量等は、重要なパラメータとなる。
した分離方法によれば、貼り合わせ基板に特段の損傷を
与えることなく、該貼り合わせ基板を2枚の基板に分離
することができる。
をその試料面が実質的に水平になるようにして保持し、
その状態で該試料を脆弱な構造部(例えば、多孔質層)
で分離する。このように、試料面が水平になるような状
態で試料を保持することにより、例えば、(1)試料の
落下を防止し、(2)試料の保持を容易にし、(3)試
料の搬送を容易にし、(4)分離装置と他の装置とにお
ける試料の受け渡しを効率化し、(5)各構成要素を上
下方向に配置することができるため、分離装置の投影面
積(占有面積)を小さくすることができる。
略的な構成を示す図である。この分離装置1000は、
一対の基板保持部270及び1010を有する。
の一端に連結されている。回転軸140の他端は、カッ
プリング130を介してモータ110の回転軸に連結さ
れている。なお、モータ110と回転軸130とは、カ
ップリング130ではなく、例えばベルトを介して連結
することもできるし、他の機構を介して連結することも
できる。モータ110は、上段テーブル170に固定さ
れた支持部材120に固定されている。モータは、制御
部(不図示)により制御される。
50を基板保持部270に真空吸着するための真空ライ
ン141が設けられており、この真空ライン141は、
リング150を介して外部の真空ラインに連結されてい
る。この外部の真空ラインには、電磁弁(不図示)が設
けられており、制御部(不図示)により必要に応じて該
電磁弁の開閉が制御される。基板保持部270には、貼
り合わせ基板50を真空吸着するための吸引孔271が
設けられており、この吸引孔271は、真空ライン14
1に連結されている。この吸引孔271、真空ライン1
41及び電磁弁は、基板保持部270の真空吸着機構を
構成する。また、回転軸140は、ベアリング160を
介して上段テーブル170により支持されている。
チャック1013を有する。ベルヌーイチャック101
3は、傘型のチャックの中心から気体を傘に沿って放射
状に吹き出すことにより、チャックの中心部が負圧にな
ることを利用して貼り合わせ基板等の試料を吸着するチ
ャックである。
保持部1010は、昇降軸1020の一端に連結されて
おり、ベルヌーイチャック1013の気体の導入部10
11は、昇降軸1020の内部の圧力ライン1021に
連結されている。この圧力ライン1021は、リング1
022を介して外部の圧力ラインに連結されている。こ
の外部の圧力ラインには、電磁弁(不図示)が設けられ
ており、制御部(不図示)により必要に応じて該電磁弁
の開閉が制御される。
30を介してエアシリンダ320のピストンロッドに連
結されている。昇降軸1020は、往復/回転ガイド1
030を介して下段テーブル240により支持されてい
る。
050により制御される。ノズル3040と基板保持部
270及び1010との間には、シャッタ3030が設
けられており、このシャッタ3030は、モータ250
により開閉される。シャッタ3030を開いた状態でノ
ズル3040からジェットを噴射することにより、貼り
合わせ基板50に対してジェットを打ち込むことができ
る。一方、このシャッタ3030を閉じることにより、
貼り合わせ基板50に対するジェットの打ち込みを遮断
することができる。
理の手順を説明する。まず、エアシリンダ320にその
ピストンロッドを収容させることにより、基板保持部2
70と基板保持部1010との間に相応の間隔を設け
る。そして、この状態で、スカラーロボット3150の
ロボットハンド3152により貼り合わせ基板50を下
方から水平に支持して、基板保持部270と基板保持部
1010との間の所定位置に挿入し、基板保持部101
0の上に載置する。
外観を模式的に示す図である。基板保持部270、10
10は、貼り合わせ基板の分離中に該貼り合わせ基板が
位置ずれを起したり、基板保持部から飛び出したりする
ことを防止するための複数のガイド部材270a、10
10aを夫々外周部に有する。
ド3152が貼り合わせ基板50を下方から支持した状
態で該貼り合わせ基板50を基板保持部270又は基板
保持部1010に引き渡すること、及び、該ロボットハ
ンドが分離後の各基板の裏面(分離面を表面とする)を
吸着して基板保持部270及び1010から受け取るこ
とを可能にするためには、例えば、図7に示すように、
該ロボットハンドの出し入れが可能なように、相応の間
隔を設けて複数のガイド部材270a、1010aを夫
々配置することが好ましい。例えば、夫々3つのガイド
部材270a、1010aを中心角120度の角度で配
置する如きである。
ンロッドを押し出させることにより、貼り合わせ基板5
0の上面と上側の基板保持部270の支持部との間隔が
所定の間隔になるまで、上側の基板保持部1010を上
方に移動させる。
磁弁を開いて、基板保持部1010のベルヌーイチャッ
ク1013の中心から気体を放射状に吹き出させること
により、貼り合わせ基板50を吸着させる。
140に回転力を伝達させる。これにより、回転軸14
0、基板保持部270、貼り合わせ基板50、基板保持
部1010及び回転軸1020は、一体的に回転する。
で、ノズル3040に連結されたポンプ(不図示)を動
作させて、ノズル3040に高圧のジェット構成媒体
(例えば、水)を送り込む。これにより、ノズル260
から高圧のジェットが噴射される。そして、ジェットが
安定したら、シャッタ3030を開く。これにより、ノ
ズル3040から噴射したジェットが貼り合わせ基板5
0の多孔質層に連続的に打ち込まれ、貼り合わせ基板5
0の分離が開始される。
シャッタ3030を閉じると共にノズル3040に連結
されたポンプを停止させて、貼り合わせ基板50に対す
るジェットの打ち込みを停止させる。また、モータ11
0の動作を停止させる。
チャック1013を動作させたまま、基板保持部270
の真空吸着機構を動作させて、分離された上側の基板を
基板保持部270に真空吸着させると共に、分離された
下側の基板を基板保持部1010のベルヌーイチャック
に吸着させる。
ンロッドを収容させることにより、基板保持部270と
基板保持部1010との間に相応の距離を設ける。これ
により、分離された2枚の基板は互いに引き離される。
チャック1013と基板との間にスカラーロボット31
50のロボットハンド3152を挿入し、該ロボットハ
ンド3152により基板を吸着し、その後、基板保持部
1010のベルヌーイチャック1013による吸着を解
除し、基板保持部1010からロボットハンド3152
に基板を引き渡す。
スカラーロボット3150のロボットハンド3152を
挿入し、該ロボットハンド3152により基板を吸着
し、その後、基板保持部270による真空吸着を解除
し、基板保持部270からロボットハンド3152に基
板を引き渡す。
された後において、2枚の基板の間にはジェット構成媒
体が存在するため、これが液体(例えば、水)の場合に
は、表面張力が相当に大きい。従って、分離された2枚
の基板を小さな力で引き離すためには、2枚の基板間に
ノズル3040からジェットを供給することが好まし
い。この場合、2枚の基板を引き離した後に、ノズル3
040からのジェットを停止させることになる。なお、
その代わりに、2枚の基板を引き離すために使用するジ
ェットを噴射する機構を別個に設けてもよい。
も、第1の構成例と同様に、ジェットにより貼り合わせ
基板を分離する分離装置に関する。
略的な構成を示す図である。また、図9は、図8に示す
分離装置の一部を示す図である。この分離装置1900
は、一対の基板保持部1909及び1901を備え、該
基板保持部1909及び1901により貼り合わせ基板
50を上下から挟むようにして水平に保持し、ノズル3
040からジェットを噴射し、そのジェットを貼り合わ
せ基板50の多孔質層付近に打ち込むことにより、貼り
合わせ基板50をその多孔質層の部分で2枚の基板に分
離する。
基板50と基板保持部1901の表面との間にスカラー
ロボット3150のロボットハンド3152を挿入する
ための間隙を形成するための凸状の支持部1903を有
する。この支持部1903には、貼り合わせ基板50を
真空吸着するための吸引孔1902が設けられている。
また、この基板保持部1901は、支持部1903の外
周に、ずれ防止部材1911を有する。ずれ防止部材1
911は、例えばゴムや樹脂等で構成され、貼り合わせ
基板50が面方向に移動することを防止する。このずれ
防止部材1911を設けることにより、小さな押圧力又
は吸引力で貼り合わせ基板50を保持することが可能に
なる。
04の一端に連結されている。回転軸1904は、ベア
リング1906を介して支持台1920により支持され
ている。ベアリング1906の上部には、回転軸190
4を通すために支持台1920に設けられた開口部をシ
ールするためのシール部材1905が設けられている。
回転軸1804の内部には真空ライン1907が設けら
れており、この真空ライン1907は、基板保持部19
01の複数の吸引孔1902に連結されている。また、
この真空ライン1907は、リング1908を介して外
部の真空ラインに連結されている。回転軸1904は、
不図示の回転源に連結されており、該回転源から与えら
れる回転力により回転する。
部1909が配置されている。この基板保持部1909
は、駆動機構1930の駆動軸1910に連結されてお
り、駆動機構1930により昇降される。また、駆動軸
1910は、駆動機構1930により回転可能に軸支さ
れている。
基板50と基板保持部1909の表面との間にスカラー
ロボット3150のロボットハンド3152を挿入する
ための間隙を形成するための凸状の支持部1912を有
する。この支持部1912には、貼り合わせ基板50を
真空吸着するための吸引孔1914が設けられている。
また、この基板保持部1909は、支持部1912の外
周に、ずれ防止部材1913を有する。ずれ防止部材1
913は、例えばゴムや樹脂等で構成され、貼り合わせ
基板50が面方向に移動することを防止する。このずれ
防止部材1913を設けることにより、小さな押圧力又
は吸引力で貼り合わせ基板50を保持することが可能に
なる。
050により制御される。ノズル3040と基板保持部
1901との間には、シャッタ3030が設けられてお
り、このシャッタ3030は、モータ250により開閉
される。シャッタ3030を開いた状態でノズル304
0からジェットを噴射することにより、貼り合わせ基板
50に対してジェットを打ち込むことができる。一方、
このシャッタ3030を閉じることにより、貼り合わせ
基板50に対するジェットの打ち込みを遮断することが
できる。
理の手順を説明する。まず、駆動機構1930により基
板保持部1909を上昇させて、基板保持部1909と
基板保持部1901との間に相応の間隔を設ける。そし
て、この状態で、スカラーロボット3150のロボット
ハンド3152により貼り合わせ基板50を下方から水
平に支持して、基板保持部1901の支持部1903の
上に載置する。次いで、駆動機構1930により基板保
持部1909を降下させて、基板保持部1909に貼り
合わせ基板50を押圧させる。これにより、貼り合わせ
基板50は、基板保持部1909及び1901により両
側から押圧されて保持される。
の各真空吸着機構を動作させて、貼り合わせ基板50を
吸着させる。次いで、不図示の回転源を動作させること
により回転軸1904に回転力を伝達させる。これによ
り、回転軸1904、基板保持部1901、貼り合わせ
基板50及び基板保持部1909は、一体的に回転す
る。
で、ノズル3040に連結されたポンプ(不図示)を動
作させて、ノズル3040に高圧のジェット構成媒体
(例えば、水)を送り込む。これにより、ノズル304
0から高圧のジェットが噴射される。そして、ジェット
が安定したら、シャッタ3030を開く。これにより、
ノズル3040から噴射したジェットが貼り合わせ基板
50の多孔質層に連続的に打ち込まれ、貼り合わせ基板
50の分離が開始される。
シャッタ3030を閉じると共にノズル3040に連結
されているポンプを停止させて、貼り合わせ基板50に
対するジェットの打ち込みを停止させる。また、回転軸
1904の駆動を停止することにより、貼り合わせ基板
50の回転を停止させる。
の各真空吸着機構を再度動作させる。これにより、分離
された上側の基板が基板保持部1909に吸着されると
共に、分離された下側の基板が基板保持部1901に吸
着される。次いで、駆動機構1930により基板保持部
1909を上昇させる。これにより、分離された2枚の
基板は、互いに引き離される。
にスカラーロボット3150のロボットハンド3152
を挿入し、該ロボットハンド3152により基板を吸着
し、その後、基板保持部1901の真空吸着機構による
吸着を解除し、基板保持部1901からロボットハンド
3152に基板を引き渡す。
にスカラーロボット3150ロボットハンド3152を
挿入し、該ロボットハンド3152により基板を吸着
し、その後、基板保持部1909の真空吸着機構による
吸着を解除し、基板保持部1909からロボットハンド
3152に基板を引き渡す。
された後において、2枚の基板の間にはジェット構成媒
体が存在するため、これが液体(例えば、水)の場合に
は、表面張力が相当に大きい。従って、分離された2枚
の基板を小さな力で引き離すためには、2枚の基板間に
ノズル3040からジェットを供給することが好まし
い。この場合、2枚の基板を引き離した後に、ノズル3
040からのジェットを停止させることになる。なお、
その代わりに、2枚の基板を引き離すために使用するジ
ェットを噴射する機構を別個に設けてもよい。
11は、第3の構成例に係る分離装置の概略的な構成を
示す断面図である。なお、図10は、基板支持部材を開
いた状態、図11は、基板支持部を閉じた状態を示して
いる。
3により連結された一対の基板支持部材4001及び4
004を有する。基板支持部材4001及び4004
は、貼り合わせ基板50の外周に適合した円環状の形状
を有する。また、基板支持部材4001及び4004
は、貼り合わせ基板101を挟むようにして閉じた状態
で、貼り合わせ基板50の縁の多孔質層50cが露出し
た部分を取り囲んで密閉空間4020を構成する密閉空
間構成部材として機能する。
り合わせ基板50との間で気密性を確保するためのシー
ル部材(例えば、Oリング)4002、4005が夫々
設けられている。また、一方の基板支持部材4004に
は、他方の基板支持部材4001との間で気密性を確保
するためのシール部材4008が設けられている。
板50を基板支持部材4001及び4004により両側
から挟んで支持した状態で、ロック機構4007により
基板支持部材4001がロックされる。
4020に流体を注入するための注入部4006を有す
る。この注入部4006は、ポンプ等の圧力源4011
に接続され、該圧力源4011から供給される流体(例
えば、水)により密閉空間4020が満たされる。
には、密閉空間4020に流体を注入する際に発生する
泡を除去するための泡抜き口と、密閉空間4020内の
流体に圧力を印加する際に該泡抜き口を塞ぐためのバル
ブとを設けてもよい。
体を満たした状態で、該流体に圧力を印加する。圧力源
4011は、流体に印加する圧力を調整する機構を有す
ることが好ましく、これにより、流体に印加する圧力
を、貼り合わせ基板50の分離の初期段階では高くし、
その後、徐々に又は段階的に低下させることが好まし
い。例えば、分離の初期段階では、例えば20kg/平
方cmとし、その後、その圧力を徐々に低下させて、分
離の最終段階では、例えば1kg/平方cmとする如き
である。
006により支持されている。この支持台4006に
は、貼り合わせ基板50の下面を外部に通じさせる通気
孔4030を有する。これにより、貼り合わせ基板50
の下面は、大気圧に維持される。また、支持台4006
の中央部付近には、エアシリンダ4010が設けられて
いる。このエアシリンダ4010のピストンロッドに
は、支持部4009が取り付けられている。支持部40
09は、スカラーロボット3150のロボットハンド3
152との間で貼り合わせ基板又は分離後の基板を受け
渡しする際に、上方に押し出される。これにより、下側
の基板支持部材4004と貼り合わせ基板又は分離後の
基板との間に、ロボットハンド3152を挿入するため
の間隙が形成される。
わせ基板50の分離処理の手順を説明する。なお、以下
の分離処理は、例えば大気圧中で実施される。
解除して、図10に示すようにして基板支持部材400
1を開くと共に支持部4009を上昇させる。次いで、
スカラーロボット3150のロボットハンド3152に
より、貼り合わせ基板50を基板支持部材4004上に
載置する。
09を下降させると共に基板支持部4001を閉じて、
ロック機構4007により基板支持部材4001をロッ
クする。この状態で、貼り合わせ基板50の縁の多孔質
層50cが露出した部分を取り囲んで密閉空間4020
が構成される。
020内に流体を注入する。次いで、圧力源4011に
より密閉空間4020内の流体に圧力を印加する。これ
により、貼り合わせ基板50の縁に露出した多孔質層5
0cに対して、実質的に静止した流体による圧力が印加
される。
0の縁に露出している部分の多孔質層50cが破壊され
て分離が開始される。そして、その破壊された部分に流
体が注入されることにより多孔質層50cの破壊が進行
する。そして、この多孔質層50cの破壊の進行によ
り、流体が貼り合わせ基板50の内部に十分に注入され
る。この時、貼り合わせ基板50の内部に作用する流体
の圧力と非密閉空間(密閉空間以外の空間)に作用する
圧力との圧力差により、貼り合わせ基板50には、基板
50aと基板50bとを引き離す方向に分離力が作用
し、この分離力により分離が進行する。
して密閉空間4020内を例えば大気圧にし、その後、
ロック機構4007によるロックを解除する。そして、
基板支持部材4001を開くと共に、支持部4009を
上昇させて、下側の基板支持部材4004と分離後の貼
り合わせ基板との間に相応の間隙を設ける。そして、ス
カラーロボット3150のロボットハンド3152によ
り、まず、上側の基板50aを取り出し、次いで、下側
の基板50bを取り出す。
装置3130で反転させ、洗浄/乾燥装置3120で洗
浄/乾燥させて第3カセット3101に収容した後、或
いは、上側の基板50aを反転装置3130に引き渡し
た後に、下側の基板50bを洗浄/乾燥装置3120に
引き渡す。
4の構成例に係る分離装置の概略的な構成を示す図であ
る。この分離装置5000は、貼り合わせ基板50の全
体に圧力を印加し、これにより、該貼り合わせ基板50
を多孔質層で分離する。
50を収容して密閉空間を構成するための密閉容器50
01と、スカラーロボット3150のロボットハンド3
152を出し入れするための開口部を開閉するための密
閉蓋5002とを有する。密閉容器5001内には、貼
り合わせ基板50を下方から水平に支持するための試料
支持部材5011が設けられている。
内に流体を供給するための注入口5008を有し、この
注入口5008は、バルブ5009を介してポンプ50
10に接続されている。また、この分離装置5000
は、密閉容器5001内の流体を排出するための排出口
5006を有し、この排出口5006は、排出制御用の
バルブ5007に接続されている。
わせ基板50に超音波等の振動エネルギーを印加するた
めの振動源5004を更に備えることが好ましい。この
振動源5004を備えることにより、2段階の分離処理
を行うことができる。即ち、第1段階では、前述のよう
に、密閉容器5001により構成される密閉空間内に圧
力を印加することにより多孔質層の孔壁を破壊し、第2
段階では、振動エネルギーにより、残存する孔壁を破壊
し、これにより貼り合わせ基板50を多孔質層で完全に
分離することができる。
理に関して説明する。まず、密閉蓋5002を開いて、
スカラーロボット3150のロボットハンド3152に
より貼り合わせ基板50を密閉容器5001内に搬送
し、支持部材5011上に載置する。
5010を作動させると共にバルブ5009を開いて、
密閉空間内に流体を注入し、該密閉空間内を所定の圧力
にする(第1段階の分離処理の開始)。ここで、流体と
しては、空気等の気体、水等の液体等を使用することが
できる。また、流体として、空洞含有層を選択エッチン
グし得るエッチングガス又はエッチング液を使用するこ
とも好ましい。この場合、分離処理を効率化すると共に
分離後に残存し得る孔壁を低減することができる。
を待つ。これにより、貼り合わせ基板50が多孔質層で
完全に分離されるか、或いは、相当量の孔壁が破壊され
る。次いで、ポンプ5010を停止させると共にバルブ
5009を閉じる。次いで、バルブ5007を開いて、
密閉空間内の流体を排出口5006を通して排出するこ
とにより、該密閉空間内の圧力を常圧に戻す(第1段階
の分離処理の終了)。なお、流体として、自然環境等に
悪影響を及ぼす流体を使用する場合には、排出口211
を通して排出される流体を回収し、適切な処理をするこ
とは言うまでもない。
容器内の貼り合わせ基板50に振動エネルギーを印加
し、これにより、未破壊の孔壁を破壊し、貼り合わせ基
板50を完全に分離する(第2段階の分離処理)。な
お、第2段階の分離処理は、第1の分離処理の実行中に
並行して実行してもよい。
は、必要に応じて、バルブ5007を開いて密閉容器内
の流体を排出する。次いで、密閉蓋5002を開いて、
スカラーロボット3150のロボットハンド3152に
より、まず、上側の基板を取り出し、次いで、下側の基
板を取り出す。なお、この場合、上側の基板を反転装置
3130で反転させ、洗浄/乾燥装置3120で洗浄/
乾燥させて第3カセット3101に収容した後、或い
は、上側の基板を反転装置3130に引き渡した後に、
下側の基板を洗浄/乾燥装置3120に引き渡す。
の構成例]次に、スカラーロボット3150のロボット
ハンドの他の構成例を説明する。図13は、スカラーロ
ボット3150のロボットハンドの他の構成例を示す図
である。図13(a)は、平面図、図13(b)は、図
13(a)をA−A’で切断した断面図である。図13
に示すロボットハンドは、U字型の本体9004と、貼
り合わせ基板又は分離後の基板をその端部で保持する保
持部9001乃至9003を有する。保持部9001乃
至9003の材質としては、例えばPTFEが好適であ
る。
合わせ基板又は分離後の基板の端部とのみ接触するた
め、貼り合わせ基板又は分離後の基板の面に傷等を付け
る可能性が極めて低い。
は、分離後の基板の端部とのみ接触するため、分離面が
上側であるか下側であるかに拘らず、分離後の基板を下
方から保持した場合においても、切削屑等により基板の
面に傷等を付ける可能性が低い。
は、貼り合わせ基板又は分離後の基板が面方向に移動す
ることを規制した状態で該貼り合わせ基板又は分離後の
基板を保持するため、貼り合わせ基板又は分離後の基板
が落下することを防止することができる。
保持部9001乃至9003の全部又は一部に吸着機構
を設けることも有効であり、この場合、貼り合わせ基板
又は分離後の基板の落下をより効果的に防止することが
できる他、例えば基板を上方から支持することも可能に
なる。
は、分離後の基板を吸着した状態で本体9004を18
0度回転させて、これにより分離後の基板の上下を逆に
する機構を更に設けてもよい。この場合、反転装置31
30を省略することができる。
料を複数の処理装置の間で効率的に搬送することができ
るため、一連の処理を高速化することができる。
製造方法を工程順に説明する図である。
の概略的な構成を示す平面図である。
ステムによる処理手順を説明するためのフローチャート
である。
合の処理手順の一例を示す図である。
離後の各基板の搬送処理及び各装置による処理の実行手
順の一例を示す図である。
示す図である。
である。
示す図である。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
を示す図である。
成例を示す図である。
Claims (26)
- 【請求項1】 試料を処理する処理システムであって、 試料を保持する保持部を有し、該保持部により試料を保
持して搬送する搬送機構と、 前記搬送機構の駆動軸から略等距離の位置に夫々配置さ
れた複数の処理装置と、 を備え、前記搬送機構は、前記駆動軸を中心として前記
保持部を実質的に水平面内で回動させると共に前記保持
部を前記駆動軸から遠ざけたり近づけたりすることによ
り、前記複数の処理装置の間で試料を搬送することを特
徴とする処理システム。 - 【請求項2】 処理対象の試料は板状試料であって、前
記保持部は、板状試料を略水平に保持して搬送すること
を特徴とする請求項1に記載の処理システム。 - 【請求項3】 前記複数の処理装置の夫々は、前記搬送
機構の保持部との間で、試料を略水平な状態で受け渡し
することを特徴とする請求項2に記載の処理システム。 - 【請求項4】 前記複数の処理装置には、試料を分離す
る分離装置が含まれることを特徴とする請求項1乃至請
求項3のいずれか1項に記載の処理システム。 - 【請求項5】 処理対象の板状試料は内部に分離用の層
を有し、前記複数の処理装置には、該分離用の層で該板
状試料を分離する分離装置が含まれることを特徴とする
請求項2又は請求項3に記載の処理システム。 - 【請求項6】 前記分離装置は、板状試料を水平に保持
した状態で分離することを特徴とする請求項5に記載の
処理システム。 - 【請求項7】 前記分離装置は、板状試料を水平に保持
した状態で前記分離用の層に向けて束状の流体を噴射す
ることにより、該板状試料を該分離用の層で分離するこ
とを特徴とする請求項5に記載の処理システム。 - 【請求項8】 前記分離装置は、板状試料を水平に保持
した状態で回転させながら前記分離用の層に向けて束状
の流体を噴射することにより、該板状試料を該分離用の
層で分離することを特徴とする請求項5に記載の処理シ
ステム。 - 【請求項9】 前記分離装置は、板状試料を上下から挟
むようにして保持しながら分離することを特徴とする請
求項7又は請求項8に記載の処理システム。 - 【請求項10】 前記分離装置は、板状試料を保持する
保持機構としてベルヌーイチャックを有することを特徴
とする請求項7乃至請求項9に記載の処理システム。 - 【請求項11】 前記分離装置は、板状試料の前記分離
用の層の少なくとも一部に対して実質的に静止した流体
により圧力を印加することにより、該板状試料を該分離
用の層で分離することを特徴とする請求項5に記載の処
理システム。 - 【請求項12】 前記分離装置は、密閉容器を有し、板
状試料を密閉容器内に収容して前記密閉容器内を高圧に
し、これにより該板状試料を前記分離用の層で分離する
ことを特徴とする請求項5に記載の処理システム。 - 【請求項13】 前記複数の処理装置には、板状試料を
前記分離装置に引き渡す前に該板状試料の芯出しを行う
芯出し装置が含まれることを特徴とする請求項5乃至請
求項12のいずれか1項に記載の処理システム。 - 【請求項14】 前記複数の処理装置には、前記分離装
置により分離して得られる板状試料の各部を洗浄する洗
浄装置が含まれることを特徴とする請求項5乃至請求項
13のいずれか1項に記載の処理システム。 - 【請求項15】 前記洗浄装置は、前記分離装置により
分離して得られる板状試料を水平な状態で洗浄すること
を特徴とする請求項14に記載の処理システム。 - 【請求項16】 前記複数の処理装置には、前記分離装
置により分離して得られる板状試料を洗浄し乾燥させる
洗浄/乾燥装置が含まれることを特徴とする請求項5乃
至請求項13のいずれか1項に記載の処理システム。 - 【請求項17】 前記洗浄/乾燥装置は、前記分離装置
により分離して得られる板状試料を水平な状態で洗浄し
乾燥させることを特徴とする請求項16に記載の処理シ
ステム。 - 【請求項18】 前記複数の処理装置には、前記分離装
置により分離して得られる2枚の板状試料のうち上方の
板状試料を180度回動させてる反転装置が含まれるこ
とを特徴とする請求項5乃至請求項17のいずれか1項
に記載の処理システム。 - 【請求項19】 前記複数の処理装置の夫々による処理
を並行して実行することを特徴とする請求項1乃至請求
項18のいずれか1項に記載の処理システム。 - 【請求項20】 前記搬送機構は、スカラーロボットで
あることを特徴とする請求項1乃至請求項19のいずれ
か1項に記載の処理システム。 - 【請求項21】 前記分離用の層は、脆弱な構造の層で
あることを特徴とする請求項1乃至請求項20のいずれ
か1項に記載の処理システム。 - 【請求項22】 前記脆弱な構造の層は、多孔質層であ
ることを特徴とする請求項21に記載の処理システム。 - 【請求項23】 前記脆弱な構造の層は、微小気泡層で
あることを特徴とする請求項21に記載の処理システ
ム。 - 【請求項24】 処理対象の板状試料は、半導体基板で
あることを特徴とする請求項1乃至請求項20のいずれ
か1項に記載の処理システム。 - 【請求項25】 処理対象の板状試料は、第1の基板と
第2の基板とを貼り合わせてなり、分離用の層として脆
弱な構造の層を有することを特徴とする請求項1乃至請
求項20のいずれか1項に記載の処理システム。 - 【請求項26】 処理対象の板状試料は、第1の半導体
基板の表面を多孔質化した後にその上に非多孔質層を形
成し、該非多孔質層に第2の基板を貼り合わせてなるこ
とを特徴とする請求項1乃至請求項20のいずれか1項
に記載の処理システム。
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