459299 五、發明說明（1 ) 發明背景 一下述爲本發明之相關習知技藝 {請先閱讀背面之注意事項再f本頁> •JPA 5-21338，公開於 1993，1， 2 9 • JPA 7-302889，公開於 1995，11 ，14 發明領域 > 本發明係關於一種樣本處理系統，且更特別而言，係 關於一種處理系統，其包括用於處理一樣本之多數處理裝 置。 相關技藝之說明 具有SO I構造（絕緣體上之矽）之基底（SO I基 底）已知爲在一絕緣層上具有單晶矽層之基底β使用此 SOI基底具有一般取基底所無法達成之優點。此優點如 下所述。 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 (1 )因爲介電隔離相當簡單，因此可增加整合程度 ΰ (2 )可增加輻射電阻。 (3 )因爲雜散電容非常小，因此可增加裝置之操作 速度。 (4 )無需井步階。 (5 ).可防止閂鎖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .4 - A7 B7 d5929 9 五、發明說明（2 ) (6 )可藉由薄膜形成而形成完全空乏場效電晶體。 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) - 由於SOI構造具有上述各種優點，已對其形成.方法 進行數拾年之硏究。 關於一 SOI技術方面，長久以來已知砂以c V D ( 化學蒸氣沉積）異磊晶成長在單晶藍寶石基底上之S 〇 S (藍寶石上之矽）技術。此S 0 S技術爲已知最成熟的 S 0 I技術。但是，因爲在介於矽層和底層藍寶石基底間 之介面中之晶格不匹配會產生大量的晶>體缺陷，形成藍寶 石基底之鋁會混合在矽層中，此基底相當昂貴，和難以獲 得大面積等原因，此S 0 S技術並未實際使用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除了SOS技術外，亦呈現各種SOI技術》對於這 些S 0 I技術而言，已進行各種方法以降低晶體缺陷和製 造成本。這些方法包括離子植入氧至一基底以形成一掩埋 氧化層之方法，經由一氧化膜結合兩晶圓和拋光或蝕刻一 晶圓以留下薄膜單晶矽層在氧化膜上之方法，和從具有氧 化膜之.矽基底之表面酿子植入氫至預定深度，結合基底至 另一基底，藉由加熱等而留下薄膜單晶矽層在氧化膜上， 和剝離結合基底之一基底（另一基底）之方法9 本發明人已揭示一新的SO I技術在曰本專利第 5 — 21338號案中。在此技術中，藉由形成一非多孔 單晶層（包括單晶矽層）在具有多孔層之單晶半導體基底 上而準備之第一基底經由一絕緣層結合至第二基底。而後 ，此基底在多孔'層上分離，藉以傳送非多孔單晶層至第二 基底。此技術之優點爲因爲S 0 I層之膜厚度均勻性枏當 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5- 在 5929 9 ζ___ 五、發明說明（3 ) Λ/ ft— i. I 1 (請先閱讀背面之注意事項再t本頁) 良好，可降低在SOI層中之晶體缺陷密度，SOI層之 表"面平坦度相當良好，因此不需要具有特殊規格之昂.貴製 造裝置，和可藉由單一製造裝置製造具有約數百A至10 μιη厚SO I膜之SO I基底。 本發明人亦已掃示一技術於曰本專利第 7—302889號案中，其中第一和第二基底結合，第 一基底和第二基底無破裂的分離，所分離之第一基底表面 平坦化，再度形成一多孔層，和再使用、該多孔層。由於第 一基底並未浪費，此技術之優點爲可顯著的降低製造成本 和簡化製造方法。 依照由本發明人所揭示之SOI基底製造方法，可製 造高品質SOI基底。但是，在大量生產s〇i基底時， 處理操作序列必須以高速執行。 --線· 發明槪要 本發明乃在考量上述之狀況下完成，且其目的乃在提 供一種處理系統，其適於製造，如，SOI基底。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依照本發明，於此提供一種樣本處理系統，包含：一 傳送機構，其具有一保持部份以保持一樣本，該傳送機構 傳送藉由保持部份保持之樣本；和多數處理裝置設置在與 該傳送機構之驅動軸分離等距離之位置，其中該傳送機構 樞轉該保持部份繞著實質在水平面之驅動軸，和移動保持 部份接近或離開驅動軸以在多數處理裝置間傳送樣本。 在此處理系統中，較佳的，欲處理之樣本爲板狀樣本 本紙張尺度適用_國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6- 在5929 9 A7 B7__'__ 五、發明說明（4 ) ，和該保持部份實質水平保持板狀樣本和傳送該樣本。 - 在此處理系統中，較佳的，該多數處理裝置之每個處 理裝置以實質水平狀態從/至該傳送機構之保持部份接收 /傳送板狀樣本。 在此處理系統中，較佳的，該多數處理裝置包括分離 裝置以分離樣本。 在此處理系統中，.較佳的，欲處理之板狀樣本具有一 分離層，和多數處理裝置包括一分離裝>置以在分離層分離 板狀樣本。 在此處理系統中，較佳的，該分離裝置分離水平保持 的板狀樣本。 在此處理系統中，較佳的.I該分離裝置射出一液體流 向著分離層，而水平的保持板狀樣本以在分離層上分離板 狀樣本。 在此處理系統中，較佳的，該分離裝置射出一液體流 向著分離層〃而轉動水平保持的板狀樣本以在分離層上分 .離板狀樣本。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此處理系統中，較佳的，該分離裝置分離由上和下 側夾住和保持之板狀樣本。 在此處理系統中，較佳的，該分離裝置具有一白努利 (Bernoulli )夾盤當成一保持機構以保持該板狀樣本。 在此處理系統中，較佳的，該分離裝置應用實質爲靜 止之流體壓力至板狀樣本之至少部份分離層以在分離層上 分離板狀樣本。· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 459299 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7______ 五、發明說明（5 ) 在此處理系統中，較佳的，該分離裝置具有一密閉容 器，該板狀樣本儲存在密閉容器中，和密閉容器中&內部 壓力設定爲高壓以在分離層上分離板狀樣本。 在此處理系統中，較佳的，該多數處理裝置包括一對 中裝置用以在板狀樣本傳绘至分離裝置前，對中板狀樣本 〇 在此處理系統中，較佳的，該多數處理裝置包括一淸 潔裝置用以淸潔由分離裝置所分離而得之板狀樣本° 在此處理系統中，較佳的，該清潔裝置淸潔由分離裝 置在水平狀態分離而得之板狀樣本。 在此處理系統中，較佳的，該多數處理裝置包括一淸 潔/乾燥裝置用以淸潔和乾燥由分離裝置所分離而得之板 狀樣本。 在此處理系統中，較佳的，該淸潔/乾燥裝置清潔和 乾燥由分離裝置在水平狀態所分離而得之板狀樣本。 在此處理系統中卜較佳的，該多數處理裝置包括一反 向裝置用以樞轉由分離裝置所分離而^之兩板狀樣本之上 板狀樣本1 8 0 ° » 在此處理系統中，較佳的，該多數處理裝置之處理操 作平行的執行。 在此處理系統中，較佳的，該傳送機構包含一標量機 器人。 在此處理系統中，較佳的，分離層爲具有一易碎構造 之層。 -n n I (請先閱讀背面之注意事項再t本頁) 訂· 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8 - ^ ^ 4 5929 9 A7 ------- B7 五、發明說明（6 ) 在此處理系統中，較佳的，具有易碎構造之層爲一多 ?tr 層。 I I 1 I I I H %¥ ^1 Λ,ΐ I I · I I (請先閱讀背面之注意事項再t本頁》 在此處理系統中，較佳的，具有易碎構造之層爲—微 空腔層。 ‘ 在此處理系統中，較佳的，欲處理之板狀樣本爲一半 導體基底。 在此處理系統中，較佳的，欲處理之板狀樣本乃藉由 結合第一基底和第二基底而形成，且具>有含一易碎構造之 層當成分離層。 在此處理系統中，較佳的，欲處理之板狀樣本乃藉由 形成一多孔層在第一半導體基底之表面上，形成一非多孔 層在多孔層上，和結合第二基底至非多孔層而形成。 由下述之說明伴隨附圖之解說，可更加明瞭本發明之 上述和其它目的，特徵，和優點。 線. 圖式簡單說明， ,, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1A至1E用以說明在依照本發明之一較佳實施例 製造一 S 0 I基底中之步驟之截面圖： 圖2爲依照本發明之一較佳實施例之處理系統之示意 構造之平面圖： 圖3爲用於一結合基底堆疊之處理系統之處理步驟之 流程圖， 圖4爲用於平行處理多數結合基底堆疊之處理步驟之 例圖； . . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9- (4 δ .昏遂發迓 ^ ; 4 Β 9 ? ___：__B7 五、發明說明（7 ) 圖5爲由標量機器人傳送結合基底堆疊或分離基底之 齋送處理和裝置之處理執行過程之例圖； — (請先Μ讀背面之注意事項再$本頁) 圖6爲分離裝置之第一構造之示意圖； 圖7爲圖6所示之基底保持部份之外觀之示意圖； 圖8爲分離裝置之第二構造之示意圖； 圖9爲圖8所不之分離裝置之一部份之圖； 圖1 0爲分離裝置之第三構造之示意截面圖： 圖1 1爲分離裝置之第三構.造之示，意截面圖： 圖1 2爲分離裝置之第四構_造之不意圖；和 圖1 3A和1 3 B爲標量機器人之機器手之另一構造 圖。 主要元件對照表 11 單晶矽基底 12 多孔矽層 13 非多孔單晶取層 15 絕緣層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 第一基底 2 0 第二基底 50 結合基底堆疊 3000 處理系統 3150 刻劃機器人 3200 支持台 3151 .驅動軸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- .j\ p；Q29 9五、發明說明（8 ) A7 B7 3 0 2 0 分 離 裝 置 3-1 3 0 反 向 裝 置 3 0 7 0 對 中 裝 置 3 1 2 0 淸 潔 / 乾 燥裝置 3 0 8 0 負 載 器 3 0 9 0 第 —· 釋 載 器 3 1 0 0 第 二 釋 載 器 3 1 1 0 第 三 釋 載 器 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3152 機器手 3081 第一匣 3091 第二匣 3101 第三匣 3111 第四匣 3151 驅動軸 3060 氣門 3 0 4 0 噴嘴 s 3050 正交機器人 3140 操作板 3 0 10 室 1000 分離裝置 2 7 0. 1 0 1 0 基底保持部份 140 轉動軸 11 馬達 13 0 .耦合件 -n I 1 n n n n ir I n n \~« (請先閱讀背面之ii意事項再^^本頁) _ ;線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 459299 A7 B7 五、發明說明（9 ) 120 支持件 1-7 0 上台 141 真空線 15 0 環 271 吸入孔. 16 0 軸承 10 13 白努利夾盤 1020 升高軸 1011 氣體導入部份 1021 壓力線 1 0 2 2 環 3 2 0 氣缸 330 耦合件 2 4 0 下台 1030 往復/旋轉導件 2 5 0 馬達 s _ 1 9 0 0 分離裝置 19 0 1 (請先閱讀背面之注意事項再1!^本頁) ύ ...
-IB --線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19 0 9 1 9 0 3、1912 19 11、19 13 1904 轉動軸 1920 支持台 19.06 軸承 1907 真空線 基底保持部份 凸支持部份 移位防止構件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 12- 459299 A7 B7 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 1 9 0 2、 1 9 1 4 吸 入孔 1-9 0 8 壞 1 9 1 0 驅 動 軸 1 9 3 0 驅 動 機構 4 0 0 0 分 離 JJ-h p?3 裝置 4 0 0 1、 4 0 0 4 基 底支持構件 4 0 0 3 絞 鏈 部份 4 0 0 2、 4 0 0 5 密 封構件 4 0 0 8 密 封 構件 4 0 0 6 注 入 部份 4 0 2 0 封 閉 空間 4 0 1 1 壓 力 源 4 0 0 6 支 持 台 4 0 3 0 通 氣 孔 4 0 1 0 氣 缸 4 0 0 9 - 支 持部份 5 0 0 0 分 離 裝置 5 0 0 1 密 閉 容器 5 0 0 2 密 封 蓋 5 0 1 1 樣 本 支持構 丨件 5 0 0 8 注 入 埠 5 0 1 0 泵 5 0 0 9 閥 5 0 0 6 釋 放埠 良紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297.公釐） -------3—--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再求窵本頁) -13- A5929 9 A7 —~_B7______ 五、發明說明（11 ) 5 0 〇 7 釋放控制閥 5' 〇 0 4 震動源 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 0 〇 4 U形主體 9〇〇1-9003 保持部份 @佳實施例之詳細說明 以下參考圖式說明本發明之較佳實施例。 圖1A至1E爲說明在依照本發明之一較佳實施例製 造一 S 〇 I基底中之步驟之截面圖。 在圖1A之步驟中，準備一單晶矽基底1 1，和藉由 例如陽極化形成一多孔矽層1 2在單晶矽基底1 1之表面 上。在圖1 B所示之步驟中，一非多孔單晶矽層1 3藉由 磊晶成長而形成在多孔矽層1 2上。一絕緣層（例如，一 S 1 0 2層）1 5形成在非多孔單晶矽層1 3上。以此處理 ，可形成第一基底1 0。 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 在圖1 C所示之象驟中，準備第二基底，且和第一基 底1 0在室溫下緊密接觸，而使絕緣pi 5相對於第二基 底20。而後，藉由陽極化結合，按壓，加熱，或其結合 以結合第一基底1 0和第二基底2 0。絕緣層1 5和第二 基底2 0緊密的結合以形成結合基底堆疊5 0。如上所述 ，絕緣層1 5可形成在非多孔單晶矽層1 3上。替代的， 絕緣層1 5亦可形成在第二基底2 0或在非多孔單晶砂層 工3和第二基底2 0上，只要在第一和第二基底互相緊密 接觸時可獲得如圖1 C所示之狀態即可。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） -14 - ^ 45929 9 A7 __B7___ 五、發明說明（12 ) 在圖1D所示之步驟中，兩結合基底在多孔矽層12 上-分離。第二基底側（10# + 20)具有多孔矽層_ <請先閲讀背面之注意事項再t本頁) 1 2" /單晶矽層1 3/絕緣層1 5/單晶矽層2 0之多 層構造。第一基底側（10 /)具有一構造，其中多孔矽 層1 2 ^形成在單晶矽基底1 1上。 在移除剩餘多孔矽層1 2 **，且多孔矽層1 2 <之表 面依需要平坦化後，使用分離基底（1 0 >)當成單晶矽 基底1 1，以再度形成第一基底（1 0 >。 在結合基底堆疊分離後，在圖1E所示之步驟中，在 第二基底側（10" + 20)上之表面上之多孔層12" 受到選擇性移除。以此處理，可獲得具有單晶矽層1 3 / 絕緣層15/單晶矽基底2 0之多層構造，亦即，SOI 構造之基底。 關於第二基底方面，可使用不只單晶矽基底，且亦可 使用一絕緣基底（如，石英基底）或一透明基底（如，石 英基底）。一 . ^- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在上述製造方法中，.爲了利於結合兩基底和將它們分 離之處理（圖1D),具有易碎構造之多孔矽層12形成 在分離區域中。亦可形成微空腔層以取代多孔層。此微空 腔層可以例如將離子植入半導體基底而形成。 以下說明在上述製造如SOI基底之方法中，適合用 於結合基底堆疊處理（圖1 D )之處理系統。 圖2爲依照本發明之一較佳實施例之處理系統之示意 構造之平面.圖。·處理系統3 0 0 0具有一標量機器人 本“尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚) -15 - 459299 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7___五、發明說明（13 ) 3150在一支持台3200上之預定位置上（例如，在 中·-央）當成用於結合基底堆疊之傳送機構。各種用於操控 或處理結合基底堆疊之處理裝置乃設置在和標量機器人 3 1 5 0之驅動軸3 1 5 1分離之等距離位置上《更特別 而言，在此實施例中，一負載器3080,對中裝置 3070，分離裝置3020，反向裝置3130，淸潔 /乾燥裝置3 1 20,第三釋載器3 1 1 0，第二釋載器 3 1 _0 0 ,和第一釋載器3 0 9 0乃設邐在與標量機器人 3 1 5 0之驅動軸3 1 5 1分離之等距離位置上。 在處理前，儲存一或多數結合基底堆疊之第一匣 308 1設置在負載器3080上。在處理前，一空的第 二匣3 0 9 1設置在第一釋載器3 0 9 0上，一空的第三 匣3 1 0 1設置在第二釋載器3 1 0 0上，和一空的第四 匣3 1 1 1設置在第三釋載器3 1 1 0上。 標量機器人3 1 5 0具有機器手3 1 5 2以箝夾和保 持一結合基底堆疊》檄器手3 1 5 2在水平面上樞轉繞著 驅動軸3 1 5 1和移動靠近或遠離驅動軸3 1 5 1 ,藉以 在裝置間傳送結合基底堆疊。 對中裝置3 0 7 0由標量機器人3 1,5 0接收結合基 底堆疊，執行（對中）處理以將結合基底堆疊之中央對準 在預定位置，而後傳送結合基底堆疊至標量機器人 3 15 0° 在圖2所示之實施例中，分離裝置3020將一流體 (噴射介質）射向結合基底堆疊之多孔層，.以藉由流體在 ---------------戈--- (請先閱讀背面之注意事項再bi··頁)
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Mi i線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） -16- ^ 4 592 9 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（14 ) 多孔層上分離結合基底堆疊。分離裝置3 0 2 0設置在一 室-3 0 1 0中，以防止後述之噴射介質（例如水）散佈至 週邊部份。室3010具有一氣門3060，而標量機器 人3 1 5 0之機器手3 1 5 2可由此進入/離開室。分離 裝置3 0 2 0具有一噴嘴3 0 4 0以噴出一噴射流。噴嘴 3 0 4 0之位置由一正交機器人3 0 5 0所控制。關於分 離裝置3020方面，亦可使用其它型式之分離裝置，其 將於後說明。 > 反向裝置3 1 3 0轉動兩分離基底之上基底1 8 〇° ，以反向基底（引導分離表面向上）。標量機器人 3 1 5 0具有轉動基底1 8 0°以使基底轉動之功能•在 此例中，可省略反向裝置3 1 3 0。 淸潔/乾燥裝置3 1 2 0淸潔和乾燥分離基底。亦可 使用分離之淸潔裝置和乾燥裝置以取代淸.潔/乾燥裝置 3 12 0° 處理系統3 0 0队根據來自操作板3 1 4 0之指示執 行結合基底堆疊之分離處理。 此處理系統之處理過程將說明如下。首先，儲存欲處 理之結合基底堆疊（如圖1 C所示之結合基底堆疊5 0 ) 之第一匣3 0 8 1以手動或自動的設置在負載器3 0 8 0 上之預定位置上。空的第二匣3091，第三匣3101 ，和第四匣3 1 1 1分別設置在第一釋載器3 0 9 0，第 二釋載器3 1 00,和第三釋載器3 1 1 0上。在此實施 例中，第二匣3. 0 9 1使用以儲存上分離基底，第三匣· (請先閱讀背面之注意事項再 --!.— 本頁) 訂. 線. 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS>A4規格（210 X 297公釐） -17- Λ 5 92 9 9 Α7 ____ _ Β7 五、發明說明（15 ) 3 1 〇 1使用以儲存下分離基底，和第四匣3 1 1 1使用 以··儲存分離失敗之結合基底堆疊（或分離基底）。第一匣 3 ◦ 8 1設置在負載器3 0 8 0上，以使所儲存之結合基 底堆疊變成水平。第二匣3091,第三匣3101,和 第四匣3 1 1 1分別設置在第一釋載器3 〇 9 〇，第二釋 載器3 1 0 〇，和第三釋載器3 1 1 ◦上，因此基底可以 水平狀態儲存。 圖3爲用於一結合基底堆疊之處理、系統3 0 0 0之處 理過程之流程圖。在步驟S101中，標量機器人 3 1 5 0箝夾在第一匣3 0 8 1中之最下結合基底堆疊在 負載器3080上，抽出結合基底堆疊，和將其傳送至對 中裝置3070，並保持水平狀態。在步驟S102中， 對中裝置3 0 7 0對中結合基底堆疊且將其傳送至標量機 器人3 1 5 0。 在步驟S103中，室3010之氣門306◦打開 以由標量機器人3 1 5^0傳送結合基底堆疊至分離裝置 3 0 2 0。當由下側以水平狀態支持結合基底堆疊時，標 量機器人3 1 5 0最好傳送對中之結合基底堆疊至分離裝 置3 0 2 0。如此可避免結合基底堆疊之掉落。傳送至分 離裝置3 0 2 0之結合基底堆疊已對中。因此，當標量機 器人3 1 5 0之機器手3 1 5 2移動至預定位置以傳送結 合基底堆疊至分離裝置3 0 2 0時，結合基底堆疊可設置 至分.離裝置3020 " 在步驟S 104中，室30 10之氣門3060關閉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） inlllllll^n ^ - I I (請先閱讀背面之注項再本頁) 訂： -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18- ^«4B92 9 9 A7 ___；_B7_'_ 五、發明說明（16 > ,且藉由分離裝置3 0 2 0執行分離處理。更特別而言， 在此實施例中，當在水平狀態中轉動結合基底堆疊時，分 離裝置3 0 2 0由噴嘴3 0 4 0噴出一噴射流向著結合基 底堆疊之多孔層，以藉由噴射流在多孔層上分離結合基底 堆疊成爲兩基底。 在步驟S105中，室3010之氣門3060打開 ，和標量機器人3 1 5 0從分離裝置3 0 2 0接收下分離 基底，並將此基底傳送至淸潔乾燥裝凟3 1 2 0。標量 機器人3 1 5 0最好在從下側支持基底在水平狀態時，從 分離裝置3 0 2 0接收基底，和傳送基底至淸潔/乾燥裝 置3120。如此可避免基底之掉落。 在步驟S 1 0 6中，淸潔./乾燥裝置3 1 2 0開始淸 潔和乾燥下分離基底。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 和淸潔/乾燥處理平行的，在步驟S 1 0 7中，標量 機器人3 1 5 0從分離裝置3 0 2 0中接收上分離基底， 和將此基底傳送至反陆.裝置3130。標量機器人 3 1 5 0最好在從上側支持基底在水平狀態時，從分離裝 置3 0 2 0接收基底，和傳送基底至反向裝置3 1 3 ◦。 以此構造，黏著至分離裝置表面之晶片極少黏著至標量機 器人315◦之機器手3152。 在步驟S 1 0 8中，反向裝置3 1 3 0轉動所接收之 基底180° 。而處理等待直到由淸潔/乾燥裝置 3 1 2 0對下基底所執行之淸潔/乾燥處理終止。 在步驟S109中，標量機器人3150從淸潔/乾 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- 45929 9 A7 B7___ 五、發明說明（17 ) 燥裝置3 1 2 0中接收下基底，和儲存基底在第一釋載器 3-090上之第二匣309 1中。標量機器人3 1 & 0最 好在從下側支持基底在水平狀態時，從分離裝置3 0 2 0 接收基底，和將其儲存在第二匣3 0 9 1中。如此可避免 基底之掉落。 在步驟S 1 1 〇中，標量機器人3 1 5 0從反向裝置 3 1 3 0接收上基底和將基底傳送至清潔/乾燥裝置 3 1 2 0。標量機器人_ 3 1 5 0最好在嘥下側支持基底在 水平狀態時，從反向裝置3 1 3 0接收基底，和傳送基底 至淸潔/乾燥裝置3 1 2 0。如此可避免基底之掉落。 在步驟S 1 11中，淸潔/乾燥裝置3 1 2 0淸潔和 乾燥上基底。在步驟S 1 1 2中，標量機器人3 1 5 0從 淸潔/乾燥裝置3120中接收上基底，和儲存基底在第 二釋載器3 1 0 0上之第三匣3 1 0 1中。標量機器人 1 5 0最好在從下側支持基底在水平狀態時，從淸潔/ 乾燥裝置3 1-20接收.基底，和將其儲存在第三匣 3 1 0 1中。如此可避免基底之掉落' 在圖3之處理中，下分離基底首先受到淸潔和乾燥。 相反的，亦可使上分離基底首先受到淸潔和乾燥。在此例 中，處理進行以例如步驟S101, S102， S103 ，s 1 〇 4 , S 1 〇 7 , S 1 〇 8 , S 1 1 0 , Sill .S 1 1 2 , S105, S106,和 S1Q9 之順序進 行。 在處理系統3 0 0 0中，標量機器人3 1 5 0依照從 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------裝--------訂---------線 r、 (請先閱讀背面之注意事項再^^本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- A7 B7 45929 9 五、發明說明（18 ) C請先閲讀背面之注意事項再t本頁) 操作者經由操作板3 1 4 0而來之指示輸入儲存分離失敗 之-基底在第三釋載器3 1 1 0上之第四匣3 1 1 1中。除 了依照來自操作者之指示辨識分離失敗外，亦可準備一分 離狀態監視裝置以偵測一分離失敗。 上述已說明用於一結合基底堆疊之處理系統3 0 0 0 之操作。在處理系統3000中，多數結合基底堆疊可平 行的處理。 +圖4爲用以平行處理多數.結合基底>堆疊之處理過程之 例圖。參考圖4 ,對中表示由對中裝置3 0 7 0所進行之 對中處理，分離表示由分離裝置3 0 2 0所進行之分離處 理，反向表示由反向裝置3 1 3 0所進行之反向處理，和 淸潔/乾燥表示由淸潔/乾燥裝置3 1 2 0所進行之淸潔 /乾燥處理。τ 1至T6爲一結合基底堆疊（在分離後， 爲上和下兩基底）由一裝置所處理之期間。此外，# 1至 # 6表示結合基底堆疊之編號，# 1至# 6具有注標a之 編號表示分離上基底，S和# 1至# 6具有注標b之編號表 不分離下基底。 經濟部智慧財產局員工消費合作社；£-製 在圖4所示之例中，在T1期間，只有執行結合基底 堆疊# 1之鄴中處理。在T2期間，平行執行結合基底堆 疊# 1之分離處理和結合基底堆疊# 2之對中處理。 在T 3期間，平行執行結合基底堆疊# 2之分離處理 ，結合基底堆疊# 3之對中處理，由分離結合基底堆疊 # 1而得之上基底# 1 a之反向處理，和由分離結合基底 堆疊# 1而得兩基底# la和# lb之清潔/乾燥處理。 * .- 本紙張尺度適用中國國家“（CNS)A4規格（210 χ 297公釐) ' -21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^ 45929 9 a? _B7____ 五、發明說明（19 ) 在圖4所示之例中，在T 3期間之第一半期間，上基底 #-1 a之轉動處理和下基底# 1 b之淸潔/乾燥處理乃和 對中處理和分離處理平行執行。在T 3期間之第二半期間 ，反向上基底# 1 a之淸潔_/乾燥處理和對中處理和分離 處理平行執行。 圖5爲由標量機器人傳送之結合基底堆疊或分離基底 之傳送處理和裝置之處理執行過程之例圖。參考圖5，水 平線表示由裝置所進行之處理.，和斜線凄示由標量機器人 3 1 5 0所進行之基底傳送處理。 在依照此實施例之處理系統3000中，由於只有一 標量機器人3 1 5 0使用當成一機器人以傳送結合基底堆 疊或分離基底，因此無法同時傳送多數之結合基底堆疊或 分離基底。 但是，由標量機器人3 1 5 0用於傳送處理所需之時 間通常充分的短於由分離裝置3 0 2 0分離處理之時間。 因此，一機器人已足从傳送結合基底堆疊或分離基底。當 多數之結合基底堆疊或分離基底需要同時傳送時，例如， 當只以一機器人之處理效率變成非常低時，可使用多數之 機器人（例如標量機器人）。 如上所述，依照此處理系統，可平行處理多數結合基 底堆疊，以促成高產量。 依照此實施例，由於結合基底堆疊或分離基底在水平 狀態中傳送，可使用具有相當簡單構造之機器人（標量機 器人）當成.傳送機構。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I ^ ^ ^ ^ ^ 1 I ^ Rr I I ^ ^ I ^ n I I I* ^ I I I ^ ϋ I <請先Μ.讀背面之注意事項再^-寫本頁> -22- 459299 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7____五、發明說明（2〇) 依照此實施例，裝置乃設置在和預定位置（標量機器 人--3 1 5 0之驅動軸）分離實質等距離之位置上。當機器 手3 1 5 2在水平面繞著驅動軸3 1 5 1樞轉且移動靠近 或遠離驅動軸3151時，結合基底堆疊或分離基底可在 裝置間傳送。因此，無需準備在水平面上用以移動標量機 器人3150之驅動機構。 以下說明分離裝置之構造。 > (分離裝置之第一構造） 分離裝置之第一構造使用水噴射方法。一般而言，水 噴射方法噴射一高速，高壓水流至一目標，以切割或處理 如一陶瓷，金屬，混凝土，樹脂，橡膠，或樹木，由表面 移除一塗覆膜，或淸潔表面（參考*水噴射# ，Vo 1 . 1, No. 1，第 4 頁（1984))。 此分離裝置噴射一流體流至當成結合基底堆疊之易碎 構造之多孔層分離民域）以選擇性的使多孔層破裂，藉 以分離在多孔層上之基底堆疊。此流體流在此說明書中當 成一噴射流。形成噴射流之流體即爲噴射介質。關於噴射 介質方面，可使用水，例如乙醇之有機溶劑，如氫氟酸或 硝酸之酸，如氫氧化鉀之鹼，如空氣，氮氣，碳酸氣，稀 有氣體，或蝕刻氣體之氣體，或電漿。 當此分離應用以製造一半導體裝置或分離如結合基底 堆疊時，最好使用具有最少雜質金屬或顆粒之純水當成形 成噴射流之.流體》 <請先閱讀背面之注意事項再t本頁) 裝 l'SJ· -線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -23- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -45929 9 a7 _____B7______ 五、發明說明（21 ) 噴射流噴射狀況可依照分離區域之形式（如多孔層） 赉結合基底堆疊之側表面之形狀而定。關於噴射流噴射狀 況，如應用至噴射介質之壓力/噴射掃瞄速度，噴嘴寬度 或直徑（此直徑實質和噴射流直徑相同），噴嘴形狀，介 於噴嘴和分離區域間之距離，和噴射流之流速皆爲重要的 參數。 依照使用水噴射方法之分離方法，一結合基底堆疊可 分離成兩基底而不會破壞結合基.底堆疊 此分離裝置保持如一結合基底堆疊之樣本，並設定樣 本表面實質水平，和在此狀態中，分離在易碎構造（如， 多孔層）上之樣本。當樣本受到保持而其表面設定爲水平 時，（1)樣本可免於掉落，（2)樣本可輕易保持，（ 3)樣本可輕易傳送，（4)樣本可有效的在分離裝置和 另一裝置間傳送，和（5 )因爲構成元件可設置在垂直方 向，可降低分離裝置之投射區域（占據區域）。 圖6爲分離裝置咨篇一構造之示意圖。分離裝置 1000具有一對基底保持部份270和1010。 上基底保持部份2 70耦合至轉動軸1 40之一端。 轉動軸1 4 0之另一端經由一耦合件1 3 0耦合至馬達 1 1 0之轉動軸。馬達1 1 0和轉動軸1 40可不經由耦 合件1 3 0而是經由一皮帶或其它機構耦合。馬達1 1 0 固定至固定在上台1 7 0上之支持構件1 2 0。馬達以一 控制部份（未顯示）控制。 用以真空箝夾結合基底堆疊5 0在基底保持部份 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐〉 — — i — ili—· i ! ! I 訂·！ ! I ·線 (請先閱讀背面之注意事項再1!^本頁) -24 - 459299 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（22 ) 2 7 0上之真空線1 4 1延伸至轉動軸1 40。真空線 1_4 1經由一環1 5 0連接至外部真空線。外部真空線具 有一螺旋管閥（未顯示）。螺旋管閥依需要以控制部份（ 未顯示）開/關控制。基底保持部份2 7 0具有一吸入孔 2 7 1以真空箝夾結合基底堆疊5 0。吸入孔2. 7 1連接 至真空線141。吸入孔271，真空線14 1，和螺旋 管閥構.成基底保持部份2 7 0之真空箝夾機構。轉動軸 1 4Ό由上台1 7 0經由一軸承.1 6 0面支持。 下基底保持部份1 0 1 0具有一白努利（Bernoulli ) 夾盤1 0 1 3。白努利夾盤1 〇 1 3由遮蔽罩形夾盤之中 央噴射一氣體徑向沿著遮蔽罩和使用夾盤之中央部份具有 負壓之事實箝夾當成結合基底堆疊之樣本。 具有白努利夾盤1013之基底保持部份1010耦 合至升高軸1 0 2 0之一端。白努利夾盤1 0 1 3之氣體 導入部份1 0 1 1耦合至在升高軸1 0 2 0中之壓力線 1 0 2 1 。壓力線1 Q.2 1經由一環1 0 2 2連接至外部 壓力線。外部壓力線具有一螺旋管閥（未顯示）。螺旋管 閥依需要由控制部份（未顯示）開關控制。升高軸 1 0 2 0之另一端經由一耦合件3 3 0耦合至氣缸3 2 ◦ 之活塞桿。升高軸1 0 2 0由下台經由一往復/轉動導件 1 0 3 0所支持。 噴嘴3 0 4 0由上述正交機器人3 0 5 0所控制。氣 門3 0 3 0插入於噴嘴3 0 4 0和基底保持部份2 7 0和 1 0 1 0間。氣門3 0 3 0以馬達2 5 0開/關。當氣門 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） C請先閱讀背面之注意事項再 I *1 — t本頁) *'SJ· --線· -25- ，η 應 5 9 2 9 9 Α7 _______ Β7 五、發明說明（23) 3 0 3 0打開，且在此狀態時，噴射流由噴射3 0 4 0射 出^此噴射流可注入結合基底堆疊5 0中。當氣門 … (請先/«讀背面之注意事項再1!^本頁> 3 0 3 0關閉時，可停止噴射流之注入結合基底堆疊5 0 〇 以下說明分離裝置1 0’ 0 0之分離處理之過程。氣缸 3 2 0縮回活塞桿以形成適當的間隙在基底保持部份 270和基底保持部份1〇1〇間。在此狀態中，結合基 底堆疊5 0由標量機器人3 1 .5 0之機，器手3 1 5 2由下 側水平的支持，插入介於基底保持部份270和基底保持 部份1 0 1 0間之預定位置，和設置在基底保持部份 1 0 1 0 上。 圖7爲基底保持部份2 7 0和1 0 1 0之外觀之示意 圖。基底保持部份2 7 0和1 0 1 0在其外週緣部份上具 有多數導件2 7 0 a和1 〇 1 0 a以在分離時防止結合基 底堆疊引起位置移位或由基底保持部份突出。 爲了使標量機器人3 1 5 0之機器手3 1 5 2傳送結 合基底堆疊5 0至基底保持部份2 7 0或基底保持部份 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 1 0 1 0 ,而由下側支持結合基底堆疊5 0以箝夾每個分 離基底之下表面（上表面爲分離表面）和允許機器手從基 底保持部份2 7 0和1 0 1 0接收基底，多數導件 2 7 0 a和1 〇 1 〇 a最好以適當間隔安排，如圖7所示 ，因此機器手可進入或離開。例如，三個導件2 7 0 a和 三個導件1010a安排在120°之角間隔。 其次，.氣缸3 2 0延伸活塞桿以移動下基底保持部份 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） -26- 4 59 2 9 9 a? 一 B7 五、發明說明（24) 1 0 1 0向上直到結合基底堆疊5 0之上表面和上基底保 持-部份270之支持部份間具有一預定距離。 … <請先閲讀背面之注意事項再#本頁) 外部壓力線之螺旋管閥打開，和一氣體由基底保持部 份1 0 1 0之白努利夾盤1 0 1 3之中央徑向射出以箝夾 結合基底堆疊5 0。 馬達1 1 0受致動以傳送轉動力至轉動軸1 4 0。轉 動軸140，基底保持部份270,結合基底堆疊50, 基底保持部份1 0 1 0，和轉動軸1 〇 ,2 0整體的轉動。 當保持氣門3 0 3 0關閉時，連接至噴嘴3 0 4 0之 泵（未顯示）受致動以將一高壓噴射介質（例如，水）饋 至噴嘴3040。高壓噴射流由噴嘴3040噴出。當噴 射流穩定時，氣門3 0 3 0打開。由噴嘴3 0 4 0噴出之 噴射流連續的注入結合基底堆疊5 0之多孔層以開始分離 結合基底堆疊5 0。 當結合基底堆疊5 0之分離終止時，連接至噴嘴 3 0 4 0之泵之操作像止以停止噴射流注入結合基底堆疊 50。此時，馬達1 10之操作亦停止。 經濟部智慧財產局員工消費合作社即製 當保持基底保持部份1 0 1 0之白努利夾盤1 0 1 3 受到致動時，基底保持部份2 7 0之真空箝夾機構亦受到 致動。上分離基底受到基底保持部份2 7 0真空箝夾。相 似的，下分離基底受到基底保持部份1 0 1 0之白努利夾 盤之箝夾。 氣缸3 2 0縮回活塞桿以在基底保持部份2 7 0和基 底保持部份1 0 1 0間形成一適當間隙。兩分離基底互相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -27- A 5 9 2 9 9___B7 _ 五、發明說明（25) 間隔》 — 標量機器人3150之機器手3152插入基底和基 底保持部份1 0 1 0之白努利夾盤1 0 1 3間。機器手 3 1 5 2箝夾基底。而後，取消由基底保持部份1 〇 1 〇 之白努利夾盤1013之箝夾，和基底由基底保持部份 1 0 1 0傳送至機器手3 1 5 2。 標量機器人3 1 5 0之機器手3 1 5 2插入基底和基 底保持部份2 7 0間。機器手.3 1 5 2韻夾基底。而後， 取消由基底保持部份270之箝夾，和基底由基底保持部 份270傳送至機器手3152。 在結合基底堆疊5 0分離成兩基底後，噴射流呈現在 兩基底間。當噴射介質爲一液體（例如，水）诗，表面張 力相當大。因此，爲了以較小力分離兩基底，最好由噴嘴 3 0 4 0供應一噴射流至介於兩基底間之間隙。在此例中 ，在兩基底分離後，停止由噴嘴3040噴出噴射流。替 代的，亦可獨立的準備-使用以噴射一噴射流以分離兩基底 之機構。 (分離裝置之第二構造） 如同第一構造，此構造亦關於以一噴射流分離結合基 底堆疊之分離裝置。 圖8爲分離裝置之第二構造之示意圖。圖9爲圖8之 分離裝置之部份圖。分離裝置1 9 0 0具有一對基底保持 部份190.9和1901 =基底保持部份1909和 * , * 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐> ' -28- (請先閱讀背面之注专孝項再f本頁) ij· i線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ59299 A7 B7 五、發明說明（26 > 1 9 0 1藉由夾住結合基底堆疊5 0之上下側而保持結合 蟇底堆疊5 0。一噴射流由噴嘴3 0 4 0噴出且注入.結合 基底堆疊5 0之多孔層，藉以在多孔層上分離結合基底堆 疊5 0成爲兩基底。 下基底保持部份1 9 0 1具有凸支持部份1 9 0 3 , 其在結合基底堆疊5 0和基底保持部份1 9 0 1之表面間 形成一間隙，因此標量機器人3 1 5 0之機器手3 ‘1 5 2 可插入間隙中。支持部份1 9.0 3具有一吸入孔1 9 0 2 以真空箝夾結合基底堆疊5 0。基底保持部份1 9 0 1具 有一移位防止構件1 9 1 1環繞支持部份1 9 0 3。以例 如橡膠或樹脂製成之移位防止構件1911可防止結合基 底堆疊5 0在平面方向移動。以此移位防止構件1 9 1 1 ，結合基底堆疊5 0可藉由一小壓力或吸附力而保持。 基底保持部份1 9 0 1耦合至轉動軸1 9 0 4之一端 。轉動軸1 9 0 4由一支持台1 9 2 0經由一軸承 1 9 0 6而支持。軸承1 9 ◦ 6之上部份具有一密封構件 1 9 0 5用以密封形成在支持台1 9 2 0以通過轉動軸 1 9 0 4之開口部份。一真空線1 9 0 7延伸通過轉動軸 1 9 04。真空線1 9 07連接至基底保持部份1 9 0 1 之吸入孔1902。真空線1907亦經由一環1908 連接至外部真空線。轉動軸1 9 0 4藉由從轉動源所應用 之轉動力而耦合至轉動源（未顯示）以轉動。 基底保持部份1 9 0 9設置在基底保持部份1 9 0 1 上。基底保持部份1 9 0 9耦合至驅動機構1 9 3 0之驅 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） .!ΊΙ1-^!裝 i I <請先«讀背面之注意事項再h本頁)
-SJ --線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -29- A7 B7 459299 五、發明說明（27 ) 動軸1 9 1 0以由驅動機構1 9 3 0垂直移動》驅動軸 1-9 10由驅動機構1930轉動的軸向支持。 一- 上基底保持部份1 9 0 9具有凸支持部份1 9 1 2， 其在結合基底堆疊5 0和基底保持部份1 9 0 9之表面間 形成一間隙，因此標量機器人3 1 5 0之機器手3 1 5 2 可插入間隙中。支持部份1 9 1 2具有一吸入孔1 9 1 4 以真空箝夾結合基底堆疊5 0。基底保持部份1 9 0 9具 有一移位防止構件1 9 1 3環繞支持部喺1 9 1 2。以例 如橡膠或樹脂製成之移位防止構件1913可防止結合基 底堆疊5 0在平面方向移動。以此移位防止構件1 9 1 3 ，結合基底堆疊50可藉由一小壓力或吸附力而保持。 噴嘴3 0 4 0由上述正交機器人3 0 5 0所控制。氣 門3030插入噴嘴3040和基底保持部份1 90 1間 。氣門3030以馬達250 (未顯示）開關。當氣門打 開，且在此狀態時，噴射流可注入結合基底堆疊50。當 氣門3 0 3 0-關閉時止噴射流之注入結合基底堆疊 5 0=· 以下說明分離裝置1 9 0 0之分離處理之過程。首先 ,基底保持部份1 9 0 9藉由驅動機構1 9 3 0向上移動 以在基底保持部份1 9 0 9和基底保持部份1 9 0 1間形 成適當的間隙。在此狀態中，結合基底堆疊5 0由標量機 器人3 1 5 0之機器手3 1 5 2從下側水平的支持並設置 在基.底保持部份1 9 0 1之支持部份1 9 0 3上。基底保 持部份1 9. 0 9以驅動機構1 9 3 0向下移動以使基底保 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先《讀背面之注意事項再 * 5 . 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 45929 9 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 '_五、發明說明（28 ) 持部份1 9 0 9按壓結合基底堆疊5 0。基底保持部份 1-9 0 9和1 9 0 1由兩側按壓和保持結合基底堆疊5 0 〇 基底保持部份1901和1909之真空箝夾機構受 致動以箝夾結合基底堆疊5 0。一轉動源（未顯示）受致 動以傳送轉動力至轉動軸1 904。轉動軸1904，基 底保持部份1 9 0 1 ,結合基底堆疊5 0，和基底保持部 份1 9 0 9整體的轉動。 - 當保持氣門3 0 3 0關閉時，連接至噴嘴3 0 4 0之 泵（未顯示）受致動以將一高壓噴射介質（例如，水）饋 至噴嘴3040。一高壓噴射流由噴嘴3040射出。當 噴射流穩定時，氣門3 0 3 0打開。由噴嘴3 0 4 0射出 之噴射流連續的注入結合基底堆疊5 0之多孔層以開始分 離結合基底堆疊5 0。 當結合基底堆疊50之分離停止時，氣門關閉，和連 接至噴嘴3 Q 4 0之泵停止以停止噴射流注入結合基底堆 疊5 0。轉動軸1 9 0 4之驅動亦停止以停止結合基底堆 疊5 0之轉動。 基底保持部份1 9 0 1和1 9 0 9之真空箝夾再度受 到致動。上分離基底由基底保持部份1 9 0 9所箝夾。同_ 時，下分離基底由基底保持部份1 9 0 1所箝夾。基底保 持部份1 9 0 9以驅動機構1 9 3 0移動向上。兩分離基 底互相間隔。 標量機器人3 1 5 0之機器手3 1 5 2插入基底和基 ------------- ! Μ--- <請先聞讀背面之注意事項再t本頁) -'SJ· 線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -31 - A7 B7 459299 五、發明說明（29 ) 底保持部份1 9 0 1間。機器手3 1 5. 2箝夾基底。而後 ，--取消由基底保持部份1 9 0 1之箝夾，和基底由基底保 持部份1901傳送至機器手3152。 標量機器人3 1 5 0之機器手3 1 5 2插入基底和基 底保持部份1 9 0 9間。機器手3 15 2箝夾基底。而後 ，取消由基底保持部份1 9 0 9之箝夾，和基底由基底保 持部份1909傳送至機器手3152。 在結合基底堆疊5·0分離成兩基底.禮，噴射流呈現在 兩基底間。當噴射流爲液體（例如，水）時，表面張力相 當大。因此，爲了以較小力分離兩基底，最好由噴嘴 3 ◦ 4 0供應一噴射流至介於兩基底間之間隙。在此例中 ，在兩基底分離後，停止由噴嘴3040噴出噴射流。替 代的，亦可獨立的準備使用以噴射一噴射流以分離兩基底 之機構。 (分離裝置之，第三構造^)- 圖1 0和1 1爲分離裝置之第三_造之示意截面圖.》 圖1 0爲基底支持構件打開之狀態。圖1 1爲基底支持構 件關閉之狀態。 分離裝置4 0 0 0具有一對基底支持構件4 0 0 1和 4 0 0 4經由一鉸鏈部份4 0 0 3耦合。每個基底支持構 件4 0 0 1和4 0 0 4具有一環形以配合結合基底堆疊 5 0之側表面。基底支持構件4 0 0 1和4 0 0 4作用當 成封閉空間形成構件，其在夾住結合基底堆疊5 0時封閉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 592 9 9 A7 B7 五、發明說明（3〇) 且形成一封閉空間4 0 2 0環繞曝露有多孔層5 0 C之結 合-基底堆疊50之緣部份。 - 基底支持構件4 0 0 1和4 0 0 4分別具有密封構件-(例如，0形環）4 0 0 2和4 0 0 5以確保介於構件和 結合基底堆疊5 0間之氣密性。基底支持構件4 0 0 4具 有一密封構件4 0 0 8，以確保介於基底支持構件 4 0 0 1和4 0 0 4間之氣密性。 在分離裝置4 0 (V 0中，當結合基嚙堆疊5 0由基底 支持構件4 0 0 1和4 0 0 4從兩側夾住和支持時，基底 支持構件400 1由一鎖機構4007鎖住。 基底支持構件4 0 0 4具有一注入部份4 0 0 6用以 將一流體注入封閉空間4 0 2 0。注入部份4 0 0 6連接 至例如泵之壓力源4 0 1 1。封閉空間4 0 2 0充塡以由 壓力源4 0 1 1供應之流體（例如，水）。 基底支持構件4 0 0 1和/或4 0 0 4可具有一除氣 部份以移除在將流體注<入封閉空間4 0 2 0時產生之氣泡 ，和一閥以在壓力應用至在封閉空間4 0 2 0中之流體時 用以關閉除氣部份。 壓力源4 0 1 1應用壓力至充塡至封閉空間4 0 2 0 之流體。壓力源4 0 1 1最好具有一機構以調整應用至流 體之壓力。以此機構，應用至流體之壓力最好在結合基底 堆疊5 0之分離之初始級設定爲高，而後逐漸或步階降低 。例如，在分離之初始級，壓力設定爲20kg/cm2, 而後在分離之最終級逐漸降低至lkg/cm2。 • * 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規& (210 X 297公爱) ' " - -33-
^ 45929 9 A7 ____B7___ 五、發明說明（31 ) 下基底支持構件4 0 0 4由一支持台4 0 0 6所支持 。-支持台4 0 0 6具有一通氣孔4 ◦ 3 0以連通結合基底 堆疊5 0之下表面至外部大氣。結合基底堆疊5 0之下表 面保持在大氣壓力。支持台4 ◦ 0 6具有一氣紅4 0 1 0 接近中央部份。支持部份4 0 0 9接附至氣缸4 0 1 0之 活塞桿。當結合基底堆疊或分離基底接收/傳送至標量機 器人3150之機器手3152時，支持部份4009受 到向上推動。以此支持部份4 0.0 9，用以接收機器手 6 1 5 2之間隙形成在下基底支持構件4 0 0 4和結合基 底堆疊或分離基底間= 以下說明分離裝置4 0 0 0對結合基底堆疊5 0之分 離處理之過程。分離處理乃在例如大氣壓力下執行。 首先，基底支持構件4 0 0 1由鎖機構4 0 0 7解鎖 和打開，如圖1 1所示，和支持部份4 0 0 9向上移動。 結合基底堆疊5 0由標量機器人3 1 5 0之機器手 3 1 5 2設置在基底支，持構件4 0 0 4上。 如圖1 1所示，支持部份4 0 0 9向下移動，和基底 支持構件4 0 0 1由鎖機構4 0 0 7封閉和鎖住。在此狀 態下，封閉空間4 0 2 0環繞曝露有多孔層5 0 c之結合 基底堆疊5 0之緣部份形成。 —流體藉由壓力源4 0 1 1注入封閉空間4 0 2 0。 壓力藉由壓力源4 0 1 1應用至在封閉空間4 0 2 0中之 流體。實質靜止之流體壓力應用至曝露在結合基底堆疊 50之緣之.多孔層50c。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -34- 459299 A7 _____ B7 五、發明說明（32) 當所應用之壓力使曝露在結合基底堆疊5 0之緣之多 ?tr層5 0 C破裂時t開始分離。當流體注入破裂部份時， 多孔層5 0 C之破裂加速。當多孔層5 0 C之破裂加速時 ，流體充分的注入結合基底堆疊50。此時，因爲介於作 用在結合基底堆疊5 0之內部上之流體壓力和作用在未封 閉空間（和封閉空間不同之空間）上之壓力間之差異，一 分離力會作用在結合基底堆疊5 0上以分離基底5 0 a和 50b。以此分離力繼續分離。. - 當分離停止時，壓力源4 0 1 1受控制以設定封閉空 間4020在例如大氣壓力。而後，鎖機構4007解鎖 。基底支持構件4 0 0 1打開，和支持部份4 0 0 9向上 移動以在下基底支持構件4 0 0 4和分離之結合基底堆疊 間形成一適當間隙=標量機器人3 1 5 0之機器手 3152縮回上基底50a而後下基底5〇b。 在此例中，在上基底5 0 a由反向裝置3 1 3 0轉動 ,由淸潔/乾燥裝置3.. 1 2 0淸潔和乾燥，和儲存在第三 匣3 1 0 1後，或在上基底5 0 a傳送至反向裝置 3 1 3 0後，下基底5 0 b傳送至淸潔/乾燥裝置 3 12 0° (分離裝置之第四構造） 圖1 2爲分離裝置之第四構造之示意圖。分離裝置 5 0 0 0應用壓力至整個結合基底堆疊5 0以在多孔層上 分離結合基底堆疊50。 本紙張尺度適用中國國家標準議鑛格(2帅7公楚）—& I n n n f n I I 請先Jw讀背面之注§項再頁} . ;線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ’P_4 59 29 9 A7 B7 五、發明說明（33) 此分離裝置5 0 〇 0具有—密閉容器5 0 0 1以儲存 結·•合基底堆疊5 0和形成封閉空間，和—密閉蓋5 0 2 (請先閱讀背面之注意事項再f本頁) 用以開/關一開口部份，而標量機器人3 1 5 0之機器手 3 1 5 2可經由開口進入/離開密閉容器5 0 0 1 °密閉 容器5 0 0 1具有一樣本支持構件5 0 1 1以由下側支持 結合基底堆疊5 0。 .分離裝置500〇具有一注入埠5008用以供應流 體至封閉空間。注入埠_ 5 〇 0 8經由….閥5 0 0 9連接至 —泵5 0 1 0。分離裝置5 0 0 0亦具有一釋放焊 5006用以釋放在密閉容器5001中之流體。釋放埠 5 0 0 6連接至一釋放控制閥5 0 0 7 ° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 分離裝置5 0 0 0最好具有一震動源5 0 0 4用以應 用如超音波之震動能量至結合基底堆疊5 0。以此震動源 5 0 0 4,可執行兩步驟分離處理。在第—級中，壓力應 用至由密閉容器5 0 0 1所形成之封閉空間中以使在多孔 層中之空腔壁破裂，姐上所述。在第二級中，剩餘的空腔 壁由震動能所破裂，藉以完全分離在多孔層上之結合基底 堆疊5 0。 .以下說明由分離裝置5000之分離處理。首先，打 開密封蓋5 0 0 2 ,和結合基底堆疊傳送至密閉容器 5 0 0 1且藉由標量機器人3 1 5 0之機器手3 1 5 2而 設置在支持構件5 0 1 1上。 .而後，密封蓋5002關閉。致動泵5010，和閥 5 0 0 9打開以將流體注入封閉空間中。封閉空間之內部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -36 經濟部智慧財產局員工消費合作社印數 Λ592^9 Α7 ___Β7_' _ 五、發明說明（34 ) 壓力設定在預定壓力（第一分離處理啓始）。關於流體方 面_，可使用如水之液體或如空氣之氣體。關於流體方面， 可使用一蝕刻氣體或可選擇性蝕刻含空腔層之蝕刻劑。在 此例中，可有效的執行分離處理，且可降低在分離後剩餘 之空腔壁數目。 在此狀態中，處理等待一段預定時間。結合基底堆疊 50在多孔層上完全分離，或大部份的空腔壁破裂。其次 ，泵5 0 1 0停止，且閥5 0.0 9關閉〃閥5 0 0 7打開 以經由釋放埠5 0 0 6釋放在封閉空間中之流體，藉以將 在封閉空間中之壓力恢復至大氣壓力C第一分離處理終止 )。當使用會對自然環境造成負面影響之流體時，經由釋 放埠5 0 0 6釋放之流體受到回收且適當的處理。 震動源5 0 0 4受驅動以應用一震動能量至在密閉容 器中之結合基底堆疊5 0。以此處理，未破裂之空腔壁會 破裂，和結合基底堆疊5 0完全的分離（第二分離處理） 。第二分離處理可和第..一分離處理平行執行。 當一液體使用當成流體時，在封閉空間中之流體可依 需要藉打開閥5 0 0 7而釋放。密封蓋5 0 0 2打開。標 量機器人3 1 5 0之機器手3 1 5 2抽回上基底而後下基 底。在此例中，在上基底由反向裝置3130轉動，由淸 潔/乾燥裝置3 1 2 0淸潔和乾燥，和儲存在第三匣 3 1 0 1後，或在上基底傳送至反向裝置3 1 3 0後，下 基底傳送至淸潔/乾燥裝置3 1 2 0。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐〉 I I H I ^ ^ —^.1 ^ I ff i H I - I ^ I I I I I 一石，B I I n 1111 <請先閱讀背面之泫意事項再$本頁) -37- A7 B7 459299 五、發明說明（35 ) (標量機器人之機器手之其它構造） 一 以下說明標量機器人3 1 5 0之機器手之其它構造。 圖1 3A和1 3 B爲標量機器人3 1 5 0之機器手之另一 構造。圖13A爲平面圖，和圖13B爲沿圖13A之A 一 A /線所截取之截面圖。_圖1 3 A和1 3 B所示之機器 手具有U形主體9 0 0 4和保持部份9 0 0 1至9 0 0 3 以保持結合基底堆疊或分離基底之端部份。保持部份 9 0 0 1至9 0 0 3最好以例如P T F E製成。 具有此構造之機器手只與結合基底堆疊或分離基底之 端部份接觸。因此，結合基底堆疊或分離基底之表面不會 受到破壞。 具有此構造之機器手只與分離基底之端部份接觸。因 此，無論分離表面是否導引至上或下側，即使當分離基底 由下側保持著，基底表面亦不會受到破壞。 • 具有此構造之機器手保持結合基底堆疊或分離基底， 而調整結合基底堆疊霉分離基底以在平面方向移動。因此 ，可防止結合基底堆疊或分離基底之@落。 具有此構造之機器手可具有一箝夾機構在一個或所有 保持部份9001至9003上。在此例中，可有效的防 止結合基底堆疊或分離基底之掉落。此外，基底可由上側 受到支持。 具有此構造之機器手可具有一機構以轉動箝夾一分離 基底之主體9004達180°以反向基底。 依照本發明，由於可藉由樞轉轉動台而改變操作位置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 聞 讀 背 之 注 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •38- 4 5929 9 A7 ____B7 五、發明說明（36) ，因此可以高速執行一序列之處理操作。 - 本發明.並不限於上述之實施例，且於此仍可達成各種 改變和修飾，但其仍屬本發明之精神和範疇·»因此，本發 明之精神和範疇應由下述申請專利範圍界定之。 訂 -丨線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐）