JP2018006486A - 支持体分離装置、および支持体分離方法 - Google Patents

支持体分離装置、および支持体分離方法 Download PDF

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Abstract

【課題】反りのある積層体であっても支持体を分離することができる、新規の支持体分離装置を実現する。【解決手段】基板(54)と、光を透過する支持体(51)とを、光を吸収することにより変質する分離層(52)を介して積層してなる積層体(5)から、支持体(51)を分離する支持体分離装置(100)であって、積層体(5)を保持するための保持台(1)を備えており、保持台(1)は、積層体(5)を吸着するための吸着部(2)を備えた保持面(1a)と、保持台(1)に向かって積層体(5)を押圧する押圧部(3)と、を有している。【選択図】図1

Description

本発明は、積層体から支持体を分離する支持体分離装置、および支持体分離方法に関する。
半導体素子(電子部品)を含む半導体パッケージ(半導体装置)としては、WLP(Wafer Level Package)やPLP(Panel Level Package)等が知られている。WLPおよびPLP等の半導体パッケージには、ベアチップの端部にある端子をチップエリア内に再配置する、ファンイン型WLP(Fan-in Wafer Level Package)等のファンイン型技術と、チップエリア外に端子を再配置する、ファンアウト型WLP(Fan-out Wafer Level Package)等のファンアウト型技術とが知られている。
特に、ファンアウト型技術は、半導体装置の集積化、薄型化および小型化等を実現するため、注目を集めている。ファンアウト型技術は、パネル上に半導体素子を配置してパッケージ化する、ファンアウト型PLP(Fan-out Panel Level Package)に応用されており、半導体装置の生産性の向上が図られている。
ここで、例えば、特許文献1には、基板の反りを矯正した状態で吸着面に吸着することができる、基板吸着装置が開示されている。また、特許文献2には、基板の反り量に見合った場所に吸着ノズルのそれぞれを位置させて基板を吸着する、基板吸着方法が記載されている。
特開平5−190414号公報(1993年7月30日公開) 特開2003−25174号公報(2003年1月29日公開)
本願の発明者らは、ファンアウト型PLP技術の一つの方法として、支持体としてのガラスパネル上に、光を吸収することにより変質する分離層を介して、複数のチップを樹脂で封止した封止体基板を形成し、その後、光を照射することによって分離層を変質させることで、封止体基板から支持体を分離する装置および方法を検討している。具体的には、光照射後の積層体における封止体基板側の面を保持しながら、封止体基板と支持体とが離れる方向に力を加えることにより、封止体基板と支持体との分離を行う。PLP技術によって製造されたパネル型の積層体は薄く、大型であるため、積層体に反りが生じる。このような反りのある積層体を固定して、首尾よく支持体を分離することは困難であるという問題がある。
しかしながら、特許文献1および2には、反りを有する積層体から支持体を首尾よく分離する支持体分離装置について何ら開示されていない。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、反りのある積層体であっても支持体を分離することができる、新規な支持体分離装置を実現することにある。
上記の課題を解決するために、本発明に係る支持体分離装置は、基板と、光を透過する支持体とを、光を吸収することにより変質する分離層を介して積層してなる積層体から、当該支持体を分離する支持体分離装置であって、上記積層体を保持するための保持台を備えており、上記保持台は、上記積層体を吸着するための吸着部を備えた保持面と、上記保持台に向かって上記積層体を押圧する押圧部と、を有していることを特徴としている。
上記の課題を解決するために、本発明に係る支持体分離方法は、基板と、光を透過する支持体とを、光を吸収することにより変質する分離層を介して積層してなる積層体から、当該支持体を分離する支持体分離方法であって、上記積層体を、上記支持体側の面を上にして保持台に載置する載置工程と、上記保持台に向かって上記積層体を押圧する押圧工程と、上記積層体を上記保持台に吸着させる吸着工程と、を包含していることを特徴としている。
本発明によれば、反りのある積層体であっても支持体を分離することができるという効果を奏する。
本発明の一実施形態に係る支持体分離装置の概略の構成を説明する側面図である。 本発明の一実施形態に係る支持体分離装置が備えている保持台に積層体を保持した状態を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る支持体分離装置が備えている保持治具の概略の構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る支持体分離装置の動作の概略を説明する図である。 ファンアウト型PLP技術によって製造されたパネル型の積層体の構成の一例を概略的に示す図である。
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、記述した範囲内で種々の変形を加えた態様で実施できるものである。尚、本明細書において特記しない限り、数値範囲を表す「A〜B」は、「A以上、B以下」を意味する。
〔1.支持体分離装置〕
本発明に係る支持体分離装置は、基板と、光を透過する支持体とを、光を吸収することにより変質する分離層を介して積層してなる積層体から、当該支持体を分離する支持体分離装置であって、上記積層体を保持するための保持台を備えている構成である。
図1〜4を用いて、本発明の一実施形態に係る支持体分離装置100について詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る支持体分離装置100の概略の構成を説明する側面図である。
図2は、支持体分離装置100が備えている保持台1に積層体5を保持した状態を説明する図であり、図2の(a)は、斜視図であり、図2の(b)は、側面図であり、図2の(c)は、(b)の拡大図である。尚、説明の便宜上、図2では、保持台1以外の支持体分離装置100の構成についてはその図示を省略している。
図3は、支持体分離装置100が備えているトレイ(保持治具)4の概略の構成を示す図であり、図3の(a)は、上面図であり、図3の(b)は、図3の(a)におけるA−A’矢視断面図である。
図4の(a)〜(e)は、支持体分離装置100の動作の概略を説明する図である。
図1に示すように、本発明の一実施形態に係る支持体分離装置100は、保持台1と、支持体保持部6と、光照射部としてのレーザ照射部7とを備えている。そして、支持体分離装置100は、保持台1上に、光を透過する支持体51、光を照射することで変質する分離層52、接着層53および基板54をこの順に積層してなる積層体5を、トレイ4を介して保持台1に保持している。尚、本発明の一実施形態に係る支持体分離装置100は、基板54を下側に配置し、支持体51を上側に配置するようにして積層体5を保持台1上に保持している。
以下に、支持体分離装置100が備えている、保持台1、支持体保持部6およびレーザ照射部7について、より詳細に説明する。
(1.保持台1)
図2の(a)〜(c)に示すように、保持台1は、積層体5を保持するためのものであり、積層体5を吸着するための吸着部2を備えた保持面1aと、保持面1aに向かって積層体5を押圧するための押圧部としての一対のクランプ3と、を有している。
図2の(b)に示すように、保持台1は、積層体5を保持するためのトレイ(保持治具)4をさらに有しており、積層体5は、トレイ4を介して保持台1に保持されるようになっている。
以下に、保持台1の各構成について詳細に説明する。
(保持面1a)
保持台1の保持面1aには、積層体5を吸着するための吸着部2が設けられている。吸着部2は、保持面1aにおける積層体5の吸着に寄与する領域が意図される。上記「吸着に寄与する領域」とは、具体的には、積層体5を保持面1aに対して吸着させる力が及ぶ保持面1a上の領域をいう。例えば、積層体5と保持面1aとの間の気体(空気)を保持面1aに向かって吸引することによって、積層体5を保持面1aに対して吸着させる力を発生させることができ、この場合は、積層体5と保持面1aとの間で陰圧になっている領域が、上記「吸着に寄与する領域」となり、吸着部2に相当する。
本発明の一実施形態において、吸着部2は、図2の(b)および(c)に示すように、開口部(図示しない)と、吸着部材としてのOリング21とを有しており、Oリング21は、上記開口部を囲むようにして設けられている。上記開口部は、保持台1を貫通するように形成されており、保持台1の保持面1aとは反対側の面に設けられた吸引部22に接続されている。Oリング21は、保持面1aに形成された溝にその一部が埋め込まれた(嵌め込まれた)状態で設けられており、開口部から気体が排気されることにより、Oリング21が積層体5に密着するようになっている。
開口部から吸引した気体は、吸引部22を介して排気される。従って、吸着部2は、積層体5を保持するときには開口部から気体を排気して積層体5を保持面1aに対して減圧吸着し、積層体5の保持を解除するときには開口部からの気体の排気を停止するようになっている。尚、本実施形態においては、一つの開口部を備えている構成を示しているが、複数個の開口部を備えている構成とすることも可能である。複数個の開口部を備えている場合は、それぞれの開口部を別々の吸着部材で囲むように構成してもよく、全ての開口部を単一の吸着部材で囲むように構成してもよい。
本発明の他の実施形態において、吸着部材21は、Oリング以外のセルフシールパッキンを採用することも可能である。例えば、Oリング以外のスクィーズパッキン、またはリップパッキンを挙げることができる。Oリング以外のスクィーズパッキンとしては、Xリング、Dリング、Tリング等を使用することができる。リップパッキンとしては、Uパッキン、Vパッキン、Lパッキン、Jパッキン等を使用することができる。
吸着部2は、保持面1aにおける積層体5の吸着に寄与するように構成されていればよいため、吸着部材21を設けずに、開口部のみが設けられている構成であってもよい。しかし、吸着部2に、開口部を囲むようにして吸着部材21を設けることによって、積層体5と保持面1aとの密閉性を高めることができるため、吸着部2に、吸着部材21を設けることが好ましい。
また、吸着部2に吸着部材21を設ける場合は、保持台1に載置される積層体5の外周部分に対応する位置に、吸着部材21が設けられていることが好ましい。
本発明の他の実施形態において、吸着部2の開口部を貫通孔とする代わりに、ポーラスな(多孔質の)材質により形成することも可能である。この場合は、ポーラスな材質によって形成した開口部を介して積層体5と保持面1aとの間の気体(空気)を吸引することによって、保持面1aに積層体5を吸着させることができる。ポーラスな材質としては、例えば、ポリプロピレン、カーボン、アルミニウム、セラミック等を挙げることができる。
吸着部2は、積層体5の基板が損傷しない程度の力で、保持面1aに対して積層体5を吸着保持させることができる吸着力を有していればよい。「保持面1aに対して積層体5を吸着保持させることができる吸着力」とは、例えば、積層体5を支持体側の面を上にして保持面1aに吸着保持させた状態で、積層体5から支持体を分離するために積層体5に対して力を加えたときに、積層体5と保持面1aとの吸着が解除されない程度の吸着力が意図される。例えば、このような吸着力としては、50kPa以上、100kPa以下が好ましい。保持面1aに占める吸着部2の面積、開口部の開口の面積(開口部を複数備える場合は合計の面積)、吸引装置の能力等は、積層体5の大きさ、積層体5の基板に加わる吸着力を考慮して、適宜設定することができる。
保持台1の保持面1aは平坦であることが好ましい。保持台1の材質は特に限定されず、レーザ照射部7から照射されるレーザ光による損傷を受けない材質とすることができる。例えば、アルミニウム、セラミック等を用いて保持台1を構成することができる。かかる構成とすることにより、保持台1がレーザ光を照射されることによる損傷を受けない。また、積層体5の素子形成領域58に損傷を与えず、且つ素子形成領域58を汚染しない物質を被覆材として、保持台1の保持面1aを被覆してもよい。例えば、保持台1の保持面1aを、導電性シリコーンゴム、ゴアテックス(登録商標)等によって被覆してもよい。かかる構成とすることにより、積層体5の素子形成領域58に損傷を与えたり、素子形成領域58を汚染したりするおそれがない。
(押圧部3)
支持体分離装置100は、押圧部として、一対のクランプ3を、保持台1の保持面1aに備えている。図2の(c)に示すように、クランプ3は、クランプアーム31と、クランプアーム31の先端に設けたクランプバー32とを有している。クランプ3は、保持台1に対して回動可能に設けられている。
クランプ3は、クランプアーム31を保持面1aに向かって回動させて、積層体5の上面をクランプバー32によって押圧することによって、保持面1aに向かって積層体5を押圧する。これにより、保持面1aの吸着部2とトレイ4の下面との接触性、およびトレイ4の上面と積層体5との接触性を向上させることができる。また、積層体5に反りがある場合には、保持面1aに向かって積層体5を押圧することによって、積層体5の反りを較正することができるので、積層体5とトレイ4との接触性を向上させることができる。
クランプアーム31を回転駆動させる機構としては、公知のロータリーアクチュエータ等を用いることができる。クランプバー32の材質は特に限定されず、積層体5の支持体51の平面部を傷つけず、且つ当該平面部を汚染しない材質とすることができる。例えば、ゴム、アクリル系樹脂、導電性シリコン等の樹脂、ステンレス、アルミニウム等の金属を用いてクランプバー32を構成することができる。かかる構成とすることにより、積層体5の支持体51の平面部を傷つけたり、且つ当該平面部を汚染したりするおそれがない。
押圧部3が押圧する積層体5上の領域は特に限定されず、積層体5をトレイ4に十分に接触させることができる積層体5上の領域を、押圧部3によって押圧すればよい。従って、押圧部3は、積層体5の上面の全体を押圧するように構成されていてもよく、または、積層体5をトレイ4に十分に接触させることができる限りにおいて、積層体5の上面の一部の領域を押圧するように構成されていてもよい。
ここで、「積層体5をトレイ4に十分に接触させる」とは、積層体5をトレイ4に吸着保持できる程度に、積層体5とトレイ4とを接触させた状態が意図される。また、「積層体5をトレイ4に吸着保持できる」とは、例えば、積層体5を支持体側の面を上にしてトレイ4に吸着保持させた状態で、積層体5から支持体を分離するために積層体5に対して力を加えたときに、積層体5とトレイ4との吸着が解除されない状態が意図される。よって、積層体5をトレイ4に吸着保持できる限りにおいて、トレイ4の上面の一部が、積層体5に接触していない場合も、上記「積層体5をトレイ4に十分に接触させた」状態に含まれる。尚、押圧部3が押圧する積層体5上の領域について、積層体5を、トレイ4を介して保持面1aに載置する実施形態において説明したが、本発明の他の実施形態において、積層体5を保持面1aに直接載置することも可能である。この場合は、押圧部3が押圧する積層体5上の領域についての上記説明において、「トレイ4」を「吸着部2」に読み替えて説明を適用するものとし、詳細な説明は省略する。
図2の(a)に示すように、積層体5の上面の外周部分を押圧するように押圧部3を構成することが好ましい。積層体5の基板の外周部分には素子が形成されていないため、積層体5の外周部分を押圧するように押圧部3を構成することによって、基板を損傷することなく積層体5を押圧することができる。
また、図2の(c)に示すように、吸着部2において、保持台1に載置される積層体5外周部分に対応する位置に吸着部材21が設けられている場合に、押圧部3によって、積層体5の上面の外周部分を押圧することによって、押圧部3と吸着部材21とでトレイ4および積層体5を挟み込むことができる。これにより、吸着部材21とトレイ4の下面との接触性、およびトレイ4の上面と積層体5との接触性を向上させることができる。
積層体5の外周部分を押圧する場合は、積層体5をトレイ4に吸着保持できる限りにおいて、積層体5の外周部分の一部を押圧してもよく、積層体5の外周部分の全体を押圧してもよい。積層体5の外周部分の一部を押圧する場合は、積層体5の外周部分の少なくとも二箇所を押圧することが好ましい。また、この場合、積層体5の外周部分の一方の押圧位置(第1の押圧位置)から最も遠くなる位置を、他方の押圧位置(第2の押圧位置)とすることがより好ましい。これにより、積層体5をよりバランスよく押圧することができる。
押圧部3の積層体5に対する接触面の面積は特に限定されないが、積層体5の外周部分を押圧する場合は、図2の(a)に示すように積層体5が矩形である場合、積層体5の外周部分の一辺全体を押圧するように、押圧部3の積層体5に対する接触面を構成することが好ましい。
(トレイ4)
図3の(a)に示すように、トレイ(保持治具)4は、積層体を吸引するための貫通孔である開口部41を備えている。尚、図3の(a)においては、トレイ4が有する複数の開口部41のうち、一つの開口部41のみに符号を付し、他の開口部41については符号を省略している。
トレイ4は、積層体の基板における素子が形成されていない領域に対応する位置に、開口部41を複数有していることが好ましい。これにより、積層体の基板における素子が形成されていない領域を吸着して積層体を保持することができるので、素子を損傷する、素子に吸着痕が残る等の不具合が生じない。
トレイ4の大きさおよび形状は、積層体を保持できる限りにおいて、保持対象となる積層体の大きさおよび形状に応じて適宜設定することができる。トレイ4の大きさおよび形状を、保持対象となる積層体の大きさおよび形状と一致させてもよく、トレイ4の大きさを、積層体よりも大きくすることも可能である。トレイ4は、支持体を分離した後の基板を搬送する場合等に、基板の各構成要素の破損または変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。よって、トレイ4の厚さは、下限値が2mm以上であることが好ましく、10mm以上であることがより好ましい。また、トレイ4の厚さは、上限値が6mm以下であることが好ましい。
トレイ4は、アルミニウム、ステンレススチール等で形成することができる。トレイ4がアルミニウムで形成されている場合、少なくともトレイ4の積層体を載置する側の面(すなわち、光照射工程において光が照射される面)がアルマイト処理されていることが好ましい。
一実施形態において、ファンアウト型PLP技術によって製造されたパネル型の積層体用の保持治具を、保持対象となる積層体と同一の大きさおよび形状とすることができる。例えば、ファンアウト型PLP技術によって製造されたパネル型の積層体用の保持治具を、長手方向が515mm、短手方向が510mm、厚さ4mmの矩形のアルマイト処理されたアルミニウム製の板状体とすることができる。
また、開口部41の大きさおよび形状については特に限定されないが、同一の大きさおよび形状を有する複数の開口部41が、等間隔に設けられていることが好ましい。これにより、積層体を均等な力でバランスよく吸引することができる。
ここで、積層体の一例として、ファンアウト型PLP技術によって製造されたパネル型の積層体の構成の一例を、図5を参照して説明する。図5は、ファンアウト型PLP技術によって製造されたパネル型の積層体の構成の一例を概略的に示す図であり、図5の(a)は、ファンアウト型PLP技術によって製造されたパネル型の積層体を、封止体基板側の面から見た上面図であり、図5の(b)は、(a)の破線で囲った領域Aの側面図である。
図5の(b)に示すように、一実施形態において、ファンアウト型PLP技術によって製造されたパネル型の積層体5(以下、「パネル型積層体5」と称する。)は、支持体としてのパネル51上に、光を吸収することにより変質する分離層52と、接着層53と、封止体基板54とが、この順に形成されている。封止体基板54は、素子55と、素子55を封止している封止材57と、素子55上に形成された再配線層56とを備えている。封止体基板54は、複数の素子55を備えており、このような封止体基板54をダイシングすることにより、複数の電子部品を得ることができる。尚、パネル型積層体5が備えている各部材の構成については、後述する「4.積層体5」の項で詳細に説明する。
図5の(a)に示したパネル型積層体5の封止体基板54における素子55および再配線層56が形成されている領域を、「積層体の基板における素子が形成されている領域58」(以下、「素子形成領域58」と称する。)と称し、これ以外の領域を「積層体の基板における素子が形成されていない領域」(以下、「素子非形成領域57」と称する。)と称する。尚、図5の(a)では、塗りつぶし部分が素子非形成領域57を表し、塗りつぶし部分の内側は全て素子形成領域58を表し、塗りつぶし部分の外側はパネル51を表している。
図5の(a)に示すように、パネル型積層体5においては、素子非形成領域57が格子状に形成されている。よって、パネル型積層体5用のトレイ4としては、図3の(a)に示すように、開口部41を格子状に配置することが好ましい。また、トレイ4は、素子形成領域58(図5の(a))に対応する位置に、凹部43を有していることが好ましい。尚、図3の(a)においては、トレイ4が有する複数の凹部43のうち、一つの凹部43のみに符号を付し、他の凹部43については符号を省略している。
図3の(a)および(b)に示すように、トレイ4が凹部43を有している場合、素子非形成領域57(図5の(a))に対応する位置は凸部42となっている。尚、図3の(a)では、塗りつぶし部分が凸部42を表している。そして、図3の(b)に示すように、開口部41は、凸部42に設けられている。かかる構成とすることにより、トレイ4の凸部42のみが、パネル型積層体の素子非形成領域57(図5の(a))と接触することになる。つまり、素子形成領域58(図5の(a))とトレイ4とが接触しない。このため、パネル型積層体の素子を損傷することなく、パネル型積層体を吸着保持することができる。
凹部43の深さは特に限定されないが、一実施形態において、例えば、凸部42の厚さが4mmである場合、凹部43の厚さを3.5mmとすることができる(すなわち、凹部43の深さを0.5mmとすることができる。)。
トレイ4の凸部42は、トレイ4の本体と同じ材料で形成することができるが、トレイ4がアルミニウムで形成されている場合、凸部42は、アルマイト処理されていることが好ましい。また、トレイ4の凹部43は、パーフルオロポリエチレン(PTFE)等のフッ素系樹脂等の樹脂、或いは、ゴアテックス(登録商標)等の複合樹脂材料で被覆されていることが好ましい。
一実施形態において、トレイ4は、外周部にダクト(排気部、図示しない)を有していることが好ましい。これにより、支持体を分離した後に生じる分離層等の残渣である粉塵を、ダクトから支持体分離装置の外に排気することができる。
(2.レーザ照射部7)
支持体分離装置100は、光照射部としてのレーザ照射部7を備えている。図4の(c)に示すように、レーザ照射部7は、光を照射する前における積層体5の分離層52に支持体51を介して光を照射し、分離層52を変質させる。
レーザ照射部7は、保持台1に保持された積層体5の上を走査することにより、支持体51を介して分離層52の全面にレーザ光を照射する。
レーザ照射部7が分離層52に照射する光としては、分離層52が吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザおよびファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、ArレーザおよびHe−Neレーザ等の気体レーザ、並びに、半導体レーザおよび自由電子レーザ等のレーザ光を適宜選択すればよい。また、分離層52を変質することができれば、非レーザ光を照射してもよい。分離層52に照射する光としては、これに限定されないが、例えば、600nm以下の波長の光であり得る。レーザ出力、パルス周波数は、分離層の種類、厚さおよび基板の種類等の条件に応じて適宜調整すればよい。
尚、レーザ照射部7による分離層52への光の照射は、レーザ照射部7および保持台1を相対的に移動させることによって行えばよい。従って、他の実施形態に係る支持体分離装置において、レーザ照射部7および保持台1の両方を相対的に移動させることにより、分離層52に光を照射してもよい。
(3.支持体保持部6)
支持体保持部6は、光を照射した後の積層体5における支持体51を保持して分離するためのものである。支持体保持部6は、減圧部(図示しない)に連通している複数の吸着部61を備えており、吸着部61を介して支持体51を保持する。支持体保持部6は、支持体51の周縁部分を吸着するように構成されている。尚、支持体保持部6は、昇降部(図示しない)によって保持台1における積層体5を載置する面に対して垂直に昇降させることができる。
その後、図1に示すように、吸着部61に支持体51を吸着した状態にて支持体保持部6を持ち上げることで、支持体51を持ち上げることができる。このとき、積層体5は、分離層52が変質している。すなわち、積層体5は、分離層52がわずかな外力を受けて破壊され得る状態、または分離層52と接する層との接着力が低下した状態となっている。このため、支持体保持部6が支持体51を持ち上げるときに加えられるわずかな力によって、分離層52が破壊される。よって、積層体5から支持体51を好適に分離することができる。尚、上記「分離層52と接する層との接着力が低下した状態」とは、分離層52がその接する層(例えば、接着層53または支持体51)から脱離している状態も含み得る。
支持体保持部6が有している吸着部61としては、例えば、公知の吸着パッドを用いることができるが、減圧吸着することができるものであれば、吸着パッド以外のものを吸着部として採用することも可能である。
本発明の他の実施形態に係る支持体分離装置において、支持体保持部6を、吸着部の代わりに、ツメ部(例えば、クランプ等)を備えるように構成し、保持台1に吸着保持した積層体5における支持体51の周縁部分端部の面取り部位を、支持体保持部6によって把持することにより力を加えて、基板54と支持体51とを分離してもよい。
(4.積層体5)
支持体分離装置100によって支持体51を分離する対象となる積層体5の一例として、PLP技術の一例である、ファンアウト型PLP技術によって製造されたパネル型の積層体の構成の一例を、図5を参照して説明する。図5の(b)に示すように、ファンアウト型PLP技術によって製造されたパネル型の積層体5(以下、「パネル型積層体5」と称する。)は、支持体としてのパネル51上に、光を吸収することにより変質する分離層52と、接着層53と、封止体基板54とが、この順に形成されている。
(パネル51)
支持体としてのパネル51は、封止体基板54をパネル51上に形成する場合、封止体基板54を搬送する場合等に、封止体基板54の各構成要素の破損または変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。また、パネル51は、パネル51上に形成された分離層52を変質させることができる波長の光を透過させる材料によって形成されていればよい。
パネル51の材料としては、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂等を用いることができるが、これらに限定されない。パネル51の形状としては、通常、矩形の板状のものを用いることができる。一実施形態において、パネル51は、長手方向が515mm、短手方向が510mm、厚さ1.3mmの矩形のガラス製パネルである。
(分離層52)
分離層52は、パネル51を介して照射される光を吸収することにより変質する層である。分離層52は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、分離層の本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層52を形成してもよい。
一実施形態において、分離層52は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層52は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度または接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、パネル51を持ち上げる等)ことによって、分離層52が破壊されて、パネル51と封止体基板54とを分離し易くすることができる。分離層52を構成するフルオロカーボンは、プラズマCVD(化学気相堆積)法によって好適に成膜することができる。
また、他の実施形態において、例えば、分離層52は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体、無機物、赤外線吸収性の構造を有する化合物、および反応性ポリシルセスキオキサン等を用いて形成されてもよい。尚、分離層52における光の吸収率は80%以上であることが好ましい。
分離層52の厚さは、下限値が0.05μm以上であることが好ましく、0.3μm以上であることがより好ましい。また、分離層52の厚さは、上限値が、50μm以下であることが好ましく、1μm以下であることがより好ましい。分離層52の厚さが0.05μm〜50μmの範囲に収まっていれば、短時間の光の照射および低エネルギーの光の照射によって、分離層52に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層52の厚さは、生産性の観点から1μm以下の範囲に収まっていることが特に好ましい。
本明細書において、分離層が「変質する」とは、分離層がわずかな外力を受けて破壊され得る状態、または分離層と接する層との接着力が低下した状態にさせる現象を意味する。光を吸収することによって生じる分離層の変質の結果として、分離層52は、光の照射を受ける前の強度または接着性を失う。つまり、光を吸収することによって、分離層は脆くなる。分離層の変質とは、分離層が、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化または官能基の解離等を生じることであり得る。分離層の変質は、光を吸収した結果として生じる。
よって、例えば、支持体を持ち上げるだけで分離層が破壊されるように変質させて、支持体と封止体基板54とを容易に分離することができる。より具体的には、例えば、支持体分離装置等により、積層体における基板および支持体の一方を載置台に固定し、吸着手段を備えた吸着パッド(保持部)等によって他方を保持して持ち上げることで、支持体と基板とを分離する、または支持体の周縁部分端部の面取り部位を、クランプ(ツメ部)等を備えた分離プレートによって把持することにより力を加え、基板と支持体とを分離するとよい。また、例えば、接着剤を剥離するための剥離液を供給する剥離手段を備えた支持体分離装置によって、積層体における基板から支持体を剥離してもよい。当該剥離手段によって積層体における接着層の周端部の少なくとも一部に剥離液を供給し、積層体における接着層を溶解させることにより、当該接着層が溶解したところから分離層に力が集中するようにして、基板と支持体とに力を加えることができる。このため、基板と支持体とを好適に分離することができる。
尚、積層体に加える力は、積層体の大きさ等により適宜調整すればよく、限定されるものではないが、例えば、面積が40000〜70000mm程度の積層体であれば、0.98〜49N(0.1〜5kgf)程度の力を加えることによって、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。
(接着層53)
接着層53は、封止体基板54をパネル51上に固定するために用いられる。接着層53は、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法によって、分離層52上に接着剤を塗布することによって形成することができる。
接着層53の厚さは、パネル51および封止体基板54の種類等に応じて適宜設定することができる。例えば、分離層52の厚さは、下限値が10μm以上であることが好ましく、15μm以上であることがより好ましい。また、分離層52の厚さは、上限値が150μm以下であることが好ましく、100μm以下であることがより好ましい。
また、接着剤が含有する樹脂、つまり、接着層53が含有する樹脂としては、接着性を備えたものであればよい。例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂、ポリサルホン系樹脂等、またはこれらを組み合わせたもの等を接着層53が含有する樹脂としてより好ましく用いることができる。また、接着剤は、塗布作業性を調整するための希釈溶剤が含まれていることが好ましい。ここで、希釈溶剤は、接着層が含有する樹脂との相溶性を考慮して、適宜選択すればよい。
接着層53を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤および界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
(封止体基板54)
封止体基板(基板)54は、素子55と、素子55を封止している封止材57と、素子55上に形成された再配線層56とを備えている。封止体基板54は、複数の素子55を備えており、このような封止体基板54をダイシングすることにより、複数の電子部品を得ることができる。
素子55は、半導体素子またはその他の素子であり、単層または複数層の構造を有し得る。尚、素子55が半導体素子である場合、封止体基板54をダイシングすることにより得られる電子部品は、半導体装置となる。
再配線層56は、RDL(Redistribution Layer)とも呼ばれ、素子55に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層または複数層の構造を有し得る。一実施形態において、再配線層56は、誘電体(例えば、酸化シリコン(SiO)、感光性エポキシ等の感光性樹脂等)に、導電体(例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金等の金属等)によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。
封止材57としては、例えば、エポキシ系の樹脂、シリコン系の樹脂等を用いることができる。一実施形態において、封止材57は、素子55毎に設けられているものではなく、接着層53に実装された複数の素子55の全てを一体的に封止しているものである。
尚、図5の(b)に示した封止体基板54では、再配線層56は、封止体基板54が接着層53と接する側と反対の面に設けられているが、他の実施形態において、再配線層56は、封止体基板54が接着層53と接する側の面に設けられていてもよい。
<その他の積層体>
支持体分離装置100によって支持体を分離する対象となる積層体は、基板と、光を透過する支持体とを、光を吸収することにより変質する分離層を介して積層してなる積層体であればよい。従って、図5に示した積層体のように、分離層52と基板54との間に接着層53を有している積層体のみならず、分離層と基板との間に接着層を有していない積層体もこのような積層体の範疇に含まれる。例えば、接着層を有していない積層体には、接着性を有している分離層を介して、基板と支持体とを貼り付けてなる積層体を挙げることができる。ここで、接着性を有している分離層には、例えば、硬化型樹脂または熱可塑性樹脂であって光吸収性を備えている樹脂を用いて形成される分離層、および、接着性を有している樹脂に光を吸収する材料を配合してなる分離層等を挙げることができる。硬化型樹脂または熱可塑性樹脂であって光吸収性を備えている樹脂を用いて形成される分離層には、例えば、ポリイミド樹脂を用いて形成される分離層を挙げることができる。また、接着性を有している樹脂に光を吸収する材料を配合してなる分離層には、例えば、アクリル系紫外線硬化型樹脂にカーボンブラック等を配合してなる分離層、および粘着性樹脂にグラスバブルスの赤外線吸収材料等を配合してなる分離層等を挙げることができる。尚、これら分離層も、接着性の有無によらず、光を吸収することで変質する分離層の範疇である。
また、図5では、片側の面にのみ支持体を有している積層体を、積層体の一例として説明したが、基板の両面に支持体を有している積層体も、支持体分離装置100に好適に適用することができる。
また、積層体5に設けられている基板54は、封止体基板に限定されず、シリコンウエハ基板、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板とすることができる。
〔2.支持体分離装置の動作〕
本発明の一実施形態に係る支持体分離装置100の動作を、図4を参照して説明する。
(1.パネル型積層体5の載置:載置工程)
まず、クランプ3のクランプアーム31を開いて、クランプバー32を、パネル型積層体5に重ならない位置(位置A)に、移動させる。ここで、上記「パネル型積層体5に重ならない位置」とは、パネル型積層体5の上面側から見たときに、パネル型積層体5とクランプバー32とが重なって見えない位置(例えば、図4の(a)に示す位置)をいう。そして、パネル型積層体5を、パネル(支持体)51側の面を上にして、トレイ4を介して保持台1に載置する(図4の(a))。
載置工程において、パネル型積層体5を、トレイ4を介して保持台1に載置する順序としては、(i)パネル型積層体5をトレイ4に載置してから、トレイ4を保持台1に載置してもよく、または、(ii)保持台1にトレイ4を載置し、その上にパネル型積層体5を載置してもよい。
パネル型積層体5を、トレイ4を介して保持台1に載置する順序が(i)および(ii)のいずれの順序である場合も、トレイ4において凸部42および開口部41が設けられている領域(図3の(a))と、パネル型積層体5の素子非形成領域57(図5の(a))とが当接し、且つトレイ4において凹部43が設けられている領域(図3の(a))と、パネル型積層体5の素子形成領域58(図5の(a))とが当接するように、トレイ4とパネル型積層体5とを位置合わせした上で、パネル型積層体5をトレイ4に載置することが好ましい。これにより、パネル型積層体5の素子非形成領域57(図5の(a))を吸着するので、吸着によって、素子を損傷する、素子に吸着痕が残る等の不具合が生じない。また、パネル型積層体5の素子形成領域58(図5の(a))とトレイ4とが接触しないため、素子を損傷することなく、パネル型積層体5を吸着保持することができる。
そして、トレイ4を、吸着部2を囲うように保持台1に載置する。ここで、「吸着部2を囲うように」とは、保持台1にトレイ4を載置した状態で、トレイ4の上面側から見たときに、吸着部2が見えない状態をいう。
(2.パネル型積層体5の押圧:押圧工程)
次に、クランプアーム31を閉じて、クランプバー32を、パネル型積層体5の上面(すなわち、パネル型積層体5の支持体側の面)に接する位置(位置B)に移動して、パネル型積層体5のパネル側の面を保持台1に向かって押圧する(図4の(b))。
(3.パネル型積層体5の吸着:吸着工程)
クランプバー32がパネル型積層体5を押圧した状態を維持しながら、保持面1aに設けられた開口部(図示しない)に接続した吸引部22から気体を排気することにより、パネル型積層体5を、トレイ4の開口部(図示しない)を介して吸引する。これによって、パネル型積層体5が保持台1に吸着保持される(図4の(b))。尚、パネル型積層体5が保持台1に吸着保持された状態は、パネル型積層体5からパネル51が分離されるまで維持される。
このように、支持体分離装置100では、パネル型積層体5を保持台1に向かって押圧することによって、反りのあるパネル型積層体5が平坦になるように反りを較正することができる。これにより、反りのあるパネル型積層体5を好適に吸着保持することができる。尚、押圧工程を終了するまでに吸着工程を開始し、且つ押圧工程終了後も吸着工程が継続されていればよく、吸着工程と押圧工程とは、どちらを先に開始してもよい。例えば、吸着工程を先に開始して吸着工程を継続しながら押圧工程を開始してもよく、押圧工程と吸着工程とを同時に開始してもよい。
(4.分離層52に対する光照射:光照射工程)
次に、クランプ3のクランプアーム31を開いて、クランプバー32によるパネル型積層体5の押圧状態を解除する。さらに、クランプバー32を、パネル型積層体5に重ならない位置(位置A)に移動させる。そして、光照射部7から、パネル型積層体5の分離層の種類に応じて選択されたレーザ光Lを、パネル51を介して分離層52の全面に照射する(図4の(c))。これにより、分離層52を変質させて、パネル51と封止体基板54とを容易に分離可能な状態とすることができる。レーザ光の照射条件(レーザ出力、レーザ光の繰り返し周波数、レーザ光の走査速度等)は、分離層52の種類、分離層52の厚さ、および封止体基板54の種類等の条件に応じて適宜調整することができる。
反りのある積層体では、反りによって分離層52の位置が上下するため、分離層52にレーザ光の焦点位置を合わせることが容易ではなかった。これに対して、支持体分離装置100では、反りのあるパネル型積層体5が平坦になるように、反りを較正して吸着保持することができるので、積層体の分離層52の位置とレーザ光の焦点の位置とが大きくずれるおそれがない。このため、分離層52に効率よくレーザ光を照射することができる。
(5.パネル51の分離:分離工程)
次いで、クランプバー32を、パネル型積層体5に重ならない位置(位置A)に移動させた状態で、支持体保持部6を、吸着部61がパネル型積層体5の上面に当接する位置まで降下させて、パネル51を吸着保持する。そして、支持体保持部6を、鉛直方向(図4の(d)に示した矢印の方向)に上昇させることによって、パネル51を鉛直方向に引き上げる。これにより、パネル型積層体5からパネル51が分離される(図4の(d))。
尚、積層体に加える力は、積層体の大きさ等により適宜調整すればよく、限定されるものではないが、分離層が光を照射されることにより変質しているため、0.98〜147N(0.1〜15kgf)程度の力を加えることによって、封止体基板とパネルとを好適に分離することができる。
また、積層体に加える力の方向は、支持体と基板とが互いに離れる方向であれば、鉛直方向でなくともよい。
他の実施形態において、支持体と基板との分離は、支持体保持部6および保持台1を、支持体保持部6と保持台1とが離れる方向に相対的に移動させることによって行えばよい。従って、他の実施形態に係る支持体分離装置において、支持体保持部6および保持台1の両方を相対的に移動させることにより、支持体と基板とを分離してもよい。または、支持体保持部6を固定し、保持台1のみを支持体保持部6に対して相対的に移動させることにより、支持体と基板とを分離してもよい。
次いで、クランプ3のクランプアーム31を閉じて、クランプバー32を、パネル型積層体5に接触しないが重なる位置(位置C)に移動させる。ここで、上記「パネル型積層体5に接触しないが重なる位置」とは、パネル型積層体5とクランプバー32とは接触していないが、パネル型積層体5の上面側から見たときに、パネル型積層体5とクランプバー32とが重なって見える位置(例えば、図4の(d)に示す位置)をいう。
そして、パネル51を吸着保持した状態の支持体保持部6を、鉛直方向(図4の(e)に示した矢印の方向)に降下させて、パネル51をクランプバー32上に載置する。その後、支持体保持部6の吸着状態を解除する(図4の(e))。
最後に、保持面1aに設けた開口部(図示しない)からの気体の排気を停止することによって、パネル51が分離された封止体基板54の保持状態を解除する。
パネル51が分離された封止体基板54は、トレイ4に載置された状態で支持体分離装置から搬出される。そして、その後、洗浄装置(図示しない)における接着層53および分離層52の残渣の洗浄による除去(除去工程)を受ける。
除去工程では、パネル51が分離された封止体基板54に残留している接着層53と分離層52とを除去する。例えば、有機溶剤を含んでいる洗浄液等によって接着層53および分離層52の残渣を除去する洗浄工程を行う。洗浄液としては、例えば、接着剤の希釈溶剤や、アルカリ性を示す溶剤(特に、アミン系化合物)等を用いることができるが、これに限定されない。これにより、単離された封止体基板54を得ることができる。
単離された封止体基板54は、トレイ4に載置された状態でダイシング装置におけるダイシング(ダイシング工程)を受けて、各チップに分割される。ダイシング工程の前に、封止体基板54にソルダーボールを形成してもよく、また、封止体基板54上に、さらに別の素子を積層してもよい。
パネル51が分離された封止体基板54は、トレイ4に載置された状態で、装置から装置への搬送、および洗浄、ダイシング等の処理を受けることができる。これにより、分離工程後の、基板を処理する工程(洗浄工程、ダイシング工程等)において、非常に薄い封止体基板54(例えば、厚さ0.5μm以下)を、損傷することなく搬送および処理することができる。
従来技術では、支持体を分離した後の基板をダイシングするために、ダイシングテープを用いる。ダイシングテープは、積層体における基板側の平面部に粘着層を介して貼着されるので、ダイシングテープが基板の配線面に接触することにより、配線面を損傷したり、配線面にゴミが付着したりするおそれがある。また、ダイシングテープを剥離した後に配線面に粘着層が残ることで、電気特性が変わってしまうという問題を有している。これに対して、本発明の一実施態様に係る支持体分離装置では、トレイ4により支持体から分離した基板を保持するため、ダイシングテープを用いる必要性がない。よって、基板の配線面を損傷したり、粘着層が配線面に付着することによって電気特性が変化したりすることを防ぐことができる。また、トレイ4に載置した状態にて、厚さ0.5μm程度であり、可撓性を有している封止体基板54をパネル51から分離することができ、封止体基板54をトレイ4に載置したままの状態で、支持体分離装置100の外に首尾よく搬出することができる。
<他の実施形態に係る支持体分離装置>
本発明の他の実施形態に係る支持体分離装置は、分離層に光を照射する光照射部を備えていなくてもよい。この場合、支持体分離装置の外部に設けた光照射装置を用いて積層体の分離層を変質させた後に、支持体分離装置にこの積層体を搬送して、積層体から支持体を分離してもよい。
また、本発明の他の実施形態に係る支持体分離装置は、保持治具を有していなくてもよい。例えば、基板の両面が支持体によって支持されたサンドウィッチ型の積層体の場合は、保持治具を介さずに、直接、保持台に吸着保持させることも可能である。
〔3.支持体分離方法〕
本発明に係る支持体分離方法は、基板と、光を透過する支持体とを、光を吸収することにより変質する分離層を介して積層してなる積層体から、当該支持体を分離する支持体分離方法であって、上記積層体を、上記支持体側の面を上にして保持台に載置する載置工程と、上記保持台に向かって上記積層体を押圧する押圧工程と、上記積層体を上記保持台に吸着させる吸着工程と、を包含している。
本発明の一実施形態に係る支持体分離方法は、上述した支持体分離装置100の各実施形態であり、上記「2.支持体分離装置の動作」の項で説明したとおりである。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
〔まとめ〕
本発明を以下のように表現することもできる。
本発明の態様1に係る、支持体分離装置は、基板と、光を透過する支持体とを、光を吸収することにより変質する分離層を介して積層してなる積層体から、当該支持体を分離する支持体分離装置であって、上記積層体を保持するための保持台を備えており、上記保持台は、上記積層体を吸着するための吸着部を備えた保持面と、上記保持台に向かって上記積層体を押圧する押圧部と、を有している構成である。
本発明の態様2に係る支持体分離装置は、上記の態様1において、上記保持台は、上記積層体を保持するための保持治具をさらに有しており、上記保持治具は、上記積層体を吸引するための開口部を備えており、上記吸着部を囲うように上記保持台に載置されている構成としてもよい。
本発明の態様3に係る支持体分離装置は、上記の態様2において、上記保持治具は、上記積層体の上記基板における素子が形成されていない領域に対応する位置に、上記開口部を複数有している構成としてもよい。
本発明の態様4に係る支持体分離装置は、上記の態様3において、上記保持治具は、上記開口部が格子状に配置されている構成としてもよい。
本発明の態様5に係る支持体分離装置は、上記の態様2から4のいずれか1態様において、上記保持治具は、上記積層体の上記基板における素子が形成されている領域に対応する位置に、凹部を有している構成としてもよい。
本発明の態様6に係る支持体分離装置は、上記の態様2から5のいずれか1態様において、上記保持治具は、外周部に排気部を有している構成としてもよい。
本発明の態様7に係る支持体分離装置は、上記の態様1から6のいずれか1態様において、上記押圧部は、上記保持台に対して回動可能に設けられている構成としてもよい。
本発明の態様8に係る、支持体分離方法は、基板と、光を透過する支持体とを、光を吸収することにより変質する分離層を介して積層してなる積層体から、当該支持体を分離する支持体分離方法であって、上記積層体を、上記支持体側の面を上にして保持台に載置する載置工程と、上記保持台に向かって上記積層体を押圧する押圧工程と、上記積層体を上記保持台に吸着させる吸着工程と、を包含している方法である。
本発明の態様9に係る支持体分離方法は、上記の態様8において、上記載置工程では、上記積層体は、保持治具を介して上記保持台に載置され、上記吸着工程では、上記積層体は、上記保持治具の開口部を介して吸引されることで上記保持台に吸着される方法としてもよい。
1 保持台
1a 保持面
2 吸着部
21 Oリング(吸着部材)
22 吸引部
3 クランプ(押圧部)
31 クランプアーム
32 クランプバー
4 トレイ(保持治具)
41 開口部
42 凸部
43 凹部
5 パネル型積層体(積層体)
51 パネル(支持体)
52 分離層
53 接着層
54 封止体基板(基板)
55 素子
56 再配線層
57 封止材
58 素子形成領域
6 支持体保持部
61 吸着部
7 レーザ照射部(光照射部)
100 支持体分離装置

Claims (9)

  1. 基板と、光を透過する支持体とを、光を吸収することにより変質する分離層を介して積層してなる積層体から、当該支持体を分離する支持体分離装置であって、
    上記積層体を保持するための保持台を備えており、
    上記保持台は、上記積層体を吸着するための吸着部を備えた保持面と、
    上記保持台に向かって上記積層体を押圧する押圧部と、を有していることを特徴とする、支持体分離装置。
  2. 上記保持台は、上記積層体を保持するための保持治具をさらに有しており、
    上記保持治具は、上記積層体を吸引するための開口部を備えており、上記吸着部を囲うように上記保持台に載置されていることを特徴とする、請求項1に記載の支持体分離装置。
  3. 上記保持治具は、上記積層体の上記基板における素子が形成されていない領域に対応する位置に、上記開口部を複数有していることを特徴とする、請求項2に記載の支持体分離装置。
  4. 上記保持治具は、上記開口部が格子状に配置されていることを特徴とする、請求項3に記載の支持体分離装置。
  5. 上記保持治具は、上記積層体の上記基板における素子が形成されている領域に対応する位置に、凹部を有していることを特徴とする、請求項2から4のいずれか1項に記載の支持体分離装置。
  6. 上記保持治具は、外周部に排気部を有していることを特徴とする、請求項2から5のいずれか1項に記載の支持体分離装置。
  7. 上記押圧部は、上記保持台に対して回動可能に設けられていることを特徴とする、請求項1から6のいずれか1項に記載の支持体分離装置。
  8. 基板と、光を透過する支持体とを、光を吸収することにより変質する分離層を介して積層してなる積層体から、当該支持体を分離する支持体分離方法であって、
    上記積層体を、上記支持体側の面を上にして保持台に載置する載置工程と、
    上記保持台に向かって上記積層体を押圧する押圧工程と、
    上記積層体を上記保持台に吸着させる吸着工程と、を包含していることを特徴とする、支持体分離方法。
  9. 上記載置工程では、上記積層体は、保持治具を介して上記保持台に載置され、
    上記吸着工程では、上記積層体は、上記保持治具の開口部を介して吸引されることで上記保持台に吸着されることを特徴とする、請求項8に記載の支持体分離方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102242409B1 (ko) * 2019-09-19 2021-04-20 한국원자력연구원 핵연료 판 회수 장치 및 이를 이용한 핵연료 판 회수 방법
KR102271085B1 (ko) * 2019-10-01 2021-06-29 유상원 블라인드 가동줄용 안전 손잡이

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284434A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Lintec Corp 半導体ウェハの移載装置
JP2002236292A (ja) * 2001-02-09 2002-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルの製造方法および基板貼り合わせ装置
JP2006303012A (ja) * 2005-04-18 2006-11-02 Nitto Denko Corp 支持板分離装置およびこれを用いた支持板分離方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5810517B2 (ja) * 2010-12-02 2015-11-11 富士電機株式会社 吸着装置および吸着方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284434A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Lintec Corp 半導体ウェハの移載装置
JP2002236292A (ja) * 2001-02-09 2002-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルの製造方法および基板貼り合わせ装置
JP2006303012A (ja) * 2005-04-18 2006-11-02 Nitto Denko Corp 支持板分離装置およびこれを用いた支持板分離方法

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