TWI701441B - 具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置 - Google Patents

具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI701441B
TWI701441B TW107137359A TW107137359A TWI701441B TW I701441 B TWI701441 B TW I701441B TW 107137359 A TW107137359 A TW 107137359A TW 107137359 A TW107137359 A TW 107137359A TW I701441 B TWI701441 B TW I701441B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
temperature
chamber
film
chip
adjusted
Prior art date
Application number
TW107137359A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202016554A (zh
Inventor
甘中元
Original Assignee
鋒華科技股份有限公司
甘中元
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 鋒華科技股份有限公司, 甘中元 filed Critical 鋒華科技股份有限公司
Priority to TW107137359A priority Critical patent/TWI701441B/zh
Priority to KR1020190058342A priority patent/KR102242139B1/ko
Priority to CN201910519990.2A priority patent/CN111090013B/zh
Publication of TW202016554A publication Critical patent/TW202016554A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI701441B publication Critical patent/TWI701441B/zh

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2862Chambers or ovens; Tanks
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2881Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to environmental aspects other than temperature, e.g. humidity or vibrations
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2891Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2893Handling, conveying or loading, e.g. belts, boats, vacuum fingers
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00Control of temperature
    • G05D23/19Control of temperature characterised by the use of electric means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本發明揭露一種具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置,包含:一第一腔室(Chamber),一覆晶薄膜進入或離開第一腔室,並於第一腔室中進行覆晶薄膜之測試;一溫度調整腔,覆晶薄膜進入溫度調整腔後,覆晶薄膜之溫度獲得預先調整至一第一設定溫度;一溫度回溫腔,覆晶薄膜進入溫度回溫腔後,覆晶薄膜之溫度獲得回溫至一第二設定溫度;一通道,連通溫度調整腔與溫度回溫腔,並讓覆晶薄膜於通道中移動;以及一推板(Pusher plate),推板預先調整至第一設定溫度後,用以支撐通道中之覆晶薄膜,使通道中之覆晶薄膜於開口中測試區以接觸一探針卡,並在測試規範溫度中測試該覆晶薄膜;其中,第一腔室包覆溫度調整腔、溫度回溫腔、通道、以及推板。

Description

具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置
本發明係關於一種捲帶式覆晶薄膜(Chip on film,COF)測試裝置,尤指一種具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置。
目前捲帶式覆晶薄膜測試裝置由於缺乏預先調整溫度的機制,只針對推板(Pusher plate)進行溫度調整,但由於覆晶薄膜為不易傳導溫度之材質,且推板接觸覆晶薄膜時間極短,覆晶薄膜溫度尚未達到預設溫度時已測試完畢,故無法使覆晶薄膜真正在預設溫度中進行測試。
除此之外,在車用規範低溫、或軍用規範低溫、或工業用規範低溫下進行測試時,覆晶薄膜因冷凝水氣造成結霜或結冰而導致測試不良、以及損壞覆晶薄膜及機台相關元件,也是欲解決的問題。
本發明目的之一,在於提供預先調整溫度與回溫的機制。
本發明目的之一,在於提供緩衝調整溫度與回溫的機制。
本發明目的之一,可避免覆晶薄膜冷凝水氣造成結霜或結冰。
本發明目的之一,能使覆晶薄膜在測試規範溫度範圍內進行測試。
本發明為一種具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置,包含:一第一腔室(Chamber),一覆晶薄膜進入或離開第一腔室,並於第一腔室中進行覆晶薄膜之測試;一溫度調整腔,覆晶薄膜進入溫度調整腔後,覆晶薄膜之溫度獲得預先調整至第一設定溫度;一溫度回溫腔,覆晶薄膜進入溫度回溫腔後,覆晶薄膜之溫度獲得回溫至第二設定溫度;一通道,連通溫度調整腔與溫度回溫腔,並讓覆晶薄膜於通道中移動;一推板(Pusher plate),推板預先調整至第一設定溫度後,用以支撐通道中之覆晶薄膜,使通道中之覆晶薄膜於開口中測試區以接觸一探針卡,並在測試規範溫度中測試該覆晶薄膜;以及一主鍊輪,設置於該推板之一側邊,該主鍊輪透過旋轉使該覆晶薄膜進入或離開該第一腔室;其中,第一腔室包覆溫度調整腔、溫度回溫腔、通道、推板、以及主鍊輪。
在本發明一實施例中,具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置更包含:一第二腔室,連通第一腔室並用以提供一乾燥空氣輸入至第一腔室;一第三腔室,連通第一腔室,接收乾燥空氣,且第三腔室以供該溫度調整腔之溫度與濕度緩衝;一第四腔室,連通第一腔室,接收乾燥空氣,且第四腔室以供該溫度回溫腔之溫度與濕度緩衝;其中,第一腔室接收乾燥空氣,且該第一腔室之側壁與探針卡交界面具有一孔洞,孔洞被管路所銜接。
100‧‧‧裝置
N‧‧‧虛框
O‧‧‧開口
A~E‧‧‧腔室
MS1、MS2‧‧‧主鍊輪
COF‧‧‧覆晶薄膜
A1‧‧‧溫度調整腔
A2‧‧‧溫度回溫腔
101‧‧‧通道
102‧‧‧推板
SS1、SS2‧‧‧副鍊輪
Test Side CCD‧‧‧感光元件
P‧‧‧探針卡
103‧‧‧隔簾
K‧‧‧底面
T‧‧‧通管
H‧‧‧孔洞
10‧‧‧溫度調整緩衝腔
11‧‧‧溫度回溫緩衝腔
TZ‧‧‧測試區
U1、U2‧‧‧輪組
10-1~10-2、11-1~11-2‧‧‧空間
X‧‧‧區域
BM‧‧‧正負離子源出口
TM‧‧‧溫度調整吹口
圖1A顯示本發明具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置於一實施例之側剖面示意圖。
圖1B顯示腔室A~E、管路T及孔洞H之立體示意圖。
圖1C顯示圖1A虛框N處放大圖。
圖1D顯示圖腔室A之立體示意圖。
圖1E顯示圖1B移除管路T與感光元件Test Side CCD之側面示意圖。
圖1F為圖1E之X區域放大圖。
圖2顯示溫度調整腔A1與溫度調整緩衝腔10、或溫度回溫腔A2與溫度回溫緩衝腔11透視圖。
請參考圖1A與圖1B,圖1A顯示本發明具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置於一實施例之側剖面示意圖,圖1B顯示腔室A~E、管路T及孔洞H之立體示意圖。在本發明一實施例中,具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置100包含:腔室A~E,其中,腔室E連通腔室A,腔室A連通腔室B~D,且腔室E用以提供一乾燥空氣輸入。腔室D中置放有初始對位用的感光元件Alignment CCD(圖未示)、腔室E中置放校正測試位置用的感光元件Test Side CCD;由於感光元件Alignment CCD或Test Side CCD需要處於乾燥環境,腔室E因有乾燥空氣輸入,故可維持腔室A~E內的空氣乾燥。
其中,感光元件Alignment CCD用以初始時測試探針之針尖對位於覆晶薄膜COF的接觸點(Input Pin or Output Pin)使用,其中接觸點位本圖未示出;感光元件Test Side CCD係用以校正每一個覆晶薄膜COF之接觸點位置使用。
在本發明中,覆晶薄膜COF在腔室中移動的路線依序為腔室B、A、C;且腔室E位於腔室A之側邊,且腔室E透過一管路T連通腔室A;另外腔室B位於腔室A之上側,腔室C位於腔室A之下側,而腔室D與腔室E相對於腔室A係設置於同一側邊。
腔室A中包含有:兩個主鍊輪(Main Sprocket)MS1與MS2、溫度調整腔A1、溫度回溫腔A2、通道101、推板102;請注意,主鍊輪MS1與MS2、溫度調整腔A1、溫度回溫腔A2、通道101、推板102係被腔室A所包覆。
在本實施例中,測試規範溫度為一車用規範低溫、 或軍用規範低溫、或工業用規範低溫,為求簡潔,本實施例係用車用規範低溫進行說明,但本發明不應以此為限。
主鍊輪MS1與MS2分別設置於推板102之兩側邊,主鍊輪MS1與MS2透過旋轉使覆晶薄膜COF進入或離開腔室A;當覆晶薄膜COF進入腔室A的溫度調整腔A1後,覆晶薄膜COF之溫度在溫度調整腔A1獲得預先調整至一設定溫度。在一實施例中,溫度調整腔A1係輸入低溫空氣。
通道101具有一開口O,如圖1C之通道101放大圖所示。其中,溫度調整腔A1與溫度回溫腔A2之開口係相對而設置,且通道101連通溫度調整腔A1與溫度回溫腔A2,通道101的寬度與高度均大於覆晶薄膜COF之寬度與厚度。在本實施例中,溫度調整腔A1與溫度回溫腔A2之開口係位於同一鉛垂線上。
接著請同時參考圖1D,推板102在測試過程中,推板102將預先調整至設定溫度後,推板102用以支撐該通道中之覆晶薄膜COF,使覆晶薄膜COF抵靠推板102而平整,最後通道101中之覆晶薄膜COF於開口O中測試區TZ以接觸一探針卡P,並在設定溫度中測試覆晶薄膜COF;當測試完成後,覆晶薄膜COF移動至度溫度回溫腔A2進行溫度回溫,意即覆晶薄膜COF獲得溫度補償回到接近常溫,以避免覆晶薄膜COF立即接觸腔室A或腔室A之外之溫度,造成冷凝現象。
本實施例中車用規範低溫為-40~-55℃,亦即測試規範溫度可實質上為-40~-55℃;因溫度調整腔A1預先將覆晶薄膜COF進行降溫至接近-65℃,當覆晶薄膜COF在溫度調整腔A1降溫後,主鍊輪MS1與MS2進行旋轉而連帶使覆晶薄膜COF由上往向下移動至通道101內,且通道101為垂直地面;接著,推板102亦已預先降溫至接近-65℃,已降溫的推板102係左移接觸位於通道101內的覆晶薄膜COF,推板102用以支撐通道101中之覆晶薄膜COF,使通道101中的覆晶 薄膜COF平整,最後通道101中之覆晶薄膜COF於開口O中測試區TZ以接觸探針卡P,並在測試規範溫度所規範低溫中測試覆晶薄膜COF,覆晶薄膜COF不因接觸傳導而散失溫度。
除此之外,為了避免覆晶薄膜COF在降溫的過程中有冷凝水氣而結冰或結霜的情況發生,裝置100在腔室E輸入了乾燥空氣。
在本實施例中,腔室B連通腔室A接收乾燥空氣,且腔室B以供溫度調整腔A1之溫度與濕度緩衝用,因溫度調整腔A1提供低溫空氣,故溫度調整腔A1中空氣之溫度會低於常溫,為避免由溫度調整腔A1散溢的空氣接觸常溫空氣而凝結水氣,故腔室B用來作為溫度調整腔A1之溫度與濕度緩衝用,可避免溫度調整腔A1之空氣之直接接觸常溫空氣;相反地,腔室C連通腔室A接收乾燥空氣,腔室C以供溫度回溫腔A2之溫度與濕度緩衝用,因溫度回溫腔A2提供高溫空氣,故溫度回溫腔A2空氣之溫度高於常溫,故腔室C用來作為溫度調整腔A2之溫度與濕度緩衝用,避免溫度回溫腔A2直接散溢的空氣溫度過高。
請注意,探針卡P與腔室A接觸之側壁之交界面具有一孔洞H,孔洞H與管路T連通,換言之,孔洞H被管路T所銜接,孔洞H亦可視為來自腔室E輸入乾燥空氣至腔室A之管路或路徑。
在本發明一實施例中,孔洞H為一方型凹槽,管路T亦為方形中空管路,管路T之外殼與方形凹槽相嵌合以形成腔室E輸入乾燥空氣至腔室A之路徑。於一實施例中,在一低溫測試的過程,因應需求,例如亦可將低溫空氣注入於腔室A中,藉以減少開口O的溫度散失。
在一實施例中,腔室E之主體為一階梯形之立體結構,部分側壁與腔室D、腔室A相鄰,腔室E之一底面K連通管路T,管路T自底面K平行腔室A之側壁延伸並垂直 於孔洞H之法線,進而連通至孔洞H。須注意者,本實施例之測感光元件Test Side CCD之鏡頭係對準孔洞H。
請同時參考圖1E與圖1F,圖1E顯示圖1B移除管路T與感光元件Test Side CCD之側面示意圖,圖1F為圖1E之X區域放大圖。在一實施例中,為了避免因覆晶薄膜COF進入腔室B後均在乾燥空氣中移動而帶有靜電,使得探針卡P接觸覆晶薄膜COF過程中產生靜電放電(Electrostatic Discharge,ESD)造成覆晶薄膜COF或測試電路之傷害,故裝置100可在探針卡P週邊裝設有複數個正負離子源出口BM,正負離子源出口BM係對準開口O產生正負離子來中和靜電,以避免靜電放電,尤其針對在測試區TZ的前一個覆晶薄膜COF進行中和靜電;請注意,在測試區TZ的前一個覆晶薄膜COF,因在測試之前因乾燥空氣而累積靜電,正負離子源出口BM可避免測試時因電路導通覆晶薄膜COF使得靜電流動產生靜電傷害。
在一實施例中,裝置100同時可以設置複數個溫度調整吹口TM,溫度調整吹口TM係對準開口O吹出預設溫度空氣,以避免覆晶薄膜COF移動至開口O時,因接觸腔室A之空氣溫度而使得覆晶薄膜COF溫度無法達到設定溫度。
在本發明一實施例中,腔室B中設置有一個副鍊輪(Sub Sprocket)SS1,腔室C中亦設置有一個副鍊輪SS2,副鍊輪SS1設置於主鍊輪MS1之上方,副鍊輪SS2設置於主鍊輪MS2之下方。在本實施例中,覆晶薄膜COF係以水平角度進入腔室B,且腔室B之覆晶薄膜COF係以45度之角度進入腔室A,再透過輪組U1轉換成水平180度進入溫度調整腔A1;相對應地,覆晶薄膜COF在溫度回溫腔A2水平180度進入腔室A,經輪組U2轉換角度為45度進入腔室C。
請同時參考圖2,圖2顯示溫度調整腔A1與溫度調整緩衝腔10、或溫度回溫腔A2與溫度回溫緩衝腔11之透視圖,腔室A中另有溫度調整緩衝腔10與溫度調整腔A1 之側邊連接,且在溫度調整緩衝腔10中設置有隔簾103,隔簾103設置於溫度調整緩衝腔10的上蓋(圖未示)並垂直於覆晶薄膜COF。隔簾103將溫度調整緩衝腔10分隔成複數個空間10-1、10-2;請注意,由於空間10-1最靠近溫度調整腔A1,故空間10-1溫度將高於-65℃,而在相鄰的空間10-2加入高溫空氣混合以過露點溫度,再由覆晶薄膜COF進入溫度調整緩衝腔10之入口漏出於腔室A,如此是為了避免溫度調整腔A1的低溫空氣,直接由覆晶薄膜COF的入口散逸至腔室A或腔室B,故利用隔簾103區隔出的複數空間,使來自調整腔A1的低溫空氣與高溫空氣混合來升溫,避免腔室A或腔室B凝結水氣或結霜。
一實施例中,為了避免溫度調整腔A1的低溫空氣由覆晶薄膜COF的入口散逸至腔室A或腔室B時,因溫度調整腔A1的低溫空氣遠低於腔室A,必然造成腔室A凝結水氣而結冰或結霜,故空間10-2輸入有高溫空氣與低溫空氣混合,使空間10-2的空氣溫度高於露點。
相對應地,溫度回溫腔A2之側邊連結設置有溫度回溫緩衝腔11,且在溫度回溫緩衝腔11中亦設置有隔簾103,隔簾103設置於溫度回溫緩衝腔11的下蓋(圖未示)並垂直於覆晶薄膜COF。隔簾103將溫度回溫緩衝腔11分隔成複數個空間11-1、11-2;請注意,溫度回溫腔A2輸入預設溫度空氣,溫度回溫腔A2中的預設溫度空氣可為100℃以上之空氣所實現,由於覆晶薄膜COF移動時將推動隔簾103,而覆晶薄膜COF靜止時則隔簾103為垂直於覆晶薄膜COF,故隔簾103可以用來減少在溫度回溫腔A2的預設溫度空氣直接散逸至腔室A。除此之外,由於空間11-1最靠近溫度回溫腔A2,故空間11-1溫度將接近100℃,而相鄰的空間11-2溫度會低於空間11-1,在空間11-2加入低溫乾燥空氣是為了避免溫度回溫腔A2的高溫空氣,直接由覆晶薄膜COF的出口散逸至腔室A或腔室C,利用隔簾103區隔出的複數空間,使來自 溫度回溫腔A2的高溫空氣混合低溫乾燥空氣降溫;換言之,由覆晶薄膜COF進入腔室A的出口散逸至腔室A或腔室C時,因空間11-2的高溫空氣遠高於腔室A,故空間11-2輸入有低溫空氣與來自溫度回溫腔A2的高溫空氣混合,使空間11-2的空氣溫度接近常溫並由覆晶薄膜COF進入腔室A的出口漏出至腔室A。
請注意,若測試規範溫度為一車用規範高溫、或軍用規範高溫、或工業用規範高溫時,舉例而言,若設定溫度為車用規範高溫,則測試規範溫度可以調整為125~140℃,此時各腔室溫度亦可隨使用者需求進行調整;空間10-2、11-2、以及溫度調整吹口TM所輸出的溫度空氣、以及溫度調整腔A1與溫度回溫腔A2內的空氣均為乾燥空氣。
綜上所述,本發明具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置,能解決習知技術覆晶薄膜真正在設定溫度的範圍中進行測試的問題;除此之外,由於具備有預先調整溫度及緩衝調整溫度的腔室,腔室均彼此連通且輸入乾燥空氣,可以確保工作環境處於乾燥狀態,避免冷凝水氣造成結霜或結冰而導致測試不良,更可避免覆晶薄膜及機台相關元件而造成的損壞;最後,由於作為溫度緩衝用的腔室更有隔簾的設計,來避免預設溫度空氣的散逸,同時減少散逸的預設溫度空氣流動而造成覆晶薄膜無法達到測試規範溫度的問題。
100‧‧‧裝置
N‧‧‧虛框
O‧‧‧開口
A~C、E‧‧‧腔室
MS1、MS2‧‧‧主鍊輪
COF‧‧‧覆晶薄膜
A1‧‧‧溫度調整腔
A2‧‧‧溫度回溫腔
101‧‧‧通道
102‧‧‧推板
SS1、SS2‧‧‧副鍊輪
Test Side CCD‧‧‧感光元件
10‧‧‧溫度調整緩衝腔
11‧‧‧溫度回溫緩衝腔
U1、U2‧‧‧輪組

Claims (11)

  1. 一種具有預先調整溫度的覆晶薄膜(Chip of film,COF)測試裝置,包含:一第一腔室(Chamber),一覆晶薄膜進入或離開該第一腔室,並於該第一腔室中進行該覆晶薄膜之測試;一溫度調整腔,該覆晶薄膜進入該溫度調整腔後,該覆晶薄膜之溫度獲得預先調整至一第一設定溫度;一溫度回溫腔,該覆晶薄膜進入該溫度回溫腔後,該覆晶薄膜之溫度獲得回溫至一第二設定溫度;一通道,連通該溫度調整腔與該溫度回溫腔,並讓該覆晶薄膜於該通道中移動;一推板(Pusher plate),該推板預先調整至該第一設定溫度後,用以支撐該通道中之該覆晶薄膜,使該通道中之該覆晶薄膜於一開口的一測試區以接觸一探針卡,並在一測試規範溫度中測試該覆晶薄膜;以及一主鍊輪,設置於該推板之一側邊,該主鍊輪透過旋轉使該覆晶薄膜進入或離開該第一腔室;其中,該第一腔室包覆該溫度調整腔、該溫度回溫腔、該通道、該推板、以及該主鍊輪。
  2. 根據請求項1所述的具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置,其中,該裝置更包含:一第二腔室,連通該第一腔室並用以提供一乾燥空氣輸入至該第一腔室,且該第二腔室與該第一腔室之間具有一管路;一第三腔室,連通該第一腔室,接收該乾燥空氣,且該第三腔室以供該溫度調整腔之溫度與濕度緩衝;以及 一第四腔室,連通該第一腔室,接收該乾燥空氣,且該第四腔室以供該溫度回溫腔之溫度與濕度緩衝;其中,該第一腔室接收該乾燥空氣,且該第一腔室之側壁與該探針卡交界面具有一孔洞,該孔洞被該管路所銜接。
  3. 根據請求項2所述的具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置,其中,該第二腔室用以置放一第一感光元件。
  4. 根據請求項3所述的具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置,其中,該溫度調整腔與該溫度回溫腔係被分別輸入一第一預設溫度空氣與一第二預設溫度空氣。
  5. 根據請求項4所述的具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置,其中,該裝置包含一溫度調整緩衝腔與一溫度回溫緩衝腔,且該溫度調整緩衝腔與該溫度回溫緩衝腔分別包含:一隔簾,將溫度調整緩衝腔或該溫度回溫緩衝腔分隔成複數個空間,該隔簾用以減少在該溫度調整腔的該第一預設溫度空氣、或在該溫度回溫腔的該第二預設溫度空氣直接散逸至該第一腔室。
  6. 根據請求項5所述的具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置,其中,該覆晶薄膜在該些空間中進行溫度調整或溫度回溫。
  7. 根據請求項6所述的具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置,其中,該裝置更包含:一第五腔室,連通該第一腔室,接收該乾燥空氣且該第五腔室用以置放一第二感光元件。
  8. 根據請求項7所述的具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置,其中,該測試規範溫度為一車用規範低溫、或軍 用規範低溫、或工業用規範低溫;且該第三腔室之溫度高於該溫度調整腔,且該第四腔室之溫度低於該溫度回溫腔。
  9. 根據請求項7所述的具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置,其中,該測試規範溫度為一車用規範高溫、或軍用規範高溫、或工業用規範高溫;且該第三腔室之溫度低於該溫度調整腔,且該第四腔室之溫度低於該溫度回溫腔。
  10. 根據請求項1所述的具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置,其中,該裝置包含:一正負離子源出口,設置於該探針卡週邊,用以產生一正離子或一負離子至該開口,以中和位於在該開口中之該測試區之前的該覆晶薄膜的靜電。
  11. 根據請求項4所述的具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置,其中,該裝置包含:一溫度調整吹口,設置於該探針卡週邊,用以吹出一第三預設溫度空氣。
TW107137359A 2018-10-23 2018-10-23 具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置 TWI701441B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107137359A TWI701441B (zh) 2018-10-23 2018-10-23 具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置
KR1020190058342A KR102242139B1 (ko) 2018-10-23 2019-05-17 사전 조정된 온도가 구비된 롤링 칩 온 필름 테스트 장치
CN201910519990.2A CN111090013B (zh) 2018-10-23 2019-06-17 具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107137359A TWI701441B (zh) 2018-10-23 2018-10-23 具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202016554A TW202016554A (zh) 2020-05-01
TWI701441B true TWI701441B (zh) 2020-08-11

Family

ID=70394025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107137359A TWI701441B (zh) 2018-10-23 2018-10-23 具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102242139B1 (zh)
CN (1) CN111090013B (zh)
TW (1) TWI701441B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6445203B1 (en) * 1998-12-08 2002-09-03 Advantest Corporation Electric device testing apparatus
CN104215892A (zh) * 2013-05-31 2014-12-17 立锜科技股份有限公司 测试操作机与测试载具以及相关测试方法
TW201534944A (zh) * 2014-03-03 2015-09-16 Techwing Co Ltd 測試分選機及測試分選機中測試托盤的循環方法
WO2017056461A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 セイコーエプソン株式会社 電子部品搬送装置および電子部品検査装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1138063A (ja) 1997-07-16 1999-02-12 Advantest Corp エージング装置
KR20050031598A (ko) 2003-09-30 2005-04-06 삼성전자주식회사 반도체 소자용 테스트 핸들러
CN101522916B (zh) * 2006-08-02 2012-09-05 三星电子株式会社 薄膜化学分析设备和使用该设备的分析方法
JP5047188B2 (ja) * 2006-11-09 2012-10-10 株式会社アドバンテスト Tcpハンドリング装置および当該装置における接続端子の位置合わせ方法
TWM310340U (en) * 2006-11-13 2007-04-21 Princeton Technology Corp Test system for testing chips
WO2008132936A1 (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Advantest Corporation Tcpハンドリング装置
CN101325192B (zh) * 2008-06-13 2010-08-04 友达光电(苏州)有限公司 易于测量温度的基板及其制造方法
CN102096052B (zh) * 2010-12-17 2012-11-21 哈尔滨工业大学 三维低温超导薄膜线圈超导特性测试设备与测试方法
CN102573256B (zh) * 2012-01-18 2015-05-27 日氟荣高分子材料研发(上海)有限公司 一种静电去除系统及其去除薄膜表面静电的用途
CN103792443B (zh) * 2012-11-01 2016-09-28 国家纳米科学中心 探针台、有机薄膜器件的制备与测试集成系统及其方法
CN203965758U (zh) * 2014-05-08 2014-11-26 青岛海信电器股份有限公司 一种背光模组散热结构
CN104357810A (zh) * 2014-11-04 2015-02-18 大连理工常州研究院有限公司 一种同轴微波等离子体沉积薄膜的设备
CN106558570B (zh) * 2015-09-24 2019-05-17 联咏科技股份有限公司 覆晶薄膜封装
TWI611193B (zh) * 2016-10-25 2018-01-11 致茂電子股份有限公司 測試座防結露模組及具備該模組之電子元件檢測裝置
KR101894911B1 (ko) 2017-01-16 2018-09-04 주식회사 에이티테크놀러지 Tab용 핸들링 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6445203B1 (en) * 1998-12-08 2002-09-03 Advantest Corporation Electric device testing apparatus
TW533316B (en) * 1998-12-08 2003-05-21 Advantest Corp Testing device for electronic device
CN104215892A (zh) * 2013-05-31 2014-12-17 立锜科技股份有限公司 测试操作机与测试载具以及相关测试方法
TW201534944A (zh) * 2014-03-03 2015-09-16 Techwing Co Ltd 測試分選機及測試分選機中測試托盤的循環方法
WO2017056461A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 セイコーエプソン株式会社 電子部品搬送装置および電子部品検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102242139B1 (ko) 2021-04-20
TW202016554A (zh) 2020-05-01
CN111090013A (zh) 2020-05-01
KR20200047281A (ko) 2020-05-07
CN111090013B (zh) 2022-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI611193B (zh) 測試座防結露模組及具備該模組之電子元件檢測裝置
TWI470246B (zh) 測試分選機
KR102098564B1 (ko) 반도체부품 테스트챔버
TWI582441B (zh) Electronic parts conveyor and electronic parts inspection device
TWI701441B (zh) 具有預先調整溫度的捲帶式覆晶薄膜測試裝置
JP3901570B2 (ja) 電子冷却素子を利用した半導体装置の低温試験装置
US20200235017A1 (en) Thermal Profile Monitoring Wafer And Methods Of Monitoring Temperature
CN104515915A (zh) 整合高低温测试的电子组件检测设备及其检测方法
KR102257733B1 (ko) 검사 장치 및 검사 장치의 청정화 방법
TWI821936B (zh) 測試裝置
KR101634452B1 (ko) 프로브 카드를 이용한 웨이퍼 검사용 척 구조물
JP3494871B2 (ja) プローブ装置及びプローブ方法
KR101074288B1 (ko) 고온 및 저온 평가가 가능한 반도체 소자 검사용 핸들러
US11149991B2 (en) Heating and cooling apparatus having moisture removal function for testing electrical characteristic of semiconductor element using probe system
TWI612316B (zh) 高低溫切換測試模組
TW201906041A (zh) 晶圓檢查裝置
JPH07111995B2 (ja) プローブ装置
US11808938B2 (en) Apparatus for measuring optical characteristics of a test optical element under low-temperature environment
JPH07111455B2 (ja) プローブ装置
KR20190014004A (ko) 사이드도킹식 테스트핸들러
Wang et al. Advanced FOUP purge using diffusers for FOUP door-off application
TWI647466B (zh) Electronic component conveying device and electronic component inspection device
KR20030049832A (ko) 반도체 소자 테스트 핸들러의 성에 방지 방법
KR100709111B1 (ko) 웨이퍼 프로빙 장치
KR102459875B1 (ko) 위성 부품 이송 장치