CN111090013A - 具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,包含:一第一腔室,一覆晶薄膜进入或离开第一腔室,并于第一腔室中进行覆晶薄膜的测试;一温度调整腔,覆晶薄膜进入温度调整腔后,覆晶薄膜的温度获得预先调整至一第一设定温度;一温度回温腔,覆晶薄膜进入温度回温腔后,覆晶薄膜的温度获得回温至一第二设定温度;一通道,连通温度调整腔与温度回温腔,并让覆晶薄膜于通道中移动;以及一推板,推板预先调整至第一设定温度后,用以支撑通道中的覆晶薄膜,使通道中的覆晶薄膜于开口中测试区以接触一探针卡,并在测试规范温度中测试该覆晶薄膜;其中,第一腔室包覆温度调整腔、温度回温腔、通道、以及推板。
Description
技术领域
本发明关于一种卷带式覆晶薄膜(Chip on film,COF)测试装置,尤指一种具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置。
背景技术
目前卷带式覆晶薄膜测试装置由于缺乏预先调整温度的机制,只针对推板(Pusher plate)进行温度调整,但由于覆晶薄膜为不易传导温度的材质,且推板接触覆晶薄膜时间极短,覆晶薄膜温度尚未达到预设温度时已测试完毕,故无法使覆晶薄膜真正在预设温度中进行测试。
除此之外,在车用规范低温、或军用规范低温、或工业用规范低温下进行测试时,覆晶薄膜因冷凝水气造成结霜或结冰而导致测试不良、以及损坏覆晶薄膜及机台相关器件,也是欲解决的问题。
发明内容
本发明目的之一,在于提供预先调整温度与回温的机制。
本发明目的之一,在于提供缓冲调整温度与回温的机制。
本发明目的之一,可避免覆晶薄膜冷凝水气造成结霜或结冰。
本发明目的之一,能使覆晶薄膜在测试规范温度范围内进行测试。
本发明为一种具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,包含:一第一腔室(Chamber),一覆晶薄膜进入或离开第一腔室,并于第一腔室中进行覆晶薄膜的测试;一温度调整腔,覆晶薄膜进入温度调整腔后,覆晶薄膜的温度获得预先调整至第一设定温度;一温度回温腔,覆晶薄膜进入温度回温腔后,覆晶薄膜的温度获得回温至第二设定温度;一通道,连通温度调整腔与温度回温腔,并让覆晶薄膜于通道中移动;以及一推板(Pusherplate),推板预先调整至第一设定温度后,用以支撑通道中的覆晶薄膜,使通道中的覆晶薄膜于开口中测试区以接触一探针卡,并在测试规范温度中测试该覆晶薄膜;其中,第一腔室包覆温度调整腔、温度回温腔、通道、以及推板。
在本发明一实施例中,具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置更包含:一第二腔室,连通第一腔室并用以提供一干燥空气输入至第二腔室;一第三腔室,连通第一腔室,接收干燥空气,且第三腔室以供该温度调整腔的温度与湿度缓冲;一第四腔室,连通第一腔室,接收干燥空气,且第四腔室以供该温度回温腔的温度与湿度缓冲;其中,第一腔室接收干燥空气,且该第一腔室的侧壁与探针卡交界面具有一孔洞,孔洞被管路所衔接。
附图说明
图1A显示本发明具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置于一实施例的侧剖面示意图;
图1B显示腔室A~E、管路T及孔洞H的立体示意图;
图1C显示图1A虚框N处放大图;
图1D显示图腔室A的立体示意图;
图1E显示图1B移除管路T与感光器件(Test Side CCD)的侧面示意图;
图1F为图1E的X区域放大图;
图2显示温度调整腔A1与温度调整缓冲腔10、或温度回温腔A2与温度回温缓冲腔11透视图。
附图标记说明
100、装置;
N、虚框;
O、开口;
A~E、腔室;
MS1、MS2、主炼轮;
COF、覆晶薄膜;
A1、温度调整腔;
A2、温度回温腔、
101、通道;
102、推板;
SS1、SS2、
Test Side CCD、副炼轮;
P、感光器件;
103、隔帘;
K、底面;
T、通管;
H、孔洞;
10、温度调整缓冲腔;
11、温度回温缓冲腔;
TZ、测试区;
U1、U2、轮组;
10-1~10-2、11-1~11-2、空间;
X、区域;
BM、正负离子源出口;
TM、温度调整吹口。
具体实施方式
请参考图1A与图1B,图1A显示本发明具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置于一实施例的侧剖面示意图,图1B显示腔室A~E、管路T及孔洞H的立体示意图。在本发明一实施例中,具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置100包含:腔室A~E,其中,腔室E连通腔室A,腔室A连通腔室B~D,且腔室E用以提供一干燥空气输入。腔室D中置放有初始对位用的感光器件(Alignment CCD)(图未示)、腔室E中置放校正测试位置用的感光器件(Test Side CCD);由于感光器件(Alignment CCD或Test Side CCD)需要处于干燥环境,腔室E因有干燥空气输入,故可维持腔室A~E内的空气干燥。
其中,感光器件(Alignment CCD)用以初始时测试探针的针尖对位于覆晶薄膜COF的接触点(Input Pin or Output Pin)使用,其中接触点位本图未示出;感光器件(TestSide CCD)用以校正每一个覆晶薄膜COF的接触点位置使用。
在本发明中,覆晶薄膜COF在腔室中移动的路线依序为腔室B、A、C;且腔室E位于腔室A的侧边,且腔室E通过一管路T连通腔室A;另外腔室B位于腔室A的上侧,腔室C位于腔室A的下侧,而腔室D与腔室E相对于腔室A设置于同一侧边。
腔室A中包含有:两个主炼轮(Main Sprocket)MS1与MS2、温度调整腔A1、温度回温腔A2、通道101、推板102;请注意,主炼轮MS1与MS2、温度调整腔A1、温度回温腔A2、通道101、推板102被腔室A所包覆。
在本实施例中,测试规范温度为一车用规范低温、或军用规范低温、或工业用规范低温,为求简洁,本实施例用车用规范低温进行说明,但本发明不应以此为限。
主炼轮MS1与MS2分别设置于推板102的两侧边,主炼轮MS1与MS2通过旋转使覆晶薄膜COF进入或离开腔室A;当覆晶薄膜COF进入腔室A的温度调整腔A1后,覆晶薄膜COF的温度在温度调整腔A1获得预先调整至一设定温度。在一实施例中,温度调整腔A1输入低温空气。
通道101具有一开口O,如图1C的通道101放大图所示。其中,温度调整腔A1与温度回温腔A2的开口相对而设置,且通道101连通温度调整腔A1与温度回温腔A2,通道101的宽度与高度均大于覆晶薄膜COF的宽度与厚度。在本实施例中,温度调整腔A1与温度回温腔A2的开口位于同一铅垂线上。
接着请同时参考图1D,推板102在测试过程中,推板102将预先调整至设定温度后,推板102用以支撑该通道中的覆晶薄膜COF,使覆晶薄膜COF抵靠推板102而平整,最后通道101中的覆晶薄膜COF于开口O中测试区TZ以接触一探针卡P,并在设定温度中测试覆晶薄膜COF;当测试完成后,覆晶薄膜COF移动至度温度回温腔A2进行温度回温,意即覆晶薄膜COF获得温度补偿回到接近常温,以避免覆晶薄膜COF立即接触腔室A或腔室A之外的温度,造成冷凝现象。
本实施例中车用规范低温为-40~-55℃,亦即测试规范温度可实质上为-40~-55℃;因温度调整腔A1预先将覆晶薄膜COF进行降温至接近-65℃,当覆晶薄膜COF在温度调整腔A1降温后,主炼轮MS1与MS2进行旋转而连带使覆晶薄膜COF由上往向下移动至通道101内,且通道101为垂直地面;接着,推板102亦已预先降温至接近-65℃,已降温的推板102左移接触位于通道101内的覆晶薄膜COF,推板102用以支撑通道101中的覆晶薄膜COF,使通道101中的覆晶薄膜COF平整,最后通道101中的覆晶薄膜COF于开口O中测试区TZ以接触探针卡P,并在测试规范温度所规范低温中测试覆晶薄膜COF,覆晶薄膜COF不因接触传导而散失温度。
除此之外,为了避免覆晶薄膜COF在降温的过程中有冷凝水气而结冰或结霜的情况发生,装置100在腔室E输入了干燥空气。
在本实施例中,腔室B连通腔室A接收干燥空气,且腔室B以供温度调整腔A1的温度与湿度缓冲用,因温度调整腔A1提供低温空气,故温度调整腔A1中空气的温度会低于常温,为避免由温度调整腔A1散溢的空气接触常温空气而凝结水气,故腔室B用来作为温度调整腔A1的温度与湿度缓冲用,可避免温度调整腔A1的空气的直接接触常温空气;相反地,腔室C连通腔室A接收干燥空气,腔室C以供温度回温腔A2的温度与湿度缓冲用,因温度回温腔A2提供高温空气,故温度回温腔A2空气的温度高于常温,故腔室C用来作为温度调整腔A2的温度与湿度缓冲用,避免温度回温腔A2直接散溢的空气温度过高。
请注意,探针卡P与腔室A接触的侧壁的交界面具有一孔洞H,孔洞H与管路T连通,换言之,孔洞H被管路T所衔接,孔洞H亦可视为来自腔室E输入干燥空气至腔室A的管路或路径。
在本发明一实施例中,孔洞H为一方型凹槽,管路T亦为方形中空管路,管路T的外壳与方形凹槽相嵌合以形成腔室E输入干燥空气至腔室A的路径。于一实施例中,在一低温测试的过程,因应需求,例如亦可将低温空气注入于腔室A中,藉以减少开口O的温度散失。
在一实施例中,腔室E的主体为一阶梯形的立体结构,部分侧壁与腔室D、腔室A相邻,腔室E的一底面K连通管路T,管路T自底面K平行腔室A的侧壁延伸并垂直于孔洞H的法线,进而连通至孔洞H。须注意者,本实施例的测感光器件(Test Side CCD)的镜头对准孔洞H。
请同时参考图1E与图1F,图1E显示图1B移除管路T与感光器件(Test Side CCD)的侧面示意图,图1F为图1E的X区域放大图。在一实施例中,为了避免因覆晶薄膜COF进入腔室B后均在干燥空气中移动而带有静电,使得探针卡P接触覆晶薄膜COF过程中产生静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)造成覆晶薄膜COF或测试电路的伤害,故装置100可在探针卡P周边装设有多个正负离子源出口BM,正负离子源出口BM对准开口O产生正负离子来中和静电,以避免静电放电,尤其针对在测试区TZ的前一个覆晶薄膜COF进行中和静电;请注意,在测试区TZ的前一个覆晶薄膜COF,因在测试之前因干燥空气而累积静电,正负离子源出口BM可避免测试时因电路导通覆晶薄膜COF使得静电流动产生静电伤害。
在一实施例中,装置100同时可以设置多个温度调整吹口TM,温度调整吹口TM对准开口O吹出预设温度空气,以避免覆晶薄膜COF移动至开口O时,因接触腔室A的空气温度而使得覆晶薄膜COF温度无法达到设定温度。
在本发明一实施例中,腔室B中设置有一个副炼轮(Sub Sprocket)SS1,腔室C中亦设置有一个副炼轮SS2,副炼轮SS1设置于主炼轮MS1的上方,副炼轮SS2设置于主炼轮MS2的下方。在本实施例中,覆晶薄膜COF以水平角度进入腔室B,且腔室B的覆晶薄膜COF以45度的角度进入腔室A,再通过轮组U1转换成水平180度进入温度调整腔A1;相对应地,覆晶薄膜COF在温度回温腔A2水平180度进入腔室A,经轮组U2转换角度为45度进入腔室C。
请同时参考图2,图2显示温度调整腔A1与温度调整缓冲腔10、或温度回温腔A2与温度回温缓冲腔11的透视图,腔室A中另有温度调整缓冲腔10与温度调整腔A1的侧边连接,且在温度调整缓冲腔10中设置有隔帘103,隔帘103设置于温度调整缓冲腔10的上盖(图未示)并垂直于覆晶薄膜COF。隔帘103将温度调整缓冲腔10分隔成多个空间10-1、10-2;请注意,由于空间10-1最靠近温度调整腔A1,故空间10-1温度将高于-65℃,而在相邻的空间10-2加入高温空气混合以过露点温度,再由覆晶薄膜COF进入温度调整缓冲腔10的入口漏出于腔室A,如此是为了避免温度调整腔A1的低温空气,直接由覆晶薄膜COF的入口散逸至腔室A或腔室B,故利用隔帘103区隔出的多个空间,使来自调整腔A1的低温空气与高温空气混合来升温,避免腔室A或腔室B凝结水气或结霜。
一实施例中,为了避免温度调整腔A1的低温空气由覆晶薄膜COF的入口散逸至腔室A或腔室B时,因温度调整腔A1的低温空气远低于腔室A,必然造成腔室A凝结水气而结冰或结霜,故空间10-2输入有高温空气与低温空气混合,使空间10-2的空气温度高于露点。
相对应地,温度回温腔A2的侧边连结设置有温度回温缓冲腔11,且在温度回温缓冲腔11中亦设置有隔帘103,隔帘103设置于温度回温缓冲腔11的下盖(图未示)并垂直于覆晶薄膜COF。隔帘103将温度回温缓冲腔11分隔成多个空间11-1、11-2;请注意,温度回温腔A2输入预设温度空气,温度回温腔A2中的预设温度空气可为100℃以上的空气所实现,由于覆晶薄膜COF移动时将推动隔帘103,而覆晶薄膜COF静止时则隔帘103为垂直于覆晶薄膜COF,故隔帘103可以用来减少在温度回温腔A2的预设温度空气直接散逸至腔室A。除此之外,由于空间11-1最靠近温度回温腔A2,故空间11-1温度将接近100℃,而相邻的空间11-2温度会低于空间11-1,在空间11-2加入低温干燥空气是为了避免温度回温腔A2的高温空气,直接由覆晶薄膜COF的出口散逸至腔室A或腔室C,利用隔帘103区隔出的多个空间,使来自温度回温腔A2的高温空气混合低温干燥空气降温;换言之,由覆晶薄膜COF进入腔室A的出口散逸至腔室A或腔室C时,因空间11-2的高温空气远高于腔室A,故空间11-2输入有低温空气与来自温度回温腔A2的高温空气混合,使空间11-2的空气温度接近常温并由覆晶薄膜COF进入腔室A的出口漏出至腔室A。
请注意,若测试规范温度为一车用规范高温、或军用规范高温、或工业用规范高温时,举例而言,若设定温度为车用规范高温,则测试规范温度可以调整为125~140℃,此时各腔室温度亦可随使用者需求进行调整;空间10-2、11-2、以及温度调整吹口TM所输出的温度空气、以及温度调整腔A1与温度回温腔A2内的空气均为干燥空气。
综上所述,本发明具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,能解决现有技术覆晶薄膜真正在设定温度的范围中进行测试的问题;除此之外,由于具备有预先调整温度及缓冲调整温度的腔室,腔室均彼此连通且输入干燥空气,可以确保工作环境处于干燥状态,避免冷凝水气造成结霜或结冰而导致测试不良,更可避免覆晶薄膜及机台相关器件而造成的损坏;最后,由于作为温度缓冲用的腔室更有隔帘的设计,来避免预设温度空气的散逸,同时减少散逸的预设温度空气流动而造成覆晶薄膜无法达到测试规范温度的问题。
Claims (11)
1.一种具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,其特征在于,所述装置包含:
一第一腔室,一覆晶薄膜进入或离开所述第一腔室,并于所述第一腔室中进行所述覆晶薄膜的测试;
一温度调整腔,所述覆晶薄膜进入所述温度调整腔后,所述覆晶薄膜的温度获得预先调整至一第一设定温度;
一温度回温腔,所述覆晶薄膜进入所述温度回温腔后,所述覆晶薄膜的温度获得回温至一第二设定温度;
一通道,连通所述温度调整腔与所述温度回温腔,并让所述覆晶薄膜于所述通道中移动;以及
一推板,所述推板预先调整至所述第一设定温度后,用以支撑所述通道中的所述覆晶薄膜,使所述通道中的所述覆晶薄膜于一开口的一测试区以接触一探针卡,并在一测试规范温度中测试所述覆晶薄膜;
其中,所述第一腔室包覆所述温度调整腔、所述温度回温腔、所述通道、以及所述推板。
2.根据权利要求1所述的具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,其特征在于,所述装置更包含:
一第二腔室,连通所述第一腔室并用以提供一干燥空气输入至所述第二腔室,且所述第二腔室与所述第一腔室之间具有一管路;
一第三腔室,连通所述第一腔室,接收所述干燥空气,且所述第三腔室以供所述温度调整腔的温度与湿度缓冲;以及
一第四腔室,连通所述第一腔室,接收所述干燥空气,且所述第四腔室以供所述温度回温腔的温度与湿度缓冲;
其中,所述第一腔室接收所述干燥空气,且所述第一腔室的侧壁与所述探针卡交界面具有一孔洞,所述孔洞被所述管路所衔接。
3.根据权利要求2所述的具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,其特征在于,所述第二腔室用以置放一第一感光器件。
4.根据权利要求3所述的具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,其特征在于,所述第一腔室更包覆一温度调整缓冲腔与一温度回温缓冲腔,且所述温度调整缓冲腔输入一第一预设温度空气,所述温度回温缓冲腔被输入一第二预设温度空气。
5.根据权利要求4所述的具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,其特征在于,所述温度调整缓冲腔与所述温度回温缓冲腔分别包含:
一隔帘,将温度调整缓冲腔或所述温度回温缓冲腔分隔成多个空间,所述隔帘用以减少在所述温度调整缓冲腔的所述第一预设温度空气、或在所述温度回温缓冲腔的所述第二预设温度空气散逸至所述第一腔室。
6.根据权利要求5所述的具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,其特征在于,所述覆晶薄膜在所述空间中进行温度调整或温度回温。
7.根据权利要求6所述的具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,其特征在于,所述装置更包含:
一第五腔室,连通所述第一腔室,接收所述干燥空气且所述第五腔室用以置放一第二感光器件。
8.根据权利要求7所述的具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,其特征在于,所述测试规范温度为一车用规范低温、或军用规范低温、或工业用规范低温;且所述第三腔室的温度高于所述温度调整腔,且所述第四腔室的温度低于所述温度回温腔。
9.根据权利要求7所述的具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,其特征在于,所述测试规范温度为一车用规范高温、或军用规范高温、或工业用规范高温;且所述第三腔室的温度低于所述温度调整腔,且所述第四腔室的温度高于所述温度回温腔。
10.根据权利要求1所述的具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,其特征在于,所述装置包含:
一正负离子源出口,设置于所述探针卡周边,用以产生一正离子或一负离子至所述开口,以中和位于在所述开口中的所述测试区之前的所述覆晶薄膜中的静电。
11.根据权利要求4所述的具有预先调整温度的卷带式覆晶薄膜测试装置,其特征在于,所述装置包含:
一温度调整吹口,设置于所述探针卡周边,用以吹出一第三预设温度空气。
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Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050031598A (ko) * | 2003-09-30 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자용 테스트 핸들러 |
TWM310340U (en) * | 2006-11-13 | 2007-04-21 | Princeton Technology Corp | Test system for testing chips |
WO2008132936A1 (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Advantest Corporation | Tcpハンドリング装置 |
CN101325192A (zh) * | 2008-06-13 | 2008-12-17 | 友达光电(苏州)有限公司 | 易于测量温度的基板及其制造方法 |
CN101522916A (zh) * | 2006-08-02 | 2009-09-02 | 柳在泉 | 薄膜化学分析设备和使用该设备的分析方法 |
CN101583840A (zh) * | 2006-11-09 | 2009-11-18 | 株式会社爱德万测试 | Tcp处理装置及该装置中连接端子的位置对准方法 |
CN102096052A (zh) * | 2010-12-17 | 2011-06-15 | 哈尔滨工业大学 | 三维低温超导薄膜线圈超导特性测试设备与测试方法 |
CN102573256A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-11 | 日氟荣高分子材料研发(上海)有限公司 | 一种静电去除系统及其去除薄膜表面静电的用途 |
CN103792443A (zh) * | 2012-11-01 | 2014-05-14 | 国家纳米科学中心 | 探针台、有机薄膜器件的制备与测试集成系统及其方法 |
CN203965758U (zh) * | 2014-05-08 | 2014-11-26 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种背光模组散热结构 |
CN104357810A (zh) * | 2014-11-04 | 2015-02-18 | 大连理工常州研究院有限公司 | 一种同轴微波等离子体沉积薄膜的设备 |
CN106558570A (zh) * | 2015-09-24 | 2017-04-05 | 联咏科技股份有限公司 | 覆晶薄膜封装 |
CN108037321A (zh) * | 2016-10-25 | 2018-05-15 | 致茂电子股份有限公司 | 测试座防结露模块及具备该模块的电子元件检测装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1138063A (ja) | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Advantest Corp | エージング装置 |
TW533316B (en) * | 1998-12-08 | 2003-05-21 | Advantest Corp | Testing device for electronic device |
CN104215892A (zh) * | 2013-05-31 | 2014-12-17 | 立锜科技股份有限公司 | 测试操作机与测试载具以及相关测试方法 |
KR102058443B1 (ko) * | 2014-03-03 | 2020-02-07 | (주)테크윙 | 테스트핸들러 및 테스트핸들러에서의 테스트트레이 순환 방법 |
CN108012563A (zh) * | 2015-09-30 | 2018-05-08 | 精工爱普生株式会社 | 电子元器件输送装置及电子元器件检查装置 |
KR101894911B1 (ko) | 2017-01-16 | 2018-09-04 | 주식회사 에이티테크놀러지 | Tab용 핸들링 장치 |
-
2018
- 2018-10-23 TW TW107137359A patent/TWI701441B/zh active
-
2019
- 2019-05-17 KR KR1020190058342A patent/KR102242139B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-17 CN CN201910519990.2A patent/CN111090013B/zh active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050031598A (ko) * | 2003-09-30 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자용 테스트 핸들러 |
CN101522916A (zh) * | 2006-08-02 | 2009-09-02 | 柳在泉 | 薄膜化学分析设备和使用该设备的分析方法 |
CN101583840A (zh) * | 2006-11-09 | 2009-11-18 | 株式会社爱德万测试 | Tcp处理装置及该装置中连接端子的位置对准方法 |
TWM310340U (en) * | 2006-11-13 | 2007-04-21 | Princeton Technology Corp | Test system for testing chips |
WO2008132936A1 (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Advantest Corporation | Tcpハンドリング装置 |
CN101325192A (zh) * | 2008-06-13 | 2008-12-17 | 友达光电(苏州)有限公司 | 易于测量温度的基板及其制造方法 |
CN102096052A (zh) * | 2010-12-17 | 2011-06-15 | 哈尔滨工业大学 | 三维低温超导薄膜线圈超导特性测试设备与测试方法 |
CN102573256A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-11 | 日氟荣高分子材料研发(上海)有限公司 | 一种静电去除系统及其去除薄膜表面静电的用途 |
CN103792443A (zh) * | 2012-11-01 | 2014-05-14 | 国家纳米科学中心 | 探针台、有机薄膜器件的制备与测试集成系统及其方法 |
CN203965758U (zh) * | 2014-05-08 | 2014-11-26 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种背光模组散热结构 |
CN104357810A (zh) * | 2014-11-04 | 2015-02-18 | 大连理工常州研究院有限公司 | 一种同轴微波等离子体沉积薄膜的设备 |
CN106558570A (zh) * | 2015-09-24 | 2017-04-05 | 联咏科技股份有限公司 | 覆晶薄膜封装 |
CN108037321A (zh) * | 2016-10-25 | 2018-05-15 | 致茂电子股份有限公司 | 测试座防结露模块及具备该模块的电子元件检测装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200047281A (ko) | 2020-05-07 |
TWI701441B (zh) | 2020-08-11 |
KR102242139B1 (ko) | 2021-04-20 |
TW202016554A (zh) | 2020-05-01 |
CN111090013B (zh) | 2022-04-01 |
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