TWI697981B - 晶粒接合裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

晶粒接合裝置及半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI697981B
TWI697981B TW107129890A TW107129890A TWI697981B TW I697981 B TWI697981 B TW I697981B TW 107129890 A TW107129890 A TW 107129890A TW 107129890 A TW107129890 A TW 107129890A TW I697981 B TWI697981 B TW I697981B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
vibration
axis rotation
waveform
rotation direction
displacement
Prior art date
Application number
TW107129890A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201917818A (zh
Inventor
楯充明
Original Assignee
日商捷進科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商捷進科技有限公司 filed Critical 日商捷進科技有限公司
Publication of TW201917818A publication Critical patent/TW201917818A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI697981B publication Critical patent/TWI697981B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

[課題]在於提供具備檢測接合頭等之異常的手段的晶粒接合裝置。 [解決手段]晶粒接合裝置具備晶粒供給部；基板供給部；接合部，其係將從上述晶粒供給部被供給之晶粒接合至從上述基板供給部被供給之基板或已被接合於上述基板之晶粒上；及控制部，其係控制晶粒供給部和基板供給部和接合部。上述接合部具備：接合頭，其具備吸附上述晶粒之夾頭；驅動部，其具備移動上述接合頭之驅動軸；及感測器，其能夠檢測出上述接合頭之角速度及加速度。上述控制部係使用藉由上述感測器所取得的結果，比較振動位移和事先設定的振動位移之臨界值而判斷異常。

Description

晶粒接合裝置及半導體裝置之製造方法
本揭示係關於晶粒接合裝置，例如能夠適用於具備例如陀螺儀感測器的晶粒接合裝置。
半導體裝置之製造工程之一部分具有在配線基板或引線框架等(以下，單稱為基板)搭載半導體晶片(以下，單稱為晶粒)而組裝封裝體之工程，組裝封裝體之工程之一部分具有從半導體晶圓(以下，單稱為晶圓)分割晶粒之工程，和將分割之晶粒搭載在基板上之接合工程。在接合工程中使用之製造裝置為晶粒接合器等之晶粒接合裝置。
晶粒接合器係以焊料、鍍金、樹脂作為接合材料，將晶粒接合(搭載而予以接合)在基板或已被接合之晶粒上的裝置。將晶粒在例如接合於基板之表面的晶粒接合器中，重覆進行使用被稱為夾頭之吸附噴嘴從晶圓吸附晶粒而進行拾取，且搬運至基板上，賦予推壓力，並且藉由對接合材加熱，進行接合的動作(作業)。夾頭被安裝於接合頭之前端。接合頭係藉由ZY驅動軸等之驅動部(伺服馬達)被驅動，伺服馬達藉由馬達控制裝置被控制。
在伺服馬達控制中，需要以不對工件或支持工件之單元造成機械性衝擊之方式，平穩地進行加減速，移動工件。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-175768號公報
[發明所欲解決之課題]
在晶粒接合器等之晶粒接合裝置中，要求提升接合精度等，在裝置生產的製品品質之穩定。另外，因晶粒接合裝置為了提升生產性，使拾取頭或接合頭高速動作，故由於機械性負荷增大或振動導致裝置故障或製作不良品等之風險變高。
但是，在現狀，有無在裝置運轉中正確掌握接合頭等之動作軌跡或振動而事先檢測異常之手段的問題。
本揭示之課題在於提供具備檢測接合頭等之異常的手段的晶粒接合裝置。 其他之課題和新穎之特徵從本說明書之記載及附件圖面明顯可知。 [用以解決課題之手段]
若簡單說明本揭示中代表性之內容的概要則如同下述般。 即是晶粒接合裝置具備晶粒供給部；基板供給部；接合部，其係將從上述晶粒供給部被供給之晶粒接合至從上述基板供給部被供給之基板或已被接合於上述基板之晶粒上；及控制部，其係控制晶粒供給部和基板供給部和接合部。上述接合部具備：接合頭，其具備吸附上述晶粒之夾頭；驅動部，其具備移動上述接合頭之驅動軸；及感測器，其能夠檢測出上述接合頭之角速度及加速度。上述控制部係使用藉由上述感測器所取得的結果，比較振動位移和事先設定的振動位移之臨界值而判斷異常。 [發明效果]
若藉由上述晶粒接合裝置時，可以檢測出振動所致的異常。
在實施型態中，以檢測器檢測出動作中之接合頭的角速度及加速度，掌握現在之動作軌跡，同時比較馬達指令加速度波形，或以過去之動作儲存的振動波形，使能夠進行接合頭動作之異常診斷。
以下，針對實施例及變形例使用圖面進行說明。但是，在以下之說明中，對相同構成要素賦予相同符號，省略重覆說明。 [實施例]
圖1為與實施例有關之晶粒接合器之概略的上視圖。圖2為從圖1中之箭頭A方向觀看時，說明拾取頭及接合頭之動作的圖示。
晶粒接合器10大致具有：供給安裝在成為一個或複數的最終1封裝體的印刷有製品區域(以下，稱為封裝區域P)之基板S的晶粒D的供給部1、拾取部2、中間平台部3、接合部4、搬運部5、基板供給部6、基板搬出部7，和監視各部之動作且進行控制的控制部8。Y軸方向係晶粒接合器10之前後方向，X軸方向為左右方向。晶粒供給部1被配置在晶粒接合器10之前方側，接合部4被配置在深側。
首先，晶粒供給部1係供給安裝於基板S之封裝區域P的晶粒D。晶粒供給部1具有保持晶圓11之晶圓保持台12和以從晶圓11上推晶粒D之虛線所示的上推單元13。晶粒供給部1係藉由無圖示之驅動手段在XY方向移動，使拾取之晶粒D移動至上推單元13之位置。
拾取部2具有拾取晶粒D之拾取頭21、使拾取頭21移動至Y方向之拾取頭之Y驅動部23，和使夾頭22升降、旋轉及X方向移動的無圖示的各驅動部。拾取頭21具有將被上推的晶粒D吸附保持在前端的夾頭22(也參照圖2)，從晶粒供給部1拾取晶粒D，載置於中間平台31。拾取頭21具有使夾頭22升降、旋轉及X方向移動的無圖示之各驅動部。
中間平台部3具有暫時性地載置晶粒D之中間平台31，和用以辨識中間平台31上之晶粒D的平台辨識攝影機32。
接合部4係以從中間平台31拾取晶粒D，接合於被搬運來的基板S之封裝區域P上，或是疊層於已被接合於基板S之封裝區域P之上的晶粒上之形式進行接合。接合部4具有與拾取頭21相同將晶粒D吸附保持於前端的夾頭42(也參照圖2)的接合頭41、使接合頭41移動至Y方向之Y驅動部43，和攝影基板S之封裝區域P之位置辨識標記(無圖示)，辨識接合位置之基板辨識攝影機44。 藉由如此之構成，接合頭41根據平台辨識攝影機32之攝影資料而補正拾取位置、姿勢，從中間平台31拾取晶粒D，且根據基板辨識攝影機44之攝影資料將晶粒D接合於基板。
搬運部5具有抓取搬運基板S之基板搬運爪51和基板S移動之搬運通道52。基板S係藉由利用沿著搬運通道52而設置的無圖示之滾珠輪桿驅動被設置在搬運通道52之基板搬運爪51之無圖示的螺帽而移動。 藉由如此之構成，基板S係從基板供給部6沿著搬運通道52而移動至接合位置，於接合後，移動至基板搬出部7，將基板S交給至基板搬出部7。
控制部8具備儲存監視且控制晶粒接合器10之各部之動作的程式(軟體)的記憶體，和實行被儲存於記憶體之程式的中央處理裝置(CPU)。
晶粒接合器10具有辨識晶圓11上之晶粒D之姿勢的晶圓辨識攝影機24，和辨識被載置在中間平台31之晶粒D之姿勢的平台辨識攝影機32，和辨識接合平台BS上之安裝位置的基板辨識攝影機44。必須補正辨識攝影機間之姿勢偏移，係與藉由接合頭41所進行之拾取有關的平台辨識攝影機32，和與藉由接合頭41所進行的朝安裝位置之接合有關的基板辨識攝影機44。
針對控制部8，使用圖3進行說明。圖3係表示控制系統之概略構成的方塊圖。控制系統80具備控制部8和驅動部86和訊號部87和光學系統88。控制部8大致具有主要以CPU(Central Processor Unit)所構成之控制、運算裝置81、記憶裝置82、輸入輸出裝置83、匯流排線84、電源部85。記憶裝置82具有以記憶有處理程式等之RAM所構成之主記憶裝置82a，和以記憶有控制所需之控制資料或畫像資料等之HDD所構成的輔助記憶裝置82b。輸入輸出裝置83具有顯示裝置狀態或資訊等之螢幕83a，和輸入操作員之指示的觸控面板83b，和操作螢幕的滑鼠83c，和擷取來自光學系統88之畫像資料的畫像擷取裝置83d。再者，輸入輸出裝置83具有控制晶粒供給部1之XY平台(無圖示)或接合頭台之ZY驅動軸等之驅動部86之馬達控制裝置83e，和從各種感測器訊號或照明裝置等之開關等之訊號部87擷取或控制訊號的I/O訊號控制裝置83f。光學系統88包含晶圓辨識攝影機24、平台辨識攝影機32、基板辨識攝影機44。控制、運算裝置81經由匯流排線84擷取所需的資料，進行運算，且進行拾取頭21等之控制，或將資訊送至螢幕83a等。
控制部8係經由畫像擷取裝置83d而將以晶圓辨識攝影機24、平台辨識攝影機32及基板辨識攝影機44所攝影到的畫像資料保存在記憶裝置82。依據根據保存的畫像資料而編程的軟體，使用控制、運算裝置81而進行晶粒D及基板S之封裝區域P之定位，以及晶粒D及基板S之表面檢查。根據控制、運算裝置81所算出之晶粒D及基板S之封裝區域P之位置，藉由軟體經由馬達控制裝置83e使驅動部86移動。藉由該製程，進行晶圓上之晶粒之定位，將以拾取部2及接合部4之驅動部動作之晶粒D接合於基板S之封裝區域P上。所使用之晶圓辨識攝影機24、平台辨識攝影機32及基板辨識攝影機44係灰階、彩色等，使光強度予以數值化。
圖4為用以說明圖3之馬達控制裝置之基本的原理之方塊構成圖。馬達控制裝置83e具備動作控制器210和伺服大器220，控制伺服馬達230。動作控制器210具備進行理想的指令波形之生成處理的理想波形生成部211，和指令波形生成部212，和DAC(Digital to Analog Converter)213，和動作異常診斷部214。伺服放大器220具備速度迴路控制部221。
如圖4所示般，馬達控制裝置83e係動作控制器210和伺服放大器220成為閉迴路控制。因此，使用現在的指令位置，和從伺服馬達230所取得的實際位置及實際速度，以伺服放大器220之速度迴路控制部221進行速度控制，但是，速度迴路控制部221係藉由動作控制器210一面取得來自伺服馬達230之實際速度及取得實際位置而限制加加速度，一面再生成指令波形，而進行其速度控制。另外，理想波形生成部211及指令波形生成部212係以例如CPU(Central Processing Unit)和儲存CPU實行的程式的記憶體所構成。
例如，在圖4中，目標位置、目標速度、目標加速度及目標加加速度被施加至動作控制器210。而且，在指令波形生成部212經由伺服放大器220或從伺服馬達230直接逐次輸入實際位置及實際速度作為編碼器訊號。
動作控制器210之理想波形生成部211係從控制、運算裝置81被輸入之加加速度、加速度、速度及位置之目標值，分別生成(a)指令加加速度波形(JD)，(b)指令加速度波形(AD)，(c)指令速度波形(VD)，(d)指令位置波形(PD)。理想波形生成部211係將指令加加速度波形(JD)、指令加速度波形(AD)、指令速度波形(VD)、指令位置波形(PD)輸出至指令波形生成部212，將指令加速度波形(AD)輸出至動作異常診斷部214。
指令波形生成部212係根據從理想波形生成部211被輸出之輸出訊號波形(從理想的位置之指令波形所取得的現在之指令位置)，和根據從伺服馬達230被輸入之編碼器訊號(實際位置)，一面限制加加速度，一面逐次再生成之後的指令速度波形而逐次輸出至DAC213。例如，指令波形生成部212係進行(1)指令波形輸入輸出處理，(2)編碼器訊號計數處理及(3)指令波形再生處理。
DAC213係將被輸入的數位之指令值轉換成類比訊號之速度指令值，輸出至伺服放大器220之速度迴路控制部221。另外，編碼器訊號係以編碼器信號計數器(無圖示)儲存位置偏差量以作為脈衝。
伺服放大器220之速度迴路控制部221因應從動作控制器210被輸入之速度指令值，和從伺服馬達230被輸入之編碼器訊號，控制伺服馬達230之旋轉速度。
伺服馬達230係以因應從伺服放大器220之速度迴路控制部221被輸入之旋轉速度之控制的旋轉速度而進行旋轉，將實際位置及實際速度作為編碼器訊號而輸出至伺服放大器220之速度迴路控制部221和動作控制器210之指令波形生成部212。
另外，在圖4之實施例中，從伺服馬達230之計數值(旋轉次數及旋轉角度)算出接合頭等之被驅動體之實際位置，根據所算出的實際位置算出實際速度。但是，即使具備直接檢測出被驅動體之位置的位置檢測裝置，使該位置檢測裝置所檢測出之位置成為實際位置亦可。
動作異常診斷部214係從陀螺儀感測器45擷取角速度及XYZ方向加速度訊號，比較指令波形，抽出振動位移。動作異常診斷部214檢測出異常之情況，將異常檢測訊號輸出至指令波形生成部212，停止伺服馬達。
針對陀螺儀感測器之安裝位置及角速度、加速度檢測方法，使用圖5～7進行說明。圖5為表示陀螺儀感測器之角速度及加速度之檢測方法的圖示。圖6為表示陀螺儀感測器之安裝位置的圖示。圖7為表示接合頭之X軸旋轉方向之振動的圖示。
陀螺儀感測器45使用能夠進行3軸角速度檢測及3軸加速度之檢測的6軸陀螺儀感測器。如圖5所示般，陀螺儀感測器45之角速度及加速度之檢測(振動檢測)方向，係Ax：X方向加速度(G)，Ay：Y方向加速度(G)，Az：Z方向加速度(G)，Gx：X軸角速度(deg/s)，Gy：Y軸角速度(deg/s)，Gz：Z軸角速度(deg/s)。
如圖6所示般，將陀螺儀感測器45設置在接近接合頭41驅動之X方向、Y方向、Z方向之驅動軸之交點的接合頭41之中心O之附近(以下，單稱為接合頭中心)。例如，X方向、Y方向、Z方向之驅動軸之交點位於接合頭41之背側(圖面之背側)，中心O為接合頭41之重心。陀螺儀感測器45設置在接合頭41之表側(圖面之前方側)。依此，雖然陀螺儀感測器45位於較X方向、Y方向、Z方向之驅動軸之交點及接合頭41之中心O更前方，但是稱為位於接合頭中心。能夠從由陀螺儀感測器45取得的加速度波形和馬達指令加速度波形之差量，抽出接合頭之振動波形。
再者，如圖7所示般，即使以陀螺儀感測器45針對接合頭41之旋轉方向之振動(Gx)亦可以正確掌握。
針對接合頭之異常診斷之順序，使用圖8～15進行說明。圖8為表示接合頭之驅動方向及Z軸角速度的圖示。圖9為表示圖8之狀態中之角速度波形及旋轉角度的圖示，圖9(A)為表示Z軸旋轉方向之角速度波形的圖示，圖9(B)為表示對圖9(A)之波形進行積分後的旋轉角度波形的圖示。圖10為表示接合頭之驅動方向及Y方向加速度的圖示。圖11為表示圖10之狀態中的加速度波形、加速度指令波形及差量加速度的圖示，圖11(A)為表示Y方向之加速度波形的圖示，圖11(B)為表示Y方向之加速度指令波形的圖示，圖11(C)為表示圖11(A)和圖11(B)之波形之差量波形的圖示。圖12為表示差量速度及位移的圖示，圖12(A)為表示對圖11(C)之波形進行積分後之Y方向之差量速度波形的圖示，圖12(B)為表示對圖12(A)之波形進行積分後之Y方向之位移波形的圖示。圖13係說明接合頭之Y方向驅動時之X方向之振動位移和Y方向之振動位移之合成波形的圖示。圖14為說明3軸方向之最大位移和3軸旋轉方向之最大位移之例的圖示。圖15為表示振動位移之偏差和臨界值的圖示。
(a1)動作異常診斷部214係對從陀螺儀感測器45取得的角速度訊號波形進行積分而求出旋轉方向之振動位移。如圖8所示般，於接合頭41之Y方向驅動時，測定Z軸旋轉方向之角速度訊號，取得如圖9(A)所示之Z軸旋轉方向之角速度訊號波形(Gz(deg/s)。對該Z軸旋轉方向之角速度訊號進行積分，算出圖9(B)所示之Z軸旋轉角度(deg)，求出Z軸旋轉方向之振動位移。同樣，求出接合頭41之Y方向驅動時之X軸旋轉方向之振動位移和Y軸旋轉方向之振動位移。
(a2)動作異常診斷部214係從陀螺儀感測器45所取得的加速度訊號波形和指令加速度波形之差量，抽出接合頭41之振動成分之波形，求出振動位移。如圖10所示般，於接合頭41之Y方向驅動時，測定Y方向之加速度訊號，取得如圖11(A)所示之Y方向之加速度訊號波形(Ay)。算出該加速度訊號波形(Ay)，和如圖11(B)所示般之指令加速度波形(AD)之差量，算出圖11(C)所示般之差量加速波形(ΔAy)。對該差量加速波形(ΔAy)進行積分。算出如圖12(A)所示般之差量速度(ΔVy)。並且，對該差量速度(ΔVy)進行積分而求出如圖12(B)所示之Y方向之振動位移(Dy)。同樣，求出接合頭41之Y方向驅動時之X方向之振動位移和Z方向之之振動位移。
(a3)動作異常診斷部214係藉由在上述(a1)求出之X軸旋轉方向之振動位移、Y軸旋轉方向之振動位移及Z軸旋轉方向(3軸旋轉方向)之振動位移，算出3軸旋轉方向之振動位移之合成波形，藉由在(a2)求出之X方向之振動位移、Y方向之振動位移及Z方向(3軸方向)之振動位移，算出3軸方向之振動位移之合成波形。為了在圖13中，容易圖示，表示接合頭41之Y方向驅動時之X方向振動位移和Y方向振動位移之合成波形。
(a4)動作異常診斷部214係從接合頭之3軸方向之振動位移之合成波形及3軸旋轉方向之振動位移之合成波形，求出如圖14所示般之3軸方向之振動位移之最大位移(MD)，和3軸旋轉方向之振動位移之最大位移(RMD)。
(a5)動作異常診斷部214係事先複數次測定(算出)在上述(a2)求出之接合動作中之振動位移之合成波形相同之波形，而求出與(a4)相同之最大位移並予以儲存，與在通常的接合工程中在上述(a2)測定(算出)的振動位移進行比較。
(a6)動作異常診斷部214係在通常之接合工程中在上述(a4)測定(算出)之合成波形之3軸方向之最大位移(MD)及3軸旋轉方向之最大位移(RMD)之至少一個，超過如圖15所示般事先設定的臨界值之情況，對指令波形生成部212輸出異常檢測訊號而使伺服馬達230停止，將接合頭41之動作異常之情形顯示於螢幕83a。
(a7)異常檢測時、動作異常診斷部214係以各分割成X方向、Y方向、Z方向及X軸旋轉方向、Y軸旋轉方向、Z軸旋轉方向的動作波形進行異常原因之特定。
接著，針對使用與實施例有關之晶粒接合器的半導體裝置之製造方法，使用圖16進行說明。圖16係表示半導體裝置之製造方法的流程圖。 步驟S11：係將保持貼附從晶圓11被分割之晶粒D的切割膠帶16的晶圓環14儲存於晶圓卡匣(無圖示)，搬入至晶粒接合器10。控制部8係將晶圓環14從填充有晶圓環14之晶圓卡匣供給至晶粒供給部1。再者，準備基板S，搬入至晶粒接合器10。控制部8係以基板供給部6將基板S安裝於基板搬運爪51。
步驟S12：控制部8係從晶圓拾取分割的晶粒。 步驟S13：控制部8係將拾取到的晶粒，搭載至基板S上或疊層於已接合的晶粒上。控制部8係將從晶圓11拾取到的晶粒D載置於中間平台31，以接合頭41從中間平台31再次拾取晶粒D，接合於被搬運來的基板S。與步驟S13並行，進行上述接合頭之異常診斷。
步驟S14：控制部8係以基板搬出部7從基板搬運爪51取出被接合晶粒D的基板S。從晶粒接合器10搬出基板S。
在實施例中，將6軸陀螺儀感測器設置在接合頭中心。接合頭動作中，從6軸陀螺儀感測器所取得的角速度抽出接合頭旋轉方向之振動波形，並且由從陀螺儀感測器所取得的加速度波形和馬達指令加速度波形之差量，抽出接合頭之振動波形。藉由比較從上述抽出之振動波形算出的振動的位移，和事先複數次測定並予以儲存的振動之位移，確認在現在的接合頭動作之振動是否有變化，檢測出裝置之異常。於此次測定的振動之位移超過事先給予的臨界值之情況，於停止馬達後裝置報告異常。藉由使用上述功能使接合頭動作，能夠實現接合頭之異常診斷。
若藉由實施例時，能夠掌握接合頭之振動。再者，藉由在接合頭中心附近設置陀螺儀感測器，即使針對接合頭旋轉方向之振動亦可以正確地掌握。
再者，藉由比較接合頭之馬達指令加速度波形，或在過去之動作中儲存的振動波形，判斷現在之振動之位移是否超過事先給予的臨界值的動作，進行接合頭之異常診斷。依此，能夠事先防止裝置故障或製作不良品等。
並且，可以以一個感測器算出也包含旋轉方向之振動位移。再者，於異常檢測時，藉由分割成X、Y方向及X軸、Y軸、Z軸旋轉方向之各方向之振動位移，亦能夠特定異常之原因。
(變形例) 以下，針對代表性的變形例，例示幾個。在以下之變形例之說明中，針對具有與在上述實施例中說明者相同的構成及功能之部分，設為能夠使用與上述實施例相同之符號者。而且，針對如此之部分的說明，設為能夠在技術性不矛盾之範圍內，適當援用在上述實施例中之說明者。再者，能夠在技術性不矛盾之範圍內，適當、複合性地適用上述實施例之一部分及複數變形例之全部或一部分。
(變形例1) 圖17係表示圖10之狀態中的加速度波形、速度及位置的圖示，圖17(A)為表示Y方向之加速度波形的圖示，圖17(B)為表示對圖17(A)之波形進行積分後的Y方向之速度波形的圖示，圖17(C)為表示對圖17(B)之波形進行積分後的Y方向之位置波形的圖示。
在實施例中，在上述(a2)於接合頭41之Y方向驅動時從陀螺儀感測器45取得的加速度訊號波形和指令加速度波形之差量求出Y方向之振動位移，但是在變形例1中，從接合頭41之動作軌跡和指令位置波形之差量求出。
(b1)動作異常診斷部214與實施例之(a1)相同，求出接合頭41之Y方向驅動時之X軸旋轉方向之振動位移和Y軸旋轉方向和Z軸旋轉方向之振動位移。
(b2)動作異常診斷部214係根據從陀螺儀感測器45取得的加速度訊號波形，算出接合頭41之動作軌跡。如圖10所示般，於接合頭41之Y方向驅動時，測定Y方向之加速度訊號，取得如圖17(A)所示之Y方向之加速度訊號波形(Ay)。對該Y方向之加速訊號(Ay)進行積分，算出如圖17(B)所示之Y方向之速度(Vy)。並且，對該Y方向之速度(Vy)進行積分，算出如圖17(C)所示之Y方向之位置(Py)，求出Y方向之動作軌跡。同樣，求出接合頭41之Y方向驅動時之X方向之動作軌跡和Z方向之之動作軌跡。
(b3)動作異常診斷部214係從求出的動作軌跡和指令位置波形(PD)之差量，抽出接合頭41之振動成分之波形，求出接合頭41之Y方向驅動時之Y方向之振動位移。同樣，求出接合頭41之Y方向驅動時之X方向之振動位移和Z方向之振動位移。
(b4)以後的處理與實施例之(a3)之後的處理相同。
在變形例1中，在接近於驅動接合頭之X方向、Y方向、Z方向之驅動軸之交點的接合頭中心附近，設置6軸陀螺儀感測器。接合頭動作中，從6軸陀螺儀感測器所取得的角速度抽出接合頭旋轉方向之振動波形，並且根據從陀螺儀感測器所取得的加速度波形，算出接合頭之動作軌跡，從動作軌跡和馬達指令位置波形之差量抽出接合頭之振動波形。藉由比較從上述抽出之振動波形算出的振動的位移，和事先複數次測定並予以儲存的振動之位移，確認在現在的接合頭動作之振動是否有變化，檢測出裝置之異常。於此次測定的振動之位移超過事先給予的臨界值之情況，於停止馬達後裝置報告異常。藉由使用上述功能使接合頭動作，能夠實現接合頭之異常診斷。
(變形例2) 圖18為表示與變形例2有關之陀螺儀感測器之安裝位置的圖示。
在實施例中，雖然針對將陀螺儀感測45設置在接近於接合頭41驅動之X方向、Y方向、Z方向之驅動軸之交點的接合頭41之中心O之附近之情況進行說明，但是並不限定於此，可以設置在從接合頭41之夾頭42之前端至接合頭41之上端之間的能夠安裝感測器之處。
如圖18所示般，將陀螺儀感測器45設置在接合頭41之夾頭42之前端或夾頭42之前端附近之情況，能夠直接掌握影響到接合精度的振動。
在變形例2中，將6軸陀螺儀感測器設置在接合頭之夾頭前端或夾頭前端附近。依此，藉由直接掌握影響到接合精度的振動(Y方向驅動時之X方向之加速度訊號(Ax)及Y方向之加速度訊號)，且與事先複數次測定並予以儲存的振動之移位進行比較，檢測出裝置之異常。
(c1)如圖18所示般，於接合頭41之Y方向驅動時，測定X方向之加速度訊號(Ax)及Y方向之加速度訊號(Ay)。
(c2)動作異常診斷部214係從測定到的加速度訊號(Ay)和指令加速度波形之差量，抽出接合頭41之振動成分之波形，求出Y方向之振動位移。同樣，求出接合頭41之Y方向驅動時之X方向之振動位移。
(c3)動作異常診斷部214係藉由在上述(c2)求出的X方向之振動位移及Y方向之振動位移之振動位移，算出圖13所示之振動位移之合成波形。
(c4)動作異常診斷部214係從接合頭之2軸方向之振動位移之合成波形，求出2軸方向之振動位移之最大位移(MD)。
(c5)動作異常診斷部214係事先複數次測定(算出)在上述(c4)求出之接合動作中之振動位移之合成波形相同之波形並予以儲存，與在通常的接合工程中在上述(c3)測定(算出)的振動位移進行比較。
(c6)動作異常診斷部214係在通常之接合工程中在上述(c4)測定(算出)之合成波形之2軸方向之最大位移(MD)，超過如圖15所示般事先設定的臨界值之情況，對指令波形生成部212輸出異常檢測訊號而使伺服馬達230停止，將接合頭41之動作異常之情形顯示於螢幕83a。
(c7)異常檢測時，動作異常診斷部214以各分割成X方向、Y方向的動作波形進行異常原因之特定。
(變形例3) 圖19為表示與變形例3有關之異常判斷方法的圖示。為了在圖19中，容易圖示，表示接合頭41之Y方向驅動時之X方向振動位移和Y方向振動位移之合成波形。
在實施例及變形例1、2中，雖然相對於合成波形之最大位移，持有單一的臨界值而進行異常診斷，但是即使為從複數次測定到的標準性的XYZ方向振動位移之軌跡及X軸Y軸Z軸旋轉方向振動位移之軌跡，分離一定距離之情況，判斷異常之方法亦可。在該方法中，無須從合成波形求出最大位移。當將此適用於實施例時，如同下述般。另外，變形例3也可以適用於變形例1、2。
(d1)動作異常診斷部214進行與實施例之(a1)相同的處理。
(d2)動作異常診斷部214進行與實施例之(a2)相同的處理。
(d3)動作異常診斷部214進行與實施例之(a3)相同的處理。
(d4)動作異常診斷部214係事先複數次測定(算出)在上述(d2)求出之接合動作中之振動位移之合成波形相同之波形並予以儲存，與在通常的接合工程中在上述(d2)測定(算出)的振動位移進行比較。
(d5)動作異常診斷部214係在通常之接合工程中在上述(d4)測定(算出)之合成波形，超過如圖19所示般事先設定的臨界值之情況，對指令波形生成部212輸出異常檢測訊號而使伺服馬達230停止，將接合頭41之動作異常之情形顯示於螢幕83a。
以上，雖然根據實施型態、實施例及變形例對本發明者所創作岀之發明進行具體性說明，但是本發明並不限定於上述實施型態、實施例及變形例，當然可以做各種變更。 例如，在實施例中，雖然針對將接合頭施予Y軸驅動之情況進行說明，但是即使施予Z軸驅動之情況也適用。 再者，在實施例中，雖然說明在接合頭設置陀螺儀感測器之例，但是並非限定於此，即使在拾取頭設置陀螺儀亦可。 再者，在實施例中，雖然求出振動之位移而進行異常診斷，但是不僅振動之位移，即使以傅立葉轉換等特定頻率成分，對過去的動作，比較每頻率的振動位準而進行異常診斷亦可。 再者，即使在接合頭台、拾取頭台(X、Y、Z驅動部)之接合裝置架台安裝部設置陀螺儀感測器，取得各頭部之動作所致的振動資料以外之振動資料，使用各頭部之資料的差量而進行異常診斷亦可。 再者，即使將各頭部之靜止中之振動資料作為基準資料亦可。依此，能夠僅以根據各頭部之動作的資料進行解析，可以進行更高精度的異常診斷。 再者，即使在基板辨識攝影機、平台辨識攝影機、晶圓辨識攝影機設置陀螺儀感測器，進行產生接合精度異常之情況的異常原因為頭部之動作或攝影機惻之異常的診斷。 再者，雖然在實施例中分別各具備一個拾取頭及接合頭，但是即使各為兩個以上亦可。再者，在實施例中，雖然具備中間平台，但是即使無中間平台亦可。在此情況，即使兼用拾取頭和接合頭亦可。 再者，在實施例中，雖然使晶粒之表面朝上而被接合，但是即使拾取晶粒後使晶粒之表背反轉，使晶粒之背面朝向而接合亦可。在此情況，即使不設置中間平台亦可。該裝置稱為倒裝晶片接合器。
10‧‧‧晶粒接合器 1‧‧‧晶粒供給部 11‧‧‧晶圓 13‧‧‧上推單元 2‧‧‧拾取部 21‧‧‧拾取頭 3‧‧‧中間平台部 31‧‧‧中間平台 4‧‧‧接合部 41‧‧‧接合頭 8‧‧‧控制部 83e‧‧‧馬達控制裝置 210‧‧‧動作控制器 211‧‧‧理想波形生成部 212‧‧‧指令波形生成部 213‧‧‧DAC 214‧‧‧動作異常診斷部 220‧‧‧伺服放大器 221‧‧‧速度迴路控制部 230‧‧‧伺服馬達 D‧‧‧晶粒 S‧‧‧基板
圖1為表示與實施例有關之晶粒接合器之構成的概略上視圖。 圖2為說明圖1之晶粒接合器之概略構成和其動作之圖示。 圖3為說明圖1之晶粒接合器之控制系統之概略構成的方塊圖。 圖4為用以說明圖3之馬達控制裝置之基本的原理之方塊構成圖。 圖5為說明陀螺儀感測器之角速度及加速度之檢測方向的圖示。 圖6為陀螺儀感測器之安裝位置的圖示。 圖7為說明接合頭之X軸旋轉方向之振動的圖示。 圖8為說明接合頭之驅動方向及Z軸角速度的圖示。 圖9為圖8之狀態中之角速度波形及旋轉角度的圖示。 圖10為說明接合頭之驅動方向及Y方向加速度的圖示。 圖11為圖10之狀態中之加速度波形、加速度指令波形及差量加速度的圖示。 圖12為說明差量速度及位移的圖示。 圖13係說明接合頭之Y方向驅動時之X方向之振動位移和Y方向之振動位移之合成波形的圖示。 圖14為說明3軸方向之最大位移和3軸旋轉方向之最大位移之例的圖示。 圖15為說明振動位儀之偏差和臨界值的圖示。 圖16為說明半導體裝置之製造方法的流程圖。 圖17為圖10之狀態中之加速度波形、速度及位置的圖示。 圖18為說明與變形例2有關之陀螺儀感測器之安裝位置的圖示。 圖19為說明與變形例3有關之異常判斷方法的圖示。
41‧‧‧接合頭
42‧‧‧夾頭
43‧‧‧Y驅動部
45‧‧‧陀螺儀感測器
210‧‧‧動作控制器
211‧‧‧理想波形生成部
212‧‧‧指令波形生成部
213‧‧‧DAC
214‧‧‧動作異常診斷部
220‧‧‧伺服放大器
221‧‧‧速度迴路控制部
230‧‧‧伺服馬達

Claims (14)

  1. 一種晶粒接合裝置，具有： 晶粒供給部； 基板供給部； 接合部，其係將從上述晶粒供給部被供給之晶粒接合至從上述基板供給部被供給之基板或已被接合於上述基板之晶粒上；及 控制部，其係控制晶粒供給部和基板供給部和接合部， 上述接合部具備： 接合頭，其具備吸附上述晶粒之夾頭；驅動部，其具備移動上述接合頭之驅動軸；及感測器，其能夠檢測出上述接合頭之角速度及加速度， 上述控制部係使用藉由上述感測器所取得的結果，比較振動位移和事先設定的振動位移之臨界值而判斷異常。
  2. 如請求項1所記載之晶粒接合裝置，其中 上述感測器被設置在接近於接合頭驅動之X方向、Y方向、Z方向之驅動軸之交點的接合頭中心附近， 上述控制部係 (a)接合頭動作中，係由從上述感測器所取得的角速度，抽出上述接合頭之旋轉方向之振動波形，並且 (b)由從上述感測器所取得的加速度波形和馬達指令加速度波形之差量，抽出上述接合頭之振動波形， (c)藉由比較從上述抽出之振動波形算出的振動的位移，和根據事先複數次測定並予以儲存的振動之位移而被設定的臨界值，確認在現在的接合頭動作之振動是否有變化而判斷裝置之異常。
  3. 如請求項1所記載之晶粒接合裝置，其中 上述感測器被設置在接近於上述接合頭驅動之X方向、Y方向、Z方向之驅動軸之交點的接合頭中心附近， 上述控制部係 (a)接合頭動作中，由從上述感測器所取得的角速度，抽出上述接合頭之旋轉方向之振動波形，並且根據從上述感測器所取得的加速度波形，算出上述接合頭之動作軌跡， (b)從上述接合頭之動作軌跡和馬達指令位置波形之差量，抽出上述接合頭之振動波形， (c)藉由比較從上述抽出之振動波形算出的振動的位移，和根據事先複數次測定並予以儲存的振動之位移而被設定的臨界值，確認在現在的接合頭動作之振動是否有變化而判斷裝置之異常。
  4. 如請求項1所記載之晶粒接合裝置，其中 上述感測器被設置在安裝上述夾頭之接合頭的下部， 上述控制部係 (a)接合頭動作中，由從上述感測器所取得的加速度波形和馬達指令加速度波形之差量，抽出上述接合頭之振動波形， (b)藉由比較從上述抽出之振動波形算出的振動的位移，和根據事先複數次測定並予以儲存的振動之位移而被設定的臨界值，確認在現在的接合頭動作之振動是否有變化而判斷裝置之異常。
  5. 如請求項1所記載之晶粒接合裝置，其中 進一步具備拾取部， 上述拾取部具備： 拾取頭，其具備吸附上述晶粒的夾頭； 驅動部，其具備移動上述拾取頭的驅動軸；及 第二感測器，其係能夠檢測出上述拾取頭之角速度及加速度， 上述控制部係使用藉由上述第二感測器所取得的結果，比較振動位移和事先設定的振動位移之臨界值而判斷異常。
  6. 如請求項2所記載之晶粒接合裝置，其中 上述感測器測定 X軸旋轉方向、Y軸旋轉方向及Z軸旋轉方向之角速度；和 X方向、Y方向及Z方向之加速度， 上述控制部係 (a1)分別對上述測定到的X軸旋轉方向之角速度訊號、Y軸旋轉方向之角速度訊號及Z軸旋轉方向之角速度訊號進行積分，算出X軸旋轉方向之振動位移、Y軸旋轉方向之振動位移及Z軸旋轉方向之振動位移， (b1)從上述測定到的X方向、Y方向及Z方向之加速度波形和指令加速度波形之差量，抽出振動成分之波形，算出X方向之振動位移、Y方向之振動位移及Z方向之振動位移， (c1)算出合成上述算出的X軸旋轉方向之振動位移、Y軸旋轉方向之振動位移及Z軸旋轉方向之振動位移的第一合成波形，和合成上述算出的X方向之振動位移、Y方向之振動位移及Z方向之振動位移的第二合成波形， (c2)從上述第一合成波形算出上述X軸旋轉方向之振動位移、Y軸旋轉方向之振動位移及Z軸旋轉方向之振動位移的第一最大位移，從上述第二合成波形算出上述X方向之振動位移、Y方向之振動位移及Z方向之振動位移的第二最大位移， (c3)比較上述第一最大位移和根據事先複數次測定並予以儲存的最大位移而設定的臨界值，比較上述第二最大位移和根據事先複數次測定並予以儲存的最大位移而被設定的臨界值。
  7. 如請求項3所記載之晶粒接合裝置，其中 上述感測器測定 X軸旋轉方向、Y軸旋轉方向及Z軸旋轉方向之角速度；和 X方向、Y方向及Z方向之加速度， 上述控制部係 (a1)分別對上述測定到的X軸旋轉方向之角速度訊號、Y軸旋轉方向之角速度訊號及Z軸旋轉方向之角速度訊號進行積分，算出X軸旋轉方向之振動位移、Y軸旋轉方向之振動位移及Z軸旋轉方向之振動位移， (b1)對上述測定到的X方向、Y方向及Z方向之加速度波形進行積分，算出X方向、Y方向及Z方向之動作軌跡， (b2)從上述算出到的X方向、Y方向及Z方向之動作軌跡和指令位置波形之差量，抽出振動成分之波形，算出X方向之振動位移、Y方向之振動位移及Z方向之振動位移， (c1)算出合成上述算出的X軸旋轉方向之振動位移、Y軸旋轉方向之振動位移及Z軸旋轉方向之振動位移的第一合成波形，和合成上述算出的X方向之振動位移、Y方向之振動位移及Z方向之振動位移的第二合成波形， (c2)從上述第一合成波形算出上述X軸旋轉方向之振動位移、Y軸旋轉方向之振動位移及Z軸旋轉方向之振動位移的第一最大位移，從上述第二合成波形算出上述X方向之振動位移、Y方向之振動位移及Z方向之振動位移的第二最大位移， (c3)比較上述第一最大位移和根據事先複數次測定並予以儲存的最大位移而設定的臨界值，比較上述第二最大位移和根據事先複數次測定並予以儲存的最大位移而被設定的臨界值。
  8. 如請求項4所記載之晶粒接合裝置，其中 上述感測器測定 X軸旋轉方向、Y軸旋轉方向及Z軸旋轉方向之角速度；和 X方向、Y方向及Z方向之加速度， 上述控制部係 (b1)從上述測定到的X方向、Y方向之加速度波形和指令加速度波形之差量，抽出振動成分之波形，算出X方向之振動位移及Y方向之振動位移， (c1)算出合成上述算出的X方向之振動位移及Y方向之振動位移的合成波形， (c2)從上述合成波形算出上述X方向之振動位移及Y方向之振動位移之最大位移， (c3)比較上述最大位移和根據事先複數次測定並予以儲存的最大位移而被設定的臨界值。
  9. 如請求項2所記載之晶粒接合裝置，其中 上述感測器測定 X軸旋轉方向、Y軸旋轉方向及Z軸旋轉方向之角速度；和 X方向、Y方向及Z方向之加速度， 上述控制部係 (a1)分別對上述測定到的X軸旋轉方向之角速度訊號、Y軸旋轉方向之角速度訊號及Z軸旋轉方向之角速度訊號進行積分，算出X軸旋轉方向之振動位移、Y軸旋轉方向之振動位移及Z軸旋轉方向之振動位移， (b1)從上述測定到的X方向、Y方向及Z方向之加速度波形和指令加速度波形之差量，抽出振動成分之波形，算出X方向之振動位移、Y方向之振動位移及Z方向之振動位移， (c1)算出合成上述算出的X軸旋轉方向之振動位移、Y軸旋轉方向之振動位移及Z軸旋轉方向之振動位移的第一合成波形，和合成上述算出的X方向之振動位移、Y方向之振動位移及Z方向之振動位移的第二合成波形， (c2)比較上述第一合成波形和根據事先複數次測定並予以儲存的合成波形而設定的臨界值，比較上述第二合成波形和根據事先複數次測定並予以儲存的合成波形而被設定的臨界值。
  10. 如請求項3所記載之晶粒接合裝置，其中 上述感測器測定 X軸旋轉方向、Y軸旋轉方向及Z軸旋轉方向之角速度；和 X方向、Y方向及Z方向之加速度， 上述控制部係 (a1)分別對上述測定到的X軸旋轉方向之角速度訊號、Y軸旋轉方向之角速度訊號及Z軸旋轉方向之角速度訊號進行積分，算出X軸旋轉方向之振動位移、Y軸旋轉方向之振動位移及Z軸旋轉方向之振動位移， (b1)對上述測定到的X方向、Y方向及Z方向之加速度波形進行積分，算出X方向、Y方向及Z方向之動作軌跡， (b2)從上述算出的X方向、Y方向及Z方向之動作軌跡和指令位置波形之差量，抽出振動成分之波形，算出X方向之振動位移、Y方向之振動位移及Z方向之振動位移， (c1)算出合成上述算出的X軸旋轉方向之振動位移、Y軸旋轉方向之振動位移及Z軸旋轉方向之振動位移的第一合成波形，和合成上述算出的X方向之振動位移、Y方向之振動位移及Z方向之振動位移的第二合成波形， (c2)比較上述第一合成波形和根據事先複數次測定並予以儲存的合成波形而設定的臨界值，比較上述第二合成波形和根據事先複數次測定並予以儲存的合成波形而被設定的臨界值。
  11. 如請求項4所記載之晶粒接合裝置，其中 上述感測器測定 X軸旋轉方向、Y軸旋轉方向及Z軸旋轉方向之角速度；和 X方向、Y方向及Z方向之加速度， 上述控制部係 (b1)從上述測定到的X方向、Y方向之加速度波形和指令加速度波形之差量，抽出振動成分之波形，算出X方向之振動位移及Y方向之振動位移， (c1)算出合成上述算出的X方向之振動位移及Y方向之振動位移的合成波形， (c2)比較上述合成波形和根據事先複數次測定並予以儲存的合成波形而被設定的臨界值。
  12. 一種半導體裝置之製造方法，具備： (a)準備請求項1至11中之任一項的晶粒接合裝置的工程； (b)搬入保持貼附晶粒之切割膠帶的晶圓環保持器之工程； (d)準備搬入基板之工程； (d)拾取晶粒之工程； (e)將上述拾取到的晶粒接合於上述基板或已被接合之晶粒上的工程；及 (f)使用根據上述感測器的測定結果而進行異常準診斷的工程， 上述(f)工程係與上述(e)工程並行而根據上述感測器之測定結果而檢測出上述接合頭之動作之振動有無異常。
  13. 如請求項12所記載之半導體裝置之製造方法，其中 上述(d)工程係以上述接合頭拾取上述切割膠帶上之晶粒， 上述(e)工程係以上述接合頭將上述拾取到的晶粒接合於上述基板或已被接合之晶粒上。
  14. 如請求項12所記載之半導體裝置之製造方法，其中 上述(d)工程具備： (d1)以拾取頭拾取上述切割膠帶上之晶粒的工程； (d2)將以上述拾取頭拾取到的晶粒載置於中間平台的工程， 上述(e)工程具備： (e1)以接合頭拾取被載置於上述中間平台的晶粒的工程；和 (e2)將以上述接合頭拾取到的晶粒載置於上述基板的工程， 上述(f)工程係與(d2)工程並行而根據第二感測器之測定結果而檢測出上述拾取頭之動作之振動有無異常。
TW107129890A 2017-09-11 2018-08-28 晶粒接合裝置及半導體裝置之製造方法 TWI697981B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017173907A JP7102113B2 (ja) 2017-09-11 2017-09-11 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP2017-173907 2017-09-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201917818A TW201917818A (zh) 2019-05-01
TWI697981B true TWI697981B (zh) 2020-07-01

Family

ID=65690422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107129890A TWI697981B (zh) 2017-09-11 2018-08-28 晶粒接合裝置及半導體裝置之製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7102113B2 (zh)
KR (1) KR102100278B1 (zh)
CN (1) CN109494173B (zh)
TW (1) TWI697981B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200119971A (ko) 2019-04-11 2020-10-21 주식회사 지와이엘테크놀로지 반도체 본딩 장치 및 그 방법
WO2020227987A1 (zh) * 2019-05-15 2020-11-19 深圳市兴华炜科技有限公司 高速贴片的转移方法及相关产品
CN110418503B (zh) * 2019-06-26 2021-06-01 龙南领德实业有限公司 一种柔性电路板的补强胶片贴附预压设备
KR20210039661A (ko) 2019-10-02 2021-04-12 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치
CN110943011B (zh) * 2019-11-21 2024-08-20 深圳市德沃先进自动化有限公司 一种键合设备用的质量监测控制器及其集总控制方法
JP7408434B2 (ja) * 2020-02-25 2024-01-05 ファスフォードテクノロジ株式会社 モータ制御装置、ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
KR102619967B1 (ko) * 2020-05-22 2024-01-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 액 공급 유닛
CN116033675B (zh) * 2023-02-16 2023-10-20 深圳市乐祺微电子科技有限公司 Smt物料纠错系统
CN117080127B (zh) * 2023-10-11 2024-01-05 江苏快克芯装备科技有限公司 芯片吸取异常检测装置及检测方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI524407B (zh) * 2012-08-29 2016-03-01 Fasford Technology Co Ltd A grain bonding apparatus, a grain picking apparatus, and a grain picking method
CN105990190A (zh) * 2015-03-16 2016-10-05 株式会社东芝 半导体制造装置及半导体装置的制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000180175A (ja) * 1998-12-15 2000-06-30 Mitsumi Electric Co Ltd 多軸検出型角速度、加速度センサ
JP2008091856A (ja) * 2006-03-22 2008-04-17 Juki Corp 電子部品搭載装置
JP2007275244A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Kawasaki Plant Systems Ltd 挙動異常検出装置および検出方法
KR100844346B1 (ko) * 2008-03-25 2008-07-08 주식회사 탑 엔지니어링 본딩 장비의 제어방법
JP5367623B2 (ja) * 2010-03-15 2013-12-11 オムロン株式会社 サーボシステム、サーボモータ駆動装置、セーフティユニットおよびサーボシステムの制御方法
JP2011232103A (ja) * 2010-04-26 2011-11-17 Nikon Corp 形状測定装置
JP5320420B2 (ja) 2011-02-18 2013-10-23 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ モータ制御装置およびモータ制御方法
JP5678727B2 (ja) * 2011-03-03 2015-03-04 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器
JP5865639B2 (ja) * 2011-09-15 2016-02-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
JP2015060543A (ja) * 2013-09-20 2015-03-30 船井電機株式会社 デジタルペン及びそれを備える情報処理システム
JP6247965B2 (ja) * 2014-03-12 2017-12-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造方法及びダイボンダ
JP6374189B2 (ja) * 2014-03-17 2018-08-15 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
KR102004797B1 (ko) * 2014-10-31 2019-10-01 삼성전기주식회사 센서 패키지 및 그 제조 방법
JP6470054B2 (ja) * 2015-01-26 2019-02-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダおよびボンディング方法
JP6584234B2 (ja) * 2015-08-31 2019-10-02 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ、ボンディング方法および半導体装置の製造方法
CN105923475A (zh) * 2016-06-22 2016-09-07 广州广日电梯工业有限公司 一种基于传感器的智能自动调节系统及方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI524407B (zh) * 2012-08-29 2016-03-01 Fasford Technology Co Ltd A grain bonding apparatus, a grain picking apparatus, and a grain picking method
CN105990190A (zh) * 2015-03-16 2016-10-05 株式会社东芝 半导体制造装置及半导体装置的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109494173A (zh) 2019-03-19
KR102100278B1 (ko) 2020-04-13
TW201917818A (zh) 2019-05-01
CN109494173B (zh) 2022-03-29
JP7102113B2 (ja) 2022-07-19
KR20190029434A (ko) 2019-03-20
JP2019050295A (ja) 2019-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI697981B (zh) 晶粒接合裝置及半導體裝置之製造方法
TWI702660B (zh) 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
JP6653273B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR102219591B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6667326B2 (ja) ダイボンダおよびボンディング方法
JP2015177110A (ja) ダイボンダ及びボンディング方法
KR102458131B1 (ko) 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7082862B2 (ja) ダイボンディング装置、半導体装置の製造方法および半導体製造システム
TWI724495B (zh) 固晶裝置及半導體裝置的製造方法
JP2019149440A (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP5317753B2 (ja) ボンダ装置
TWI743887B (zh) 晶粒接合裝置及半導體裝置的製造方法
JP2024087682A (ja) 半導体製造装置、ピックアップ装置および半導体装置の製造方法
JP5576219B2 (ja) ダイボンダおよびダイボンディング方法
JP2023042715A (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP2024106266A (ja) 半導体製造装置、塗布装置および半導体装置の製造方法