TWI697921B - 電容器 - Google Patents
電容器 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI697921B TWI697921B TW107142904A TW107142904A TWI697921B TW I697921 B TWI697921 B TW I697921B TW 107142904 A TW107142904 A TW 107142904A TW 107142904 A TW107142904 A TW 107142904A TW I697921 B TWI697921 B TW I697921B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- finger
- parallel
- plate
- connecting rods
- connecting rod
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 57
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 85
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 18
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
- H01L23/5223—Capacitor integral with wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
- H01L23/5225—Shielding layers formed together with wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/642—Capacitive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/86—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having horizontal extensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/90—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
本發明公開一種電容器，包括：基板；下屏蔽板，設置在該基板上並與該基板的主表面平行；上屏蔽板，位於該下屏蔽板上方並與該下屏蔽板平行；以及中間板，設置在該下屏蔽板和該上屏蔽板之間，其中該中間板包括：沿第一方向延伸的兩個相互平行的第一連接杆，沿第二方向延伸並在該兩個相互平行的第一連接杆之間的第一指狀物，以及與該第一連接杆和該第一指狀物間隔開的電極條；其中該電極條由該第一連接杆和該第一指狀物圍繞。
Description
本發明涉及電學技術領域，尤其涉及一種電容器。
被動部件(例如電容器)廣泛用於為射頻(RF，radio-frequency)和混合訊號應用的積體電路(IC，integrated circuit)設計中，例如用於逐次逼近寄存器類比數位轉換器(SAR ADC，analog-to-digital converter)。
SAR ADC具有小面積和低功耗，特別適用於可穿戴裝置，手持裝置和感測器等應用。本行業需要為SAR ADC提供整合的金屬-氧化物-金屬(metal-oxide-metal，mom)電容器結構，以滿足為10位元ADC低RC(Resistor-Capacitor，電阻器-電容器)寄生電容(不敏感寄生電容)和至少1fF的單位電容的要求。因此，如何提供一種具有更低寄生電容的電容器，成為本領域亟需解決的問題。
有鑑於此，本發明提供一種改進的電容器，具有更低的寄生電容。
根據本發明的第一方面，公開一種電容器，包括：基板；下屏蔽板，設置在該基板上並與該基板的主表面平行；上屏蔽板，位於該下屏蔽板上方並與該下屏蔽板平行；以及中間板，設置在該下屏蔽板和該上屏蔽板之間，其中該中間板包括：沿第一方向延伸的兩個相互平行的第一連接杆，沿第二方向延伸並在該兩個相
互平行的第一連接杆之間的第一指狀物，以及與該第一連接杆和該第一指狀物間隔開的電極條；其中該電極條由該第一連接杆和該第一指狀物圍繞。
根據本發明的第二方面，公開一種電容器，包括：基板；下屏蔽板，設置在該基板上並與該基板的主表面平行；上屏蔽板，位於該下屏蔽板上方並與該下屏蔽板平行；以及中間板，設置在該下屏蔽板和該上屏蔽板之間，其中，該中間板包括沿第一方向延伸的兩個相互平行的第一連接杆，沿第二方向延伸並在該兩個平行的第一連接杆之間的第一指狀物，以及與該兩個相互平行的第一連接杆和該第一指狀物間隔開的電極條，其中該電極條由該第一連接杆和該第一指狀物圍繞，該第一連接杆和該第一指狀物電連接到第一極性，該電極條電連接到第二極性。
本發明提供的電容器由於包括下屏蔽板，設置在該基板上並與該基板的主表面平行；上屏蔽板，位於該下屏蔽板上方並與該下屏蔽板平行；以及中間板，設置在該下屏蔽板和該上屏蔽板之間，其中該中間板包括：沿第一方向延伸的兩個相互平行的第一連接杆，沿第二方向延伸並在該兩個相互平行的第一連接杆之間的第一指狀物，以及與該第一連接杆和該第一指狀物間隔開的電極條；其中該電極條由該第一連接杆和該第一指狀物圍繞。採用這種方式可以利用上屏蔽板和下屏蔽板保護位於上屏蔽板和下屏蔽板之間的中間板中的電容，從而防止干擾，以及降低寄生電容。
1a、1b、1c、2a、2b:電容器
10:基板
10a:主表面
20、20b、20c:下屏蔽板
201a、201b、301a、301b、401a、401b、701a、701b、801a、801b:連接杆
202、302、402、702、802:指狀物
203、303、703、803、705、305:通孔
203c、303c:槽孔
30、30c:中間板
304、704、804、304a、304b:電極條
310、206c、306c、310a、310b:間隙
40、40b、40c:上屏蔽板
70、80:中間屏蔽板
M1:第一金屬層
M2:第二金屬層
M3:第三金屬層
M4:第四金屬層
M5:第五金屬層
透過閱讀後續的詳細描述和實施例可以更全面地理解本發明，本實施例參
照附圖給出，其中：第1圖是根據本發明的一個實施例的電容器的透視分解圖。
第2圖示出了第1圖的電容器的變體。
第3圖示出了第1圖的電容器的變體。
第4圖是根據本發明另一實施例的電容器的透視分解圖。
第5圖是沿第4圖中的虛線I-I截取的示意性橫截面圖。
第6圖是沿第4圖中的虛線II-II'截取的示意性橫截面圖。
第7圖是沿第4圖中的虛線III-III'截取的示意性橫截面圖。
第8圖是根據本發明另一實施例的電容器的透視分解圖。
第9圖是根據本發明又一實施例的電容器的透視分解圖。
第10圖是示出根據本發明又一實施例的電容器的透視分解圖。
以下描述為本發明實施的較佳實施例。以下實施例僅用來例舉闡釋本發明的技術特徵，並非用來限制本發明的範疇。在通篇說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。所屬領域技術人員應可理解，製造商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區別元件的方式，而係以元件在功能上的差異來作為區別的基準。本發明的範圍應當參考後附的申請專利範圍來確定。本發明中使用的術語“元件”、“系統”和“裝置”可以係與電腦相關的實體，其中，該電腦可以係硬體、軟體、或硬體和軟體的接合。在以下描述和申請專利範圍當中所提及的術語“包含”和“包括”為開放式用語，故應解釋成“包含，但不限定於...”的意思。此外，術語“耦接”意指間接或直接的電氣連接。因此，若文中描述一個裝置耦接至另一裝置，則代表該裝置可直接電氣連接於該另一裝置，或者透過其它裝置或連接
手段間接地電氣連接至該另一裝置。
對這些實施例進行了詳細的描述係為了使本領域的技術人員能夠實施這些實施例，並且應當理解，在不脫離本發明的精神和範圍情況下，可以利用其他實施例進行機械、化學、電氣和程式上的改變。因此，以下詳細描述並非係限制性的，並且本發明的實施例的範圍僅由所附申請專利範圍限定。
下面將參考特定實施例並且參考某些附圖來描述本發明，但係本發明不限於此，並且僅由申請專利範圍限制。所描述的附圖僅係示意性的而並非限制性的。在附圖中，為了說明的目的，一些元件的尺寸可能被誇大，而不係按比例繪製。在本發明的實踐中，尺寸和相對尺寸不對應於實際尺寸。
在整個說明書中，術語“晶粒”，“晶片”，“半導體晶片”和“半導體晶粒”可互換使用，以表示積體電路晶片或晶粒。這裡使用的術語“水平”可以定義為平行於平面或表面(例如基板或平臺的表面)的方向，而不管其取向如何。這裡使用的術語“垂直”可以指與剛剛描述的水平方向正交的方向。術語，例如“上”，“上方”，“下方”，“底部”，“頂部”，“側面”(如“側壁”)，“更高”，“更低”，“上面”，“在...之上”，和“在...之下”，可以相對參考水平面。
除非另有說明，本發明中的術語“電容器”或“電容器元件”在本文中稱為晶片上(on-chip)電容元件，可以由介電材料層和夾著介電材料層的兩個電極組成，其中兩個電極可以在BEOL(back-end of line，後端互連)制程中製造形成。當在電極上施加電壓時，電荷積聚在電極上，從而存儲電能。
在CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)製程中，最常見的晶片上電容元件是金屬-絕緣體-金屬(MIM，metal-insulator-metal)電容器和金屬-氧化物-金屬(MOM，metal-oxide-metal)電容器。MIM電容器通常也稱為夾層電容器，在BEOL製程中需要複數個額外的
步驟來製造電容器結構。MOM電容器或垂直(vertical)電容器可以在CMOS製程中使用現有的金屬層和層間(inter-layer)電介電層在後端互連製程中製造形成。
本發明涉及MOM電容器，以提供低RC寄生電容(不敏感寄生電容)配置和至少1fF的單位電容，並且特別適用於逐次逼近寄存器類比數位轉換器(SAR ADC)。本發明涉及具有屏蔽(屏蔽結構)的電容器，以使用屏蔽結構保護電容，減少干擾，並具有更低的寄生電容。
請參考第1圖，第1圖是根據本發明一個實施例的電容器的透視分解圖。如第1圖所示，電容器1a(例如為MOM電容器)可以製造在基板10(例如半導體基板)上，並且可以形成為積體電路的一部分。應當理解，可以在基板10上形成複數個材料層，例如介電層，多晶矽(polysilicon)層或下部金屬(lower metal)層。為了簡單起見，這些材料層在圖中未示出。
為了簡單起見，在圖中省略了金屬間(inter-metal)介電層(絕緣材料)。應當理解，絕緣材料填充兩個相鄰指狀物(finger)之間的空位以及電極條(electrode strip)和指狀物之間的空位，當然絕緣材料還可以填充其他空間和空位。絕緣材料可以是極低k(ELK，extreme low k)材料，k是絕緣材料的介電常數。ELK材料可包括摻氟氧化物(fluorine-doped oxide)，碳摻雜氧化矽(carbon-doped silicon oxide)等。絕緣材料可包括氧化矽，氮氧化矽或氮化矽，但不限於此。
根據一個實施例，MOM電容器1a是三層(即三個金屬層)堆疊結構，MOM電容器1a包括與基板10的主表面10a平行的下屏蔽板20。下屏蔽板20可以包括沿第一方向(例如參考軸x軸)延伸的兩個相互平行的連接杆201a和201b以及沿第二方向(例如參考軸y軸)延伸的複數個指狀物202，指狀物202在兩個相互平行的連接杆201a和201b之間。本實施例中，例如第一方向垂直於第二方向。
每個指狀物202的兩個遠端分別與連接杆201a和201b直接接觸。複數個通孔203設置在相互平行的連接杆201a和201b上以及指狀物202上以用於連接(例如電連接)的目的，本實施例中通孔203可以是導電通孔，例如銅、鋁或其他金屬或合金形成的位於一些結構(例如在下屏蔽板20與下述中間板30之間的絕緣材料層)的通孔中的導電柱，因此可稱為導電通孔或簡稱為通孔。例如，下屏蔽板20可以電連接到第一訊號，第一訊號例如為接地(在圖中用“(-)”標記)或接地端。也就是說，連接杆201a和201b以及指狀物202具有相同的極性，例如為接地。此外，下屏蔽板20以及連接杆201a和201b，指狀物202可以均為導電材料，例如銅、鋁等金屬或合金。
根據一個實施例，下屏蔽板20可以製造在相同的金屬層中，例如第一金屬層(M1)(第1圖中未示出)，第二金屬層(M2)或第三金屬層(M3)，但是不限於此。例如，下屏蔽板20可以製造在第二金屬層(M2)中。金屬層可包括銅，鋁或鎢或其他金屬或合金等，但不限於此。
MOM電容器1a還包括位於下屏蔽板20上方的上屏蔽板40。同樣的，上屏蔽板40與基板10的主表面10a平行。上屏蔽板40可以包括沿參考軸x軸延伸的兩個相互平行的連接杆401a和401b，以及沿參考軸y軸延伸的複數個指狀物402，指狀物402在兩個相互平行的連接杆401a和401b之間。每個指狀物402的兩個遠端分別與連接杆401a和401b直接接觸。兩個相互平行的連接杆401a和401b以及上屏蔽板40的指狀物402可以電連接到與下屏蔽板20的極性相同的極性，例如接地。此外，上屏蔽板40以及連接杆401a和401b，指狀物402可以均為導電材料，例如銅、鋁等金屬或合金。
根據一個實施例，上屏蔽板40可以製造在相同的金屬層中，例如第三金屬層(M3)，第四金屬層(M4)或第五金屬層(M5)(第1圖中未示出)，但是不限於此。例如，上屏蔽板40可以製造在第四金屬層(M4)中。
根據一個實施例，上屏蔽板40的指狀物402之間的間距可以等於最小間距規則所規定的間距。眾所周知，在一些先進的製程中，沿第一方向(例如參考軸x軸)存在最小間距(MINP，minimum pitch)，沿第二方向(例如參考軸y軸)存在非最小間距(NMINP，non-minimum pitch)。通常，第一方向垂直於第二方向。例如，在20nm或16nm的技術節點中，MINP高於NMINP的一半。指狀物在一個方向上按照最小間距間隔，可以減小整個MOM電容器的尺寸，從而減小MOM電容器的佔用面積。
眾所周知，間距是相同類型的相鄰特徵或元件之間的距離。間距的概念用於描述這些特徵的大小。術語“間距”定義為兩個相鄰特徵中的相同的點之間的距離，例如具有重複圖案的多晶矽閘極線。
屏蔽MOM電容器1a還包括插入在水平下屏蔽板20和上屏蔽板40之間的中間板30。例如，中間板30可以製造在第三金屬層(M3)中。中間板30包括沿參考軸y軸延伸的兩個相互平行的連接杆301a和301b以及沿參考軸x軸延伸的複數個指狀物302，指狀物302在兩個相互平行的連接杆301a和301b之間。連接杆301b是不連續的，並且具有間隙310。
為了連接的目的，複數個通孔303設置在相互平行的連接杆301a和301b上以及指狀物302上。相互平行的連接杆301a和301b以及中間板30的指狀物302透過複數個通孔303電連接到上屏蔽板40。下屏蔽板20透過複數個通孔203電連接到相互平行的連接杆301a和301b以及中間板30的指狀物302。因此連接杆301a和301b以及指狀物302可以具有相同的極性，例如均為接地。類似的，通孔303可以是導電通孔。
中間板30包括由連接杆301a(也可以有連接杆301b)和指狀物302圍繞的電極條304。電極條304與連接杆301a(或/和連接杆301b)和指狀物302共面。其中共面可以是連接杆301a(或/和連接杆301b)和指狀物302的上表面與電極條
304的上表面在一個平面上，或/和連接杆301a(或/和連接杆301b)和指狀物302的下表面與電極條304的下表面在一個平面上。電極條304沿參考軸x軸延伸。電極條304可以設置在兩個相鄰的指狀物302之間，當然還可以設置更多的電極條，在設置其他更多的電極條時，也是將一個電極條設置在兩個相鄰的指狀物之間。根據一個實施例，電極條304電連接到第二訊號，例如輸出訊號(在圖中用“(+)”標記)，從而在電極條304和相鄰指狀物302之間構成電容器。電極條304所具有的極性(電連接到第二訊號，例如為大於零的電壓電平)與指狀物302所具有的極性(電連接到接地端，例如電壓電平為零)不同。例如，在第1圖中，電極條304與一側的指狀物302形成一個電容器的兩個電極，之間有絕緣材料(例如氧化物)，並且在該指狀物302的外側還具有至少一個指狀物302，以起到屏蔽的作用，從側面降低對電極條304，絕緣材料和指狀物302形成的電容的干擾；同時電極條304與另一側的指狀物302形成另一個電容器的兩個電極，之間有絕緣材料(例如氧化物)，並且在該指狀物302的外側還具有至少一個指狀物302，以起到屏蔽的作用，從側面降低對電極條304，絕緣材料和指狀物302形成的電容的干擾。此外，電極條304可以由連接杆301a，301b和指狀物302圍繞，電極條304即與圍繞電極條304的指狀物302分別形成電容，而連接杆301a，301b也可以起到屏蔽作用，以保護形成的電容。在電極條304和相鄰指狀物302之間形成的電容器由下屏蔽板20和上部屏蔽板40所屏蔽，這能夠提供低RC寄生電容(不敏感寄生電容)的配置和用於至少為1fF的10位元的單位電容ADC。具體的，上屏蔽板40和下屏蔽板20將外界的電訊號等與位於上屏蔽板40和下屏蔽板20中間板30中的電容器間隔開，從而保護中間板30中的電容器，避免或減少外界的電訊號等對中間板30中的電容器的干擾或負面影響，降低寄生電容，保證電容器運行的穩定。因此本實施例中提供的MOM電容器不僅在側面減少對電容器的干擾，並且在上下也可以降低對電容的干擾。而且本實施例中
提供1fF的電容容量，容量不會太大也不會太小，從而在保證電容容量的情況下，提高了電容器充放電的速度，以適應高速運行的需求。此外，指狀物202和指狀物402之間設置間隔可以方便電容器上的佈線，例如穿過這些間隔佈線，以連接電極條304和其他部件(例如電容器之外的部件，例如電源等)。
第2圖和第3圖示出了第1圖的電容器1a的變體，其中相同的數字標號表示相同的元件，區域或層。如第2圖所示，第1圖的MOM電容器1a和第2圖的MOM電容器1b之間的區別在於MOM電容器1b包括實心的(solid)下屏蔽板20b和實心的上屏蔽板40b，以及由實心的(solid)下屏蔽板20b和實心的上屏蔽板40b夾著的中間板30，中間板30與第1圖的MOM電容器1a的中間板相同。在第2圖中，實心的下屏蔽板20b和實心的上屏蔽板40b都是連續的水平的金屬板，沒有任何縫隙(slit)或開口(opening)。
如第3圖所示，第3圖的MOM電容器1c與第2圖的MOM電容器1b之間的區別在於，MOM電容器1c包括位於下屏蔽板20c和中間板30c之間的槽孔203c。槽孔203c沿著下屏蔽板20c的周邊設置，並且具有與中間板30c的連接杆301a，301b和指狀物302類似的形狀(或圖案、樣式)。其中槽孔203c可以是在下屏蔽板20c和中間板30c之間形成絕緣材料層，然後在絕緣材料層的相應位置開設孔(該孔與槽孔203c形狀大小位置均相對應)，然後在該孔內填充金屬(例如銅、鋁等)或合金等導電材料，這些在上述孔中的導電材料即形成了槽孔203c。因此本實施例中槽孔203c實際上是導電結構，作用與第1圖中的通孔203類似，當然結構有所區別。本實施例中槽孔是導電通孔的一種，可稱為導電通孔，也可以簡稱為槽孔或通孔。透過槽孔203c可以使下屏蔽板20c與中間板30c的連接杆301a，301b以及指狀物302電連接，因此連接杆301a，301b以及指狀物302可以是接地。間隙206c可以直接設置在電極條304下方，使得電極條304與下屏蔽板20c絕緣(例如電極條304與下屏蔽板20c之間設有絕緣材料間隔開，間隙
206c可以設有絕緣材料)。同樣，槽孔303c可以設置在中間板30c和上屏蔽板40c之間。槽孔303c沿中間板30c的周邊設置在中間板30c的連接杆301a，301b和指狀物302上。槽孔303c在與間隙206c相應的位置設有間隙306c，間隙306c可以設有絕緣材料，使得電極條304與上屏蔽板40c絕緣。類似於槽孔302c，槽孔303c可以是在上屏蔽板40c和中間板30c之間形成絕緣材料層，然後在絕緣材料層的相應位置開設孔(該孔與槽孔303c形狀大小位置均相對應)，然後在該孔內填充金屬(例如銅、鋁等)或合金等導電材料，這些在上述孔中的導電材料即形成了槽孔303c。因此本實施例中槽孔303c實際上是導電結構，作用與第1圖中的通孔203類似，當然結構有所區別。本實施例中槽孔是導電通孔的一種，可稱為導電通孔，也可以簡稱為槽孔或通孔。透過槽孔303c可以使上屏蔽板40c與中間板30c的連接杆301a，301b以及指狀物302電連接，因此上屏蔽板40c可以是接地。槽孔和實心的屏蔽板提供更有效的屏蔽效果。在其他實施例中也可以採用第2圖中描繪的實心的屏蔽板和第3圖中描繪的槽孔。此外在第1圖至第3圖所示的實施例中，電極條304的一端突出於其中一個連接杆(例如連接杆301b)之外，電極條304的另一端由另一個連接杆(例如連接杆301a)阻擋而未突出於該另一個連接杆(例如連接杆301a)之外，電極條304與該另一個連接杆(例如連接杆301a)之間設有間隙。此外，例如第1圖所示，電極條304的一端突出於其中一個連接杆(例如連接杆301b)之外，因此第1圖所示的MOM電容器1a可以透過電極條304(即透過電極條304突出於連接杆301b之外的部分)與其他的電容器(或其他裝置或部件等)連接；例如可以與另一個MOM電容器連接，當然另一個MOM電容器也可以具有類似於電極條304的結構；或者第1圖所示的MOM電容器1a可以透過電極條304(即透過電極條304突出於連接杆301b之外的部分)與下述的第8圖的MOM電容器2b的電極條304的一端(該第8圖的電極條的一端突出於連接點301a)連接，而該第8圖的MOM電容器2b的電極條304的另一端(該第8圖
的電極條的另一端突出於連接點301b)可以與其他的電容器或裝置或部件(例如可以是另一個第8圖所示的MOM電容器，或另一個第1圖所示的MOM電容器)等連接。透過這種方式就可以使複數個MOM電容連接起來，以適應不同的應用和需求。當然也可以透過這種方式使MOM電容器連接到所需要的位置。
請參考第4圖至第7圖。第4圖是根據本發明另一實施例的電容器的透視分解圖，其中相同的數字標號表示相同的元件，區域或層。第5圖是沿第4圖中的虛線I-I'截取的示意性橫截面圖。第6圖是沿第4圖中的虛線II-II'截取的示意性橫截面圖。第7圖是沿第4圖中的虛線III-III'截取的示意性的橫截面圖。
如第4圖至第7圖所示，MOM電容器2a可以製造在基板10(例如半導體基板)上，並且可以形成為積體電路的一部分。應當理解，可以在基板10上形成複數個材料層，例如介電層，多晶矽層或下部金屬層。為了簡單起見，金屬間介電層在圖中省略。
根據一個實施例，MOM電容器2a是五層(即五個金屬層)堆疊結構，包括與基板10的主表面10a平行的下屏蔽板20。屏蔽板20可包括沿參考軸y軸延伸的兩個相互平行的連接杆201a和201b以及沿參考軸x軸在兩個相互平行的連接杆201a和201b之間延伸的複數個指狀物202。每個指狀物202的兩個遠端分別與連接杆201a和201b直接接觸。複數個通孔203設置在平行連接杆201a和201b上以及指狀物202上以用於連接的目的。例如，下屏蔽板20可以電連接到第一訊號，第一訊號例如接地(在圖中用“(-)標記”)或為接地端。因此下屏蔽板20，連接杆201a和201b，指狀物202具有相同的極性，並且可以接地。
根據一個實施例，下屏蔽板20可以製造在相同的金屬層中，例如第一金屬層(M1)，第二金屬層(M2)或第三金屬層(M3)，但是不限於此。例如，下屏蔽板20可以製造在第一金屬層(M1)中。金屬層可包括銅，鋁或鎢或其他金屬或合金等，但不限於此。
MOM電容器2a還包括位於下屏蔽板20上方的上屏蔽板40。同樣的，上屏蔽板40與基板10的主表面10a平行。上屏蔽板40可以包括沿參考軸y軸延伸的兩個相互平行的連接杆401a和401b，以及沿參考軸x軸延伸的複數個指狀物402，複數個指狀物402在兩個相互平行的連接杆401a和401b之間。每個指狀物402的兩個遠端分別與連接杆401a和401b直接接觸。此外本實施例中，例如上屏蔽板40可以電連接到接地。類似的，上屏蔽板40，連接杆401a和401b，指狀物402具有相同的極性，並且可以接地。
根據一個實施例，上屏蔽板40可以製造在相同的金屬層中，例如第五金屬層(M5)，第六金屬層(M6)(圖中未示出)或第七金屬層(M7)(圖中未示出)，但是不限於此。例如，上屏蔽板40可以製造在第四金屬層(M5)中。
根據一個實施例，上屏蔽板40的複數個指狀物402的間距可以等於最小間距規則所規定的間距。眾所周知，在一些先進的過程中，沿第一方向(例如參考軸x軸)存在最小間距(MINP)，沿第二方向(例如參考軸y軸)存在非最小間距(NMINP)。通常，第一方向垂直於第二方向。例如，在20nm或16nm技術節點中，MINP高於NMINP的一半。
MOM電容器2a還包括插入在水平下屏蔽板20和上屏蔽板40之間的中間板30。例如，中間板30可以製造在第三金屬層(M3)中。中間板30包括沿參考軸y軸延伸的兩個相互平行的連接杆301a和301b以及沿參考軸x軸延伸的複數個指狀物302，複數個指狀物302在兩個相互平行的連接杆301a和301b之間。連接杆301b是不連續的並且具有間隙310。複數個通孔303(例如與上述第1圖中的通孔203類似，可以為導電通孔)設置在平行連接杆301a和301b上以及指狀物302上，以用於連接的目的，例如電連接到上方的上屏蔽板40。
中間板30包括由連接杆301a(也可以有連接杆301b)和指狀物302水
平圍繞的電極條304。電極條304與連接杆301a和指狀物302共面。電極條304沿參考軸x軸延伸。根據一個實施例，電極條304電連接到第二訊號，例如輸出訊號(在圖中用“(+)”標記)，從而在電極條304和相鄰指狀物302之間構成電容器。即連接杆301a和301b以及指狀物302具有相同的極性，例如接地，並且電極條304具有相反的極性。也就是說，連接杆301a和301b以及指狀物302可以接地(第一訊號)，例如具有的電壓電平為零；而電極條304可以接到第二訊號，例如具有大於零的電壓電平。
MOM電容器2a還包括中間屏蔽板70和80。中間屏蔽板70介於中間板30和下屏蔽板20之間。中間屏蔽板80介於中間板30和中間板30之間。例如，中間屏蔽板70可以製造在第二金屬層(M2)中，中間屏蔽板80可以製造在第四金屬層(M4)中。
根據一個實施例，中間屏蔽板70和80可以具有相同的佈局。根據一個實施例，中間屏蔽板70可包括沿參考軸x軸延伸的兩個相互平行的連接杆701a和701b以及沿參考軸y軸延伸的複數個指狀物702，複數個指狀物702在兩個相互平行的連接杆701a和701b之間。兩個下電極條704可以設置在相鄰的指狀物702之間。兩個下電極條704中的每一個均與相鄰的指狀物702和連接杆701a和701b間隔開，並且均由指狀物702和連接杆701a和701b包圍(或圍繞)。電極條704透過通孔705(例如為導電通孔)電連接到位於上方的電極條304。因此，電極條704和電極條304具有相同的極性(+)，例如均具有大於零的電壓電平。
根據一個實施例，同樣地，中間屏蔽板80可以包括沿著參考軸x軸延伸的兩個相互平行的連接杆801a和801b以及沿著參考軸y軸延伸的複數個指狀物802，複數個指狀物802在兩個相互平行的連接杆801a和801b之間。兩個上電極條804可以設置在相鄰的指狀物802之間。兩個上電極條804中的每一個均與相鄰的指狀物802和連接杆801a和801b間隔開，並且均由指狀物802和連接杆801a
和801b包圍(或圍繞)。兩個上電極條804透過通孔305(例如為導電通孔)電連接到位於下面的電極條304。因此，電極條704，電極條804和電極條304具有相同的極性(+)，例如均具有大於零的電壓電平。此外在第4圖至第7圖所示的實施例中，電極條304的一端突出於其中一個連接杆(例如連接杆301b)之外，電極條304的另一端由另一個連接杆(例如連接杆301a)阻擋而未突出於該另一個連接杆(例如連接杆301a)之外，電極條304與該另一個連接杆(例如連接杆301a)之間設有間隙。
如第5圖至第7圖所示，子電容器可以形成在中間屏蔽板70中的電極條704和相鄰的指狀物702之間，子電容器也可以形成在中間屏蔽板80中的電極條804與相鄰的指狀物802之間，子電容器還可以形成在中間板30中的電極條304和相鄰的指狀物302之間，本發明中所說的電容可以包括這些子電容器的總和。這些子電容器由下屏蔽板20和上屏蔽板40屏蔽，從而為10位元ADC提供低RC寄生電容(不敏感寄生電容)配置和至少1fF的單位電容。在第5圖至第7圖，加入了具有電容器的其他層(例如中間屏蔽板70，80)，因此整個MOM電容器2a的電容容量將會更大，而不增加MOM電容器2a的佔用面積(例如水平方向上的佔用面積)，因此在MOM電容器2a的佔用面積保持不變的情況下增加了電容容量。
第8圖是示出根據本發明另一實施例的電容器的透視分解圖，其中相同的數字標號表示相同的元件，區域或層。如第8圖所示，MOM電容器2b是五層(即五個金屬層)堆疊結構，包括例如在M1層中的下屏蔽板20，在M2層中的中間屏蔽板70(同時也在下屏蔽板20上)，在M3層中的中間板30(同時也在中間屏蔽板70上)，在M4層中的中間屏蔽板80(同時也在中間板30上)，在M5層中的上屏蔽板40(同時也在中間屏蔽板80上)。
根據本實施例，中間板30包括沿參考軸y軸延伸的兩個相互平行的連接杆301a和301b以及沿參考軸x軸延伸的複數個指狀物302，複數個指狀物302在
兩個相互平行的連接杆301a和301b之間。連接杆301a和301b都是不連續的，並且分別具有間隙310a和310b。與連接杆301a，連接杆301b和指狀物302共面的電極條304沿參考軸x軸延伸並穿過間隙310a和310b。也就是說，電極條304的兩端分別突出於連接杆301a和301b之外，連接杆301a和301b沒有阻擋電極條304向外延伸。如上所述，本實施例中MOM電容器2b可以透過電極條304的兩端(兩端都延伸出去)分別連接到不同的電容器或其他裝置或部件，從而適應不同的應用需求。
第9圖是示出根據本發明的又一實施例的電容器的透視分解圖，其中相同的數字標號表示相同的元件，區域或層。如第9圖所示，MOM電容器2c是五層(即五個金屬層)堆疊結構，包括例如在M1層中的下屏蔽板20，在M2層中的中間屏蔽板70(同時也在下屏蔽板20上)，在M3層中的中間板30(同時也在中間屏蔽板70上)，在M4層中的中間屏蔽板80(同時也在中間板30上)，在M5層中的上屏蔽板40(同時也在中間屏蔽板80上)。
根據實施例，中間板30包括沿著參考軸y軸延伸的一個連接杆301a和沿參考軸x軸延伸的複數個指狀物302，複數個指狀物302分別從連接杆301a延伸出來。如第9圖所示，連接杆301a和指狀物302佈置成E形佈局。中間板30還包括電極條304a和304b，電極條304a和304b與連接杆301a和指狀物302共面。電極條304a和304b分別設置在相鄰的指狀物302之間。電極條304a和304b沿參考軸x軸延伸，並突出超過指狀物302的端面。因此本實施例中具有大於一個的電極條，因此可以形成更多的電容結構，以存儲更多的電荷量，提高電容的容量。此外本實施例中可以認為只有一個連接杆。當然本實施例中也可以認為有兩個連接杆，而其中一個連接杆上設有複數個間隙，從而將該連接杆分割為複數個分離的塊狀物，並且該塊狀物分別與對應的指狀物302連接。本實施例中兩個電極條304a和304b朝著同一個方向向外延伸，並且延伸的長度可以相同，當然也可以
不同。此外兩個電極條也可以不朝著同一個方向延伸，例如朝著相反的方向向外延伸，或者其中有一個(或者兩個)電極條還突出於連接杆301a之外(當然連接杆301a在相應的位置會設置間隙，以使電極條可以延伸出去)。類似的，第9圖中可以透過延伸出來的電極條304a和304b(本實施例中電極條304a和304b從同一方向延伸出來)與其他的電容器或裝置或部件等連接，電極條304a和304b也可以連接到不同的電容器或裝置或部件等，從而適用於更多的應用場景。
第10圖是示出根據本發明又一實施例的電容器的透視分解圖，其中相同的數字標號表示相同的元件，區域或層。如第10圖所示，MOM電容器2d是五層(即五個金屬層)堆疊結構，包括例如在M1層中的下屏蔽板20，在M2層中的中間屏蔽板70(同時也在下屏蔽板20上)，在M3層中的中間板30(同時也在中間屏蔽板70上)，在M4層中的中間屏蔽板80(同時也在中間板30上)，在M5層中的上屏蔽板40(同時也在中間屏蔽板80上)。
根據本實施例，中間板30包括沿著參考軸y軸延伸的連接杆301a，301b和沿著參考軸x軸複數個指狀物302，複數個指狀物302位於相互平行的連接杆301a和301b之間。連接杆301a和301b都是不連續的並且分別具有間隙310a和310b。如第10圖所示，連接杆301a，301b和指狀物302佈置成S形或蛇形佈局。中間板30還包括電極條304a和304b，電極條304a和304b與連接杆301a，301b和指狀物302共面。電極條304a和304b分別設置在相鄰的指狀物302之間。電極條304a和304b沿參考軸x軸延伸，分別穿過間隙310a和310b。電極條304a延伸突出於連接杆301a之外，電極條304b延伸突出於連接杆301b之外，因此電極條304a和304b朝著相反的方向延伸出去。類似的，第10圖中可以透過延伸出來的電極條304a和304b(本實施例中電極條304a和304b從相反的方向延伸出來)與其他的電容器或裝置或部件等連接，電極條304a和304b也可以連接到不同的電容器或裝置或部件等，從而適用於更多的應用場景。
儘管已經對本發明實施例及其優點進行了詳細說明，但應當理解的係，在不脫離本發明的精神以及申請專利範圍所定義的範圍內，可以對本發明進行各種改變、替換和變更。所描述的實施例在所有方面僅用於說明的目的而並非用於限制本發明。本發明的保護範圍當視所附的申請專利範圍所界定者為准。本領域技術人員皆在不脫離本發明之精神以及範圍內做些許更動與潤飾。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1a:電容器
10:基板
10a:主表面
20:下屏蔽板
201a、201b、301a、301b、401a、401b:連接杆
202、302、402:指狀物
203、303:通孔
30:中間板
304:電極條
310:間隙
40:上屏蔽板
M2:第二金屬層
M3:第三金屬層
M4:第四金屬層
Claims (14)
- 一種電容器，包括：一基板；一下屏蔽板，設置在該基板上並與該基板的主表面平行；一上屏蔽板，位於該下屏蔽板上方並與該下屏蔽板平行；以及一中間板，設置在該下屏蔽板和該上屏蔽板之間，其中該中間板包括：沿第一方向延伸的兩個相互平行的第一連接杆，沿第二方向延伸並在該兩個相互平行的第一連接杆之間的第一指狀物，以及與該第一連接杆和該第一指狀物間隔開的電極條；其中該電極條由該第一連接杆和該第一指狀物圍繞；一第一中間屏蔽板，位於該中間板和該下部屏蔽板之間；該第一中間屏蔽板包括：沿該第二方向延伸的兩個相互平行的第二連接杆和沿該第一方向延伸的第二指狀物，該第二指狀物在該兩個相互平行的第二連接杆之間；以及一下電極條，設置在該第二指狀物之間，其中每個下電極條與相鄰的該第二指狀物和該第二連接杆間隔開，並由相鄰的該第二指狀物和該第二連接杆圍繞；一第二中間屏蔽板，位於該中間板和該上部屏蔽板之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的電容器，其中該下屏蔽板包括沿該第一方向延伸的兩個相互平行的第三連接杆和沿該第二方向延伸的第三指狀物，該第三指狀物在該兩個相互平行的第三連接杆之間。
- 如申請專利範圍第2項所述的電容器，其中該上屏蔽板包括沿該第一方向延伸的兩個相互平行的第四連接杆和沿該第二方向延伸的第四指狀物，該第四指狀物在該兩個相互平行的第四連接杆之間。
- 如申請專利範圍第3項所述的電容器，其中每個該第三指狀物具有兩個遠端，該兩個遠端分別與該兩個相互平行的第三連接杆直接接觸，其中該第四指狀物中的每一個具有兩個分別與該兩個相互平行的第四連接杆直接接觸的遠端。
- 如申請專利範圍第1項所述的電容器，其中該兩個相互平行的第一連接杆中的一個是不連續的並且具有間隙。
- 如申請專利範圍第5項所述的電容器，其中該電極條沿該第二方向延伸並穿過該間隙。
- 如申請專利範圍第1項所述的電容器，其中該電極條與該第一連接杆和該第一指狀物共面。
- 如申請專利範圍第1項所述的電容器，其中該第一方向垂直於該第二方向。
- 如申請專利範圍第3項所述的電容器，其中該第一連接杆，第三連接杆和第四連接杆以及該第一指狀物，第三指狀物，第四指狀物電耦合到第一極性，並且該電極條電耦合到第二極性。
- 如申請專利範圍第1項所述的電容器，其中該第二中間屏蔽板包括：沿第二方向延伸的兩個相互平行的第五連接杆和沿第一方向延伸的第五指狀物，該第五指狀物在該兩個相互平行的第五連接杆之間；以及 一上電極條，設置在該第五指狀物之間，其中每個上電極條與相鄰的該第五指狀物和該第五連接杆間隔開，並由相鄰的該第五指狀物和該第五連接杆圍繞。
- 如申請專利範圍第1項所述的電容器，其中該下屏蔽板和該上屏蔽板都是連續的水平金屬板，其中沒有任何縫隙或開口。
- 如申請專利範圍第1項所述的電容器，其中還包括位於該下屏蔽板和該中間板之間的第一導電通孔，以及位於該上屏蔽板與該中間板之間的第二導電通孔，該下屏蔽板透過該第一導電通孔電連接到該第一連接杆和該第一指狀物，並且該上屏蔽板透過該第二導電通孔電連接到該第一連接杆和該第一指狀物。
- 如申請專利範圍第1項所述的電容器，其中該第一連接杆和該第一指狀物的佈置為E形佈局或S形佈局或蛇形佈局。
- 一種電容器，包括：一基板；一下屏蔽板，設置在該基板上並與該基板的主表面平行；一上屏蔽板，位於該下屏蔽板上方並與該下屏蔽板平行；以及一中間板，設置在該下屏蔽板和該上屏蔽板之間，其中，該中間板包括沿第一方向延伸的兩個相互平行的第一連接杆，沿第二方向延伸並在該兩個平行的第一連接杆之間的第一指狀物，以及與該兩個相互平行的第一連接杆和該第一指狀物間隔開的電極條，其中該第一連接杆和該第一指狀物電連接到第一極性，該電極條電連接到第二極性； 一第一中間屏蔽板，位於該中間板和該下部屏蔽板之間；該第一中間屏蔽板包括：沿該第二方向延伸的兩個相互平行的第二連接杆和沿該第一方向延伸的第二指狀物，該第二指狀物在該兩個相互平行的第二連接杆之間；以及一下電極條，設置在該第二指狀物之間，其中每個下電極條與相鄰的該第二指狀物和該第二連接杆間隔開，並由相鄰的該第二指狀物和該第二連接杆圍繞；一第二中間屏蔽板，位於該中間板和該上部屏蔽板之間。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762592540P | 2017-11-30 | 2017-11-30 | |
| US62/592,540 | 2017-11-30 | ||
| US16/129,751 US10910320B2 (en) | 2017-11-30 | 2018-09-12 | Shielded MOM capacitor |
| US16/129,751 | 2018-09-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201926375A TW201926375A (zh) | 2019-07-01 |
| TWI697921B true TWI697921B (zh) | 2020-07-01 |
Family
ID=63713637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107142904A TWI697921B (zh) | 2017-11-30 | 2018-11-30 | 電容器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10910320B2 (zh) |
| EP (1) | EP3493284B1 (zh) |
| CN (1) | CN110416188A (zh) |
| TW (1) | TWI697921B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200077672A (ko) * | 2018-12-20 | 2020-07-01 | 삼성전자주식회사 | 고효율 커패시터 구조체 |
| US10867904B1 (en) * | 2019-06-14 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Integrated circuit structure of capacitive device |
| CN110323334B (zh) * | 2019-07-09 | 2023-03-24 | 四川中微芯成科技有限公司 | 一种用寄生电容做adc电容的结构及方法 |
| CN113178426A (zh) * | 2020-05-11 | 2021-07-27 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
| FR3115926B1 (fr) | 2020-11-03 | 2023-06-09 | St Microelectronics Rousset | Circuit intégré comportant une structure capacitive du type métal-isolant-métal et procédé de fabrication correspondant |
| CN113571637B (zh) * | 2021-09-24 | 2022-02-11 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | Mom电容器及集成电路装置 |
| FR3147479A1 (fr) * | 2023-03-30 | 2024-10-04 | Stmicroelectronics International N.V. | Dispositif électronique |
| CN116632001B (zh) * | 2023-07-24 | 2023-10-13 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种半导体装置及半导体装置的设计辅助装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060061935A1 (en) * | 2004-09-20 | 2006-03-23 | Richard Schultz | Fully shielded capacitor cell structure |
| US20070278551A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-06 | Anthony Michael P | Metal-insulator-metal capacitors |
| US20110254132A1 (en) * | 2009-07-02 | 2011-10-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Vertical interdigitated semiconductor capacitor |
| TW201435998A (zh) * | 2013-03-08 | 2014-09-16 | Taiwan Semiconductor Mfg | 金屬－絕緣體－金屬電容器及其形成之方法 |
| TW201611305A (zh) * | 2013-01-23 | 2016-03-16 | 英特爾股份有限公司 | 金屬-絕緣體-金屬電容器形成技術 |
| TW201618313A (zh) * | 2014-10-07 | 2016-05-16 | 格羅方德半導體公司 | 嵌入式金屬－絕緣體－金屬（ｍｉｍ）電容器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7812424B2 (en) * | 2007-12-21 | 2010-10-12 | Infineon Technologies Ag | Moisture barrier capacitors in semiconductor components |
| JP4867961B2 (ja) * | 2008-09-08 | 2012-02-01 | ソニー株式会社 | 容量素子 |
| US9887257B2 (en) * | 2015-12-01 | 2018-02-06 | Altera Corporation | Scalable fixed-footprint capacitor structure |
-
2018
- 2018-09-12 US US16/129,751 patent/US10910320B2/en active Active
- 2018-09-28 EP EP18197442.9A patent/EP3493284B1/en active Active
- 2018-11-30 CN CN201811450901.5A patent/CN110416188A/zh not_active Withdrawn
- 2018-11-30 TW TW107142904A patent/TWI697921B/zh active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060061935A1 (en) * | 2004-09-20 | 2006-03-23 | Richard Schultz | Fully shielded capacitor cell structure |
| US20070278551A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-06 | Anthony Michael P | Metal-insulator-metal capacitors |
| US20110254132A1 (en) * | 2009-07-02 | 2011-10-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Vertical interdigitated semiconductor capacitor |
| TW201611305A (zh) * | 2013-01-23 | 2016-03-16 | 英特爾股份有限公司 | 金屬-絕緣體-金屬電容器形成技術 |
| TW201435998A (zh) * | 2013-03-08 | 2014-09-16 | Taiwan Semiconductor Mfg | 金屬－絕緣體－金屬電容器及其形成之方法 |
| TW201618313A (zh) * | 2014-10-07 | 2016-05-16 | 格羅方德半導體公司 | 嵌入式金屬－絕緣體－金屬（ｍｉｍ）電容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190164903A1 (en) | 2019-05-30 |
| EP3493284A1 (en) | 2019-06-05 |
| US10910320B2 (en) | 2021-02-02 |
| TW201926375A (zh) | 2019-07-01 |
| EP3493284B1 (en) | 2023-05-03 |
| CN110416188A (zh) | 2019-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI697921B (zh) | 電容器 | |
| EP2347435B1 (en) | Integrated capacitor with grid plates | |
| US7663207B2 (en) | Semiconductor device | |
| US7994609B2 (en) | Shielding for integrated capacitors | |
| US20070004198A1 (en) | Shielded capacitor structure | |
| JP6639736B2 (ja) | キャパシタ装置とその製造方法 | |
| KR101252973B1 (ko) | 크로스들의 어레이를 구비하는 집적 커패시터 | |
| US6445564B1 (en) | Power supply bypass capacitor circuit for reducing power supply noise and semiconductor integrated circuit device having the capacitor circuit | |
| KR101337075B1 (ko) | 집적 커패시터의 차폐 | |
| US20150294970A1 (en) | Capacitor, resistor and resistor-capacitor components | |
| TW201906167A (zh) | 分佈式ｌｃ濾波器結構 | |
| US12100730B2 (en) | Metal-insulator-metal capacitors with thick intermediate electrode layers and methods of forming the same | |
| JP2004241762A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20240104799A (ko) | 커패시터 부품 및 이를 포함하는 반도체 패키지 | |
| US7502218B2 (en) | Multi-terminal capacitor | |
| US20100067169A1 (en) | Capacitor structure | |
| TWI580057B (zh) | 半導體電容 | |
| JP2007013211A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005072233A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2010093288A (ja) | 半導体装置 | |
| TW202137559A (zh) | 電容器 | |
| JP2014053637A (ja) | 半導体装置 |