TWI690983B - 晶圓之加工方法 - Google Patents

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TWI690983B TW105119570A TW105119570A TWI690983B TW I690983 B TWI690983 B TW I690983B TW 105119570 A TW105119570 A TW 105119570A TW 105119570 A TW105119570 A TW 105119570A TW I690983 B TWI690983 B TW I690983B
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Abstract

提供可抑制異物發生之晶圓之加工方法。

晶圓之加工方法係在藉由形成在由InP 所成之基板的表面的複數切割道被區劃的複數區域，將元件及形成有凸塊的晶圓，沿著切割道進行雷射加工的方法。晶圓之加工方法係包含：保持晶圓的工程(ST1)；在晶圓表面形成水溶性的保護膜的保護膜形成工程(ST2)；沿著切割道，對晶圓照射雷射光的雷射光照射工程(ST3)；在照射雷射光後，將晶圓洗淨來去除保護膜的洗淨工程(ST4)；及在洗淨工程(ST4)後，藉由雷射光照射工程(ST3)而在雷射加工部生成之含磷的反應生成物會氣化而與空氣中的水分起反應，在凸塊上生成含磷的異物，在洗淨工程(ST4)後且經過預定時間後，將異物去除的異物去除工程(ST6)。

Description

晶圓之加工方法
本發明係關於晶圓之加工方法。
一般而言，在製造元件時，藉由以格子狀配列在晶圓表面的複數切割道(street)(分割預定線)來區劃複數晶片區域，在該等晶片區域形成有IC(Integrated Circuit，積體電路)、LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)等元件。在分割該等元件時，利用沿著晶圓的切割道照射雷射光而在晶圓表面形成雷射加工溝槽的雷射加工。
在該類雷射加工中，當被照射雷射光時，會發生/飛散被稱為碎屑(debris)的微細粉塵而堆積在元件表面，使元件品質降低。因此，已提出一種在晶圓表面預先塗佈保護膜後，施行雷射加工，將附著在保護膜上的碎屑，連同保護膜一起洗淨而去除的加工方法(參照例如專利文獻1)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2010-012508號公報
但是，在以磷化合物形成基板，並且在元件表面設有凸塊等金屬電極的晶圓中，藉由雷射加工來構成晶圓的元素(例如磷)會游離/擴散。該經擴散的元素係判明出在將保護膜進行洗淨去除後，與空氣中的氮、氧或水分起反應而在金屬電極上生成異物。該異物由於使電特性等元件特性降低，因此以迅速去除為佳。但是，異物生成速度慢，因此在將保護膜洗淨時，難以與保護膜同時去除異物。此外，異物係即使使雷射加工條件、在雷射加工時覆蓋元件表面的保護膜的組成等改變，亦無法充分抑制異物發生。
本發明係鑑於如上所示之情形而完成者，目的在提供可抑制異物發生之晶圓之加工方法。
為解決上述課題，以達成目的，本發明之晶圓之加工方法係在藉由以格子狀形成在由磷化合物所成之基板的表面的複數切割道被區劃的複數區域，將元件及形成有金屬電極的晶圓，沿著切割道進行雷射加工的晶圓之加工方法，其具備有：以吸盤台保持前述晶圓的工程；在 前述晶圓表面形成水溶性的保護膜的保護膜形成工程；在該保護膜形成工程實施後，沿著前述切割道，對前述晶圓照射雷射光的雷射光照射工程；在實施前述雷射光照射工程後，將前述晶圓洗淨來去除前述保護膜的洗淨工程；及在前述洗淨工程後，藉由前述雷射光照射工程而在雷射加工部生成之含磷的反應生成物會氣化而與空氣中的水分起反應，在前述金屬電極上生成含磷的異物，在前述洗淨工程後且經過預定時間後，將前述異物去除的異物去除工程。
較佳為在前述異物去除工程中，以水洗淨前述晶圓表面，將異物去除。
或較佳為在前述異物去除工程中，將前述晶圓浸漬在水中，將異物去除。
或較佳為在前述異物去除工程中，將前述晶圓蝕刻，將異物去除。
本發明之晶圓之加工方法係可以簡易的方法，充分抑制在雷射加工後的基板所發生的異物，因此可良好地保持元件特性。
1‧‧‧雷射加工裝置
2‧‧‧裝置本體
10‧‧‧吸盤台
20‧‧‧雷射光照射部
21‧‧‧振盪器
22:聚光器
30:匣盒
40:暫置部
41:搬出入手段
42:軌條
50:保護膜形成兼洗淨部
51:旋轉台
51a:吸附吸盤
52:電動馬達
53:受水部
53a:外側壁
53b:內側壁
53c:底壁
53c1:排液口
53d:排水軟管
55:樹脂液供給噴嘴
56:空氣噴嘴
57:洗淨水噴嘴
61:第1搬送手段
62:第2搬送手段
100:洗淨裝置
AS:異物
BP:凸塊(金屬電極)
D:元件
F:環狀框架
L:切割道
LB:雷射光
LR:液狀樹脂
P:保護膜
PD:雷射加工溝槽
PR:加工區域
RW1:洗淨水
RW2:洗淨水
ST1:保持晶圓的工程
ST2:保護膜形成工程
ST3:雷射光照射工程
ST4:洗淨工程
ST6:異物去除工程
T:黏著帶
TR:搬出入區域
W:晶圓
WS:基板
圖1係本實施形態之晶圓之加工方法之加工對象亦即晶圓的斜視圖。
圖2係圖1所示之晶圓之要部的側面圖。
圖3係顯示雷射加工裝置之構成例的斜視圖。
圖4係顯示圖3所示之雷射加工裝置之保護膜形成兼洗淨部之構成例的斜視圖。
圖5係顯示實施形態之晶圓之加工方法之順序的流程圖。
圖6係說明保持晶圓之工程的剖面圖。
圖7係說明保護膜形成工程的剖面圖。
圖8係保護膜形成工程後的剖面圖。
圖9係說明雷射光照射工程的剖面圖。
圖10係雷射光照射工程後的剖面圖。
圖11係說明雷射光照射工程中之晶圓之要部的剖面圖。
圖12係說明洗淨工程的剖面圖。
圖13係說明在洗淨工程後在凸塊表面生成有異物的狀態的平面圖。
圖14係說明異物去除工程的剖面圖。
圖15係說明實施形態之變形例之異物去除工程的剖面圖。
一邊參照圖式，一邊詳細說明用以實施本發明之形態(實施形態)。並非為藉由以下實施形態所記載之內容來限定本發明者。此外，在以下記載的構成要素中 包含該領域熟習該項技術者可輕易思及者、實質相同者。此外，以下記載的構成係可適當組合。此外，在未脫離本發明之要旨的範圍內，可進行構成的各種省略、置換或變更。
參照圖式，說明實施形態之晶圓之加工方法。圖1係本實施形態之晶圓之加工方法之加工對象亦即晶圓的斜視圖，圖2係圖1所示之晶圓之要部的側面圖。如圖1所示，晶圓(被加工物)W係具有圓板狀基板WS的半導體晶圓或光元件晶圓。此外，晶圓W係基板WS由磷化銦(InP；磷化合物)所構成。如圖1及圖2所示，晶圓W係在晶圓W的表面以格子狀形成有複數切割道(street)L，並且在藉由複數切割道L被區劃的複數區域分別形成有元件D。此外，晶圓W的元件D係形成有由該元件D的表面分別突出而形成的複數凸塊BP(相當於金屬電極)。該等凸塊BP係藉由例如金(Au)或鉑(Pt)等貴金屬所形成。其中，形成在各元件D的凸塊BP的數量、位置、及大小並非侷限於圖1所示者，若露出在元件D的表面來作配置，凸塊BP的形狀、位置及大小係可適當變更。此外，在實施形態中係顯示凸塊BP作為金屬電極之一例，但是本發明亦可使用與元件D的表面例如形成為同一平面的電極作為金屬電極。
圖3係顯示實施形態之晶圓之加工方法所使用之雷射加工裝置之構成例的圖，圖4係顯示圖3所示之雷射加工裝置之保護膜形成兼洗淨部之構成例的斜視圖。 其中，雷射加工裝置1並非為限定於圖3所示之構成例者。雷射加工裝置1係在晶圓W的表面形成水溶性的保護膜P(以下僅記載為保護膜P)之後，沿著晶圓W的切割道L照射雷射光而形成雷射加工溝槽PD(顯示於圖11)。接著，雷射加工裝置1係在雷射加工後，將保護膜P由晶圓W的表面去除。
如圖3所示，雷射加工裝置1係具備有：吸盤台10、及雷射光照射部20。雷射加工裝置1係另外具備有：供載置收容雷射加工前後的晶圓W的匣盒30的匣盒升降機(未圖示)；暫時載置雷射加工前後的晶圓W的暫置部40；及在雷射加工前的晶圓W形成保護膜P，而且，將保護膜P由雷射加工後的晶圓W去除的保護膜形成兼洗淨部50。此外，雷射加工裝置1係具備有：使吸盤台10與雷射光照射部20以X軸方向作相對移動的未圖示之X軸移動手段；使吸盤台10與雷射光照射部20以Y軸方向作相對移動的未圖示之Y軸移動手段；及使吸盤台10與雷射光照射部20以Z軸方向作相對移動的未圖示之Z軸移動手段。
吸盤台10係在形成有保護膜P的晶圓W施行雷射加工時保持該晶圓W。吸盤台10係由多孔質陶瓷等形成構成表面的部分的圓盤形狀，透過未圖示之真空吸引路徑與未圖示之真空吸引源相連接，藉由吸收被載置在表面的晶圓W來保持該晶圓W。吸盤台10係設成藉由X軸移動手段，遍及匣盒30近傍的搬出入區域TR與雷射 光照射部20近傍的加工區域PR，朝X軸方向移動自如，而且設成藉由Y軸移動手段，朝Y軸方向移動自如，並且設成藉由未圖示之基台驅動源繞中心軸線(與Z軸呈平行)旋轉自如。
雷射光照射部20係設在裝置本體2所設置的加工區域PR，而且對被保持在吸盤台10的晶圓W的表面照射雷射光LB(顯示於圖9)，而形成雷射加工溝槽PD者。雷射光LB係對晶圓W具吸收性的波長的雷射光。雷射光照射部20係對被保持在吸盤台10的晶圓W，設成藉由Z軸移動手段朝Z軸方向移動自如。雷射光照射部20係具備有：將雷射光LB進行振盪的振盪器21；及將藉由該振盪器21被振盪的雷射光LB進行聚光的聚光器22。振盪器21係按照晶圓W的種類、加工形態等，適當調整進行振盪的雷射光LB的頻率。可使用例如YAG雷射振盪器或YVO雷射振盪器等，作為振盪器21。聚光器22係構成為包含：變更藉由振盪器21被振盪的雷射光LB的行進方向的全反射鏡或將雷射光LB進行聚光的聚光透鏡等。
匣盒30係收容複數枚透過黏著帶T而被貼附在環狀框架F的晶圓W者。匣盒升降機係朝Z軸方向升降自如地設在雷射加工裝置1的裝置本體2。
暫置部40係由匣盒30取出一枚雷射加工前的晶圓W，並且將雷射加工後的晶圓W收容在匣盒30內。暫置部40係構成為包含：由匣盒30取出雷射加工前 的晶圓W，並且將雷射加工後的晶圓W插入在匣盒30內的搬出入手段41；及暫時載置雷射加工前後的晶圓W的一對軌條42。
保護膜形成兼洗淨部50係藉由第1搬送手段61被搬來一對軌條42上的雷射加工前的晶圓W，在該雷射加工前的晶圓W形成保護膜P者。此外，保護膜形成兼洗淨部50係藉由第2搬送手段62被搬來雷射加工後的晶圓W，去除該雷射加工後的晶圓W的保護膜P者。該等第1及第2搬送手段61、62係分別構成為例如可吸附晶圓W的表面而上舉，將晶圓W上舉而搬送至所希望的位置。
保護膜形成兼洗淨部50係如圖4所示，具備有：保持雷射加工前後的晶圓W的旋轉台51；將該旋轉台51繞著與Z軸方向呈平行的軸心旋轉的電動馬達52；及被配置在旋轉台51的周圍的受水部53。旋轉台51係具備有形成為圓板狀而在表面(上面)的中央部由多孔質陶瓷等所形成的吸附吸盤51a，該吸附吸盤51a與未圖示之吸引手段相連通。藉此，旋轉台51係藉由吸引被載置在吸附吸盤51a的晶圓W來保持該晶圓W。
電動馬達52係在其驅動軸52a的上端連結旋轉台51，且旋轉自如地支持該旋轉台51。受水部53係具備有：圓筒狀的外側壁53a及內側壁53b、及將該等外側壁53a及內側壁53b加以連結的底壁53c而形成為環狀。受水部53係接受當在晶圓W的表面形成保護膜P時被供 給至該表面的液狀樹脂LR(顯示於圖7)、或將表面的保護膜P進行洗淨、去除時被供給至該表面的洗淨水RW1(顯示於圖12)等的剩餘量者。在底壁53c設有排液口53c1，且在該排液口53c1連接有排水軟管53d。
此外，保護膜形成兼洗淨部50係具備有：對被保持在旋轉台51上的晶圓W供給構成保護膜P的水溶性的液狀樹脂LR的樹脂液供給噴嘴55；對旋轉台51上的雷射加工後的晶圓W供給洗淨水RW1的洗淨水噴嘴57；及對被供給旋轉台51上的液狀樹脂LR的晶圓W及洗淨後的晶圓W供給空氣的空氣噴嘴56。樹脂液供給噴嘴55、空氣噴嘴56、洗淨水噴嘴57係分別構成為在噴嘴開口位於旋轉台51的中央上方的作動位置、及脫離旋轉台51的退避位置移動自如。
樹脂液供給噴嘴55省略圖示，與液狀樹脂供給源及供給源相連接。以水溶性的液狀樹脂LR而言，係使用PVA(聚乙烯醇)、PEG(聚乙二醇)或PVP(聚乙烯吡咯烷酮)等水溶性樹脂材。該等液狀樹脂LR係藉由乾燥而固化而在晶圓W的表面形成保護該表面的保護膜P。
此外，洗淨水噴嘴57係與省略圖示的洗淨水(例如純水)供給源相連接。空氣噴嘴56係與省略圖示的乾燥空氣供給源相連接，對被供給在旋轉台51上的液狀樹脂LR噴吹乾燥空氣，使液狀樹脂LR乾燥而形成保護膜P者，並且對洗淨後的晶圓W噴吹乾燥空氣而使晶圓W乾燥者。
但是，如上所述，本實施形態之晶圓W係基板WS由磷化銦(InP：磷化合物)所形成的晶圓，此外在元件D的表面分別形成有複數凸塊BP(金屬電極)。若將該類晶圓W進行雷射加工，構成該晶圓W的元素(在本實施形態中為P(磷))由藉由雷射加工所露出的晶圓W的加工面游離(氣化)而擴散。該經擴散的磷係在將保護膜P進行洗淨去除之後，與空氣中的氮、氧或水分起反應而在凸塊BP上生成含有磷酸(H3PO4)的異物AS(顯示於圖13)。該異物AS係使電特性等元件D的特性降低，因此以迅速去除為佳，但是由於異物AS的生成速度慢(例如經2、3天發生)，因此難以在將保護膜P洗淨時與保護膜P同時去除異物AS。
本實施形態之晶圓之加工方法係在抑制在元件D(尤其凸塊BP)的表面可能產生之含磷異物AS發生方面具有特徵。
接著，說明本發明之實施形態之晶圓之加工方法。圖5係顯示實施形態之晶圓之加工方法之順序的流程圖，圖6係說明實施形態之晶圓之加工方法之保持晶圓之工程的剖面圖，圖7係說明實施形態之晶圓之加工方法之保護膜形成工程的剖面圖，圖8係說明實施形態之晶圓之加工方法之保護膜形成工程後之晶圓等的剖面圖，圖9係說明實施形態之晶圓之加工方法之雷射光照射工程的剖面圖，圖10係說明實施形態之晶圓之加工方法之雷射光照射工程後之晶圓等的剖面圖，圖11係說明實施形態之 晶圓之加工方法之雷射光照射工程中之晶圓之要部的剖面圖，圖12係說明實施形態之晶圓之加工方法之洗淨工程的剖面圖，圖13係說明在實施形態之晶圓之加工方法之洗淨工程後在凸塊表面生成異物的狀態的平面圖，圖14係說明實施形態之晶圓之加工方法之異物去除工程的剖面圖。
晶圓之加工方法係將晶圓W沿著切割道L進行雷射加工的加工方法，如圖5所示，具備有：保持晶圓W的工程ST1、保護膜形成工程ST2、雷射光照射工程ST3、洗淨工程ST4、及異物去除工程ST6。首先，在晶圓之加工方法中，在表面形成有複數元件D的晶圓W的背面貼附黏著帶T，此外，在黏著帶T貼附環狀框架F。接著，將透過黏著帶T被貼附在環狀框架F的晶圓W收容在匣盒升降機內。
接著，在晶圓之加工方法中，操作人員將加工內容資訊登錄在雷射加工裝置1的控制手段，若由操作人員有加工動作的開始指示，雷射加工裝置1即開始加工動作，亦即晶圓之加工方法。在晶圓之加工方法中，首先在保持晶圓W的工程ST1中，控制手段係將雷射加工前的晶圓W藉由搬出入手段41由匣盒升降機搬出至暫置部40，且載置在暫置部40的一對軌條42上。之後，控制手段係藉由第1搬送手段61搬送至保護膜形成兼洗淨部50的旋轉台51，如圖6所示，在旋轉台51保持晶圓W。進至保護膜形成工程ST2。
接著，在保護膜形成工程ST2中，控制手段係在晶圓W的表面形成保護膜P。具體而言，控制手段係如圖7所示，將樹脂液供給噴嘴55的噴嘴開口配置在晶圓W的中央上方，在使旋轉台51以預定旋轉數旋轉的狀態下，由樹脂液供給噴嘴55對晶圓W供給水溶性的液狀樹脂LR(例如PVA(聚乙烯醇))。被供給的液狀樹脂LR係藉由伴隨旋轉台51旋轉的離心力，由晶圓W的中心朝徑方向外側擴展，因此可形成均一膜厚的保護膜P。控制手段係供給液狀樹脂LR預定時間，在固化後，使樹脂液供給噴嘴55的噴嘴開口由晶圓W的上方退避。藉此，如圖8所示，在晶圓W的表面形成保護膜P。進至雷射光照射工程ST3。
接著，在雷射光照射工程ST3中，控制手段係沿著切割道L對晶圓W照射雷射光LB。具體而言，控制手段係藉由第2搬送手段62，由保護膜形成兼洗淨部50的旋轉台51之上將晶圓W搬送至吸盤台10之上，吸引保持被載置於吸盤台10的表面的晶圓W。接著，控制手段係藉由X軸移動手段及Y軸移動手段，使吸盤台10移動，藉由基台驅動源，使吸盤台10繞中心軸線旋轉，藉由Z軸移動手段，使雷射光照射部20移動，將預定的切割道L的一端定位在聚光器22的正下方。接著，控制手段係如圖9所示，一邊由雷射光照射部20的聚光器22照射雷射光LB，一邊使保持有晶圓W的吸盤台10，藉由X軸移動手段，對雷射光照射部20，沿著預定的切割道 L，以預定的加工速度移動。
如此一來，晶圓W的基板WS及保護膜P的一部分昇華，如圖11所示，藉由燒蝕加工，雷射加工溝槽PD形成在被照射雷射光LB的預定切割道L。控制手段係如圖10所示，若預定切割道L的另一端一到達聚光器22的正下方，即停止來自雷射光照射部20的雷射光LB的照射，並且停止藉由X軸移動手段所致之吸盤台10的移動。控制手段係如前所述，對切割道L依序照射雷射光LB而在該等切割道L形成雷射加工溝槽PD，在晶圓W的全剖切割道L形成雷射加工溝槽PD。進至洗淨工程ST4。
接著，在洗淨工程ST4中，控制手段係在照射雷射光LB後，將晶圓W洗淨而將保護膜P去除。具體而言，控制手段係藉由第2搬送手段62，將雷射加工後的晶圓W由吸盤台10之上再次搬送至保護膜形成兼洗淨部50的旋轉台51之上。接著，控制手段係在旋轉台51的吸附吸盤51a保持晶圓W，如圖12所示，將洗淨水噴嘴57的噴嘴開口配置在晶圓W的中央上方，且在使旋轉台51以預定的旋轉數旋轉的狀態下，由洗淨水噴嘴57，以預定時間將由純水所成之洗淨水RW1供給至晶圓W。如此一來，保護膜P係使水溶性的液狀樹脂LR乾燥而形成，因此藉由朝向該保護膜P供給洗淨水RW1，保護膜P係溶解於洗淨水RW1而由晶圓W的表面被去除。此時，藉由雷射加工所產生的碎屑係連同保護膜P一起由晶圓W的表面被去除。控制手段係在預定時間供給洗淨水RW1 之後，使洗淨水噴嘴57的噴嘴開口由晶圓W的上方退避，且取而代之，將空氣噴嘴56的噴嘴開口配置在晶圓W的中央上方，由空氣噴嘴56供給乾燥空氣預定時間，藉此將晶圓W的表面乾燥。其中，在本發明中，亦可在洗淨工程ST4中，控制手段一邊使洗淨水噴嘴57及空氣噴嘴56擺動，一邊由噴嘴開口供給洗淨水RW1及乾燥空氣。
接著，控制手段係將被雷射加工且經洗淨的晶圓W，藉由第1搬送手段61及搬出入手段41，收容在匣盒30內。控制手段係依序施行：保持在匣盒30內的全部晶圓W的工程ST1、保護膜形成工程ST2、雷射光照射工程ST3、及洗淨工程ST4，且收容在匣盒30內。若匣盒30內的全部晶圓W被雷射加工且洗淨，操作人員由匣盒升降機卸下匣盒30，且搬送至保管場所，保管在保管場所。接著，操作人員係判定在保管場所中，在洗淨工程ST4後是否已經過預定時間(步驟ST5)。其中，在此所謂的預定時間係在洗淨工程ST4後，藉由雷射光照射工程ST3，在雷射加工部(包含雷射加工溝槽PD及雷射加工溝槽PD的近傍)所生成之構成晶圓W的含有元素(在本實施形態中為P(磷))的反應生成物會氣化，與空氣中的氮、氧或水分起反應，而至在凸塊BP上生成含P(磷)之圖13所示異物AS(磷酸(H3PO4))為止所耗費的時間。例如預定時間為2、3天，但是並非限定於此。
若操作人員判定在洗淨工程ST4後未經過預定時間(步驟ST5：No)，反覆步驟ST5至經過預定時間為止。若操作人員判定在洗淨工程ST4後已經過預定時間(步驟ST5：Yes)，如圖13所示，在凸塊BP的表面生成異物AS。進至異物去除工程ST6。
異物去除工程ST6係洗淨工程ST4且在經過預定時間將異物AS去除的工程。異物去除工程ST6係使用與保護膜形成兼洗淨部50相同的構成的洗淨裝置100。其中，洗淨裝置100的構成係除了未具備樹脂液供給噴嘴55之外，由於與保護膜形成兼洗淨部50的構成相同，故省略說明。
在異物去除工程ST6中，作業裝置或操作人員由匣盒30取出一枚晶圓W，將所取出的晶圓W搬送至洗淨裝置100的旋轉台51之上，在旋轉台51保持晶圓W。洗淨裝置100係如圖14所示，將洗淨水噴嘴57的噴嘴開口配置在晶圓W的中央上方，在使旋轉台51以預定的旋轉數旋轉的狀態下，由洗淨水噴嘴57對晶圓W以預定時間供給由純水所成之洗淨水RW2。如此一來，由於構成異物AS的磷酸(H3PO4)具水溶性，因此朝向該異物AS供給洗淨水RW2，藉此，異物AS係溶解於洗淨水RW2而由晶圓W的表面被去除。在實施形態中，使用由純水所成之洗淨水RW2，但是並非限定於此。如上所示，實施形態係在異物去除工程ST6中，以水(純水)洗淨晶圓W表面而將異物AS去除。此外，在實施形態中， 亦可使用由具酸性或鹼性之具腐蝕性的蝕刻液所成之洗淨水RW2。此時，異物AS係溶於作為蝕刻液的洗淨水RW2而被去除。此時，在異物去除工程ST6中，將晶圓W表面蝕刻，將異物AS去除。
洗淨裝置100係在預定時間供給洗淨水RW2之後，使洗淨水噴嘴57的噴嘴開口由晶圓W的上方退避，且取而代之，將空氣噴嘴56的噴嘴開口配置在晶圓W的中央上方，由空氣噴嘴56以預定時間供給乾燥空氣，藉此將晶圓W的表面乾燥。其中，在本發明中，亦可在異物去除工程ST6中，控制手段係一邊使洗淨水噴嘴57及空氣噴嘴56擺動，一邊由噴嘴開口供給洗淨水RW2及乾燥空氣。其中，洗淨裝置100係若使用由蝕刻液所成之洗淨水RW2，以在供給洗淨水RW2之後，供給由純水所成之洗淨水RW1後再使晶圓W乾燥為宜。
接著，作業裝置或操作人員將被去除異物AS的晶圓W收容在匣盒30。若作業裝置或操作人員同樣地由匣盒30內的晶圓W將異物AS去除，即結束晶圓之加工方法。接著，晶圓W係被搬送至下一工程，沿著藉由燒蝕加工所形成的雷射加工溝槽PD被分割，藉此被分割成各個元件D。
藉由實施形態之晶圓之加工方法，在洗淨工程ST4後，進行在經過在凸塊BP上充分生成異物AS的所需時間後，將洗淨水RW1供給至晶圓W的表面，而將異物AS去除的異物去除工程ST6。此外，晶圓之加工方 法係在異物去除工程ST6中，供給純水作為洗淨水RW1。因此，晶圓之加工方法係藉由屬於水溶性的磷酸(H3PO4)構成異物AS，因此以供給洗淨水RW1的簡易方法，可充分去除在雷射加工後的晶圓W的基板WS所發生的異物AS。結果，晶圓之加工方法係可有效抑制在元件D表面發生異物AS，可良好地保持元件D特性。
此外，晶圓之加工方法係在經過在雷射光照射工程ST3時所生成的反應生成物充分與空氣中的水等起反應而生成異物AS的預定時間之後，進行異物去除工程ST6，因此一旦將異物AS去除，即可抑制異物AS的再生成。結果，晶圓之加工方法係可有效抑制在元件D表面發生異物AS，可良好地保持元件特性。此外，晶圓之加工方法係若將晶圓W蝕刻而將異物AS去除，由於由被使用在蝕刻的蝕刻液所成之洗淨水RW2具腐蝕性，因此可抑制異物去除工程ST6的所需時間。
接著，參照圖示，說明實施形態之變形例之晶圓之加工方法。圖15係說明實施形態之變形例之晶圓之加工方法之異物去除工程的剖面圖。其中，在圖15中，對與實施形態為相同部分係標註相同符號且省略說明。
實施形態之變形例之晶圓之加工方法係除了異物去除工程ST6以外，與實施形態相同。在實施形態之變形例之晶圓之加工方法之異物去除工程ST6中，係在旋轉台51保持晶圓W之後，洗淨裝置100係如圖15所 示，將洗淨水噴嘴57的噴嘴開口配置在晶圓W的中央上方，無須使旋轉台51旋轉，即由洗淨水噴嘴57，將由純水所成之洗淨水RW2供給預定量至晶圓W。如此一來，洗淨水RW2係如圖15所示，積存在環狀框架F的內側，使晶圓W浸漬在已積存在該環狀框架F之內側的洗淨水RW2內。由於構成異物AS的磷酸(H3PO4)具水溶性，因此藉由晶圓W被浸漬在洗淨水RW2內，異物AS係溶解於洗淨水RW2而由晶圓W的表面被去除。在變形例中，使用純水作為洗淨水RW2，但是並非限定於此。如上所示，變形例係在異物去除工程ST6中，將晶圓W浸漬在水(純水)中而將異物AS去除。之後，洗淨裝置100係在使旋轉台51以預定旋轉數旋轉的狀態下，由洗淨水噴嘴57對晶圓W以預定時間供給洗淨水RW1而將晶圓W洗淨，且由空氣噴嘴56以預定時間供給乾燥空氣，藉此將晶圓W的表面乾燥。
藉由實施形態之變形例之晶圓之加工方法，由於藉由屬於水溶性的磷酸(H3PO4)構成異物AS，因此在供給洗淨水RW2的簡易方法中，可充分去除在雷射加工後的晶圓W的基板WS所發生的異物AS。結果，晶圓之加工方法係可有效抑制在元件D表面發生異物AS，且可良好地保持元件D特性。
接著，本發明之發明人等經確認實施形態之晶圓之加工方法的效果。將結果顯示於表1。
Figure 105119570-A0202-12-0019-1
在表1中，本發明品為實施形態之晶圓之加工方法。比較例1係在雷射光照射工程ST3後，在未進行洗淨工程ST4而未去除保護膜P的狀態下，經過預定時間(例如2~3天)後，進行洗淨工程ST4，且去除保護膜P。比較例2係在雷射光照射工程ST3後，進行洗淨工程ST4，將元件D表面朝向下方而經過預定時間(例如2~3天)。比較例1及比較例2之雙方並未進行異物去除工程ST6。
藉由表1，比較例1及比較例2之雙方在凸塊BP的表面生成異物AS。相對於該等，本發明品係在凸塊BP的表面未生成異物AS。藉由表1可知在洗淨工程ST4後，進行在經過在凸塊BP上充分生成異物AS的所需時間後，對晶圓W的表面供給洗淨水RW1，將異物AS去除的異物去除工程ST6，藉此可抑制在凸塊BP的表面生成異物AS。
其中，本發明並非為限定於上述實施形態及變形例者。亦即，可在未脫離本發明之架構的範圍內作各種變形來實施。例如，本發明尤其使用純水作為洗淨水RW1、RW2時，亦可在洗淨水RW1、RW2添加具有胺基 的藥液。晶圓之加工方法係若在洗淨水RW1、RW2添加具有胺基的藥液(例如MEA(單乙醇胺))，單乙醇胺所具有的胺基、與由雷射加工溝槽PD被擴散的磷起反應，而生成含磷化合物(例如磷酸銨((NH4)3PO4)。該化合物(磷酸銨)係呈現水溶性，與磷酸(H3PO4)相比較，反應(生成)時間較短。因此，晶圓之加工方法係藉由在洗淨水RW1、RW2添加具有胺基的藥液，生成含磷化合物(磷酸銨)，藉此可抑制生成含有磷酸(H3PO4)的異物AS。
以具有胺基的藥液而言，係使用例如：PAA((註冊商標)聚丙烯胺)、PEI(聚乙烯亞胺)等高分子藥液、MEA(單乙醇胺)、TETA(三伸乙四胺)等所謂低分子藥液、單乙胺、二乙胺、二異丙胺、單乙醇胺、2-胺乙醇、二乙醇胺、三乙醇胺、吡啶、N-N-二甲基甲醯胺、N-2-甲吡咯啶、或該等2種以上的混合液、或以水稀釋者。

Claims (4)

  1. 一種晶圓之加工方法，其係在藉由以格子狀形成在由磷化合物所成之基板的表面的複數切割道被區劃的複數區域，將元件及形成有金屬電極的晶圓，沿著切割道進行雷射加工的晶圓之加工方法，其具備有：以吸盤台保持前述晶圓的工程；在前述晶圓表面形成水溶性的保護膜的保護膜形成工程；在該保護膜形成工程實施後，沿著前述切割道，對前述晶圓照射雷射光的雷射光照射工程；在實施前述雷射光照射工程後，將前述晶圓洗淨來去除前述保護膜的洗淨工程；及在前述洗淨工程後，藉由前述雷射光照射工程而在雷射加工部生成之含磷的反應生成物會氣化而與空氣中的水分起反應，在前述金屬電極上生成含磷的異物，在前述洗淨工程後且經過預定時間後，將前述異物去除的異物去除工程。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶圓之加工方法，其中，在前述異物去除工程中，以水洗淨前述晶圓表面，將異物去除。
  3. 如申請專利範圍第1項之晶圓之加工方法，其中，在前述異物去除工程中，將前述晶圓浸漬在水中，將異物去除。
  4. 如申請專利範圍第1項之晶圓之加工方法，其 中，在前述異物去除工程中，將前述晶圓蝕刻，將異物去除。
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