TWI689805B - 一種用於晶片的高壓供電控制系統及方法 - Google Patents

一種用於晶片的高壓供電控制系統及方法 Download PDF

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Abstract

本公開提供了一種用於晶片的高壓供電控制系統及方法。該高壓供電控制系統包括：供電電壓獲取模組，被配置為獲取用於為晶片供電的高壓供電電壓的即時電壓值；供電電壓比較模組，被配置為將供電電壓的即時電壓值與預定的供電電壓閾值進行比較；以及供電電力MOS場效電晶體，被配置為控制對晶片的高壓供電，其中：當供電電壓比較模組的比較結果指示供電電壓的即時電壓值高於供電電壓閾值時，供電電力MOS場效電晶體在滿足晶片正常工作的情況下關斷或者降低供電電流，以控制中斷或降低對晶片的供電；並且當供電電壓比較模組的比較結果指示供電電壓的即時電壓值低於供電電壓閾值時，供電電力MOS場效電晶體開通或提高供電電流，以控制啟動或加強對晶片的供電。

Description

一種用於晶片的高壓供電控制系統及方法
本發明涉及晶片領域，更具體地涉及一種用於晶片的高壓供電控制系統及方法。
高壓供電技術已廣泛應用於不同系統來為晶片提供穩定的電源電壓。第1圖示出了一種應用高壓供電的示例性系統的示意圖。如圖所示，該示例性系統是應用高壓供電電源為一種Buck結構的開關電源進行供電。輸入高壓交流電源連接到由四個二極體構成的整流橋的兩個輸入端，通過整流橋整流之後再經電容器C1濾波，然後被輸入到由虛線框指示的開關電源控制晶片來為開關電源控制晶片提供穩定的電源電壓VDD。
在上述示例性系統中，用於控制開關電源控制晶片的高壓供電的VDD控制模組被集成在開關電源控制晶片中。第2圖示出了典型的高壓供電系統的簡化示意圖，其中用虛線框指示典型的高壓供電控制模組，並且該系統中的其他模組或電路已被省略。如第2圖所示，典型的高壓供電控制模組可以由供電電力MOS場效電晶體(例如接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor,JFET))和電壓比較器構成，通過JFET的開通和關斷來控制對開關電源控制晶片的供電。當晶片電源電壓VDD低於晶片電源參考電壓VREF時，JFET開通，從而通過輸入電壓VIN為晶片充電；當晶片電源電壓VDD高於晶片電源參考電壓VREF時，JFET關斷，晶片電源電壓VDD通過穩壓電容器進行維持，從而可以將晶片電源電壓VDD穩定在晶片電源參考電壓VREF處。
第3圖示出了應用上述典型的高壓供電控制模組時晶片電源電壓VDD、供電電力MOS場效電晶體JFET的電流IJFET和高壓供電電壓VHV的波形的示意圖。如圖所示，晶片電源電壓VDD穩定在晶片電源 參考電壓VREF處；JFET的高壓供電電壓VHV等於輸入電壓VIN，其按一定的頻率(例如電網工頻的兩倍)在最低輸入電壓和最高輸入電壓之間變化；IJFET為流過供電電力MOS場效電晶體JFET的電流，其平均電流等於晶片工作電流IIC，IJFET_MAX為能夠流過JFET的最大電流。
由於供電電力MOS場效電晶體JFET的汲極與輸入電壓VIN耦合，該JFET在工作時汲極與源極之間存在較大壓降，所以在該JFET上存在較大損耗。由高壓供電帶來的損耗可以近似為：
Figure 107140649-A0101-12-0002-1
尤其是隨著輸入電壓VIN的升高，JFET上的損耗也隨之增大。高壓帶來的損耗轉化為熱量，會導致開關電源控制晶片的溫度升高，系統效率降低。
鑒於以上所述的一個或多個問題，本發明提供了一種用於晶片的高壓供電控制系統及方法。
根據本發明的一方面，提供了一種用於晶片的高壓供電控制系統。該高壓供電控制系統包括：供電電壓獲取模組，被配置為獲取用於為晶片供電的高壓供電電壓的即時電壓值；供電電壓比較模組，被配置為將供電電壓的即時電壓值與預定的供電電壓閾值進行比較；以及供電電力MOS場效電晶體，被配置為控制對晶片的高壓供電，其中：當供電電壓比較模組的比較結果指示供電電壓的即時電壓值高於供電電壓閾值時，供電電力MOS場效電晶體在滿足晶片正常工作的情況下關斷或降低供電電流，以控制中斷或降低對晶片的供電；並且當供電電壓比較模組的比較結果指示供電電壓的即時電壓值低於供電電壓閾值時，供電電力MOS場效電晶體開通或提高供電電流，以控制啟動或加強對晶片的供電。
根據本發明的另一方面，提供了一種用於晶片的高壓供電控制方法。該高壓供電控制方法包括：獲取用於為晶片供電的高壓供電電壓的即時電壓值；將供電電壓的即時電壓值與預定的供電電壓閾值進行比較；當供電電壓的即時電壓值高於供電電壓閾值時，用於控制高 壓供電的供電電力MOS場效電晶體在滿足晶片正常工作的情況下關斷或降低供電電流，以控制中斷或降低對晶片的供電；並且當供電電壓的即時電壓值低於供電電壓閾值時，供電電力MOS場效電晶體開通或提高供電電流，以控制啟動或加強對晶片的供電。
根據本發明的各個方面的高壓供電控制系統和方法可以實現僅利用較低的供電電壓對晶片進行分段式供電，從而可以避免供電電力MOS場效電晶體在過大的供電電壓下進行工作，降低高壓供電帶來的損耗，降低晶片的溫度，提高系統效率。
400、500‧‧‧高壓供電系統
410‧‧‧高壓供電電源
420‧‧‧高壓供電控制系統
421‧‧‧供電電壓獲取模組
422‧‧‧供電電壓比較模組
423‧‧‧供電電力MOS場效電晶體
424‧‧‧參考電壓設置模組
425‧‧‧晶片電源電壓比較模組
430‧‧‧晶片
800、900‧‧‧高壓供電控制方法
IIC‧‧‧晶片工作電流
IJFET_MAX‧‧‧能夠流過JFET的最大電流
VHV‧‧‧高壓供電電壓
CO‧‧‧輸出電容
C1‧‧‧電容器
C2‧‧‧穩壓電容
VDD‧‧‧晶片電源電壓
JFET‧‧‧接面場效電晶體
VIN‧‧‧輸入電壓
VREF‧‧‧晶片電源參考電壓
VREF1‧‧‧第一晶片電源參考電壓
VREF2‧‧‧第二晶片電源參考電壓
IJFET‧‧‧供電電力MOS場效電晶體的電流
Figure 107140649-A0101-12-0011-14
‧‧‧由高壓供電帶來的損耗
VHV_TH‧‧‧供電電壓閾值
S810、S820、S830、S840、S910、S920、S930、S940、S950、S960、S970、S980‧‧‧步驟
從下面結合附圖對本發明的具體實施方式的描述中可以更好地理解本發明，其中：第1圖示出了一種應用高壓供電的示例性系統的示意圖；第2圖示出了應用典型的高壓供電控制模組的高壓供電系統的簡化示意圖；第3圖示出了應用第2圖中的典型的高壓供電控制模組時晶片電源電壓VDD、供電電力MOS場效電晶體JFET的電流IJFET和高壓供電電壓VHV的波形的示意圖；第4圖示出了根據本發明的一個示例性實施例的用於晶片的高壓供電系統的示意性框圖；第5圖示出了應用根據本發明的另一示例性實施例的高壓供電控制系統的高壓供電系統的示意性框圖；第6圖示出了第5圖的示例性高壓供電系統的簡化電路示意圖；第7A圖至7C圖示出了應用第5圖或第6圖中所示的高壓供電控制系統時晶片電源電壓VDD、供電電力MOS場效電晶體JFET的電流IJFET和高壓供電電壓VHV的波形的示意圖；第8圖示出了根據本發明的一個實施例的用於晶片的高壓供電控制方法的示意流程圖；第9圖示出了根據本發明的另一實施例的用於晶片的高壓供電控制方 法的示意流程圖；以及第10圖示出了可應用根據本發明的高壓供電控制系統的一種高壓供電系統的示意圖。
下面將詳細描述本發明的各個方面的特徵和示例性實施例。在下面的詳細描述中，提出了許多具體細節，以便提供對本發明的全面理解。但是，對於本領域技術人員來說很明顯的是，本發明可以在不需要這些具體細節中的一些細節的情況下實施。下面對實施例的描述僅僅是為了通過示出本發明的示例來提供對本發明的更好的理解。本發明決不限於下面所提出的任何具體配置，而是在不脫離本發明的精神的前提下覆蓋了元素、部件和演算法的任何修改、替換和改進。在附圖和下面的描述中，沒有示出公知的結構和技術，以便避免對本發明造成不必要的模糊。
高壓供電技術已被廣泛應用於不同系統來為晶片提供穩定的電源電壓。利用典型的高壓供電控制方式，輸入高壓信號始終施加在供電電力MOS場效電晶體上，不斷地對晶片進行充電，導致供電電力MOS場效電晶體在工作時大部分時間都存在較大的壓降，因而造成較大的損耗。
鑒於此問題，本發明提供了一種新的高壓供電控制系統。該高壓供電控制系統可以在供電電壓的即時電壓值升高至高於預定閾值時中斷對晶片的供電，而在供電電壓的即時電壓值降低至低於預定閾值時再啟動對晶片的供電，從而實現僅利用較低的供電電壓對晶片進行分段式供電。這樣可以避免供電電力MOS場效電晶體在過大的供電電壓下進行工作，從而降低高壓供電帶來的損耗，降低晶片的溫度，提高系統效率。
第4圖示出了根據本發明的一個實施例的用於晶片的高壓供電系統400的示意性框圖。該高壓供電系統400包括高壓供電電源410、高壓供電控制系統420以及晶片430。高壓供電電源410例如接收來自電網的輸入交流電壓，對該輸入交流電壓進行整流和濾波，以提供經 整流和濾波的供電電壓來為晶片430供電。高壓供電控制系統420包括供電電壓獲取模組421，被配置為獲取用於為晶片430供電的高壓供電電壓VHV；供電電壓比較模組422，被配置為將高壓供電電壓VHV與預定的供電電壓閾值VHV_TH進行比較；以及供電電力MOS場效電晶體423，被配置為基於供電電壓比較模組422的比較結果控制對晶片430的高壓供電。根據本發明的示例性實施例，在高壓供電控制系統420中，當供電電壓比較模組422的比較結果指示高壓供電電壓VHV高於供電電壓閾值VHV_TH時，供電電力MOS場效電晶體423在滿足晶片正常工作的情況下關斷或降低供電電流以控制中斷或降低對晶片430的供電；並且當供電電壓比較模組422的比較結果指示高壓供電電壓VHV低於供電電壓閾值VHV_TH時，供電電力MOS場效電晶體423開通或提高供電電流以控制啟動或加強對晶片430的供電。
如第4圖所示，高壓供電控制系統420可以被設置在晶片430的外部，然而根據本發明的另一實施例，高壓供電控制系統420也可以被集成在晶片430中，從而可以降低控制晶片的週邊成本，縮小系統體積。
如上所述，利用根據本發明的實施例的高壓供電控制系統420，供電電力MOS場效電晶體423僅在高壓供電電壓VHV低於預定的供電電壓閾值VHV_TH時才開通或者具有較大的供電電流，而在高壓供電電壓VHV高於預定的供電電壓閾值VHV_TH時是關斷的或者具有較低的供電電流。因此，在供電電力MOS場效電晶體423開通時，其源極和汲極之間的壓降始終保持在較低的電壓水準，在應用供電電壓對晶片進行充電時造成的損耗也就比較小。
供電電力MOS場效電晶體423的開通和關斷或者供電電流的降低和增加可以基於供電電壓的即時電壓值由多種控制方式進行控制。例如，第5圖示出了根據本發明的另一實施例的用於高壓供電系統500的示意性框圖，並且第6圖示出了該示例性高壓供電系統的簡化電路示意圖。
在第6圖中，用虛線框指示根據該示例性實施例的高壓 供電控制系統，而高壓供電系統中的其他模組或電路(例如第1圖中所示的開關電源控制晶片和Buck電路)已被省略。根據本發明的高壓供電控制系統可以用於控制對各種晶片的高壓供電，並且本發明對要控制供電的晶片的內部結構不做限制。如第6圖所示，用於控制高壓供電的供電電力MOS場效電晶體可以例如是結型場效應電晶體JFET，該JFET的汲極與高壓供電電壓VHV相耦合，其源極與晶片電源電壓VDD相耦合，並且其閘極與用於比較晶片電源電壓VDD和晶片電源參考電壓VREF的比較器的輸出相耦合。
如第5圖所示，根據該示例性實施例的高壓供電控制系統420還包括：參考電壓設置模組424，用於設置晶片電源參考電壓VREF；以及晶片電源電壓比較模組425，用於將晶片電源電壓VDD與晶片電源參考電壓VREF進行比較。與第2圖所示的典型的高壓供電系統類似，在該高壓供電控制系統420中，當晶片電源電壓比較模組425的比較結果指示晶片電源電壓VDD低於晶片電源參考電壓VREF時，供電電力MOS場效電晶體423開通以允許通過供電電壓對晶片430進行充電；並且當晶片電源電壓比較模組425的比較結果指示晶片電源電壓VDD高於晶片電源參考電壓VREF時，供電電力MOS場效電晶體423關斷以暫停對晶片的充電，從而使得晶片電源電壓VDD穩定在晶片電源參考電壓VREF處。
根據該示例性實施例，參考電壓設置模組424還被配置為設置第一晶片電源參考電壓VREF1和第二晶片電源參考電壓VREF2，其中VREF1高於VREF2；當供電電壓比較模組422的比較結果指示高壓供電電壓VHV升高至高於供電電壓閾值VHV_TH時，參考電壓設置模組424選擇第二晶片電源參考電壓VREF2以將其設置為晶片電源參考電壓VREF；並且當供電電壓比較模組422的比較結果指示高壓供電電壓VHV降低至低於供電電壓閾值時，參考電壓設置模組424選擇第一晶片電源參考電壓VREF1以將其設置為晶片電源參考電壓VREF。
與典型的高壓供電控制系統相比，在第5圖和第6圖所示的示例性高壓供電控制系統中，增加了對高壓供電電壓VHV的即時採集，以及根據所採集的高壓供電電壓VHV對晶片電源參考電壓VREF的控制。
高壓供電電壓VHV可以通過多種方式被晶片430獲取。例如，晶片430可以獲取能夠表徵供電電壓的即時電壓值VHV的某一信號的即時信號值，並且基於所獲取的該信號的即時信號值來計算得到高壓供電電壓VHV。例如，可以通過獲取關於輸入電壓電阻分壓、晶片電流取樣腳電壓、輔助繞組電壓、驅動開關控制信號的占空比等的資訊來間接得到高壓供電電壓VHV。
第7A-7C圖示出了應用第5圖或第6圖中所示的高壓供電控制系統時晶片電源電壓VDD、供電開關管JFET的電流IJFET和高壓供電電壓VHV的波形的示意圖。在第6圖中所示的高壓供電控制系統中，高壓供電電壓VHV即為輸入電壓VIN的即時電壓值，也就是供電接面場效電晶體JFET的高壓供電電壓VHV的即時電壓值。
如第7A圖所示，當高壓供電電壓VHV升高至高於VHV_TH時，晶片電源參考電壓VREF被設置為較低的VREF2。此時晶片電源電壓VDD高於晶片電源參考電壓VREF2，導致供電電力MOS場效電晶體JFET關斷，從而中斷對晶片的高壓供電。然後，晶片電源電壓VDD通過穩壓電容C2維持，直至晶片電源電壓VDD降低至VREF2後JFET再次工作。另一方面，當高壓供電電壓VHV降低至低於VHV_TH時，晶片電源參考電壓VREF被設置為較高的VREF1。此時晶片電源電壓VDD低於晶片電源參考電壓VREF1，導致供電電力MOS場效電晶體JFET開通，從而再次啟動對晶片的供電。
從第7A圖中的波形圖中可以看出，利用根據本發明的示例性實施例的高壓供電控制系統，在供電電壓的即時電壓值過大時將中斷或降低對晶片的供電，而在供電電壓的即時電壓值降低至較低值時再啟動或加強對晶片的供電，從而實現僅利用較低的供電電壓對晶片進行分段式供電。這樣，供電電力MOS場效電晶體JFET在開通時僅被施加較小的電壓，避免了供電電力MOS場效電晶體JFET在過大的供電電壓下進行工作，從而降低高壓供電帶來的損耗，降低晶片的溫度，提高系統效率。
在本發明的各種示例性實施例中，可以根據實際需要設 置不同的供電電壓閾值VHV_TH、第一晶片電源參考電壓VREF1和第二晶片電源參考電壓VREF2。例如，可以基於供電電壓的有效值調節供電電壓閾值VHV_TH，並且可以基於晶片的實際工作條件來設置適當的第一晶片電源參考電壓VREF1和第二晶片電源參考電壓VREF2。
鑒於實際設置的VHV_TH、VREF1、VREF2可能不同，JFET供電電流能力可能不同，以及晶片電源的VDD穩壓電容大小也可能不同，晶片電源電壓VDD也會出現常高於VREF2或常低於VREF1的情況，如第7B圖和第7C圖所示。這些情況同屬於根據本發明的高壓供電控制系統工作的正常情況。
第8圖示出了根據本發明的一個實施例的用於晶片的高壓供電控制方法800的示意流程圖。該高壓供電控制方法800可以包括步驟S810至S840。
在S810處，可以獲取用於為晶片供電的高壓供電電壓的即時電壓值。
供電電壓的即時電壓值可以通過多種方式被獲取。例如，可以獲取能夠表徵供電電壓的即時電壓值的某一信號的即時信號值，並且基於所獲取的該信號的即時信號值來計算得到供電電壓的即時電壓值。例如，可以通過獲取關於輸入電壓電阻分壓、晶片電流取樣腳電壓、輔助繞組電壓、驅動開關控制信號的占空比等的資訊來間接得到供電電壓的即時電壓值。
在S820處，將供電電壓的即時電壓值與預定的供電電壓閾值進行比較。
可以根據實際需要設置不同的供電電壓閾值。例如，可以基於供電電壓的有效值調節供電電壓閾值。
當供電電壓的即時電壓值高於供電電壓閾值時，在S830處，用於控制高壓供電的供電電力MOS場效電晶體在滿足晶片正常工作的情況下關斷或降低供電電流，以控制中斷或降低對晶片的供電。
當供電電壓的即時電壓值低於供電電壓閾值時，在S840處，用於控制高壓供電的供電電力MOS場效電晶體開通或提高供電電流， 以控制啟動或加強對晶片的供電。
根據本發明的高壓供電控制方法800可以實現僅利用較低的供電電壓對晶片進行分段式供電，從而避免了供電電力MOS場效電晶體JFET在過大的供電電壓下進行工作，可以降低高壓供電帶來的損耗，降低晶片的溫度，提高系統效率。
第9圖示出了根據本發明的另一實施例的用於晶片的高壓供電控制方法900的示意流程圖。根據本發明，用於控制高壓供電的供電電力MOS場效電晶體的開通和關斷或者供電電流的降低和提高可以基於供電電壓的即時電壓值由多種控制方式進行控制。例如，在第9圖示出的高壓供電控制方法900中，通過基於供電電壓的即時電壓值來設置不同的晶片電源參考電壓的方式來實現對供電電力MOS場效電晶體的開通和關斷的控制。
該高壓供電控制方法900包括步驟S910至S980，其中步驟S920和S930分別對應於第8圖中所示的高壓供電控制方法800中的步驟S810和S820。
在S910處，設置第一晶片電源參考電壓和第二晶片電源參考電壓，其中第一晶片電源參考電壓高於第二晶片電源參考電壓。
在S920處，獲取用於為晶片供電的高壓供電電壓的即時電壓值。
在S930處，將供電電壓的即時電壓值與預定的供電電壓閾值進行比較。
當供電電壓的即時電壓值高於供電電壓閾值時，在S940處，選擇第二晶片電源參考電壓作為晶片電源參考電壓。
當供電電壓的即時電壓值低於供電電壓閾值時，在S950處，選擇第一晶片電源參考電壓作為晶片電源參考電壓。
在S960處，將晶片電源電壓與晶片電源參考電壓進行比較。
當晶片電源電壓低於晶片電源參考電壓時，在S970處，用於控制高壓供電的供電電力MOS場效電晶體開通，以允許通過供電電 壓對晶片進行充電。
當晶片電源電壓高於晶片電源參考電壓時，在S980處，用於控制高壓供電的供電電力MOS場效電晶體關斷，以暫停對晶片的充電。
根據本發明的高壓供電控制方法900可以將晶片電源電壓穩定在第一晶片電源參考電壓和第二晶片電源參考電壓之間，並且可以實現僅利用較低的供電電壓對晶片進行分段式供電，從而降低高壓供電帶來的損耗。
應注意的是，上述高壓供電控制方法800和900中的各個步驟僅表示高壓供電控制系統中的模組要執行的相應動作，這些步驟不需要按圖中所示的循序執行，也可以按照其他合適的循序執行或者並行地執行，並且可以根據實際情況進行刪減或合併。
此外，在之前的示例性實施例中，晶片的供電電壓均為經整流和濾波的輸入高壓AC電源電壓，但是根據本發明的高壓供電控制系統和方法不局限於供電電力MOS場效電晶體連接到晶片的輸入電壓的情況，同樣適用於供電電力MOS場效電晶體連接其他高壓節點處的供電電壓的情況。例如，在如第10圖所示的用於Buck-boost結構的開關電源控制晶片的高壓供電系統中，高壓供電控制模組可以連接到Buck-boost電路中的輸出電容CO的正端節點處的電壓。在這種情況下，輸出電容CO的正端節點處的電壓即為根據本發明的各種示例性實施例的上述供電電壓。
上文中提到了“一個實施例”、“另一實施例”、“又一實施例”，然而應理解，在各個實施例中提及的特徵並不一定只能應用於該實施例，而是可能用於其他實施例。一個實施例中的特徵可以應用於另一實施例，或者可以被包括在另一實施例中。
上文中提到了“第一”、“第二”....等序數詞。然而應理解這些表述僅僅是為了敘述和引用的方便，所限定的物件並不存在次序上的先後關係。
本發明可以以其他的具體形式實現，而不脫離其精神和本質特徵。例如，特定實施例中所描述的演算法可以被修改，而系統體 系結構並不脫離本發明的基本精神。因此，當前的實施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的，本發明的範圍由所附申請專利範圍而非上述描述定義，並且，落入申請專利範圍的含義和等同物的範圍內的全部改變從而都被包括在本發明的範圍之中。
400‧‧‧高壓供電系統
410‧‧‧高壓供電電源
420‧‧‧高壓供電控制系統
421‧‧‧供電電壓獲取模組
422‧‧‧供電電壓比較模組
423‧‧‧供電電力MOS場效電晶體
430‧‧‧晶片

Claims (12)

  1. 一種用於晶片的高壓供電控制系統，包括：供電電壓獲取模組，被配置為獲取用於為所述晶片供電的高壓供電電壓的即時電壓值；供電電壓比較模組，被配置為將所述供電電壓的即時電壓值與預定的供電電壓閾值進行比較；供電電力MOS場效電晶體，被配置為控制對所述晶片的高壓供電；參考電壓設置模組，被配置為設置晶片電源參考電壓，包含第一晶片電源參考電壓和第二晶片電源參考電壓，其中所述第一晶片電源參考電壓高於所述第二晶片電源參考電壓；以及晶片電源電壓比較模組，被配置為將晶片電源電壓與所述晶片電源參考電壓進行比較，其中：當所述供電電壓比較模組的比較結果指示所述供電電壓的即時電壓值高於所述供電電壓閾值時，所述供電電力MOS場效電晶體在滿足所述晶片的正常工作的情況下關斷或降低供電電流，以控制中斷或降低對所述晶片的供電；當所述供電電壓比較模組的比較結果指示所述供電電壓的即時電壓值低於所述供電電壓閾值時，所述供電電力MOS場效電晶體開通或提高供電電流，以控制啟動或加強對所述晶片的供電；當所述晶片電源電壓比較模組的比較結果指示所述晶片電源電壓低於所述晶片電源參考電壓時，所述供電電力MOS場效電晶體開通以允許通過所述供電電壓對所述晶片進行充電；當所述晶片電源電壓比較模組的比較結果指示所述晶片電源電壓高於所述晶片電源參考電壓時，所述供電電力MOS場效電晶體關斷以暫停對所述晶片的充電；當所述供電電壓比較模組的比較結果指示所述供電電壓的即時電壓值高於所述供電電壓閾值時，選擇所述第二晶片電源參考電壓作為所述晶片電源參考電壓；並且當所述供電電壓比較模組的比較結果指示所述供電電壓的即時電壓值 低於所述供電電壓閾值時，選擇所述第一晶片電源參考電壓作為所述晶片電源參考電壓。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的高壓供電控制系統，其中所述供電電壓獲取模組還被配置為獲取表徵所述供電電壓的即時電壓值的信號的即時信號值，並且基於所述獲取的信號的即時信號值來得到所述供電電壓的即時電壓值。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的高壓供電控制系統，其中所述供電電壓包括耦合到所述晶片的輸入電壓或者用於為所述晶片供電的高壓節點處的供電電壓。
  4. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項所述的高壓供電控制系統，還包括供電電壓閾值調節模組，被配置為基於所述供電電壓的有效值調節所述預定的供電電壓閾值。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的高壓供電控制系統，其中所述供電電力MOS場效電晶體是接面場效電晶體JFET，並且所述JFET的汲極與所述供電電壓相耦合。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述的高壓供電控制系統，其中所述供電電力MOS場效電晶體是接面場效電晶體JFET，所述JFET的汲極與所述供電電壓相耦合，所述JFET的源極與所述晶片電源電壓相耦合，並且所述JFET的閘極與所述晶片電源電壓比較模組的輸出相耦合。
  7. 一種用於晶片的高壓供電控制方法，包括：設置晶片電源參考電壓，該晶片電源參考電壓包含第一晶片電源參考電壓和第二晶片電源參考電壓，其中所述第一晶片電源參考電壓高於所述第二晶片電源參考電壓；獲取用於為所述晶片供電的高壓供電電壓的即時電壓值；將所述供電電壓的即時電壓值與預定的供電電壓閾值進行比較；當所述供電電壓的即時電壓值高於所述供電電壓閾值時，用於控制高壓供電的供電電力MOS場效電晶體在滿足所述晶片的正常工作的情況下關斷或降低供電電流，以控制中斷或降低對所述晶片的供電；當所述供電電壓的即時電壓值低於所述供電電壓閾值時，所述供電電 力MOS場效電晶體開通或提高供電電流，以控制啟動或加強對所述晶片的供電；當晶片電源電壓低於所述晶片電源參考電壓時，所述供電電力MOS場效電晶體開通，以允許通過所述供電電壓對所述晶片進行充電；當所述晶片電源電壓高於所述晶片電源參考電壓時，所述供電電力MOS場效電晶體關斷，以暫停對所述晶片的充電；當所述供電電壓的即時電壓值高於所述供電電壓閾值時，選擇所述第二晶片電源參考電壓作為所述晶片電源參考電壓；並且當所述供電電壓的即時電壓值低於所述供電電壓閾值時，選擇所述第一晶片電源參考電壓作為所述晶片電源參考電壓。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述的高壓供電控制方法，其中獲取用於為所述晶片供電的高壓供電電壓的即時電壓值包括獲取表徵所述供電電壓的即時電壓值的信號的即時信號值，並且基於所述獲取的信號的即時信號值來得到所述供電電壓的即時電壓值。
  9. 根據申請專利範圍第7項所述的高壓供電控制方法，其中所述供電電壓包括耦合到所述晶片的輸入電壓或者用於為所述晶片供電的高壓節點處的供電電壓。
  10. 根據申請專利範圍第7至9項中任一項所述的高壓供電控制方法，還包括：基於所述供電電壓的有效值調節所述預定的供電電壓閾值。
  11. 根據申請專利範圍第7項所述的高壓供電控制方法，其中所述供電電力MOS場效電晶體是接面場效電晶體JFET，並且所述JFET的汲極與所述供電電壓相耦合。
  12. 根據申請專利範圍第7項所述的高壓供電控制方法，其中所述供電電力MOS場效電晶體是接面場效電晶體JFET，所述JFET的汲極與所述供電電壓相耦合，所述JFET的源極與所述晶片電源電壓相耦合，並且所述JFET的閘極與用於比較所述晶片電源電壓和所述晶片電源參考電壓的比較器的輸出相耦合。
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