TWI687685B - 產生氣體分析裝置及產生氣體分析方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供在不使裝置大型化的情況下提高氣體成分的檢測精度的產生氣體分析裝置。產生氣體分析裝置(200)具備：加熱部(10)，加熱試料(S)而產生氣體成分(G)；檢測機構(110)，檢測在加熱部生成的氣體成分；氣體流路(41)，連接加熱部與檢測機構之間，供氣體成分與將該氣體成分向檢測機構引導的載流氣體(C)的混合氣體(M)流通；其中，氣體流路具有向外部開放的分支路徑(42)，分支路徑具有調整混合氣體向外部的排出流量的排出流量調整機構(42a)，還具備流量控制部(216)，該流量控制部基於來自檢測機構的檢測信號控制排出流量調整機構，使得該檢測信號在既定的範圍內。

Description

產生氣體分析裝置及產生氣體分析方法
本發明涉及對加熱試料而產生的氣體成分進行分析、進行試料的辨識和定量等的產生氣體分析裝置以及產生氣體分析方法。
為了確保樹脂的柔軟性，在樹脂中包含有鈦酸酯等可塑劑，對於四種鈦酸酯，根據危害性物質限制指令(RoHS)限制其2019年以後的使用。因此，需要對樹脂中的鈦酸酯進行辨識以及定量。
鈦酸酯是揮發性成分，因此能應用以往眾所周知的產生氣體分析(EGA：Evolved Gas Analysis)來進行分析。該產生氣體分析是對加熱試料而產生的氣體成分用氣相色譜儀和品質分析等各種分析裝置進行分析的方法。
在產生氣體分析中，使產生的氣體成分流通到氮氣等載流氣體中而導入分析裝置。但是，若氣體成分大量地產生而氣體濃度變得過高，則存在超出分析裝置的檢測範圍而檢測信號超量程、測定變得不正確的問題。
因此，公開有如下的技術(專利文獻1、2)：在分 析裝置的檢測信號超出檢測範圍時，增加與氣體成分混合的載流氣體流量而稀釋氣體成分，降低氣體濃度。
[先前技術文獻]
專利文獻1：日本特開2001-28251號公報。
專利文獻2：日本特開2012-202887號公報。
但是，在專利文獻1、2記載的技術的情況下，在氣體濃度變高時增加載流氣體流量，因此需要增大載流氣體的供給能力，導致裝置的大型化和成本的增加。
另外，在作為分析裝置使用質量分析計時，在其前段將氣體成分離子化。但是，若氣體成分中包含不是測定物件的副成分，則在氣體成分大量地產生時副成分大量地離子化，原本想令其離子化的測定物件的成分未充分地離子化，測定物件的檢測信號反而下降(離子抑制)。專利文獻1、2記載的技術難以對應這樣的情況。
因此，本發明是為了解決上述課題而做成，其目的在於提供在不使裝置大型化的情況下提高氣體成分的檢測精度的產生氣體分析裝置以及產生氣體分析方法。
為了實現上述目的，本發明的產生氣體分析裝置具備：加熱部，加熱試料而產生氣體成分；檢測機構，檢測在該加熱部生成的前述氣體成分；氣體流路，連接前述加熱部與前述檢測機構之間，供前述氣體成分與載流氣體的混合氣體流通，前述載流氣體將該氣體成分向前述檢測機構引導；其中，前述氣體流路具有向外部開放的分支路徑，前述分支路徑具有調整前述混合氣體向外部的排出流量的排出流量調整機構，還具備流量控制部，該流量控制部基於來自前述檢測機構的檢測信號，控制前述排出流量調整機構，使得該檢測信號在既定的範圍內。
根據該產生氣體分析裝置，在氣體成分大量地產生而氣體濃度變得過高時，增加從分支路徑向外部排出的混合氣體的流量，減少從氣體流路向檢測機構側導入的混合氣體的流量。由此，能抑制超出檢測機構的檢測範圍而檢測信號超量程而測定變得不正確的情況。
此時，只要調整從分支路徑向外部排出的流量即可，不需要增加載流氣體流量，因此能在不增大載流氣體的供給能力、不使裝置大型化的情況下，提高氣體成分的檢測精度。
也可以具有對前述氣體流路或者前述分支路徑進行加熱或者保溫的保溫部。
根據該產生氣體分析裝置，能抑制在加熱部中產生的氣體成分被氣體流路或者分支路徑的內壁冷卻而冷凝而被捕集的情況。因此，不會有被捕集的氣體成分此後再次氣 化而被檢測機構檢測的情況，能防止測定時間變長而作業效率下降、冷凝而再次氣化後的氣體成分對接下來的測定產生影響。
也可以在前述分支路徑的排出側具有將在該分支路徑流通的前述混合氣體強制排氣的強制排氣部。
根據該產生氣體分析裝置，能將混合氣體強制排氣，降低氣體流路與分支路徑的氣壓，抑制被捕集的氣體成分向檢測機構側逆流。因此，不會有被捕集的氣體成分此後再次氣化而被檢測機構檢測的情況，能防止測定時間變長而作業效率下降、冷凝而再次氣化後的氣體成分對接下來的測定產生影響。
也可以前述氣體流路中與前述分支路徑相接的部位處的第一軸線與前述分支路徑中與前述氣體流路相接的部位處的第二軸線所形成的角θ為30至60度，前述分支路徑被自然排氣。
根據該產生氣體分析裝置，在將分支路徑自然排氣時，從氣體流路的上游側流來的混合氣體不會在分支路徑急劇地轉變方向，因此能抑制在分支路徑中產生紊流，順暢地從分支路徑排氣。另外，與設成θ>60度(例如90度)的情況相比，分支路徑的高度變低，節省空間。
此外，所謂「將分支路徑自然排氣」，只要是不具有與分支路徑自身或者分支路徑的排出側直接連接而將混合氣體強制排氣的強制排氣部的方式即可，也可以從分支路徑的排出側分離地配置通氣道等的吸入口。另外，此時， 在通氣道動作的狀態下，設定自分支路徑的混合氣體的流量。
也可以具備將前述加熱部保持為一定溫度的加熱控制部，前述檢測機構是質量分析計。
根據該產生氣體分析裝置，與一邊改變加熱部的溫度一邊進行檢測的色譜法等相比，加熱部的溫度控制變得簡單，能在短時間內進行測定。
也可以前述檢測機構是質量分析計，在前述氣體流路與前述質量分析計之間具有將前述混合氣體中的前述氣體成分離子化的離子化部，前述流量控制部在來自前述檢測機構的檢測信號不足既定的範圍時，控制前述排出流量調整機構而使得前述混合氣體的前述排出流量增大。
在作為分析裝置使用質量分析計時，在其前段的離子化部將氣體成分離子化。但是，在氣體成分大量地產生時，副成分會大量地離子化，本來想令其離子化的測定物件的成分未充分地離子化而產生測定物件的檢測信號反而下降的離子抑制，檢測信號也下降。
因此，根據該產生氣體分析裝置，在產生離子抑制時，流量控制部判定檢測信號的峰值強度不足閾值，控制排出流量調整機構以便增大混合氣體的前述排出流量。由此，向離子化部導入的混合氣體的流量變少，因此副成分的離子化被抑制，能抑制檢測信號的下降而提高氣體成分的檢測精度。
在本發明的產生氣體分析方法中，將加熱試料而產生的氣體成分與載流氣體混合而生成混合氣體，將該混合氣體經由氣體流路導入檢測機構，借助前述檢測機構檢測前述氣體成分，其中，基於來自前述檢測機構的檢測信號，從設置於前述氣體流路而向外部開放的分支路徑將前述混合氣體的一部分向外部排出，使得該檢測信號在既定的範圍內。
根據本發明，能獲得在不使裝置大型化的情況下提高氣體成分的檢測精度的產生氣體分析裝置。
10‧‧‧加熱部(加熱爐)
41‧‧‧氣體流路
42‧‧‧分支路徑
42a‧‧‧排出流量調整機構
41H、42H‧‧‧保溫部
42p‧‧‧強制排氣部
50‧‧‧離子化部(離子源)
110‧‧‧檢測機構(質量分析計)
200‧‧‧產生氣體分析裝置
212‧‧‧加熱控制部
216‧‧‧流量控制部
S‧‧‧試料
C‧‧‧載流氣體
G‧‧‧氣體成分
M‧‧‧混合氣體
P‧‧‧接點
AX1‧‧‧第一軸線
AX2‧‧‧第二軸線
圖1是表示涉及本發明的實施方式的產生氣體分析裝置的結構的立體圖。
圖2是表示氣體產生部的結構的立體圖。
圖3是表示氣體產生部的結構的縱剖視圖。
圖4是表示氣體產生部的結構的橫剖視圖。
圖5是表示借助產生氣體分析裝置進行的氣體成分的分析動作的方塊圖。
圖6是表示試料保持器的排出位置和測定位置的圖。
圖7是表示氣體流路以及分支路徑的保溫部的圖。
圖8是表示分支路徑的強制排氣部的圖。
圖9是表示氣體流路以及分支路徑的其他實施方式的圖。
下面，參照附圖說明本發明的實施方式。圖1是表示涉及本發明的實施方式的產生氣體分析裝置200的結構的立體圖，圖2是表示氣體產生部100的結構的立體圖，圖3是表示氣體產生部100的結構的沿著軸心O的縱剖視圖，圖4是表示氣體產生部100的結構的沿著軸心O的橫剖視圖。
產生氣體分析裝置200具備：成為框體的主體部202、安裝於主體部202的正面的箱型的氣體產生部安裝部204、對整體進行控制的電腦(控制部)210。電腦210具有：進行資料處理的CPU；存儲電腦程式、資料的存儲部；監視器；鍵盤等輸入部等。
在氣體產生部安裝部204的內部收納有氣體產生部100，該氣體產生部100是圓筒狀的加熱爐(加熱部)10、試料保持器20、冷卻部30、使氣體分支的分流器40、離子源50作為組裝件而形成一個裝置而形成的。另外，在主體部202的內部，收納有對加熱試料而產生的氣體成分進行分析的質量分析計(檢測機構)110。
此外，從氣體產生部安裝部204的上表面朝向前表面設置開口204h，若使試料保持器20向加熱爐10外側的排出位置(後述)移動，則其位於開口204h，因此能夠 從開口204h向試料保持器20取出、放入試料。另外，在氣體產生部安裝部204的前表面處設置狹縫204s，通過使從狹縫204s向外部曝露的開閉把手22H左右地移動而使試料保持器20在加熱爐10的內外移動而設置於上述的排出位置，取出、放入試料。
此外，如果借助例如由電腦210控制的步進馬達等使試料保持器20在移動軌道204L(後述)上移動，則能將使試料保持器20在加熱爐10的內外移動的功能自動化。
接著，參照圖2至圖5說明氣體產生部100的各部分的結構。
首先，加熱爐10以將軸心O設成水準的方式安裝於氣體產生部安裝部204的安裝板204a，具有：呈以軸心O為中心地開口的大致圓筒狀的加熱室12；加熱塊14；保溫套16。
在加熱室12的外周配置加熱塊14，在加熱塊14的外周配置保溫套16。加熱塊14由鋁形成，被沿著軸心O向加熱爐10的外部延伸的一對加熱部加熱器14a(參照圖4)通電加熱。
此外，安裝板204a在垂直於軸心O的方向上延伸，分流器40以及離子源50安裝於加熱爐10。進一步地，離子源50由在氣體產生部安裝部204的上下方向上延伸的支柱204b支承。
在加熱爐10的與開口側相反的一側(圖3的右側)連接有分流器40。另外，在加熱爐10的下側連接 載流氣體保護管18，在載流氣體保護管18的內部，收納有與加熱室12的下表面連通而將載流氣體C向加熱室12導入的載流氣體流路18f。
並且，之後詳細描述，在加熱室12的與開口側相反的一側(圖3的右側)的端面處連通氣體流路41，在加熱爐10(加熱室12)中生成的氣體成分G與載流氣體C的混合氣體M在氣體流路41中流通。
試料保持器20具有：台22，在安裝於氣體產生部安裝部204的內部上表面的移動軌道204L上移動；托架24c，安裝於台22上，上下地延伸；隔熱材24b、26，安裝於托架24c的前表面(圖3的左側)；試料保持部24a，從托架24c向加熱室12側沿軸心O方向延伸；加熱器27，埋設於試料保持部24a的稍下方；試料皿28，在加熱器27的稍上方處配置於試料保持部24a的上表面，收納試料。
在此，移動軌道204L沿軸心O方向(圖3的左右方向)延伸，試料保持器20與台22一起在軸心O方向上進退。另外，開閉把手22H在與軸心O方向垂直的方向上延伸並且安裝於台22。
此外，托架24c呈上部呈半圓形的長條狀，隔熱材24b呈大致圓筒狀而裝配於托架24c上部的前表面(參照圖6)，加熱器27的電極27a貫通隔熱材24b而伸出到外部。隔熱材26呈大致矩形狀，在比隔熱材24b更靠下方處裝配於托架24c的前表面。另外，在托架24c 的下方不裝配隔熱材26而托架24c的前表面曝露，形成接觸面24f。
托架24c形成為直徑比加熱室12稍大而將加熱室12氣密地閉塞，試料保持部24a收納在加熱室12的內部。
並且，載置於加熱室12的內部的試料皿28的試料在加熱爐10內被加熱，生成氣體成分G。
冷卻部30以與試料保持器20的導熱塊26對置的方式配置於加熱爐10的外側(圖3的加熱爐10的左側)。冷卻部30具備：大致矩形且具有凹部32r的冷卻塊32；連接於冷卻塊32下表面的冷卻片34；連接於冷卻片34的下表面並向冷卻片34供給空氣的氣冷扇36。
並且，之後詳細描述，若試料保持器20在移動軌道204L上沿軸心O方向朝向圖3的左側移動而向加熱爐10外排出，則托架24c的接觸面24f被收納於冷卻塊32的凹部32r並且與其接觸，經由冷卻塊32帶走托架24c的熱，冷卻試料保持器20(尤其是試料保持部24a)。
此外，在本實施方式中，試料保持器20(包括托架24c)以及冷卻塊32都由鋁形成。
如圖3，圖4所示，分流器40具備：與加熱室12連通的上述的氣體流路41；連通于氣體流路41並且向外部開放的分支路徑42；品質流量控制器(排出流量調整機構)42a，連接於分支路徑42的出口側而調整自分支路徑42的混合氣體M向外部的排出流量；在自身的內部氣體流路41開口的框體部43；包圍框體部43的保 溫部44。
如圖4所示，從上表面觀察時，氣體流路41呈如下所述的彎曲狀：在與加熱室12連通並沿軸心O方向延伸後，向垂直於軸心O方向彎曲，進一步地向軸心O方向彎曲而到達終端部41e。另外，氣體流路41中與軸心O方向垂直地延伸的部位的中央附近擴徑而形成分支室41M。分支室41M延伸到框體部43的上表面，嵌合有比分支室41M直徑稍小的分支路徑42。
氣體流路41既可以呈與加熱室12連通並沿著軸心O方向延伸而到達終端部41e的直線狀，也可以與加熱室12、離子源50的位置關係相應地為各種曲線、與軸心O具有角度的線狀等。
此外，在本實施方式中，氣體流路41作為一例設成直徑約2mm，分支室41M以及分支路徑42設成直徑約1.5mm。並且，在氣體流路41中流通到終端部41e的流量與向分支路徑42分支的流量的比(分流比)由各流路阻力確定，能向分支路徑42流出更多的混合氣體M。並且，該分流比能通過調整品質流量控制器42a的開度而進行控制。
此外，分支路徑42的內徑設成與稍前方的氣體流路的截面積相比，離子源側的流路與分支路徑側的流路的截面積的合計更小，並且無論在離子源側和分支路徑側都設成氣體的流通為未達到音速的大小。該內徑優選為接點P(參照圖9)的稍前方的氣體流路41的內徑的50%至 90%。
如圖3、圖4所示，離子源50具有：框體部53、包圍框體部53的保溫部54、放電針56、保持放電針56的支架55。框體部53呈板狀，其板面沿著軸心O方向，並且在中央處貫通有小孔53C。並且，氣體流路41的終端部41e穿過框體部53的內部而面臨小孔53C的側壁。另一方面，放電針56垂直於軸心O方向地延伸而面臨小孔53C。
並且，在從終端部41e向小孔53C附近導入的混合氣體M中，氣體成分G借助放電針56被離子化。
離子源50是眾所周知的裝置，在本實施方式中，採用大氣壓化學游離法(APCI)類型。APCI不容易引起氣體成分G的碎裂，不會產生碎體峰值，所以在色譜分析等中不分離也能對測定物件進行檢測，因此是優選的。
被離子源50離子化後的氣體成分G與載流氣體C一起被導入質量分析計110而被分析。
此外，離子源50被收納於保溫部54的內部。
圖5是表示由產生氣體分析裝置200進行的氣體成分的分析動作的方塊圖。
試料S在加熱爐10的加熱室12內被加熱，生成氣體成分G。加熱爐10的加熱狀態(升溫速度、最高極限溫度等)由電腦210的加熱控制部212控制。
氣體成分G與被導入加熱室12的載流氣體C混合而成為混合氣體M，被導入分流器40。電腦210的檢測信 號判定部214從質量分析計110的檢測器118(後述)接收檢測信號。
流量控制部216判定從檢測信號判定部214接收的檢測信號的峰值強度是否為閾值的範圍外。接著，在範圍外時，流量控制部216控制品質流量控制器42a的開度從而調整在分流器40內從分支路徑42向外部排出的混合氣體M的流量，進而調整從氣體流路41向離子源50導入的混合氣體M的流量，將質量分析計110的檢測精度保持為最適宜。
質量分析計110具備：將被離子源50離子化了的氣體成分G導入的第一細孔111；與第一細孔111連接而氣體成分G順序地流通的第二細孔112；離子引導件114；四極濾質器116；檢測從四極濾質器116出來的氣體成分G的檢測器118。
四極濾質器116使施加的高頻電壓變化從而能進行品質掃描，生成四極電場，使離子在該電場內振動運動從而檢測離子。四極濾質器116呈僅令處於特定的品質範圍的氣體成分G透過的品質分離器，因此能用檢測器118進行氣體成分G的辨識以及定量。
此外，若使用僅檢測測定物件的氣體成分具有的、特定的荷質比(m/z)的離子的選擇離子檢測(SIM)方式，則與檢測某一範圍的荷質比的離子的全離子檢測(掃描)方式相比，檢測物件的氣體成分的檢測精度提高，因此是優選的。
此外，如圖6所示，在本發明中，試料保持器20經由台22在軸心O方向的既定的兩個位置(圖6(a)所示的向加熱爐10的外側排出而試料皿28曝露在加熱爐10外的排出位置、圖6(b)所示的收納於加熱爐10內而進行測定的測定位置)之間移動。
因此，在圖6(a)所示的排出位置處，能與試料皿28一起將試料取出、放入。此時，托架24c的接觸面24f與冷卻塊32的凹部(接觸部)32r接觸從而經由冷卻塊32帶走托架24c的熱，冷卻試料保持器20。
在本發明中，如上述的圖3、圖4所示，氣體流路41具有向外部開放的分支路徑42。並且，能通過控制安裝於分支路徑42的品質流量控制器42a的開度而調整從分支路徑42向外部排出的混合氣體M的流量，進而調整從氣體流路41向離子源50導入的混合氣體M的流量。
因此，在氣體成分大量地產生而氣體濃度變得過高時，增加從分支路徑42向外部排出的混合氣體M的流量，而減少從氣體流路41向離子源50導入的混合氣體M的流量。由此，能抑制超出質量分析計110的檢測範圍而檢測信號超量程而測定變得不正確的情況。
此時，調整從分支路徑42向外部排出的流量即可而不需要增加載流氣體流量，因此能在不增大載流氣體的供給能力、不使裝置大型化的情況下提高氣體成分的檢測精度。
另外，作為分析裝置使用質量分析計時，在其前段的離子源50將氣體成分離子化，在氣體成分大量地產生時由於副成分的離子化而產生上述的離子抑制的情況下，檢測信號反而下降。
因此，在產生離子抑制時，從檢測信號判定部214接收了質量分析計110的檢測信號的峰值強度的流量控制部216判定檢測信號的峰值強度不足閾值，向品質流量控制器42a發送增大開度的控制信號。由此，向離子源50導入的混合氣體M的流量變少，所以能抑制副成分的離子化，抑制檢測信號的下降而提高氣體成分的檢測精度。
此外，僅觀察檢測信號的峰值強度不能得知是否產生離子抑制，有時僅是測定物件的氣體成分的含有量少。因此，需要從測定物件以外的夾雜物等的濃度高等其他現象判斷離子抑制的有無。該判斷可以由作業者進行或者如後所述地對每一種試料或氣體成分預先在表格中存儲離子抑制的有無，流量控制部216基於表格進行判斷。
接著，流量控制部216在檢測信號的峰值強度超過閾值時(超量程)，或者在峰值強度不足閾值時(判斷為產生了離子抑制時)，生成增加從分支路徑42向外部排出的混合氣體M的流量的控制信號。
這時，也可以例如對每一種氣體成分預先在表格中存儲離子抑制的有無，流量控制部216參照該表格判斷離子抑制的有無，在判斷為產生了離子抑制時向品質流量控制器42a發送增大開度的控制信號。另外，也可以作業者在 每次測定時從電腦210的輸入部輸入(選擇按鈕等)此測定是否為產生離子抑制的測定，流量控制部216基於該輸入信號比較檢測信號的峰值強度和閾值，向品質流量控制器42a發送增大開度的控制信號。
此外，作為使得產生離子抑制的情況，例示測定物件為鈦酸酯、副成分為鈦酸酐等添加劑的情況。
此外，有時在加熱爐10中產生的氣體成分被分支室41M近旁的氣體流路41與分支路徑42的內壁冷卻而冷凝而被捕集，此後再次氣化而在離子源50的作用下被測定。在此情況下，不僅測定時間變長而作業效率下降，而且還存在冷凝而再次氣化後的氣體成分會影響接下來的測定的可能性。
因此，如圖7所示，也可以設置對分支室41M近旁的氣體流路41與分支路徑42的至少一方的周圍進行加熱或者保溫的保溫部41H、42H。由此，能抑制氣體成分被捕集于氣體流路41、分支路徑42的內壁的情況。
此外，在圖7中，保溫部41H是加熱分支室41M近旁的氣體流路41的周圍的盤管加熱器，保溫部42H是加熱分支室41M近旁的分支路徑42的周圍的盤管加熱器。
另外，作為保溫部41H、42H不限於加熱器，只要是能防止氣體成分凝固的部件即可，也可以是隔熱材等。另外，既可以設置保溫部41H、42H的至少一方，也可以設置兩方。
另一方面，若用保溫部41H、42H加熱氣體成分(混 合氣體)，則有時從分支路徑42排出而在品質流量控制器42a流通的混合氣體變成高溫，需要耐熱型的品質流量控制器42a。
因此，如圖8所示，也可以代替設置保溫部41H、42H，在比品質流量控制器42a更靠出口側的分支路徑42中設置排氣泵(強制排氣部)42p。由此，能將在分支路徑42流通的混合氣體M強制排氣，降低分支室41M近旁的氣體流路41與分支路徑42的氣壓，抑制被捕集的氣體成分向離子源50側逆流。
另外，如圖9所示，在分支室41M近旁的氣體流路41與分支路徑42中，也可以氣體流路41中與分支路徑42的接點(相接的部位)P處的第一軸線(氣體流路41的軸線)AX1與分支流路42中接點P處的第二軸線(分支流路42的軸線)AX2形成的角θ為30至60度，分支路徑42自然排氣。
若設成這樣，則在將分支路徑42自然排氣時，從氣體流路41的上游側流來的混合氣體M在分支路徑42不會急劇地轉變方向，因此能抑制在分支路徑42中產生紊流，能流暢地從分支路徑42排氣。另外，與設成θ>60度(例如90度)的情況比，分支路徑42的高度變低，節省空間。此外，θ<30度也能抑制紊流產生，但分支路徑42變成接近水準，反而需要空間、分支路徑42的長度延長而存在氣體成分在分支路徑42中被捕集的可能性，進而分支路徑42的加熱變得困難，所以將θ設成30度以 上。
在此，圖9所示的分支路徑42為倒向圖3的紙面的裡側的結構。
此外，將角θ設定成30至60度的分支路徑42入口側的氣體流量能設成例如0.5至2ml/分，但不限於此範圍。
此外，令接點P為氣體流路41的中心線與分支路徑42的中心線的交點。另外，如果接點P處的第一軸線AX1與第二軸線AX2所形成的角θ為30至60度，那麼比接點P更靠下游側的氣體流路41的軸線與分支路徑42的軸線形成的角也可以在該範圍外。
另外，「分支路徑被自然排氣」是指在分支路徑42的比品質流量控制器42a更靠出口側沒有設置改變分支路徑42的流速的機構(圖8的排氣泵42p等)。
另外，接點P設置于氣體流路41中氣體的流通均勻的部分即可。
無需言明，本發明不限於上述實施方式，涉及包含在本發明的構思與範圍內的各種變形以及等同物。
作為測定物件，除鈦酸酯之外，還能例示出被危害性物質限制指令(RoHS)限制的溴化物阻燃劑(多溴聯苯(PBB)、多溴二苯醚(PBDE))，但不限於這些。
氣體流路41、分支路徑42以及分流器40的結構、形狀、配置狀態等不限於上述的例子。另外，檢測機構也不限於質量分析計。
10‧‧‧加熱部(加熱爐)
12‧‧‧加熱室
14‧‧‧加熱塊
14a‧‧‧加熱部加熱器
16‧‧‧保溫套
20‧‧‧冷卻試料保持器
28‧‧‧試料皿
40‧‧‧分流器
41‧‧‧氣體流路
41e‧‧‧終端部
41M‧‧‧分支室
42‧‧‧分支路徑
42a‧‧‧排出流量調整機構
43‧‧‧框體部
44‧‧‧保溫部
50‧‧‧離子化部(離子源)
53‧‧‧框體部
54‧‧‧保溫部
55‧‧‧支架
56‧‧‧電針
G‧‧‧氣體成分

Claims (7)

  1. 一種產生氣體分析裝置，具備：加熱部，加熱試料而產生氣體成分；檢測機構，檢測在該加熱部生成的前述氣體成分；氣體流路，連接前述加熱部與前述檢測機構之間，供前述氣體成分與載流氣體的混合氣體流通，前述載流氣體將該氣體成分向前述檢測機構引導；該產生氣體分析裝置的特徵在於：前述氣體流路具有向外部開放的分支路徑，前述分支路徑具有調整前述混合氣體向外部的排出流量的排出流量調整機構，還具備流量控制部，該流量控制部基於來自前述檢測機構的檢測信號，控制前述排出流量調整機構，使得該檢測信號在既定的範圍內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的產生氣體分析裝置，其中，具有對前述氣體流路或者前述分支路徑進行加熱或者保溫的保溫部。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的產生氣體分析裝置，其中，在前述分支路徑的排出側具有將在該分支路徑流通的前述混合氣體強制排氣的強制排氣部。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述的產生氣體分析裝置，其中，前述氣體流路中與前述分支路徑的接點處的第一軸線與前述分支路徑中與前述氣體流路的接點處的第二軸線所形成的角θ為30至60度，前述分支路徑被自然排 氣。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的產生氣體分析裝置，其中，具備將前述加熱部保持為一定溫度的加熱控制部，前述檢測機構是質量分析計。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的產生氣體分析裝置，其中，前述檢測機構是質量分析計，在前述氣體流路與前述質量分析計之間具有將前述混合氣體中的前述氣體成分離子化的離子化部，前述流量控制部在來自前述檢測機構的檢測信號不足既定的範圍時，控制前述排出流量調整機構，使得前述混合氣體的前述排出流量增大。
  7. 一種產生氣體分析方法，將加熱試料而產生的氣體成分與載流氣體混合而生成混合氣體，將該混合氣體經由氣體流路導入檢測機構，借助前述檢測機構檢測前述氣體成分，該產生氣體分析方法的特徵在於：基於來自前述檢測機構的檢測信號，從設置於前述氣體流路而向外部開放的分支路徑將前述混合氣體的一部分向外部排出，使得該檢測信號在既定的範圍內。
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