TWI685921B - 電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種電子裝置包含一種可延展/壓縮基板；以及形成在基板上的佈線，佈線分為具有朝著進行方向延伸之形狀的第一區和進行方向為彎曲的第二區。佈線包含第一導電層和第二導電層，第二導電層係由一種能使第二導電層比第一導電層更容易彎曲的材料所形成。第一導電層形成在第一區，第二導電層形成在第二區。

Description

電子裝置
本申請案主張2015年1月28日提出的韓國專利申請號10-2015-0013215的優先權及效益，其所揭露的內容於此全部納入以作為參考。
本發明的例示性實施例係有關於一種電子裝置。特別是，一種可延展的電子裝置。
電子裝置目前被應用在許多領域中，而且用途越來越廣泛。近來，對於可延展且具可撓性的電子裝置需求逐漸增加。此種電子裝置的典型例子包含可撓性顯示器、可穿戴式顯示器、智慧型服飾和生物感測器等。
為了使電子裝置可延展，電子裝置的基板構件必須是可延展的，且形成在基板構件上的佈線或電極必須根據基板構件的可延展性而保持其電特性。
像是金屬之材料具有用作為佈線或電極之優良導電性。然而，因為缺乏可撓性，此種材料不易延展。考慮以像是奈米碳管、導電高分 子等作為替代材料，但是此種替代材料可能無法輕易地提供足夠的導電性
此外，也考慮過藉由改變佈線結構型態來使電子裝置具有可延展性的方法。然而，在應力因為重複延展而累積的情況下，電子裝置中可能發生斷裂等。
在背景技術公開的前述資訊僅用於增強對於本發明概念背景的理解，並因此其可能包含不構成本國中所屬技術領域中具有通常知識者已知的先前技術之資訊。
例示性實施例提供包含可延展佈線的電子裝置。
其他態樣將描述於以下的詳細描述中，且部分將自揭露顯而易見，或可從本發明構想的實踐習得。
本發明的例示性實施例揭露一種電子裝置，其包含：可延展及可壓縮的基板；以及形成在基板上的佈線，佈線被分為具有朝行進方向延伸形狀之第一區和行進方向為彎曲的之第二區。佈線包含第一導電層和第二導電層，第二導電層係由使第二導電層比第一導電層更容易彎曲之材料所形成。第一導電層形成在第一區，第二導電層形成在第二區。
本發明的例示性實施例也揭露一種電子裝置，其包含：可延展及可壓縮的基板；以及形成在基板上的佈線，佈線包含第一導電圖樣和第二導電圖樣，第二導電圖樣係由使第二導電圖樣比第一 導電圖樣更容易彎曲之材料所形成。第一導電圖樣被分為具有朝行進方向延伸形狀之第一區和行進方向為彎曲的之第二區。第二導電圖樣係形成為延伸通過第一導電圖樣的第二區的線。
本發明的例示性實施例也揭露一種電子裝置，其包含：可延展及可壓縮的基板；形成在基板上的第一導電層，第一導電層具有在第一方向中為可延伸之第一底切孔洞圖樣，及可在第二方向中為可延伸之第二底切孔洞圖樣；以及形成於第一底切孔洞圖樣與第二底切孔洞圖樣中且與第一導電層電性連接之第二導電層。第二導電層係由使第二導電層比第一導電層更容易彎曲之材料形成。
要了解的是，以上的一般性描述與以下之詳細敘述皆是例示性及及解釋性，並意圖提供為主張之發明的進一步解釋。
10、11、12、13、14、15、16、17、18‧‧‧電子裝置
100、101‧‧‧基板
102‧‧‧溝槽
200、201、202、203、204、205‧‧‧佈線
210、211、213、214‧‧‧第一導電層
212‧‧‧第一導電圖樣
213c‧‧‧底切溝槽圖樣
214_h1‧‧‧第一底切孔洞圖樣
214_h2‧‧‧第二底切孔洞圖樣
220、223、224‧‧‧第二導電層
221、222‧‧‧第二導電圖樣
230‧‧‧第三導電層
P1‧‧‧第一區
P2‧‧‧第二區
X、Y、DL1、DL2‧‧‧方向
被包含於本文中以提供對此發明構想的進一步理解，且納入並構成此說明書的一部分之附圖描繪本發明構想的例示性實施例，並與敘述一起用以解釋本發明構想的原理。
第1圖係為根據例示性實施例的電子裝置之平面圖。
第2圖係為沿著第1圖的線II-II'截取的剖視圖。
第3圖及第4圖係為描繪第1圖的電子裝置延展後形狀之平面圖。
第5圖係為根據另一個例示性實施例的電子裝置之剖視圖。
第6圖係為根據另一個例示性實施例的電子裝置之剖視圖。
第7圖係為根據另一個例示性實施例的電子裝置之剖視圖。
第8圖係為根據另一個例示性實施例的電子裝置之平面圖。
第9圖係為沿著第8圖的線IX-IX'截取的剖視圖。
第10圖係為根據另一個例示性實施例的電子裝置之平面圖。
第11圖係為沿著第10圖的線XI-XI'截取的剖視圖。
第12圖係為根據另一個例示性實施例的電子裝置之平面圖。
第13圖係為沿著第12圖的線XIII-XIII'截取的剖視圖。
第14圖係為根據另一個例示性實施例的電子裝置之平面圖。
第15圖係為沿著第14圖的線XV-XV'截取的剖視圖。
第16圖係為根據另一個例示性實施例的電子裝置之平面圖。
第17圖係為沿著第16圖的線XVII-XVII'截取的剖視圖。
為了解釋，在接下來的敘述中，將列舉許多的具體細節以提供對各種例示性實施例完整的理解。然而，顯而易見的是，這些例示性實施例可在缺乏這些特定細節或在具有一個或以上的等效配置下實作。在其他的例子中，為了避免不必要地混淆各種例示性實施例，已知的結構和裝置會以方塊圖形式顯示。
在附圖中，層、薄膜、面板及區域等的大小及相對大小為了清楚和敘述性的理由可被誇大。此外，相似的參考數字代表相似的元件。
當元件或層被指「在」另一元件或層「上(on)」、「連接至(connected to)」或「耦合至(coupled to)」另一元件或層時，其可直接在其他元件或 層上、直接連接至或耦合至其他元件或層，或可存在中間元件或層。然而當元件或層被指「直接在」另一元件或層「上(directly on)」、「直接連接至(directly connected to)」或「直接耦合至(directly coupled to)」另一元件或層時，不存在中間元件或層。對於本揭露之目的，「X、Y及Z之其中至少一個」和「選自由X、Y及Z組成的群組之中至少一個」可被理解為僅有X、僅有Y、僅有Z或X、Y及Z之其中兩個或以上組成的任意組合，例如XYZ、XYY、YZ、及ZZ。全文中，相似數字代表相似元件。如用於本文中，字詞「及/或」包括一個或以上相關所列的項目之任意或所有組合。
儘管第一、第二等字詞可於用此以描述多個元件、構件、區域、層及/或部分，這些元件、構件、區域、層及/或部分應不被這些字詞侷限。這些字詞只用以區別一元件、構件、區域、層及/或部分與另一元件、構件、區域、層及/或部分。因此，下述之第一元件、構件、區域、層及/或部分可被稱為第二元件、構件、區域、層及/或部分，而沒有背離所述技術之教示。
空間相關字詞，例如「在…下方(beneath)」、「在…之下(below)」、「下(lower)」、「在…之上(above)」、「上(upper)」及其他相似字詞，可為了敘述之目的而用於此，並藉此敘述如圖中所示之一元件或特徵與一或多個其他元件或特徵之相對關係。空間相關字詞意圖涵蓋除了圖中所繪之方向，設備於使用、操作及/或製造中之不同方向。舉例而言，若圖中之設備被倒置，則敘述為在其他元件或特徵「下方」或「之下」之元件將因而被指向為在其他元件或特徵「之上」。因此，範例 字詞「之下」可涵蓋「之上」及「之下」方向。此外，設備可被另外定位(例如旋轉90度或於其他方向)且據此，於此使用之空間相關字詞可據此解讀。
於此使用之字詞係用於描述特定實施例，且並不意圖為限制。當用於本文中，單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」將意指為亦包括複數形式，除非上下文另外清楚地指出。此外，字詞「包括(comprises)」、「包括(comprising)」、「包括(includes)」及/或「包括(including)」使用於本說明書中時，係具體指出所述之特徵、數字、步驟、操作、元件、構件及/或其群組之存在，但並未排除之一或多個其他特徵、數字、步驟、操作、元件、構件及/或其群組之存在或加入。
各種例示性實施例參照概要說明理想例示性實施例及/或中間結構之截面圖描述而於本文中。因此，預期有例如因為製造技術及/或誤差導致之所述形狀變化。藉此，於此揭露的例示性實施例不應被侷限於此所述區域之特定形狀，而是包括由例如製造所造成之形狀變化。舉例而言，被描述為矩形之植入區域將通常具有圓形或彎曲的特徵及/或於其邊緣上具有梯度之植入濃度，而不是從植入至未植入區域之二元變化。同樣地，藉由植入所形成之埋設區域可導致於埋設區域及透過其發生植入的表面之間的一些植入。藉此，圖所示之區域係為示意性的，其形狀並不意圖描繪裝置之區域之實際形狀並不因此為限制。
除非另外定義，否則於此使用之全部字詞(包括技術及科學字詞)具有與本揭露所屬技術領域中具有通常知識者通常理解的相同意思。例如定義於常用字典中之那些字詞，應解讀為具有與其於相關技術領 域之內文意思一致之意思，且除非於此明文定義之，否則將不以理想化或過於正式的意義解讀。
以下，將參照附圖來描述例示性實施例。
第1圖係為根據本發明例示性實施例的電子裝置之平面圖。第2圖係為沿著第1圖的線II-II'截取的剖視圖。第3及4圖係為描繪第1圖的電子裝置延展後形狀之平面圖。
參照第1及2圖，根據本發明例示性實施例之電子裝置10包括基板100和提供在基板100上的至少一佈線200。
基板100可由可延展/可壓縮之材料形成。在此情況中，基板100被做成「可延展/可伸縮」意指基板100可在特定方向延長或壓縮。形成基板100的材料當外力在延展或壓縮後移除時，具有恢復其原本形狀的性質。基板100係由具有高彈性力及高回復力的材料形成。
此外，形成基板100的材料可具有可延展/可伸縮及可彎曲或可折彎的性質。若基板100具有高回復力，則當外力在基板100被彎曲或折彎後移除，其可恢復至原本的形狀。
為了確保基板100具有這些性質，基板100可由可延展/可壓縮之高分子樹脂形成。此可延展/可壓縮之高分子樹脂的例子可包括聚丁二烯(polybutadiene)、聚苯乙烯-丁二烯(poly(styrene-butadiene))、聚苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(poly(styrene-butadiene-styrene))、聚苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯(poly(styrene-ethylene-butylene-styrene))、聚氨酯(polyurethane)、聚異戊二烯(polyisoprene)或其組合，然而，本發明並不侷限於此。
至少一佈線200形成在基板100上。佈線200可使電流流過或使電子訊號被傳輸。佈線200可全部或部份地作為電極。
佈線200可直接形成於基板上或可以其間有中間結構地形成於基板上。在例示性實施例中，佈線200被設置成與直接被設置在佈線200之下的下部結構(舉例而言，其為基板100或其他的中間結構)極緊密地接觸。於此情況下，被設置成與下部結構極緊密地接觸之佈線200，意指佈線200黏附於下部結構而不是凸出於下部結構上，在此狀況下，佈線200與直接被設置於佈線200之下的下部結構之間不形成空氣層。然而，本發明並不侷限於此。
直接設置於佈線200之下的結構可由具有比佈線200更大電阻的材料形成，舉例而言，絕緣材料。在佈線200直接形成於基板100上的狀況下，基板100可由絕緣材料形成。然而，在佈線200與基板100之間插入絕緣層的狀況下，基板100可由絕緣材料、導電材料或半導電性材料形成。在此狀況下，插入佈線200與基板100之間的絕緣層可由可延展/可壓縮之材料形成，或由可至少反應基板100的延展/壓縮之延展/壓縮材料形成，或絕緣層可被形成以具有可至少反應基板100的延展/壓縮之可延展/壓縮之厚度或形狀。
在基板100延展之前，以平面圖來看佈線200可具有彎曲或折彎的形狀。佈線200可被分為第一區P1及第二區P2。佈線200的第一區P1可為具有大體而言朝著行進方向延伸之形狀的延伸部分。佈線200的第二區P2可為佈線200的行進方向為彎曲之彎曲部分或折彎時的彎曲或佈線200的行進方向為折彎之折彎部分。
在例示性實施例中，第二區P2的彎曲部分可以規律性的重複週期設置。舉例而言，佈線200可具有正弦曲線形狀。佈線200以固定擺幅和規律週期以擺動方式行進。佈線200可具有鋸齒狀的整體外觀。儘管在圖中第二區P2的彎曲部分是以曲線描述，但其彎曲部分可具有其中比曲線形狀更銳利的折彎之折彎形狀。
如第3圖所示，當基板100以雙邊平行於X軸的方向延展時，設置於基板100上之彎曲的佈線200係沿著基板100延展的方向延展。當基板100延展時，佈線200兩終端之間的距離被拉長；佈線200在Y軸上的擺幅，即佈線200的寬度減少；且佈線200彎曲部分的重複周期被拉長。如第4圖所示，基板100可延展至佈線200被完全拉成直線。基板100延展的過程如第1、3及4圖所示，基板100在X軸方向的寬度可增加，當佈線200的彎曲部分延展時，佈線200在X軸方向的寬度也增加，儘管佈線200本身的長度沒有延長。
當複數個佈線200設置在基板100上時，每一個彼此不同的佈線200彼此可具有不同的擺幅或週期。然而，即使在此狀況下，電子裝置可被設計為當基板100被延展時這些被延展的佈線200的最大寬度皆一致。
當基板100在平行於X軸的方向壓縮時，或當用以延展基板100之力被基板100的回復力移除時，基板100從而回復至其原本的狀態，佈線200兩終端之間的距離減少、佈線200的擺幅增加、以及佈線200彎曲部分的重複周期減少。
佈線200可在上述被延展或被折彎的過程中受到應力，且佈線200的彎曲部分受到相對較多的應力。當佈線200處於應力作用之下時，佈線200可能會部分地破損或斷開，因此大幅增加了電阻。為了減輕此現象，佈線200的彎曲部分具有與其他部分不同的結構。在下文中，將參考第1及2圖，更加詳盡地解釋佈線200的結構。
佈線200包括第一導電層210及第二導電層220。第二導電層220可由相對較易彎曲之導電材料形成。第一導電層210可由相對於第二導電層220不容易彎曲之導電材料形成。舉例而言，第一導電層210可由硬質導電材料形成，而第二導電層220可由可撓性導電材料形成。每一個第一導電層210及/或第二導電層220可為透明導電層或不透明導電層。
第一導電層210可由金屬或金屬氧化物層形成。舉例而言，第一導電層210可由銅、鎳、鉬、鉻、鎢、鋁、二氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、銦錫氧化物(ITO)或其合金形成。
第二導電層220可由奈米碳管(CNT)、石墨烯、金屬奈米線(舉例而言，銀奈米線)、金屬奈米粒子、金屬帶狀物、導電高分子及其他相似或其混合物形成。導電高分子的例子包括聚(3-烷基噻吩)(poly(3-alkyl)thiophene,P3AT)、聚(3-己烷基噻吩)(poly(3-hexyl)thiophene,P3HT)、聚苯胺(polyaniline,PANI)、聚乙炔(polyacetylene,PA)、聚甘菊藍(polyazulene)、聚(3,4-二氧乙烯噻吩)(polyethylene dioxythiophene,PEDOT)、聚異硫代萘(polyisothianapthalene,PITN)、聚異苯硫茚(polyisothianaphthene)、聚噻 吩乙烯(polythienylenevinylene)、聚噻吩(polythiophene,PT)、聚對苯(polyparaphenylene,PPP)、聚對亞苯基乙烯(polyparaphenylene vinylene PPV)、聚苯硫(polyphenylene sulfide)、聚苯(polyphenylene)、聚呋喃(polyfuran)、聚吡咯(polypyrrole,PPY)、聚庚二烯(polyheptadiene,PHT)及其他相似物。
第一導電層210可形成於佈線200的整個第一區P1和整個第二區P2上以定義佈線200的實質平面輪廓。第二導電層220主要形成為在第二區P2與第一導電層210重疊。第一導電層210與第二導電層220可在重疊區域彼此接觸以電性互連。在第2圖中，第二導電層220被描述為形成於第一導電層210之下，意即為，第二導電層220形成於基板100之上且第一導電層210重疊於第二導電層220之上。
第二導電層220主要形成於為彎曲部分之第二區P2中。在此狀況下，第二導電層220主要形成於第二區P2意指比起第一區P1，第二導電層220相對較多地形成在第二區P2中，且就每單位面積來說，在第二區P2中第一導電層210與第二導電層220的重疊區域比第一區P1更廣。第2圖描繪在第二區P2中第二導電層220具有與第一導電層210相同的線寬且與第一導電層210完全重疊的例子。與此同時，第二導電層220未形成於第一區P1，因此不存在重疊區域。然而，本發明並不侷限於此，第二導電層220可部分地形成於第一區P1並與第一導電層210部分地重疊。儘管第一導電層210可部分彼此連接為定義佈線200的平面輪廓的線，但在第二區P2中彼此分隔的第二導電層220部分可物理性地彼此分開。
如上述，當電子裝置10重複延展/壓縮時，為彎曲部分之佈線200的第二區P2，可受到相對較多的應力。當佈線200的第二區 P2處於應力作用之下而累積疲勞時，嚴重時佈線200的第二區P2中之第一導電層210可能會部分地斷裂或甚至斷開，然而，第二導電層220與部分第一導電層210重疊以因此抑制電阻的增加。意即為，即使第一導電層210破損或斷開，透過重疊於第一導電層210之下的第二導電層220仍可提供使電流旁通之路徑。此外，因為第二導電層220係由比第一導電層210相對容易彎曲的材料形成，故即使佈線200處於應力的作用之下，第二導電層220比第一導電層210具有較低的破裂或斷開風險，從而防止佈線200的全面斷開並抑制電阻的增加。
為延伸部分之佈線200的第一區P1，受到較小的變形並因此受到較小的應力，即使電子裝置10被重複地延展/壓縮。在應力風險相對較低的第一區P1形成第二導電層220至其高度類似於第二區P2的第二導電層220之高度是低效的。此外，若形成於第一區P1的第二導電層220具有與第二區P2的第二導電層220類似的高度，則電子裝置10的厚度會因為佈線200的平均厚度增加，而全面增加，且其全面增厚的佈線200將可能使電子裝置10不易彎曲。因此，比起第二區P2，第二導電層220不形成於具有較少應力的第一區P1或於第一區P1相對較少地形成，從而減少了第一導電層210與第二導電層220彼此重疊的區域。
本發明的其他例示性實施例將會在下文描述。
第5圖係為根據本發明另一個例示性實施例的電子裝置之剖視圖。參照第5圖，根據本發明另一個例示性實施例的電子裝置11與參照第2圖之例示性實施例的電子裝置不同之處在於第二導電層220形成於在基板100之上的第一導電層210之上，而不是於第一導電層 210之下。第5圖之例示性實施例在佈線的形狀、平面上第一導電層210和第二導電層220的配置、構成材料等方面與第2圖之例示性實施例相同。然而，改變的只有第一導電層210和第二導電層220之堆疊順序。
第5圖之例示性實施例中，第二導電層220主要形成於佈線的第二區P2，其與第2圖之例示性實施例中的第二導電層相似。因此即使第一導電層210於佈線的第二區P2破損或斷開，透過重疊於第一導電層210之上的第二導電層220仍可提供使旁通電流之路徑，因此可防止佈線之斷開或電阻的增加。
第6圖係為根據本發明另一個例示性實施例的電子裝置之剖視圖。
參照第6圖，此例示性實施例的電子裝置12與第2圖之例示性實施例不同之處在於進一步地形成第三導電層230於第一導電層210之上。用於第三導電層230的材料可與前述用於第二導電層220的材料相同。第三導電層230在相同的平面上與第二導電層220共軸地形成，並且協同第二導電層220以從第一導電層210之上及之下將第一導電層210包住。
同樣在此例示性實施例中，即使第一導電層210於佈線的第二區P2破損或斷開，透過重疊於第一導電層210之下的第二導電層220及/或重疊於第一導電層210之上的第三導電層230仍可提供使電流旁通之路徑，因此可防止佈線之斷開或電阻的增加。
第7圖係為根據本發明另一個例示性實施例的電子裝置之剖視圖。
參照第7圖，本發明另一個例示性實施例的電子裝置13包括具有溝槽102的基板101。溝槽102係由基板101的表面凹陷。溝槽102可設置為基本上與第2圖所示之平面上的第二導電層220之設置相同。溝槽102由第二導電層220填滿。第二導電層220可具有設置於，但不侷限於，與基板101平坦上表面相同高度處的表面。第一導電層210形成於第二導電層220整個表面及基板101平坦上表面之上。第一導電層210在溝槽102之上與第二導電層220重疊。
同樣在此例示性實施例中，即使第一導電層210於佈線的第二區P2破損或斷開，透過重疊於第一導電層210之上的第二導電層220仍可提供使電流旁通之路徑。因此可防止佈線之斷開或電阻的增加。
雖然沒有顯示於圖中，但與第7圖相反的例示性實施例，第一導電層210可設置於第二導電層220之下且第二導電層220可設置於第一導電層210之上。舉例而言，在基板101中可形成具有與佈線相同的平面形狀之溝槽且溝槽可由第一導電層210填滿。第一導電層210可具有設置在與基板101的平坦上表面相同高度之表面。第二導電層220可形成在佈線第二區P2的第一導電層210之上。
第8圖係為根據本發明另一個例示性實施例的電子裝置之平面圖。第9圖係為沿著第8圖的線IX-IX'截取的剖視圖。
參照第8及9圖，根據此例示性實施例的電子裝置14與第1及2圖的實施例相同的部分在於，電子裝置14的佈線201具有作為延伸部分的第一區P1以及作為彎曲部分的第二區P2。然而，根據此例示性實施例的電子裝置14與第1及2圖的例示性實施例不同之處在於，第一區P1係由第一導電層211形成而第二區P2係由第二導電層220形成。
詳言之，第一導電層211形成於佈線201的第一區P1，但至少部分不形成於第二區P2。因此，第一導電層211被插入其間的第二區P2物理性地斷開。意即，在第一區P1中彼此隔開的第一導電層211部分可彼此物理性地分離。
第二導電層220形成於佈線201的第二區P2，但至少部分不形成於第一區P1。因此，第二導電層220被插入其間的第一區P1物理性地斷開。
第一導電層211與第二導電層220彼此電性連接。為此，彼此面向的第一導電層211之一側與第二導電層220之一側可部分地彼此重疊。第二導電層220可設置於基板100上之第一導電層211之上，或與之相反，於重疊部分中，第一導電層211可設置於基板100上之第二導電層220之上。此外，第二導電層220可同時被提供於第一導電層211之上及之下。
除了在第一導電層211與第二導電層220彼此重疊的情況下之外，使第一導電層211與第二導電層220互相電性連接的替代方法為，可使第一導電層211之末端與第二導電層220之末端彼此相鄰設置以互相接觸。
根據佈線201之上述結構，電流交替通過第一導電層211與第二導電層220。在此例示性實施例中，為佈線201的彎曲部分之第二區P2，係由具有可撓特性的第二導電層220形成，且因此，即使電子裝置14因為電子裝置14之延展/壓縮而受到應力作用，電子裝置14可具有較低的斷裂或斷開風險。而且，因第二導電層220具有可撓特性，故也增加了佈線的最大可延展長度。此外，第一導電層211與第二導電層220彼此重疊的區域不存在或是相對地小，從而減少了電子裝置14的平均厚度並賦予電子裝置14易於彎曲的優點。
第10圖係為根據本發明另一個例示性實施例的電子裝置之平面圖。第11圖係為沿著第10圖的線XI-XI'截取的剖視圖。
參照第10及11圖，根據此例示性實施例的電子裝置15包括具有第一導電圖樣212和第二導電圖樣221的佈線202。第一導電圖樣212可由與第1及2圖之例示性實施例的第一導電層210基本上相同之材料形成，且第二導電圖樣221可由與第1及2圖之例示性實施例的第二導電層220基本上相同之材料形成。
第一導電圖樣212包括第一區P1，其為具有大體而言朝著行進方向延伸形狀的延伸部分；以及第二區P2，其為行進方向為彎曲的彎曲部分。
第二導電圖樣221與第一導電圖樣212在第一導電圖樣212之第二區P2重疊。就此點而言，此例示性實施例與第1及2圖之例示性實施例相同，然而此例示性實施例與第1及2圖之例示性實施例不同之處在於第二導電圖樣221與第一導電圖樣212之重疊部分是彼此連接而不是彼此分開。
更詳細地說，第二導電圖樣221形成為延伸通過第一導電圖樣212的第二區P2的線。舉例而言，此線可具有直線形狀，但不侷限於此。此圖描繪其中第二導電圖樣221於平行X軸的方向延展的例子。通過設置於第一導電圖樣212的一側之第二區P2的第二導電圖樣221與通過設置於第一導電圖樣212的另一側之第二區P2的另一第二導電圖樣221可形成於基板100上。
第一導電圖樣212的第一區P1可朝一方向延展，該方向相對於第二導電圖樣221之延展方向X以一預定角度傾斜。如果將第一導電圖樣212的第一區P1之延伸方向相對於第二導電圖樣221之延伸方向的角度 定義為相交傾角，則形成於相鄰於第一導電圖樣212的第二區P2一側之第一導電圖樣212的第一區P1的相交傾角與形成於相鄰於第一導電圖樣212的第二區P2另一側的第一導電圖樣212的第一區P1之相交傾角，可具有彼此不同的符號，舉例而言，如果第二區P2一側的相交傾角為正傾角，那麼第二區P2另一側的相交傾角可為負傾角。一側的相交傾角的絕對值與另一側的相交傾角的絕對值可相同。
第二導電圖樣221包括與第一導電圖樣212重疊的重疊部分及不與第一導電圖樣212重疊的非重疊部分。如上述，第二導電圖樣221的重疊部分設置於第一導電圖樣212的第二區P2上，且第二導電圖樣221的非重疊部分與相鄰的重疊部分互相連接。第11圖說明描繪第一導電圖樣212形成於基板100上的第二導電圖樣221之上，於第一導電圖樣212與第二導電圖樣221彼此重疊之部分中。然而，在其他的例示性實施例中，圖樣堆疊的順序有可能不同。
在此例示性實施例中，因具有可撓特性的第二導電圖樣221重疊於第一導電圖樣212的第二區P2中，故即使佈線202因為電子裝置15的延展/壓縮而受到應力作用，佈線202可具有較低的斷裂或斷開風險。此外，此例示性實施例的優點在於，第二導電圖樣221具有簡單形狀，故第一導電圖樣212與第二導電圖樣221可以相對簡單的方式對齊。
第12圖係為根據本發明另一個例示性實施例的電子裝置之平面圖。第13圖係為沿著第12圖的線XIII-XIII'截取的剖視圖。
參照第12及13圖，根據此例示性實施例的電子裝置16與第10及11圖之例示性實施例的電子裝置相同之處在於，佈線203之第二導電圖樣222係形成為線型，但根據此例示性實施例的電子裝置16與第10及11圖之例示性實施例的電子裝置不同之處在於，一個的完整的第二導電圖 樣222形成為與第一導電圖樣212的全部區域重疊。意即，在此例示性實施例中，第二導電圖樣222為一體成形的而不是於Y軸方向上分散於第一導電圖樣212的兩側，從而覆蓋第一導電圖樣212形成的大部分區域。意即，第二導電圖樣222形成為與第一導電圖樣212的第一區P1和第二區P2重疊，且亦填滿第一區P1之間的空間。
在此例示性實施例中，因具有可撓特性的第二導電圖樣222重疊於第一導電圖樣212的第一區P1和第二區P2中，故即使佈線203受到因電子裝置16的延展/壓縮造成的應力作用，佈線203具有較低的斷裂或斷開風險。此外，此例示性實施例的優點在於，第二導電圖樣222具有簡單形狀，故第一導電圖樣212與第二導電圖樣222可以相對簡單的方式對齊。
第14圖係為根據本發明另一個例示性實施例的電子裝置之平面圖。第15圖係為沿著第14圖的線XV-XV'截取的剖視圖。
參照第14及15圖，根據本發明另一個例示性實施例的電子裝置17包括佈線204，其被分成作為延伸部分的第一區P1和作為彎曲部分的第二區P2，與第1及2圖中根據例示性實施例的電子裝置相似。佈線204包括第一導電層213和第二導電層223。
第一導電層213形成於佈線204的整個第一區P1及整個第二區P2上。第一導電層213包括形成於佈線204第二區P2中的底切溝槽圖樣213c。底切溝槽圖樣213c可具有從第二區P2的彎曲部分之下部表面向內底切的形狀。不像圖中所示的例子，底切溝槽圖樣213c可具有從彎曲部分之上部表面向內底切的形狀，或從彎曲部分之下部表面和上部表面同時底切的的形狀。複數個底切溝槽圖樣213c可在第二區P2中彼此平 行地形成，底切部分可具有朝內側逐漸變尖細之三角形或不規則四邊形的形狀，但不侷限於此。
第二導電層223形成以與佈線204的第二區P2中的第一導電層213重疊。儘管在第15圖中，第二導電層223被描繪成設置於第一導電層213之下，並與在基板100上之第一導電層213重疊，但第二導電層223可被設置於第一導電層213之上或同時於第一導電層213之上及之下。
第二導電層223可設置以覆蓋第一導電層213的底切溝槽圖樣213c。第二導電層223也可形成於底切溝槽圖樣213c的切割及開口處中。
在此例示性實施例中，第一導電層213的底切溝槽圖樣213c可形成於佈線204在延展/壓縮過程中折彎或未折彎的部分，從而減少在佈線204的延展/壓縮過程中作用於第一導電層213之累積應力的量。此外，即使第一導電層213在底切溝槽圖樣213c周圍破損或斷開，因第二導電層223與相關部分重疊，故可提供電流旁通路徑。
第16圖係為根據本發明另一個例示性實施例的電子裝置之平面圖。第17圖係為沿著第16圖的線XVII-XVII'截取的剖視圖。
第16及17圖的例示性實施例描繪其中電子裝置18之佈線205對於二維的延展/壓縮可保持其穩定的電阻的結構。
參照第16及17圖，電子裝置18之佈線205包括第一導電層214和第二導電層224。第一導電層214定義佈線205的整體外表，第一導電層214在其中具有複數個底切孔洞圖樣214_h1及214_h2。底切孔洞圖樣214_h1及214_h2被塑形為被第一導電層214包住之封閉曲線，此封閉曲線可朝特定方線延伸，舉例而言，此封閉曲線可被塑形為線段、具有細長寬度的矩形或橢圓。底切孔洞圖樣可基於其延伸方向被分為第一底切孔洞圖樣214_h1及第二底切孔洞圖樣214_h2。
第一底切孔洞圖樣214_h1被塑形為大體而言朝著第一方向(圖中的X軸方向)延伸之形狀。第二底切孔洞圖樣214_h2被塑形為大體而言朝著第二方向(圖中的Y軸方向)延伸之形狀。第一方向與第二方向可彼此垂直，但本發明不侷限於此。
複數個第一底切孔洞圖樣214_h1可設置於在第一方向延伸的第一延伸線DL1上。在第一延伸線DL1上的第一底切孔洞圖樣214_h1可以固定間隔設置，但不侷限於此。複數個第一底切孔洞圖樣214_h1提供於其上的第一延伸線DL1可為複數條。在此狀況下，第一延伸線DL1可彼此平行。
複數個第二底切孔洞圖樣214_h2可設置於在第二方向延伸的第二延伸線DL2上。在第二延伸線DL2上的第二底切孔洞圖樣214_h2可以固定間隔設置，但不侷限於此。複數個第二底切孔洞圖樣214_h2提供於其上的第二延伸線DL2可為複數條。在此狀況下，第二延伸線DL2可彼此平行。
第二底切孔洞圖樣214_h2可設置橫跨過第一延伸線DL1上的兩個相鄰的第一底切孔洞圖樣214_h1間之間隙。同樣地，第一底切孔洞圖樣214_h1可設置橫跨過第二延伸線DL2上的兩個相鄰的第二底切孔洞圖樣214_h2間之間隙。
當電子裝置18在與第一方向垂直的方向(在圖中為Y軸方向)延展時，第一底切孔洞圖樣214_h1的寬度也被延展，以使第一導電層214能夠相應地延展。當電子裝置18在與第二方向垂直的方向(在圖中為X軸方向)延展時，第二底切孔洞圖樣214_h2的寬度也被延展，以使第一導電層214能夠相應地延展。
第二導電層224設置於第一底切孔洞圖樣214_h1及第二底切孔洞圖樣214_h2形成的區域中，且與第一導電層214電性連接。第二導電層224可設置於在基板100上的第一導電層214之上及/或之下。第二導電層224設置於第一底切孔洞圖樣214_h1及第二底切孔洞圖樣214_h2形成的區域中，以補償當電子裝置18在垂直於第一或第二方向的方向延展時，因為第一底切孔洞圖樣214_h1或第二底切孔洞圖樣214_h2的寬度過度增加，導致之佈線的電阻過度增加。如上述，第二導電層224係由相對可撓性材料構成，且因此第二導電層224可易於延展並用以減輕集中在底切孔洞圖樣214_h1及214_h2上的累積應力。
第二導電層224可形成以完全填滿底切孔洞圖樣214_h1及214_h2，且部分第二導電層224可在底切孔洞圖樣214_h1及214_h2周圍與第一導電層214重疊。形成於相鄰底切孔洞圖樣214_h1及214_h2中的第二導電層224可能彼此斷開或連接。在此狀況下，第二導電層224可具有格子(lattice)形狀。
根據本發明例示性實施例的電子裝置係設置以使用具有較低的斷裂或斷開風險之可撓性導電材料裝配，其形成於重複延展/壓縮而產生相對較高的應力部分。因此，即使佈線被重複延展/壓縮，仍可防止佈線斷開及抑制電阻的增加。
儘管於此已描述了數個例示性實施例及執行方法，但根據此描述，其他實施例和修改將是顯而易見的。因此，本發明觀念不侷限於這些實施例，而在於所主張的廣義範圍及各種明顯的修改與等效配置。
10‧‧‧電子裝置
100‧‧‧基板
200‧‧‧佈線
210‧‧‧第一導電層
220‧‧‧第二導電層
P1‧‧‧第一區
P2‧‧‧第二區
X、Y‧‧‧方向

Claims (17)

  1. 一種電子裝置，其包含：一基板，其為可延展及可壓縮的；以及一佈線，形成在該基板上，該佈線被分為具有朝行進方向延伸的形狀之一第一區和行進方向為彎曲的之一第二區，其中：該佈線包含一第一導電層和一第二導電層，該第二導電層係由使該第二導電層比該第一導電層更容易彎曲之一材料所形成；該第一導電層形成在該第一區及該第二區中，且該第二導電層形成在該第二區中；及該第一導電層在該第二區的一部分與該第二導電層重疊，該部分在延展前沿著一彎曲路徑延伸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該第一導電層形成在整個該第一區和整個該第二區上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中就每單位面積來說，在該第二區中，該第一導電層與該第二導電層的重疊區域比該第一區更廣。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中形成在彼此分隔的該第二區部分中的該第二導電層部分彼此物理性地分開。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該第一導電層包含提供於該第二區之一底切溝槽圖樣。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中形成在彼此分隔的該第一區部分中的該第一導電層部分彼此物理性地分開。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電子裝置，其中該第一導電層與該第二導電層彼此電性連接。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該第二區以具有規律周期的形狀設置於該基板上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該第一導電層係由一硬質導電材料形成而該第二導電層係由一可撓性導電材料形成。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電子裝置，其中該第一導電層係由金屬或金屬氧化層形成，而該第二導電層係由奈米碳管、石墨烯、金屬奈米線、金屬奈米粒子、金屬帶狀物、導電高分子、或其混合物形成。
  11. 一種電子裝置，其包含：一基板，其為可延展及可壓縮的；以及一佈線，形成在該基板上，該佈線包含一第一導電圖樣和一第二導電圖樣，該第二導電圖樣係由使該第二導電圖樣比該第一導電圖樣更容易彎曲之一材料所形成，其中：該第一導電圖樣被分為具有朝行進方向延伸的形狀之一第一區和行進方向為彎曲的之一第二區；該第二導電圖樣係形成為延伸通過該第一導電圖樣的該第二區之線；及該第二導電圖樣在該第二區的一部分與該第一導電圖樣重疊，該部分在延展前沿著一彎曲路徑延伸。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中第二導電圖樣包含：一第二導電圖樣，其通過設置在該第一導電圖樣一側的該第二區；以及另一第二導電圖樣，其通過設置在該第一導電圖樣另一側的該第二區。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該第一導電圖樣係由一硬質導電材料形成而該第二導電圖樣係由一可撓性導電材料形成。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之電子裝置，其中該第一導電圖樣係由金屬或金屬氧化層形成，而該第二導電圖樣係由奈米碳管、石墨烯、金屬奈米線、金屬奈米粒子、金屬帶狀物、導電高分子、或其混合物形成。
  15. 一種電子裝置，其包含：一基板，其為可延展及可壓縮的；一第一導電層，形成在該基板上，該第一導電層包含在一第一方向中為可延伸之一第一底切孔洞圖樣，及在一第二方向中為可延伸之一第二底切孔洞圖樣；以及一第二導電層，形成於該第一底切孔洞圖樣中與該第二底切孔洞圖樣中，並與該第一導電層電性連接，該第二導電層係由使該第二導電層比該第一導電層更容易彎曲之一材料形成；其中，該第一方向與該第二方向相交。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之電子裝置，其中該第一導電層 係由一硬質導電材料構成而該第二導電層係由一可撓性導電材料構成。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之電子裝置，其中該第一導電層係由金屬或金屬氧化層形成，而該第二導電層係由奈米碳管、石墨烯、金屬奈米線、金屬奈米粒子、金屬帶狀物、導電高分子、或其混合物形成。
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