TWI684202B - 表面處理裝置 - Google Patents

表面處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI684202B
TWI684202B TW104120118A TW104120118A TWI684202B TW I684202 B TWI684202 B TW I684202B TW 104120118 A TW104120118 A TW 104120118A TW 104120118 A TW104120118 A TW 104120118A TW I684202 B TWI684202 B TW I684202B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electron beam
surface treatment
electron
irradiated
irradiation
Prior art date
Application number
TW104120118A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201603116A (zh
Inventor
畠山雅規
末松健一
田島涼
本究
寺尾健二
吉川省二
Original Assignee
日商荏原製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商荏原製作所股份有限公司 filed Critical 日商荏原製作所股份有限公司
Publication of TW201603116A publication Critical patent/TW201603116A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI684202B publication Critical patent/TWI684202B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/226—Optical arrangements for illuminating the object; optical arrangements for collecting light from the object
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002—Details
    • H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
    • H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
    • H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching for microworking, e. g. etching of gratings or trimming of electrical components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
    • H01J2237/24514—Beam diagnostics including control of the parameter or property diagnosed
    • H01J2237/24535—Beam current

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

本發明之課題在於提供一種可進行高速處理並可提升處理量之表面處理裝置。

本發明之解決手段為一種表面處理裝置，其係照射電子束以進行試樣(20)的表面處理之裝置。表面處理裝置具備：產生電子束之電子源(10)(包含控制電子束的波束形狀之透鏡系)、設置有被電子束照射之試樣(20)之承載台(30)、以及確認電子束的照射位置之光學顯微鏡(110)。照射於試樣(20)之電子束的電流量，設定在10nA至100A。

Description

表面處理裝置
本發明係關於照射電子束以進行試樣的表面處理之表面處理裝置，尤其，關於使用大電流的電子束之表面處理技術。
以往，於半導體製造的領域中，係採用照射電子束以進行試樣的表面處理之表面處理裝置。例如，採用：使用電子束而使半導體晶片的圖案曝光之電子束曝光裝置(參考專利文獻1)。此外，近年來亦有人提出一種照射大面積的荷電粒子，並轉印晶片面積全體之曝光裝置(參考專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平5-47643號公報
[專利文獻2]日本特開2002-270499號公報
然而，在以往的曝光裝置中，照射於試樣 之電子束的電流量小，頂多為約1nA左右。因而，難以高速進行試樣的表面處理，期待可提升處理量。
本發明係鑑於上述課題而創作出，目的在於提供一種可進行高速處理並可提升處理量之表面處理裝置。
本發明之表面處理裝置，為照射電子束以進行照射對象的表面處理之表面處理裝置，係具備：產生電子束之電子源、控制電子束的波束形狀之透鏡系、及設置有被電子束照射之照射對象之承載台；照射於照射對象之電子束的電流量，設定在10nA至100A。
藉由該構成，可將電子束照射於照射對象以進行照射對象的表面處理。此時，由於照射於照射對象之電子束的電流量被設定在10nA至100A，故與以往相比，可進行高速處理，並大幅提升處理量。
本發明之表面處理裝置，為照射電子束以進行照射對象的表面處理之表面處理裝置，係具備：產生電子束之複數個電子源、分別控制來自複數個電子源之電子束的波束形狀之複數個透鏡系、及設置有被電子束照射之照射對象之承載台；照射於照射對象之電子束的電流量，設定在10nA至100A。
藉由該構成，可將電子束照射於照射對象以進行照射對象的表面處理。此時，藉由使用複數個電子源與複數個透鏡系，可使用小型的電子源(廉價的電子源) 產生大面積的電子束。此外，由於照射於照射對象之電子束的電流量被設定在10nA至100A，故與以往相比，可進行高速處理並大幅提升處理量。
本發明之表面處理裝置，為照射電子束以進行照射對象的表面處理之表面處理裝置，係具備：產生既定波長的光之光源、藉由來自光源之光的照射而產生電子束之光電陰極、及設置有被電子束照射之照射對象之承載台；照射於照射對象之電子束的電流量，設定在10nA至100A。
藉由該構成，可將電子束照射於照射對象以進行照射對象的表面處理。此時，藉由使用光電陰極，可產生大面積的電子束。此外，由於照射於照射對象之電子束的電流量被設定在10nA至100A，故與以往相比，可進行高速處理並大幅提升處理量。
此外，在本發明之表面處理裝置中，照射對象的形狀可為圓形，電子束之照射區域的形狀可為扇形，表面處理裝置，可具備：以可將電子束照射於照射對象的全面之方式使承載台旋轉移動之承載台控制部。
藉由該構成，可將扇形的電子束照射於圓形的照射對象。此時，藉由使承載台旋轉移動，可將電子束照射於照射對象的全面。
此外，在本發明之表面處理裝置中，照射對象的形狀可為矩形，電子束之照射區域的形狀可為較照射對象更小尺寸之矩形，表面處理裝置，可具備：以可將 電子束照射於照射對象的全面之方式使承載台平移移動之承載台控制部。
藉由該構成，可將矩形(較照射對象更小尺寸之矩形)的電子束照射於矩形的照射對象。此時，藉由使承載台平移移動，可將電子束照射於照射對象的全面。
此外，本發明之表面處理裝置中，電子源可配置在較承載台更下側，照射對象係以進行表面處理之面朝下而設置在承載台，電子束係可從下側照射於照射對象。
藉由該構成，以進行表面處理之面朝下將照射對象設置在承載台，並從下側將電子束照射於照射對象。藉此，可降低雜質或微粒等因重力而掉落並附著於進行表面處理之面。
根據本發明，藉由使用大電流的電子束來進行表面處理，可進行高速處理，並可提升處理量。
10‧‧‧電子源
20‧‧‧試樣
30‧‧‧承載台
40‧‧‧光源
41‧‧‧光電陰極
42‧‧‧穿透窗
43‧‧‧取出電極
50‧‧‧承載台控制部
70‧‧‧檢測器
90‧‧‧影像處理裝置
100‧‧‧電子光學系
110‧‧‧光學顯微鏡
120‧‧‧SEM型檢查裝置
130‧‧‧電子光學系控制電源
140‧‧‧系統軟體
150‧‧‧真空控制系
160‧‧‧主反應室
161‧‧‧傳輸室
162‧‧‧載入室
170‧‧‧制振台
180‧‧‧微控環境
190‧‧‧載入埠
200‧‧‧偏向器
210‧‧‧閘閥
220‧‧‧微粒捕集器
220A‧‧‧基礎構件
220B‧‧‧吸附材
230‧‧‧蓋體
240‧‧‧平板
240A‧‧‧波束孔(小波束孔)
240B‧‧‧波束孔(大波束孔)
250‧‧‧頂升裝置
260‧‧‧渦輪泵(鏡筒用)
270‧‧‧渦輪泵(主反應室用)
280‧‧‧乾式泵
290‧‧‧運送用閘閥
300‧‧‧全體控制部
310‧‧‧電子束控制部
320‧‧‧周邊控制部
330‧‧‧塊體歧管
340‧‧‧施加銷
350‧‧‧吸收電極
第1圖係顯示本發明的第1實施形態之表面處理裝置的全體構成之圖。
第2圖係顯示本發明的第1實施形態之表面處理裝置之主要部分的構成之圖。
第3圖係顯示本發明的第2實施形態之表面處理裝置之主要部分的構成之圖。
第4圖係顯示本發明的第3實施形態之表面處理裝置之主要部分的構成之圖。
第5圖係顯示本發明的第4實施形態之表面處理裝置之主要部分的構成之圖。
第6圖係本發明的第4實施形態之表面處理裝置的動作之說明圖。
第7圖係顯示本發明的第5實施形態之表面處理裝置之主要部分的構成之圖。
第8圖係本發明的第5實施形態之表面處理裝置的動作之說明圖。
第9圖係顯示本發明的第6實施形態之表面處理裝置之主要部分的構成之圖。
第10圖係顯示本發明的第7實施形態之表面處理裝置之主要部分的構成之圖。
第11圖係顯示本發明的第7實施形態之微粒捕集器的構成之圖。
第12圖係顯示本發明的第7實施形態之表面處理裝置的動作(樣本運送及電子束照射)的流程之流程圖。
第13圖係顯示本發明的第7實施形態之表面處理裝置的動作(真空排氣)的流程之流程圖。
第14圖係本發明的第8實施形態之表面處理裝置的動作之說明圖。
第15圖係本發明的第8實施形態之表面處理裝置的動作之說明圖。
第16圖係顯示本發明的第9實施形態之表面處理裝置之主要部分的構成之圖。
第17圖係顯示本發明的第9實施形態之電子束調整輔助具(平板)與矩形光圈(蓋體)的構成之圖。
第18圖係顯示本發明的第9實施形態之表面處理裝置的動作的流程之流程圖。
第19圖係顯示本發明的第9實施形態之表面處理裝置之變形例的構成之圖。
第20圖係顯示本發明的第9實施形態之蓋體的吸收電流相對於電子束的偏向量之變化之圖。
第21圖係顯示本發明的第9實施形態之平板的二維掃描影像(電子影像)之說明圖。
第22圖係顯示本發明的第9實施形態之蓋體與平板之偏離之說明圖。
以下使用圖面來說明本發明的實施形態之表面處理裝置。表面處理裝置為照射電子束以進行試樣的表面處理之裝置。以下係例示出例如進行膜或母材等(晶圓、光罩、光阻、氧化膜、導電膜、石英等)的表面處理之表面處理裝置的情形。
(第1實施形態)
參考圖面來說明本發明的第1實施形態之表面處理裝置的構成。在此，首先說明裝置的全體構成，接著說明裝 置的主要部分。
第1圖係顯示本實施形態之表面處理裝置的全體構成之圖。如第1圖所示，表面處理裝置具備：電子光學系100、光學顯微鏡110、SEM型檢查裝置120、主反應室160、傳輸室161、載入室162、微控環境180、以及載入埠190。光學顯微鏡110可使用在試樣的對位等。此外，SEM 120可使用在審視觀察等。
微控環境180中，設置有大氣中的運送機械手、試樣對準裝置、潔淨空氣供給機構等。傳輸室161中，設置有真空中的運送機械手。由於在經常處於真空狀態之傳輸室161配置有機械手，所以可將因壓力變動所導致之微粒等的產生抑制在最低限度。
主反應室160中，設置有在x方向、y方向及θ(旋轉)方向上移動之承載台30，於承載台30上設置有靜電吸附盤。於靜電吸附盤設置有試樣本身。或者是，試樣以設置在平盤或輔助具之狀態下保持在靜電吸附盤。
主反應室160係藉由真空控制系150以將反應室內保持真空狀態之方式來控制。此外，主反應室160、傳輸室161及載入室162，被載置於制振台170上，並以不會傳遞來自地板的振動之方式而構成。
此外，主反應室160中，設置有電子光學系100。該電子光學系100具備：1次光學系及2次光學系的電子鏡筒系、以及檢測來自試樣的2次釋出電子或反射電子等之檢測器70。1次光學系係包含電子槍及1次系透鏡。 2次光學系包含聚光透鏡、E×B、傳遞透鏡、NA調整光圈、投射透鏡。檢測器70包含於2次光學系。來自檢測器70之訊號，被送至影像處理裝置90而進行處理。
在影像處理裝置90中，可進行導通時間的訊號處理及關閉時間的訊號處理兩者。導通時間的訊號處理，係於檢查之間進行。進行關閉時間的訊號處理時，僅取得影像，然後進行訊號處理。在影像處理裝置90中所處理之資料，被保存在硬碟或記憶體等之記錄媒體。此外，可因應需要，亦可將資料顯示於控制台的顯示器。為了進行該訊號處理，而具備有系統軟體140。此外，具備有為將電源供給至電子鏡筒系之電子光學系控制電源130。
試樣係從載入埠190運送至微控環境180中，並於其中進行對準作業。試樣係藉由大氣中的運送機械手而運送至載入室162。載入室162係藉由真空泵從大氣進行排氣至真空狀態。當壓力成為一定值(約1Pa)以下時，藉由配置在傳輸室161之真空中的運送機械手，將試樣20從載入室162運送至主反應室160。然後，將試樣20設置在承載台30上的靜電吸附盤機構上。
第2圖係顯示本實施形態之表面處理裝置之主要部分(包含電子光學系與主反應室之主要部分)的構成之圖。如第2圖所示，表面處理裝置係具備產生電子束之電子源10。電子源10中，設置有控制電子束的波束形狀之透鏡系。此外，表面處理裝置係具備設置有被電子束照射之試樣20之承載台30。再者，表面處理裝置具備用 以確認電子束的照射位置之光學顯微鏡110。
照射於試樣20之電子束的電流量，設定在10nA至100A。電子源10係可使用LaB6陰極、中空陰極、鎢絲等。對電子源10施加0至-5000V的電壓，對試樣20施加0至-2000V的電壓。此外，著陸能量(Landing Energy)LE設定在0至5000eV。
此時，可移動承載台30來控制電子束的照射區域。電子束的照射位置，可使用光學顯微鏡110來確認。此外，藉由組合承載台移動控制與波束消隱控制(波束量控制)，可控制電子束的照射區域。
根據本實施形態之表面處理裝置，可照射電子束以進行試樣20的表面處理。此時，由於照射於試樣20之電子束的電流量被設定在10nA至100A，故與以往相比，可進行高速處理並大幅提升處理量。
(第2實施形態)
參考圖面，說明本發明的第2實施形態之表面處理裝置的構成。表面處理裝置的全體構成，與第1實施形態相同，故在此省略該說明。
第3圖係顯示本實施形態之表面處理裝置之主要部分(包含電子光學系與主反應室之主要部分)的構成之圖。如第3圖所示，表面處理裝置係具備產生電子束之複數個電子源10。複數個電子源10的各個中，分別設置有控制電子束的波束形狀之透鏡系。此外，表面處理裝 置係具備設置有被電子束照射之試樣20之承載台30。再者，表面處理裝置具備用以確認電子束的照射位置之光學顯微鏡110。
照射於試樣20之電子束的電流量，設定在10nA至100A。電子源10可使用LaB6陰極、中空陰極、鎢絲等。對電子源10施加0至-5000V的電壓，對試樣20施加0至-2000V的電壓。此外，著陸能量LE設定在0至5000eV。
此時，可移動承載台30來控制電子束的照射區域。電子束的照射位置，可使用光學顯微鏡110來確認。此外，藉由組合承載台移動控制與波束消隱控制(波束量控制)，可控制電子束的照射區域。
根據如此之本實施形態之表面處理裝置，可照射電子束以進行試樣20的表面處理。此時，可聚集複數個電子源10並使用作為1個電子源10。如此，藉由使用複數個電子源10(包含複數個透鏡系)，可使用小型的電子源(便宜的電子源)而產生大面積的電子束。此外，由於照射於試樣20之電子束的電流量被設定在10nA至100A，故與以往相比，可進行高速處理並大幅提升處理量。
(第3實施形態)
參考圖面，說明本發明的第3實施形態之表面處理裝置的構成。有關表面處理裝置的全體構成，與第1實施形態相同，故在此省略該說明。
第4圖係顯示本實施形態之表面處理裝置之主要部分(包含電子光學系與主反應室之主要部分)的構成之圖。如第4圖所示，表面處理裝置係具備：產生既定波長的光之光源40、以及藉由來自光源之光的照射而產生電子束之光電陰極41。此外，表面處理裝置係具備設置有被電子束照射之試樣20之承載台30。再者，表面處理裝置具備用以確認電子束的照射位置之光學顯微鏡110。光學顯微鏡110可設置在主反應室160，或是設置在載入室162。
光源40可設置在主反應室160的外部。此時，可構成為使來自光源40的光通過設置在主反應室160之穿透窗42而到達光電陰極41。穿透窗42係可使用合成石英、石英、FOP(光纖板)等。來自光電陰極41之輻射電子量，或是電子束的方向性及均等性，可藉由取出電極43來控制。
照射於試樣20之電子束的電流量，設定在10nA至100A。光源40可使用DUV燈、DUV雷射、X射線雷射、UV雷射、UV燈、LED、LD等。對光電陰極41施加0至-5000V的電壓，對試樣20施加0至-2000V的電壓。此外，著陸能量LE設定在0至5000eV。
此時，可移動承載台30來控制電子束的照射區域。電子束的照射位置係可使用光學顯微鏡110來確認。此外，藉由組合承載台移動控制與光源導通/關閉控制(波束量控制)，可控制電子束的照射區域。
根據本實施形態之表面處理裝置，可照射電子束以進行試樣20的表面處理。此時，藉由使用光電陰極41，可產生大面積的電子束。此外，由於照射於試樣20之電子束的電流量被設定在10nA至100A，故與以往相比，可進行高速處理並大幅提升處理量。
(第4實施形態)
參考圖面，說明本發明的第4實施形態之表面處理裝置的構成。有關表面處理裝置的全體構成，與第1實施形態相同，故在此省略該說明。
第5圖係顯示本實施形態之表面處理裝置之主要部分(包含電子光學系與主反應室之主要部分)的構成之圖。如第5圖所示，表面處理裝置係具備：產生既定波長的光之光源40、以及藉由來自光源之光的照射而產生電子束之光電陰極41。此外，表面處理裝置係具備設置有電子束所照射之試樣20之承載台30。再者，表面處理裝置係具備用以確認電子束的照射位置之光學顯微鏡110。光學顯微鏡110可設置在主反應室160，或是設置在載入室162。
光源40可設置在主反應室160的外部。此時，可構成為使來自光源40的光通過設置在主反應室160之穿透窗42而到達光電陰極41。穿透窗42係可使用合成石英、石英、FOP(光纖板)等。
來自光電陰極41之輻射電子量、或電子束 的方向性及均等性，可藉由取出電極43來控制。藉由設置取出電極43，可抑制電子的擴散，降低照射於多餘區域之電子，並可藉由取出效應來提高電子產生效率。取出電極43不一定需設置。未設置取出電極43時，雖然電子束擴展(電子束照射於寬廣區域)，但可降低成本。
照射於試樣20之電子束的電流量，設定在10nA至100A。光源40可使用DUV燈、DUV雷射、X射線雷射、UV雷射、UV燈、LED、LD等。對光電陰極41施加0至-5000V的電壓，對試樣20施加0至-2000V的電壓。著陸能量LE設定在0至5000eV。
本實施形態中，試樣20的形狀為圓形，電子束之照射區域的形狀為構成該圓形(試樣20的形狀)的一部分之扇形(參考第6圖)。因此，與第3實施形態相比，能夠縮小光源40或光電陰極41等之電子源的構成來達成。此時，表面處理裝置具備：以可將電子束照射於試樣20的全面之方式使承載台30旋轉移動之承載台控制部50。
此時，可藉由承載台控制部50的控制，使承載台30旋轉移動而控制電子束的照射區域。例如第6圖所示，當電子束之照射區域的形狀(圖中以斜線所圖示者)為構成試樣20的形狀(圓形)的一部分之扇形時，藉由使承載台30旋轉移動，可將電子束均一地照射於試樣20的全面。
電子束的照射位置，可使用光學顯微鏡110來確認。此外，藉由組合承載台移動控制與光源導通/關閉 控制(波束量控制)，可控制電子束的照射區域。
即使藉由本實施形態之表面處理裝置，亦可照射電子束以進行試樣20的表面處理。此時，係將扇形的電子束照射於圓形的試樣20。此時，藉由使承載台30旋轉移動，可將電子束均一地照射於試樣20的全面。
(第5實施形態)
參考圖面，說明本發明的第5實施形態之表面處理裝置的構成。表面處理裝置的全體構成，與第1實施形態相同，故在此省略該說明。
第7圖係顯示本實施形態之表面處理裝置之主要部分(包含電子光學系與主反應室之主要部分)的構成之圖。如第7圖所示，表面處理裝置具備：產生既定波長的光之光源40、以及藉由來自光源之光的照射而產生電子束之光電陰極41。此外，表面處理裝置係具備設置有被電子束照射之試樣20之承載台30。再者，表面處理裝置具備用以確認電子束的照射位置之光學顯微鏡110。光學顯微鏡110可設置在主反應室160，或是設置在載入室162。
光源40可設置在主反應室160的外部。此時，可構成為使來自光源40的光係通過設置在主反應室160之穿透窗42而到達光電陰極41。穿透窗42係可使用合成石英、石英、FOP(光纖板)等。
來自光電陰極41之輻射電子量、或是電子束的方向性及均等性，可藉由取出電極43來控制。藉由設 置取出電極43，可抑制電子的擴散，降低照射於多餘區域之電子，並可藉由取出效果來提高電子產生效率。取出電極43不一定需要設置。未設置取出電極43時，雖然電子束擴展(電子束照射於寬廣區域)，但可降低成本。
照射於試樣20之電子束的電流量，設定在10nA至100A。光源40可使用DUV燈、DUV雷射、X射線雷射、UV雷射、UV燈、LED、LD等。對光電陰極41施加0至-5000V的電壓，對試樣20施加0至-2000V的電壓。著陸能量LE設定在0至5000eV。
本實施形態中，試樣20的形狀為矩形，電子束之照射區域的形狀為較試樣20更小尺寸之矩形(參考第8圖)。因此，與第3實施形態相比，能夠縮小光源40或光電陰極41等之電子源的構成來達成。此時，表面處理裝置具備：以可將電子束照射於試樣20的全面之方式使承載台30旋轉移動之承載台控制部50。
此時，可藉由承載台控制部50的控制，使承載台30平移移動而控制電子束的照射區域。例如第8圖所示，當電子束之照射區域的形狀(圖中以斜線所圖示者)為較試樣20的形狀(矩形)更小尺寸之矩形時，藉由使承載台30平移移動，可將電子束均一地照射於試樣20的全面。
電子束的照射位置係可使用光學顯微鏡110來確認。此外，藉由組合承載台移動控制與光源導通/關閉控制(波束量控制)，可控制電子束的照射區域。例如，亦可進行將電子束僅照射於試樣20中之特定的部分區域 之控制(點照射控制)。
即使藉由如此之本實施形態之表面處理裝置，亦可照射電子束以進行試樣20的表面處理。此時，係將矩形(較試樣20更小尺寸之矩形)的電子束照射於矩形的試樣20。此時，藉由使承載台30平移移動，可將電子束均一地照射於試樣20的全面。此外，亦可進行將電子束僅照射於試樣20中之特定的部分區域之控制(點照射控制)。
(第6實施形態)
參考圖面，說明本發明的第6實施形態之表面處理裝置的構成。有關表面處理裝置的全體構成，與第1實施形態相同，故在此省略該說明。
第9圖係顯示本實施形態之表面處理裝置之主要部分(包含電子光學系與主反應室之主要部分)的構成之圖。如第9圖所示，表面處理裝置具備產生電子束之電子源10。電子源10中，設置有控制電子束的波束形狀之透鏡系。此外，表面處理裝置係具備設置有被電子束照射之試樣20之承載台30。再者，表面處理裝置具備用以確認電子束的照射位置之光學顯微鏡110。
照射於試樣20之電子束的電流量，設定在10nA至100A。電子源10可使用LaB6陰極、中空陰極、鎢絲等。對電子源10施加0至-5000V的電壓，對試樣20施加0至-2000V的電壓。此外，著陸能量LE設定在0至5000eV。
此時，可移動承載台30來控制電子束的照射區域。電子束的照射位置可使用光學顯微鏡110來確認。此外，藉由組合承載台移動控制與波束消隱控制(波束量控制)，可控制電子束的照射區域。
此外，本實施形態中，電子源10配置在較承載台30更下側(垂直方向上的下側)，試樣20以進行表面處理之面朝下(垂直方向朝下)而設置在承載台30。因此，如第9圖所示，電子束從下側照射於試樣20。
即使藉由根據本實施形態之表面處理裝置，亦可照射電子束以進行試樣20的表面處理。此時，以進行表面處理之面朝下將試樣20設置在承載台30，並將電子束從下側照射於試樣20。藉此，可降低雜質或微粒等因重力而掉落並附著於進行表面處理之面。
在此，係使第1實施形態的構成上下顛倒，並將電子束從下側照射於試樣20而構成，但亦可使其他實施形態(第2至第5實施形態)的構成上下顛倒，並將電子束從下側照射於試樣20而構成。
(第7實施形態)
參考圖面，說明本發明的第7實施形態之表面處理裝置的構成。有關表面處理裝置的全體構成，與第2實施形態相同，故在此省略該說明。
第10圖係顯示本實施形態之表面處理裝置之主要部分的構成之圖。如第10圖所示，於表面處理裝置 的鏡筒內，具備：產生電子束之陰極等之電子源10、使電子束偏向之偏向器200、閘閥210、以及微粒捕集器220。此外，於表面處理裝置的主反應室內，具備：覆蓋承載台30之蓋體230(矩形光圈)、可於蓋體230與承載台之間進出而設置之平板240(波束調整器)、以及使承載台30升降之頂升裝置250。
此外，表面處理裝置中，設置有：2個渦輪泵(鏡筒用的渦輪泵260及主反應室用的渦輪泵270)、以及1個乾式泵280。再者，於主反應室與傳輸室之間，設置有運送試樣(樣本)時等所使用之運送用閘閥290。
此時，表面處理裝置之全體的動作控制，係藉由全體控制部300來進行，電子束之照射或偏向等的控制，藉由電子束控制部310來控制。此外，真空泵(渦輪泵260、270、乾式泵280)或頂升裝置250等的控制，藉由周邊控制部320來進行，閥的開閉控制(空氣壓控制)係藉由塊體歧管330來進行。
第11圖係顯示本實施形態之微粒捕集器220的構成之圖。如第11圖所示，微粒捕集器220是由基礎構件220A、以及設置在基礎構件220A上之吸附材220B所構成。吸附材220B例如由SiO2凝膠等所構成，具備可將在鏡筒內懸浮之微粒予以吸附之功能。藉由設置微粒捕集器220，可防止在鏡筒內懸浮之微粒掉落於承載台上之試樣(樣本)的表面。
微粒捕集器220係構成為可開閉(可進出)。 在此，微粒捕集器220被取出(配置於承載台上)之狀態稱為關閉微粒捕集器220之狀態，將微粒捕集器220被推入(從承載台上被撤出)之狀態稱為開啟微粒捕集器220之狀態。
第12圖係顯示本實施形態之表面處理裝置中，波束對某試樣(樣本)之照射結束後，運送下一試樣以進行電子束照射時之處理的流程之流程圖。如第12圖所示，首先對表面處理結束後之試樣停止電子束照射(S1)，並成為關閉微粒捕集器220之狀態(S2)。藉此可防止微粒掉落於試樣上。然後關閉閘閥210(S3)，並藉由頂升機構250使承載台下降(S4)。
然後，開啟運送用閘閥290(S5)，運送下一試樣(S6)，關閉運送用閘閥290(S7)。接著，啟動真空泵後(S8)，藉由頂升裝置250承載台上升(S9)。使承載台上升之處理，在試樣表面接觸於施加銷340(參考第16圖及第19圖)時結束。在試樣表面接觸於施加銷340之狀態下，試樣表面的電位成為GND。當完成真空排氣時，開啟閘閥210(S10)，開啟微粒捕集器220(S11)，開始對試樣進行電子束照射(S12)。
第13圖係顯示本實施形態之表面處理裝置中，真空排氣的處理流程之流程圖。如第13圖所示，進行真空排氣時，首先使乾式泵280動作(S20)。然後，關閉微粒捕集器220(S21)，關閉閘閥210(S22)，之後，開啟微粒捕集器220(S23)，啟動渦輪泵270(S24)。如此，藉由在啟 動渦輪泵270前開啟微粒捕集器220，可防止吸附於微粒捕集器220之微粒(受到真空排氣時之氣流等影響而從微粒捕集器220脫離)掉落至試樣上。
(第8實施形態)
參考圖面，說明本發明的第8實施形態之表面處理裝置的構成。有關表面處理裝置的全體構成，與第7實施形態相同，故在此省略該說明。
本實施形態之表面處理裝置中，藉由使電子束於XY方向(承載台平面上的二維方向)上偏向，以進行將電子束均一地照射於試樣表面之控制。第14圖及第15圖係使電子束於XY方向上偏向之控制之說明圖。具體而言，第14圖係顯示偏向後之電子束之座標(X座標及Y座標)的時間變化之圖，第15圖係顯示使電子束於XY方向上偏向之樣態之俯視圖(從電子束源側觀看試樣之俯視圖)。
第14圖及第15圖的例子中，從時間t0至t1，電子束首先往X座標增大之方向(X座標的正方向。第15圖中的右方向)偏向(X1、X2、X3、X4)，然後往X座標變小之方向(X座標的負方向。第15圖中的左方向)偏向(X4、X5、X6、X7)。此時，電子束的Y座標維持在一定的Y1。然後，當X座標成為X8(=X1)時，往Y座標增大之方向(Y座標的正方向。第15圖中的下方向)偏向，電子束的Y座標成為Y2。
同樣地，從時間t1至t2，電子束首先往X座標增大之方向(X座標的正方向。第15圖中的右方向)偏向(X1、X2、X3、X4)，然後往X座標變小之方向(X座標的負方向。第15圖中的左方向)偏向(X4、X5、X6、X7)。此時，電子束的Y座標維持在一定的Y2。然後，當X座標成為X8(=X1)時，往Y座標增大之方向(Y座標的正方向。第15圖中的下方向)偏向，電子束的Y座標成為Y3。
此外，從時間t2至t3，電子束首先往X座標增大之方向(X座標的正方向。第15圖中的右方向)偏向(X1、X2、X3、X4)，然後往X座標變小之方向(X座標的負方向。第15圖中的左方向)偏向(X4、X5、X6、X7)。此時，電子束的Y座標維持在一定的Y3。然後，當X座標成為X8(=X1)時，往Y座標增大之方向(Y座標的正方向。第15圖中的下方向)偏向，電子束的Y座標成為Y4。
然後，從時間t3至t4，電子束首先往X座標增大之方向(X座標的正方向。第15圖中的右方向)偏向(X1、X2、X3、X4)，然後往X座標變小之方向(X座標的負方向。第15圖中的左方向)偏向(X4、X5、X6、X7)。此時，電子束的Y座標維持在一定的Y4。然後，當X座標成為X8(=X1)時，此次，往Y座標變小之方向(Y座標的負方向。第15圖中的上方向)偏向，電子束的Y座標成為Y5。
同樣地，從時間t4至t5，電子束首先往X座標增大之方向(X座標的正方向。第15圖中的右方向)偏向(X1、X2、X3、X4)，然後往X座標變小之方向(X座標 的負方向。第15圖中的左方向)偏向(X4、X5、X6、X7)。此時，電子束的Y座標維持在一定的Y5。然後，當X座標成為X8(=X1)時，往Y座標變小之方向(Y座標的負方向。第15圖中的上方向)偏向，電子束的Y座標成為Y6。
此外，從時間t5至t6，電子束首先往X座標增大之方向(X座標的正方向。第15圖中的右方向)偏向(X1、X2、X3、X4)，然後往X座標變小之方向(X座標的負方向。第15圖中的左方向)偏向(X4、X5、X6、X7)。此時，電子束的Y座標維持在一定的Y6。然後，當X座標成為X8(=X1)時，往Y座標變小之方向(Y座標的負方向。第15圖中的上方向)偏向，電子束的Y座標成為Y7。
然後，從時間t6至t7，電子束首先往X座標增大之方向(X座標的正方向。第15圖中的右方向)偏向(X1、X2、X3、X4)，然後往X座標變小之方向(X座標的負方向。第15圖中的左方向)偏向(X4、X5、X6、X7)。此時，電子束的Y座標維持在一定的Y6。然後，當X座標成為X8(=X1)時，往Y座標變小之方向(Y座標的負方向。第15圖中的上方向)偏向，電子束的Y座標成為Y1。
如此一來，從時間t0至t7，係進行使電子束於XY方向上偏向之控制。此時，對於X座標及Y座標的各座標，以使往座標值增大之方向時之電子束的照射位置與往座標值變小之方向時之電子束的照射位置成為不同位置之方式，使電子束偏向。亦即，使電子束偏向並於XY方向上往返時，將電子束照射於去程(座標值增大時)與回 程(座標值變小時)為不同之位置。藉此，可將電子束均一地照射於試樣表面。
第14圖及第15圖的例子中，X座標的大小關係為「X1<X7<X2<X6<X3<X5<X4」，Y座標的大小關係為「Y1<Y7<Y2<Y6<Y3<Y5<Y4」。此外，第14圖及第15圖的例子中，時間t0至t4之電子束的照射位置以圓形標記圖示，時間t4至t7之電子束的照射位置以四方形標記圖示。此例中，電子束的照射位置(XY座標)為離散值，本發明之範圍並不限定於此。
(第9實施形態)
參考圖面，說明本發明的第9實施形態之表面處理裝置的構成。表面處理裝置的全體構成，與第7實施形態相同，故在此省略該說明。
第16圖係顯示本發明的第9實施形態之表面處理裝置之主要部分的構成之圖。如第16圖所示，該表面處理裝置具備吸收電極350。吸收電極350係用以測定到達至該電極之電子束量(被該電極所吸收之電子束量)作為電流值之電極。亦即，該表面處理裝置係以可測定被吸收電極350所吸收之電子束量之方式構成。又，該表面處理裝置亦可測定由平板240(波束調整器)所吸收之電子束量而構成。
第17圖係顯示本實施形態之平板240與蓋體230的構成之圖。如第17圖所示，平板240具備複數個 波束孔240A(小波束孔)，其中的1個波束孔240A，設置在平板240的中央。使用該波束孔240A，可進行偏向值的設定(偏向值表的製作)。此外，該平板240中，設置有不會遮蔽而讓全部波束通過之波束孔240B(大波束孔)。使用該波束孔240B，可測定全波束量。第17圖的例子中，係圖示有9個波束孔240A之情形，但本發明之範圍並不限定於此。波束孔240A的樹目可為9個以外(例如5個)。此外，亦可不設置波束孔240B。
如第17圖所示，蓋體230全體呈矩形，於中央設置有矩形的孔部。蓋體230可視為呈矩形的環狀。蓋體230的中央之孔部的大小，設定為較試樣(樣本)更小的尺寸。吸收電極350的大小與試樣的大小幾乎相同。因此，蓋體230的中央之孔部的大小，設定為較吸收電極350更小的尺寸(參考第16圖)。此外，蓋體230的中央之孔部的大小，設定為較平板240更小的尺寸(參考第16圖)。
本實施形態之表面處理裝置中，可進行偏向值的設定(偏向值表的製作)。第18圖係顯示該動作的流程之流程圖。該表面處理裝置中，首先如第16圖所示，使平板240往機械中心移動(S30)，接著使電子束的照射位置偏向，並調整至平板240的中央之波束孔240A的位置(S31)。從該狀態中，進行透鏡功率的調整與電子束的XY偏向，藉此取得通過平板240的中央之波束孔240A之電子束的分布(吸收電極350之吸收電流的分布)(S32)。此時，係以使吸收電流之分布的半值寬滿足既定目標值之條件之 方式，調整透鏡功率。然後調整電子束的XY偏向，並求取所有波束孔240A的偏向量(S33)。具體而言，對所有波束孔240A，求取吸收電極350的吸收電流成為最大值之偏向量(對應於波束孔240A的位置)。然後根據如此求取之電子束的偏向量(XY偏向量)與波束孔240A的位置(XY座標)，製作偏向值表(S34)。偏向值表中，電子束的偏向量(XY偏向量)與波束孔240A的位置(XY座標)相互對應。
此外，本實施形態之表面處理裝置中，可使用平板240的波束孔240B來測定全波束量。例如，藉由在使全波束通過平板240的波束孔240B之狀態下測定電子束的吸收電流(吸收電極350的吸收電流)，可測定全波束量。此外，於平板240未設置波束孔240B時，藉由在將全波束照射於平板240之狀態下測定平板240的吸收電流，可測定全波束量。
第19圖係顯示本實施形態之表面處理裝置之變形例的構成之圖。如第19圖所示，該變形例中，蓋體230之內周的緣部形成為錐形狀。錐形狀的角度較佳為60度以下，第19圖的例子中，設定在約45度。此外，該變形例中，亦可測定由蓋體230所吸收之電子束量(吸收電流)而構成。
該表面處理裝置中，可利用蓋體230的吸收電流來測定電子束的形狀。當長時間(例如1000小時以上)連續使用表面處理裝置時，由於種種因素，電子束的形狀亦可能產生變化。根據該表面處理裝置，由於可測定電子 束的形狀，所以可定期地管理電子束的形狀。
具體而言，如第20圖所示，使電子束往XY方向偏向，並測定蓋體230之內周的緣部之吸收電流量的變化。然後，例如測定蓋體230之吸收電流的電流值成為半值(最大值的一半)之偏向量(例如第20圖的A或B)，並判定該偏向量與基準值(偏向量的基準值)之偏離是否位於既定範圍內(例如5%以內)。若偏向量與基準值之偏離位於既定範圍內，則判定「無異常」，脫離既定範圍，則判定「異常」。
此外，例如可測定蓋體230之吸收電流的電流值從最大值至成為最小值之偏向量的幅度Δ(例如第20圖的ΔA或ΔB)，判定該幅度與基準值(偏向量之幅度的基準值)之偏離是否位於既定範圍內(例如±10%以內)。若偏向量與基準值之偏離位於既定範圍內，則判定「無異常」，脫離既定範圍，則判定「異常」。如此，可測定電子束的形狀並定期地管理電子束的形狀。
此外，本實施形態之表面處理裝置中，可拍攝平板240的二維掃描影像(電子影像)。第21圖係平板240之二維掃描影像(電子影像)的一例。如第21圖所示，平板240的二維掃描影像，可從平板240的吸收電流中取得，此外，亦可從吸收電極350的吸收電流取得。如此，藉由拍攝平板240的二維掃描影像(電子影像)，例如可藉由二維影像來掌握平板240之波束孔240A、B的位置或形狀。
再者，如第22圖所示，亦可從蓋體230的吸收電流取得蓋體230的二維掃描影像(電子影像)。此時可藉由二維影像來掌握蓋體230的位置或形狀。再者，藉由比較該蓋體230的二維掃描影像與上述平板240的二維掃描影像，可掌握蓋體230與平板240之XY方向上之偏離。
以上係藉由例示來說明本發明的實施形態，但本發明之範圍並不限定於此等，於申請專利範圍所記載之範圍內，可因應目的來進行變更及變形。
[產業上之可應用性]
如以上所述，本發明之表面處理裝置，具有可進行高速處理並可提升處理量之效果，可使用在膜或母材等之表面處理，為有益者。
10‧‧‧電子源
20‧‧‧試樣
30‧‧‧承載台
110‧‧‧光學顯微鏡
160‧‧‧主反應室

Claims (7)

  1. 一種表面處理裝置，其係照射電子束以進行照射對象的表面處理之表面處理裝置，且具備：產生前述電子束之電子源、控制前述電子束的波束形狀之透鏡系、及設置有被前述電子束照射之前述照射對象之承載台；並且，照射於前述照射對象之前述電子束的電流量係設定在10nA至100A；前述電子源配置在較前述承載台更下側，前述照射對象係使進行前述表面處理之面朝下而設置在前述承載台，前述電子束係從下側照射於前述照射對象。
  2. 一種表面處理裝置，其係照射電子束以進行照射對象的表面處理之表面處理裝置，且具備：產生前述電子束之複數個電子源、分別控制來自前述複數個電子源之電子束的波束形狀之複數個透鏡系、及設置有被前述電子束照射之前述照射對象之承載台；並且，照射於前述照射對象之前述電子束的電流量係設定在10nA至100A；前述電子源配置在較前述承載台更下側，前述照射對象係使進行前述表面處理之面朝下而 設置在前述承載台，前述電子束係從下側照射於前述照射對象。
  3. 一種表面處理裝置，其係照射電子束以進行照射對象的表面處理之表面處理裝置，且具備：產生既定波長的光之光源、藉由來自前述光源之光的照射而產生電子束之光電陰極、及設置有被前述電子束照射之前述照射對象之承載台；並且，照射於前述照射對象之前述電子束的電流量，設定在10nA至100A；前述電子源配置在較前述承載台更下側，前述照射對象係使進行前述表面處理之面朝下而設置在前述承載台，前述電子束係從下側照射於前述照射對象。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理裝置，其中前述照射對象的形狀為圓形，前述電子束之照射區域的形狀為扇形，前述表面處理裝置具備：以可將前述電子束照射於前述照射對象的全面之方式使前述承載台旋轉移動之承載台控制部。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理裝置，其中前述照射對象的形狀為矩形，前述電子束之照射區域的形狀為較前述照射對象 更小尺寸之矩形，前述表面處理裝置具備：以可將前述電子束照射於前述照射對象的全面之方式使前述承載台平移移動之承載台控制部。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理裝置，其具備以可將前述電子束照射於前述照射對象的全面之方式使前述承載台移動之承載台控制部。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理裝置，其具備以可將前述電子束照射於前述照射對象的全面之方式使前述電子束偏向之偏向器。
TW104120118A 2014-06-24 2015-06-23 表面處理裝置 TWI684202B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-128914 2014-06-24
JP2014128914 2014-06-24
JP2015018238A JP2016027604A (ja) 2014-06-24 2015-02-02 表面処理装置
JP2015-018238 2015-02-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201603116A TW201603116A (zh) 2016-01-16
TWI684202B true TWI684202B (zh) 2020-02-01

Family

ID=54870286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104120118A TWI684202B (zh) 2014-06-24 2015-06-23 表面處理裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9852878B2 (zh)
JP (1) JP2016027604A (zh)
KR (1) KR102170152B1 (zh)
TW (1) TWI684202B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6938165B2 (ja) * 2017-02-16 2021-09-22 株式会社荏原製作所 電子ビームの照射エリア調整方法および同調整システム
JP7299206B2 (ja) * 2017-02-16 2023-06-27 株式会社荏原製作所 電子ビームの照射エリア調整方法および同調整システム、電子ビームの照射領域補正方法、ならびに、電子ビーム照射装置
JP2018181403A (ja) * 2017-04-03 2018-11-15 株式会社荏原製作所 検査装置及び照射装置
JP7046621B2 (ja) * 2018-01-29 2022-04-04 株式会社荏原製作所 偏向感度算出方法および偏向感度算出システム
DE102019101155A1 (de) * 2019-01-17 2020-07-23 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Teilchenstrahlsystems, Teilchenstrahlsystem und Computerprogrammprodukt

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6207117B1 (en) * 1997-09-18 2001-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged particle beam apparatus and gas supply and exhaustion method employed in the apparatus
US20040232357A1 (en) * 2001-01-31 2004-11-25 Andres Fernadez Electron beam lithography system having improved electron gun
TW201324571A (zh) * 2011-10-03 2013-06-16 Param Corp 電子束描繪裝置及其描繪方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2146106B1 (zh) * 1971-07-16 1977-08-05 Thomson Csf
US3914608A (en) * 1973-12-19 1975-10-21 Westinghouse Electric Corp Rapid exposure of micropatterns with a scanning electron microscope
JPS596055B2 (ja) * 1979-07-21 1984-02-08 日本電信電話株式会社 電子ビ−ム露光装置
US4572956A (en) * 1982-08-31 1986-02-25 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Electron beam pattern transfer system having an autofocusing mechanism
JPS6161414A (ja) * 1984-09-03 1986-03-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> マルチ荷電ビ−ム露光装置
JPS622535A (ja) * 1985-06-28 1987-01-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電子ビ−ム露光装置
JPS62276826A (ja) * 1986-05-26 1987-12-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電子ビ−ム露光装置
JPH0547643A (ja) 1991-08-08 1993-02-26 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光装置及び露光方法
US20050236109A1 (en) * 1995-03-16 2005-10-27 Toshio Masuda Plasma etching apparatus and plasma etching method
US5932966A (en) * 1995-07-10 1999-08-03 Intevac, Inc. Electron sources utilizing patterned negative electron affinity photocathodes
JP2000252207A (ja) * 1998-08-19 2000-09-14 Ims Ionen Mikrofab Syst Gmbh 粒子線マルチビームリソグラフイー
US7049585B2 (en) * 2000-07-27 2006-05-23 Ebara Corporation Sheet beam-type testing apparatus
JP2002105628A (ja) * 2000-10-03 2002-04-10 Nissin Electric Co Ltd 真空アーク蒸着装置
US6724002B2 (en) * 2001-01-31 2004-04-20 Applied Materials, Inc. Multiple electron beam lithography system with multiple beam modulated laser illumination
JP3765988B2 (ja) * 2001-02-23 2006-04-12 株式会社日立製作所 電子線式外観検査装置
JP2002270499A (ja) 2001-03-06 2002-09-20 Pd Service:Kk 露光装置
JP2002334833A (ja) * 2001-03-09 2002-11-22 Toshiba Corp 荷電ビーム露光装置及び露光方法
US6762421B2 (en) * 2001-03-09 2004-07-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged particle beam exposure apparatus and exposure method
JP2003209149A (ja) * 2001-11-02 2003-07-25 Ebara Corp 検査装置を内蔵する半導体製造装置および該製造装置を用いるデバイス製造方法
US20050118414A1 (en) * 2002-06-19 2005-06-02 Nitto Denko Corporation Cleaning sheets, transfer member having cleaning function, and method of cleaning substrate-processing apparatus with these
JP2004095281A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Ebara Corp 電子線装置
US7161162B2 (en) * 2002-10-10 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Electron beam pattern generator with photocathode comprising low work function cesium halide
JP2005109344A (ja) * 2003-10-01 2005-04-21 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 荷電粒子線露光装置、及び半導体装置の製造方法
JP2006210459A (ja) * 2005-01-26 2006-08-10 Canon Inc 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法、およびデバイス製造方法
US8803110B2 (en) * 2006-09-29 2014-08-12 Axcelis Technologies, Inc. Methods for beam current modulation by ion source parameter modulation
US7521691B2 (en) * 2006-12-08 2009-04-21 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Magnetic monitoring of a Faraday cup for an ion implanter
GB2451480B (en) * 2007-07-31 2011-11-02 Vistec Lithography Ltd Pattern writing on a rotaing substrate
US8188451B1 (en) * 2008-09-24 2012-05-29 Kla-Tencor Corporation Electron generation and delivery system for contamination sensitive emitters
US20120223245A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 John Bennett Electron beam source system and method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6207117B1 (en) * 1997-09-18 2001-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged particle beam apparatus and gas supply and exhaustion method employed in the apparatus
US20040232357A1 (en) * 2001-01-31 2004-11-25 Andres Fernadez Electron beam lithography system having improved electron gun
TW201324571A (zh) * 2011-10-03 2013-06-16 Param Corp 電子束描繪裝置及其描繪方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150371813A1 (en) 2015-12-24
TW201603116A (zh) 2016-01-16
KR102170152B1 (ko) 2020-10-26
KR20160000431A (ko) 2016-01-04
JP2016027604A (ja) 2016-02-18
US9852878B2 (en) 2017-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI684202B (zh) 表面處理裝置
KR102088734B1 (ko) 검사 장치
US7598499B2 (en) Charged-particle exposure apparatus
JP5352144B2 (ja) 荷電粒子ビーム検査方法及び装置
JP2013171925A (ja) 荷電粒子線装置、それを用いた物品の製造方法
TWI767991B (zh) 用以在真空腔室中控制基板上之電荷的電荷控制設備、帶電粒子束裝置及控制基板上之電荷的方法
TWI484522B (zh) Charged particle - ray device
JP2012146731A (ja) 電子ビーム描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法
US11199480B2 (en) Thin-sample-piece fabricating device and thin-sample-piece fabricating method
KR101922004B1 (ko) 이온 비임 생성을 위한 혁신적인 소스 조립체
TWI764961B (zh) 電子束的照射範疇修正方法以及電子束照射裝置
WO2007086398A1 (ja) 試料表面検査装置及び検査方法
JP2016143651A (ja) 検査装置及び検査方法
JP6664223B2 (ja) 電子銃及びこれを備える検査装置
JP2009128007A (ja) 検査装置、検査方法及び記憶媒体
CN114302979B (zh) 处理装置和方法
JP2019009358A (ja) 基板保持装置及びその製造方法
JP2004095281A (ja) 電子線装置
JP2005109344A (ja) 荷電粒子線露光装置、及び半導体装置の製造方法
JP2009146884A (ja) 電子銃及び電子線装置
JP2003115274A (ja) 試料保持機と試料の保持方法、並びに、それを用いた半導体製造装置
JP2016012694A (ja) リソグラフィ装置、および物品製造方法
TW202101509A (zh) 在帶電粒子設備中獲得光學量測的設備
JP2012134205A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2015149449A (ja) 荷電粒子線描画装置、汚染物除去方法、及びデバイス製造方法