JP2002270499A

JP2002270499A - 露光装置

Info

Publication number: JP2002270499A
Application number: JP2001110617A
Authority: JP
Inventors: Norishige Hisatsugu; 徳重久継
Original assignee: PD SERVICE KK
Current assignee: PD SERVICE KK
Priority date: 2001-03-06
Filing date: 2001-03-06
Publication date: 2002-09-20

Abstract

(57)【要約】【課題】転写されるチップ面積全体を一括転写が行え
る大面積の荷電粒子を照射できる電子銃を用いて、電子
ビームの水平方向の走査や、偏向は行わない、複雑な偏
向器や、縮小投影用機構を用いない高精度で微細なパタ
ーンを一括転写できる高精度で低価格な露光装置を提供
する。【解決手段】大面積の荷電粒子が得られる電子銃３１
と、アノード３２と、照射ビームを遮蔽できるビームカ
ッテング用のアパーチャー３３と、照射ビームを遮蔽す
るため回転できるビームシャッター３４と、ビーム整形
用アパーチャー３５，３６と、電子ビーム収束用磁石３
７と、水平方向に稼働する照射ビーム制御用アバーチャ
ー３８と、ステンシル多層マスク７１と、転写されるウ
エハー４１と、ウエハー４１上のレジスト４２と、ウエ
ハー４１をＸ，Ｙ方向に水平移動できるＸ−Ｙステージ
３９と、真空排気装置８１とを設けることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、超ＬＳＩ等を製作する
工程における微細化転写に使用される４倍等に拡大され
たマクスを用いないで原寸パターン転写用マスクである
ステンシル多層マスクを用いて荷電粒子である電子ビー
ムやイオンビームでウエハに直接転写する露光装置に関
する。詳しくは、チップ面積全体を一括転写が行える大
面積の荷電粒子が得られる電子銃を用いて、電子ビーム
の水平方向の走査や、偏向は行わないため精密かつ、複
雑な偏向器や、縮小投影用機構を必要としない装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩパターンが微細化されるにつれ、
新しい露光技術が望まれ、薄いメンブレンマスクや薄い
ステンシルマスクを用いる露光法として、Ｘ線あるい
は、電子ビームやイオンビームが用いられている。微細
化のために用いられる薄いメンブレンを使用するマスク
は、露光時の加速電圧の加えかたによっては、また、シ
ンクロトロン放射光のような強力なＸ線の照射では、発
熱を生じ、生じてはならない変形と膨張とを発生させる
恐れがあるため露光システム中の露光光源制御装置は、
最も重点が置かれるひとつであり装置費用の多くを占め
ている。

【０００３】等倍マスク製作の技術的困難を懸念するた
めに、例えば、４倍等の拡大マスク（以下：レチクルと
称する）を用い露光ウエハ上には縮小投影する方法が、
ＩＢＭおよび提携されているニコンから発表されている
ＰＲＥＶＡＩＬ（ＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎＲｅｄｕｃｔ
ｉｏｎＥｘｐｏｓｕｒｅｗｉｔｈＶａｒｉａｂｌ
ｅＡｘｉｓＩｍｍｅｒｓｉｏｎＬｅｎｓｅｓの頭
文字を取る）がある。数ある文献の一例では、ＩＢＭの
文献として、ＰＲＥＶＡＩＬ−ＡｎＥ−ｂｅａｍＳ
ｔｅｐｐｅｒｗｉｔｈＶａｒｉａｂｌｅＡｘｉｓ
Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ．ＬｅｎｓｅｓＨ．Ｃ．Ｐｆｅ
ｉｆｆｅｒａｎｄＷ．Ｓｔｉｃｋｅｌ，Ｍｉｃｒｏ
ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ２７
（１９９５）ｐｐ．１４３−１４６がある。また、ＩＢ
Ｍ／ニコンの文献として、Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎｒｅ
ｄｕｃｔｉｏｎｅｘｐｏｓｕｒｅｗｉｔｈｖａｒ
ｉａｂｌｅａｘｉｓｉｍｍｅｒｓｉｏｎｌｅｎｓ
ｅｓ：Ｎｅｘｔｇｅｎｅｒａｔｉｏｎｌｉｔｈｏｇ
ｒａｐｈｙ，Ｈ．Ｃ．Ｐｆｅｉｆｆｅｒｅｔａ
ｌ．，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１７
（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ１９９９．等がある。

【０００４】また、前記記載のＪ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔ
ｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１７（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ１９９
９．の文献に掲載されているＰＲＥＶＡＩＬ：ＩＢＭ’
ｓｅ−ｂｅａｍｔｅｃｈｏｌｇｙｆｏｒＮｅｘ
ｔＧｅｎｅｒａｔｉｏｎＬｉｔｈｏｇｒｐｈｙ．Ｆｉ
ｇｕｒｅ１３（以下：図４に示す）に示されている電子
線描画装置では、描画部における電子線を走査する電子
カラム部における操作電圧は高加速電圧７５ｋＶであ
る。図４は、Ｆｉｇｕｒｅ１３の電子カラム部の斜視断
面図を示している。図４の９１，９２とは可変成形アパ
ーチャ、９３，９４とはビーム偏向ヨーク９５はイルミ
ネーターレンズ、９６は水平面レチクル、９７はコリメ
ータ、９８はコントラストアパーチャ、９９は投影用レ
ンズ、４３は水平面ウエハー等から構成されている。露
光装置全体は、複雑且つ精密な装置である。

【０００５】図６は、電子ビームを用いた一般的な露光
装置の概念図を示している。露光用基板６１に塗布した
電子線に感度をもつ露光用感光レジスト６２に、制御し
た電子ビームを走査して、設けられたステンシルマスク
５２の従来型のパターン転写が行われる露光装置であ
る。微細化されたパターンを有するステンシルマスク５
２は、電子ビームによって、熱せられ正確なパターンを
保持できなくなる恐れがある。正確なパターンを保持す
るために、例えば、加速電圧として２ｋＶ程度の低加速
電圧が必要とされるが、その場合でもステンシルマスク
５２に熱が発生することは避けられない。

【０００６】また、厚いレジストに微細なパターンを転
写するには、加速電圧として例えば５ｋＶとかの高加速
電子ビームを使用したいが、パターン転写用マスクが熱
による膨張や変形によって転写パターンの寸法が変化し
たり、パターンの位置ずれが生じて使用できなくなるた
め、照射電子ビームを制御したり、電子ビームを試料へ
の照射直前で、減速したりする制御装置によってパター
ン転写用マスクであるステンシルマスク５２に負担が掛
からぬよう制御されている。

【０００７】形成目的とするパターン５３が微細になれ
ば、ステンシルマスクの厚みも薄くなければ、ステンシ
ルマスク自体の形成が困難となる。例えば、ステンシル
マスクの厚みと、パターン幅の比（アスペクト比と称す
る）ａ／ｂは、ここで、ステンシルマスクの厚みを
「ａ」として、パターン幅を「ｂ」とする。良好なマス
ク形成には、アスペクト比ａ／ｂは、１０以下が望まれ
る。ｂ＝０．２μｍでは、ａ＝２μｍが許容されるが、
ｂ＝０．０５μｍ（５０ｎｍ）では、ａ＝０．５μｍと
なる。これでは、一層熱負荷が重くなりパターン寸法変
化や、パターン位置歪みが大きくなる。微細化に向かっ
ては、一層ステンシルマスクの熱問題は、増大される。

【０００８】図５に示すように、従来の荷電粒子（電
子、イオン）用ステンシルマスクの断面図である。単結
晶シリコン基板に直接パターンを形成して用いる例もあ
る。荷電粒子（電子、イオン）用ステンシルマスク５２
では、ガラスあるいは、ＳｉＣ，金属等からなるフレー
ム２０と、フレーム２０に固着させるシリコン基板１１
と、Ｓｉ，ＳｉＣまたはダイアモンドにパターンが設け
られるステンシルマスク１４とで構成されている。

【０００９】ＩＢＭのＰＲＥＶＡＩＬ露光装置のように
描画力式の技術の先端にある装置であるほど、電子ビー
ムを制御するため、描画制御部と、コンピュータ制御部
と、データ入力部とで構成される露光装置は、描画制御
部を中心に、電子線を加速する高圧電源と、電子ビーム
を偏向する偏向器の膨大な制御装置が設けられている。
膨大な制御装置を支えるコンピュータ制御部は、描画デ
ータの書き込みと保管、精度管理や、描画手順の制御等
を行うワークステーションとソフトウエアで構成されて
いるので露光装置システムとしての価格は大変に高価で
ある。

【００１０】また、生じてはならない変形と膨張とを発
生させない対策として、露光の際に、薄いメンブレンマ
スクあるいは、ステンシルマスクを通過するときのみ電
子の速度を低下させ、通過すると電子の速度を制御させ
る制御機構を有した露光装置等が特開平５−２１１１１
３や特開平９−２７８８４等で公開されている。正確な
動作で、加速電圧を下げたり、上げたりするため、露光
装置の制御機構は、複雑で大型化の傾向にある。当然露
光装置の価格も飛躍的にアップされることになる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従来の露光装置におい
ては、４倍等の拡大マスクを用い露光ウエハ上には縮小
投影する方法が用いられる。薄いメンブレンマスクある
いは、薄いステンシルマスクを通過するときのみ電子の
速度を低下させ、通過すると電子の速度を制御させて、
正確な制御で、加速電圧を下げたり、上げたりしてマス
クの変形と膨張とを発生させない精密で、複雑な装置で
ある。このため露光装置の制御機構は、複雑で大型化の
傾向にあり、当然露光装置の価格も飛躍的にアップされ
る以上のような欠点がある。

【００１２】本発明は以上のような従来の欠点に鑑み、
転写されるチップ面積全体を一括転写が行える大面積の
荷電粒子が得られる電子銃を用いて、照射量の制御を、
照射ビーム制御用アパーチャーを水平方向に移動させる
こと、アパーチャー開口部の大きさと移動スピードで制
御することで、電子ビームの水平方向の走査や、偏向を
不要とするので精密で、複雑な偏向器や、縮小投影用機
構を用いない、また、ステンシル多層マスクを用いて、
照射エネルギーによる不要な熱の変形を防ぎ、高精度
で、低価格な転写の露光装置を提供することを目的とし
ている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項１記載の露光装置であって、転写されるレジスト
４２を塗布されたウエハー４１を固定するＸ−Ｙステー
ジ部３９と、全体の真空排気をする真空排気装置８１と
を設けられた露光装置において、ウエハー４１を転写で
きる荷電粒子（荷電粒子：電子ビームや、イオンビー
ム）を制御して照射できる電子カラム部４と、転写用マ
スクであるステンシル多層マスク７１を装着できる試料
室５とを設ける構成である。

【００１４】また、請求項２記載の発明では、請求項１
記載の露光装置であって、露光光源６は、チップ面積全
体を一括転写できる大面積で電子ビーム３あるいはイオ
ンビームを照射できる１個以上の電子銃３１とまたは、
マイクロチップによる電界放射型電子源２９とを設けら
れる構成である。

【００１５】また、請求項３記載の発明では、請求項１
と２記載の露光装置であって、電子カラム部４は、露光
光源６から大面積で照射される電子ビーム３の速度を調
整でできるように設けられたアノード３２と、アノード
３２の加速電圧を調整する高電圧調整機能１０１を設け
られた高圧電源１０２と、照射ビームのカッテングと、
電子ビーム３を微調整制御のできるように設けられたア
パーチャー３３と、照射ビームのシャッターとなる回転
もできるように設けられた照射ビームシャッター３４
と、照射ビーム整形と、並びに、電子ビーム３を微調整
制御のできるよう設けられたアパーチャー３５，３６
と、アパーチャー３３，３５，３６の加速電圧を微調整
できるように設けられた照射微調整器１００と、照射さ
れる電子ビーム３の広がりや偏りを防止して均一な電子
ビームを形成させるように設けられた１個以上の電子ビ
ーム収束用磁石３７と、水平方向に稼働して照射される
電子ビーム３を制御するように設けられた水平制御用ア
パーチャー３８とを設ける構成である。

【００１６】また、請求項４記載の発明では、請求項
１，２，３記載の露光装置であって、転写されるレジス
ト４２が塗布されたウエハー４１と、転写されるウイハ
ー４１を固定できるＸ−Ｙステージ部３９とを設られた
試料室５において、チップ面積全体を一括転写できる転
写用マスクであるステンシル多層マスク７１を装着でき
るように設けられる試料室５とを設ける構成である。

【００１７】また、請求項５記載の発明では、請求項
１，２，３，４記載の露光装置であって、１個以上の電
子銃３１とまたは、マイクロチップによる電界放射型電
子源２９とを設けられた露光光源６は、アノード３２と
連動して、電子ビーム３あるいは、イオンビームの照射
出力を選別できるように設けられた照射出力調整器１０
０とを設ける構成である。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。

【００１９】図１は、転写用の露光装置の構成を概略的
に示す図である。転写されるレジスト４２を塗布された
ウエハー４１を固定するＸ−Ｙステージ部３９と、全体
の真空排気をする真空排気装置８１とを設けられた露光
装置１において、レジスト４２を塗布されたウエハー４
１を転写できる荷電粒子（荷電粒子：電子ビームや、イ
オンビーム）を制御して照射できる電子カラム部４と、
転写用マスクであるステンシ多層マスク７１を装着でき
る試料室５とを設ける構成である。

【００２０】従来の描画方式では、描画制御部とコンピ
ュータ制御部と、データ入力部とで構成され、描画制御
部は、中心であって、電子線を加速する高圧電源と，電
子線ビームを偏向する偏向器の膨大な制御装置が必要で
あった。また、コンピュータ制御部は、描画データの書
き込みと保管、精度管囲や、描画手順の制御等を行うワ
ークステーションとソフトウエアで構成されているが、
転写方式である本発明は、描画制御部とコンピュータ制
御部と、データ入力部とは、不要となる。このため装置
価格は格段に低価格となる。

【００２１】露光光源６は、熱電子源の電子銃３１他、
マイクロチップによる電界放射型電子源２９も効果的に
用いられる（露光光源６は図示せず）。熱電子源とし
て、等倍露光方式であるため、均一な大面積で直射する
荷電粒子である電子ビーム３や、イオンビームを得るこ
とが必要である。また、熱電子源となる電子銃３１のカ
ソードは、金属タングステンや、酸化物陰極が用いられ
る。均一な大面積で直射する荷電粒子は、レジスト４２
を塗布された転写するウエハー４１によって加速電圧の
調整が必要であるため、露光光源として、１個以上の電
子銃３１および光源用のマルチチップが設けられ、加速
電圧として、５ｋＶ〜７０ｋＶを自在に調整できる高電
圧調整機能１０１を設けられた高圧電源１０２が設けら
れる。高電圧調整機能１０１を設けられた高圧電源１０
２は、アノード３２と連携して自動あるいは手動で照射
出力を選択して照射できる。従来から問題となる電子レ
ンズ収差の影響等を考慮する必要はない。

【００２２】また、露光光源６は、電子ビーム３や、イ
オンビームの照射出力を選択できるように照射出力調整
器１００を設ける。照射出力調整器１００は、アノード
３２と電気的な接続が施されている。照射出力の選択
は、例えば、出力に応じて、電子銃３１を、５ｋＶ，１
０ｋＶ，２０ｋＶ，３０ｋＶ，４０ｋＶ，５０ｋＶ，６
０ｋＶ，７０ｋＶと準備して、希望される照射出力に応
じて、予め電子銃３１は自動あるいは、手動でアノード
３２との間の印加電圧を選択するものである。また、一
個の電子銃３１のカソードを、照射出力に対応できるよ
うに、直列または並列接続して、必要な照射出力を得ら
れるように設けるのもよい。

【００２３】図３は、マイクロチップによる電界放射型
電子源の概略図である。マイクロチップによる電界放射
型電子源２９は、大面積の荷電粒子を得るため設けら
れ、カソード（Ｓｉ）７の先端部が先鋭な構造となるマ
イクロチップ１０と、マイクロチップ１０を取り巻き囲
む（図３のＢは、取り巻き囲む状態を示す図である）ア
ノード（Ｓｉ）９とを保持する絶縁層８と（図３のＡ
は、マイクロプによる電界放射型電子源の断面図を示す
図である）で構成されている。アノード９に正の電圧を
印加することにより、先鋭な構造であるマイクロチップ
１０に高い電界が集中し電界効果によりマイクロチップ
１０の先税な先端部より電子が放出される。図示してい
ないが、該マイクロチップ１０より電子が放出されると
前面に設けられた金属からなるメッシュ電極等に、マイ
クロチップ１０より放出される一次電子がメッシュ電極
に衝突して、メッシュ電極より一次電子以上の二次電子
が放出される。その先に設けられている電子カラム部４
のアノード３６では更に高圧の電圧が加えられ加速され
る。あるいは、減速され、自在に制御される構成であ
る。

【００２４】電子カラム部４は、荷電粒子の電子ビーム
３を用いて説明する。該電子カラム部４は、大面積の荷
電粒子が得られる電子銃３１からの電子ビーム３を、大
面積で直射してレジスト４２を塗布された転写するウエ
ハー４１へ照射すればよいので電子ビーム３の制御機構
は簡単な構成となる。それは、電子ビーム３に加速電圧
を加えるアノード３２は、アノード３２の加速電圧を調
整できるように高電圧調整機能１０１を設けられた高圧
電源１０２を設ける。照射ビームのカッテングと並び
に、電子ビーム３を制御して微調整できるように設けら
れたビームカッテング用のアパーチャー３３と、照射ビ
ームのシャッターとなる回転もできるように設けれたビ
ームシャッター３４と、照射ビームの整形と並びに、電
子ビーム３を制御して微調整できるように設けられた整
形用のアパーチャー３５，３６と、各アパーチャー３
３，３５，３６は、電子ビーム３を微調整できるように
設けられた照射微調整器１００と、照射される電子ビー
ムの偏りを防止して、均一な電子ビーム３を形成できる
ように電子ビーム収束用磁石３７が設けられる。水平方
向に稼働して照射ビームを制御できるように設られた水
平制御用アパーチャー３８が設けられる構成である。

【００２５】試料室５は、ステンシル多層マスク７１を
装着して、転写されるレジスト４２が塗布されたウエハ
ー４１を固定するＸ−Ｙステージ部３９とを設けられる
構成である。

【００２６】電子銃３１内の電子源はマイナスの電圧が
印加されている。印加電圧が高いと電子の速度が早くな
り、外部磁場の影響と、電子同志の反発であるクーロン
効果を受けずらくなる。その結果、加速電圧の高い方
が、ビームの位置精度や投影面での形状が優れる。加速
電圧が高いと、マスクが熱により変形する恐れがあるが
ステンシル多層マスク７１は、その対策が施され何ら問
題を発生させることはない。ステンシル多層マスクにつ
いては、平成１３年２月８日に出願済である。

【００２７】図２は、ステンシル多層マスクをの断面図
を示す。試料室５に装着されるステンシル多層マスク７
１は、装着用のフレーム５１によって装着される。荷電
粒子を照射される側か順に、シリコン単結晶層（Ｓｉ）
２１に設けられたパターン開口部６４と、パターン形成
用ステンシルと同一のスステンシル用のパターン５３設
けられたシリコン単結晶層２１と、シリコン単結晶層２
２と、ダイモンド層２８と、シリコン単結晶層２６と、
シリコン単結晶層２３と、シリコン単結晶層２４と、各
層間に設けられたシリコン酸仕膜層２５，２６，２７に
は、空隙６３が設けられているステンシル多層マスクの
構成である。

【００２８】パターン形成に不要な照射エネルギーの熱
吸収を行う熱吸収用ステンシル部として、シリコン単結
晶層２２と、ダイアモンド層２８と、シリコン単結晶層
２３とが作用をする。また、各層間に設けられた空隙６
３によって、高加速電圧であってもパターン形成に不要
な照射エネルギーは、熱吸収用ステンシル部に吸収さ
れ、微細化パターン転写用マスクであるシリコン単結晶
層２４のパターン形成用ステンシルにはパターン寸法の
変化や、パターン配置の歪み等は発生しない。

【００２９】また、ステンシル多層マスク７１の帯電防
止の手段として、各層間に電気的接続４４が施されるた
め、露光中の露光用荷電粒子や、露光材料からの反射電
子による帯電が生じることはなく、直射する荷電粒子の
軌道が曲げられることはないので、微細化パターン転用
マスクであるパターン形成用ステンシルとして正確に転
写できる。

【００３０】

【発明の効果】転写されるチップ面積全体を一括転写が
行える大面積の荷電粒子が得られる電子銃を用いて、照
射量の制御は、照射ビーム制御用アパーチャーを水平方
向に移動させること、アパーチャー開口部の大きさと、
移動スピードで制御することで電子ビームの水平方向の
走査や、偏向は行わないため、従来用いられている精密
て、複雑な偏向器や、縮小投影機構を必要としない。ま
た、ステンシル多層マスクを用いるので、転写部のマス
クは、照射エネルギーによる熱の影響を受けることはな
い。高精度で、低価格な露光装置を提供するとができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる露光装置の構成概略的に示す図
である。

【図２】図１に係わるステンシル多層マスクの断面図で
ある。

【図３】図１に係わるマイクロチップによる電界放射型
電子源の概略図である。

【図４】従来の露光装置における電子カラム部の斜視断
面図である。

【図５】従来のステンシルマスクの断面図である。

【図６】従来の露光装置を示した概念図である。

【符号の説明】

１露光装置２転写部３電子ビーム４電子カラム部５試料室６露光光源７カソード８絶縁層９アノード１０マイクロチップ２１シリコン単結晶層２２シリコン単結晶層２３シリコン単結晶層２４シリコン単結晶層２５シリコン酸化膜層２６シリコン酸化膜層２７シリコン酸化膜層２８ダイアモンド層２９マイクロチップによる電界放射型電子源３１電子銃３２アノード３３アパーチャー３４照射ビームシャッター３５アパーチャー３６アパーチャー３７電子ビーム収束用磁石３８照射ビーム水平制御用アパーチャー３９Ｘ−Ｙステージ部４１ウエハー４２レジスト４４電気的接続５１フレーム５３パターン６３空隙６４パターン開口部７１ステンシル多層マスク８１真空排気装置１００照射微調整器１０１高電圧調整機能１０２高圧電源

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】転写されるレジスト（４２）を塗布され
たウエハー（４１）を固定するＸ−Ｙステージ部（３
９）と、全体の真空排気をする真空排気装置（８１）と
を設けられた露光装置において、ウエハー（４１）を転
写できる荷電粒子を照射する露光光源（６）と、チップ
面積全体を一括転写する転写部（２）は、荷電粒子を制
御して照射できる電子カラム部（４）と、転写用マスク
であるステンシル多層マスク（７１）を装着できる試料
室（５）とを設ける構成であることを特徴とする露光装
置。
【請求項２】露光装置であって、露光光源（６）は、
チップ面積全体を一括転写できる大面積で電子ビーム
（３）あるいはイオンビームを照射できる１個以上の電
子銃（３１）と、またはマイクロチップによる電界放射
型電子源（２９）とを設ける構成であることを特徴とす
る請求項１記載の露光装置。
【請求項３】露光装置であって、電子カラム部（４）
は、露光光源（６）から大面積で照射される電子ビーム
（３）の速度を調整できるように設けられたアノード
（３２）と、アノード（３２）の加速電圧を調整する高
電圧調整機能（１０１）を設けられた高圧電源（１０
２）と、照射ビームのカッテングと、電子ビーム（３）
を微調整制御のできるように設けられたアパーチャー
（３３）と、照射ビームのシャッターとなる回転もでき
るように設けられた照射ビームシャッター（３４）と、
照射ビーム整形と、電子ビーム（３）を微調整制御ので
きるよに設けられたアパーチャー（３５，３６）と、ア
パーチャー（３３，３５，３６）の加速電圧を微調整制
御のできるように設けられた照射微調整器（１００）
と、照射される電子ビーム（３）の広がりや偏りを防止
して均一な電子ビームを形成させるように設けられた１
個以上の電子ビーム収束用磁石（３７）と、水平方向に
稼働して照射される電子ビーム（３）を制御するように
設けられた水平制御用アパーチャー（３８）とを設ける
構成であることを特徴とする請求項１と２記載の露光装
置。
【請求項４】露光装置であって、転写されるレジスト
（４２）が塗布されたウエハー（４１）と、転写される
ウエハー（４１）を固定できるＸ−Ｙステージ部（３
９）とを設られた試料室（５）において、チップ面積全
体を一括転写できる転写用マスクであるステンシル多層
マスク（７１）を装着できるように設けられた試料室
（５）とを設ける構成であることを特徴とする請求項
１，２，３記載の露光装置。
【請求項５】露光装置であって、１個以上の電子銃
（３１）とまたは、マイクロチップによる電界放射型電
子源（２９）とを設けられた露光光源（６）は、アノー
ド（３２）と連動して、電子ビーム（３）あるいは、イ
オンビームの照射出力を選択できるように設けられた照
射出力調整器（１００）とを設ける構成であることを特
徴とする請求項１，２，３，４記載の露光装置。