TWI681944B - 作爲用於導電聚合物的黏合底漆的單官能胺 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種製造電解電容器之方法，該方法包含方法步驟i)、ii)：i)提供電容器主體(1)，其包含- 由電極材料構成的電極體(2)，- 介電質(3)，其至少部分覆蓋該電極材料之表面，及- 固體電解質(4)，其至少包含至少部分覆蓋該介電質表面之導電物質；ii)將底漆溶液e)塗覆於該電容器主體(1)，隨後塗覆包含共軛聚合物b)及溶劑或分散劑d)之溶液或分散液a)，隨後至少部分移除該溶劑或分散劑d)以形成在該電容器主體(1)上形成之聚合物外層(5)；其中該底漆溶液e)包含至少一種單官能胺及至少一種羧酸。

Description

作為用於導電聚合物的黏合底漆的單官能胺

本發明係關於一種製造具有低等效串聯電阻、低剩餘電流及高熱穩定性之電解電容器之方法，該等電解電容器由固體電解質及包含共軛聚合物之外層組成，係關於藉由該方法製造之電解電容器且係關於該等電解電容器之用途。

習知固體電解電容器一般由多孔金屬電極、存在於金屬表面上之氧化層、引入至多孔結構中之導電固體、外電極(接觸連接頭)(例如銀層)及其他電觸點及封裝組成。

固體電解電容器之實例為具有電荷轉移複合物或二氧化錳或聚合物固體電解質之鉭、鋁、鈮及氧化鈮電容器。使用多孔主體之優勢在於由於高表面積，故可獲得極高電容密度，亦即在小空間中具有高電容。

由於其高電導率，尤其適合之固體電解質為共軛聚合物。共軛聚合物亦稱為導電聚合物或稱為合成金屬。其經濟上的重要性日益增加，因為就可加工性、重量及藉由化學改質控制之特性調節而言，聚合物比金屬有優勢。已知共軛聚合物之實例為聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔、聚苯及聚(對伸苯基伸乙烯基)，尤其重要且工業上利用之聚噻吩為聚 -3,4-(伸乙基-1,2-二氧基)噻吩，通常亦稱為聚(3,4-伸乙基-二氧噻吩)，因為其在氧化形式下具有極高傳導率及高熱穩定性。

電子技術之實際發展日益需要具有極低等效串聯電阻(equivalent series resistances，ESR)之固體電解電容器。究其原因為例如積體電路中邏輯電壓下降、積體密度較高及時鐘頻率升高。此外，低ESR亦會降低功率消耗，此情況對於可移動電動應用尤其有利。因此，需要儘可能降低固體電解電容器之ESR。

歐洲專利EP-B-340 512描述自3,4-伸乙基-1,2-二氧噻吩產生固體電解質及藉由氧化聚合製備之其陽離子聚合物在電解電容器中作為固體電解質之用途。在固體電解電容器中作為二氧化錳或電荷轉移複合物之替代的聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)會降低電容器之等效串聯電阻且由於較高電導率而改良頻率特性。

除低ESR以外，新式固體電解電容器需要低剩餘電流且對外部機械及熱應力具有良好穩定性。尤其在生產過程中，電容器陽極之封裝涉及高機械應力，其可大大增加電容器陽極之剩餘電流。當焊接上電容器時，使用約260℃之高焊接溫度，該等電容器需要良好熱穩定性。電容器在操作溫度高之環境中，例如在汽車領域中之操作亦需要高熱穩定性。

對所述應力具有穩定性且因此剩餘電流低可尤其藉由電容器陽極上之由厚度約5-50μm之導電聚合物構成之外層來實現。此類層充當電容器陽極與陰極側接觸連接頭之間的機械緩衝區。此層防止例如銀層(接觸連接頭)與介電質直接接觸或在施加機械應力之情況下損害其，因此增加了電容器之剩餘電流。導電聚合物外層本身應具有所謂自愈特性： 儘管緩衝區發揮作用但仍出現之外部陽極表面上之介電質中之較小缺陷藉助於在缺陷位置藉由電流破壞之外層之傳導性而電絕緣。導電聚合物外層必須尤其覆蓋電容器主體之邊緣及轉角，因為其上機械應力最高。

藉助於原位聚合反應形成厚聚合物外層極為困難。層形成需要許多塗佈循環。由於大量塗佈循環，外層變得極不均勻；尤其電容器陽極之邊緣通常覆蓋不充分。日本專利申請案JP-A 2003-188052陳述均勻邊緣覆蓋度需要對過程參數進行複雜的權衡。然而，由此使生產過程極易發生故障。另外，原位聚合之層一般必須藉由沖洗去除剩餘鹽，由此導致聚合物層中出現孔洞。

具有良好邊緣覆蓋度之不透水導電外層可藉由電化學聚合實現。然而，電化學聚合需要首先將導電膜沈積於電容器陽極之絕緣氧化層上，接著使各個別電容器之此層電接觸。此接觸連接頭極昂貴且不適於大批量生產，且可損害氧化層。

在歐洲專利申請案EP-A-1 524 678中，聚合物外層藉由塗覆包含導電聚合物粒子及黏合劑之分散液獲得。利用此等方法，可相對容易地獲得聚合物外層。然而，在此方法中，邊緣覆蓋度並非始終可靠且可再現的。另外，在高溫下在長期應力下聚合物外層之熱穩定性不足。

歐洲專利申請案EP-A-1 746 613藉助於添加至分散液中的直徑在0.7μm至20μm範圍內之固體粒子改良了EP-A-1 524 678之方法。由此顯著改良邊緣及拐角覆蓋度。然而，固體粒子之添加使聚合物外部膜具有脆性，由此可使外層局部剝落且因此使剩餘電流及ESR增加。

WO-A-2012/112676揭示製備固體電解質電容器之方法，其 包含將覆蓋度增強催化劑塗覆於固體電解質層上，隨後塗覆基於導電聚合物之聚合物外層。該等增強催化劑為化合物，諸如甘胺酸、丙胺酸或離胺酸；包含R-SO₃ ^--陰離子及RNH₃ ⁺-陽離子之磺酸銨，諸如甲苯磺酸銨；或三級胺之鹽，諸如C₁₆H₃₃N(CH₃)₃ ⁺Br^-。然而，WO-A-2012/112676中所揭示之增強催化劑之缺點在於，具有聚合物外層之固體電解質層之表面覆蓋度仍不夠。

因此，仍需要改良WO-A-2012/112676中所描述之製造固體電解電容器之方法，以便使具有聚合物外層之固體電解質層可實現較佳表面覆蓋度。

因此，本發明之目標為由此改良此類方法及電容器。

藉由一種製造電解電容器之方法努力解決此等目標，該方法包含方法步驟i)及ii)：i)提供電容器主體，其包含- 由電極材料構成之電極體，- 介電質，其至少部分覆蓋該電極材料之表面，及- 固體電解質，其至少包含至少部分覆蓋該介電質表面之導電物質；ii)將底漆溶液e)塗覆於該電容器主體，較佳塗覆於該固體電解質之表面，隨後塗覆包含共軛聚合物b)及溶劑或分散劑d)之溶液或分散液a)，隨後至少部分移除該溶劑或分散劑d)以形成在該電容器主體上，較佳該固體電解質上形成之聚合物外層； 其中該底漆溶液e)包含至少一種單官能胺及至少一種羧酸。

出人意料地，已發現當使用包含至少一種單官能胺及至少一種羧酸之底漆溶液時，與先前技術中所用之底漆化合物相比，具有聚合物外層之電容器主體、尤其固體電解質之表面的覆蓋度可得以改良。

下文給出之清單用以以舉例之方式說明本發明且不應視為排他性的。

在由本發明方法製造之電解電容器中，電極材料較佳形成具有高表面積之多孔體，且例如以多孔燒結主體或粗糙膜之形式存在。此主體在下文中亦簡稱為電極體。

覆蓋有介電質之電極體在下文中亦簡稱為經氧化電極體。術語「經氧化電極體(oxidized electrode body)」亦包括彼等覆蓋有介電質之電極體，該介電質並非藉由電極體之氧化產生。

覆蓋有介電質且完全或部分覆蓋有固體電解質之電極體在下文中亦簡稱為電容器主體。

應瞭解電容器主體之外表面意謂電容器主體之外端面。

藉由本發明方法由溶液或分散液a)產生之導電層在本文中稱為聚合物外層。

在本發明方法之方法步驟i)中，電容器主體之其限制條件為包含：由電極材料構成之電極體；介電質，其至少部分覆蓋此電極材料之表面；及固體電解質，其至少包含至少部分覆蓋介電質表面之導電物質。

電極材料較佳為閥金屬或具有與閥金屬相當之電學特性之化合物。在本發明之上下文中，應瞭解，閥金屬意謂氧化層不能夠實現在 兩個方向上均等之電流流動之彼等金屬：在陽極電壓之情況下，閥金屬之氧化層阻斷電流，然而陰極電壓會產生可破壞氧化層之大電流。閥金屬包括Be、Mg、Al、Ge、Si、Sn、Sb、Bi、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta及W，以及此等金屬中之至少一者與其他元素之合金或化合物。閥金屬之最著名代表為Al、Ta及Nb。具有與閥金屬相當之電學特性之化合物為具有金屬傳導性之彼等化合物，其可氧化且其氧化物層具有上述特性。舉例而言，NbO具有金屬傳導性，但一般不視為閥金屬。然而，經氧化之NbO層具有閥金屬氧化物層之典型特性，因此NbO或NbO與其他元素之合金或化合物為具有與閥金屬相當之電學特性之此類化合物的典型實例。

較佳為由鉭、鋁構成之電極材料及基於鈮或氧化鈮之彼等電 極材料。應瞭解，基於鈮或氧化鈮之電極材料意謂鈮或氧化鈮構成最大定量比例之組分的彼等材料。基於鈮或氧化鈮之電極材料較佳為鈮、NbO、氧化鈮NbO_x(其中x可假定為0.8至1.2之值)、氮化鈮、氮氧化鈮或此等材料之混合物或此等材料中之至少一者與其他元素之合金或化合物。較佳合金為與至少一種閥金屬(例如Be、Mg、Al、Ge、Si、Sn、Sb、Bi、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta或W)之合金。因此，術語「可氧化金屬」不僅意謂金屬，且意謂金屬與其他元素之合金或化合物，其限制條件為其具有金屬傳導性並且可氧化。可氧化金屬例如以粉末形式燒結成多孔電極體，或賦予金屬主體多孔結構。後者可例如藉由對薄膜進行蝕刻來進行。

對於形成電介質層，例如在適合電解質(例如磷酸)中藉由 施加電壓氧化多孔電極體。此形成電壓之值取決於待獲得之氧化層厚度及/或電容器之後續施加電壓。較佳形成電壓為1至800V，更佳為1至300V。

為產生電極體，使用較佳荷質比為100至1 000 000μC/g，更佳荷質比為500至500 000μC/g，甚至更佳荷質比為1000至300 000μC/g，尤其較佳荷質比為1500至200 000μC/g之金屬粉末。金屬粉末之荷質比如下計算：金屬粉末之荷質比=(電容×陽極化電壓)/經氧化電極體之重量。

該電容自在120Hz下在電解質水溶液中量測之經氧化電極體之電容來測定。電解質之電導率足夠大以使得在120Hz下電容仍不會由於電解質之電阻率而有所下降。舉例而言，使用18%硫酸電解質水溶液進行量測。

所用電極體具有10至90%，較佳30至80%，更佳50至80%之孔隙率。多孔電極體具有10至10000nm，較佳50至5000nm，更佳100至3000nm之平均孔徑。

因此，本發明更佳提供製造電解電容器之方法，其特徵在於閥金屬或具有與閥金屬相當之電學特性之化合物為鉭、鈮、鋁、鈦、鋯、鉿、釩、此等金屬中之至少一者與其他元素之合金或化合物、NbO或NbO與其他元素之合金或化合物。

介電質較佳由電極材料之氧化物組成。其視情況進一步包含元素及/或化合物。

電容器之電容不僅取決於介電質之類型而且取決於介電質之表面積及厚度。荷質比為每單位重量之經氧化電極體可容納之電荷量的量度。電容器之荷質比如下計算：電容器之荷質比=(電容×額定電壓)/經氧化電極體之重量。

該電容自在120Hz下量測之成品電容器之電容來測定，且 額定電壓為電容器之既定使用電壓。經氧化電極體之重量基於無聚合物、觸點及封裝之經介電質塗佈多孔電極材料之簡單重量。

由新穎方法製造之電解電容器較佳具有500至500000μC/g 之荷質比，更佳750至250000μC/g之荷質比，甚至更佳1000至1500000μC/g之荷質比，尤其較佳1500至100000μC/g之荷質比。

固體電解質之導電物質可包含傳導性聚合物或非聚合性導 電材料，例如電荷轉移複合物(例如TCNQ(7,7,8,8-四氰基-1,4-對醌二甲烷))、二氧化錳或鹽(例如可形成離子液體之彼等鹽)。

固體電解質較佳包含導電聚合物。所用導電聚合物可為上述 共軛聚合物，其亦用於聚合物外層。固體電解質更佳包含聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)作為導電聚合物；固體電解質最佳包含聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯-磺酸作為導電聚合物。

固體電解質較佳在介電質表面上形成厚度小於1000nm，更佳小於200nm，最佳小於50nm之層。

固體電解質對介電質之覆蓋度可如下測定：量測乾燥及潮濕狀態下120Hz下電容器之電容。覆蓋度為以百分比表示之乾燥狀態下電容與潮濕狀態下電容之比率。「乾燥狀態(dry state)」意謂電容器在進行分析之前已在高溫(80至120℃)下乾燥若干小時。「潮濕狀態(moist state)」意謂電容器在高壓下，例如在蒸汽鍋爐中暴露於飽和空氣濕度若干小時。在此過程中，水分滲透至不覆蓋固體電解質之孔中，且在此處充當液體電解質。

固體電解質對介電質之覆蓋度較佳大於50%，更佳大於70%，最佳大於80%。

原則上，方法步驟i)中所提供之電容器主體可如下製造：首先，將例如具有高表面積之閥金屬粉末壓縮並燒結成多孔電極體。此典型地亦涉及將較佳閥金屬(例如鉭)之電接觸線按壓至電極體中。或者亦可蝕刻金屬箔以獲得多孔薄膜。

電極體例如藉由用介電質電化學氧化，亦即氧化層來塗佈。接著在介電質上，例如藉助於氧化聚合化學或電化學沈積導電聚合物，且形成固體電解質。為此，將製備導電聚合物之前驅體、一或多種氧化劑及適當時相對離子一起或相繼塗覆於多孔電極體之介電質上且以化學及氧化方式聚合，或產生導電聚合物之前驅體及相對離子藉由電化學聚合而聚合於多孔電極體之介電質上。為形成固體電解質，所用傳導性材料較佳為導電聚合物，例如視情況經取代之聚噻吩、聚吡咯或聚苯胺之分散液或溶液。較佳為基於聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)之傳導性聚噻吩之分散液，如例如WO-A-2007/031206中所描述。

根據本發明方法，在製備固體電解質之後，在另一方法步驟ii)中將包含至少一種單官能胺及至少一種羧酸之溶液e)、較佳包含至少一種單官能胺及至少一種羧酸之水溶液e)塗覆於電容器主體，較佳塗覆於固體電解質之表面，隨後塗覆包含共軛聚合物b)及溶劑或分散劑d)之溶液或分散液a)，隨後至少部分移除溶劑或分散劑d)以形成在電容器主體上、較佳在固體電解質上形成之聚合物外層。

1‧‧‧電容器主體

2‧‧‧多孔電極體(陽極)

3‧‧‧介電質

4‧‧‧固體電解質(陰極)

5‧‧‧聚合物外層

6‧‧‧石墨層/銀層

7‧‧‧與電極體2之線接觸

8‧‧‧外部接觸

9‧‧‧封裝

10‧‧‧細部

圖1使用鉭電容器之實例描述固體電解電容器構造之示意圖，該電容器包含：

1 電容器主體

5 聚合物外層

6 石墨層/銀層

7 與電極體2之線接觸

8 外部接觸

9 封裝

10 細部

圖2描述圖1之鉭電容器之示意性分層結構之放大的細部10，其包含

10 細部

2 多孔電極體(陽極)

3 介電質

4 固體電解質(陰極)

5 聚合物外層

6 石墨層/銀層

如本文所用，表述「單官能胺(monofunctional amine)」是指包含單一胺基作為唯一官能基之化合物。

單官能胺較佳為具有式(I)之一級胺、二級胺或三級胺

其中R可相同或不同且表示

- 氫，- C₁-C₃₀₀脂族或雜脂族基，- C₆-C₁₈芳族或雜芳族基或- C₇-C₁₈芳烷基或雜芳烷基，其中兩個R基團可彼此連接。

根據本發明方法之一較佳具體實例，單官能胺為一級胺，較佳為具有式(I)之一級胺，其中三個R-基團中之兩者表示氫，且其中第三個R-基團為直鏈C₁-C₁₈烷基-、分支鏈C₃-C₁₈烷基-、C₅-C₁₈環烷基-、具有至少一個OH-基團之直鏈C₁-C₁₈羥基烷基-、具有至少一個OH-基團之分支鏈C₃-C₁₈羥基烷基-、具有至少一個OH-基團之環狀C₅-C₁₈羥基烷基-、式-(CH₂CH₂O)_n-OR'或-(CH₂CHCH₃O)_n-OR'之聚烷醚基團(其中n為2至100之整數且R'表示H或直鏈C₁-C₁₀烷基、分支鏈C₃-C₁₀烷基-或C₅-C₁₀環烷基-)、C₂-C₁₈烯基-、C₆-C₁₈芳基-或C₇-C₁₈芳烷基-，最佳為直鏈C₁-C₁₈烷基-。在上述R-基團中，至少一個氫亦可經諸如氟、氯或溴之鹵素取代。

適合胺之實例為乙胺、二乙胺、三乙胺、丙胺、二丙胺、三丙胺、異丙胺、二異丙胺、丁胺、二丁胺、三丁胺、異丁胺、二異丁胺、三異丁胺、1-甲基丙胺、甲基乙胺、雙(1-甲基)丙胺、1,1-二甲基乙胺、戊胺、二戊胺、三戊胺、2-戊胺、3-戊胺、2-甲基丁胺、3-甲基丁胺、雙(3-甲基丁胺)、參(3-甲基丁胺)、己胺、辛胺、二-N-辛胺、三-N-辛胺、第三辛胺(1,1,3,3-四甲基丁胺)、十二烷胺、2-乙基己胺、癸胺、N-甲基丁胺、N-乙基丁胺、N,N-二甲基乙胺、N,N-二甲基丙基、N-乙基二異丙胺、烯丙胺、二烯丙胺、 乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺、二乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、N-丁基二乙醇胺、二丁基乙醇胺、環己基乙醇胺、環己基二乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、第三丁基乙醇胺、第三丁基二乙醇胺、丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺或苯甲胺。

兩個R基團可彼此連接之適合胺之實例為飽和或不飽和雜 環胺，諸如氮丙啶、氮雜環丙烯、氮雜環丁烷、吖唉、吡咯啶、吡咯、哌啶、吡啶、氮雜環庚烷、吖庚因或嗎啉。

可用於本發明方法之尤其較佳單官能胺為己胺。

羧酸較佳為單官能、雙官能或三官能羧酸或多官能羧酸，其 中羧酸亦可包含選自由以下組成之群的官能基：羥基、醚基、巰基或硫醚基。適合之單官能羧酸可選自由以下組成之群：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸及其異構體，其中己酸為尤其較佳單羧酸。適合之雙官能羧酸可選自由以下組成之群：酒石酸、草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、十二烷二酸、順丁烯二酸及反丁烯二酸，其中己二酸為尤其較佳二羧酸。適合之三官能羧酸可選自由以下組成之群：檸檬酸、異檸檬酸、烏頭酸、苯均三酸及偏苯三甲酸，其中苯均三酸為尤其較佳三羧酸。適合之多官能羧酸為例如聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酸酯。

此外，至少一種單官能性胺及至少一種羧酸較佳以一定相對 量存在於底漆溶液中，底漆溶液e)中胺與羧酸之羧酸基團之莫耳比在0.1：1至10：1之範圍內，較佳在0.2：1至5：1之範圍內，且最佳在0.5：1至2：1之範圍內。

方法步驟ii)中所塗覆之底漆溶液e)中單官能胺之濃度較 佳在0.01至10mol/l之範圍內，更佳在0.05至5mol/l之範圍內，且最佳在0.1至1mol/l之範圍內，且方法步驟ii)中所塗覆之底漆溶液e)中羧酸之濃度較佳在0.01至10mol/l之範圍內，更佳在0.05至5mol/l之範圍內，且最佳在0.1至1mol/l之範圍內。

除至少一種單官能胺及至少一種羧酸外，底漆溶液e)包含溶劑或分散劑。

溶劑可為水或有機溶劑。用於單官能胺及至少一種羧酸之有機溶劑或分散劑之實例包括以下有機溶劑：直鏈或分支鏈C₁至C₆醇，諸如甲醇、乙醇、異丙醇、正丙醇、正丁醇、異丁醇及第三丁醇；環狀C₃至C₈醇，諸如環己醇；脂族酮，諸如丙酮及甲基乙基酮；脂族羧酸酯，諸如乙酸乙酯及乙酸丁酯；芳香烴，諸如甲苯及二甲苯；脂族烴，諸如己烷、庚烷及環己烷；氯烴，諸如二氯甲烷及二氯乙烷；脂族腈，諸如乙腈，脂族亞碸及碸，諸如二甲亞碸及環丁碸；脂族甲醯胺，諸如甲基乙醯胺、二甲基乙醯胺及二甲基甲醯胺；脂族及芳脂族醚，諸如乙醚及苯甲醚。亦可使用前述有機溶劑之混合物作為溶劑。另外，亦可使用水與前述有機溶劑或分散劑之混合物作為溶劑。

較佳溶劑或分散劑為水或其他質子溶劑，諸如直鏈或分支鏈C₁至C₆醇，諸如甲醇、乙醇、異丙醇、正丙醇、正丁醇、異丁醇及第三丁醇；環狀C₃至C₈醇，諸如環己醇。尤其較佳為水與此等醇或與此等醇之混合物的混合物，極其較佳為水與甲醇、乙醇、異丙醇或正丙醇之混合物。

根據本發明方法之一尤其較佳具體實例，底漆溶液e)為褐 色底漆水溶液。

此外，在本發明方法中，亦可

- 首先將包含共軛聚合物b)及溶劑或分散劑d)之溶液或分散液a)塗覆於電容器主體，較佳塗覆於固體電解質之表面，視情況隨後至少部分移除溶劑或分散劑d)，接著

- 將底漆溶液e)-塗覆於電容器主體，較佳塗覆於固體電解質之表面，隨後進一步塗覆包含共軛聚合物b)及溶劑或分散劑d)之溶液或分散液a)，隨後至少部分移除溶劑或分散劑d)以形成在電容器主體、較佳在固體電解質上形成之聚合物外層。

因此，本發明涵蓋每一種方法，其包含首先將底漆溶液e)塗覆於電容器主體，接著塗覆共軛聚合物b)之溶液或分散液a)之連續步驟，不論在塗覆底漆溶液e)之前是否已將任何其他塗料塗覆於電容器主體。

在本發明方法中，底漆溶液e)之pH值較佳藉由有機酸調節至值在1至12之範圍內，較佳在1.5至10之範圍內，且最佳在2.0至7之範圍內。pH值可例如藉由添加酸或鹼來調節。所用酸可為無機酸，例如硫酸、磷酸或硝酸，或有機酸，例如羧酸或磺酸，諸如對甲苯磺酸或聚苯乙烯磺酸(PSS)，然而適合之鹼為鹼金屬或鹼土氫氧化物(諸如NaOH、KOH、CaOH₂或MgOH₂)、氨或碳酸鹽(諸如Na₂CO₃、K₂CO₃、NaHCO₃或KHCO₃)。

底漆溶液e)藉由已知方法，例如藉由旋塗、浸漬、澆鑄、逐滴塗覆、噴霧塗覆、蒸氣沈積、濺鍍、昇華、刮刀塗佈、塗刷或印刷，例如噴墨印刷、網板印刷或移印而塗覆於電容器主體。將底漆溶液e)至少 塗覆於電容器主體之拐角及/或邊緣。以簡單之方式，將其至少塗覆於電容器主體之整個外表面或部分外表面。底漆溶液e)亦可另外引入至多孔電容器主體中。在已塗覆底漆溶液e)之後，較佳例如藉由熱處理至少部分移除溶劑。對於移除水，乾燥溫度較佳在15℃與500℃之間，更佳在25℃與高達300℃之間，且最佳在50℃與高達150℃之間。

在將底漆溶液e)塗覆於電容器主體之後，塗覆包含共軛聚 合物b)及溶劑或分散劑d)之溶液或分散液a)。在塗覆呈水溶液形式之底漆溶液e)之後且視情況在移除水之後，亦可反覆塗覆溶液或分散液a)。較佳塗覆底漆溶液e)，視情況移除水，接著反覆塗覆溶液或分散液a)，以獲得更厚及/或更緻密之外層。在塗覆底漆化合物e)之前，亦已可塗覆多層溶液或分散液a)。

在塗覆底漆溶液e)之後與電容器主體接觸但並未保留於其 上且再使用溶液或分散液a)之部分較佳連續或分階段與一或多種離子交換劑接觸。當例如在塗覆底漆溶液e)之後，將電容器主體浸沒於包含溶液或分散液a)之浴液中時，宜藉由來源於底漆溶液e)之陽離子移除溶液或分散液a)中之污染，以防止在浴液中發生交聯反應。為此，來自浴液之溶液或分散液a)較佳連續或分階段與一或多種陽離子交換劑接觸。溶液或分散液a)亦可另外與一或多種陰離子交換劑接觸，以除陽離子以外，亦移除存在於底漆溶液e)中之任何陰離子。來自浴液之溶液或分散液a)較佳連續或分階段泵吸通過包含離子交換劑之濾筒。有用的陽離子及陰離子交換劑包括例如來自Lanxess AG,Leverkusen之Lewatit®離子交換劑，例如Lewatit MP 62陰離子交換劑及Lewatit SI00陽離子交換劑。

溶液或分散液a)之共軛聚合物b)較佳具有大於10S/cm， 更佳大於20S/cm，甚至更佳大於50S/cm，尤其較佳大於100S/cm，且在尤其較佳具體實例中大於200S/cm之特定電導率。

共軛聚合物b)較佳以存在於分散液a)中之粒子形式存在。

在本發明之方法中，分散液中之包含共軛聚合物b)之粒子的平均直徑較佳為1-10 000nm，更佳1-1000nm，最佳5-500nm。

包含共軛聚合物b)之粒子之直徑藉由超離心機量測來測定。通用方法描述於Colloid Polym.Sci.267,1113-1116(1989)中。在於分散液中膨脹之粒子之情況下，粒徑在膨脹狀態下測定。粒子之直徑分佈基於分散液中隨粒徑而變之粒子之物質分佈。

溶液或分散液a)較佳僅含有少量金屬及過渡金屬(若存在)。應瞭解在本文中金屬係關於元素週期表之主族或過渡族金屬之金屬或金屬離子。眾所周知，過渡金屬尤其可損害介電質，以使得由此產生之高剩餘電流會顯著縮短電容器之壽命或甚至使得不能在惡劣條件，諸如高溫及/或高空氣濕度下使用電容器。

在該方法中，溶液或分散液a)之金屬含量較佳小於5000mg/kg，更佳小於1000mg/kg，最佳小於200mg/kg。在本文中，金屬之實例包括NA、K、mg、Al、Ca、Fe、Cr、Mn、Co、Ni、CU、Ru、Ce或Zn。

在該方法中，溶液或分散液a)之過渡金屬含量較佳小於1000mg/kg，更佳小於100mg/kg，最佳小於20mg/kg。在本文中，過渡金屬之實例包括Fe、Cu、Cr、Mn、Ni、Ru、Ce、Zn或Co。

在該方法中，溶液或分散液a)之鐵含量較佳小於1000 mg/kg，更佳小於100mg/kg，最佳小於20mg/kg。

溶液或分散液中金屬濃度低之巨大優勢在於在形成聚合物 外層時及在電容器之後續操作中介電質並未遭到破壞。

溶液或分散液a)較佳包含至少一種聚合有機黏合劑c)。有 用尤其較佳聚合有機黏合劑c)包括例如聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮、聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、乙酸丁烯酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯醯胺、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯醯胺、聚丙烯腈、苯乙烯/丙烯酸酯、乙酸乙烯酯/丙烯酸酯及乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚苯乙烯、聚醚、聚酯、聚碳酸酯、聚胺基甲酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碸、三聚氰胺-甲醛樹脂、環氧樹脂、聚矽氧樹脂或纖維素。其他有用聚合有機黏合劑c)較佳亦為藉由以下獲得之彼等黏合劑：添加交聯劑，例如三聚氰胺化合物、封端異氰酸酯或官能矽烷(例如3-縮水甘油氧丙基三烷氧基矽烷、四乙氧基矽烷及四乙氧基矽烷水解產物)，或可交聯聚合物，例如聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸酯或聚烯烴，及隨後交聯。適合作為聚合黏合劑c)之此類交聯產物亦可另外例如藉由使所添加之交聯劑與溶液或分散液a)中所存在之任何聚合陰離子反應而形成。較佳為具有足夠熱穩定性以耐受成品電容器隨後所暴露之熱應力，例如220至260℃之焊接溫度之彼等黏合劑c)。

溶液或分散液a)中之聚合黏合劑c)之固體含量為0.1-90 重量百分比(wt%)，較佳0.3-30wt%且最佳0.5-10wt%。

溶液或分散液a)包含一或多種溶劑或分散劑d)。溶劑或分 散劑d)之實例包括例如以下溶劑：脂族醇，諸如甲醇、乙醇、異丙醇及丁醇；脂族酮，諸如丙酮及甲基乙基酮；脂族羧酸酯，諸如乙酸乙酯及乙酸 丁酯；芳族烴，諸如甲苯及二甲苯；脂族烴，諸如己烷、庚烷及環己烷；氯烴，諸如二氯甲烷及二氯乙烷；脂族腈，諸如乙腈；脂族亞碸及碸，諸如二甲亞碸及環丁碸；脂族羧醯胺，諸如甲基乙醯胺、二甲基乙醯胺及二甲基甲醯胺；脂族及芳脂族醚，諸如乙醚及苯甲醚。亦可使用前述有機溶劑之混合物作為溶劑。另外，亦可使用水或水與前述有機溶劑之混合物作為溶劑或分散劑d)。

較佳溶劑或分散劑d)為水或其他質子溶劑，諸如醇，例如甲醇、乙醇、異丙醇及丁醇；及水與此等醇之混合物，尤其較佳溶劑為水。

適當時，黏合劑c)亦可充當溶劑或分散劑d)。

在本發明之上下文中，術語「聚合物(polymer)」包括具有一個以上相同或不同重複單元之所有化合物。

共軛聚合物b)含有至少一個交替雙及單鍵序列或不間斷芳族或雜芳族環序列。

在本文中，應瞭解導電聚合物尤其意謂在氧化或還原之後具有電導率之共軛聚合物之化合物類別。認為此類共軛聚合物較佳為導電聚合物，其在氧化之後具有數量級為至少1μScm^-1之電導率。

溶液或分散液a)尤其較佳包含選自由以下組成之群的導電聚合物作為共軛聚合物b)：視情況經取代之聚噻吩、視情況存在之聚苯胺及視情況經取代之聚吡咯。

共軛聚合物b)更佳包含至少一個具有通式(III)或通式(IV)或通式(V)之重複單元、或式(III)及(IV)之重複單元、或式(III)及(V)之重複單元、或式(IV)及(V)之重複單元、或式(III)、(IV)及 (V)之重複單元之聚噻吩，

其中A為視情況經取代之C₁-C₅伸烷基，R獨立地為H、直鏈或分支鏈視情況經取代之C₁-C₁₈烷基、視情況經取代之C₅-C₁₂環烷基、視情況經取代之C₆-C₁₄芳基、視情況經取代之C₇-C₁₈芳烷基、視情況經取代之C₁-C₄羥基烷基或羥基，x為0至8之整數，且在複數個R基團鍵結至A之情況下，其可相同或不同。

通式(III)及(IV)應理解為使得x個取代基R可鍵結至伸烷基A。

尤其較佳為具有通式(III)或(IV)之重複單元、或通式(III) 及(IV)之重複單元之聚噻吩，其中A為視情況經取代之C₂-C₃伸烷基且x為0或1。

極其較佳共軛聚合物b)為聚(3,4-伸乙基-二氧噻吩)，其視情況經取代。

在本發明之上下文中，應理解字首「聚-(poly-)」意謂聚合物或聚噻吩中存在一個以上相同或不同重複單元。聚噻吩含有總計n個通式(III)或通式(IV)或通式(V)、或通式(III)及(IV)之重複單元、或通式(III)及(V)之重複單元、或通式(IV)及(V)之重複單元、或通式(III)、(IV)及(V)之重複單元，其中n為2至2000，較佳2至100之整數。在聚噻吩內具有通式(III)或通式(IV)或通式(V)之重複單元、或通式(III)及(IV)之重複單元、或通式(III)及(V)之重複單元、或通式(IV)及(V)之重複單元、或通式(III)、(IV)及(V)之重複單元各可相同或不同。較佳為在各情況下具有相同之通式(III)或通式(IV)或通式(V)之重複單元，或在各情況下具有相同之通式(III)及(IV)、或通式(III)及(V)、或通式(IV)及(V)之重複單元，或在各情況下具有相同之通式(III)、(IV)及(V)之重複單元之聚噻吩。尤其較佳為在各情況下具有相同之通式(III)或通式(IV)之重複單元、或在各情況下具有相同之通式(III)及(IV)之重複單元之聚噻吩。

聚噻吩較佳在端基處各帶有H。

在本發明之上下文中，C₁-C₅伸烷基A較佳為亞甲基、伸乙基、伸正丙基、伸正丁基或伸正戊基。C₁-C₁₈烷基R較佳為直鏈或分支鏈C₁-C₁₈烷基，諸如甲基、乙基、正丙基或異丙基、正丁基、異丁基、第二丁 基或第三丁基、正戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丙基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十六烷基或正十八烷基，C₅-C₁₂環烷基R為例如環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基或環癸基，C₆-C₁₄芳基R為例如苯基或萘基，且C₇-C₁₈芳烷基R為例如苯甲基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、2,3-二甲苯基、2,4-二甲苯基、2,5-二甲苯基、2,6-二甲苯基、3,4-二甲苯基、3,5-二甲苯基或均三甲苯基。以上清單用於以舉例之方式說明本發明且不視為排他性的。

在本發明之上下文中，A基團及/或R基團之任何其他取代 基包括許多有機基團，例如烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、鹵素、醚、硫醚、二硫醚基、亞碸、碸、磺酸酯基、胺基、醛、酮基、羧酸酯、羧酸、碳酸酯基、羧酸酯基、氰基、烷基矽烷及烷氧基矽烷基以及甲醯胺基。

可用於聚苯胺或聚吡咯之取代基包括例如上文所列舉之A 及R基團及/或A及R基團之其他取代基。較佳為未經取代之聚苯胺。

本發明之範圍涵蓋上文及下文中一般或在較佳範圍內彼此 說明之所有基團定義、參數及列舉，亦即，包括特定範圍及較佳範圍之間的任何組合。

在本發明方法中，導電聚合物b)，尤其聚噻吩可不帶電或為陽離子型。在較佳具體實例中，其為陽離子型，「陽離子型(cationic)」僅與存在於聚噻吩主鏈上之電荷有關。根據R基團上之取代基，聚噻吩在 結構單元中可帶有正電荷及負電荷，在此情況下正電荷位於聚噻吩主鏈上且負電荷(若存在)位於經磺酸酯基或羧酸酯基取代之R基團上。聚噻吩主鏈之正電荷可藉由可存在於R基團上之陰離子型基團部分或完全飽和。 總體來看，在此等情況下，聚噻吩可為陽離子型、不帶電或甚至陰離子型。 然而，在本發明之上下文中，認為所有均為陽離子型聚噻吩，因為聚噻吩主鏈上之正電荷十分關鍵。正電荷並未於式中，因為不能完全確定其準確數目及位置。然而，正電荷之數量為至少1個及至多n個，其中n為聚噻吩內之所有重複單元(相同或不同)之總數。

為平衡正電荷，若此舉尚未藉由視情況經磺酸酯基或甲酸酯 基取代且因此帶負電之R基團實現，則陽離子型聚噻吩需要陰離子作為相對離子。

相對離子可為單體或聚合陰離子，聚合陰離子在下文中亦稱 為聚陰離子。因此，根據本發明方法之一較佳具體實例，共軛聚合物b)為陽離子聚合物及包含聚合陰離子充當共軛聚合物之相對離子之溶液或分散液a)。

聚合陰離子較佳優於單體陰離子，因為其有助於薄膜形成，且由於其大小，會產生更具有熱穩定性之導電薄膜。

在本文中聚陰離子可為例如以下各酸之陰離子：聚合羧酸，諸如聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸或聚順丁烯二酸；或聚合磺酸，諸如聚苯乙烯磺酸及聚乙烯磺酸。此等聚羧酸及聚磺酸亦可為乙烯羧酸及乙烯磺酸與其他可聚合單體(諸如丙烯酸酯及苯乙烯)之共聚物。

共軛聚合物b)中之較佳聚合陰離子為聚合羧酸或聚合磺酸 之陰離子。尤其較佳聚合陰離子為聚苯乙烯磺酸(PSS)之陰離子。

供應聚陰離子之多元酸之分子量較佳為1000至2000000、更 佳為2000至500000。多元酸或其鹼金屬鹽可購得，例如聚苯乙烯磺酸及聚丙烯酸，或可藉由已知方法製備(參見例如Houben Weyl,Methoden der organischen Chemie[Methods of Organic Chemis try]，第E 20卷Makromolekulare Stoffe[Macromolecular Substances]，第2部分，(1987)，第1141頁及以下各頁)。

聚合陰離子及導電聚合物可尤其以0.5：1至50：1，較佳1：1 至30：1，更佳2：1至20：1之重量比存在於分散液a)中。在本文中導電聚合物之重量與所用單體之初始重量對應，假定在聚合中完全轉化。

所用單體陰離子為例如C₁-C₂₀烷磺酸(諸如甲烷磺酸、乙烷 磺酸、丙烷磺酸、丁烷磺酸或高碳磺酸(諸如十二烷磺酸))、脂族全氟磺酸(諸如三氟甲烷磺酸、全氟丁烷磺酸或全氟辛烷磺酸)、脂族C₁-C₂₀羧酸(諸如2-乙基己基羧酸)、脂族全氟羧酸(諸如三氟乙酸或全氟辛酸)及視情況經C₁-C₂₀烷基取代之芳族磺酸(諸如苯磺酸、鄰甲苯磺酸、對甲苯磺酸或十二烷基苯磺酸)及環烷基磺酸(諸如樟腦磺酸)之彼等陰離子；或四氟硼酸根、六氟磷酸根、過氯酸根、六氟銻酸根、六氟砷酸根或六氯銻酸根。

較佳單體陰離子為對甲苯磺酸、甲烷磺酸或樟腦磺酸之陰離 子。

含有陰離子作為相對離子以平衡電荷之陽離子型聚噻吩在 技術領域中通常亦稱為聚噻吩/(聚)陰離子複合物。根據本發明方法之一特定 較佳具體實例，溶液或分散液a)包含以聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸複合物形式存在之聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)作為共軛聚合物。

應瞭解在下文中亦稱為前驅體之製備溶液或分散液a)中之 共軛聚合物b)之前驅體意謂適當單體或其衍生物。亦可使用不同前驅體之混合物。適合之單體前驅體為例如視情況經取代之噻吩、吡咯或苯胺，較佳為視情況經取代之噻吩，更佳為視情況經取代之3,4-伸烷基二氧基噻吩、3,4-伸烷基氧基硫雜噻吩或噻吩并[3,4-b]噻吩。

視情況經取代之3,4-伸烷基二氧基噻吩、3,4-伸烷基氧基硫 雜噻吩或噻吩并[3,4-b]噻吩之實例包括通式(VI)或通式(VII)或通式(VIII)之化合物、或通式(VI)及(VII)之噻吩之混合物、或通式(VI)及(VIII)之噻吩之混合物、或通式(VII)及(VIII)之噻吩之混合物、或通式(VI)、(VII)及(VIII)之噻吩之混合物，

其中A為視情況經取代之C₁-C₅伸烷基，較佳視情況經取代之C₂-C₃伸烷基， R為直鏈或分支鏈視情況經取代之C₁-C₁₈烷基，較佳直鏈或分支鏈視情況經取代之C₁-C₁₄烷基、視情況經取代之C₅-C₁₂環烷基、視情況經取代之C₆-C₁₄芳基、視情況經取代之C₇-C₁₈芳烷基、視情況經取代之C₁-C₄羥基烷基，較佳視情況經取代之C₁-C₂羥基烷基或羥基，x為0至8，較佳0至6，更佳0或1之整數，且在複數個R基團鍵結至A之情況下，其可相同或不同。

極其較佳單體前驅體為視情況經取代之3,4-伸乙基二氧基噻吩。經取代之3,4-伸乙基二氧基噻吩之實例包括具有通式(IX)之化合物

其中R及x各如通式(VI)及(VII)所定義。

在本發明之上下文中，應瞭解單體前驅體之衍生物例如意謂此等單體前驅體之二聚體或三聚體。亦可能的為較高分子量衍生物，亦即單體前驅體之四聚體、五聚體等。經取代之3,4-伸烷基二氧基噻吩之衍生物之實例包括具有通式(X)之化合物

其中 n為2至20，較佳2至6，更佳2或3之整數。

且A、R及x各如通式(VI)及(VII)所定義。

衍生物可由相同或不同單體單元形成且可以純形式或以彼此及/或與單體前驅體之混合物使用。在本發明之上下文中，此等前驅體之氧化或還原形式亦由術語「前驅體(precursor)」涵蓋，其限制條件為其聚合形成與上文詳述之前驅體具有相同導電之聚合物。

適用於上述前驅體，尤其噻吩，較佳3,4-伸烷基二氧基噻吩之取代基包括針對通式(VI)、(VII)或(VIII)所說明之R基團。

適用於吡咯及苯胺之取代基包括例如上文詳述之A及R基團及/或A及R基團之其他取代基。A及/或R基團之任何其他取代基包括結合通式(III)、(IV)或(V)所說明之有機基團。

製備單體前驅體以製備導電聚合物及其衍生物之方法為熟習此項技術者所已知且描述例如於L.Groenendaal、F.Jonas、D.Freitag、H.Pielartzik及J.R.Reynolds,Adv.Mater.12(2000)481-494及其中所引用之文獻中。

製備待使用之聚噻吩所需之3,4-伸烷基氧基硫雜噻吩為熟習此項技術者所已知或可藉由已知方法製備(例如根據P.Blanchard、A.Cappon、E.Levillain、Y.Nicolas、P.Frere及J.Roncali,Org.Lett.4(4),2002，第607-609頁)。

製備待使用之聚噻吩所需之式(VIII)之噻吩并[3,4-b]噻吩熟習此項技術者所已知或可藉由已知方法製備(例如根據 US2004/0074779A1)。

分散液由上述前驅體製備，例如與EP-A 440 957中所說明之 條件類似。分散液製備之改良變型為使用離子交換劑移除無機鹽內含物或其中一部分。此類變型描述於例如DE-A-19627071中。離子交換劑可例如與產物一起攪拌，或產物引導穿過填充有離子交換柱之管柱。

亦可在一或多種溶劑中製備聚苯胺/聚陰離子或聚噻吩/聚陰離子複合物及連續分散液或再分散液。

溶液或分散液a)中共軛聚合物b)之固體含量為0.1-90wt%，較佳0.5-30wt%，且最佳0.5-10wt%。

溶液或分散液a)亦可包含其他物質，諸如表面活性物質，例如離子及/或非離子型界面活性劑；助黏劑，例如有機官能矽烷或其水解物，例如3-縮水甘油氧丙基三烷氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯基氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷或辛基三乙氧基矽烷；交聯劑，諸如三聚氰胺化合物、封端異氰酸酯、官能矽烷(例如四乙氧基矽烷、烷氧基矽烷)、基於例如四乙氧基矽烷之水解物、環氧矽烷，諸如3-縮水甘油氧丙基三烷氧基矽烷-聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸酯或聚烯烴分散液；或其他添加劑。

在本發明之上下文中，溶液或分散液a)可包含在各情況下單獨或呈其任何所需組合形式之表面活性物質、助黏劑、交聯劑及其他添加劑。

溶液或分散液a)較佳包含其他添加劑，其會增強傳導性，例如含有醚基之化合物，例如四氫呋喃；含有內酯基團之化合物，諸如γ- 丁內酯、γ-戊內酯；含有醯胺或內醯胺基團之化合物，諸如己內醯胺、N-甲基己內醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺(N,N-dimethylformamide，DMF)、N-甲基甲醯胺、N-甲基甲醯苯胺、N-甲基吡咯啶酮(N-methylpyrrolidone，NMP)、N-辛基吡咯啶酮、吡咯啶酮；碸及，例如環丁碸(四亞甲碸)、二甲亞碸(dimethyl sulfoxide，DMSO)；糖或糖衍生物，例如蔗糖、葡萄糖、果糖、乳糖；糖醇，例如山梨糖醇、甘露糖醇；醯亞胺，例如丁二醯亞胺或順丁烯二醯亞胺；呋喃衍生物，例如2-呋喃甲酸、3-呋喃甲酸；及/或二元醇或多元醇，例如乙二醇、丙三醇或二伸乙二醇或三伸乙二醇。尤其較佳為使用四氫呋喃、N-甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮、乙二醇、二甲亞碸或山梨糖醇作為傳導性增強添加劑。其他添加劑在各情況下可以單獨或其任何所需組合形式存在於溶液或分散液a)中。

溶液或分散液a)可具有1至14之pH值，較佳1至10之pH值，尤其較佳1至8之pH值，該pH值在25℃下量測。

為調節pH值，可向溶液或分散液中添加例如鹼或酸。所用鹼可為無機鹼，例如氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣或氨；或有機物鹼，例如乙胺、二乙胺、三乙胺、丙胺、二丙胺、三丙胺、異丙胺、二異丙胺、丁胺、二丁胺、三丁胺、異丁胺、二異丁胺、三異丁胺、1-甲基丙胺、甲基乙胺、雙(1-甲基)丙胺、1,1-二甲基乙胺、戊胺、二戊胺、三戊胺、2-戊胺、3-戊胺、2-甲基丁胺、3-甲基丁胺、雙(3-甲基丁胺)、參(3-甲基丁胺)、己胺、辛胺、2-乙基己胺、癸胺、N-甲基丁胺、N-乙基丁胺、N,N-二甲基乙胺、N,N-二甲基丙基、N-乙基二異丙胺、烯丙胺、二烯丙胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺、二乙基乙醇胺、 N-丁基乙醇胺、N-丁基二乙醇胺、二丁基乙醇胺、環己基乙醇胺、環己基二乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、第三丁基乙醇胺、第三丁基二乙醇胺、丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺或苯甲胺。所用酸可為無機酸，例如硫酸、磷酸或硝酸，或有機酸，例如羧酸或磺酸。較佳為不減損溶液或分散液a)之薄膜形成且在相對高溫度(例如焊接溫度)下保留於固體電解質中之彼等添加劑，例如鹼：二甲基乙醇胺、二乙醇胺、氨或三乙醇胺，及酸：聚苯乙烯磺酸。

根據塗覆方法，溶液或分散液a)之黏度可在0.1與100 000 mPa.s(在20℃及100s^-1之剪切率下用變流儀量測)之間。黏度較佳為1至10 000mPa.s，更佳在10與1000mPa.s之間，最佳為30至500mPa.s。

將溶液或分散液a)塗覆於電容器主體(較佳已在方法步驟 i)中塗覆底漆化合物e)之固體電解質層)可藉由已知方法實現，例如藉由旋塗、浸漬、鑄造、逐滴塗覆、噴霧塗覆、蒸氣沈積、濺鍍、昇華、刮刀塗佈、塗刷或印刷，例如噴墨印刷、網板印刷或移印。

溶劑或分散劑d)可在溶液或分散液藉由室溫下簡單蒸發塗 覆之後移除。然而，溶劑或分散劑d)之至少一部分亦可保留於聚合物外層中。根據溶劑或分散劑d)之類型，其亦可完全固化，或在部分移除之後仍保留僅一部分。

然而，為獲得較高加工速度，更有利的為在高溫下，例如在 20℃至300℃，較佳40℃至250℃之溫度下移除溶劑或分散劑d)。後熱處理可與溶劑之移除一起直接進行，或可在與塗佈完成不同之時間進行。

視用於塗佈之溶液或分散液d)之種類而定，熱處理之持續 時間為5秒至幾小時。對於熱處理，亦可使用具有不同溫度及滯留時間之溫度特徵。

可例如以一定方式進行熱處理，以使得經塗佈氧化電極體以 一定速度移動穿過在所需溫度下加熱之腔室，以獲得所選溫度下之所需滯留時間或使得與加熱板在所需溫度下接觸所需滯留時間。另外，熱處理可例如在一個烘箱或若干個具有不同溫度之烘箱中實現。

視情況，聚合物外層進行後處理，以增加聚合物外層中共軛 聚合物之傳導性。後處理可由例如熱後處理組成。視情況，將其他層塗覆於聚合物外層。具有良好傳導性層(諸如石墨及銀)之塗層充當放電電流之電極。最終，將電容器接觸連接並囊封。

聚合物外層之厚度較佳為1-1000μm，更佳為1-100μm， 甚至更佳為2-50μm，極其較佳為4-20μm。外表面上之層厚度可改變。 更特定言之，電容器主體邊緣處之層厚度可比電容器主體之側面更厚或更薄。然而，較佳為層厚度實際上均勻。

聚合物外層可為形成電容器主體之外層之多層系統之一部 分。其他功能層亦可存在於聚合物外層上。另外，複數個聚合物外層可存在於電容器主體上。

在一尤其較佳具體實例中，藉由新穎方法製造之電解電容器 包含含有聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)，PEDT)作為導電材料之固體電解質，及含有聚苯乙烯磺酸(polystyrenesulfonic acid，PSS)及聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)之聚合物外層。

在極其較佳具體實例中，藉由新穎方法製造之電解電容器包 含含有PEDT/PSS之電解質電解質及含有PEDT/PSS之聚合物外層。藉由本發明方法製造之固體電解電容器因低剩餘電流、低等效串聯電阻及高熱穩定性而引人注目。

本發明方法可以特別簡單之方式產生具有聚合物外層之固 體電解電容器，其甚至在電容器主體之邊緣及轉角仍不透水。固體電解電容器因低ESR、低剩餘電流及高熱穩定性而引人注目。藉由本發明方法製造之電解電容器因此同樣形成本發明主題之一部分。

根據本發明製造之電解電容器由於其低剩餘電流及其低 ESR而十分適用於電子電路，例如用作濾波電容器或去耦電容器。該用途亦形成本發明主題之一部分。較佳為出現在以下中之電子電路：例如電腦(桌上型電腦、膝上型電腦、伺服器)、電腦周邊設備(例如PC卡)、可攜式電子裝置(例如行動電話、數位攝影機或娛樂性電子設備)、用於娛樂性電子設備之裝置(例如CD/DVD播放機及電腦遊戲控制台)、導航系統、電信設備、家用電器、電壓源或汽車用電子設備。

以下圖式及實施例用於以舉例之方式說明本發明且不應解釋為具有限制性。

如圖1及圖2中示意性地且以舉例之方式所示，聚合物外層較佳存在於電容器主體之整個外表面或部分外表面之上。應瞭解，外表面意謂電容器主體之外部端面。

當使用多孔薄膜(例如鋁箔)替代多孔燒結主體作為電極體時，原則上出現與上述類似之構造。為獲得較高電容，較佳將複數個薄膜以平行方式接觸連接且一起囊封於一個外殼中。

實施例

實施例1

製備鉭陽極：將具有18000μFV/g之特定電容之鉭粉末併入鉭絲按壓成集結粒，且進行燒結以形成尺寸為1.5mm×2.9mm×4.0mm之電極體。在磷酸電解質中將此等多孔電極體中之5個陽極化至100V以形成介電質。

實施例2

用於製備固體電解質之聚合物分散液：最初將具有攪拌棒及溫度計之2L玻璃反應器裝入868g去離子水、330g聚苯乙烯磺酸水溶液(平均分子量(重量平均M_w)為70000g/mol且固體含量為3.8wt%)。反應溫度持續在20℃與25℃之間。在攪拌下添加5.1g 3,4-伸乙基二氧噻吩。攪拌溶液30分鐘。隨後，添加0.03g硫酸鐵(III)及9.5g過硫酸鈉且再攪拌溶液24小時。在反應結束之後，添加100ml強酸性陽離子交換劑(Lewatit SI00，Lanxess AG)及250ml弱鹼性陰離子交換劑(Lewatit MP62，Lanxess AG)以移除無機鹽，且再攪拌溶液2h。濾出離子交換劑。

用高壓均質機在700巴之壓力下均質化PEDOT/PSS分散液10次。隨後，濃縮分散液至固體含量為2.5%，接著用高壓均質機在1500巴之壓力下均質化五次。

隨後，將分散液稀釋至固體含量為1.04%且使96g稀分散液與4g二甲亞碸(DMSO)摻合且劇烈攪拌。

實施例3

製備底漆溶液：具有攪拌棒之燒杯中裝入表1中提及之單官能胺及單官能羧酸，其於水或乙醇中之濃度如表1中給出，接著劇烈攪拌混合物一小時。

實施例4

用於製備外層之聚合物分散液：最初將具有攪拌棒及溫度計之5L玻璃反應器裝入1736g去離子水、660g聚苯乙烯磺酸水溶液(平均分子量(重量平均M_w)為70000g/mol且固體含量為3.8wt%)。反應溫度持續在20℃與25℃之間。在攪拌下添加10.2g 3,4-伸乙基二氧噻吩。攪拌溶液30分鐘。隨後，添加0.06g硫酸鐵(III)及19g過硫酸鈉且再攪拌溶液24小時(h)。在反應結束之後，添加200ml強酸性陽離子交換劑(Lewatit SI00，Lanxess AG)及500ml弱鹼性陰離子交換劑(Lewatit MP62，Lanxess AG)以移除無機鹽，且再攪拌溶液2小時。濾出離子交換劑。隨後，濃縮分散液至固體含量為1.5%。

在具有攪拌棒之燒杯中，使160g此濃縮分散液、28g去離子水、6g磺基聚酯(Eastek 1100，固體含量30%，平均分子量10000-15000，Eastman)、8g二甲亞碸、1g 3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A-187，OSi Specialties)及0.4g潤濕劑(Dynol 604，Air Products)劇烈混合一個小時。

實施例5

用底漆化合物製備電容器：使來自實施例1之氧化電極體在來自實施例2之分散液中浸漬1分鐘。隨後在120℃下乾燥此物10分鐘。再進行此次序之浸漬及乾燥9 次。隨後，將其浸漬於來自實施例3之溶液中1分鐘，隨後在120℃下乾燥10分鐘。此後，將其浸漬於來自實施例4之分散液中1分鐘，隨後在120℃下乾燥10分鐘。

隨後，將其浸漬於實施例3之溶液中1min，隨後在120℃下乾燥10分鐘。此後，將其浸漬於來自實施例4之分散液中1分鐘，隨後在120℃下乾燥10分鐘。隨後，將其浸漬於來自實施例3之溶液中1分鐘，隨後在120℃下乾燥10分鐘。此後，將其浸漬於來自實施例4之分散液中1分鐘，隨後在120℃下乾燥10分鐘。

使用光學顯微鏡視覺上測定具有聚合物外層之電容器主體之塗層完整度(「完整」：具有聚合物外層之電容器主體完整覆蓋；「不完整」：具有聚合物外層之電容器主體不完整覆蓋)。

A=己胺

B=第三辛胺

C=辛胺

D=二辛胺

E=三辛胺

F=十二烷胺

HA=己酸

ACA=乙酸

ADA=己二酸

SA=丁二酸

TA=苯均三酸

pTSA=對甲苯磺酸

¹⁾非本發明。

1‧‧‧電容器主體

5‧‧‧聚合物外層

6‧‧‧石墨層/銀層

7‧‧‧與電極體2之線接觸

8‧‧‧外部接觸

9‧‧‧封裝

10‧‧‧細部

Claims (12)

1. 一種製造電解電容器之方法，該方法包含方法步驟i)及ii)：i)提供電容器主體(1)，其包含由電極材料構成的電極體(2)，介電質(3)，其至少部分覆蓋該電極材料之表面，及固體電解質(4)，其至少包含至少部分覆蓋該介電質表面之導電物質，ii)將底漆溶液e)塗覆於該電容器主體(1)，隨後塗覆包含共軛聚合物b)及溶劑或分散劑d)之溶液或分散液a)，隨後至少部分移除該溶劑或分散劑d)以形成在該電容器主體(1)上形成之聚合物外層(5)；其中該底漆溶液e)包含至少一種單官能胺及至少一種羧酸，其中該單官能胺為具有式(I)之一級胺、二級胺或三級胺

   

   其中R可相同或不同且表示氫，直鏈C₁-C₁₈烷基-，分支鏈C₃-C₁₈烷基-，C₅-C₁₈環烷基-，具有至少一個OH-基團之直鏈C₁-C₁₈羥基烷基-，具有至少一個OH-基團之分支鏈C₃-C₁₈羥基烷基-，具有至少一個OH-基團之環狀C₅-C₁₈羥基烷基-，式-(CH₂CH₂O)_n-OR'或-(CH₂CHCH₃O)_n-OR'之聚烷醚-基團，其中n為2至 100之整數且R'表示H或直鏈C₁-C₁₀烷基-、分支鏈C₃-C₁₀烷基-或C₅-C₁₀環烷基-，C₂-C₁₈烯基-，C₆-C₁₈芳基-或C₇-C₁₈芳烷基-，其中兩個R-基團可彼此連接。
2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該單官能胺為一級胺。
3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該單官能胺選自由以下組成之群：己胺、第三辛胺、辛胺、二辛胺、三辛胺及十二烷胺。
4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該羧酸為單官能、雙官能或三官能羧酸或多官能羧酸，其中該羧酸亦可包含選自由以下組成之群的官能基：羥基、醚基、硫醇基或硫醚基。
5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該羧酸選自由以下組成之群：乙酸、己酸、己二酸、丁二酸及苯均三酸。
6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該底漆溶液e)中該胺與該羧酸之羧酸基的莫耳比在0.1：1至10：1之範圍內。
7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中方法步驟ii)中所塗覆之該底漆溶液e)中該單官能胺之濃度在0.01mol/l至10mol/l之範圍內，且其中方法步驟ii)中所塗覆之該底漆溶液e)中該羧酸之濃度在0.01mol/l至10mol/l之範圍內。
8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該共軛聚合物b)為陽離子聚合物，且其中溶液或分散液a)包含聚合陰離子充當共軛聚合物之相對離子。
9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該聚合陰離子為聚合羧酸或聚合磺酸之陰離子。
10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在方法步驟ii)中，該底漆溶液e)及該溶液或分散液a)係依序且反覆進行塗覆。
11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該溶液或分散液a)包含選自由以下組成之群的導電聚合物作為該共軛聚合物：視情況經取代之聚噻吩、視情況存在之聚苯胺及視情況經取代之聚吡咯。
12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該溶液或分散液a)包含以聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸複合物形式存在之聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)作為該共軛聚合物。

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