JP4833583B2 - 電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
固体電解コンデンサの例は、電荷移動錯体、二酸化マンガンまたはポリマー固体電解質を有するタンタル、アルミニウム、ニオブおよび酸化ニオブコンデンサである。多孔質体の使用は、非常に高い容量密度、即ち高いキャパシタンスが、大きな表面積の故に小さな容積で達成できるという利点を有する。
そのような応力に対する安定性、従って低い残留電流は、主として、コンデンサアノード上に導電性ポリマーから形成された厚さ約5〜50μmの外層により達成することができる。そのような層は、コンデンサアノードおよびカソード側電極の間の機械的バッファとして使用される。これは、例えば機械的応力を受けたときに、電極がアノードと直接接触することを防ぐか、またはそれが損傷して、コンデンサの残留電流を上昇することを防ぐ。導電性ポリマーの外層自体は、いわゆる自己修復挙動を示す。バッファの効果にもかかわらず生ずる外部アノード表面上における誘電体中の比較的小さな欠陥は、電流による欠陥点で破壊される外層の導電性によって、電気的に絶縁される。
従って本発明の目的は、そのような固体電解コンデンサ製造することができる適切な方法を提供することである。
A) 固体電解質を形成するために、導電性ポリマー製造のための前駆体、1種またはそれ以上の酸化剤および所望により対イオンを含む混合物を、誘電体層および所望により更なる層により被覆された多孔質電極体中に導入し、
B)導電性ポリマー製造のための前駆体、1種またはそれ以上の酸化剤および所望により対イオンを含む混合物により含浸された多孔質電極体を、70%またはそれ以上の相対湿度に暴露し、前駆体を重合させて固体電解質を形成し、
C)導電性外層を形成するために、少なくとも1種の導電性ポリマーおよび少なくとも1種の結合剤を含む溶液または分散体を、誘電体、さらに全体的または部分的に固体電解質および所望の更なる層により被覆された多孔質電極体に適用し、乾燥する
工程を少なくとも含む、電解コンデンサの製造方法に関する。
誘電体で被覆されている電極体は、以下で酸化電極体とも称される。用語「酸化電極体」は、電極体の酸化では製造されていない誘電体により被覆されている電極体も含む。
誘電体および全体的または部分的に固体電解質で被覆されている電極体は、以下でコンデンサ体と称される。
用語「外面」または「外表面」は、コンデンサ体の外側を含むものと理解される。ポリマー外層は、例として図1および図2に示されているように、これら外面の全体または一部分上に配置される。
導電性ポリマーは、酸化または還元後に導電性を有するπ共役ポリマーを意味すると理解される。酸化後に導電性を有するπ共役ポリマーが、本発明にとって好ましい導電性ポリマーである。導電性ポリマーとしては、ポリチオフェン、ポリピロールおよびポリアニリンを挙げることができ、これらは、置換されていても置換されていなくてもよい。本発明において好ましい導電性ポリマーは、任意に置換されていてよいポリチオフェン、特に任意に置換されていてよいポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)である。
Aは、任意に置換されていてよいC1〜C5アルキレン基、好ましくは任意に置換されていてよいC1〜C3アルキレン基を表し、
Rは、直鎖または分枝の任意に置換されていてよいC1〜C18アルキル基、好ましくは直鎖または分枝の任意に置換されていてよいC1〜C14アルキル基、任意に置換されていてよいC5〜C12シクロアルキル基、任意に置換されていてよいC6〜C14アリール基、任意に置換されていてよいC7〜C18アラルキル基、任意に置換されていてよいC1〜C4ヒドロキシアルキル基、好ましくは任意に置換されていてよいC1〜C2ヒドロキシアルキル基、またはヒドロキシル基を表し、
xは、0〜8、好ましくは0〜6、特に好ましくは0または1の整数を表し、
複数のR基がAと結合している場合、これらは、同じまたは異なるものであり得る。〕
で示される化合物、または一般式(I)および(II)で示されるチオフェンの混合物を含む。
とりわけ好ましいモノマー前駆体は、任意に置換されていてよい3,4−エチレンジオキシチオフェンである。
nは、2〜20、好ましくは2〜6、特に好ましくは2または3の整数を表し、
A、Rおよびxは、一般式(I)および(II)のために与えられた意味を有する。〕
で示される化合物が挙げられる。
酸化剤として適している金属塩は、元素周期表の主族または亜族金属(亜族金属は、以下で遷移金属とも呼ばれる。)の金属塩を含む。適当な遷移金属塩は、特に、遷移金属、例えば鉄(III)、銅(II)、クロム(VI)、セリウム(IV)、マンガン(IV)、マンガン(VII)およびルテニウム(III)の、無機若しくは有機酸の塩、または有機基を有する無機酸の塩を含む。
C1〜C20アルカノールの硫酸モノエステルの鉄(III)塩、例えばラウリル硫酸鉄(III)塩は、有機基を有する無機酸の鉄(III)塩の例として挙げられる。
有機酸の鉄(III)塩の例は、C1〜C20アルカンスルホン酸、例えばメタン、エタン、プロパン、ブタンまたは高級スルホン酸、例えばドデカンスルホン酸の鉄(III)塩、脂肪族パーフルオロスルホン酸、例えばトリフルオロメタンスルホン酸、パーフルオロブタンスルホン酸またはパーフルオロオクタンスルホン酸の鉄(III)塩、脂肪族C1〜C20カルボン酸、例えば2−エチルへキシルカルボン酸の鉄(III)塩、脂肪族パーフルオロカルボン酸、例えばトリフルオロ酢酸またはパーフルオロオクタン酸の鉄(III)塩、およびC1〜C20アルキル基により任意に置換されていてよい芳香族スルホン酸、例えばベンゼンスルホン酸、o−トルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸またはドデシルベンゼンスルホン酸の鉄(III)塩、およびシクロアルカンスルホン酸、例えばカンファースルホン酸の鉄(III)塩を含む。
これら有機酸鉄(III)塩のあらゆる混合物も使用することができる。
p−トルエンスルホン酸鉄(III)、o−トルエンスルホン酸鉄(III)、またはp−トルエンスルホン酸鉄(III)およびo−トルエンスルホン酸鉄(III)の混合物が、金属塩としてとりわけ好ましい。
従って、好ましい態様では、対イオンは、酸化電極体中に配合される混合物に添加される。
対イオンは、モノマーまたはポリマーアニオンであり得、後者は以下でポリアニオンとも称される。
好ましくはモノマーアニオンが、固体電解質のために使用される。なぜならそれらは、酸化電極体に良好に浸透するからである。
p−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸またはカンファースルホン酸のアニオンが好ましい。
電荷補償のために対イオンとしてアニオンを含有するカチオン性ポリチオフェンは、しばしば専門家にポリチオフェン/(ポリ)アニオン錯体としても知られている。
特に好ましくは、混合物は前駆体、酸化剤および溶媒を本質的に含む。
それ故、好ましい方法では、重合の前に、電極体上の溶媒含有混合物から溶媒を蒸発させる。
固体電解質による誘電体表面の被覆割合は、好ましくは50%を超え、特に好ましくは70%を超え、より好ましくは80%を超える。
溶液または分散体中の好ましい導電性ポリマーは、任意に置換されていてよいポリチオフェン、ポリピロールおよび/またはポリアニリンである。
Aは、任意に置換されていてよいC1〜C5アルキレン基を表し、
Rは、直鎖または分枝の任意に置換されていてよいC1〜C18アルキル基、任意に置換されていてよいC5〜C12シクロアルキル基、任意に置換されていてよいC6〜C14アリール基、任意に置換されていてよいC7〜C18アラルキル基、任意に置換されていてよいC1〜C4ヒドロキシアルキル基、またはヒドロキシル基を表し、
xは、0〜8の整数を表し、
複数のR基がAと結合している場合、これらは、同じまたは異なるものであり得る。〕
で示される〕
を有する任意に置換されていてよいポリチオフェンである。
溶液または分散体中の導電性ポリマーとしては、ポリ−3,4−エチレンジオキシチオフェンが最も好ましい。
ポリチオフェンは、それぞれ、好ましくは末端基にHを有する。
ポリマーアニオンが、対イオンとして使用される。
ポリマーカルボン酸またはスルホン酸のアニオンが、ポリマーアニオンとして好ましい。
ポリスチレンスルホン酸(PSS)のアニオンが、ポリマーアニオンとして好ましい。
ポリアニリン/ポリアニオンまたはポリチオフェン/ポリアニオン錯体の製造およびその後の1種またはそれ以上の溶媒中での分散または再分散も可能である。
ポリマー外層は、結合剤、導電性ポリマーおよびポリマーアニオンに関するその組成について均一または不均一な分布を有し得る。均一な分布が好ましい。
本発明において、バルブ金属は、その酸化物層が双方向に等しい電流の流れを許容しない金属を意味するために用いられる。アノードに電圧が印加されると、バルブ金属の酸化物層は、電流の流れを遮断し、一方カソードに電圧が印加されると、酸化物層を破壊することができる大電流が生ずる。バルブ金属は、Be、Mg、Al、Ge、Si、Sn、Sb、Bi、Ti、Zr、Hf、V、Nb、TaおよびW、並びに少なくとも1種のこれら金属と他の元素との合金または化合物を含む。バルブ金属の最もよく知られている例は、Al、TaおよびNbである。同等の性質を有する化合物は、酸化できて酸化物層が上記の性質を有する化合物である。例えばNbOは、金属的な導電性を有するが、一般にバルブ金属とはみなされない。しかしながら酸化NbO層は、バルブ金属酸化物層の典型的な性質を有するので、NbO、またはNbOと他の元素との合金もしくは化合物は、そのような同等の性質を有する化合物の典型例である。
それゆえ本発明は、特に好ましくは、バルブ金属または同等の性質を有する化合物が、タンタル、ニオブ、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、少なくとも1種のこれら金属と他の元素との合金若しくは化合物、NbO、またはNbOと他の元素との合金若しくは化合物であることを特徴とする電解コンデンサの製造方法を提供する。
多孔質電極体は、例えば適当な電解質、例えばリン酸中で電圧を適用することにより酸化される。この化成電圧のレベルは、達成される酸化物層の厚さまたはコンデンサのその後の適用電圧に依存する。好ましい電圧は、1〜300V、特に好ましくは1〜80Vである。
比電荷=(キャパシタンス×電圧)/酸化電極体の質量
ここで該キャパシタンスは、水性電解質中、120Hzで測定される酸化電極体のキャパシタンスから得られる。ここで該電解質の導電性は充分に大きく、該電解質の電気抵抗の故に120Hzではキャパシタンス降下はまだ無い。例えば18%の水性硫酸電解質が、測定のために使用される。上の式中の電圧は、最大化成電圧(酸化電圧)に対応する。
比電荷=(キャパシタンス×電圧)/酸化電極体の質量
ここで、該キャパシタンスは、120Hzで測定される電解コンデンサのキャパシタンスから得られ、電圧はコンデンサの作動電圧(定格電圧)である。酸化電極体の質量は、ポリマー、接点および封入を除き、電解質で被覆された多孔質電極材料の純質量である。
幾何表面積=2(L×B+L×H+B×H)
〔式中、Lは直方体の長さであり、Bは幅であり、Hは高さであり、×は乗法の記号を表す。〕
である。ここで、ポリマー外層が設置されているコンデンサ体の部分のみが考慮される。
例えば巻かれた箔を多孔質電極体として含有する固体電解コンデンサのために、展開された箔(長さ、幅)の寸法が、測定値として使用される。
1.A) 固体電解質を形成するために、導電性ポリマー製造のための前駆体、1種またはそれ以上の酸化剤および所望により対イオンを含む混合物を、誘電体層および所望により更なる層により被覆された多孔質電極体中に導入し、
B)導電性ポリマー製造のための前駆体、1種またはそれ以上の酸化剤および所望により対イオンを含む混合物により含浸された多孔質電極体を、70%またはそれ以上の相対湿度に暴露し、前駆体を重合させて固体電解質を形成し、
C)導電性外層を形成するために、少なくとも1種の導電性ポリマーおよび少なくとも1種の結合剤を含む溶液または分散体を、誘電体、さらに全体的または部分的に固体電解質および所望の更なる層により被覆された多孔質電極体に適用し、乾燥する
工程を少なくとも含む、電解コンデンサの製造方法。
2.工程B)を30℃未満の温度で行う上記第1項に記載の方法。
3.任意に置換されていてよい、チオフェン、ピロールまたはアニリンを、導電性ポリマー製造のための前駆体として使用する上記第1項または第2項に記載の方法。
4.3,4−エチレンジオキシチオフェンを任意に置換されていてよいチオフェンとして使用する上記第3項に記載の方法。
5.酸化剤として、ペルオキソジ硫酸アルカリ金属またはアンモニウム、過酸化水素、過硼酸アルカリ金属、有機酸の鉄(III)塩、無機酸の鉄(III)塩若しくは有機基を含む無機酸の鉄(III)塩を使用する上記第1〜4項のいずれかに記載の方法。
6.対イオンが、モノマーアルカンスルホン酸またはシクロアルカンスルホン酸若しくは芳香族スルホン酸のアニオンである上記第1〜5項のいずれかに記載の方法。
7.工程A)において使用する混合物は、75KJ/モルまたはそれ以上の重合活性化エネルギーを有する上記第1〜6項のいずれかに記載の方法。
8.工程C)で適用する溶液または分散体は、導電性ポリマーとして、任意に置換されていてよい、ポリチオフェン、ポリピロールおよび/またはポリアニリンを含む上記第1〜7項のいずれかに記載の方法。
9.任意に置換されていてよいポリチオフェンは、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)である上記第8項に記載の方法。
10.電極材料は、バルブメタルまたは匹敵する電気的性質を有する化合物である上記第1〜9項のいずれかに記載の方法。
11.匹敵する電気的性質を有する化合物は、タンタル、ニオブ、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、これら金属の少なくとも1種と他の元素との合意金または化合物、NbOまたはNbOと他の元素との合金または化合物である上記第10項に記載の方法。
12.誘電体は、バルブメタルの酸化物または匹敵する電気的性質を有する化合物の酸化物である上記第1〜11項のいずれかに記載の方法。
13.工程A)での混合物は、さらに溶媒を含み、溶媒は、前駆体の重合の前に電極体上の溶媒含有混合物から蒸発される上記第1〜12項のいずれかに記載の方法。
14.上記第1〜13項のいずれかに記載の方法により製造された電解コンデンサ。
15.電解コンデンサは、誘電体により被覆された電極体の質量に基づき、5000μC/gを超える比電荷を有する上記第14項に記載の電解コンデンサ。
16.電気回路における上記第14または15項に記載の電解コンデンサの使用。
比キャパシタンス50,000μFV/gを有するタンタル粉末を、ペレットに圧縮し、焼結して、寸法4.2mm×3mm×1.6mmを有する多孔質電極体を形成した。該ペレット(アノードペレット)を、リン酸電解質中で30Vに陽極酸化した。
3,4−エチレンジオキシチオフェン(BAYTRON(商標) M、H. C. Starck GmbH)1質量部および40%のp−トルエンスルホン酸鉄(III)エタノール溶液(BAYTRON(商標) C-E、H. C. Starck GmbH)20質量部を含む溶液を製造した。
該溶液を、アノードペレットを含浸させるために使用した。アノードペレットを、この溶液中に浸し、次いで、相対湿度95%の雰囲気に室温(20℃)で30分間暴露した。次いでペレットを、乾燥オーブン内において50℃で15分間および150℃で15分間熱処理した。次いでペレットを、2%のp−トルエンスルホン酸水溶液中で30分間洗浄した。アノードペレットを、0.25質量%のp−トルエンスルホン酸水溶液中で30分間改質し、次いで蒸留水中ですすぎ、乾燥した。上記の含浸、乾燥、熱処理および改質を、さらに4回行った。
含浸の後にペレットを相対湿度50%の雰囲気に室温(20℃)で30分間暴露した以外は、実施例1と同様にして被覆アノードペレットを製造した。
1. 酸化電極体の製造
比キャパシタンス50,000μFV/gを有するタンタル粉末を、ペレットに圧縮し、焼結して、寸法4.2mm×3mm×1.6mmを有する多孔質電極体を形成した。該ペレット(アノードペレット)を、リン酸電解質中で30Vに陽極酸化した。
3,4−エチレンジオキシチオフェン(BAYTRON(商標) M、H. C. Starck GmbH)1質量部および40%のp−トルエンスルホン酸鉄(III)エタノール溶液(BAYTRON(商標) C-E、H. C. Starck GmbH)20質量部を含む溶液を製造した。
該溶液を、7個のアノードペレットを含浸させるために使用した。アノードペレットを、この溶液中に浸し、次いで、相対湿度95%の雰囲気に室温(20℃)で30分間暴露した。次いでペレットを、乾燥オーブン内において50℃で15分間および150℃で15分間熱処理した。次いでペレットを、2%のp−トルエンスルホン酸水溶液中で30分間洗浄した。アノードペレットを、0.25質量%のp−トルエンスルホン酸水溶液中で30分間改質し、次いで蒸留水中ですすぎ、乾燥した。上記の含浸、乾燥、熱処理および改質を、さらに2回行った。
次いでアノードペレットを、水性PEDT/PSS分散体(BAYTRON(商標) P、H. C. Starck GmbH)90部、DMSO 4部、スルホン化ポリエステル(Eastek(商標) 1400、水中の固形分30質量%、Eastman)4.2部および界面活性剤(Zonyl(商標) FS 300、Du Pont)0.2部からなる水性分散体中に浸し、80℃で15分間乾燥させた。
次いでペレットを、グラファイトおよび銀層で被覆した。
含浸の後にペレットを相対湿度50%の雰囲気に室温(20℃)で30分間暴露した以外は、7個のコンデンサを実施例2と同様に製造した。
本発明に従って製造した、すなわち95%の相対湿度に暴露した実施例2のコンデンサは、50%の相対湿度に暴露した比較例2のコンデンサに比べ、格段に優れた電気特性を有していた。
一方、比較例のコンデンサは、低い周波数で急なESRの上昇を示す。10kHzでのESRは、100kHzでのESRより22mΩも高い。同時に、このコンデンサの100kHzでのキャパシタンスは、120kHzでのキャパシタンスのほぼ半分である。このような比較コンデンサの劣った周波数応答性の原因は、コンデンサ体へのポリマー外層の低い接着性であると考えられる。コンデンサ体への結合剤の良好な接着性が機能しない。これは、コンデンサ体への良好な接着性を示さないインサイチュー重合層が、該コンデンサ体と結合剤含有ポリマー層との間になお存在しているからである。
含浸の後に、アノードペレットを95%相対湿度の雰囲気に20℃で15分間暴露し、次いで、50℃で30分間加熱したこと以外は、実施例2と同様にして7個のコンデンサを製造した。
含浸の後に、アノードペレットを95%相対湿度の雰囲気に40℃で15分間暴露したこと以外は、実施例3−1と同様にして7個のコンデンサを製造した。
コンデンサは、平均して以下の電気的特性値を有していた:
本発明に従って製造した、すなわち95%の相対湿度に20℃で暴露した実施例3−1のコンデンサは、10kHzおよび100kHzの両方において、非常に高いキャパシタンスと低いESRとを有していた。95%の相対湿度に40℃で暴露した実施例3−2のコンデンサに比べ、実施例3−1のコンデンサは、より優れた電気的特性を有していた。
実施例3−1の場合のように、より低い温度、好ましくは30℃以下の温度で高い湿度に暴露すると、より低いESRおよびより高いキャパシタンスが得られる。
実施例2と同様にして6個のコンデンサを製造した。
ポリマー外層を形成しなかったこと以外は、実施例2と同様にして6個のコンデンサを製造した。
Claims (15)
- A)固体電解質を形成するために、導電性ポリマー製造のための前駆体および1種またはそれ以上の酸化剤を含む混合物を、誘電体層により被覆された多孔質電極体中に導入し、
B)導電性ポリマー製造のための前駆体および1種またはそれ以上の酸化剤を含む混合物により含浸された多孔質電極体を、70%またはそれ以上の相対湿度に暴露し、前駆体を重合させて固体電解質を形成し、
C)導電性外層を形成するために、少なくとも1種の導電性ポリマーおよび少なくとも1種の結合剤を含む溶液または分散体を、誘電体、さらに全体的または部分的に固体電解質により被覆された多孔質電極体に適用し、乾燥する
工程を少なくとも含み、工程B)は、30℃未満の温度で行うことを特徴とする、電解コンデンサの製造方法。 - 工程B)における相対湿度が90%またはそれ以上である請求項1に記載の方法。
- 導電性ポリマーの製造のための前駆体として、3,4−エチレンジオキシチオフェンを使用する請求項1または2に記載の方法。
- 酸化剤として、ペルオキソジ硫酸アルカリ金属またはアンモニウム、過酸化水素、過硼酸アルカリ金属、有機酸の鉄(III)塩、無機酸の鉄(III)塩若しくは有機基を含む無機酸の鉄(III)塩を使用する請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 酸化剤として、p−トルエンスルホン酸鉄(III)、o−トルエンスルホン酸鉄(III)、またはp−トルエンスルホン酸鉄(III)およびo−トルエンスルホン酸鉄(III)の混合物を使用する請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 導電性ポリマー製造のための前駆体および1種またはそれ以上の酸化剤を含む混合物が対イオンを含み、該対イオンが、p−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸またはカンファースルホン酸のアニオンである請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- 工程A)において使用する混合物は、75KJ/モルまたはそれ以上の重合活性化エネルギーを有する請求項1〜6項のいずれかに記載の方法。
- 工程C)で適用される溶液または分散体に含まれる少なくとも1種の導電性ポリマーが、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)である請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- 電極体の電極物質が、タンタル、ニオブ、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、これら金属の少なくとも1種と他の元素との合金または化合物、NbOまたはNbOと他の元素との合金または化合物である請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 誘電体は、電極物質の酸化物である請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- 工程B)での混合物は、さらに溶媒を含み、溶媒は、前駆体の重合の前に電極体上の溶媒含有混合物から蒸発される請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
- 工程C)での結合剤が、スルホン化ポリエステルである請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
- 70%またはそれ以上の相対湿度への暴露を15〜25℃の温度で行う請求項1〜12のいずれかに記載の方法。
- 工程C)で適用される溶液または分散体が、更に、導電性ポリマーの対イオンとしてポリマーアニオンを含む請求項1〜13のいずれかに記載の方法。
- 請求項1に記載の方法により製造された電解コンデンサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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---|---|---|---|---|
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EP1915764A1 (en) * | 2005-08-19 | 2008-04-30 | Avx Limited | Polymer based solid state capacitors and a method of manufacturing them |
GB0517952D0 (en) | 2005-09-02 | 2005-10-12 | Avx Ltd | Method of forming anode bodies for solid state capacitors |
DE102005043828A1 (de) * | 2005-09-13 | 2007-03-22 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
TWI479509B (zh) * | 2006-02-09 | 2015-04-01 | 信越聚合物股份有限公司 | 導電性高分子溶液、導電性塗膜、電容器,以及電容器之製造方法 |
JP4912914B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2012-04-11 | 信越ポリマー株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
TWI404090B (zh) * | 2006-02-21 | 2013-08-01 | Shinetsu Polymer Co | 電容器及電容器之製造方法 |
JP4797784B2 (ja) * | 2006-05-09 | 2011-10-19 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP5305569B2 (ja) | 2006-06-29 | 2013-10-02 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサの製造方法および電解コンデンサ |
US7563290B2 (en) | 2006-07-06 | 2009-07-21 | Kemet Electronics Corporation | High voltage solid electrolytic capacitors using conductive polymer slurries |
JP4831771B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2011-12-07 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP4730908B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2011-07-20 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP4911509B2 (ja) | 2007-04-03 | 2012-04-04 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
DE102007048212A1 (de) * | 2007-10-08 | 2009-04-09 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Zwischenschicht |
JP5203673B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2013-06-05 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサとその製造方法 |
JP4873572B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2012-02-08 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサとその製造方法 |
US20100123993A1 (en) * | 2008-02-13 | 2010-05-20 | Herzel Laor | Atomic layer deposition process for manufacture of battery electrodes, capacitors, resistors, and catalyzers |
US8094434B2 (en) * | 2008-04-01 | 2012-01-10 | Avx Corporation | Hermetically sealed capacitor assembly |
DE102008023008A1 (de) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | H.C. Starck Gmbh | Neuartige Polythiophene-Polyanion-Komplexe in unpolaren organischen Lösungsmitteln |
JP2010021217A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Japan Carlit Co Ltd:The | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP5276109B2 (ja) * | 2008-09-09 | 2013-08-28 | 株式会社エヌディーシー | 手袋及びその付属品 |
JP5177669B2 (ja) * | 2008-10-15 | 2013-04-03 | Necトーキン株式会社 | 導電性高分子組成物およびそれを用いた固体電解コンデンサ |
GB2468942B (en) | 2009-03-23 | 2014-02-19 | Avx Corp | High voltage electrolytic capacitors |
US8405956B2 (en) | 2009-06-01 | 2013-03-26 | Avx Corporation | High voltage electrolytic capacitors |
US9908817B2 (en) * | 2009-06-02 | 2018-03-06 | Uchicago Argonne, Llc | Multilayer capacitors, method for making multilayer capacitors |
US8194395B2 (en) * | 2009-10-08 | 2012-06-05 | Avx Corporation | Hermetically sealed capacitor assembly |
US8125768B2 (en) | 2009-10-23 | 2012-02-28 | Avx Corporation | External coating for a solid electrolytic capacitor |
JP5371710B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2013-12-18 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP5884068B2 (ja) | 2010-03-24 | 2016-03-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP5312396B2 (ja) * | 2010-04-26 | 2013-10-09 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP5481639B2 (ja) * | 2010-06-29 | 2014-04-23 | カーリットホールディングス株式会社 | 導電性高分子製造用酸化剤とそれを用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
US8259436B2 (en) | 2010-08-03 | 2012-09-04 | Avx Corporation | Mechanically robust solid electrolytic capacitor assembly |
US8279584B2 (en) | 2010-08-12 | 2012-10-02 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly |
US8824121B2 (en) | 2010-09-16 | 2014-09-02 | Avx Corporation | Conductive polymer coating for wet electrolytic capacitor |
US8199460B2 (en) * | 2010-09-27 | 2012-06-12 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved anode termination |
US8824122B2 (en) | 2010-11-01 | 2014-09-02 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for use in high voltage and high temperature applications |
US8848342B2 (en) | 2010-11-29 | 2014-09-30 | Avx Corporation | Multi-layered conductive polymer coatings for use in high voltage solid electrolytic capacitors |
US8576543B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-11-05 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a poly(3,4-ethylenedioxythiophene) quaternary onium salt |
US8493713B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-07-23 | Avx Corporation | Conductive coating for use in electrolytic capacitors |
US8451588B2 (en) | 2011-03-11 | 2013-05-28 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a conductive coating formed from a colloidal dispersion |
US8947857B2 (en) | 2011-04-07 | 2015-02-03 | Avx Corporation | Manganese oxide capacitor for use in extreme environments |
US8300387B1 (en) | 2011-04-07 | 2012-10-30 | Avx Corporation | Hermetically sealed electrolytic capacitor with enhanced mechanical stability |
US8379372B2 (en) | 2011-04-07 | 2013-02-19 | Avx Corporation | Housing configuration for a solid electrolytic capacitor |
US9767964B2 (en) | 2011-04-07 | 2017-09-19 | Avx Corporation | Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly |
DE102011109756A1 (de) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren aus Ventilmetallpulvern |
US9105401B2 (en) | 2011-12-02 | 2015-08-11 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor containing a gelled working electrolyte |
US10879010B2 (en) | 2012-02-27 | 2020-12-29 | Kemet Electronics Corporation | Electrolytic capacitor having a higher cap recovery and lower ESR |
DE102013101443A1 (de) | 2012-03-01 | 2013-09-05 | Avx Corporation | Ultrahigh voltage solid electrolytic capacitor |
US8971019B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-03-03 | Avx Corporation | Wet capacitor cathode containing an alkyl-substituted poly(3,4-ethylenedioxythiophene) |
JP2013219362A (ja) | 2012-04-11 | 2013-10-24 | Avx Corp | 過酷な条件下で強化された機械的安定性を有する固体電解コンデンサ |
DE102013213720A1 (de) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Avx Corporation | Temperaturstabiler Festelektrolytkondensator |
US9548163B2 (en) * | 2012-07-19 | 2017-01-17 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages |
CN103578768B (zh) | 2012-07-19 | 2017-10-31 | Avx公司 | 用在电解电容器固体电解质中的非离子表面活性剂 |
DE102013213723A1 (de) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Avx Corporation | Festelektrolytkondensator mit erhöhter Feucht-zu-Trocken-Kapazität |
JP5933397B2 (ja) | 2012-08-30 | 2016-06-08 | エイヴィーエックス コーポレイション | 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ |
GB2512480B (en) | 2013-03-13 | 2018-05-30 | Avx Corp | Solid electrolytic capacitor for use in extreme conditions |
US9324503B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor |
US9892862B2 (en) | 2013-05-13 | 2018-02-13 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a pre-coat layer |
US9824826B2 (en) | 2013-05-13 | 2017-11-21 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles |
US9472350B2 (en) | 2013-05-13 | 2016-10-18 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a multi-layered adhesion coating |
US9761378B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-09-12 | Kemet Electronics Corporation | Process to improve coverage and electrical performance of solid electrolytic capacitors |
US9343239B2 (en) | 2013-05-17 | 2016-05-17 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor and improved method for manufacturing a solid electrolytic capacitor |
US9236192B2 (en) * | 2013-08-15 | 2016-01-12 | Avx Corporation | Moisture resistant solid electrolytic capacitor assembly |
JP5543001B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2014-07-09 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
US9236193B2 (en) | 2013-10-02 | 2016-01-12 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions |
US9589733B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-03-07 | Avx Corporation | Stable solid electrolytic capacitor containing a nanocomposite |
KR102078008B1 (ko) * | 2014-02-13 | 2020-02-17 | 삼성전기주식회사 | 고체 전해커패시터, 그 제조방법 및 칩형 전자부품 |
US10014108B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-07-03 | Avx Corporation | Low profile multi-anode assembly |
US9928963B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-03-27 | Avx Corporation | Thermally conductive encapsulant material for a capacitor assembly |
US9754730B2 (en) | 2015-03-13 | 2017-09-05 | Avx Corporation | Low profile multi-anode assembly in cylindrical housing |
US10297393B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-05-21 | Avx Corporation | Ultrahigh voltage capacitor assembly |
US9767963B2 (en) | 2015-05-29 | 2017-09-19 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with an ultrahigh capacitance |
US9672989B2 (en) | 2015-05-29 | 2017-06-06 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly for use in a humid atmosphere |
US9991055B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-06-05 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly for use at high temperatures |
US9972444B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-05-15 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor element for use in dry conditions |
DE102015122773A1 (de) | 2015-12-23 | 2017-06-29 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Kondensator mit beschichteten Poren |
JP6816770B2 (ja) * | 2016-08-24 | 2021-01-20 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ素子、固体電解コンデンサ、固体電解コンデンサ素子の製造方法、及び、固体電解コンデンサの製造方法 |
US10431389B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-10-01 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for high voltage environments |
US11081288B1 (en) | 2018-08-10 | 2021-08-03 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor having a reduced anomalous charging characteristic |
US11380492B1 (en) | 2018-12-11 | 2022-07-05 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor |
US11756742B1 (en) | 2019-12-10 | 2023-09-12 | KYOCERA AVX Components Corporation | Tantalum capacitor with improved leakage current stability at high temperatures |
US11763998B1 (en) | 2020-06-03 | 2023-09-19 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3814730A1 (de) | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Bayer Ag | Feststoff-elektrolyte und diese enthaltende elektrolyt-kondensatoren |
DE59010247D1 (de) | 1990-02-08 | 1996-05-02 | Bayer Ag | Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung |
JP2676973B2 (ja) | 1990-04-16 | 1997-11-17 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US5800857A (en) * | 1992-09-18 | 1998-09-01 | Pinnacle Research Institute, Inc. | Energy storage device and methods of manufacture |
US5812367A (en) * | 1996-04-04 | 1998-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitors comprising a conductive layer made of a polymer of pyrrole or its derivative |
KR100442073B1 (ko) * | 1996-04-26 | 2004-09-18 | 닛뽄 케미콘 가부시끼가이샤 | 고체전해콘덴서및그제조방법 |
JP3296727B2 (ja) * | 1996-08-22 | 2002-07-02 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP3157748B2 (ja) * | 1997-07-30 | 2001-04-16 | 富山日本電気株式会社 | 導電性高分子を用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP3350846B2 (ja) * | 1998-02-02 | 2002-11-25 | エヌイーシートーキン富山株式会社 | 導電性高分子を用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JPH11274011A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミ電解コンデンサ |
US6375688B1 (en) * | 1998-09-29 | 2002-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making solid electrolyte capacitor having high capacitance |
JP2000235937A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
AU3669800A (en) * | 1999-04-06 | 2000-10-23 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
US6517892B1 (en) | 1999-05-24 | 2003-02-11 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
US6552896B1 (en) * | 1999-10-28 | 2003-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
JP3806567B2 (ja) * | 2000-01-17 | 2006-08-09 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法及び製造装置 |
US6430032B2 (en) | 2000-07-06 | 2002-08-06 | Showa Denko K. K. | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
JP4547780B2 (ja) * | 2000-07-12 | 2010-09-22 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US6674635B1 (en) | 2001-06-11 | 2004-01-06 | Avx Corporation | Protective coating for electrolytic capacitors |
JP2003188052A (ja) | 2001-12-17 | 2003-07-04 | Nec Tokin Toyama Ltd | 固体電解コンデンサ素子及びその製造方法並びに固体電解コンデンサ |
DE10237577A1 (de) * | 2002-08-16 | 2004-02-26 | H.C. Starck Gmbh | Substituierte Poly(alkylendioxythiophene) als Feststoffelektrolyte in Elektrolytkondensatoren |
DE10324534A1 (de) | 2003-04-02 | 2004-10-14 | H.C. Starck Gmbh | Retardierende Oxidationsmittel zur Herstellung leitfähiger Polymere |
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