TWI681525B - 具有一控制器及一記憶體堆疊之彈性記憶體系統 - Google Patents

具有一控制器及一記憶體堆疊之彈性記憶體系統 Download PDF

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Abstract

本文中大體闡述用於提供一彈性記憶體系統之一系統及方法之實施例。在某些實施例中，提供一基板，其中一記憶體堆疊耦合至該基板。該記憶體堆疊包含一定數目個記憶體庫。一控制器亦耦合至該基板且包含耦合至該記憶體堆疊之該數目個記憶體庫之一定數目個記憶體庫介面區塊，其中記憶體庫介面區塊之該數目小於記憶體庫之該數目。

Description

具有一控制器及一記憶體堆疊之彈性記憶體系統 優先權申請
本申請案主張對於2013年3月15日申請之美國臨時申請案第61/791,182號之優先權權益，該臨時申請案以全文引用的方式併入本文中。
記憶體頻寬已變為高效能計算、高端伺服器、圖形及(很快)中層級伺服器中之系統效能之一瓶頸。微處理器啟用器係雙倍核心且為每核心若干執行緒，以藉由將工作組分散至若干區塊中及將其分散於增加數目之工作元件(即，核心)之中而大幅增加效能及工作負載能力。每處理器具有多個電腦元件導致每電腦元件增加量之記憶體。此導致對將緊密耦合至一處理器以解決此等挑戰之記憶體頻寬及記憶體密度之一更大需要。當前記憶體技術藍圖不提供滿足中央處理單元(CPU)及圖形處理單元(GPU)記憶體頻寬目標之效能。
為解決對將緊密耦合至一處理器之記憶體頻寬及記憶體密度之需要，可實施一混合記憶體立方體(HMC)以使得可將記憶體與一控制器放置於相同基板上，使得記憶體系統能夠更佳地執行其既定任務。該HMC可以藉由內部垂直導體(諸如穿矽導通體(TSV)，該等內部垂直導體係電連接個別記憶體晶粒之一堆疊與一控制器之垂直導體)連接之個別記憶體晶粒之一堆疊以便組合高效能邏輯與動態隨機存取記憶 體(DRAM)為特徵。HMC在使用較少能量傳送資料之同時實現頻寬及效率，且提供一小外觀尺寸。在一HMC之一項實施例中，控制器包括與使用TSV連接之垂直DRAM堆疊介接之一高速邏輯層。該DRAM處置資料，而該邏輯層處置HMC內之DRAM控制。
在其他實施例中，舉例而言，一HMC可實施於一多晶片模組(MCM)基板上或一矽中介層上。一MCM係一特殊化電子封裝，其中將多個積體電路(IC)、半導體晶粒或其他離散組件封裝至一統一基板上，藉此促進其作為一組件使用(例如，因此顯現為一個較大IC)。一矽中介層係介於一個連接(例如，一插口)與另一連接之間的一電介面繞線。一中介層之用途係將一連接展開至一較寬間距或將一連接重新繞線至一不同連接。
然而，一HMC中之DRAM堆疊具有比許多應用可使用之頻寬及信號計數更多的頻寬及信號計數。一HMC中之DRAM堆疊之高信號計數及高頻寬使得一具成本效益之主機介面為困難的。
100‧‧‧72位記憶體庫介面區塊/記憶體庫介面區塊
110‧‧‧命令介面區塊(CIB)
112‧‧‧觸點
120‧‧‧資料介面區塊(DIB)
122‧‧‧資料介面區塊(DIB)
124‧‧‧觸點
130‧‧‧觸點間距
132‧‧‧觸點間距
140‧‧‧長度
142‧‧‧寬度
200‧‧‧36位記憶體庫介面區塊
210‧‧‧命令介面區塊(CIB)
212‧‧‧觸點
220‧‧‧資料介面區塊(DIB)
224‧‧‧觸點
230‧‧‧觸點間距
232‧‧‧觸點間距
300‧‧‧36位記憶體庫介面區塊
310‧‧‧命令介面區塊(CIB)
312‧‧‧觸點
320‧‧‧資料介面區塊(DIB)
324‧‧‧觸點
330‧‧‧觸點間距
332‧‧‧觸點間距
340‧‧‧長度
342‧‧‧長度
350‧‧‧觸點
360‧‧‧面積
400‧‧‧彈性記憶體系統
410‧‧‧控制器
420‧‧‧72位記憶體庫介面區塊/記憶體庫介面區塊
422‧‧‧72位記憶體庫介面區塊/記憶體庫介面區塊
424‧‧‧72位記憶體庫介面區塊/記憶體庫介面區塊
430‧‧‧命令介面區塊(CIB)
440‧‧‧資料介面區塊(DIB)
450‧‧‧資料介面區塊(DIB)
460‧‧‧記憶體
470‧‧‧動態隨機存取記憶體(DRAM)超立方體/DRAM混合記憶體立方體(HMC)/記憶體庫
472‧‧‧記憶體庫
474‧‧‧記憶體庫
478‧‧‧記憶體庫
480‧‧‧記憶體庫
482‧‧‧記憶體庫
490‧‧‧記憶體庫對
492‧‧‧記憶體庫對
494‧‧‧記憶體庫對
496‧‧‧時序邏輯
498‧‧‧邏輯區塊
500‧‧‧電腦系統
510‧‧‧中央處理單元(CPU)520‧‧‧雙倍資料速率類型3(DDR類型3或簡單地DDR3)動態隨機存取記憶體(DRAM)
522‧‧‧雙倍資料速率類型3(DDR類型3或簡單地DDR3)動態隨機存取記憶體(DRAM)
530‧‧‧主要記憶體控制器
540‧‧‧高速周邊組件介面(PCI)控制器
550‧‧‧PCI-E(或加速圖形處理器(AGP))視訊配接器
552‧‧‧PCI-E(或加速圖形處理器(AGP))視訊配接器
554‧‧‧PCI-E(或加速圖形處理器(AGP))視訊配接器
560‧‧‧次要記憶體控制器
600‧‧‧電腦系統
610‧‧‧中央處理單元(CPU)
620‧‧‧彈性記憶體系統
630‧‧‧特殊應用積體電路(ASIC)
640‧‧‧記憶體庫介面區塊
650‧‧‧動態隨機存取記憶體(DRAM)超立方體
660‧‧‧高速連結
670‧‧‧高速連結
700‧‧‧彈性多晶片模組(MCM)記憶體系統/MCM記憶體系統
710‧‧‧特殊應用積體電路(ASIC)/中央處理單元(CPU)/控制器
712‧‧‧連接
720‧‧‧彈性多晶片模組(MCM)基板
722‧‧‧焊料球
730‧‧‧動態隨機存取記憶體(DRAM)/DRAM超立方體
732‧‧‧連接
736‧‧‧動態隨機存取記憶體(DRAM)晶粒/DRAM/穿矽導通體(TSV)
738‧‧‧穿矽導通體(TSV)
750‧‧‧邏輯區塊
752‧‧‧記憶體庫介面區塊
760‧‧‧記憶體庫
762‧‧‧記憶體庫
764‧‧‧自主分割區/分割區
770‧‧‧記憶體庫對
780‧‧‧介面
800‧‧‧圖
810‧‧‧彈性記憶體系統
820‧‧‧DDR3記憶體系統
830‧‧‧主機實體功率(PHY)
832‧‧‧大約1.5瓦特
834‧‧‧大約6.0瓦特
840‧‧‧DRAM功率
842‧‧‧大約2.5瓦特
844‧‧‧大約33瓦特
850‧‧‧面積
860‧‧‧面積
圖1圖解說明根據一實施例之一彈性記憶體系統之一72位記憶體庫；圖2圖解說明根據另一實施例之一彈性記憶體系統之一36位記憶體庫；圖3圖解說明根據另一實施例之一彈性記憶體系統之一36位記憶體庫；圖4圖解說明根據一實施例之一彈性記憶體系統；圖5圖解說明根據一實施例之一電腦系統之一方塊圖；圖6圖解說明另一電腦系統之一方塊圖；圖7a至圖7b圖解說明根據一實施例之一彈性記憶體系統；圖8係展示根據一實施例之功率節省之一圖；及 圖9係根據一實施例用於形成一彈性記憶體系統之一方法之一流程圖。
以下說明及圖式充分圖解說明特定實施例以使熟習此項技術者能夠實踐該等特定實施例。其他實施例可併入結構改變、邏輯改變、電改變、過程改變及其他改變。某些實施例之部分及特徵可包含於其他實施例之部分及特徵中或替代其他實施例之部分及特徵。申請專利範圍中所陳述之實施例囊括該申請專利範圍之可用等效內容。
可藉由將各記憶體庫繫結在一起(例如，在DRAM堆疊上面、在其內或在其下面)以形成具有一低觸點計數之一解決方案同時保持一低功率量變曲線來提供一彈性記憶體系統。本文中，觸點係指將一積體電路耦合至另一裝置(諸如一電路板)之引線、接針、焊料球或其他類型之互連件。因此，可互換地使用引線、接針、焊料球或其他類型之互連件。
該彈性記憶體系統提供自針對最高頻寬無繫結在一起之記憶體庫至針對一低觸點計數解決方案將可用記憶體庫繫結在一起之一系列解決方案。該低觸點計數解決方案可應用於高密度記憶體模組及低成本/低功率單晶片上系統(SOC)。圖1圖解說明根據一實施例之一彈性記憶體系統中之一控制器之一72位記憶體庫介面區塊100。72位記憶體庫介面區塊100包含一命令介面區塊(CIB)110及兩個資料介面區塊(DIB)120、122。CIB 110包含觸點112，包含用於一第一組命令信號、串列命令信號及一第二組命令信號之觸點。圖1中亦圖解說明兩個資料介面區塊(DIB)120、122。DIB 120、122中之每一者提供複數個觸點124，包含用於資料輸入/輸出(I/O)、資料匯流排及時序信號之觸點。
可將一DRAM晶粒分段成多個自主分割區，例如16個分割區，例 如，參見下文中對7A至圖7B之說明。每一分割區包含多個獨立記憶體組，例如，2至8個。每一分割區獨立於其他分割區且在正常操作期間之資料移動及命令/定址方面係自主的。記憶體庫係在使用TSV及3D整合堆疊經分割DRAM晶粒時產生之基本上垂直互連之分割區。記憶體庫對中之記憶體庫之命令介面可繫結在一起以使得一記憶體庫對共用一記憶體庫介面區塊(例如，在DRAM堆疊下面)之一共同命令介面區塊以形成具有一低觸點計數之一解決方案同時保持一低功率量變曲線。
舉例而言，考量球柵陣列，可使用現有精細間距覆晶技術且其可在具有1.35mm之長度140及1.8mm之一寬度142之一記憶體庫間距之一晶粒封裝中提供一50μm(130)×150μm(132)觸點間距。記憶體庫介面區塊100可在寬度上與有效DRAM記憶體庫間距匹配以最小化在控制器上之佔用面積。
圖2圖解說明根據另一實施例之一彈性記憶體系統中之一控制器之一36位記憶體庫介面區塊200。在圖2中，展示具有觸點212之一個命令介面區塊(CIB)210及具有觸點224之一個資料介面區塊(DIB)220。觸點由空圓圈表示。可使用現有精細間距覆晶技術在具有一適當記憶體庫間距(例如，0.9mm之一長度240及1.8mm之一寬度242)之一晶粒封裝中提供一適當觸點間距(例如，50μm(230)×150μm(232))。
圖3圖解說明根據另一實施例之一彈性記憶體系統中之一控制器之一36位記憶體庫介面區塊300。在圖3中，展示具有觸點312之一個命令介面區塊(CIB)310及具有觸點324之一個資料介面區塊(DIB)320。在圖3中所展示之實施例中，觸點場區(其係觸點位於其中之晶粒之區域)可包含6行觸點350。僅僅呈現未使用觸點以展示可使用一較大晶粒提供一36位記憶體庫。使用一150μm(330)×150μm(332) 觸點間距，36位記憶體庫介面區塊300可具有(例如)0.9mm之一長度340及(例如)1.8mm之寬度342。總觸點場區之面積360可係2.7mm2(0.9mm×3.0mm)。
圖4圖解說明根據一實施例之一彈性記憶體系統400。圖4中所展示之彈性記憶體系統400可包含具有數目n個72位記憶體庫介面區塊之一控制器410。然而，熟習此項技術者將認識到可實施替代記憶體庫介面區塊。使用八個36位記憶體庫介面區塊之成對記憶體庫將21.6mm2晶粒面積用於觸點場區(即，2.7mm2×8)。
在圖4中，控制器410包含數目n個類似於圖1中所展示之72位記憶體庫介面區塊之72位記憶體庫介面區塊420、422、424。可將如圖4中所展示之一72位記憶體庫介面區塊420、422、424實施為如圖1中所展示之記憶體庫介面區塊100。然而，熟習此項技術者將認識到可使用記憶體庫介面區塊之其他實施方案。
n個72位記憶體庫介面區塊420、422、424中之每一者可包含一命令介面區塊(CIB)430及兩個資料介面區塊(DIB)440、450。如上文所闡述，可由複數個經堆疊記憶體陣列形成記憶體庫且將其繫結在一起(例如，在DRAM堆疊下面)以形成一低觸點計數解決方案同時保持一低功率量變曲線。如上文關於圖1所展示，舉例而言，可使用現有精細間距覆晶技術在具有1.35mm之一有效記憶體庫長度及1.8mm之一寬度之一晶粒封裝中提供50μm×150μm之一觸點間距。然而，熟習此項技術者將認識到可實施替代觸點間距、長度及寬度。記憶體庫介面區塊可在寬度上與有效DRAM記憶體庫間距匹配以最小化在控制器上之佔用面積。
如圖4中所展示，在控制器410中包含n個記憶體庫介面區塊420、422、424以提供n乘以該等記憶體庫之個別長度之一總長度，例如，n×1.35mm=10.8mm
Figure 103109311-A0305-02-0007-2
11.0mm。因此，n個記憶體庫介面區塊 之總面積將為總長度乘以寬度，例如，1.8mm×11mm=19.8mm2。
圖4中亦展示記憶體460。記憶體460可包括形成一DRAM超立方體470之垂直DRAM晶粒堆疊。使用穿矽導通體(TSV)互連件(未展示，參見圖8a至圖8b)將垂直DRAM堆疊連接在一起。將DRAM超立方體470之記憶體庫472、474繫結在一起以形成記憶體庫對490。將記憶體庫476、478及記憶體庫480、482繫結在一起以分別形成記憶體庫對492、494。因此，一記憶體庫介面區塊(例如，VIB 1 420)可服務於一記憶體庫對(例如，記憶體庫對490)之兩記憶體庫(例如，記憶體庫1 472及記憶體庫2 474)。雖然前述實施例論述將若干對記憶體庫繫結在一起以共用一記憶體庫介面區塊，但實施例並不限於此，因為可將任何數目個記憶體庫繫結在一起以共用一記憶體庫介面區塊。將每一對記憶體庫繪示為共用一命令介面區塊。
DRAM混合記憶體立方體(HMC)470將記憶體提供於與一控制器相同之基板上。如上文參考圖1所闡述，舉例而言，記憶體庫介面區塊420之DIB 440、450中之每一者可提供觸點，包含用於資料輸入/輸出(I/O)、資料匯流排及時序信號之觸點。邏輯區塊498可與記憶體庫介面區塊420中之每一者相關聯。另一選擇係，可在DRAM超立方體470處提供邏輯。一ASIC(參見圖7a至圖7b)可實施與記憶體庫介面區塊420相關聯之邏輯區塊498。邏輯區塊498提供介於一主機與DRAM超立方體470之間用於處理信號之主機介面邏輯。DRAM超立方體470處置資料，而邏輯區塊498處置DRAM超立方體470之控制。舉例而言，可藉由包含時序邏輯496來減少觸點之數目。儘管圖4中單獨地展示，但該時序邏輯可包含於邏輯區塊498中。時序邏輯496可用以判定一請求是否要傳送給記憶體庫472至482中之一特定者。在某些實施例中，時序邏輯496可包括時序及晶片選擇邏輯。
可藉由相對於產生用於分別多工記憶體庫472、474、記憶體庫 476、478及記憶體庫480、482之一互連件之電力略微增加個別輸入/輸出(IO或I/O)緩衝器驅動強度而獲得一低功率解決方案。可藉由組合位址/命令匯流排與一資料線(DQ)匯流排及一標頭之使用而進一步減少信號計數。此類似於至DRAM超立方體470之一封包介面。該請求之前幾個時脈涉及一命令標頭。其後續接著一寫入命令之寫入資料。一極低觸點計數解決方案對於大模組係有用的。可透過使用多個堆疊來獲得增加之頻寬。模組之緩衝器成本及密度由至DRAM超立方體470之信號計數驅動。因此，觸點計數之一減少會減少緩衝器成本及密度。
因此，DRAM超立方體470提供用以針對一寬廣範圍之解決方案組態一主機實體層及多晶片模組(MCM)互連件之一彈性方法。可藉由不將所有記憶體庫470至782繫結在一起來提供最高頻寬，而可藉由將所有記憶體庫470至782繫結在一起來提供一低接針計數解決方案。因此，低接針計數解決方案可應用於高密度記憶體模組及低成本/低功率SOC。
圖5圖解說明根據一實施例之一電腦系統500之一方塊圖。在圖5中，一CPU 510耦合至雙倍資料速率類型3(DDR類型3或簡單地DDR3)動態隨機存取記憶體(DRAM)520、522。CPU 510亦耦合至一主要記憶體控制器530，例如，北橋(Northbridge)。主要記憶體控制器530可包含一高速周邊組件介面(PCI)控制器540並處置CPU 510、PCI-E(或加速圖形處理器(AGP))視訊配接器550、552、554與一次要記憶體控制器560之間的通信。
圖6圖解說明根據一實施例之一電腦系統600。在圖6中，CPU 610耦合至彈性記憶體系統620。該彈性記憶體系統包含一控制器(諸如實施於包含對應於記憶體庫介面區塊640之邏輯區塊之一特殊應用積體電路(ASIC)630中之一控制器)及一DRAM超立方體650。一ASIC 630可用於允許針對一特定使用之定製，而非使用供一般用途使用之一般處理器。彈性記憶體系統620可透過一高速連結660(例如，一串列化/解串列化(SERDES)資料連結)耦合至處理器核心。一高速連結670亦可用於將DRAM超立方體650耦合至ASIC 630。
圖7a至圖7b圖解說明根據一實施例之一彈性MCM記憶體系統700。在圖7a至圖7b中，一ASIC 710安裝至一MCM基板720。一DRAM超立方體730亦安裝至MCM基板720。
DRAM超立方體730可包含使用穿矽導通體(TSV)738堆疊之多個DRAM晶粒736。來自ASIC 710之連接712及DRAM超立方體730之連接732之信號流動穿過並未完全穿透MCM基板720之盲導通體。盲導通體僅行進至深到足以到達一繞線層。來自需要透過焊料球722連接至系統之ASIC或DRAM之其他信號將使用完全穿透MCM基板之導通體。MCM記憶體系統700提供一特殊化電子封裝，其中將多個積體電路(IC)、半導體晶粒或其他離散組件封裝至一統一基板上，藉此促進其作為一組件使用(例如，因此顯現為一個較大IC)。ASIC 710亦可包含對應於記憶體庫介面區塊之邏輯區塊750。邏輯區塊750可提供介於一主機(例如，圖7中之CPU 710)與DRAM超立方體730之間用於處理信號之主機介面邏輯及用於控制DRAM超立方體之控制邏輯。
在某些實施例中，可在ASIC 710處(例如，在邏輯區塊750中)實施一邏輯層之功能性。因此，DRAM超立方體730可不包含耦合至DRAM 736之垂直堆疊之一高速邏輯層。然而，在其他實施例中，DRAM超立方體730可包含耦合至DRAM 736之垂直堆疊之一高速邏輯層。
DRAM 736連同邏輯區塊750一起可處置資料及超立方體730內之DRAM控制。通過DRAM 736之TSV 738提供一高位準之同時連接。在支援高傳送速率(例如，1 Tb/s或更大)之一高度有效介面780上執行 由控制器710進行之記憶體存取。
參考圖7b，可將複數個經堆疊DRAM晶粒736中之一或多者分段成多個自主分割區764，例如16個分割區。每一分割區764包含多個獨立記憶體組，例如，2至8個。每一分割區764獨立於其他分割區且在正常操作期間之資料移動及命令/定址方面係自主的。記憶體庫760、762係在使用TSV 736堆疊經分割DRAM晶粒時產生之基本上垂直互連之分割區764。
DRAM超立方體730之記憶體庫760、762係成對的，以形成記憶體庫對770。因此，記憶體庫對770服務於控制器710之記憶體庫介面區塊1至8中之一者(例如，752)。然而，熟習此項技術者將認識到可實施不同數目個記憶體庫介面區塊。此外，舉例而言，記憶體庫區塊1至8可成對地、四個地、八個地等繫結在一起，此取決於其將耦合至的記憶體庫介面區塊之數目。
參考圖4及圖7a至圖7b，可藉由包含時序邏輯496而減少時脈信號，而不論該時序邏輯是在超立方體730中之一單獨邏輯層上還是在DRAM 736本身上(此可為在超立方體730中不包含一單獨邏輯層時之情形)。時序邏輯496可窺探並分析來自ASIC 710之時脈信號以識別係一請求之目標之一記憶體庫，例如，以判定一特定請求是否要傳送給一特定記憶體庫。舉例而言，時序邏輯496可判定一請求要傳送給記憶體庫760而非記憶體庫762。回應於識別出一目標記憶體庫，時序邏輯496啟動該目標記憶體庫以接收請求並傳回資料。因此，時序邏輯496可藉由分析時脈信號來減少時脈計數。主機介面邏輯區塊750可用於保存用於目標為一經識別記憶體庫之一時脈信號之調整時序並根據該經識別記憶體庫而調整該時脈信號。時序邏輯496係極低功率的。
圖8係展示根據一實施例之功率節省之一圖800。在圖8中，在主機實體功率(PHY)830及DRAM功率840方面比較彈性記憶體系統810 與一DDR3記憶體系統820。彈性記憶體系統810需要大約1.5瓦特832之一主機實體功率830且需要大約2.5瓦特842之一DRAM功率840。相比而言，DDR3記憶體系統820需要大約6.0瓦特834之一主機實體功率830且需要大約33瓦特844之一DRAM功率840。彈性記憶體系統810具有10mm2 850之一面積，而DDR3記憶體系統820具有21.2mm2 860之一面積。因此，彈性記憶體系統810使得能夠實施比DDR3記憶體系統820低之一觸點計數同時維持比其低之一功率量變曲線。
圖9係根據一實施例用於形成一彈性記憶體系統之一方法之一流程圖900。在方塊910處，形成一基板。在方塊920中，形成具有與一DRAM之一記憶體庫之一間距相關聯之一寬度的一介面互連件之複數個記憶體庫介面區塊。在方塊930中，將複數個記憶體庫繫結在一起以減少DRAM之一觸點計數。
以上詳細說明包含對形成該詳細說明之一部分之附圖之參考。圖式以圖解說明之方式展示可實踐之特定實施例。此等實施例在本文中亦稱為「實例」。除了所展示或所闡述之彼等元素之外，此等實例亦可包含若干元素。然而，亦預期包含所展示或所闡述之元素之實例。此外，亦預期使用關於一特定實例(或者其一或多項態樣)或關於本文中所展示或所闡述之其他實例(或者其一或多項態樣)所展示或所描述之彼等元素之任何組合或排列的實例(或者其一或多項態樣)。
此文件中所參考之公開案、專利及專利文件就像個別地以引用方式併入一樣將其全文以引用方式併入本文中。倘若本文件與彼等以引用方式如此併入之文件之間的使用不一致，則所併入之參考中之使用係對本文件之彼使用之補充；對於不可調和之不一致性，以本文件中之使用為準。
在本文件中，如在專利文件中常見，使用術語「一」或「一個」來包含一或多者，獨立於任何其他例項或「至少一個」或「一或 多個」的使用。在本文件中，使用術語「或(or)」來指代一非排他性，或以使得「A或B」包含「A但非B」、「B但非A」及「A及B」，除非另有指示。在申請專利範圍中，將術語「包含」及「其中(in which)」用作各別術語「包括」及「其中(wherein)」之普通英語等效形式。此外，在以下申請專利範圍中，術語「包含)」及「包括」係開放式的，亦即，在一請求項中除列於此術語之後的彼等元素以外亦包含若干元素之一系統、裝置、物件或過程仍被視為歸屬於彼申請專利範圍之範疇內。此外，在以下申請專利範圍中，術語「第一」、「第二」及「第三」等僅用作標籤，且不意欲暗示其物件之一數字次序。
上文說明意欲係說明性而非限制性。舉例而言，上文所闡述之實例(或者其一或多項態樣)可以彼此組合方式使用。諸如，熟習此項技術者可在審閱以上說明後使用其他實施例。摘要將允許讀者快速探知本技術發明之本質，舉例而言，以符合美國之37 C.F.R.§1.72(b)。提交本摘要係基於以下理解：其並非將用於解釋或限制本申請專利範圍之範圍或含義。此外，在以上具體實施方式中，各種特徵可分組在一起以簡化本發明。不應將一未主張之所揭示特徵解釋為對於任一請求項係必要的。而是，實施例可包含比一特定實例中所揭示之特徵少之特徵。因此，特此將以下申請專利範圍併入至具體實施方案中，其中一個別請求項獨立地作為一單獨實施例。本文中所揭示之實施例之範疇將參考隨附申請專利範圍連同此申請專利範圍被授權之等效內容之全部範疇來判定。
700‧‧‧彈性多晶片模組(MCM)記憶體系統/MCM記憶體系統
710‧‧‧特殊應用積體電路(ASIC)/中央處理單元(CPU)/控制器
712‧‧‧連接
720‧‧‧彈性多晶片模組(MCM)基板
722‧‧‧焊料球
730‧‧‧動態隨機存取記憶體(DRAM)/DRAM超立方體
732‧‧‧連接
736‧‧‧動態隨機存取記憶體(DRAM)晶粒/DRAM/穿矽導通體(TSV)
738‧‧‧穿矽導通體(TSV)
750‧‧‧邏輯區塊
752‧‧‧記憶體庫介面區塊
760‧‧‧記憶體庫
762‧‧‧記憶體庫
764‧‧‧自主分割區/分割區
770‧‧‧記憶體庫對
780‧‧‧介面

Claims (49)

  1. 一種記憶體系統，其包括：一基板；一記憶體裝置堆疊，其耦合至該基板且經組態為一定數目個記憶體庫(vault)，每一記憶體庫包含多個經堆疊記憶體裝置之分割區，每一分割區獨立於其他分隔區而操作；及一控制器，其耦合至該基板且包括一定數目個記憶體庫介面區塊，每一記憶體庫介面區塊耦合至該記憶體堆疊之多個各別記憶體庫並包含耦合至該多個各別記憶體庫之一共用命令介面，其中記憶體庫介面區塊之該數目小於記憶體庫之該數目。
  2. 如請求項1之記憶體系統，其中該數目個記憶體庫介面區塊中之至少一者之一寬度與該數目個記憶體庫中之至少一者之一間距匹配。
  3. 如請求項1之記憶體系統，其中該基板包括一矽中介層。
  4. 如請求項1之記憶體系統，其中該基板包括一有機基板。
  5. 如請求項1之記憶體系統，其中該基板包括一多晶片模組(MCM)基板。
  6. 如請求項1之記憶體系統，其中記憶體堆疊包括一定數目個垂直連接之記憶體晶粒。
  7. 如請求項1之記憶體系統，其中該記憶體堆疊包括一超立方體。
  8. 如請求項1之記憶體系統，其中該記憶體堆疊包括一DRAM記憶體堆疊。
  9. 如請求項1之記憶體系統，其中該數目個記憶體庫中之複數個記憶體庫繫結在一起。
  10. 如請求項1之記憶體系統，其中該等記憶體庫介面區塊中之每一 者進一步包括：多個資料介面區塊。
  11. 如請求項10之記憶體系統，其中該多個資料介面區塊中之每一者耦合至該數目個記憶體庫中之一各別記憶體庫對(vault pair)。
  12. 如請求項10之記憶體系統，其中該等記憶體庫介面區塊中之每一者包括兩個資料介面區塊，且其中耦合至一各別記憶體庫介面區塊之該多個各別記憶體庫係耦合至該各別記憶體庫介面區塊之該等資料介面區塊中之每一者。
  13. 如請求項12之記憶體系統，其中該數目個記憶體庫介面區塊中之每一者中之該命令介面區塊係耦合至該數目個記憶體庫中之一各別兩個記憶體庫。
  14. 如請求項1之記憶體系統，其中該數目個記憶體庫中之每一者包括各別複數個經堆疊記憶體分割區，其中該複數個記憶體分割區中之每一者位於該等經堆疊記憶體晶粒中之一各別者上。
  15. 如請求項1之記憶體系統，其中該控制器進一步包括與該數目個記憶體庫介面區塊相關聯之一定數目個邏輯區塊。
  16. 如請求項15之記憶體系統，其中該等邏輯區塊包括介於一主機與該記憶體堆疊之間用於處理信號之主機介面邏輯。
  17. 如請求項15之記憶體系統，其中該等邏輯區塊包括用於控制該記憶體堆疊之控制邏輯。
  18. 如請求項1之記憶體系統，其中該控制器包括一特殊應用積體電路。
  19. 如請求項1之記憶體系統，其中該記憶體堆疊包括時序邏輯，其經配置以分析時脈信號以判定一請求是否要傳送給該數目個記憶體庫中之一特定者。
  20. 如請求項1之記憶體系統，其中該控制器經配置以修整用於該數 目個記憶體庫中之一目標記憶體庫之一時脈信號之時序。
  21. 如請求項1之記憶體系統，其中該控制器經組態以訓練用於該數目個記憶體庫中之每一記憶體庫之時序。
  22. 如請求項1之記憶體系統，其中該控制器及該記憶體堆疊安裝至該基板。
  23. 如請求項1之記憶體系統，其中該記憶體堆疊包括時序邏輯，其經配置以分析自該控制器接收之時脈信號以識別係一請求之目標的該數目個記憶體庫中之一記憶體庫。
  24. 如請求項23之記憶體系統，其中該時序邏輯進一步經組態以回應於將該數目個記憶體庫中之該記憶體庫識別為係該請求之目標而啟動該記憶體庫。
  25. 如請求項24之記憶體系統，其中該控制器經組態以根據該經識別記憶體庫調整用於一時脈信號之時序。
  26. 如請求項24之記憶體系統，其中該控制器經組態以保存用於目標為該經識別記憶體庫之一時脈信號之時序。
  27. 如請求項1之記憶體系統，其中該數目個記憶體庫介面區塊中之每一者包含一經組合位址/命令匯流排與資料線(DQ)匯流排。
  28. 一種記憶體，其包括：一基板；及一記憶體堆疊，其耦合至該基板，該記憶體堆疊包括分段成獨立於其他分割區而操作之多個自主分割區之一定數目個記憶體晶粒；其中形成具有命令介面之複數個記憶體庫，該複數個記憶體庫中之每一者由該等獨立的分割區之一垂直互連堆疊形成，且其中該複數個記憶體庫中之至少兩者之命令介面繫結在一起以共用一記憶體庫介面區塊之一共同命令介面區塊，且其中該記 憶體庫介面區塊提供用於每一經耦合記憶體庫之單獨資料界面區塊。
  29. 如請求項28之記憶體，其中該複數個分割區中之每一者包含多個獨立記憶體組(memory bank)。
  30. 如請求項28之記憶體，其中該基板包括一矽中介層。
  31. 如請求項28之記憶體，其中該基板包括一有機基板。
  32. 如請求項28之記憶體，其中該基板包括一多晶片模組(MCM)基板。
  33. 如請求項28之記憶體，其中該記憶體堆疊包括一超立方體。
  34. 如請求項28之記憶體，其中該記憶體堆疊包括一DRAM記憶體堆疊。
  35. 如請求項28之記憶體，其中該記憶體堆疊包括時序邏輯，其經配置以分析時脈信號以判定一請求是否要傳送給該數目個記憶體庫中之一特定者。
  36. 如請求項28之記憶體，其中該記憶體堆疊包括時序邏輯，其經配置以分析所接收時脈信號以自該複數個記憶體庫識別係一請求之目標之一記憶體庫。
  37. 如請求項36之記憶體，其中該時序邏輯進一步經組態以回應於將該記憶體庫識別為係該請求之目標而啟動該目標記憶體庫。
  38. 一種記憶體系統，其包括：一記憶體堆疊，其經組態為一定數目個記憶體庫，每一記憶體庫包含獨立於其他分割區而操作之多個自主分割區；及一控制器，其耦合至該記憶體堆疊，該控制器包含一定數目個記憶體庫介面區塊，每一記憶體庫介面區塊耦合至該數目個記憶體庫中之多個各別記憶體庫，每一記憶體庫介面區塊包含耦合至該多個各別記憶體庫之一共用命令介面，且進一步包含 耦合至該多個各別記憶體庫之每一者之單獨資料介面。
  39. 如請求項38之記憶體系統，其中記憶體庫介面區塊之該數目小於記憶體庫之該數目。
  40. 如請求項38之記憶體系統，其中該數目個記憶體庫介面區塊中之至少一者之一寬度與該數目個記憶體庫中之該各別複數者之一間距匹配。
  41. 如請求項38之記憶體系統，其中該數目個記憶體庫中之該各別複數者繫結在一起。
  42. 如請求項38之記憶體系統，其中該數目個記憶體庫介面區塊中之每一者進一步包括：多個資料介面區塊。
  43. 如請求項42之記憶體系統，其中一記憶體庫介面區塊之該多個資料介面區塊中之每一者耦合至該數目個記憶體庫中之該多個各別記憶體庫。
  44. 如請求項42之記憶體系統，其中該等記憶體庫介面區塊中之每一者包括兩個資料介面區塊，且其中耦合至一各別記憶體庫介面區塊之該各別多個記憶體庫係耦合至該各別記憶體庫介面區塊之該等資料介面區塊中之每一者。
  45. 如請求項38之記憶體系統，其中該控制器進一步包括與該數目個記憶體庫介面區塊相關聯之一定數目個邏輯區塊。
  46. 如請求項45之記憶體系統，其中該等邏輯區塊包括介於一主機與該記憶體堆疊之間用於處理信號之主機介面邏輯。
  47. 如請求項45之記憶體系統，其中該等邏輯區塊包括用於控制該記憶體堆疊之控制邏輯。
  48. 如請求項38之記憶體系統，其中該控制器經配置以修整用於該數目個記憶體庫中之該各別複數個記憶體庫中之一目標記憶體 庫之一時脈信號的時序。
  49. 如請求項38之記憶體系統，其中該數目個記憶體庫介面區塊中之每一者之該命令介面包含一經組合位址/命令匯流排與資料線(DQ)匯流排。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9679615B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Micron Technology, Inc. Flexible memory system with a controller and a stack of memory
US9819345B2 (en) * 2014-10-02 2017-11-14 Altera Corporation Scalable 2.5D interface architecture
KR102338266B1 (ko) * 2015-09-15 2021-12-16 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 네트워크 및 이를 포함하는 시스템
US10403604B2 (en) * 2015-11-05 2019-09-03 Intel Corporation Stacked package assembly with voltage reference plane
US10984838B2 (en) * 2015-11-17 2021-04-20 Advanced Micro Devices, Inc. Interconnect architecture for three-dimensional processing systems
US10089178B2 (en) * 2016-02-29 2018-10-02 International Business Machines Corporation Developing an accurate dispersed storage network memory performance model through training
EP3449482A4 (en) 2016-06-27 2019-12-11 Apple Inc. STORAGE SYSTEM WITH COMBINED STORAGE HIGH DENSITY, LOW BANDWIDTH AND LOW DENSITY AND HIGH BANDWIDTH
KR102663810B1 (ko) 2016-12-30 2024-05-07 삼성전자주식회사 전자 소자 패키지
PL3812900T3 (pl) * 2016-12-31 2024-04-08 Intel Corporation Systemy, sposoby i aparaty do obliczania heterogenicznego
KR20180079811A (ko) 2017-01-02 2018-07-11 삼성전자주식회사 메모리 소자의 dq 패드를 재구성하는 방법 및 dq 패드 재구성이 가능한 메모리 장치
US11397687B2 (en) * 2017-01-25 2022-07-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Flash-integrated high bandwidth memory appliance
KR102482896B1 (ko) 2017-12-28 2022-12-30 삼성전자주식회사 이종 휘발성 메모리 칩들을 포함하는 메모리 장치 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20210046084A (ko) * 2018-09-20 2021-04-27 마이크론 테크놀로지, 인크. 적층형 메모리 라우팅 기술
KR102693213B1 (ko) * 2018-11-30 2024-08-09 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템
US11476241B2 (en) 2019-03-19 2022-10-18 Micron Technology, Inc. Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication
KR102679095B1 (ko) 2019-05-30 2024-07-01 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US11239169B1 (en) 2020-07-24 2022-02-01 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory stacks connected to processing units and associated systems and methods

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040257847A1 (en) * 2003-04-21 2004-12-23 Yoshinori Matsui Memory module and memory system
US20070291557A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-20 Elpida Memory, Inc. Stacked semiconductor device
US20070291830A1 (en) * 2006-05-26 2007-12-20 Nec Electronics Corporation Interface circuit and memory controller
US20090059641A1 (en) * 2007-08-29 2009-03-05 Jeddeloh Joe M Memory device interface methods, apparatus, and systems
US20100042889A1 (en) * 2008-08-15 2010-02-18 Micron Technology, Inc. Memory system and method using a memory device die stacked with a logic die using data encoding, and system using the memory system
US20110246746A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 Brent Keeth Apparatuses enabling concurrent communication between an interface die and a plurality of dice stacks, interleaved conductive paths in stacked devices, and methods for forming and operating the same
US20120284436A1 (en) * 2009-12-31 2012-11-08 Bryan Casper Systems, methods, and apparatuses for hybrid memory

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6617681B1 (en) 1999-06-28 2003-09-09 Intel Corporation Interposer and method of making same
JP3896112B2 (ja) * 2003-12-25 2007-03-22 エルピーダメモリ株式会社 半導体集積回路装置
EP1598868A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-23 Texas Instruments Inc. Stacked dies having shared access to memory
EP1643508B1 (en) 2004-10-01 2013-05-22 International Business Machines Corporation Non-volatile memory element with programmable resistance
US7472220B2 (en) 2006-07-31 2008-12-30 Metaram, Inc. Interface circuit system and method for performing power management operations utilizing power management signals
EP2706461A1 (en) * 2006-02-09 2014-03-12 Google Inc. Memory circuit system and method
WO2007095080A2 (en) * 2006-02-09 2007-08-23 Metaram, Inc. Memory circuit system and method
KR100772841B1 (ko) * 2006-07-28 2007-11-02 삼성전자주식회사 프로세서들간 호스트 인터페이싱 기능을 갖는 멀티패쓰억세스블 반도체 메모리 장치
KR100855586B1 (ko) * 2006-11-10 2008-09-01 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 그의 레이아웃 방법
US8139432B2 (en) * 2006-12-27 2012-03-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Variable resistance memory device and system thereof
KR100875955B1 (ko) 2007-01-25 2008-12-26 삼성전자주식회사 스택 패키지 및 그의 제조 방법
KR100887417B1 (ko) * 2007-04-11 2009-03-06 삼성전자주식회사 멀티 프로세서 시스템에서 불휘발성 메모리의 공유적사용을 제공하기 위한 멀티패쓰 억세스블 반도체 메모리장치
JP5149554B2 (ja) * 2007-07-17 2013-02-20 株式会社日立製作所 半導体装置
US7889578B2 (en) 2007-10-17 2011-02-15 Mosaid Technologies Incorporated Single-strobe operation of memory devices
US7701252B1 (en) * 2007-11-06 2010-04-20 Altera Corporation Stacked die network-on-chip for FPGA
US9229887B2 (en) 2008-02-19 2016-01-05 Micron Technology, Inc. Memory device with network on chip methods, apparatus, and systems
US7701251B1 (en) * 2008-03-06 2010-04-20 Xilinx, Inc. Methods and apparatus for implementing a stacked memory programmable integrated circuit system in package
US8060719B2 (en) 2008-05-28 2011-11-15 Micron Technology, Inc. Hybrid memory management
US7855931B2 (en) 2008-07-21 2010-12-21 Micron Technology, Inc. Memory system and method using stacked memory device dice, and system using the memory system
US7978721B2 (en) 2008-07-02 2011-07-12 Micron Technology Inc. Multi-serial interface stacked-die memory architecture
US8254191B2 (en) * 2008-10-30 2012-08-28 Micron Technology, Inc. Switched interface stacked-die memory architecture
US8683164B2 (en) 2009-02-04 2014-03-25 Micron Technology, Inc. Stacked-die memory systems and methods for training stacked-die memory systems
US8364901B2 (en) * 2009-02-13 2013-01-29 Micron Technology, Inc. Memory prefetch systems and methods
US8018752B2 (en) 2009-03-23 2011-09-13 Micron Technology, Inc. Configurable bandwidth memory devices and methods
US8966208B2 (en) * 2010-02-25 2015-02-24 Conversant Ip Management Inc. Semiconductor memory device with plural memory die and controller die
KR101728068B1 (ko) 2010-06-01 2017-04-19 삼성전자 주식회사 적층 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템, 및 관통전극 결함리페어 방법
KR101854251B1 (ko) 2010-11-30 2018-05-03 삼성전자주식회사 멀티 채널 반도체 메모리 장치 및 그를 구비하는 반도체 장치
KR20120132287A (ko) 2011-05-27 2012-12-05 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치, 반도체 메모리 패키지 및 반도체 메모리 장치의 집적도 증대 방법
US8933715B2 (en) * 2012-04-08 2015-01-13 Elm Technology Corporation Configurable vertical integration
US9679615B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Micron Technology, Inc. Flexible memory system with a controller and a stack of memory
JP5621894B2 (ja) 2013-09-11 2014-11-12 株式会社寺岡精工 携帯端末、および管理装置
KR102282971B1 (ko) * 2014-12-05 2021-07-29 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치, 및 상기 반도체 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040257847A1 (en) * 2003-04-21 2004-12-23 Yoshinori Matsui Memory module and memory system
US20070291830A1 (en) * 2006-05-26 2007-12-20 Nec Electronics Corporation Interface circuit and memory controller
US20070291557A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-20 Elpida Memory, Inc. Stacked semiconductor device
US20090059641A1 (en) * 2007-08-29 2009-03-05 Jeddeloh Joe M Memory device interface methods, apparatus, and systems
US20100042889A1 (en) * 2008-08-15 2010-02-18 Micron Technology, Inc. Memory system and method using a memory device die stacked with a logic die using data encoding, and system using the memory system
US20120284436A1 (en) * 2009-12-31 2012-11-08 Bryan Casper Systems, methods, and apparatuses for hybrid memory
US20110246746A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 Brent Keeth Apparatuses enabling concurrent communication between an interface die and a plurality of dice stacks, interleaved conductive paths in stacked devices, and methods for forming and operating the same

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