TWI681220B - 光學積層體、偏光板以及液晶顯示裝置 - Google Patents

Abstract

提供一種光學積層體；包含此種光學積層體及偏光鏡之偏光板；以及具備此種偏光板之液晶顯示裝置；其中該光學積層體係具備基材層及第一表面層，前述基材層係含有含非晶性脂環式結構的聚合物，前述第一表面層係含有含結晶性脂環式結構的聚合物。較佳是光學積層體係具有特定遲滯值，第一表面層係具有特定厚度，前述含結晶性脂環式結構的聚合物係二環戊二烯的開環聚合物之氫化物。

Description

光學積層體、偏光板以及液晶顯示裝置

本發明係有關於一種光學積層體、以及具備該光學積層體之偏光板及液晶顯示裝置。

在配戴偏光太陽眼鏡而觀看液晶顯示裝置時，有影像的明亮度大幅度地低落而無法視認影像之情形。因此，為了使配戴偏光太陽眼鏡時的影像明亮度提升，專利文獻1係提案揭示在液晶顯示裝置的偏光鏡視認側貼合1/4波長板。

又，在設置在液晶顯示裝置之偏光鏡上，係有設置偏光板保護膜用以保護偏光鏡之情形。為了活用含有脂環式結構的聚合物所具有之優異的特性，本案申請人提案揭示一種使用含有脂環式結構的聚合物之偏光板保護膜(參照專利文獻2)。

而且，含有脂環式結構的聚合物之中，已知具有結晶性之二環戊二烯的開環聚合物之氫化物係具有優異的耐藥品性(參照專利文獻3)

先前技術文獻

專利文獻

[專利文獻1]日本特許第4689769號公報(對應公報：美 國專利申請公開第2011/199561號說明書)

[專利文獻2]日本特許第4461795號公報

[專利文獻3]日本特開2013-010309號公報

考慮如專利文獻1~3所記載之技術，本發明者係嘗試使用具有結晶性之二環戊二烯的開環聚合物之氫化物，而開發具有優異的耐藥品性之偏光板保護膜。然而，在液晶顯示裝置設置具備前述的偏光板保護膜之偏光板時，清楚明白在配戴偏光太陽眼鏡而視認之影像，有產生彩虹狀顏色不均、或影像變暗致使顯示品質水準較差之情形。而且，偏光板保護膜依照其用途而使用時，會有被折彎的情形。因此偏光板保護膜，被要求具有優異的耐折彎性。

因為本發明係鑒於前述的課題而發明，其目的係提供下列：一種光學積層體，能夠使在配戴偏光太陽眼鏡而觀看時之液晶顯示裝置的顯示品質水準成為良好且具有優異的耐藥品性及耐折彎性；一種具備光學積層體之偏光板，能夠使在配戴偏光太陽眼鏡而觀看時之液晶顯示裝置的顯示品質水準成為良好且具有優異的耐藥品性及耐折彎性；以及一種具備光學積層體之液晶顯示裝置，能夠使在配戴偏光太陽眼鏡而觀看時之液晶顯示裝置的顯示品質水準成為良好且具有優異的耐藥品性及耐折彎性。

為了解決前述課題，本發明者進行專心研討。其 結果，本發明者發現組合而具備含有含非晶性脂環式結構的聚合物之基材層、及含有含結晶性脂環式結構的聚合物之第一表面層之光學積層體，能夠使配戴偏光太陽眼鏡而觀看時之液晶顯示裝置的顯示品質水準成為良好且具有優異的耐藥品性及耐折彎性，而完成了本發明。亦即，本發明係如以下。

[1]一種光學積層體，係具備基材層及第一表面層，前述基材層係含有含非晶性脂環式結構的聚合物，前述第一表面層係含有含結晶性脂環式結構的聚合物。

[2]如[1]所述之光學積層體，其中前述光學積層體的遲滯值為400nm以下，前述第一表面層的厚度為0.1μm~5.0μm。

[3]如[1]或[2]所述之光學積層體，其中前述含結晶性脂環式結構的聚合物為二環戊二烯的開環聚合物之氫化物。

[4]如[1]至[3]項中任一項所述之光學積層體，其中在波長380nm之前述光學積層體的透射率為10%以下。

[5]如[1]至[4]項中任一項所述之光學積層體，其中在前述基材層之與前述第一表面層的相反側，具備第二表面層，前述第二表面層係含有含結晶性脂環式結構的聚合物。

[6]如[1]至[5]項中任一項所述之光學積層體，其中前述光學積層體具有長條形狀，前述光學積層體的遲相軸係對前述光學積層體的長度方向不是平行亦不是垂直。

[7]如[6]所述之光學積層體，其中對前述光學積層體的長度方向之配向角為45°±5°。

[8]一種偏光板，係包含如[1]至[7]項中任一項所述之光 學積層體及偏光鏡。

[9]一種液晶顯示裝置，係具備如[8]所述之偏光板。

依照本發明，能夠提供一種光學積層體，能夠使在配戴偏光太陽眼鏡而觀看時之液晶顯示裝置的顯示品質水準成為良好且具有優異的耐藥品性及耐折彎性；一種具備光學積層體之偏光板，能夠使在配戴偏光太陽眼鏡而觀看時之液晶顯示裝置的顯示品質水準成為良好且具有優異的耐藥品性及耐折彎性；以及一種具備光學積層體之液晶顯示裝置，能夠使在配戴偏光太陽眼鏡而觀看時之液晶顯示裝置的顯示品質水準成為良好且具有優異的耐藥品性及耐折彎性。

用以實施發明之形態

以下，揭示實施形態及例示物而詳細地說明本發明。但是、本發明係不被以下所揭示的實施形態及例示物限定，在不脫離本申請案的申請專利範圍及其均等範圍之範圍，能夠任意地變更而實施。

在以下的說明，只要未預先告知，遲滯值就表示面內遲滯值。又，只要未預先告知，某薄膜的面內遲滯值係Re=(nx-ny)×d表示之值。在此，nx係表示在對前述薄膜的厚度方向為垂直的方向(面內方向)且提供最大折射率之方向的折射率。ny係表示在對前述薄膜的面內方向且對nx的方向為垂 直的方向之折射率。d係表示前述薄膜的厚度。只要未預先告知，測定波長為550nm。

在以下的說明，只要未預先告知，所謂薄膜的遲相軸，係表示在該薄膜的面內之遲相軸。

在以下的說明，只要未預先告知，所謂「1/4波長板」及「偏光板」，不僅是剛直的構件，亦包含例如樹脂製的薄膜之具備可撓性之構件。

在以下的說明，所謂「具有長條形狀」之薄膜，係指具有對其寬度為5倍以上、較佳為10倍以上的長度之薄膜，具體而言，係指具有能夠被捲取成為捲物狀而保管或搬運程度的長度之薄膜。

在以下的說明，只要未預先告知，所謂要素的方向為「平行」及「垂直」，係在不損害本發明的效果之範圍內，亦可以包含例如在±5°、較佳為±3°、更佳為±1°的範圍內的誤差。

[1.光學積層體]

[1.1.光學積層體的概要]

本發明的光學積層體係具備基材層及第一表面層之複層結構的薄膜。又，本發明的光學積層體，係以在基材層中，第一表面層的相反側具備第二表面層為佳。因而，本發明的光學積層體，較佳是依照以下的順序具備第一表面層、基材層及第二表面層。

[1.2.基材層]

基材層係含有含非晶性脂環式結構的聚合物。因而，基材 層係通常由含有含非晶性脂環式結構的聚合物之樹脂所構成之樹脂層。以下，有將含非晶性脂環式結構的聚合物適當地稱為「非晶性脂環結構聚合物」之情形。又，有將含有非晶性脂環結構聚合物之樹脂簡短地稱為「非晶性樹脂」之情形。前述的非晶性樹脂係通常為熱可塑性樹脂。在本發明所使用之非晶性脂環結構聚合物，係非晶性之不具有熔點的聚合物[亦即，無法得到藉由差示掃描熱量計(DSC)觀測熔點]。

非晶性脂環結構聚合物，係其聚合物的結構單元為含有脂環式結構之非晶性聚合物。非晶性脂環結構聚合物係通常具有優異的耐濕熱性。因此，藉由使用非晶性脂環結構聚合物，能夠使光學積層體的耐濕熱性良好。

非晶性脂環結構聚合物，係可以在主鏈具有脂環式結構，亦可以在側鏈具有脂環式結構。尤其是從機械強度及耐熱性的觀點而言，以在主鏈含有脂環式結構的聚合物為佳。

作為脂環式結構，例如可舉出飽和脂環式烴(環烷)結構、不飽和脂環式烴(環烯、環炔)結構等。尤其是從機械強度及耐熱性的觀點而言，係以環烷結構及環烯結構為佳，尤其是以環烷結構為特佳。

構成脂環式結構之碳原子數，每1個脂環式結構以4個以上為佳，較佳為5個以上，以30個以下為佳，較佳為20個以下，特佳為15個以下的範圍。藉由使構成脂環式結構之碳原子數成為該範圍，非晶性樹脂的機械強度、耐熱性、及成形性能夠高度地平衡。

在非晶性脂環結構聚合物，具有脂環式結構之結 構單元的比率，係能夠按照使用目的而適當地選擇。在非晶性脂環結構聚合物之具有脂環式結構之結構單元的比例，較佳為55重量%以上，更佳為70重量%以上，特佳為90重量%以上。在非晶性脂環結構聚合物之具有脂環式結構之結構單元的比率為該範圍時，含有非晶性脂環結構聚合物之非晶性樹脂的透明性及耐熱性變為良好。

作為非晶性脂環結構聚合物，例如可舉出降莰烯系聚合物、單環的環狀烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物、乙烯基脂環式烴聚合物、及該等氫化物。該等之中，因為透明性及成形性良好，以降莰烯系聚合物為較佳。

作為降莰烯系聚合物的例如可舉出具有降莰烯構造之單體的開環聚合物及其氫化物；具有降莰烯構造之單體的加成聚合物及其氫化物。又，作為具有降莰烯構造之單體的開環聚合物的例子，可舉出具有降莰烯構造之1種類的單體的開環同元聚合物、具有降莰烯構造之2種類以上的單體的開環共聚物、以及具有降莰烯構造之單體和能夠與其共聚合之任意單體的開環共聚物。而且，作為具有降莰烯構造之單體的加成聚合物的例子，可舉出具有降莰烯構造之1種類的單體的加成同元聚合物、具有降莰烯構造之2種類以上的單體的加成共聚物、以及具有降莰烯構造之單體和能夠與其共聚合之任意單體的加成共聚物。該等之中，從成形性、耐熱性、低吸濕性、尺寸安定性、輕量性等的觀點而言，以具有降莰烯構造之單體的開環聚合物之氫化物為特佳。

作為具有降莰烯構造之單體，例如能夠舉出雙環 [2.2.1]庚-2-烯(慣用名：降莰烯)、三環[4.3.0.1^2,5]癸-3,7-二烯(慣用名：二環戊二烯)、7,8-苯並並三環[4.3.0.1^2,5]癸-3-烯(慣用名：亞甲基四氫茀)、四環[4.4.0.1^2,5.1^7,10]十二-3-烯(慣用名：四環十二烯)、及該等化合物的衍生物(例如在環具有取代基者)等。在此，作為取代基，例如能夠舉出烷基、伸烷基、極性基等。該等取代基可為相同或不同，且亦可為複數個與環鍵結。具有降莰烯構造之單體可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。

作為極性基的種類，例如，可舉出雜原子、或具有雜原子之原子團等。作為雜原子，例如可舉出氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、鹵素等原子。作為極性基的具體例，可舉出羧基、羰氧基羰(carbonyloxy carbonyl)基、環氧基、羥基、氧基、酯基、矽烷醇基、矽烷基、胺基、腈基、磺酸(sulfone)基等。

作為能夠與具有降莰烯構造之單體開環共聚合的單體，例如可舉出環已烯、環庚烯、環辛烯等的單環狀烯烴類及其衍生物；環己二烯、環庚二烯等的環狀共軛二烯及其衍生物等。能夠與具有降莰烯構造之單體開環共聚合的單體，可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

具有降莰烯構造之單體之開環聚合物，例如能夠藉由在開環聚合觸媒的存在下，使單體進行聚合或共聚合而製造。

作為能夠與具有降莰烯構造之單體加成共聚合的單體，例如可舉出乙烯、丙烯、1-丁烯等碳原子數2~20的α- 烯烴及該等的衍生物；環丁烯、環戊烯、環已烯等的環烯烴及該等的衍生物；1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯等的非共軛二烯等。該等之中，以α-烯烴為佳，以乙烯為較佳。又，能夠與具有降莰烯構造之單體加成共聚合的單體，可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。

具有降莰烯構造之單體的加成聚合物，例如能夠藉由在加成聚合觸媒的存在下，使單體進行聚合或共聚合而製造。

上述開環聚合物及加成聚合物的氫化物，例如能夠藉由在開環聚合物及加成聚合物的溶液，在含有鎳、鈀等過渡金屬之氫化觸媒的存在下，較佳是將碳-碳不飽和鍵氫化90%以上而製造。

降莰烯系聚合物之中，具有X：雙環[3.3.0]辛烷-2,4-二基-乙烯結構、及Y：三環[4.3.0.1^2,5]癸烷-7,9-二基-乙烯結構作為結構單元，該等結構單元的量，係相對於降莰烯系聚合物的結構單元全體為90重量%以上，而且X的比例與Y的比例之比，係X：Y的重量比，以100：0~40：60為佳。藉由使用此種聚合物，能夠使含有該降莰烯系聚合物之基材層，成為長期間無尺寸變化且具有優異的光學特性安定性者。

非晶性脂環結構聚合物的重量平均分子量(Mw)，係以10,000以上為佳，較佳為15,000以上，特佳為20,000以上，以100,000以下為佳，較佳為80,000以下，特佳為50,000以下。重量平均分子量在此種範圍時，含有非晶性脂環結構聚合物之基材層的機械強度及成型加工性係能夠高度地平衡。

非晶性脂環結構聚合物的分子量分布(重量平均分子量(Mw)/數量平均分子量(Mn))，係以1.2以上為佳，較佳為1.5以上，特佳為1.8以上，以3.5以下為佳，較佳為3.0以下，特佳為2.7以下。藉由使分子量分布成為前述範圍的下限值以上，能夠提高聚合物的生產性且抑制製造成本。又，藉由成為上限值以下，因為低分子成分的量變少，能夠抑制曝露於高溫時的軟化，而提高含有非晶性脂環結構聚合物之基材層的安定性。

前述重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)，係能夠藉由使用環己烷作為溶劑(但是試料不溶解在環己烷時，亦可使用甲苯)之凝膠滲透層析法，以聚異戊二烯或聚苯乙烯換算的重量平均分子量之方式測定。

非晶性脂環結構聚合物的玻璃轉移溫度，係以100℃以上為佳，較佳為110℃以上，特佳為120℃以上，以160℃以下為佳，較佳為150℃以下，特佳為140℃以下。藉由使非晶性脂環結構聚合物的玻璃轉移溫度成為前述範圍的下限值以上，能夠提高在高溫環境下之光學積層體的耐久性，藉由成為前述範圍的上限值以下，能夠容易地進行光學積層體的延伸處理。

非晶性脂環結構聚合物的飽和吸水率，係較佳為0.03重量%以下，更佳為0.02重量%以下，特佳為0.01重量%以下。飽和吸水率為前述範圍時，能夠減小含有非晶性脂環結構聚合物之基材層的遲滯值等光學特性隨時間經過的變化。又，能夠抑制具有光學積層體之偏光板及液晶顯示裝置產生劣 化，而且能夠長期間良好地保持液晶顯示裝置的顯示安定性。

飽和吸水率，係表示將試料在一定溫度的水中浸漬一定時間而增加的質量，以相對於試片浸漬前的質量之百分率表示之值。通常能夠在23℃的水中浸漬24小時而測定。聚合物的飽和吸水率，例如能夠藉由使聚合物中的極性基的量減少，而調節在前述範圍。因此，從使飽和吸水率較低的觀點而言，非晶性脂環結構聚合物係以不具有極性基為佳。

在非晶性樹脂之非晶性脂環結構聚合物的量，係以80.0重量%以上為佳，較佳為85.0重量%以上，特佳為90.0重量%以上，以99.0重量%以下為佳，較佳為97.0重量%以下，特佳為95.0重量%以下。藉由使非晶性脂環結構聚合物的量落入前述範圍，能夠提高具備光學積層體之偏光板在加濕條件下的耐久性。

基材層係以含有紫外線吸收劑為佳。因而，形成基材層之非晶性樹脂，係以含有紫外線吸收劑為佳。藉由使用紫外線吸收劑，因為能夠抑制在具備光學積層體之偏光板所含有的有機成分因紫外線而產生劣化，所以能夠使偏光板的耐久性提升。而且，能夠抑制液晶顯示裝置的液晶面板因紫外線而產生劣化。例如使用光學積層體，能夠抑制因外光所含有的紫外線引起液晶面板產生劣化。又，例如，液晶顯示裝置的製造方法，係包含使用紫外線硬化性接著劑接著任意構件的步驟之情形。此時，使用光學積層體，能夠抑制用以使接著劑硬化之紫外線引起液晶面板產生劣化。

作為紫外線吸收劑，能夠使用可吸收紫外線之化 合物。作為紫外線球種劑的例子，可舉出三嗪系紫外線吸收劑、二苯基甲酮系紫外線吸收劑、苯並並三唑系紫外線吸收劑、丙烯腈系紫外線吸收劑等的有機紫外線吸收劑。

作為三嗪系紫外線吸收劑，例如能夠適合使用具有1,3,5-三嗪環之化合物。作為三嗪系紫外線吸收劑的具體例，可舉出2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-5-[己氧基]-苯酚、2,4-雙(2-羥基-4-丁氧基苯基)-6-(2,4-二丁氧基苯基)-1,3,5-三嗪等。

作為苯並並三唑(benzotriazole)系紫外線吸收劑，例如可舉出2,2’-亞甲基雙[4-(1,1,3,3-四甲基丁基)-6-(2H-苯並並三唑-2-基)苯酚]、2-(3,5-二-第三丁基-2-羥苯基)-5-氯苯並並三唑、2-(2H-苯並並三唑-2-基)-對甲酚、2-(2H-苯並並三唑-2-基)-4,6-雙(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚、2-苯並三唑-2-基-4,6-二-第三丁基苯酚、2-[5-氯(2H)-苯並三唑-2-基]-4-甲基-6-(第三丁基)苯酚、2-(2H-苯並三唑-2-基)-4,6-二-第三丁基苯酚、2-(2H-苯並三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯並三唑-2-基)-4-甲基-6-(3,4,5,6-四氫酞醯亞胺基甲基)苯酚、甲基3-(3-(2H-苯並三唑-2-基)-5-第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯/聚乙二醇300的反應生成物、2-(2H-苯並三唑-2-基)-6-(直鏈及側鏈十二基)-4-甲基苯酚等。

紫外線吸收劑可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。

在非晶性樹脂之紫外線吸收劑的量，係以1.0重量%以上為佳，較佳為3.0重量%以上，特佳為5.0重量%以上， 以20.0重量%以下為佳，較佳為15.0重量%以下，特佳為10.0重量%以下。藉由使紫外線吸收劑的量成為前述範圍的下限值以上，能夠有效地提高具備光學積層體之偏光板對紫外線等光線之耐久性，藉由成為前述範圍的上限值以下，能夠提高具備光學積層體之偏光板的透射率。為了使光學積層體在波長380nm之透射率成為適當的範圍，可以按照基材層的厚度而適當地調整紫外線吸收劑的量。

含有紫外線吸收劑之非晶性樹脂的製造方法係任意，例如可舉出在使用熔融擠製法製造積層體前，將紫外線吸收劑與非晶性脂環結構聚合物混合之方法；使用高濃度地含有紫外線吸收劑的母料之方法；在使用熔融擠製法製造積層體時，將紫外線吸收劑與非晶性脂環結構聚合物混合之方法等。

非晶性樹脂係除了非晶性脂環結構聚合物及紫外線吸收劑以外，能夠進一步含有任意成分。作為任意成分，例如可舉出顏料、染料等的著色劑；可塑劑；螢光增白劑；分散劑；熱安定劑；光安定劑；抗靜電劑；抗氧化劑；界面活性劑等的調配劑。任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上而使用。

基材層的厚度，係以1.0μm以上為佳，較佳為5.0μm以上，特佳為7.0μm以上，以45μm以下為佳，較佳為35μm以下，特佳為30μm以下。藉由使基材層的厚度成為前述範圍的下限值以上，能夠設計紫外線吸收劑的比例，使其相對於基材層的比例為較低，藉由成為前述範圍的上限值以下，能夠提高光學積層體的機械特性。

在此，在光學積層體所包含的基材層及表面層(第一表面層及第二表面層)等各層的厚度，係能夠使用以下的方法來測定。

使用環氧樹脂將光學積層體埋封而準備試料片。使用薄切片機將該試料片切片成為厚度0.05μm。隨後，藉由使用顯微鏡觀察因切片而顯現的剖面，而能夠測定在光學積層體所包含的各層之厚度。

又，光學積層體為長條形狀，而且，基材層具有遲相軸時，該基材層的遲相軸較佳是對光學積層體的長度方向不是平行亦不是垂直之傾斜方向。特別是基材層對光學積層體的長度方向之配向角θ，係以45°±5°為佳。在此，前述的配向角θ係表示遲相軸相對於光學積層體的長度方向所構成之角度。更詳言之，前述基材層的配向角θ係以40°以上為佳，較佳為43°以上，特佳為44°以上，以50°以下為佳，較佳為47°以下，特佳為46°以下。藉此，在將光學積層體與偏光鏡貼合而製造偏光板時，能夠容易地調整光學積層體的遲相軸與偏光鏡的偏光透射軸之角度。

[1.3.第一表面層]

第一表面層係含有含結晶性脂環式結構的聚合物。因而，第一表面層係通常由含有含結晶性脂環式結構的聚合物之樹脂所構成之樹脂層。以下，有將含結晶性脂環式結構的聚合物簡短地稱為「結晶性脂環結構聚合物」之情形。又，有將含有結晶性脂環結構聚合物的樹脂簡短地稱為「結晶性樹脂」之情形。前述的結晶性樹脂，係通常為熱可塑性樹脂。

結晶性脂環結構聚合物，係在分子內具有脂環式結構之結晶性聚合物，例如可舉出將環狀烯烴使用作為單體，藉由聚合反應而能夠得到之聚合物或其氫化物。結晶性脂環結構聚合物係具有優異的耐藥品性及機械強度，而且通常係具有優異的耐熱性。

結晶性脂環結構聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種類以上而使用。

作為結晶性脂環結構聚合物所具有之脂環式結構，例如可舉出環烷結構及環烯結構。該等之中，因為容易得到具有優異的熱安定性等特性之光學積層體，以環烷結構為佳。1個脂環式結構所含有的碳原子的數目，係以4個以上為佳，較佳為5個以上，以30個以下為佳，較佳為20個以下，特佳為15個以下。藉由1個脂環式結構所包含的碳原子的數目在上述範圍內，機械強度、耐熱性、及成形性能夠高度地平衡。

在結晶性脂環結構聚合物，相對於相對於全部結構單元，具有脂環式結構之結構單元的比例係以30重量%以上為佳，較佳為50重量%以上，特佳為70重量%以上。藉由將在結晶性脂環結構聚合物之具有脂環式結構之結構單元的比例如前述地增多，能夠提高耐熱性。

又，在結晶性脂環結構聚合物，具有脂環式結構之結構單元以外的剩餘部分，係沒有特別的限定，能夠按照使用目的而適當地選擇。

結晶性脂環結構聚合物係具有結晶性之聚合物。 在此，所謂「具有結晶性之聚合物」，係指具有熔點[亦即，能夠使用差示掃描熱量計(DSC)觀測熔點]之聚合物。結晶性脂環結構聚合物的熔點，係以200℃以上為佳，較佳為230℃以上，以290℃以下為佳。藉由使用具有此種熔點之結晶性脂環結構聚合物，能夠得到具有更優異的成形性與耐熱性之平衡之光學積層體。

結晶性脂環結構聚合物的重量平均分子量(Mw)，係以1,000以上為佳，較佳為2,000以上，以1,000,000以下為佳，較佳為500,000以下。具有此種重量平均分子量之結晶性脂環結構聚合物，係具有優異的成形加工性與耐熱性之平衡。

結晶性脂環構造聚合物的分子量分布(Mw/Mn)，係以1.0以上為佳，較佳為1.5以上，以4.0以下為佳，較佳為3.5以下。具有此種分子量分布之結晶性脂環結構聚合物，係具有優異的成形加工性。

結晶性脂環結構聚合物的重量平均分子量(Mw)及分子量分布(Mw/Mn)，係能夠藉由使用四氫呋喃作為展開溶劑之凝膠滲透層析法(GPC)，以聚苯乙烯換算值的方式測定。

結晶性脂環結構聚合物的玻璃轉移溫度Tg係沒有特別限定，通常為85℃以上且170℃以下的範圍。

作為前述的結晶性脂環結構聚合物，例如可舉出下述的聚合物(α)~聚合物(δ)。該等之中，因為容易得到具有優異的耐熱性之光學積層體，作為結晶性脂環結構聚合物，係以聚合物(β)為佳。

聚合物(α)：環狀烯烴單體的開環聚合物且具有結晶性者。

聚合物(β)：聚合物(α)的氫化物且具有結晶性者。

聚合物(γ)：環狀烯烴單體的加成聚合物且具有結晶性者。

聚合物(δ)：聚合物(γ)的氫化物等且具有結晶性者。

具體而言，作為結晶性脂環結構聚合物，係以二環戊二烯的開環聚合物且具有結晶性者、及二環戊二烯的開環聚合物的氫化物且具有結晶性者較佳，以二環戊二烯的開環聚合物的氫化物且具有結晶性者為特佳。在此，所謂二環戊二烯的開環聚合物，係指相對於總結構單元，源自二環戊二烯的結構單元之比例，通常為50重量%以上，以70重量%以上為佳，較佳為90重量%以上，更佳為100重量%的聚合物。

以下，說明聚合物(α)及聚合物(β)的製造方法。

在製造聚合物(α)及聚合物(β)能夠使用的環狀烯烴單體，係具有由碳原子所形成的環結構且在該環中具有碳-碳雙鍵之化合物。作為環狀烯烴單體的例子，可舉出降莰烯系單體等。又，聚合物(α)為共聚物時，亦可使用單環的環狀烯烴作為環狀烯烴單體。

降莰烯系單體係含有降莰烯環之單體。作為降莰烯系單體，例如，可舉出雙環[2.2.1]庚-2-烯(慣用名：降莰烯)、5-亞乙基-雙環[2.2.1]庚-2-烯(慣用名：亞乙基降莰烯)及其衍生物(例如，在環具有取代基者)等的2環式單體；三環[4.3.0.1^2,5]癸-3,7-二烯(慣用名：二環戊二烯)及其衍生物等的3環式單體；7,8-苯並三環[4.3.0.1^2,5]癸-3-烯(慣用名：亞甲基四氫茀：亦稱為1,4-亞甲基-1,4,4a,9a-四氫茀)及其衍生物、四環[4.4.0.1^2,5.1^7,10]十二-3-烯(慣用名：四環十二烯)、8-亞乙基四 環[4.4.0.1^2,5.1^7,10]-3-十二烯及其衍生物等的4環式單體等。

作為在前述單體之取代基，例如，可舉出甲基、乙基等的烷基；乙烯基等的烯基；丙烷-2-亞基等的亞烷基；苯基等的芳基；羥基；酸酐基；羧基；甲氧基羰基等的烷氧基羰基等。又，前述的取代基係可單獨具有1種，亦可以任意比例具有2種以上。

作為單環的環狀烯烴，例如可舉出環丁烯、環戊烯、甲基環戊烯、環已烯、甲基環已烯、環庚烯、環辛烯等的環狀一烯烴；環己二烯、甲基環己二烯、環辛二烯、甲基環辛二烯、苯基環辛二烯等的環狀二烯烴等。

環狀烯烴單體係可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上而使用。使用2種以上的環狀烯烴單體時，聚合物(α)可為嵌段共聚物(block copolymer)，亦可為無規共聚物(random copolymer)。

環狀烯烴單體，能夠是存在內型異構物(endo isomer)及外型異構物(exo isomer)之立體異構物者。作為環狀烯烴單體，可使用內型異構物及外型異構物的任一者。又，可以只單獨使用內型異構物及外型異構物之中一方的異構物；亦可以任意比例使用含有內型異構物及外型異構物之異構物混合物。尤其是因為環狀烯烴聚合物的結晶性提高，容易得到具有較優異的雙折射及耐熱性之相位差板，以提高一方的立體異構物之比例為佳。例如，內型異構物或外型異構物的比率，係以80%以上為佳，較佳為90%以上，更佳為95%以上。又，因為合成容易，所以內型異構物的比率高者為佳。

聚合物(α)及聚合物(β)，係通常藉由提高其間規(syndiotactic)立體規則性程度(外消旋二單元組的比率)，而能夠提高結晶性。從提高聚合物(α)及聚合物(β)的立體規則性程度之觀點而言，針對聚合物(α)及聚合物(β)的結構單元之外消旋二單元組的比率，係以51%以上為佳，較佳為60%以上，特佳為70%以上。

外消旋二單元組的比率，係能夠藉由¹³C-NMR光譜分析來測定。具體而言，係能夠使用下述的方法來測定。

以鄰二氯苯-d⁴作為溶劑，在200℃應用反轉門控去耦(inverse-gated decoupling)法而進行測定聚合物試料的¹³C-NMR。從該¹³C-NMR測定之結果，將鄰二氯苯-d⁴的127.5ppm的尖峰作為基準位移，基於源自內消旋二單元組(meso diad)的43.35ppm的信號、與源自外消旋二單元組的43.43ppm的信號之強度比，而能夠求取聚合物試料之外消旋二單元組的比例。

聚合物(α)的合成，通常係使用開環聚合觸媒。開環聚合觸媒可單獨使用1種類，亦可以任意比例組合2種類以上而使用。作為此種聚合物(α)的合成用開環聚合觸媒，係以使環狀烯烴單體開環聚合，而能夠生成具有間規立體規則性之開環聚合物者為佳。作為較佳開環聚合觸媒，可舉出含有下述式(1)表示之金屬化合物者。

M(NR¹)X_4-a(OR²)_a．L_b (1)

(在式(1)，M係表示選自由周期表第6族的過渡金屬原子所組成群組 之金屬原子，R¹係在第3位、第4位及第5位的至少1個位置可具有取代基之苯基、或-CH₂R³(R³係表示選自由氫原子、可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基所組成群組之基)表示之基，R²係表示自由可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基所組成群組之基，X係表示選自由鹵素原子、可具有取代基之烷基、可具有取代基之芳基、及烷基矽烷基所組成群組之基，L係表示電子供給性的中性配位體，a係表示0或1的數目，b係表示0~2的整數)。

在式(1)，M係表示選自由周期表第6族的過渡金屬原子所組成群組之金屬原子。M係以鉻、鉬及鎢為佳，以鉬及鎢為較佳，以鎢為特佳。

在式(1)，R¹係表示在第3位、第4位及第5位的至少1個位置可具有取代基之苯基、或-CH₂R³表示之基。

在R¹的第3位、第4位及第5位的至少1個位置可具有取代基之苯基的碳原子數，係以6~20為佳，較佳為6~15。又，作為前述取代基，例如可舉出甲基、乙基等的烷基；氟原子、氯原子、溴原子等的鹵素原子；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等的烷氧基等。該等取代基係可單獨具有1種，亦可以任意比例具有2種以上。而且，在R¹，在第3位、第4位及第5位的至少2個位置所存在的取代基，亦可互相鍵結而形成環結構。

作為在第3位、第4位及第5位的至少1個位置 可具有取代基之苯基，例如可舉出未取代之苯基；4-甲基苯基、4-氯苯基、3-甲氧基苯基、4-環己基苯基、4-甲氧基苯基等的取代苯基；3,5-二甲基苯基、3,5-二氯苯基、3,4-二甲基苯基、3,5-二甲氧基苯基等的二取代苯基；3,4,5-三甲基苯基、3,4,5-三氯苯基等的三取代苯基；2-萘基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-2-萘基等的可具有取代基之2-萘基等。

在R¹的-CH₂R³表示之基，R³係表示選自由氫原子、可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基所組成群組之基。

R³之可具有取代基之烷基的碳原子數，係以1~20為佳，較佳為1~10。該烷基可為直鏈狀，亦可為分枝狀。而且，作為前述取代基，例如可舉出苯基、4-甲基苯基等的可具有取代基之苯基；甲氧基、乙氧基等的烷氧基等。該等取代基係可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上而使用。

作為R³可具有取代基之烷基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、苄基、新苯基等。

R³之可具有取代基之芳基的碳原子數，係以6~20為佳，較佳為6~15。而且，作為前述取代基，例如可舉出甲基、乙基等的烷基；氟原子、氯原子、溴原子等的鹵素原子；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等的烷氧基等。該等取代基係可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上而使用。

作為R³之可具有取代基之芳基，例如可舉出苯基、1-萘基、2-萘基、4-甲基苯基、2,6-二甲基苯基等。

該等之中，作為以R³表示之基，係以碳原子數為1~20的烷基為佳。

在式(1)，R²係選自由可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基所組成群組之基。作為R²之可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基，係各自能夠任意地從已揭示範圍中，選擇使用作為R³之可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基。

在式(1)，X係表示選自由鹵素原子、可具有取代基之烷基、可具有取代基之芳基、及烷基矽烷基所組成群組之基。

作為X的鹵素原子，例如可舉出氯原子、溴原子、碘原子。

作為X之可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基，係各自能夠任意地從已揭示範圍中，選擇使用作為R³之可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基。

作為X的烷基矽烷基，係例如可舉出三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基等。

式(1)表示的金屬化合物係在1分子中具有2個以上的X時，該等X可互相相同，亦可不同。而且，2個以上的X亦可互相鍵結而形成環結構。

在式(1)，L係表示電子供給性的中性配位體。

作為L的電子供給性的中性配位體，例如可舉出含有周期表第14族或第15族的原子之電子供給性化合物。作為其具體例，可舉出三甲基膦、三異丙基膦、三環己基膦、三苯基膦等的膦類；二乙醚、二丁醚、1,2-二甲氧基乙烷、四氫呋喃等的 醚類；三甲胺、三乙胺、吡啶、二甲基吡啶(lutidine)等的胺類等。該等之中，以醚類為佳。又，式(I)表示之金屬化合物係在1分子中具有2個以上的L時，該等的L可互相相同，亦可不同。

作為式(1)表示的金屬化合物，係以具有苯基醯亞胺基之鎢化合物為佳。亦即，在式(1)，M為鎢原子，而且，R¹係以苯基之化合物為佳。而且，其中以四氯鎢苯基醯亞胺(四氫呋喃)錯合物為較佳。

式(1)表示之金屬化合物的製造方法係沒有特別限定。例如，如在特開平5-345817號公報所記載，將第6族過渡金屬的鹵氧化物(oxyhalogenide)；在第3位、第4位及第5位的至少1個位置亦可具有取代基之異氰酸苯酯類或一取代異氰酸甲酯類；電子供給性的中性配位體(L)；以及必要時，醇類、金屬烷氧化物及金屬芳氧化物；進行混合而製造式(1)表示之金屬化合物。

在前述的製造方法，式(1)表示之金屬化合物，係通常在含有反應液的狀態下得到。製造金屬化合物後，可以將前述的反應液直接使用作為開環聚合反應的觸媒液。又，亦可藉由結晶化等的精製處理，將金屬化合物從反應液分離及精製後，將所得到的金屬化合物供給至開環聚合反應。

開環聚合觸媒，可單獨使用式(1)表示之金屬化合物，亦可將式(1)表示之金屬化合物與其它成分組合而使用。例如，藉由將式(1)表示之金屬化合物與有機金屬還原劑組合而使用，能夠使聚合活性提升。

作為有機金屬還原劑，例如可舉出具有碳原子數1~20的烴基之周期律表第1族、第2族、第12族、第13族或14族的有機金屬化合物。作為此種有機金屬化合物，例如，可舉出甲基鋰、正丁基鋰、苯基鋰等的有機鋰；丁基乙基鎂、丁基辛基鎂、二己基鎂、氯化乙基鎂、氯化正丁基鎂、溴化烯丙基鎂等的有機鎂；二甲基鋅、二乙基鋅、二苯基鋅等的有機鋅；三甲基鋁、三乙基鋁、三異丁基鋁、氯化二乙基鋁、乙基三氯化二鋁(Ethylaluminium sesquichloride)、二氯化乙基鋁、乙氧化二乙基鋁、異丁氧化二異丁基鋁、二乙氧化乙基鋁、二異丁氧化異丁基鋁等的有機鋁；四甲基錫、四(正丁基)錫、四苯基錫等的有機錫等。該等之中，以有機鋁或有機錫為佳。又，有機金屬還原劑可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上而使用。

開環聚合反應係通常能夠在有機溶劑中進行。有機溶劑係能夠使用在預定的條件下能夠使開環聚合物及其氫化物溶解或分散，而且不阻礙開環聚合反應及氫化反應者。作為此種有機溶劑，例如可舉出戊烷、己烷、庚烷等的脂肪族烴溶劑；環戊烷、環己烷、甲基環己烷、二甲基環己烷、三甲基環己烷、乙基環己烷、二乙基環己烷、十氫化萘(decahydronaphthalene)、雙環庚烷、三環癸烷、六氫

(hexahydroindene)、環辛烷等的脂環族烴溶劑；苯、甲苯、二甲苯等的芳香族烴溶劑；二氯甲烷、氯仿、1,2-二氯乙烷等的鹵素系脂肪族烴溶劑；氯苯、二氯苯等的鹵素系芳香族烴溶劑；硝基甲烷、硝基苯、乙腈等的含氮烴溶劑；二乙醚、四氫 呋喃等的醚溶劑；組合該等而成之混合溶劑等。該等之中，作為有機溶劑，係以芳香族烴溶劑、脂肪族烴溶劑、脂環族烴溶劑、醚溶劑為佳。又，有機溶劑係可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上而使用。

開環聚合反應係例如能夠藉由將環狀烯烴單體、式(1)表示之金屬化合物、按照必要之有機金屬還原劑進行混合來開始。混合該等成分之順序係沒有特別限定。例如可以在含有環狀烯烴單體之溶液，混合含有式(1)表示的金屬化合物及有機金屬還原劑之溶液。又，亦可以在含有有機金屬還原劑之溶液，混合含有環狀烯烴單體及式(1)表示的金屬化合物之溶液。而且，亦可以在含有環狀烯烴單體及有機金屬還原劑之溶液，混合式(1)表示的金屬化合物之溶液。將各成分混合時，可將各自的成分總量一次混合，亦可分成複數次而混合。又，亦可經過比較長的時間(例如1分鐘以上)而連續地進行混合。

在開環聚合反應開始時之反應夜中的環狀烯烴單體濃度，以1重量%以上為佳，較佳為2重量%以上，特佳為3重量%以上，以50重量%以下為佳，較佳為45重量%以下，特佳為40重量%以下。藉由使環狀烯烴單體濃度成為前述範圍的下限值以上，能夠提高生產性。又，藉由成為上限值以下，因為能夠降低開環聚合反應後的反應液黏度，所以能夠容易地進行隨後的氫化反應。

在開環聚合反應所使用之式(1)表示的金屬化合物之量，係以「金屬化合物：環狀烯烴單體」的莫耳比為落入預定範圍之方式設定為佳。具體而言，前述的莫耳比係以1： 100~1：2,000,000為佳，較佳為1：500~1,000,000，特佳為1：1,000~1：500,000。藉由使金屬化合物的量成為前述範圍的下限值以上，能夠得到充分的聚合活性。又，藉由成為上限值以下，在反應後能夠容易地將金屬化合物除去。

有機金屬還原劑之量，係相對於式(1)表示之金屬化合物1莫耳，以0.1莫耳以上為佳，較佳為0.2莫耳以上，特佳為0.5莫耳以上，以100莫耳以下為佳，較佳為50莫耳以下，特佳為20莫耳以下。藉由使有機金屬還原劑之量成為前述範圍的下限值以上，能夠充分地提高聚合活性。又，藉由成為上限值以下，能夠抑制產生副反應。

聚合物(α)的聚合反應系統亦可含有活性調整劑。藉由使用活性調整劑，能夠使開環聚合觸媒安定化、或調整開環聚合反應的反應速度、或調整聚合物的分子量分布。

作為活性調整劑，能夠使用具有官能基之有機化合物。作為此種活性調整劑，例如可舉出含氧化合物、含氮化合物、含磷有機化合物等。

作為含氧化合物，例如可舉出二乙醚、二異丙基醚、二丁醚、茴香醚(anisole)、呋喃、四氫呋喃等的醚類；丙酮、二苯基酮、環己酮等的酮類；乙酸乙酯等的酯類等。

作為含氮化合物，例如可舉出乙腈、苯甲腈等的腈類；三乙胺、三異丙胺、奎寧(quinuclidine)、N,N-二乙基苯胺等的胺類；吡啶、2,4-二甲基吡啶、2,6-二甲基吡啶、2-第三丁基吡啶等的吡啶類等。

作為含磷化合物，例如可舉出三苯基膦、三環己基膦、磷 酸三苯酯、磷酸三甲酯等的膦類；三苯基氧化膦等的氧化膦類等。

活性調整劑可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。

在聚合物(α)的聚合反應系統的活性調整劑之量，係相對於式(1)表示之金屬化合物100莫耳%，較佳為0.01莫耳%~100莫耳%。

聚合物(α)的聚合反應系統，亦可含有分子量調整劑用以調整聚合物(α)的分子量。作為分子量調整劑，例如可舉出1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯等的α-烯烴類；苯乙烯、乙烯基甲苯等的芳香族乙烯系化合物；乙基乙烯基醚、異丁基乙烯基醚、烯丙基環氧丙基醚、乙酸烯丙酯、烯丙醇、環氧丙基甲基丙烯酸酯等含氧的乙烯系化合物；烯丙氯(allyl chloride)等含鹵素的乙烯系化合物；丙烯醯胺等含氮的乙烯系化合物；1,4-戊二烯、1,4-己二烯、1,5.己二烯、1,6-庚二烯、2-甲基-1,4-戊二烯、2,5-二甲基-1,5-己二烯等的非共軛二烯；1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-丁二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯、1,3-己二烯等的共軛二烯等。

分子量調整劑可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。在用以將聚合物(α)聚合的聚合反應系統之分子量調整劑之量，係能夠按照目標分子量而適當地決定。分子量調整劑的具體量，係相對於環狀烯烴單體，較佳為0.1莫耳%~50莫耳%的範圍。

聚合溫度係以-78℃以上為佳，較佳為-30℃以上， 以+200℃以下為佳，較佳為+180℃以下。聚合時間係能取決於反應規模。具體的聚合時間，係較佳為介於1分鐘至1000小時的範圍間。

依照上述的製造方法，能夠得到聚合物(α)。藉由將該聚合物(α)氫化而能夠製造聚合物(β)。聚合物(α)的氫化係例如能藉由常用的方法在氫化觸媒的存在下，將氫供給至含有聚合物(α)之反應系統內來進行。在該氫化反應，適當地設定反應條件時，通常氫化物的立體規則性不會因氫化反應而變化。

作為氫化觸媒，能夠使用習知的均勻系觸媒及不均勻系觸媒作為烯烴化合物的氫化觸媒。

作為均勻系觸媒，例如可舉出乙酸鈷/三乙基鋁、乙醯丙酮酸鎳/三異丁基鋁、二氯化二茂鈦(bis(cyclopentadienyl)titanium dichloride)/正丁基鋰、二氯化二茂鋯/第二丁基鋰、鈦酸四丁酯(tetrabutoxy Titanate)/二甲基鎂等由過渡金屬化合物與鹼金屬化合物的組合所構成之觸媒；二氯雙(三苯膦)鈀、氯氫化羰基參(三苯基膦)釕(carbonylchlorohydridotris(triphenylphosphine)ruthenium)、氯氫化羰基雙(三環己基膦)釕、二氯化雙(三環己基膦)苯亞甲基釕(IV)、氯參(三苯基膦)銠等的貴金屬錯合物觸媒等。

作為不均勻觸媒，例如可舉出鎳、鈀、鉑、銠、釕等的金屬觸媒；鎳/氧化矽、鎳/矽藻土、鎳/氧化鋁、鈀/碳、鈀/氧化矽、鈀/矽藻土、鈀/氧化鋁等使碳、氧化矽、矽藻土、氧化鋁、氧化鈦等的載體承載前述金屬而成之固體觸媒。

氫化觸媒可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。

氫化反應係通常能夠在惰性有機溶劑中進行。作為惰性有機溶劑，可舉出苯、甲苯等的芳香族烴溶劑；戊烷、己烷等的脂肪族烴溶劑；環己烷、十氫萘等的脂環族烴溶劑；四氫呋喃、乙二醇二甲醚等的醚溶劑等。惰性有機溶劑可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。又，惰性有機溶劑可為與在開環聚合反應所使用的有機溶劑相同者，亦可為不同者。而且，亦可在開環聚合反應的反應液混合氫化觸媒而進行氫化反應。

氫化反應的反應條件係通常依照所使用的氫化觸媒而不同。

氫化反應的反應溫度係以-20℃以上為佳，較佳為-10℃以上，特佳為0℃以上，以+250℃以下為佳，較佳為+220℃以下，特佳為+200℃以下。藉由使反應溫度成為前述範圍的下限值以上，能夠加快反應速度。又，藉由成為上限值以下，能夠抑制產生副反應。

氫氣壓力係以0.01Mpa以上為佳，較佳為0.05Mpa以上，特佳為0.1Mpa以上，以20Mpa以下為佳，較佳為15Mpa以下，特佳為10Mpa以下。藉由使氫氣壓力成為前述範圍的下限值以上，能夠加快反應速度。又，藉由成為上限值以下，不需要高耐壓反應裝置等特別的裝置，而能夠抑制設備成本。

氫化反應的反應時間，可設定為能夠達成所需要的氫化率之任意時間，較佳為0.1小時~10小時。

氫化反應後，通常依照常用的方法而將聚合物(α)的氫化物，亦即聚合物(β)回收。

在氫化反應之氫化率(經氫化的主鏈雙鍵之比率)，係以98%以上為佳，較佳為99%以上。氫化率越高，結晶性脂環結構聚合物的耐熱性能夠越良好。

在此，聚合物的氫化率係能夠以鄰二氯苯-d⁴作為溶劑，在145℃使用1H-NMR測定而測定。

其次，說明聚合物(γ)及聚合物(δ)的製造方法。

作為在製造聚合物(γ)及(δ)所使用的環狀烯烴單體，係能夠任意地使用在製造聚合物(α)及聚合物(β)能夠使用的環狀烯烴單體所揭示的範圍者。又，環狀烯烴單體可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。

在製造聚合物(γ)，作為單體，係能夠使用與環狀烯烴單體組合而能夠與環狀烯烴單體共聚合的任意單體。作為任意單體，例如可舉出乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯等碳原子數2~20的α-烯烴；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等的芳香環乙烯系化合物；1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯、1,7-辛二烯等的非共軛二烯等。該等之中，以α-烯烴為佳，以乙烯為較佳。又，任意單體可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。

環狀烯烴單體與任意單體之量的比例，係以重量比(環狀烯烴單體：任意單體)計，以30：70~99：1為佳，較佳為50：50~97：3，特佳為70：30~95：5。

使用2種以上的環狀烯烴單體時，及將環狀烯烴單體與任意單體組合而使用時，聚合物(γ)係可為嵌段共聚物，亦可為無規共聚物。

聚合物(γ)的合成係通常使用加成聚合觸媒。作為此種加成聚合觸媒，例如，可舉出由釩化合物及有機鋁化合物所形成之釩系觸媒、由鈦化合物及有機鋁化合物所形成之鈦系觸媒、由鋯錯合物及鋁噁烷所形成之鋯系觸媒等。又，加成聚合觸媒可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上而使用。

加成聚合觸媒之量，係相對於單體1莫耳，以0.000001莫耳以上為佳，較佳為0.00001莫耳以上，以0.1莫耳以下為佳，較佳為0.01莫耳以下。

環狀烯烴單體的加成聚合，係通常在有機溶劑中進行。作為有機溶劑，係能夠任意地在環狀烯烴單體的開環聚合能夠使用的有機溶劑所揭示的範圍選擇而使用。又，有機溶劑可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上而使用。

在用以製造聚合物(γ)的聚合之聚合溫度，係以-50℃以上為佳，較佳為-30℃以上，特佳為-20℃以上，以250℃以下為佳，較佳為200℃以下，特佳為150℃以下。又，聚合時間係以30分鐘以上為佳，較佳為1小時以上，以20小時以下為佳，較佳為10小時以下。

依照上述的製造方法，能夠得到聚合物(γ)。藉由將該聚合物(γ)氫化，能夠製造聚合物(δ)。

聚合物(γ)的氫化，係能夠依照與在先前揭示將聚合物(α)氫化之同樣的方法而進行。

在第一表面層，結晶性樹脂中的結晶性脂環結構聚合物的量係以90.0重量%~100重量%為佳，較佳為95.0重量%~100重量%。藉由使結晶性脂環結構聚合物的量成為前述 範圍，能夠有效地提高光學積層體的耐藥品性及耐折彎性。

形成第一表面層之結晶性樹脂，係除了結晶性脂環結構聚合物以外，能夠進一步含有任意成分。作為任意成分，例如可舉出顏料、染料等的著色劑；成核劑；可塑劑；螢光增白劑；分散劑；熱安定劑；光安定劑；抗靜電劑；抗氧化劑；界面活性劑等的調配劑。任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。

第一表面層的厚度，係以0.1μm以上為佳，較佳為0.2μm以上，特佳為0.3μm以上，以5.0μm以下為佳，較佳為4.0μm以下，特佳為3.0μm以下。藉由使第一表面層的厚度成為前述範圍的下限值以上，能夠使光學積層體的耐藥品性及耐折彎性成為良好，而且通常能夠提升光學積層體的耐熱性及耐擦傷性。又，藉由使第一表面層的厚度成為前述範圍的上限值以下，配戴偏光太陽眼鏡而觀看具備光學積層體之液晶顯示裝置時，能夠使該液晶顯示裝置的顯示品質水準成為良好。

基材層的厚度與第一表面層的厚度之比(第一表面層/基材層)，係以1/200以上為佳，較佳為1/150以上，特佳為1/100以上，以1/1.5以下為佳，較佳為1/2.0以下，特佳為1/2.5以下。藉由使基材層與第一表面層之間的厚度比成為前述範圍的下限值以上，能夠使光學積層體的耐藥品性及耐折彎性成為良好，而且通常能夠提升光學積層體的耐熱性及耐擦傷性。又，藉由使厚度比成為前述範圍的上限值以下，配戴偏光太陽眼鏡而觀看具備光學積層體之液晶顯示裝置時，能夠使該液晶顯示裝置的顯示品質水準成為良好。

又，光學積層體為長條形狀且第一表面層具有遲相軸時，較佳是該第一表面層的遲相軸，相對於光學積層體的長度方向為不是平行亦不是垂直的傾斜方向。特別是第一表面層相對於光學積層體的長度方向之配向角θ，係以45°±5°為佳。更詳言之，前述第一表面層的配向角θ，係以40°以上為佳，較佳為43°以上，特佳為44°以上，以50°以下為佳，較佳為47°以下，特佳為46°以下。藉此，在將光學積層體與偏光鏡貼合而製造偏光板時，能夠容易地調整光學積層體的遲相軸與偏光鏡的偏光透射軸之角度。

[1.4.第二表面層]

第二表面層係含有結晶性脂環結構聚合物。因而，第二表面層係通常由結晶性樹脂所構成之樹脂層。藉由在第一表面層組合而具備第二表面層，光學積層體係能夠在該光學積層體的兩面發揮耐藥品性、耐擦傷性等優異的特性，而且能夠顯著地提高光學積層體的耐折彎性及耐熱性。

作為形成第二表面層之結晶性樹脂，能夠任意地使用形成第一表面層之結晶性樹脂之已說明的範圍者。所謂形成第二表面層之結晶性樹脂與形成第一表面層之結晶性樹脂亦可以不同，但是從抑制光學積層體的製造成本及卷曲的觀點而言，係以相同為佳。

第二表面層的厚度，係能夠在已說明的第一表面層的厚度範圍內任意地設定。所謂第二表面層的厚度與第一表面層的厚度亦可以不同，但是從抑制光學積層體的卷曲之觀點而言，以相同為佳。

又，光學積層體為長條形狀，而且，第二表面層具有遲相軸時，該第二表面層的遲相軸係較佳是相對於光學積層體的長度方向不是平行亦不是垂直之傾斜方向。特別是第二表面層相對於光學積層體的長度方向之配向角θ，係設定為與第一表面層的配向角θ相同的範圍為佳。藉此，在將光學積層體與偏光鏡貼合而製造偏光板時，能夠容易地調整光學積層體的遲相軸與偏光鏡的偏光透射軸之角度。

[1.5.任意層]

必要時，光學積層體係能夠在上述的基材層、第一表面層及第二表面層組合而具備任意層。例如光學積層體，可在基材層與第一表面層之間具備任意的樹脂層，亦可在基材層與第二表面層之間具備任意的樹脂層。又，例如，光學積層體亦可在與第一表面層的基材層為相反側中，具備硬塗層、導電層、或該等組合。或者亦可具備具有硬塗層及導電層兩者功能之層。作為前述導電層，能夠採用在可見光區域具有透射度且具有導電性之層。作為構成導電層之材料的例子，可舉出導電性聚合物、導電性膏、金屬氧化物等。作為更具體的材料之例子，可舉出銀膏、聚合物膏、摻雜錫的銦氧化物(ITO)、摻雜銻或氟的錫氧化物(ATO或FTO)、摻雜鋁的鋅氧化物(AZO)、鎘氧化物、鎘與錫的氧化物、氧化鈦、氧化鋅、碘化銅等的金屬氧化物、或金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鈀(Pd)等的金屬、含有金及銅等的金屬之金屬膠體、銀奈米線、奈米碳管(以下簡稱為CNT)的無機系或有機系的奈米材料等。因而，光學積層體係除了能設成具備基材層及第一表面層之2層結構的薄膜，也可以下列 的順序設成具備第一表面層、基材層及第二表面層之3層結構的薄膜，或是除了該等以外，亦可具備任意層之薄膜。

[1.6.光學積層體的物性及厚度]

光學積層體的遲滯值Re係以400nm以下為佳，較佳為250nm以下，特佳為180nm以下。藉由光學積層體的遲滯值為落入前述的範圍，配戴偏光太陽眼鏡而觀看具備該光學積層體之液晶顯示裝置，能夠有效地提高液晶顯示裝置的顯示品質水準。具體而言，能夠有效地抑制該液晶表裝置的彩虹狀顏色不均及暗化。光學積層體的遲滯值的下限值係以80nm以上為佳，較佳為85nm以上，特佳為90nm以上。藉由使光學積層體的遲滯值成為前述的下限值以上，能夠將該光學積層體作為1/4波長板。因此，使用該光學積層體時，因為能夠將直線偏光轉換成為圓偏光，所以應用前述的光學積層體之液晶顯示裝置係能夠將影像以圓偏光顯示。因而，配戴偏光太陽眼鏡觀看前述的液晶顯示裝置所顯示的影像時，能夠使影像的明亮度變得良好，而進一步提高顯示品質水準。

光學積層體的遲相軸方向，係能夠按照光學積層體的用途而任意地設定。光學積層體具有長條形狀時，該光學積層體的遲相軸相對於光學積層體的長度方向不是平行亦不是垂直之傾斜方向為較佳。特別是相對於光學積層體的長度方向，光學積層體的配向角θ係以45°±5°為佳。更詳言之，前述光學積層體的配向角θ係以40°以上為佳，較佳為43°以上，特佳為44°以上，以50°以下為佳，較佳為47°以下，特佳為46°以下。通常在製造偏光板時，係將具有長條形狀的偏光鏡與具 有長條形狀之光學積層體，使長度方向平行而貼合。又，偏光鏡的偏光透射軸係通常相對於偏光鏡的長度方向為平行或垂直。因而，如前述地，光學積層體具有前述的配向角θ時，係能夠容易地以偏光鏡的偏光透射軸與光學積層體的遲相軸為構成45°±5°的角度之方式貼合。如此進行而製成之偏光板，經透射偏光鏡後的直線偏光，能藉由光學積層體而轉換成為圓偏光。因此，將該偏光板設置在液晶顯示裝置時，即便配戴偏光太陽眼鏡時，亦能夠容易地實現使影像的明亮度變得良好之液晶顯示裝置。

光學積層體的總光線透射率，係以85%~100%為佳，較佳為87%~100%，特佳為90%~100%。總光線透射率係能夠依據JIS K0115，使用分光光度計而測定。

在波長380nm之光學積層體的光線透射率，係以10%以下為佳，較佳為8.0%以下，特佳為5.0%以下。在波長380nm，具有如此較低的光線透射率之光學積層體，使其遮蔽紫外線之能力變得優異。因此，此種光學積層體，係能夠使該具備光學積層體之偏光板的耐久性提升，或是抑制應用該光學積層體之液晶顯示裝置的液晶面板因紫外線引起劣化。

光學積層體所含有的揮發性成分之量，係以0.1重量%以下為佳，較佳為0.05重量%以下，更佳為0.02重量%以下。藉由使揮發性成分之量成為前述範圍，光學積層體的尺寸安定性提升且能夠減少遲滯值等光學特性隨時間經過而變化。而且，能夠抑制具備光學積層體之偏光板及液晶顯示裝置產生劣化，且能夠長期間安定且良好地保持液晶顯示裝置之顯 示。在此，揮發性成分為分子量200以下的物質。作為揮發性成分，例如可舉出殘留單體及溶劑等。揮發性成分的量係設作分子量200以下的物質之合計，能夠藉由凝膠滲透層析法進行分析來定量。

光學積層體的厚度，係以10μm以上為佳，較佳為15μm以上，特佳為20μm以上，以50μm以下為佳，較佳為40μm以下，特佳為30μm以下。藉由使光學積層體的厚度成為前述範圍的下限值以上，能夠使光學積層體顯現所需要的範圍之遲滯值，藉由成為前述範圍的上限值以下，能夠薄化光學積層體。

通常，控制結晶性脂環結構聚合物之配向性是困難的。因此具備含有結晶性脂環結構聚合物之先前的薄膜之液晶顯示裝置，配戴偏光太陽眼鏡時的顯示品質水準有較差之傾向。具體而言，配戴偏光太陽眼鏡觀看具備先前的薄膜之液晶顯示裝置時，起因於前述不均勻的遲滯值，有生彩虹狀顏色不均及局部暗化之情形。相對於此，上述的光學積層體，雖然具備含有結晶性脂環結構聚合物之表面層(第一表面層或第二表面層)，但是配戴偏光太陽眼鏡而觀看該具備光學積層體之液晶顯示裝置時，能夠使該液晶顯示裝置的顯示品質水準變得良好。

又，因為上述光學積層體，係具備含有耐藥品性優異的結晶性脂環結構聚合物之表面層，所以具有優異的耐藥品性。具體而言，光學積層體係即便與溶劑之薴烯(limonene)接觸亦不容易產生變形。

而且，因為上述的光學積層體係具備含有機械強 度優異、即便施加應力亦不容易破損的結晶性脂環結構聚合物之表面層，所以具有優異的耐折彎性。具體而言，光學積層體即便折彎亦不容易產生斷裂。

又，因為光學積層體係通常具備含有機械強度及耐熱性優異的結晶性脂環結構聚合物之表面層，所以具有優異的耐擦傷性及耐熱性。

[1.7.光學積層體的製造方法]

光學積層體的製造方法係沒有限制。光學積層體係例如能夠藉由包含將非晶性樹脂及結晶性樹脂成形為薄膜狀的步驟之製造方法來製造。

作為樹脂的成形方法，例如可舉出共擠製法及共流延法等。該等成形方法之中，因為具有優異的製造效率且揮發性成分不容易殘留在光學積層體中，以共擠製法為佳。

共擠製法係包含將非晶性樹脂及結晶性樹脂共擠製之擠製步驟。在擠製步驟，非晶性樹脂及結晶性樹脂係各自在熔融狀態被擠製成為層狀。此時，作為樹脂的擠製方法，例如可舉出共擠製T型模具法、共擠製吹塑法、共擠製層疊法等。尤其是以共擠製T型模具法為佳。共擠製T型模具法，係有供料塊方式及多歧管方式，就能夠使厚度偏差較少而言，以多歧管方式為特佳。

在擠製步驟，被擠製的樹脂之熔融溫度，係以(Tg+80℃)以上為佳，較佳為(Tg+100℃)以上，以(Tg+180℃)以下為佳，較佳為(Tg+170℃)以下。在此「Tg」係表示在非晶性樹脂或結晶性樹脂所含有聚合物(例如，非晶性脂環結構聚 合物及結晶性脂環結構聚合物)的玻璃轉移溫度之中最高的溫度。藉由使被擠製的樹脂之熔融溫度成為前述範圍的下限值以上，能夠充分地提高樹脂的流動性而使成型性成為良好，又，藉由成為上限值以下，能夠抑制樹脂產生劣化。

在擠製步驟，在擠製機之樹脂的溫度，樹脂投入口係較佳為Tg~(Tg+100℃)，擠製機出口係較佳為(Tg+50℃)~(Tg+170℃)，擠壓模溫度係較佳為(Tg+50℃)~(Tg+170℃)。

而且，在擠製步驟所使用之模具的擠壓模唇之算術平均粗糙度，係以1.0μm以下為佳，較佳為0.7μm以下，特佳為0.5μm以下。藉由使擠壓模唇之算術平均粗糙度落入前述範圍，抑制光學積層體的線條狀缺陷係變為容易。

在共擠製法，通常係使從擠壓模唇被擠製後的薄膜狀熔融樹脂密著在冷卻輥筒而冷卻且使其硬化。此時，作為使熔融樹脂密著在冷卻輥筒之方法，例如，可舉出氣動刮刀方式、真空箱方式、靜電密著方式等。

冷卻輥筒的數目係沒有特別限制，通常為2支以上。作為冷卻輥筒的配置方法，例如可舉出直線型、Z型、L型等。此時，從擠壓模唇被擠製後的熔融樹脂通達至冷卻輥筒之方法係沒有特別限制。

藉由如前述進行而將非晶性樹脂及結晶性樹脂成形為薄膜狀，能夠得到具備由非晶性樹脂所構成的基材層及由結晶性樹脂所構成的第一表面層之複層薄膜。可以將該複層薄膜直接使用作為光學積層體。又，亦可將該複層薄膜延伸而得到光學積層體。通常因為藉由延伸而在複層薄膜顯現遲滯值， 所以藉由進行延伸，能夠得到具有所需要的遲滯值之光學積層體。而且，通常藉由進行延伸，在使結晶性樹脂所含有的結晶性脂環結構聚合物配向之同時，因為能夠促進該結晶性脂環結構聚合物的結晶化，所以能夠進一步提升耐藥品性及耐折彎性。在以下的說明，有將經延伸的複層薄膜簡稱為「延伸前積層體」之情形。

延伸可以是只在單一方向進行延伸處理之單軸延伸處理，亦可以是在不同的2方向進行延伸處理之雙軸延伸處理。又，在雙軸延伸處理，可以是同時在2方向進行延伸處理之同時雙軸延伸處理，亦可以是在某方向進行延伸處理之後，在另外的方向進行延伸處理之逐次雙軸延伸處理。而且，延伸可以是在延伸前積層體的長度方向進行延伸處理之縱向延伸處理、在延伸前積層體的寬度方向進行延伸處理之橫向延伸處理、及相對於延伸前積層體的寬度方向不是平行亦不是垂直之傾斜方向進行延伸處理之傾斜延伸處理之任一種，亦可以組合該等而進行。該等延伸處理之中，因為能夠容易地使光學積層體的配向角落入所需要的範圍，以傾斜延伸處理為佳。延伸處理的方式係例如可舉出輥筒方式、浮動方式、拉幅機方式等。

延伸溫度及延伸倍率，係能夠在可得到具有所需要的遲滯值之光學積層體之範圍任意地設定。舉出具體的範圍時，延伸溫度係以(Tg-30℃)以上為佳，較佳為(Tg-10℃)以上，以(Tg+60℃)以下為佳，較佳為(Tg+50℃)以下。又，延伸倍率係以1.01倍~30倍為佳，較佳為1.01倍~10倍，更佳為1.01倍~5倍。

又，光學積層體的製造方法，係除了前述步驟以外，亦可進一步包含任意步驟。例如，亦可對經延伸後的複層薄膜進行加熱步驟。藉此，能夠進一步促進結晶性樹脂的結晶化，且能夠進一步提升光學積層體的耐藥品性及耐折彎性。

在加熱步驟，通常係在結晶性樹脂維持其配向狀態的狀態下進行結晶化。在加熱步驟之加熱溫度，係以在特定範圍內的溫度為佳。具體而言，加熱溫度係以在光學積層體所含有的結晶性樹脂之玻璃轉移溫度Tg以上且熔點Tm以下為佳。藉此，能夠使結晶性樹脂的結晶化有效地進行。而且，前述的特定溫度範圍之中，以設定在使結晶化的速度變大之溫度為佳。例如，使用二環戊二烯的開環聚合物之氫化物作為結晶性樹脂時，在加熱步驟之加熱溫度係以110℃以上為佳，較佳為120℃以上，以240℃以下為佳，較佳為220℃以下。

作為用以加熱複層薄膜之加熱裝置，因為加熱裝置與複層薄膜不需要接觸，所以較佳是能夠使複層薄膜的環境溫度上升之加熱裝置。舉出適合的加熱裝置之具體例時，可舉出烘箱及加熱爐。

而且，在加熱步驟之複層薄膜的加熱，係以保持使複層薄膜二邊以上為緊繃的狀態進行為佳。在此，所謂使複層薄膜緊繃的狀態，係指對複層薄膜施加張力之狀態。但是，使複層薄膜緊繃的狀態，並不包含使複層薄膜實質上延伸的狀態。又，所謂實質上延伸，係指在複層薄膜的任一方向的延伸倍率為通常1.1倍以上。

藉由保持複層薄膜的二邊以上為緊繃的狀態進行 加熱，能夠妨止在被保持的邊之間的區域因複層薄膜的熱收縮而產生變形。此時，為了妨止在複層薄膜的廣闊面積產生變形，以保持包含相對二邊之邊，而使被保持的邊之間的區域成為緊繃的狀態為佳。例如，在矩形的單片複層薄膜，較佳是藉由保持相對二邊(例如兩個長邊、或兩個短邊)使前述二邊之間的區域成為緊繃的狀態，而在該單片複層薄膜的全面妨止產生變形。又，在長條形狀複層薄膜時，較佳是藉由保持在寬度方向的端部之二邊(亦即，長邊)使前述二邊之間的區域成為緊繃的狀態，而在該長條形狀複層薄膜的全面妨止變形為佳。如此妨止變形之複層薄膜，即便因熱收縮而在薄膜內產生應力，亦能夠抑制產生皺紋等的變形。因此，因為能夠抑制因加熱而損害複層薄膜的平滑性，所以能夠得到起伏及皺紋較少之平滑的複層薄膜。

而且，為了更確實地抑制加熱時的變形，以保持較多的邊為佳。因此，例如單片複層薄膜時，係以保持其全部的邊為佳。舉出具體例時，矩形單片複層薄膜時，係以保持四邊為佳。

保持複層薄膜時，能夠使用適當的保持器保持複層薄膜的邊。保持器可以是能夠連續地保持複層薄膜的邊之全長者，亦可以是空出間隔而間歇地保持者。例如亦可以使用以預定間隔排列之保持器將複層薄膜的邊間歇地保持。

又，作為保持器，係以複層薄膜的邊以外之部分不與複層薄膜接觸者為佳。藉由使用此種保持器，能夠得到具有更優異的平滑性之光學積層體。

而且，作為保持器，係以在加熱步驟能夠將保持器之間的相對的位置固定者為佳。因為此種保持器，保持器之間的位置在加熱步驟不相對地移動，所以容易抑制在加熱時複層薄膜實質上的延伸。

作為適合的保持器，例如作為矩形複層薄膜用保持器，可舉出以預定間隔設置在模框且能夠把持複層薄膜的邊之夾子等的把持件。又，例如作為用以保持在長條形狀複層薄膜的寬度方向的端部之二邊之保持器，可舉出設置在拉幅延伸機且能夠把持複層薄膜的邊之把持件。

使用長條形狀複層薄膜時，可以保持在該複層薄膜的長度方向之端部之邊(亦即，短邊)，亦可以保持複層薄膜以特定溫度範圍加熱的區域的長度方向之兩側，來代替保持前述的邊。例如可以在複層薄膜以特定溫度範圍加熱的區域的長度方向之兩側，以不使複層薄膜熱收縮的方式保持緊繃的狀態設置保持裝置。作為此種保持裝置，例如，可舉出2支輥筒的組合等。藉由該等組合而對複層薄膜施加搬運張力等的張力，能夠抑制該複層薄膜在特定溫度範圍被加熱的區域產生熱收縮。因此，使用前述的組合作為保持裝置時，因為能夠將複層薄膜在長度方向邊搬運邊保持該複層薄膜，所以能夠有效率地製造光學積層體。

在加熱步驟，將複層薄膜維持在前述特定溫度範圍之處理時間，係以5秒以上為佳，以10秒以上為佳，較佳為1小時以下。藉此，因為能夠使結晶性樹脂的結晶化充分地進行，所以能夠特別地提高光學積層體的耐熱性、耐藥品性及 耐折彎性。

[2.偏光板]

本發明的偏光板，係具備偏光鏡、及設置在該偏光鏡的至少一側之光學積層體。

能夠使用可將二個直角交叉之直線偏光的一方透射且將另一方吸收或反射之薄膜作為偏光鏡。舉出偏光鏡的具體例時，可舉出對聚乙烯醇、部分甲縮醛化聚乙烯醇等乙烯醇系聚合物的薄膜，採用適當的順序及方式施行使用碘、二色性染料等的二色性物質之染色處理、延伸處理、交聯處理等適當的處理而成者。特別是以含有聚乙烯醇之偏光鏡為佳。又，偏光鏡的厚度係通常5μm~80μm。

光學積層體具有遲滯值時，偏光板中，偏光鏡的偏光透射軸與光學積層體的遲相軸係以構成45°±5°的角度為佳。藉此，能夠藉由光學積層體將透射偏光鏡後的直線偏光轉換成為圓偏光。

偏光板係能夠藉由將光學積層體貼合在偏光鏡的一側來製造。必要時，在貼合時可使用接著劑。又，將具備基材層及第一表面層之2層結構的光學積層體與偏光鏡貼合而得到偏光板時，通常係依照以下的順序將偏光鏡、基材層及第一表面層進貼合。

偏光板，亦可以與上述的偏光鏡、光學積層體組合而進一步具備任意層。例如，偏光板亦可具備用以保護偏光鏡之光學積層體以外的任意保護膜層。此種保護膜層係通常置在與光學積層體相反側的偏光鏡之面。

[3.液晶顯示裝置]

液晶顯示裝置係具備本發明的偏光板。通常、液晶顯示裝置係依照以下的順序具備光源、光源側偏光板、液晶胞及偏光板。又，偏光板係從光源側依照以下的順序排列之方式設置偏光鏡及光學積層體。

因為本發明的液晶顯示裝置係具備上述的光學積層體，所以在配戴偏光太陽眼鏡時之顯示品質水準良好。又，光學積層體係具有適當的遲滯值時，此種液晶顯示裝置係能夠藉由圓偏光顯示影像。因此，即便配戴偏光太陽眼鏡時，能夠使影像的明亮度較明亮。

作為液晶胞的驅動方式，例如可舉出面內切換(IPS；In-Plane Switching)模式、垂直配向(VA；Vertically Alignment)模式、多疇垂直配向(MVA；Multi-domain Vertical Alignment)模式、連續焰火狀排列(CPA；Continuous Pinwheel Alignment)模式、HAN(混合配向向列；Hybrid Alignment Nematic)模式、扭曲向列(TN；Twisted Nematic)模式、超扭曲向列(STN；Super Twisted Nematic)模式、光學補償彎曲(OCB；Optical Compensated Bend)模式等。

[實施例]

以下，揭示實施例而具體地說明本發明。但是，本發明係不被以下所揭示的實施例限定，在不脫離本發明的專利申請範圍及其均等的範圍之範圍，能夠任意地變更而實施。在以下的說明，表示量之「%」及「份」係只要未預先告知重量基準。又，在以下說明之操作，只要未預先告知，係在常溫 常壓大氣中進行。

[評價方法]

(積層體的厚度之測定方法)

積層體的厚度係使用接觸式膜厚計(Mitutoyo公司製Dial Gauge)測定。又，在積層體所包含的各層之厚度，係使用環氧樹脂將積層體埋封之後，使用薄切片機切片成為厚度0.05μm的薄片，使用顯微鏡進行剖面觀察而測定。

(光學積層體的光線透射率之測定方法)

光學積層在波長380nm之光線透射率，係依據JIS K0115(吸光光度分析通則)且使用分光光度計(日本分光公司製的紫外可見近紅外分光光度計「V-650」)而測定。

(光學積層體的霧度之測定方法)

依據JIS K7136而算出將光學積層體切取成為50mm×50mm之薄膜片的霧度。

(光學積層體的面內遲滯值之測定方法)

在光學積層體的波長550nm之面內遲滯值，係使用偏振計(Axometric公司製「Axoscan」)而測定。

(光學積層體的配向角θ之測定方法)

相對於光學積層體的長度方向，光學積層體的配向角θ係使用偏振計(Axiometric公司製「Axoscan」)在波長550nm測定。

(光學積層體的耐折彎性之評價方法)

光學積層體的耐折彎性係藉由依據JIS P 8115「紙及板紙-耐折強度試驗方法-MIT試驗機法」之MIT耐折試驗，且依照下述的程序進行測定。從作為試料之光學積層體切取寬度 15mm±0.1mm、長度110mm的試片。

此時，光學積層體係經過延伸步驟而製成者時，係以該光學積層體所含的聚合物分子的配向方向與試片的長度110mm之邊平行的方式製造試片。又，光學積層體係不經過延伸步驟而製成者時，係以使擠製步驟的流動方向(亦即，在擠製步驟所得到的薄膜之長度方向)與試片的長度110mm之邊成為平行的方式製造試片。

使用MIT耐折度試驗機(安田精機製作所製「No.307」)，在荷重9.8N、彎曲部的曲率0.38±0.02mm、折彎角度135°±2°、折彎速度175次/分鐘的條件下，以在試片的寬度方向顯現折痕之方式將前述試片折彎。任一試片均是以由結晶性樹脂所構成的表面層成為外側之方式折彎。繼續該折彎且測定至試片斷裂為止之來回折彎次數。

製造10片試片，使用前述的方法，測定試片至斷裂為止之來回折彎次數10次。將如此進行而測得之10次測定值的平均設作該光學積層體的耐折度(MIT耐折次數)。耐折度為2000次以上時，耐折彎性設作最佳且評定為「4」。又，耐折度為小於2000次且1000次以上時，耐折彎性設作特佳且評定為「3」。又，耐折度為小於1000次且500次以上時，耐折彎性設作良好且判定為「2」。而且，耐折度為小於500次時，耐折彎性設作不良且判定為「1」。

(光學積層體的耐藥品性之評價方法)

以由結晶性樹脂所構成之表面層成為外側之方式，以彎曲直徑

10mm使光學積層體彎曲。在彎曲後的部分之外側表面 滴下薴烯1cc，30秒後擦去。

在表面無變形時，耐藥品性係設作特佳且判定為「3」。

又，表面稍微變形時，耐藥品性係設作良好且判定為「2」。而且，表面產生龜裂時，耐藥品性係設作不良且判定為「1」。

又，針對無變形者，進一步以擦去面作為外側，以彎曲直徑

3mm使其彎曲。此時，將不產生裂紋者，耐藥品性設作最佳且判定為「4」。

(偏光板的耐久性試驗方法)

使用紫外線退色計量器U48(SUGA試驗機股份公司製)，將偏光板在放射照度：500W/m²、溫度：63±3℃、濕度：50%RH以下的條件下，暴露在紫外線500小時之後，目視觀察有無變色。無變色者，耐久性係設作特佳且判定為「3」。又，稍微變色者，耐久性係設作良好且判定為「2」。而且，顯著地變色者，耐久性係設作不良且判定為「1」。

(液晶顯示裝置的顯示品質水準之評價方法)

在使用偏光太陽眼鏡之狀態下，改變液晶顯示裝置的位置而觀察液晶顯示裝置的顯示面。無彩虹狀顏色不均且能夠鮮明地視認影像時，顯示品質水準係設作特佳且判定為「3」。又，能夠稍微看到彩虹狀顏色不均，或是能夠看到影像些微較暗時，顯示品質水準係設作良好且判定為「2」。而且，能夠清楚地看到彩虹狀顏色不均，或是影像顯著地變暗時，影像的鮮明性係設作不良且判定為「1」。

[製造例1：非晶性脂環結構聚合物A1的製造]

準備將參環[4.3.0.1^2,5]癸-3,7-二烯(慣用名：二環戊二烯。 以下，適當略記為「DCP」)、7,8-苯並三環[4.3.0.1^2,5]癸-3-烯(慣用名：亞甲基四氫茀。以下，適當略記為「MTF」)、及四環[4.4.0.1^2,5.1^7,10]十二-3-烯(慣用名：四環十二烯。以下，適當略記為「TCD」)，以重量比DCP/MTF/TCD=60/10/30混合而形成混合物。將該混合物使用習知的方法進行開環聚合，其次氫化而得到非晶性脂環結構聚合物。藉由氣體層析法分析聚合後的反應溶液中所殘留的降莰烯系單體之組成，而計算求取所得到的非晶性脂環結構聚合物中之各降莰烯系單體的共聚合比率。其結果，非晶性脂環結構聚合物中的共聚合比率為DCP/MTF/TCD=60/10/30，大致與添加組成相等。又，非晶性脂環結構聚合物的重量平均分子量(Mw)為35,000，分子量分布(Mw/Mn)為2.1，氫化率為99.9%，玻璃轉移溫度Tg為125℃，在25℃之折射率為1.53。

[製造例2：結晶性脂環結構聚合物的製造]

將金屬製的耐壓反應器充分地乾燥之後，進行氮取代。在該金屬製耐壓反應器，添加環己烷154.5份、二環戊二烯(內型異構體含有率99%以上)的濃度70%環己烷溶液42.8份(就二環戊二烯之量而言為30份)、及1-己烯1.9份且加溫至53℃。

在將四氯鎢苯基醯亞胺(四氫呋喃)錯合物0.014份溶解於0.70份的甲苯而成之溶液，添加濃度19%的乙氧化二乙基鋁/正己烷溶液0.061份且攪拌10分鐘而調製觸媒溶液。將該觸媒溶液添加至耐壓反應器而開始開環聚合反應。隨後，邊保持53℃邊使其反應4小時而得到二環戊二烯的開環聚合物溶液。所得到的二環戊二烯的開環聚合物之數量平均分子量 (Mn)及重量平均分子量(Mw)係各自為8,750及28,100，從該等所求取的分子量分布(Mw/Mn)為3.21。

在所得到的二環戊二烯的開環聚合物溶液200份，添加1,2-乙二醇0.037份作為停止劑，加溫至60℃且攪拌1小時而使聚合反應停止。在此，添加1份水滑石(hydrotalcite)類似化合物(協和化學工業公司製「Kyoward(註冊商標)2000」)，加溫至60℃且攪拌1小時。隨後，添加助過濾劑(昭和化學工業公司製「Radiolite(註冊商標)#1500」)0.4份，使用PP打褶匣式過濾器(ADVANTEC東洋公司製「TCP-HX」)而將吸附劑與溶液過濾分開。

在過濾後之二環戊二烯的開環聚合物溶液200份(聚合物量30份)，添加環己烷100份、氯氫化羰基參(三苯基膦)釕0.0043份，在氫氣壓力為6MPa、180℃進行氫化反應4小時。藉此，得到含有二環戊二烯的開環聚合物之氫化物之反應液。該反應液係析出氫化物而成為漿料溶液。

將在前述的反應液所含有的氫化物與溶液，使用離心分離器進行分離，在60℃減壓乾燥24小時，而得到結晶性脂環結構聚合物28.5份。該結晶性脂環結構聚合物的氫化率為99%以上，玻璃轉移溫度為93℃，熔點(Tm)為262℃，外消旋二單元組的比率為89%。

[製造例3：非晶性脂環結構聚合物A2的製造]

準備將MTF及TCD以重量比MTF/TCD=60/40混合而形成混合物。將該混合物，使用習知的方法進行開環聚合，其次進行氫化而得到非晶性脂環結構聚合物。藉由氣體層析法分析 在聚合後的反應溶液中所殘留的降莰烯系單體之組成，而計算求取所得到的非晶性脂環結構聚合物中的各降莰烯系單體之共聚合比率。其結果，非晶性脂環結構聚合物中的共聚合比率為MTF/TCD=60/40，大致與添加組成相等。又，非晶性脂環結構聚合物的重量平均分子量(Mw)為40,000，分子量分布(Mw/Mn)為1.9，氫化率為99.9%，玻璃轉移溫度Tg為163℃，在25℃之折射率為1.53。

[實施例1]

(1-1.非晶性樹脂H1的製造)

將在製造例1所製成的非晶性脂環結構聚合物A192份、苯並三唑系紫外線吸收劑(ADEKA公司製「LA-31」)7.0份、抗氧化劑(肆[亞甲基-3-(3’,5’-二-第三丁基-4’-羥苯基)丙酸酯]甲烷；BASF Japan公司製「IRGANOX(註冊商標)1010」)1.0份，使用雙軸擠製機混合而得到混合物。其次，將該混合物投入連接至擠製機之料斗(hopp)且供給至單軸擠製機，進行熔融擠製而得到非晶性樹脂H1。在非晶性樹脂H1之紫外線吸收劑的量為7.0重量%。

(1-2.結晶性樹脂K10製造)

在製造例2所製成的結晶性脂環結構聚合物100份，混合抗氧化劑(肆[亞甲基-3-(3’,5’-二-第三丁基-4’-羥苯基)丙酸酯]甲烷；BASF Japan公司製「IRGANOX(註冊商標)1010」)1.1份而得到結晶性樹脂K1。

(1-3.擠製步驟)

將非晶性樹脂H1投入料斗。而且，將所投入的非晶性樹 脂H1供給至多歧管模具。

另一方面，將結晶性樹脂K1投入另外的料斗。而且，將所投入的結晶性樹脂K1，供給至前述的多歧管模具。

其次，使非晶性樹脂H1及結晶性樹脂K1從多歧管模具吐出成為薄膜狀且鑄塑在冷卻輥筒。使用此種共擠製成形法，得到依照以下的順序具備由結晶性樹脂K1所構成的第一表面層(厚度4.0μm)/由非晶性樹脂H1所構成的基材層(厚度32.0μm)/由結晶性樹脂K1所構成的第二表面層(厚度4.0μm)之具有長條形狀之延伸前積層體1。該延伸前積層體1係由2種3層所構成之薄膜(亦即，由2種類的樹脂所構成之3層結構的薄膜)，其寬度為1400mm，其厚度為40μm。隨後，將延伸前積層體1的兩端各修剪50mm而使其寬度成為1300mm。

(1-4.延伸步驟)

將延伸前積層體1，供給至具備夾子及軌道之拉幅裝置且在該拉幅裝置進行延伸，其中該夾子係能夠把持該延伸前積層體10寬度方向的兩端；而該軌道係引導前述夾子。延伸時，拉幅裝置的軌道，係以在延伸後能夠顯現相對於長度方向為構成角度為45°之遲相軸的方式設定。又，延伸條件，係設作延伸溫度130℃、薄膜搬運速度20m/min。藉此，得到依照以下的順序具備由結晶性樹脂K1所構成的第一表面層(厚度2.5μm)/由非晶性樹脂H1所構成的基材層(厚度20μm)/由結晶性樹脂K1所構成的第二表面層(厚度2.5μm)之具有長條形狀之光學積層體1。該光學積層體1係由2種3層所構成之薄膜，其寬度為1330mm，其厚度為25μm。使用上述的方法進行評價 光學積層體1的面內遲滯值、配向角θ、霧度、在波長380nm之光線透射率、耐折彎性及耐藥品性。

(1-5.偏光板的製造)

準備由摻雜碘的原料薄膜，且經在一方向延伸而製成的偏光鏡。將光學積層體1使用紫外線硬化型丙烯酸接著劑貼合在該偏光鏡的一面，將經施行橫向單軸延伸的環烯烴薄膜以紫外線硬化型丙烯酸接著劑貼合在偏光鏡的另外一面且照射紫外線後，而得到偏光板1。此時，以光學積層體1的遲相軸與偏光鏡的偏光透射軸為構成角度為45°之方式設定。又，設定環烯烴薄膜的遲相軸，使其平行於偏光鏡的偏光透射軸。針對所得到的偏光板1，使用上述方法實施耐久性試驗。

(1-6.液晶顯示裝置的製造)

將具備習知的內嵌式觸控感測器之液晶面板的觀看側偏光板卸下，裝入偏光板1作為其代替，而製成液晶顯示裝置1。此時，偏光板1的方向係以第一表面層側的面朝向觀看側之方式設定。針對所得到的液晶顯示裝置1，使用上述的方法進行評價顯示品質水準。

[實施例2]

(2-1.非晶性樹脂H2的製造)

除了將紫外線吸收劑的混合量設為0重量%以外，係與實施例1的步驟(1-1)同樣地進行而製成非晶性樹脂H2。

(2-2.擠製步驟及延伸步驟)

除了使用非晶性樹脂H2代替非晶性樹脂H1以外，係與實施例1的步驟(1-3)及步驟(1-4)同樣地進行而製成光學積層體2。 使用上述的方法進行評價光學積層體2的面內遲滯值、配向角θ、霧度、在波長380nm之光線透射率、耐折彎性及耐藥品性。

(2-3.偏光板2的製造)

除了使用光學積層體2代替光學積層體1以外，係與實施例1的步驟(1-5)同樣地進行而製成偏光板2。針對所得到的偏光板2，使用上述的方法實施耐久性試驗。

(2-4.液晶顯示裝置2的製造)

除了使用偏光板2代替偏光板1以外，係與實施例1的步驟(1-6)同樣地進行而製成液晶顯示裝置2。針對所得到的液晶顯示裝置2，使用上述的方法進行評價顯示品質水準。

[實施例3]

(3-1.擠製步驟)

除了變更被擠製的樹脂之厚度以外，係與實施例1的步驟(1-3)及步驟(1-4)同樣地進行而得到依照以下的順序具備由結晶性樹脂K1所構成的第一表面層(厚度2.5μm)/由非晶性樹脂H1所構成的基材層(厚度20.0μm)/由結晶性樹脂K1所構成的第二表面層(厚度2.5μm)之延伸前積層體。將該未施行延伸步驟的延伸前積層體設作光學積層體3。使用上述的方法進行評價光學積層體3的面內遲滯值、配向角θ、霧度、在波長380nm之光線透射率、耐折彎性及耐藥品性。

(3-2.偏光板3的製造)

除了使用光學積層體3代替光學積層體1以外，係與實施例1的步驟(1-5)同樣地進行而製成偏光板3。針對所得到的偏光板3，使用上述的方法實施耐久性試驗。

(3-3.液晶顯示裝置3的製造)

除了使用偏光板3代替偏光板1以外，係與實施例1的步驟(1-6)同樣地進行而製成液晶顯示裝置3。針對所得到的液晶顯示裝置3，使用上述的方法進行評價顯示品質水準。

[實施例4]

(4-1.擠製步驟)

除了將結晶性樹脂K1變更成非擠製2層，而是只擠製1層、及使用非晶性樹脂H2代替非晶性樹脂H1以外，係與實施例1的步驟(1-3)同樣地進行而得到依照以下的順序具備由結晶性樹脂K1所構成的第一表面層(厚度4.0μm)/由非晶性樹脂H2所構成的基材層(厚度32.0μm)之延伸前積層體4。

(4-2.延伸步驟)

除了使用延伸前積層體4代替延伸前積層體1以外，係與實施例1的步驟(1-4)同樣地進行而得到依照以下的順序具備由結晶性樹脂K1所構成的第一表面層(厚度2.5μm)/由非晶性樹脂H2所構成的基材層(厚度20.0μm)之光學積層體4。使用上述的方法進行評價光學積層體4的面內遲滯值、配向角θ、霧度、在波長380nm之光線透射率、耐折彎性及耐藥品性。

(4-3.偏光板4的製造)

除了使用光學積層體4代替光學積層體1以外，係與實施例1的步驟(1-5)同樣地進行而製成偏光板4。又，在此，光學積層體4係在基材層側的面進行與偏光鏡貼合。針對所得到的偏光板4，使用上述的方法實施耐久性試驗。

(4-4.液晶顯示裝置4的製造)

除了使用偏光板4代替偏光板1以外，係與實施例1的步驟(1-6)同樣地進行而製成液晶顯示裝置4。針對所得到的液晶顯示裝置4，使用上述的方法進行評價顯示品質水準。

[實施例5]

(5-1.擠製步驟)

除了變更被擠製的樹脂之厚度、及使用非晶性樹脂H2代替非晶性樹脂H1以外，係與實施例1的步驟(1-3)同樣地進行而得到依照以下的順序具備由結晶性樹脂K1所構成的第一表面層(厚度12.0μm)/由非晶性樹脂H2所構成的基材層(厚度16.0μm)/由結晶性樹脂K1所構成的第二表面層(厚度12.0μm)之延伸前積層體5。

(5-2.延伸步驟)

除了使用延伸前積層體5代替延伸前積層體1以外，係與實施例1的步驟(1-4)同樣地進行而得到依照以下的順序具備由結晶性樹脂K1所構成的第一表面層(厚度7.5μm)/由非晶性樹脂H2所構成的基材層(厚度10.0μm)/由結晶性樹脂K1所構成的第二表面層(厚度7.5μm)之光學積層體5。使用上述的方法進行評價光學積層體5的面內遲滯值、配向角θ、霧度、在波長380nm之光線透射率、耐折彎性及耐藥品性。

(5-3.偏光板5的製造)

除了使用光學積層體5代替光學積層體1以外，係與實施例1的步驟(1-5)同樣地進行而製成偏光板5。針對所得到的偏光板5，使用上述的方法實施耐久性試驗。

(5-4.液晶顯示裝置5的製造)

除了使用偏光板5代替偏光板1以外，係與實施例1的步驟(1-6)同樣地進行而製成液晶顯示裝置5。針對所得到的液晶顯示裝置5，使用上述的方法進行評價顯示品質水準。

[實施例6]

(6-1.擠製步驟)

除了變更被擠製的樹脂之厚度、及使用非晶性樹脂H2代替非晶性樹脂H1以外，係與實施例1的步驟(1-3)同樣地進行而得到依照以下的順序具備由結晶性樹脂K1所構成的第一表面層(厚度0.08μm)/由非晶性樹脂H2所構成的基材層(厚度40.0μm)/由結晶性樹脂K1所構成的第二表面層(厚度0.08μm)之延伸前積層體6。

(6-2.延伸步驟)

除了使用延伸前積層體6代替延伸前積層體1以外，係與實施例1的步驟(1-4)同樣地進行而得到依照以下的順序具備由結晶性樹脂K1所構成的第一表面層(厚度0.05μm)/由非晶性樹脂H2所構成的基材層(厚度25.0μm)/由結晶性樹脂K1所構成的第二表面層(厚度0.05μm)之光學積層體6。使用上述的方法進行評價光學積層體6的面內遲滯值、配向角θ、霧度、在波長380nm之光線透射率、耐折彎性及耐藥品性。

(6-3.偏光板6的製造)

除了使用光學積層體6代替光學積層體1以外，係與實施例1的步驟(1-5)同樣地進行而製成偏光板6。針對所得到的偏光板6，使用上述的方法實施耐久性試驗。

(6-4.液晶顯示裝置6的製造)

除了使用偏光板6代替偏光板1以外，係與實施例1的步驟(1-6)同樣地進行而製成液晶顯示裝置6。針對所得到的液晶顯示裝置6，使用上述的方法進行評價顯示品質水準。

[實施例7]

(7-1.非晶性樹脂H3的製造)

除了使用製造例3所製成的非晶性樹脂聚合物A2，代替非晶性樹脂聚合物A1以外，係與實施例1的步驟(1-1)同樣地進行而製成非晶性樹脂H3。

(7-2.擠製步驟)

除了使用非晶性樹脂H3代替非晶性樹脂H1以外，係與實施例1的步驟(1-3)同樣地進行而得到延伸前積層體7。

(7-3.延伸步驟)

除了將延伸溫度設為165℃以外，係與在實施例1的步驟(1-4)之光學積層體1的製造同樣地進行而製成經延伸的積層體7。

(7-4.加熱步驟)

將(7-3)所得到之經延伸的積層體，兩端保持在拉幅延伸機的夾子，在使其緊繃的狀態將經延伸的積層體7邊搬運邊對經延伸的積層體7施行加熱處理，其中該拉幅延伸機係具備能夠負載長條薄膜兩端的二邊之夾子。此時的加熱條件為175℃，處理時間為20分鐘。藉此，由結晶性樹脂所形成的第一表面層係進行結晶化，而得到光學積層體7。使用上述的方式進行評價所得到的光學積層體7之面內遲滯值、配向角θ、霧度、在波長380nm之光線透射率、耐折彎性及耐藥品性。

(7-5.偏光板7的製造)

除了使用(7-4)所得到的光學積層體7代替光學積層體1以外，係與實施例1的步驟(1-5)同樣地進行而製成偏光板7。針對所得到的偏光板7，使用上述的方法實施耐久性試驗。

(7-6.液晶顯示裝置7的製造)

除了使用偏光板7代替偏光板1以外，係與實施例1的步驟(1-6)同樣地進行而製成液晶顯示裝置7。針對所得到的液晶顯示裝置7，使用上述的方法進行評價顯示品質水準。

[比較例1]

(C1-1.擠製步驟)

除了使用結晶性樹脂K1代替非晶性樹脂H1以外，係與實施例1的步驟(1-3)同樣地進行而得到依照以下的順序具有由結晶性樹脂K1所構成的第一表面層(厚度4.0μm)/由結晶性樹脂K1所構成的基材層(厚度32.0μm)/由結晶性樹脂K1所構成的第二表面層(厚度4.0μm)之延伸前積層體8。

(C1-2.延伸步驟)

除了使用延伸前積層體8代替延伸前積層體1以外，係與在實施例1的步驟(1-4)之光學積層體1的製造同樣地進行而得到依照以下的順序具有由結晶性樹脂K1所構成的第一表面層(厚度2.5μm)/由結晶性樹脂K1所構成的基材層(厚度20.0μm)/由結晶性樹脂K1所構成的第二表面層(厚度2.5μm)之光學積層體8。使用上述的方法進行評價光學積層體8的面內遲滯值、配向角θ、霧度、在波長380nm之光線透射率、耐折彎性及耐藥品性。

(C1-3.偏光板8的製造)

除了使用光學積層體8代替光學積層體1以外，係與實施例1的步驟(1-5)同樣地進行而製成偏光板8。針對所得到的偏光板8，使用上述的方法實施耐久性試驗。

(C1-4.液晶顯示裝置8的製造)

除了使用偏光板8代替偏光板1以外，係與實施例1的步驟(1-6)同樣地進行而製成液晶顯示裝置8。針對所得到的液晶顯示裝置8，使用上述的方法進行評價顯示品質水準。

[比較例2]

(C2-1.擠製步驟)

除了使用非晶性樹脂H2代替結晶性樹脂K1及非晶性樹脂H1以外，係與實施例1的步驟(1-3)同樣地進行而得到依照以下的順序具有由非晶性樹脂H2所構成的第一表面層(厚度4.0μm)/由非晶性樹脂H2所構成的基材層(厚度32.0μm)/由非晶性樹脂H2所構成的第二表面層(厚度4.0μm)之延伸前積層體9。

(C2-2.延伸步驟)

除了使用延伸前積層體9代替延伸前積層體1以外，係與在實施例1的步驟(1-4)之光學積層體1的製造同樣地進行而得到依照以下的順序具有由非晶性樹脂H2所構成的第一表面層(厚度2.5μm)/由非晶性樹脂H2所構成的基材層(厚度20.0μm)/由非晶性樹脂H2所構成的第二表面層(厚度2.5μm)之光學積層體9。使用上述的方法進行評價光學積層體9的面內遲滯值、配向角θ、霧度、在波長380nm之光線透射率、耐折彎性及耐藥品性。

(C2-3.偏光板9的製造)

除了使用光學積層體9代替光學積層體1以外，係與實施例1的步驟(1-5)同樣地進行而製成偏光板9。針對所得到的偏光板9，使用上述的方法實施耐久性試驗。

(C2-4.液晶顯示裝置9的製造)

除了使用偏光板9代替偏光板1以外，係與實施例1的步驟(1-6)同樣地進行而製成液晶顯示裝置9。針對所得到的液晶顯示裝置9，使用上述的方法進行評價顯示品質水準。

[結果]

將前述的實施例及比較例之結果顯示在下述的表1。在下述的表，簡稱的意思係如以下。

H1：非晶性樹脂H1。

H2：非晶性樹脂H2。

H3：非晶性樹脂H3。

K1：結晶性樹脂K1。

Re：光學積層體的面內遲滯值。

θ：相對於光學積層體的長度方向之光學積層體的配向角。

透射率：在波長380nm之光學積層體的光線透射率。

霧度：光學積層體的霧度。

顯示品質水準：液晶顯示裝置的顯示品質水準。

耐折彎性：光學積層體的耐折彎性。

耐藥品性：光學積層體的耐藥品性。

耐久性：偏光板的耐久性。

[表1]

[研討]

從表1能夠得知，在實施例，光學積層體的耐折彎性及耐藥品性、以及液晶顯示裝置的顯示品質水準之任一者均能夠得到良好的結果。針對耐折彎性、耐藥品性，在延伸步驟後有加熱步驟時係進一步變高。從該等情形，能夠確認依照本發明，能夠使配戴光學太陽眼鏡觀看時之液晶顯示裝置的顯示品質水準變得良好，而且能夠實現具有優異的耐藥品性及耐折彎性之光學積層體。

Claims (9)

1. 一種光學積層體，係具備基材層及第一表面層，前述基材層係含有含非晶性脂環式結構的聚合物，前述第一表面層係含有含結晶性脂環式結構的聚合物，其中前述含結晶性脂環式結構的聚合物之外消旋二單元組的比率為51%以上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之光學積層體，其中前述光學積層體的遲滯值為400nm以下，前述第一表面層的厚度為0.1μm~5.0μm。
3. 如申請專利範圍第1項所述之光學積層體，其中前述含結晶性脂環式結構的聚合物為二環戊二烯的開環聚合物之氫化物。
4. 如申請專利範圍第1項所述之光學積層體，其中在波長380nm之前述光學積層體的透射率為10%以下。
5. 如申請專利範圍第1項所述之光學積層體，其中在前述基材層之與前述第一表面層的相反側，具備第二表面層，前述第二表面層係含有含結晶性脂環式結構的聚合物。
6. 如申請專利範圍第1項所述之光學積層體，其中前述光學積層體具有長條形狀，前述光學積層體的遲相軸相對於前述光學積層體的長度方向不是平行亦不是垂直。
7. 如申請專利範圍第6項所述之光學積層體，其中相對於前述光學積層體的長度方向之配向角為45°±5°。
8. 一種偏光板，係包含如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之光學積層體及偏光鏡。
9. 一種液晶顯示裝置，係具備如申請專利範圍第8項所述之偏光板。