TWI680532B - 製程設備及其晶圓承載盤 - Google Patents

製程設備及其晶圓承載盤 Download PDF

Info

Publication number
TWI680532B
TWI680532B TW107123129A TW107123129A TWI680532B TW I680532 B TWI680532 B TW I680532B TW 107123129 A TW107123129 A TW 107123129A TW 107123129 A TW107123129 A TW 107123129A TW I680532 B TWI680532 B TW I680532B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
fan
shaped regions
straight
wafer carrier
Prior art date
Application number
TW107123129A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202006881A (zh
Inventor
謝偉傑
Wei Jie Sie
劉嘉哲
Jia Zhe Liu
施英汝
Ying Ru Shih
Original Assignee
環球晶圓股份有限公司
Globalwafers Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 環球晶圓股份有限公司, Globalwafers Co., Ltd. filed Critical 環球晶圓股份有限公司
Priority to TW107123129A priority Critical patent/TWI680532B/zh
Priority to CN201910418046.8A priority patent/CN110690159B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI680532B publication Critical patent/TWI680532B/zh
Publication of TW202006881A publication Critical patent/TW202006881A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

本發明公開一種製程設備及其晶圓承載盤，晶圓承載盤包含呈圓形的第一表面、位於第一表面相反側的第二表面、凹設於第一表面的N個晶圓槽。第一表面界定出以其圓心為頂點且面積相等的N個扇形區域，N為大於1的正整數，N個晶圓槽分別自N個扇形區域所凹設形成。N個晶圓槽是相對於第一表面的圓心、以預定角度而呈旋轉對稱排列，預定角度為360/N度。每個扇形區域包含兩直線邊與圓弧邊，每個晶圓槽的內側壁包含直線段與圓弧段。於每個扇形區域及其內的晶圓槽中，直線段平行於兩個直線邊的其中之一，而圓弧段相切於兩個直線邊的其中另一。

Description

製程設備及其晶圓承載盤
本發明涉及一種承載盤，尤其涉及一種製程設備及其晶圓承載盤。
現有的晶圓承載盤能用來承載多個晶圓，用以使上述多個晶圓可以在一製程設備中進行磊晶。其中，為提升上述製程設備的效果，現有晶圓承載盤大都在既定的面積上儘可能地容置最多的晶圓數量。然而，現有晶圓承載盤對於其所承載的晶圓之排佈方式容易使晶圓的外圍部位所形成的磊晶厚度較厚，進而影響到晶圓的磊晶厚度均勻性。
於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。
本發明實施例在於提供一種製程設備及其晶圓承載盤，其能有效地改善現有晶圓承載盤所可能產生的缺陷。
本發明實施例公開一種晶圓承載盤，包括：一第一表面及一第二表面，所述第二表面位於所述第一表面的相反側；其中，所述第一表面呈圓形，並且所述第一表面界定出以其圓心為頂點且面積相等的N個扇形區域，並且N為大於1的正整數；以及N個晶圓槽，分別自所述第一表面的N個所述扇形區域所凹設形成， 並且N個所述晶圓槽是相對於所述第一表面的圓心、以一預定角度而呈一旋轉對稱排列設置，並且所述預定角度為360/N度；其中，每個所述扇形區域包含有兩個直線邊與一圓弧邊，而每個所述晶圓槽的內側壁包含有一直線段與一圓弧段；於每個所述扇形區域及其內的所述晶圓槽中，所述直線段大致平行於兩個所述直線邊的其中之一，而所述圓弧段則是相切於兩個所述直線邊的其中另一。
本發明實施例也公開一種製程設備的晶圓承載盤，包括：一設備本體；以及一晶圓承載盤，位於所述設備本體內，並且所述晶圓承載盤包含有：一第一表面及一第二表面，所述第二表面位於所述第一表面的相反側；其中，所述第一表面呈圓形，並且所述第一表面界定出以其圓心為頂點且面積相等的N個扇形區域，並且N為大於1的正整數；及N個晶圓槽，分別自所述第一表面的N個所述扇形區域所凹設形成，並且N個所述晶圓槽是相對於所述第一表面的圓心、以一預定角度而呈一旋轉對稱排列設置，並且所述預定角度為360/N度；其中，每個所述扇形區域包含有兩個直線邊與一圓弧邊；於所述第一表面的每個所述扇形區域中，任一個所述直線邊的長度不大於所述第一表面的一半徑，而任一個所述直線邊的長度除以所述半徑的比值是介於0.9~0.96；其中，所述晶圓承載盤能以所述第一表面的所述圓心為一轉動軸心而相對於所述設備本體自轉。
綜上所述，本發明實施例所公開的製程設備及其晶圓承載盤，其透過在晶圓承載盤第一表面上形成有特定排佈方式的N個晶圓槽，藉以減少鄰近第一表面邊緣的晶圓槽部位(或使每個晶圓槽適度地遠離第一表面邊緣)，進而避免位於晶圓槽內的晶圓之外圍部位的磊晶厚度過厚。
為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有 關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。
1000‧‧‧製程設備
100‧‧‧晶圓承載盤
1‧‧‧第一表面
11‧‧‧扇形區域
111‧‧‧直線邊
112‧‧‧圓弧邊
113‧‧‧角平分線
12‧‧‧空白區域
2‧‧‧第二表面
3‧‧‧晶圓槽
31‧‧‧直線段
32‧‧‧圓弧段
200‧‧‧設備本體
α‧‧‧預定角度
G‧‧‧間距
W12‧‧‧寬度
C1、C112、C32‧‧‧圓心
R1‧‧‧半徑
L111、L31‧‧‧長度
D、D’、D32‧‧‧直徑
圖1為本發明實施例之晶圓承載盤的示意圖。
圖2為本發明實施例之製程設備的示意圖。
圖3為圖1的晶圓承載盤於其第一表面定義有多個扇形區域的示意圖。
圖4為圖3的俯視示意圖。
圖5為圖3的局部放大示意圖。
圖6為本發明晶實施例之圓承載盤另一實施態樣的示意圖。
圖7為本發明晶實施例之圓承載盤又一實施態樣的示意圖。
圖8為圖4中的VⅢ部位的局部放大示意圖。
圖9為本發明實施例的磊晶實驗結果示意圖。
請參閱圖1至圖9，其為本發明的實施例，需先說明的是，本實施例對應附圖所提及的相關數量與外型，僅用來具體地說明本發明的實施方式，以便於了解本發明的內容，而非用來侷限本發明的保護範圍。
如圖1所示，本實施例公開一種晶圓承載盤100，其較佳是能於一製程設備(如：化學氣相沉積儀)中用來承載多個晶圓，以使所述多個晶圓能在上述製程設備中進行磊晶作業，但本發明不受限於此。
換個角度來說，如圖2所示，本實施例也公開一種製程設備1000(如：化學氣相沉積儀)，包含有一設備本體200及位於所述設備本體200內的一晶圓承載盤100，並且所述晶圓承載盤100能以其中心(如：下述第一表面1的圓心C1)為一轉動軸心而相 對於所述設備本體200自轉。
如圖3所示，所述晶圓承載盤100包含有一第一表面1、位於上述第一表面1相反側的一第二表面2、及凹設於所述第一表面1的N個晶圓槽3。其中，所述第一表面1呈圓形，並且第一表面1界定出以其圓心C1為頂點且面積相等的N個扇形區域11，N為大於1的正整數。再者，所述N個晶圓槽3分別凹設於N個扇形區域11，也就是說，每個扇形區域11凹設有一個晶圓槽3。
其中，所述晶圓承載盤100於本實施例中呈圓盤狀構造，也就是說，上述晶圓承載盤100的第一表面1與第二表面2於本實施例中為相同的圓形，但本發明不受於此。舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，上述晶圓承載盤100的第二表面2也可以是非圓形。
進一步地說，如圖4和圖5所示，上述每個扇形區域11包含有兩個直線邊111與一圓弧邊112，並且所述兩個直線邊111的一端相交於第一表面1的圓心C1，每個扇形區域11的圓弧邊112之半徑較佳為上述任一個直線邊111的長度L111，而每個扇形區域11的圓弧邊112之圓心C112則是坐落於第一表面1的圓心C1。再者，於所述第一表面1的任兩個相鄰扇形區域11中，其中一個扇形區域11的至少一個直線邊111重疊於其中另一個扇形區域11的至少一個直線邊111。
於所述第一表面1的每個扇形區域11中，任一個直線邊111的長度L111不大於所述第一表面1的一半徑R1，而任一個直線邊111的長度L111除以所述半徑R1的比值較佳是是介於0.9~0.96(上述比值於本實施例中是以0.946來說明)。換個角度來說，所述第一表面1在其外圍部位留有圓環狀的一空白區域12，並且任一個晶圓槽3未延伸至上述空白區域12。
所述N個晶圓槽3具有相同的外形並且相對於上述第一表面1的圓心C1、是以一預定角度α而呈一旋轉對稱排列設置，而所述預定角度α限定為360/N度。其中，N於本實施中是以六來說明，所以上述預定角度α為60度，而所述晶圓承載盤100的多個晶圓槽3則是相對於上述第一表面1的圓心C1呈六重旋轉對稱(6-fold rotational symmetry)，但本發明的N可以依據設計需求而加以調整，並不受限於此。
進一步地說，本發明的N可以進一步限定介於3~8；舉例來說：如圖6所示，所述晶圓承載盤100可以在第一表面1凹設形成有三個晶圓槽3，所以上述預定角度α為120度，並且上述三個晶圓槽3相對於上述第一表面1的圓心C1呈三重旋轉對稱；或者如圖7所示，所述晶圓承載盤100可以在第一表面1凹設形成有八個晶圓槽3，所以上述預定角度α為45度，並且上述八個晶圓槽3相對於上述第一表面1的圓心C1呈八重旋轉對稱。
如圖4和圖5所示，所述晶圓槽3的外形較佳是對應於其所欲容置的晶圓外形，而本實施例的每個晶圓槽3內側壁包含有一直線段31與一圓弧段32；也就是說，上述晶圓槽3在俯視圖中大致呈截圓狀，用以容置截圓狀的晶圓。其中，上述多個晶圓槽3的直線段31中垂線彼此相連所構成的形狀於本實施例中呈一正N邊形。更詳細地說，於上述每個晶圓槽3中，所述直線段31的長度L31除以上述圓弧段32的一直徑D32、的比值較佳是介於0.36~0.4(上述比值於本實施例中是以0.384來說明)。
於每個扇形區域11及其內的晶圓槽3中，所述直線段31大致平行於兩個直線邊111的其中之一，而所述圓弧段32則是相切於上述兩個直線邊111的其中另一，並且所述圓弧段32也相切於所述圓弧邊112。換個角度來說，如圖4和圖8所示，由於每個晶圓槽3的直線段31是大致平行於相對應扇形區域11的其中一個 直線邊111，所以任兩個相鄰的晶圓槽3之間呈彼此間隔設置、並且具有介於0.5公釐~2公釐的一間距G(上述間距G本實施例中是以1公釐來說明)。
據此，本實施例晶圓承載盤100透過上述多個晶圓槽3的排佈方式，使得上述多個晶圓槽3在相對於第一表面1具有較大分佈面積的前提下，每個晶圓槽3是以圓弧段32相切於扇形區域11的圓弧邊112，因而令直線段31的兩個端部遠離上述圓弧邊112，藉以減少鄰近第一表面1邊緣的晶圓槽3部位，進而避免位於晶圓槽3內的晶圓之外圍部位的磊晶厚度過厚。
進一步地說，如圖4和圖5所示，於每個扇形區域11及其內的晶圓槽3中，所述圓弧段32是與上述第一表面1的邊緣相隔有一距離W12(上述距離即為上述空白區域12的寬度W12)，而所述距離W12較佳是介於8公釐(mm)~15公釐(上述距離W12於本實施例中是以12.5公釐來說明)。
據此，本實施例的晶圓承載盤100透過在其第一表面1的外圍部位設有未形成任何晶圓槽3且具有特定寬度W12的空白區域12，藉以使上述每個晶圓槽3能夠適度地遠離所述第一表面1的邊緣，進而避免位於任一個晶圓槽3內的晶圓之外圍部位的磊晶厚度過厚。
再者，本實施例通過進行一磊晶實驗以證實上述空白區域12的特定寬度W12的技術效果，並且上述磊晶實驗是以不同的晶圓承載盤來容置相對應的晶圓，以進行晶圓的磊晶，而上述磊晶實驗的結果大致如圖9所示。其中，圖9的縱軸為晶圓的磊晶厚度，圖9的橫軸為晶圓相對應於晶圓承載盤之中心的磊晶位置。由此可看出，在晶圓的磊晶位置相較於晶圓承載盤之中心超過0.22公尺(及相當於晶圓承載盤的直徑為440釐米之範圍內；如：圖4中的多個扇形區域11所共同構成的圓形區域之直徑D)時，晶圓 的磊晶厚度較為均勻，而上述磊晶實驗中所載用的晶圓承載盤直徑為465釐米(如：圖4中圓形第一表面1的直徑D’)，所以可推出空白區域12的寬度W12較佳是在8-15釐米上下；換個角度來說，於本實施例中，所述晶圓承載盤100的第一表面1直徑為465釐米，而多個扇形區域11在第一表面1上所共同構成的圓形區域之直徑為440釐米。
此外，如圖5所示，於每個扇形區域11及其內的晶圓槽3中，所述圓弧段32的圓心C32未落在所述扇形區域11的角平分線113上。換言之，本實施例的晶圓承載盤100較佳是排除在每個扇形區域11內形成有圓形的晶圓槽3，但本發明不受限於此。
[本發明實施例的技術效果]
綜上所述，本發明實施例所公開的製程設備1000及其晶圓承載盤100，其透過在晶圓承載盤100第一表面1上形成有特定排佈方式的N個晶圓槽3，藉以減少鄰近第一表面1邊緣的晶圓槽3部位(或使每個晶圓槽3適度地遠離第一表面1邊緣)，進而避免位於晶圓槽3內的晶圓之外圍部位的磊晶厚度過厚。
以上所述僅為本發明的優選可行實施例，並非用來侷限本發明的保護範圍，凡依本發明專利範圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本發明的權利要求書的保護範圍。

Claims (10)

  1. 一種晶圓承載盤，包括：一第一表面及一第二表面，所述第二表面位於所述第一表面的相反側；其中，所述第一表面呈圓形，並且所述第一表面界定出以其圓心為頂點且面積相等的N個扇形區域，並且N為大於1的正整數；以及N個晶圓槽，分別自所述第一表面的N個所述扇形區域所凹設形成，並且N個所述晶圓槽是相對於所述第一表面的圓心、以一預定角度而呈一旋轉對稱排列設置，並且所述預定角度為360/N度；其中，每個所述扇形區域包含有兩個直線邊與一圓弧邊，而每個所述晶圓槽的內側壁包含有一直線段與一圓弧段；於每個所述扇形區域及其內的所述晶圓槽中，所述直線段大致平行於兩個所述直線邊的其中之一，而所述圓弧段則是相切於兩個所述直線邊的其中另一。
  2. 如請求項1所述的晶圓承載盤，其中，於所述第一表面的任兩個相鄰所述扇形區域中，其中一個所述扇形區域的至少一個所述直線邊重疊於其中另一個所述扇形區域的至少一個所述直線邊。
  3. 如請求項1所述的晶圓承載盤，其中，於所述第一表面的每個所述扇形區域中，任一個所述直線邊的長度不大於所述第一表面的一半徑，而任一個所述直線邊的長度除以所述半徑的比值是介於0.9~0.96。
  4. 如請求項1所述的晶圓承載盤，其中，於每個所述晶圓槽中，所述直線段的長度除以所述圓弧段的一直徑的比值是介於0.36~0.4。
  5. 如請求項1所述的晶圓承載盤，其中，於每個所述扇形區域及其內的所述晶圓槽中，所述圓弧段相切於所述圓弧邊，並且所述圓弧段是與所述第一表面的邊緣相隔有一距離，而所述距離介於8公釐(mm)~15公釐。
  6. 如請求項1所述的晶圓承載盤，其中，於每個所述扇形區域及其內的所述晶圓槽中，所述圓弧段的圓心未落在所述扇形區域的角平分線。
  7. 如請求項1所述的晶圓承載盤，其中，任兩個相鄰的所述晶圓槽之間呈彼此間隔設置、並且具有介於0.5公釐~2公釐的一間距。
  8. 如請求項1所述的晶圓承載盤，其中，多個所述直線段的中垂線彼此相連所構成的形狀呈一正N邊形，而N進一步限定介於3~8。
  9. 如請求項1所述的晶圓承載盤，其中，所述第一表面的直徑為465釐米，而多個扇形區域在所述第一表面上所共同構成的圓形區域之直徑為440釐米。
  10. 一種製程設備的晶圓承載盤，包括：一設備本體；以及一晶圓承載盤，位於所述設備本體內，並且所述晶圓承載盤包含有：一第一表面及一第二表面，所述第二表面位於所述第一板面的相反側；其中，所述第一表面呈圓形，並且所述第一表面界定出以其圓心為頂點且面積相等的N個扇形區域，並且N為大於1的正整數；及N個晶圓槽，分別自所述第一表面的N個所述扇形區域所凹設形成，並且N個所述晶圓槽是相對於所述第一表面的圓心、以一預定角度而呈一旋轉對稱排列設置，並且所述預定角度為360/N度；其中，每個所述扇形區域包含有兩個直線邊與一圓弧邊；於所述第一表面的每個所述扇形區域中，任一個所述直線邊的長度不大於所述第一表面的一半徑，而任一個所述直線邊的長度除以所述半徑的比值是介於0.9~0.96；其中，所述晶圓承載盤能以所述第一表面的所述圓心為一轉動軸心而相對於所述設備本體自轉。
TW107123129A 2018-07-04 2018-07-04 製程設備及其晶圓承載盤 TWI680532B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107123129A TWI680532B (zh) 2018-07-04 2018-07-04 製程設備及其晶圓承載盤
CN201910418046.8A CN110690159B (zh) 2018-07-04 2019-05-20 制造设备及其晶圆承载盘

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107123129A TWI680532B (zh) 2018-07-04 2018-07-04 製程設備及其晶圓承載盤

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI680532B true TWI680532B (zh) 2019-12-21
TW202006881A TW202006881A (zh) 2020-02-01

Family

ID=69108105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107123129A TWI680532B (zh) 2018-07-04 2018-07-04 製程設備及其晶圓承載盤

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110690159B (zh)
TW (1) TWI680532B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201438858A (zh) * 2013-03-15 2014-10-16 Applied Materials Inc 基板沉積系統、機械手臂運輸設備及用於電子裝置製造之方法
TWM535868U (zh) * 2016-10-07 2017-01-21 環球晶圓股份有限公司 晶圓載具

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3537428B2 (ja) * 2002-07-18 2004-06-14 沖電気工業株式会社 半導体結晶成長装置用治具，及び半導体製造方法
US20090324826A1 (en) * 2008-06-27 2009-12-31 Hitoshi Kato Film Deposition Apparatus, Film Deposition Method, and Computer Readable Storage Medium
CN102230168A (zh) * 2011-06-17 2011-11-02 绿种子能源科技股份有限公司 薄膜沉积装置
CN103065997B (zh) * 2011-10-19 2015-08-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆承载设备及晶圆承载的方法
CN105632984B (zh) * 2014-11-24 2018-10-16 中微半导体设备(上海)有限公司 一种晶圆载盘
CN204661824U (zh) * 2015-05-28 2015-09-23 上海鸿辉光通科技股份有限公司 一种晶圆生产用旋转平台
CN205821452U (zh) * 2016-07-11 2016-12-21 中山德华芯片技术有限公司 一种分区段晶圆片载体
TWM539150U (zh) * 2016-11-21 2017-04-01 環球晶圓股份有限公司 晶圓承載盤

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201438858A (zh) * 2013-03-15 2014-10-16 Applied Materials Inc 基板沉積系統、機械手臂運輸設備及用於電子裝置製造之方法
TWM535868U (zh) * 2016-10-07 2017-01-21 環球晶圓股份有限公司 晶圓載具

Also Published As

Publication number Publication date
TW202006881A (zh) 2020-02-01
CN110690159A (zh) 2020-01-14
CN110690159B (zh) 2021-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10240235B2 (en) Method and apparatus for depositing a material layer originating from process gas on a substrate wafer
US8308921B1 (en) Mask for increased uniformity in ion beam deposition
US10490432B2 (en) Wafer carrier
US10151028B2 (en) Film deposition apparatus
TWI680532B (zh) 製程設備及其晶圓承載盤
TWI653368B (zh) 用於保持半導體晶圓的基座、用於在半導體晶圓的正面上沉積磊晶層的方法、以及具有磊晶層的半導體晶圓
KR20150110207A (ko) 보트
KR102426875B1 (ko) 코팅을 제조하기 위한 방법 및 코팅을 포함하는 광전 반도체 소자
TWI691016B (zh) 晶圓承載盤
US20190144996A1 (en) Wafer carrier and metal organic chemical vapor deposition apparatus
TWM545140U (zh) 用於在cvd或pvd反應器之製程室中固持基板之裝置
JP7113626B2 (ja) 研磨パッド
CN211284533U (zh) 一种石墨盘及沉积装置
CN115058691A (zh) 蒸发镀膜装置和镀膜方法
TWI576450B (zh) 鍍膜裝置
US20150034010A1 (en) Susceptor and apparatus including the same
JPH03253568A (ja) カルーセル形スパツタリング装置およびそのスパツタリング方法
TW202118892A (zh) 用於cvd反應器的氣體入口構件
US20200118803A1 (en) Film formation apparatus
JP6832770B2 (ja) 熱化学蒸着装置の基板ホルダー
JP7400461B2 (ja) サセプタ
CN216378480U (zh) 一种承载盘及气相外延设备
CN114717531A (zh) 一种立式镀膜装置
JPH04202773A (ja) 成膜方法及びこの方法に使用する補正体
KR101352886B1 (ko) 기판 지지용 서셉터