CN216378480U - 一种承载盘及气相外延设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种承载盘及气相外延设备,属于气相外延生长技术领域。本实用新型的承载盘,用于悬浮在基座上,以在基座提供的气流下旋转,承载盘朝向基座的表面设置有至少一个气流阻挡结构,气流阻挡结构沿气流的流动方向设置,气流阻挡结构能够阻挡气流以推动承载盘旋转。气流阻挡结构可使承载盘的自转速度增加,承载盘表面被覆盖外延层的速度减小,沉积外延层时间增加,从而延长承载盘使用周期,减少维护成本;使用本实用新型的承载盘不容易沉积外延层,从而减少外延片被边缘外延沉积阻挡造成卡壳取不出来造成裂片的风险,提高产品成品率。
Description
技术领域
本实用新型属于气相外延生长技术领域,具体涉及一种承载盘及气相外延设备。
背景技术
气相外延设备的承载盘用于装载衬底,在外延生长过程缓慢自转和衬底一起将会在表面覆盖一层外延层,承载盘悬浮于基座之上,现有承载盘底部无条纹,肉眼观察为平面,中间有一个用于固定小凹槽,依靠底座凹槽内三个圆孔吹出气体驱动承载盘旋转。
当承载盘上沉积外延层达到一定厚度时需要更换新的承载盘,现承载盘底部为平面,旋转速度慢,在表面沉积外延层的速度快,当表面沉积外延层到一定厚度时不能继续使用,需要取出来烘烤,换新的承载盘,造成承载盘使用周期短;承载盘表面沉积外延层到达一定厚度对外延片生长有一定的影响;承载盘表面外延层沉积到达一定的厚度影响衬底片装载和成品收取,容易造成碎片。
因此,为了解决上述问题,有必要开发一种设计合理且可以有效改善上述问题的承载盘及气相外延设备。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种承载盘及气相外延设备。
本实用新型的一方面提供一种承载盘,用于悬浮在基座上,以在所述基座提供的气流下旋转,所述承载盘朝向所述基座的表面设置有至少一个气流阻挡结构,所述气流阻挡结构沿所述气流的流动方向设置,所述气流阻挡结构能够阻挡所述气流以推动所述承载盘旋转。
可选的,所述气流阻挡结构为设置在所述承载盘表面的气流阻挡槽。
可选的,所述气流阻挡槽的横截面呈弧形。
可选的,所述气流阻挡槽的第一端位于所述承载盘的边缘区域,所述气流阻挡槽的第二端位于所述承载盘的中心区域。
可选的,所述气流阻挡槽的第二端的深度大于其第一端的深度。
可选的,所述气流阻挡槽的深度自其第二端向其第一端依次递减。
可选的,所述气流阻挡槽的第二端深度范围为0.8mm~1.2mm,所述气流阻挡槽的第一端深度范围为0.1mm~0.3mm。
可选的,所述承载盘设置有多个气流阻挡结构,所述多个气流阻挡结构沿所述承载盘的周向间隔设置。
可选的,所述基座上设置有多个吹气孔,每个所述气流阻挡结构对应至少一个所述吹气孔。
本实用新型的另一方面提供一种气相外延设备,所述气相外延设备包括基座以及悬设在所述基座上的承载盘,所述承载盘采用前文所述的承载盘。
本实用新型的承载盘及气相外延设备,在承载盘朝向基座的表面设置有至少一个气流阻挡结构,气流阻挡结构沿气流的流动方向设置,气流阻挡结构能够阻挡气流以推动承载盘旋转。气流阻挡结构可使承载盘的自转速度增加,承载盘表面被覆盖外延层的速度减小,沉积外延层的时间增加,从而延长承载盘使用周期,减少维护成本;使用本实用新型的承载盘不容易沉积外延层,从而减少外延片被边缘外延沉积阻挡造成卡壳取不出来造成裂片的风险,提高产品成品率。
附图说明
图1为本实用新型一实施例的承载盘底部的平面示意图;
图2为本实用新型另一实施例的承载盘及气流阻挡结构的纵剖面示意图;
图3为本实用新型另一实施例的基座的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
如图1和图3所示,本实用新型的一方面提供一种承载盘100,用于悬浮在基座200上,以在基座200提供的气流下旋转,承载盘100朝向基座200的表面设置有至少一个气流阻挡结构110,气流阻挡结构110沿气流的流动方向设置,气流阻挡结构110能够阻挡气流以推动承载盘100旋转。其中,如图2所示,承载盘100朝向基座200的表面的中心区域设置有凹槽120,承载盘100背离基座200的表面设置有槽体130,槽体130用来放置衬底。
需要说明的是,本实施例中的承载盘100的材质优选为石墨材质,相当于现有技术中的石墨小盘,基座200的材质优选为石墨材质,相当于现有技术中的石墨大盘。承载盘100和基座200也可以是其他的材质,本实施例不做具体限定。
本实用新型的承载盘,气流阻挡结构可使承载盘的自转速度增加,承载盘表面被覆盖外延层的速度减小,沉积外延层的时间增加,从而延长承载盘使用周期,减少维护成本;使用本实用新型的承载盘不容易沉积外延层,从而减少外延片被边缘外延沉积阻挡造成卡壳取不出来造成裂片的风险,提高产品成品率。
进一步优选地,如图2所示,气流阻挡结构110为设置在承载盘100表面的气流阻挡槽。气体顺着气流阻挡槽流动以驱动承载盘100的转动。相对于现有技术中承载盘的底部为平面的设计,本实用新型的承载盘的底部设置有气流阻挡槽,可以使承载盘自带旋转助力效果,促进承载盘在使用过程中增加自旋转速度。
示例性的,如图1所示,气流阻挡槽的横截面呈弧形。本实施例中弧形的气流阻挡槽设置有三个,三个气流阻挡槽围绕凹槽120呈螺旋状分布。本实施例对气流阻挡槽的横截面的形状及气流阻挡槽的个数不做具体限定,可以根据实际的需要进行选择,只要能实现本实施例的效果即可。
示例性的,如图2所示,气流阻挡槽的第一端111位于承载盘100的边缘区域,气流阻挡槽的第二端112位于承载盘100的中心区域。也就是说,气流阻挡槽自第一端111至第二端112相对于承载盘100的边缘区域的距离越来越大。
示例性的,如图2所示,气流阻挡槽的第二端112的深度大于其第一端111的深度。优选地,气流阻挡槽的深度自其第二端112向其第一端111依次递减。进一步优选地,气流阻挡槽的第二端深度范围为0.8mm~1.2mm,气流阻挡槽的第二端深度范围为0.1mm~0.3mm。更进一步地,气流阻挡槽的深度自第二端112的1mm渐变到第一端111的0.2mm。气流阻挡槽的深度自其第二端112向其第一端111依次递减,可以更好的起到增加承载盘100自身旋转的效果。
需要说明的是,如图2所示,在本实施例中,气流阻挡结构110的纵剖面宽度为10mm,其第一端111的深度为0.2mm,其第二端112的深度为0.8mm。气流阻挡结构110的第二端112与凹槽120之间的距离为22mm,承载盘100的直径为164mm,承载盘100的厚度为90mm,放置衬底的槽体130的直径为100.6mm。本实施例对承载盘100和气流阻挡结构110的相关尺寸大小不做具体限定,可根据实际需要进行选择。
示例性的,如图1所示,承载盘100设置有多个气流阻挡结构110,多个气流阻挡110结构沿承载盘100的周向间隔设置。本实施例中,承载盘100设置有三个气流阻挡结构110,三个气流阻挡结构110沿承载盘100的周向等间隔设置。等间隔设置的气流阻挡结构可以使承载盘匀速稳定的旋转。
示例性的,如图3所示,基座200上设置有多个吹气孔210,多个吹起孔210设置在基座200的边缘区域,每个气流阻挡结构110对应至少一个吹气孔210。需要说明的是,如图3所示,基座200朝向承载盘100的一侧设置有与承载盘100上相同的气流阻挡结构220,气流从多个吹气孔210中吹出时顺着基座200上气流阻挡结构220流动形成有一定方向的气流,有一定方向的气流顺着承载盘100上的气流阻挡结构110流动进而推动承载盘100转动,也就是说,承载盘100的旋转方向与吹气孔210吹出的气流方向使一致的。需要说明的是,本实施例中基座200上设置有等间隔分布的三个吹起孔210,基座200上也设置有三个气流阻挡结构220。本实施例对吹气孔210的个数不做具体限定,可以根据具体需要进行选择。基座200的中心区域设置有与承载盘100中的凹槽120相对应的柱体230,柱体230在承载盘100不处于悬浮状态时,对承载盘100起到支撑作用。
本实用新型的另一方面提供一种气相外延设备,气相外延设备包括基座200以及悬设在基座上200的承载盘100,承载盘100采用前文的承载盘100,承载盘100的具体结构前文已经进行详细描述,在此不再赘述。
本实用新型的气相外延设备使用前文所述的承载盘,承载盘不容易沉积外延层,从而减少外延片被边缘外延沉积阻挡造成卡壳取不出来造成裂片的风险,提高产品成品率。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式,然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种承载盘,用于悬浮在基座上,以在所述基座提供的气流下旋转,其特征在于,所述承载盘朝向所述基座的表面设置有至少一个气流阻挡结构,所述气流阻挡结构沿所述气流的流动方向设置,所述气流阻挡结构能够阻挡所述气流以推动所述承载盘旋转。
2.根据权利要求1所述的承载盘,其特征在于,所述气流阻挡结构为设置在所述承载盘表面的气流阻挡槽。
3.根据权利要求2所述的承载盘,其特征在于,所述气流阻挡槽的横截面呈弧形。
4.根据权利要求3所述的承载盘,其特征在于,所述气流阻挡槽的第一端位于所述承载盘的边缘区域,所述气流阻挡槽的第二端位于所述承载盘的中心区域。
5.根据权利要求4所述的承载盘,其特征在于,所述气流阻挡槽的第二端的深度大于其第一端的深度。
6.根据权利要求5所述的承载盘,其特征在于,所述气流阻挡槽的深度自其第二端向第一端依次递减。
7.根据权利要求6所述的承载盘,其特征在于,所述气流阻挡槽的第二端深度范围为0.8mm~1.2mm,所述气流阻挡槽的第一端深度范围为0.1mm~0.3mm。
8.根据权利要求1至7任一项所述的承载盘,其特征在于,所述承载盘设置有多个气流阻挡结构,所述多个气流阻挡结构沿所述承载盘的周向间隔设置。
9.根据权利要求8所述的承载盘,其特征在于,所述基座上设置有多个吹气孔,每个所述气流阻挡结构对应至少一个所述吹气孔。
10.一种气相外延设备,其特征在于,所述气相外延设备包括基座以及悬设在所述基座上的承载盘,所述承载盘采用权利要求1至9任一项所述的承载盘。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202122746064.4U CN216378480U (zh) | 2021-11-10 | 2021-11-10 | 一种承载盘及气相外延设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202122746064.4U CN216378480U (zh) | 2021-11-10 | 2021-11-10 | 一种承载盘及气相外延设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN216378480U true CN216378480U (zh) | 2022-04-26 |
Family
ID=81251892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202122746064.4U Active CN216378480U (zh) | 2021-11-10 | 2021-11-10 | 一种承载盘及气相外延设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN216378480U (zh) |
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