TWM535868U - 晶圓載具 - Google Patents

Description

晶圓載具

本新型創作是有關於一種晶圓載具。

在氣相沈積製程中，由於製作公差以及為利於使用者操作，因而載具與晶圓之間是處於非完全結構密合的狀態。此舉會造成在製程進行中，晶圓因載具旋轉所產生的離心力影響而於載槽中移動，進而使其上的沈積物無法均勻地分佈，而在晶圓表面的外觀上產生明顯的滑移線等瑕疵，甚至產生晶圓與載具相互碰撞而導致晶圓受損。

據此，如何讓晶圓載具能兼具製程中的結構穩定性以及操作上的便利性，便成為相關人員所需考慮並克服的課題。

本新型創作提供一種晶圓載具，其提供晶圓在進行製程時的結構穩定性。

本新型創作的晶圓載具，包括載盤本體以及至少一擋件。載盤本體具有中心與至少一載槽。載盤本體以所述中心自轉。至少一晶圓適於放置在載槽中而隨載槽相對於所述中心旋轉。擋件設置在載槽內且抵接在晶圓與載槽之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的晶圓與擋件接觸的部分位於載槽背離中心的弧線區域上，且上述載盤本體的中心至載槽存在射線，而弧線區域是以所述射線為中心的對稱區域。

在本新型創作的一實施例中，上述的射線還通過載槽的中心。

在本新型創作的一實施例中，上述的弧線區域所佔載槽之圓心角大於或等於90度。

在本新型創作的一實施例中，上述至少一擋件包括多個擋件，分別抵接在載槽與晶圓的多個轉角之間。這些擋件在弧線區域上呈間斷配置。

在本新型創作的一實施例中，上述的擋件佈滿整個弧線區域。

在本新型創作的一實施例中，上述的擋件、擋件與晶圓接觸的部分以及擋件與載槽接觸的部分具有一致輪廓。

在本新型創作的一實施例中，上述擋件的材質包括二氧化矽、石墨、鉬及鎢的其中之一。

在本新型創作的一實施例中，上述的擋件為石墨紙。

在本新型創作的一實施例中，上述擋件的厚度為20μm至30μm。

基於上述，在本新型創作的上述實施例中，晶圓載具藉由設置在載槽內的擋件，且使擋件抵接在載槽與晶圓之間，而讓晶圓與擋件接觸的部分是位於載槽遠離中心的弧線區域上，因此例如在進行氣相沈積製程時，晶圓得以藉由擋件而抵銷載盤本體轉動時所產生的離心力，因而有效地提高晶圓與載盤本體在製程進行時的結構穩定性。

為讓本新型創作的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是依據本新型創作一實施例的一種晶圓載具的示意圖。圖2是圖1的晶圓載具的局部放大圖。請同時參考圖1與圖2，在本實施例中，晶圓載具100適用於氣相沈積裝置400（在此僅以示意圖作為例示，由於氣相沈積裝置400的特徵已能由現有技術得知，故不予以贅述），晶圓200得以藉由放置在晶圓載具100上而進行氣相沈積製程。再者，本實施例雖以氣相沈積製程作為描述晶圓載具100的操作環境，但不以此為限制條件。

詳細而言，晶圓載具100包括載盤本體110以及至少一擋件120，在圖2繪示兩個擋件120A、120B為例。載盤本體110具有中心C1與至少一載槽112（在此繪示5個載槽，但不因此為限）。載盤本體110可旋轉地設置於氣相沈積裝置400內而以軸Z旋轉（軸Z通過載盤本體110處即為中心C1），因而使載槽112能相對於中心C1旋轉。晶圓200適於置放在載槽112中以利於製程進行。

圖3繪示圖2的晶圓載具及晶圓的局部剖面圖。請同時參考圖2與圖3，在此值得注意的是，由於晶圓200具有切平邊，因而造成其外型上存在轉角A1、A2，而當晶圓200如圖1所示置放於載槽112後，晶圓200實質上會承載於載盤本體110位於載槽112內呈階梯狀的側壁114上。接著，一旦載盤本體110以軸Z轉動時，其所產生的離心力會造成晶圓200與載槽112在所述轉角A1、A2處發生相對運動，甚至在該處產生碰撞，因而造成前述瑕疵出現。

據此，本實施例的擋件120A、120B是設置在載槽112內而抵接在晶圓200的轉角A1、A2處與載槽112的側壁114之間，且晶圓200與擋件120A、120B接觸的部分位於載槽112背離中心C1的弧線區域AR1上。在此，圖1與圖2中繪示虛擬的射線L1作為相關描述的依據，所述射線L1是從載盤本體110的中心C1至載槽112邊緣，且據以通過載槽112的中心C2。換句話說，射線L1實質上貫穿載槽110而通過載槽112的中心C1，亦即，當載盤本體110以軸Z旋轉時，射線L1的方向實質上是載盤本體110旋轉時的離心方向。

進一歩地說，弧線區域AR1是以所述射線L1為中心的對稱區域，也就是前述擋件120A、120B所處的弧線區域AR1是相對於射線L1而呈對稱，因此讓擋件120A、120B配置在弧線區域AR1上即代表著當載盤本體110旋轉時，擋件120A、120B能作為抵擋對晶圓200所能造成最大受力處，因此能有效地利用擋件120A、120B抵銷離心力對晶圓200的影響，而讓晶圓200得以與載盤本體110之間形成穩定的結構，也讓晶圓200不會因此與載槽112之間產生相對運動。

另需提及的是，本實施例的擋件120A、120B的材質包括二氧化矽、石墨、鉬及鎢的其中之一，而其中較佳者為石墨紙，且其中一實施例的尺寸為長、寬約1mm而厚度約20μm～30μm，以讓使用者能方便地將其置於晶圓200的轉角A1、A2而形成晶圓200與載槽112之間的緩衝結構。再者，所述擋件120A、120B的材質使其在氣相沈積製程中，於溫度1000℃的狀態下仍不會與晶圓200產生反應。在此，本實施例並未限制擋件120A、120B的外型，使用者能藉由彎折或折疊石墨紙而使其產生皺摺等表面輪廓，而提高其所能產生的緩衝效果。

在圖2所示實施例中，擋件120A、120B是呈間斷式地配置在弧線區域AR1上，但本新型創作並不以此為限。圖4繪示本新型創作另一實施例的一種晶圓載具與晶圓的局部示意圖。與前述實施例不同的是，晶圓載具400包括載盤本體110以及擋件120C，由於本實施例的晶圓300並不具前述的轉角，或是因擺放位置而使晶圓300在載盤本體110上是以其圓形邊緣朝向射線L所指方向。據此，本實施例的擋件120C實質上是佈滿整個弧線區域AR2，亦即擋件120C於結構上是完全貼住晶圓300的外緣以及載槽112的內緣。在此，擋件120C、擋件120C與晶圓300接觸的部分以及擋件120C與載槽112接觸的部分具有一致輪廓，據以確保讓擋件120C、晶圓300與載槽112之間不會存在間隙，亦即提高三者之間的接觸面積，以在結構上能達到完全依托的狀態而提供晶圓300較佳的保護效果。

同時，弧線區域AR2所佔載槽之圓心角θ大於或等於90度，亦即在晶圓300及載槽均呈現圓形輪廓的前提下，弧線區域AR2所佔之圓心角θ至少是載槽圓形輪廓的四分之一，亦即弧線區域AR2所處範圍實質上是在載盤本體110進行旋轉時，因離心力造成晶圓200之最大受力處（前述實施例的弧線區域AR1亦如此）。

綜上所述，在本新型創作的上述實施例中，藉由將擋件設置在晶圓與載盤本體的載槽之間，且讓擋件位在載盤本體旋轉時造成晶圓受力最大處，以讓晶圓隨載槽旋轉時能藉由擋件抵接其中，而有效地避免晶圓與載槽發生碰撞而導致受損。再者，藉由擋件抵接在晶圓與載槽之間的結構配置，也能據以讓晶圓與載槽之間不存在相對運動，以提高兩者間的結構穩定性，故而能有效地避免在氣相沈積的製程中造成滑移線等瑕疵，而提高製程品質。

在一實施例中，晶圓因切平邊而形成轉角，當晶圓是以轉角朝向載盤旋轉時的離心方向時，便能藉由擋件對應地設置在轉角處而呈間斷式配置以達到前述效果。在另一實施例中，晶圓若以其圓形邊緣朝向所述離心方向，則擋件改以佈滿弧線區域的方式配置，且所述弧線區域所佔載槽之圓心角θ大於或等於90度，以讓擋件能提供晶圓足夠的覆蓋範圍而達到與前述同樣的緩衝效果。

雖然本新型創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本新型創作的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、400‧‧‧晶圓載具
110‧‧‧載盤本體
112‧‧‧載槽
114‧‧‧側壁
120、120A、120B、120C‧‧‧擋件
200、300‧‧‧晶圓
400‧‧‧氣相沈積裝置
A1、A2‧‧‧轉角
AR1、AR2‧‧‧弧線區域
C1、C2‧‧‧中心
L1‧‧‧射線
Z‧‧‧軸
θ‧‧‧圓心角

圖1是依據本新型創作一實施例的一種晶圓載具的示意圖。 圖2是圖1的晶圓載具的局部放大圖。 圖3繪示圖2的晶圓載具及晶圓的局部剖面圖。 圖4繪示本新型創作另一實施例的一種晶圓載具與晶圓的局部示意圖。

100‧‧‧晶圓載具

110‧‧‧載盤本體

112‧‧‧載槽

120、120A、120B‧‧‧擋件

200‧‧‧晶圓

A1、A2‧‧‧轉角

AR1‧‧‧弧線區域

C2‧‧‧中心

L1‧‧‧射線

Claims (10)

1. 一種晶圓載具，包括： 一載盤本體，具有一中心與至少一載槽，該載盤本體以該中心進行自轉，至少一晶圓適於放置在該載槽中而隨該載槽相對於該中心旋轉；以及 至少一擋件，設置在該載槽內且抵接在該晶圓與該載槽之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓載具，其中該晶圓與該擋件接觸的部分位於該載槽背離該中心的一弧線區域上，且該載盤本體的該中心至該載槽存在一射線，而該弧線區域是以該射線為中心的對稱區域。
3. 如申請專利範圍第2項所述的晶圓載具，其中該射線還通過該載槽的中心。
4. 如申請專利範圍第2項所述的晶圓載具，其中該弧線區域所佔該載槽之圓心角大於或等於90度。
5. 如申請專利範圍第2項所述的晶圓載具，其中所述至少一擋件包括多個擋件，分別抵接在該載槽與該晶圓的多個轉角之間，該些擋件在該弧線區域上呈間斷配置。
6. 如申請專利範圍第2項所述的晶圓載具，其中該擋件佈滿整個弧線區域。
7. 如申請專利範圍第6項所述的晶圓載具，其中該擋件、該擋件與該晶圓接觸的部分以及該擋件與該載槽接觸的部分具有一致輪廓。
8. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓載具，其中該擋件的材質包括二氧化矽、石墨、鉬及鎢的其中之一。
9. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓載具，其中該擋件為石墨紙。
10. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓載具，其中該擋件的厚度為20μm至30μm。