TWI677006B - 用於基板之電漿處理之方法及裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種裝置，其用於將至少一個基板(7)暴露於一電漿中，該裝置具有一第一電極(1)及可與該第一電極相對配置之一第二電極(12)，該等電極係一起形成而於該等電極(1、12)之間產生該電漿，其特徵為：該等電極(1、12)中之至少一者係由至少兩個電極單元(2、3)形成。
此外，本發明係關於一相應方法。
Description
本發明係關於半導體製造製程，且更特定言之係關於用於基板之電漿處理之方法及裝置。
許多半導體生產製程含有一或多個電漿處理步驟。該電漿可(例如)用於塗覆一基板、用於沈積半導體層、用於蝕刻一基板、用於電漿活化或用於產生一離子儲器。在此情況中，氣體(諸如，例如，矽烷(SiH4)、氦(He)、氬(Ar)、氫氣(H2)及/或三氟化氮(NF3))導入該電漿腔室中。SiH4或H2用於(例如)半導體層之沈積中，且NF3用於半導體層之電漿蝕刻中。若使用由惰性氣體及一反應性氣體組成之一混合物，則該層組合物可藉由該等氣體混合比例之調節而控制。因此，不僅可沈積金屬，而且可沈積氧化物、氮化物及碳化物。工作氣體及/或氣體混合物之選擇、氣體流動及氣壓於經產生之該電漿具有一影響。大氣壓電漿、低氣壓電漿或高氣壓電漿係實際實例。與低氣壓電漿或高氣壓電漿不同，大氣壓電漿不要求任何反應容器，該反應容器確保維持除大氣壓之外或偏離氣體氛圍之一壓力位準。可以一脈衝方式或連續地操作電漿腔室，例如，使用基於高頻率放電、微波放電、d.c.放電以及d.c.磁控管濺鍍及/或高頻率磁控管濺鍍之電漿處理。
針對該電漿生產，存在很大程度上不同於能量耦合類型之非常不一樣之方法。一d.c.放電可藉由應用一d.c.電壓產生、電容性耦合MHz放電(CCP：電容性耦合電漿)用於電漿蝕刻及電漿塗覆。導電並
且絕緣基板可使用CCP電漿處理。離子流動及電漿密度可藉由使用若干頻率而彼此可分別地控制。在一電感性耦合放電(ICP：電感性耦合電漿)之情況中，由於該電漿充當一變壓器之次級繞組，所以電漿密度仍進一步增加。該耦合經由一介電電極完成，其具有缺點在於此電極之一金屬塗覆會進一步妨礙耦合。
該基板緊固至該反應腔室(較佳地係一電漿腔室)中之一固持裝置。在此情況中，施加一高頻率電壓至該(半導體)基板之該固持裝置以使該等反應性離子自該電漿導引至待處理之該表面。藉由該固持裝置而施加該高頻率電壓至該基板本身。
已有使用機械夾鉗裝置(諸如，3點安裝件)，但會造成下垂基板、磨損及較差熱接觸。使用位於該樣品固持件中之接腳提高該基板，使得特定設計成一機器臂之一機器抓持器(攪拌槳)可運行於該晶圓下方或旁邊，且將藉由該等接腳之一向前移動而移除該晶圓。其一缺點在於會造成薄晶圓大大地彎曲，且因此亦會發生該基板在該等接腳上之一不精確定位。該靜電固持係一良好替代件。可藉由該等樣品固持件電極之間之一電壓來固定該基板。靜電晶圓固持裝置係該電漿腔室之部分且用作為下電極以產生電漿。在此情況中，該電極藉由該腔室壁而電絕緣。在其中使用一內部圓形電極及若干外部環形電極之實施例中，該等個別環形電極彼此互相絕緣。靜電晶圓固持裝置揭示於(例如)美國專利US 2002/0159216以及歐洲專利EP 0473930 A1中。
在具有負載接腳之一提升機構的固持裝置中，晶圓固持裝置必須拾取且放下一晶圓於該固持裝置上或抬離已自該固持裝置放下之一晶圓。一提升機構整合於國際專利WO 03/038891 A1中之該第二電極之一部分中或整合於美國專利US 2012/0003836 A1中之基板固持件中且可藉由一控制網路操作。
具有負載接腳之結構(如樣品拾取裝置)具有下列問題：由於該負
載接腳，存在該電漿電場之不均質性，其導致該製程期間在該等必要凹部處之電壓峰值。
因此，本發明之目的係提供一種方法及一種裝置，其等確保產生具有一均勻分佈之均質電漿(特定言之)於該整個基板表面上。
使用技術方案1及技術方案8之特徵達成此目的。本發明之進一步有利開發指示於附屬技術方案中。說明書、申請專利範圍及/或圖式中所指示之至少兩個特徵之所有組合亦落於本發明之範疇內。在所指示之值範圍中，在上文提及之限制內之值亦被揭示為邊界值且可在任何組合中主張該等值。
本發明之基本理念係將該兩個相對電極之至少一者，尤其係該電漿腔室中之下部電極及/或用於拾取該基板之電極，分別地設計成兩個電極單元中之兩個部分。
換言之，本發明係關於用於電漿腔室藉由一兩部件式電極產生一最佳電場均質性之一單元及一方法。特定言之，一圓形基板儲器整合於該下電極中，藉此該下電極具有一外周界(外部電極單元)及一內部區域(內部電極單元)。該內部電極可相對於該外部電極較佳地移動且同時用於固持基板於該等電漿腔室中。
根據所指示發明之一較佳實施例：1)該內部電極用於樣品拾取及樣品移除(晶圓固持裝置)，2)可在無負載接腳之情況下進行負載及卸載，且3)在負載之後，該內部電極單元陷入該外部電極單元之一對應凹部中，藉此尤其可產生(特定言之)具有一均勻電位之一封閉、平坦及/或提供接觸之表面。
特定言之，該可移動內部電極單元替換該等負載接腳用於負載及卸載該等基板，使得根據本發明可省略該等接腳。與具有負載接腳作為一樣品拾取裝置之結構相比較，此設計可以產生一更均質電漿。
由於該等負載接腳會發生該電漿電場之一不均質性，這導致製程期間在該等對應凹部處之電壓峰值。
由於該等內部及外部電極單元之一完整表面接觸表面(其可根據本發明使用該表面之一側表面來產生)，此等電場偏移不發生，且產生一更均質性電漿。
此外，省略該等負載接腳之時耗調節，其在該外部電極單元中藉由該內部電極單元之機械結構替換且與該等習知設計相比較導致一較小時耗量。
另一優點來自在處置薄基板時之大面積安置，由於其等彎曲，該等薄基板不可使用負載接腳設計來處理。該內部電極單元之尺寸可具有適應性且因此適用於不同類型之基板。
據此，特定言之，本發明係關於用於具有最佳電場均質性之電漿腔室之一兩部件式電極。在根據本發明之一第一實施例中，該電漿腔室具有一RF電極(第二電極，尤其係上電極)及用於拾取一基板之具有一基板固持件之一相對電極(第一電極，尤其係兩部件式電極)。特定言之，用於產生電漿之一高頻率交流電場係產生於該RF電極與該對置電極之間。在一第二較佳實施例中，特定言之，該電漿腔室具有一RF電極(第二電極，尤其係上電極)及用於拾取一基板之具有一基板固持件之一RF對置電極(第一電極，尤其係兩部件式電極)。在此實施例中，該外殼係相反極性。該外殼宜係接地的。
一基板(宜係一晶圓)經定位於該第一電極與該第二電極之間。該第一電極及該第二電極經配置於該電漿腔室之相對側上，且宜被稱為下電極及上電極。在根據本發明之實施例中，該兩個電極之一者(宜係該下電極)係由兩個總成(特定言之，一內部電極單元及一外部電極單元)組成。
該內部電極單元係用於針對待處理之該等基板(例如，晶圓、薄
層基板等等)的基板拾取及基板移除。
特定言之，以此一方式建構該基板固持件(第一電極)於負載有該基板之該第一電極，該內部電極單元(尤其係設計為一樣品固持件)係向上，且一機器臂可將該基板定位於該內部電極單元上。特定言之，該機器臂(攪拌槳)具有用於拾取該基板之一對應凹部。
特定言之，在一Z方向上移動該內部電極單元，其中以在0毫米與50毫米之間向上較佳，以在2毫米與25毫米之間向上更佳，且以在2毫米與10毫米之間向上最佳。Z方向上之零點係電漿施加點，其中該內部電極單元及該外部電極單元之該等支撐表面在相同高度處對準，亦即形成特定言之完全封閉且宜具有一恆定電位之一支撐平面E。
該基板固持件宜經建立使得在該負載之後，該內部電極陷入該外部電極之部分中，藉此形成特定言之具有一均勻電位之一封閉、平坦及/或提供接觸的表面。
該電極單元宜經設計為一樣品固持件/基板固持件。該基板固持件及/或該樣品固持件可具有用於附接該等基板之附接元件。該等附接元件可係機械夾鉗及/或黏著(特定言之，可切換)表面及/或真空條及/或電極，而作為一靜電裝置及/或磁性裝置(特定言之，永磁體或電磁體)的部分。若基板固持件及樣品固持件具有附接元件，則該等附接元件可彼此獨立地切換。因此，根據本發明，使一基板與該基板固持件分離成為可能，同時該置中地安裝之內部樣品固持件可移動，且在此情況中同時維持該基板之附接。
在卸載製程期間，該內部電極單元經相應地提升，使得在該電漿處理之後，可使用該自動機器抓持器移除該基板。
根據本發明，作為一基板，特定言之，使用一產品基板(較佳地，一半導體晶圓)。該等基板可具有任何形狀，但較佳地為圓形。該等半導體基板之該等直徑較佳地對應於2英吋、4英吋、6英吋、8英
吋、12英吋或18英吋之直徑(其等係半導體工業中之標準)，但是若必要，其等亦可偏離該標準。基板較佳地由材料及/或合金(諸如，矽(Si)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)、鋁(Al)、鎢(W)及鈦(Ti))組成。原則上，根據本發明之實施例可處理任何基板，尤其與其直徑無關。
特定言之，根據本發明之一獨立態樣尤其存在於：同時使用該內部電極單元作為一基板儲器且可移動，且因此可在無負載接腳之情況下來進行該樣品之一樣品負載及卸載。該基板儲器用於拾取一大面積基板或基板堆疊或大量電子組件群組(尤其係晶圓)。
特定言之，根據本發明之另一獨立態樣存在於：配置或對準該內部電極及該外部電極之該等支撐表面於相同高度處且因此於該電漿施加點處形成一均質第一電極。特定言之，該基板位於該內部電極單元及該外部電極單元之整個表面上且藉由重力之作用及藉由該第一電極(特定言之，下電極)上之一聚焦環而固持。使用真空或低壓完成附接基板至該樣品固持件之另一或一額外可行性。由於該內部電極及該外部電極之一完整表面接觸表面，不會發生電場偏移，且產生一更均質電漿。
特定言之，經設計為一電漿電極之該第二電極尤其具有一載體部分或由材料(諸如，陶瓷、玻璃、矽或一礦物質陶瓷合成材料)組成之一外部部分，以及由一傳導材料組成之一電極頭。
該第一(尤其係兩部件式)電極較佳地係由由鎢(W)、銅(Cu)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、金(Au)、鈦(Ti)及/或高級鋼組成之材料及/或合金組成。
該裝置之其他組件較佳地由石墨或碳化矽組成。由於所使用之該等材料之電性質可對該放電產生影響，所以若必要，使用不同載體材料及/或電極材料。在該等電極之一塗覆之情況中，取決於該電極
材料，該層厚度可對該放電產生影響。該層厚度較佳地在0.1微米與300微米之間，更佳地在0.1微米與200微米之間，且最佳地在0.1微米與100微米之間。取決於該應用，與所使用之金屬類型無關，該電極亦可由由(例如)氧化鋁(Al2O3)陶瓷組成之一介電保護層塗覆。
用於操作及/或觸發LF(低頻率)、RF(無線電頻率)及MW(微波)之電極之發生器較佳地使用下列頻率而使用：LF發生器使用20千赫(KHz)與800千赫之間之頻率，較佳地使用40千赫與400千赫之間之頻率，且使用1瓦特與100,000瓦特之間之功率，較佳地使用20瓦特與2,500瓦特之間之功率；RF發生器使用3兆赫茲(MHz)與300兆赫茲之間之頻率，較佳地使用3兆赫茲與30兆赫茲之間之頻率，且使用1瓦特與100,000瓦特之間之功率，較佳地使用20瓦特與1,000瓦特之間之功率；MW發生器使用300兆赫茲與300千兆赫(GHz)之間之頻率，較佳地使用300兆赫茲與3千兆赫之間之頻率，且使用10瓦特與1,200瓦特或更高之間之功率。40千赫之頻率僅可由條件地適用於半導體前端製程，但較佳地適用於後端製程。13.56兆赫茲之頻率適用於前端製程且適用於後端製程。在40千赫之低頻率情況中，該電漿密度相對較低且因此所產生之自由基比例亦較低，其導致一較低移除速率(例如，在乾蝕刻期間)。若必要，兩者頻率範圍可用於兩者電極。各電極較佳地連接至單獨電源，該電源係採用於該第一電極之一發生器及用於尤其可分別地控制(在這一點上)之該第二電極的第二發生器之形式。藉由選擇外部電參數(諸如，電壓、電流及頻率)，該電漿放電可取決於需要及應用而控制。因此，可藉由個別匹配操作條件而增加電漿化學製程之選擇性。
特定言之，該介電聚焦環較佳地由與該基板相同之材料組成。較佳介電材料係二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)、氧化鋁(Al2O3)、碳化矽(SiC)及碳氮化矽(SiCN)。特定言之，該聚焦環應用於該等外部電
極之頂部上(即，於該支撐平面上)。根據本發明，以此一方式選擇材料之選擇及該第一電極上之定位：電位差儘可能小或無電位差發生於該聚焦環與該基板之間。在這一點上，該基板之邊緣處之均質性係受到正向的影響。
根據本發明之實施例較佳地發現在一封閉地密封腔室中，該密封腔室(最佳地在一電漿腔室中)藉由提升一蓋子而可進入的尤其係可抽空的。除高級鋼腔室之外，可使用石英玻璃腔室。
該電漿腔室可抽空以用於電漿暴露，尤其係小於1巴、較佳地小於1毫巴、更佳地小於0.1毫巴、最佳地小於0.01毫巴且極佳地小於0.0001毫巴之一氣壓。該電漿腔室亦可較佳地經受於過壓。在此情況中，該最大氣壓(特定言之)大於1巴、較佳地大於1.5巴、更加地大於2巴、最佳地大於5巴且極佳地大於10巴。
一離子串流量測感測器可整合於該電漿腔室中用於處理控制。該兩部件式電極可用於該電漿腔室之不同操作類型，諸如(例如)PE(電漿蝕刻)操作或RIE(反應離子蝕刻)操作。在半導體技術中，由於該經導向電漿以一垂直方式打擊該基板，所以一RIE操作可用於在晶圓中產生結構。
取決於所使用之電漿氣體及所提供之能量，在電漿噴射中達到400K至50,000K之溫度。基於該電漿腔室中之該等製程，一可觀溫度增加可發生，其導致該基板之一加熱。經由一熱耦合至該基板儲器而完成該基板之冷卻或加熱，該基板儲器尤其具有冷卻及/或加熱元件。為確保基板與基板儲器之間之一均勻熱耦合，可在該電漿處理期間產生根據本發明之位於該整個表面上之該基板與該基板儲器(第一電極)之一充分熱接觸。一冷卻劑(例如，液氦)可流通於該晶圓之底部上以冷卻該晶圓，代替一冷卻管線，亦可提供其他冷卻元件(諸如，例如，一珀爾貼(Peltier)元件)。該基板尤其可藉由一加熱系統加熱，
該加熱系統以一整體方式配置於尤其係該第一兩部件式電極中。
在與溫度有關之反應之情況中，該電漿(特定言之)用於蝕刻一基板。在這一點上，維持該基板之待蝕刻之該表面上之一均質恆定溫度係重要的，因為該蝕刻反應係與溫度有關。有利地，溫度探針或熱電偶或溫度感測器整合於該基板固持裝置中。在另一實施例中，該基板固持裝置或該兩部件式電極含有氣體吸入管線或開口或出口管線或開口。
1‧‧‧第一電極
2‧‧‧外部電極單元
2o‧‧‧外部電極單元之表面
3‧‧‧內部電極單元
3o‧‧‧內部電極單元之表面
4、4’‧‧‧聚焦環
5‧‧‧開口
6‧‧‧電漿腔室
7‧‧‧基板
8,8’,8”‧‧‧機器臂
8a,8a’,8a”‧‧‧凹部
9‧‧‧提升機構
10‧‧‧彈簧接觸元件
11‧‧‧高頻率連接
12‧‧‧第二電極
E‧‧‧支撐平面
Z‧‧‧Z方向
本發明之額外優點、特徵及細節可自較佳實施例以及基於圖式之以上描述來獲得瞭解。該等較佳實施例展示：圖1a係根據本發明之裝置之一實施例之一概觀，圖1b係根據圖1a之實施例之一橫截面圖，圖1c係在根據本發明之一第一製程步驟中之根據圖1a之實施例之一橫截面圖，圖1d係在根據本發明之一第二製程步驟中之根據圖1a之實施例之一橫截面圖，圖1e係在根據本發明之一第三製程步驟中之根據圖1a之實施例之一橫截面圖，圖2a係具有一機器抓持器之根據圖1a之實施例之一概觀，圖2b係具有一替代機器抓持器之根據圖1a之實施例之一概觀，圖2c係根據本發明之裝置之另一實施例之一概觀，及圖3係根據本發明之裝置之另一實施例之一詳細橫截面圖。
在圖式中，相同組件及具有相同功能之組件由相同元件術號標示。
圖1a展示一電漿腔室6中之(特定言之)一下部第一電極1之一俯視圖，其特定言之具有根據本發明之實施例之一整體基板固持裝置。特定言之，藉由真空條及/或藉由一聚焦環4、4’完成一基板7之固持。
第一電極1具有經設計為一環形電極之一外部電極單元2及一內部電極單元3。內部電極單元3係由外部電極單元2橫向受限且封閉。藉由包圍(尤其係封閉)基板7之聚焦環4、4’使基板7固持於外部上。
圖1b展示通過第一電極1及電漿腔室6之一橫截面。形成於兩個部分中或自內部電極單元3及外部電極單元2形成之第一電極1係用作為用於基板7之一固持裝置，特定言之具有外部電極單元2之一平坦表面2o。內部電極單元3用於負載且卸載基板7，特定言之具有宜具有真空條之一平坦表面3o。
在根據圖1b之一電漿施加位置中，表面2o、3o形成一共同(特定言之)提供接觸及/或封閉支撐平面E。
圖1b至圖1e展示根據本發明之一製程順序之根據本發明之一實施例。圖1c展示：與外部電極單元2相比較，在一Z方向(提升機構9，亦參見圖3)上提升或自支撐平面E(負載位置)抽出內部電極單元3。該基板固持裝置包括一提升機構，該提升機構經連接至內部電極單元3。提升機構9之一徑向地安裝的驅動軸(特定言之，經設計為一樣品固持件)在垂直於電極表面3o之Z方向上提升內部電極單元3。該提升機構可由一控制網路(未展示)操作。
基板7藉由一處理器或機器抓持器定位，特定言之內部電極單元3上之一機器臂8(圖2a)、8’(圖2b),、8”(圖2c)，其等(特定言之)經設計為一樣品固持件且在該電漿處理之後再次移除。該(等)機器抓持器固定的或移動的且執行預程式化界定任務。圖2a、圖2b及圖2c展示根據本發明之機器臂8、8’、8”之三個實施例。機器臂8、8’、8”運行通過電漿腔室6之一相應形成之開口5(參見圖1b)用於負載或卸載基板7。機器臂8、8’、8”具有一凹部8a、8a’、8a”用於拾取對應於該基板尺寸之基板7，如根據本發明之圖2a、圖2b及圖2c中之實施例中所展示。在根據圖2c之機器臂8”之實施例中，基板7之外部輪廓藉由夾鉗
元件包圍。藉由機器臂8、8’、8”，基板7定位於內部電極單元3上(參見圖1d)。基板7位於(特定言之)該整個表面上、在內部電極單元3及外部電極單元2上(圖2b)或僅在內部電極單元3上，其可與該基板(圖2a及圖2c)之尺寸匹配。
在圖1e中所展示之製程步驟中，內部電極單元3在負載基板7之後返回至電漿施加位置中。藉由聚焦環4、4’及重力之作用而固持基板7。因此，可固持基板7之所有類型，特定言之由低阻抗材料(矽)或高阻抗材料組成之類型。
圖1b及圖3展示根據本發明之聚焦環4、4’之兩個不同實施例。
由於內部電極單元3及外部電極單元2產生(特定言之)用於電漿處理之相同電位，所以內部電極與外部電極之間之絕緣並非必要的。藉由一均勻電位及消除破壞因素(諸如，例如，負載接腳)而達成分佈於待處理之基板表面上之一均質電位。因此，兩部件式第一電極1不存在任何電場峰值。該均質電位分佈導致沿整合基板7之一均質電漿。
如圖1e中所展示，一第二電極12經配置與第一電極1相對以形成電極1、12之間之電漿。為此，電漿腔室6關閉以能夠設定該電漿所需之條件。
在一較佳實施例中，一高頻率電壓(特定言之，電容)經由一高頻率連接11耦合至第一電極1，特定言之，至外部電極單元2。在此情況中，該電容器較佳地整合於一可調適單元中。因此，產生一歐姆耦合，藉此至發生器之電線(高頻率連接11)經由一耦合電容器連接至該電極。該耦合電容器(其在電極與發生器之間切換)尤其用作為一高通濾波器以濾除該等對應d.c.分量，使得該等a.c.電壓分量可專用於電極。特定言之，該經高通濾波之電壓分量可疊加一純d.c.電壓分量。
圖3展示兩部件式電極1之一實施例之一詳細橫截面。此處展示經由高頻率連接(Rf連接)11使電耦合與用於橋接內部電極單元3之電
接觸元件10接觸。在基板負載至內部電極單元3上之後，當內部電極單元3進入外部電極單元2同時達到該電漿施加位置時，彈簧接觸元件10接觸。
藉由重力之作用及藉由聚焦環4、4’而固持基板7。藉由彈簧接觸元件10而連接內部電極單元3及外部電極單元2之對應接觸點，使得外部電極單元2及內部電極單元3產生相同電位。
兩部件式電極1(特定言之)具有至少兩個彈簧接觸元件10，較佳地兩個以上，更佳地三個以上，仍更佳地四個以上且最佳地六個或六個以上之彈簧接觸元件10。在一較佳實施例中，使用恰好6個彈簧接觸元件10。
在根據本發明之一替代實施例中，藉由無線連接而電連接內部電極單元2及外部電極單元3之該等接觸點。在基板7負載至內部電極單元3上之後，當該內部電極單元進入時，該等打開接觸點接觸。此導致電極單元2、3之間之非常好的傳導性。較佳地，金屬條導體或電線連接配置於內部電極單元3與外部電極單元2之間。各電極單元2、3較佳地具有(特定言之)分佈於該外周邊上之若干接觸區域。在各情況中，該等內部及外部電極單元電連接至該等接觸區域。
兩部件式第一電極1(特定言之)具有至少兩個接觸區域，較佳地兩個以上，更佳地三個以上，甚至更佳地四個以上且最佳地六個或六個以上接觸區域。
為達成高頻率連接11至該電漿腔室之有效耦合，該可調適單元經較佳地設定使得該電漿腔室之阻抗等於高頻率連接11中之一RF共軸線之阻抗。耦合連接(例如，d.c.電壓連接)及電容器開關(即，電容耦合網路)整合至該可調適單元中且因此(特定言之)非為兩部件式第一電極1之組件。
Claims (11)
- 一種用於基板之電漿處理之裝置，該裝置將至少一個基板(7)暴露至一電漿，該裝置具有一第一電極(1)及可與該第一電極相對配置之一第二電極(12)，該等電極係一起形成而於該等電極(1、12)之間產生該電漿，其特徵為：該等電極(1、12)中之至少一者係由一內部電極單元(3)及一外部電極單元(2)形成，其中該內部電極單元(3)及該外部電極單元(2)係在一相同電位，其中該內部電極單元(3)係向上可移動的且一機器臂(8、8’、8”)可將該至少一個基板(7)放置於該內部電極單元(3)上，其中該內部電極單元(3)及該外部電極單元(2)可經配置以形成一共同支撐平面(E)，且其中該至少一個基板(7)可被放置於該內部電極單元(3)及該外部電極單元(2)之該共同支撐平面(E)上。
- 如請求項1之裝置，其中該該內部電極單元(3)及該外部電極單元(2)可被分別地控制。
- 如請求項1或2之裝置，其中該該外部電極單元(2)拾取及/或包圍(surrounding)、封圍(enclosing)該內部電極單元(3)。
- 如請求項1或2之裝置，其中可在一Z方向上移動該內部電極單元(3)及該外部電極單元(2)之至少一者，尤其係該內部電極單元(3)，尤其係相對於該等電極單元之另一者，宜係該外部電極單元(2)，而移動。
- 如請求項1之裝置，其中該共同支撐平面可應用為一封閉及/或提供接觸之表面，尤其具有一均勻電位。
- 如請求項1或2之裝置，其中該內部電極單元(3)及該外部電極單元(2)，尤其係該內部電極單元，經設計為一樣品固持件，以用於接收及/或附接該至少一個基板。
- 一種用於基板之電漿處理之方法，其包括暴露至少一個基板至由一第一電極(1)及與該第一電極(1)相對配置之一第二電極(12)所產生之一電漿中，其中該等電極(1、12)中之至少一者具有一內部電極單元(3)及一外部電極單元(2)，其中該內部電極單元(3)及該外部電極單元(2)可經配置以形成一共同支撐平面(E)，且其中一基板(7)被放置於該內部電極單元(3)及該外部電極單元(2)之該共同支撐平面(E)上，其中該內部電極單元(3)及該外部電極單元(2)經施加至一相同電位，其中該內部電極單元(3)係向上可移動的且一機器臂(8、8’、8”)可將該基板(7)放置於該內部電極單元(3)上。
- 如請求項7之方法，其中該內部電極單元(3)及該外部電極單元(2)可被分別地控制。
- 如請求項7或8之方法，其中可在一Z方向上移動該內部電極單元(3)及該外部電極單元(2)中之至少一者，尤其係該內部電極單元，尤其係相對於該外部電極單元而移動，以接收及/或附接該基板或該等基板。
- 如請求項7或8之方法，其中該內部電極單元(3)及該外部電極單元(2)經配置用於暴露至該共同支撐平面中之該電漿。
- 如請求項10之方法，其中該共同支撐平面可應用為一封閉及/或提供接觸之表面，且尤其具有一均勻電位。
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