TWI673861B - 顯示模組、顯示裝置及製造顯示模組的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種製造顯示模組的方法，其包含在第一基板上形成顯示元件及圍繞顯示元件的金屬層，金屬層包含具有第一寬度的第一部分及具有第二寬度的第二部分，第二寬度小於第一寬度；在第二基板上形成圍繞顯示元件的密封構件，密封構件包含具有第一成形寬度的第一密封部分及具有第二成形寬度的第二密封部分，第二成形寬度大於第一成形寬度；配置第一基板及第二基板，使得第二基板上的密封構件面對第一基板，第一密封部分與金屬層的第一部分重疊，而第二密封部分與金屬層的第二部分重疊；以及藉由熔化並固化密封構件以密封第一基板及第二基板。

Description

顯示模組、顯示裝置及製造顯示模組的方法
相關申請案之交互引用
本申請案主張於2014年7月25日向韓國智財局所申請之韓國專利申請案No.10-2014-0095005之效益，且名為：「顯示模組、顯示裝置及其製造方法(Display Module,Display Device,and Method of Manufacturing the Same)」之效益，其揭露係藉由在本文中參照全文而併入。
一個或複數個實施例係關於顯示模組、顯示裝置及製造顯示模組的方法。
顯示模組，如含有薄膜電晶體(TFT)的液晶顯示模組或有機發光顯示模組可應用於行動裝置，如智慧型手機、平板電腦、超薄筆記型電腦、數位相機、攝影機或攜帶型資訊終端機的顯示裝置或者顯示裝置，如超薄電視。
實施例係針對一種製造顯示模組的方法，其包含在第一基板上 形成至少一顯示元件及圍繞顯示元件的金屬層，金屬層包含具有第一寬度的第一部分及具有第二寬度的第二部分，第二寬度小於第一寬度；在第二基板上形成圍繞顯示元件的密封構件，密封構件包含具有第一成形寬度的第一密封部分及具有第二成形寬度的第二密封部分，第二成形寬度大於第一成形寬度；配置第一基板及第二基板，使得形成在第二基板上的密封構件面對第一基板，第一密封部分與金屬層的第一部分重疊，而第二密封部分與金屬層的第二部分重疊；以及藉由熔化並固化密封構件以密封第一基板及第二基板，而形成顯示模組。
當密封構件被熔化並固化時，第一密封部分可被變形，使得第一密封部分從具有第一成形寬度改變成具有第一密封寬度，第二密封部分可被變形，使得第二密封部分由具有第二成形寬度改變成具有第二密封寬度，以及第一密封寬度與第二密封寬度之間的差值可等於或小於第一密封寬度的5%。
方法可進一步包含將顯示模組設置在殼體中，使得金屬層的第二部分與至少一部分的天線重疊。
密封構件可形成在第二基板上，使得第一密封部分的第一成形寬度小於金屬層的第一部分之第一寬度，而第二密封部分的第二成形寬度大於金屬層的第二部分之第二寬度。
第一密封部分的第一密封寬度可大於第一密封部分的第一成形寬度。第二密封部分的第二密封寬度可大於第二密封部分的第二成形寬度。
當密封構件被熔化並固化時，密封構件的厚度可減少，且第一密封部分的第一密封厚度可小於第二密封部分的第二密封厚度。
密封構件可藉由發射至密封構件上的雷射光束而熔化並固化。
實施例亦針對了一種顯示裝置，其包含殼體；設置在殼體中的至少一天線；以及設置在殼體中，以覆蓋天線的顯示模組。顯示模組可包含顯示元件位於其上的第一基板；面對第一基板的第二基板；在第一基板上，以圍繞顯示元件的金屬層，金屬層包含具有第一寬度的第一部分及具有第二寬度的第二部分，第二寬度小於第一寬度；以及在第一基板與第二基板之間，並圍繞顯示元件的密封構件，密封構件包含第一密封部分及第二密封部分，第一密封部分與金屬層的第一部分重疊，並具有第一密封寬度，而第二密封部分與金屬層的第二部分重疊，並具有第二密封寬度。顯示模組的第一密封寬度與第二密封寬度之間的差值可等於或小於第一密封寬度的5%。至少一部分的至少一天線與金屬層的第二部分重疊。
第一密封部分及第二密封部分在從第一基板至第二基板的方向上可分別具有第一密封厚度及第二密封厚度。第一密封部分的第一密封厚度可小於第二密封部分的第二密封厚度。
與金屬層的第一部分重疊之第一密封部分的寬度與第一密封部分的第一密封寬度之比率可大於與金屬層的第二部分重疊之第二密封部分的寬度與第二密封部分的第二密封寬度之比率。
金屬層可進一步包含連接第一部分與第二部分的連接部分。至少一部分的連接部分之寬度可相異。
第一部分及第二部分的個別寬度可為恆定的。
實施例亦針對了一種顯示模組，其包含顯示元件位於其上的第一基板；面對第一基板的第二基板；在第一基板上，以圍繞顯示元件的金屬層，金屬層包含具有第一寬度的第一部分及連接至第一部分並具有第二寬度的第二部分，第二寬度小於第一寬度；以及在第一基板與第二基板之間，以圍繞顯示元件的密封構件。密封構件包含第一密封部分及第二密封 部分，第一密封部分與金屬層的第一部分重疊，並具有第一密封寬度，而第二密封部分與金屬層的第二部分重疊，並具有第二密封寬度。第一密封寬度與第二密封寬度之間的差值等於或小於第一密封寬度的5%。
第一密封部分及第二密封部分在從第一基板至第二基板的方向上分別具有第一密封厚度及第二密封厚度。第一密封部分的第一密封厚度可小於第二密封部分的第二密封厚度。
與金屬層的第一部分重疊之第一密封部分的寬度與第一密封部分的第一密封寬度之比率可大於與金屬層的第二部分重疊之第二密封部分的寬度與第二密封部分的第二密封寬度之比率。
金屬層可進一步包含連接金屬層的第一部分與金屬層的第二部分之連接部分。至少一部分的連接部分之寬度可相異。
金屬層的第一部分及金屬層的第二部分之個別寬度可為恆定的。
10‧‧‧顯示裝置
11‧‧‧殼體
12‧‧‧天線
20‧‧‧第一基板
30‧‧‧第二基板
100‧‧‧顯示模組
210‧‧‧顯示元件
211‧‧‧緩衝層
212a‧‧‧第一主動層
212b‧‧‧第二主動層
213a‧‧‧第一閘極絕緣膜
213b‧‧‧第二閘極絕緣膜
214a‧‧‧第一閘極電極
214b‧‧‧第二閘極電極
215‧‧‧層間絕緣膜
216a‧‧‧第一源極電極
216b‧‧‧第二源極電極
217a‧‧‧第一汲極電極
217b‧‧‧第二汲極電極
218‧‧‧平坦化膜
219‧‧‧像素限定膜
220‧‧‧中間層
221‧‧‧第一電極
222‧‧‧第二電極
223‧‧‧間隔件
230‧‧‧電容器
230a‧‧‧第一電容器電極
230b‧‧‧第二電容器電極
240‧‧‧電源線路
241‧‧‧電路配線
250‧‧‧金屬層
251‧‧‧第一部分
252‧‧‧第二部分
253‧‧‧連接部分
310‧‧‧密封構件
311‧‧‧第一密封部分
312‧‧‧第二密封部分
313‧‧‧連接密封部分
320a‧‧‧開口
S‧‧‧內部空間
dsa1‧‧‧第一密封厚度
dsa2‧‧‧第二密封厚度
DA‧‧‧顯示區域
SA‧‧‧密封區域
TFT1‧‧‧第一薄膜電晶體
TFT2‧‧‧第二薄膜電晶體
Wm1‧‧‧第一寬度
Wm2‧‧‧第二寬度
Wo1、Wo2‧‧‧寬度
Wsa1‧‧‧第一密封寬度
Wsa2‧‧‧第二密封寬度
Wsa3‧‧‧第三密封寬度
Wsb1‧‧‧第一成形寬度
Wsb2‧‧‧第二成形寬度
藉由參照附圖詳細描述例示性實施例，特徵對於所屬技術領域中具有通常知識者而言將變得顯而易見，其中：第1圖繪示了描繪根據實施例的顯示模組之平面圖；第2圖繪示了沿著第1圖的線II-II截取的剖面圖；第3圖繪示了描繪第1圖的顯示模組之密封結構的詳細剖面圖；第4圖繪示了描繪根據實施例的顯示裝置之平面圖；第5圖繪示了描繪第4圖的顯示模組的一部分之放大圖； 第6A圖至第6E圖繪示了描繪第5圖的金屬層之修改的剖面圖；第7A圖至第7D圖繪示了解釋製造第1圖的顯示模組之方法的平面圖；第8圖繪示了第7D圖的顯示模組的一部分之放大光學顯微影像圖；第9圖繪示了第一密封部分的第一成形寬度及第二密封部分的第二成形寬度兩者皆為610μm時，完成固化製程之後，與第8圖中繪示的部分相同之部分之光學顯微影像圖；第10A圖繪示了描繪在厚度方向上截取的第7D圖之第一密封部分的剖面圖；第10B圖繪示了描繪在厚度方向上截取的第7D圖之第二密封部分的剖面圖；第11A圖及第11B圖繪示了描繪在厚度方向上截取的顯示模組之第一密封部分及第二密封部分的電子顯微影像圖；以及第12A圖及第12B圖繪示了描繪製造含有第1圖的顯示模組之顯示裝置的方法階段之平面圖。
現將在下文參照附圖更充分地描述例示性實施例；然而，其可以不同形式體現，並且不應被詮釋為限於本文中所闡述的實施例。相反地，提供這些實施例，使得本揭露將徹底及完整，並且將充分地傳達例示性實施方式給所屬技術領域中具有通常知識者。
在繪製的圖式中，層及區域的尺寸可為了說明清晰而誇大。亦將理解的是，當層或元件被稱為在另一層或基板「上(on)」時，其可直接在另一層或基板上，或者亦可存在中間層。進一步地，將理解的是，當層被稱為在另一層「之下(under)」時，其可直接在之下，或者亦可存在一個或複數個中間層。此外，亦將理解的是，當層被稱為在兩個層「之間(between)」時，其可為兩個層之間唯一的層，或者亦可存在一個或複數個中間層。在全文中相同參考符號係指相同元件。
如本文中所使用的，用語「及/或(and/or)」包含一個或複數個相關所列項目之任何及所有組合。當表達式如「中的至少一個(at least one of)」處在一列元件之後時，修飾整列元件，而並非修飾該列的個別元件。
將理解的是，雖然用語「第一(first)」、「第二(second)」、「第三(third)」等在本文中可用於描述各種元件，但是這些元件不應受限於這些用語。這些用語僅用來區分一元件與另一元件。
如本文中所使用的，除非在上下文中另有清楚地指出，否則單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」係旨在亦包含複數形式。
當某個實施例可不同地實現時，具體的製程順序可不同於所述順序地進行。例如，兩個連續描述的製程可基本上於同時進行，或者以相反於所述順序的順序進行。
第1圖繪示了描繪根據實施例的顯示模組100之平面圖。第2圖繪示了沿著第1圖的線II-II截取的剖面圖。
參照第1圖及第2圖，顯示模組100可包含第一基板20；設置成面對第一基板20的第二基板30；以及設置在第一基板20與第二基板30之間，以將第一基板20及第二基板30彼此結合的密封構件310。
顯示元件210可設置在第一基板20上。第一基板20可為剛性玻璃基板、聚合物基板或可撓性膜、金屬基板或其複合基板。顯示元件210係為，如形成影像的有機發光二極體(OLED)、液晶顯示器(LCD)元件、或電泳顯示元件之顯示元件。
第二基板30可為透明構件。由顯示元件210形成的影像可通過第二基板30暴露至外部。在一些實施例中，第二基板30可進一步包含觸控螢幕圖案形成於其上的外嵌式觸控螢幕面板(on-cell touch screen panel)，以用作觸控面板。
偏光膜、彩色濾光片或保護窗可進一步設置在第二基板30上。
密封構件310可設置在第一基板20與第二基板30之間，以圍繞顯示元件210，並密封第一基板20與第二基板30之間的內部空間S。密封構件310可防止氧氣或水分滲入其中形成有顯示元件210的內部空間S。密封構件310可藉由穩定地接合第一基板20及第二基板30而提高機械強度。吸濕劑或填充材料可設置於第一基板20與第二基板30之間的內部空間S中。
密封構件310可為無機材料。例如，密封構件310可為玻璃料。密封構件310可使用塗層法，如點膠(dispensing)或網版印刷(screen printing)而形成。用語「玻璃料(glass frit)」一般係指舉例而言，粉末形式的玻璃原料。例如，玻璃料可以藉由添加雷射或紅外線吸收劑、有機黏結劑及用於減少熱膨脹係數的填料至主材料，如SiO2而得到的漿糊糊劑(paste)之形式提供。雷射光束可施加至密封構件310，且因此，密封構件310可熔化並固化，以固定(secure)第一基板20及第二基板30。
用於增加密封構件310的接合強度之金屬層250可設置於密封構件310與第一基板20之間。
第3圖繪示了描繪第1圖的顯示模組100之密封結構的詳細剖面圖
參照第3圖，顯示模組100可包含第一基板20、第二基板30及設置在第一基板20與第二基板30之間的密封構件310。顯示模組100可包含顯示影像的顯示區域DA及密封顯示區域DA的密封區域SA。
緩衝層211可進一步設置於第一基板20上。緩衝層211可防止雜質從第一基板20的頂面擴散、可防止水分或外部空氣滲入內部空間S以及可平坦化第一基板20的頂面。在一些實施例中，緩衝層211可由無機材料，如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽(silicon oxynitride)、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦；有機材料，如聚醯亞胺(polyimide)、聚酯(polyester)或丙烯酸(acryl)；或其堆疊物形成。如果需要的話，緩衝層211可被省略。緩衝層211可藉由合適的沉積法，如電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、常壓CVD(APCVD)或低壓CVD(LPCVD)形成。
用於形成影像的顯示元件210係設置在顯示區域DA中。顯示元件210可為OLED、LCD元件或電泳顯示元件。作為實例，顯示元件210在第3圖中繪示為OLED。
第一薄膜電晶體(TFT)TFT1可包含第一主動層212a、第一閘極電極214a、第一源極電極216a及第一汲極電極217a。用於將第一閘極電極214a與第一主動層212a絕緣的第一閘極絕緣膜213a可設置在第一閘極電極214a與第一主動層212a之間。第一閘極電極214a可形成在第一閘極絕緣膜213a上，以與一部分的第一主動層212a重疊。第一TFT TFT1可設置在OLED之下，並且可為用於驅動OLED的驅動TFT。
第二TFT TFT2可包含第二主動層212b、第二閘極電極214b、第二源極電極216b及第二汲極電極217b。用於將第二閘極電極214b與 第二主動層212b絕緣的第一閘極絕緣膜213a可設置在第二閘極電極214b與第二主動層212b之間。第二閘極電極214b可形成在第一閘極絕緣膜213a上，以與一部分的第二主動層212b重疊。
第一主動層212a及第二主動層212b可設置於緩衝層211上。第一主動層212a及第二主動層212b可由有機半導體或無機半導體，如非晶矽或多晶矽形成。在一些實施例中，第一主動層212a可由氧化物半導體形成。例如，氧化物半導體可包含選自第4族、第12族、第13族及第14族的金屬元素，如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)、鍺(Ge)及鉿(Hf)的氧化物以及其組合物。
第一閘極絕緣膜213a可設置在緩衝層211上，以覆蓋第一主動層212a及第二主動層212b。形成第二閘極絕緣膜213b，以覆蓋第一閘極電極214a及第二閘極電極214b。
第一閘極電極214a及第二閘極電極214b中的每個可包含單層膜，如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鉬(Mo)或鉻(Cr)；多層膜或合金，如Al：Nd或Mo：W。
第一閘極絕緣膜213a及第二閘極絕緣膜213b中的每個可包含無機膜，如氧化矽、氮化矽或金屬氧化物，並且可形成具有單層結構或多層結構。
層間絕緣膜215可形成在第二閘極絕緣膜213b上。層間絕緣膜215可由無機膜，如氧化矽或氮化矽形成。層間絕緣膜215可包含有機膜。
第一源極電極216a及第一汲極電極217a可形成在層間絕緣膜215上。第一源極電極216a及第一汲極電極217a中的每個可通過接觸孔接觸第一主動層212a。第二源極電極216b及第二汲極電極217b可形成在層間絕緣膜215上，且第二源極電極216b及第二汲極電極217b中的每 個可通過接觸孔接觸第二主動層212b。第一源極電極216a、第二源極電極216b、第一汲極電極217a及第二汲極電極217b中的每個可包含金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物或透明導電材料。
在其他實施方式中，第一TFT TFT1及第二TFT TFT2可具有其他合適的結構。例如，雖然第2圖示出第一TFT TFT1及第二TFT TFT2中的每個為具有頂部閘極結構，但是在其他實施方式中，第一TFT TFT1及第二TFT TFT2中的每個可具有底部閘極結構，其中第一閘極電極214a及第二閘極電極214b係分別設置在第一主動層212a及第二主動層212b之下。
電容器230可被包含在顯示區域DA中。電容器230可用以儲存施加至顯示元件210的數據訊號或補償顯示元件210的電壓降。
電容器230可包含第一電容器電極230a、第二電容器電極230b及設置在第一電容器電極230a與第二電容電極230b之間的第二閘極絕緣膜213b。第一電容器電極230a可由與第二閘極電極214b相同的材料形成，而第二電容器電極230b可由與第一閘極電極214a相同的材料形成。
平坦化膜218可設置在層間絕緣膜215上，以覆蓋第一TFT TFT1及第二TFT TFT2及電容器230。平坦化膜218可藉由去除任何階梯形部分(stepped portion)而進行平坦化，以提高形成在平坦化膜218上的OLED之發光效率。平坦化膜218可具有一部分的第一汲極電極217a通過其露出之通孔。
平坦化膜218可由絕緣材料形成。例如，平坦化膜218可具有由無機材料、有機材料或其組合物形成的單層結構或多層結構，並且可藉由合適的沉積法形成。在一些實施例中，平坦化膜218可由選自聚丙烯酸酯樹脂(polyacrylate resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚樹脂(phenolic resin)、聚醯胺樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)、不飽和聚酯樹脂(polyester resin)、聚苯醚樹脂(poly-phenylene ether resin)、聚苯硫醚樹脂(poly-phenylene sulfide resin)及苯環丁烯(benzocyclobutene，BCB)中的至少一種材料形成。
如果需要的話，平坦化膜218及層間絕緣膜215中的任何一個可被省略。
OLED可設置在平坦化膜218上，並包含第一電極221、含有有機發光層的中間層220及第二電極222。像素限定膜219可被設置，以覆蓋一部分的平坦化膜218及第一電極221。像素限定膜219可限定像素區域PA及非像素區域NPA。
從OLED的第一電極221及第二電極222注入的電洞及電子可在中間層220的有機發光層中彼此再結合，以產生光。
中間層220可包含有機發光層。在一些實施方式中，中間層220可進一步包含各種功能層。例如，中間層220可進一步包含選自電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL)中的至少一種。
第二電極222可形成在中間層220上。第二電極222可與第一電極221形成電場，使得光從中間層220中發射。第一電極221可每個像素地圖案化，而第二電極222可形成，使得共用電壓被施加至所有像素。第二電極222可通過電路配線241電性連接至設置在顯示區域DA邊緣上的電源線路240。
第一電極221及第二電極222中的每個可為透明電極或反射電極。第一電極221可用作陽極，而第二電極222可用作陰極。在其他實施方式中，第一電極221可用作陰極，而第二電極222可用作陽極。
雖然僅一個OLED示於第3圖中，顯示區域DA可包含複數個OLED。OLED中的每個可形成一個像素，並且每個像素可產生紅色、綠色、藍色或白色。
保護層可設置在第二電極222上，並可覆蓋OLED及保護OLED。保護層可包含無機絕緣膜及/或有機絕緣膜。
間隔件223可設置在第一基板20與第二基板30之間，以維持第一基板20與第二基板30之間的間隔。間隔件223可被設置，以防止顯示特性由於外部衝擊而劣化。
在一些實施例中，間隔件223可設置在像素限定膜219上。間隔件223可從像素限定膜219朝向第二基板30突出。在一些實施例中，像素限定膜219及間隔件223可藉由使用利用感光材料光微影法(photolithography)或的光製程而彼此一體成形。在這種情況下，像素限定膜219及間隔件223可藉由通過使用半色調光罩(halftone mask)的曝光製程調整曝露劑量而同時形成。
第二電極222及/或保護層可設置在間隔件223上。
圍繞顯示元件210的密封構件310可設置在密封區域SA中。其中第一基板20與第二基板30彼此接合的密封區域SA可防止氧氣或水分滲入顯示區域DA。
用於提高密封構件310接合性能的金屬層250可設置在密封區域SA中。金屬層250可設置在密封構件310與第一基板20之間。例如，金屬層250可設置在第一基板20上，以圍繞顯示元件210。
為了結合第一基板20與第二基板30，可發射雷射光束至密封構件310。當雷射光束被發射至密封構件310時，金屬層250可反射雷射光 束，且熱可傳遞至密封構件310的下部部分。密封構件310的接合強度可藉由雷射光束導致熱能夠傳遞，以充分地傳遞至密封構件310的下部部分及上部部分而增加。
用於輔助密封構件310接合的複數個開口320a可形成在密封區域SA中。密封構件310的接觸面積可由於開口320a而提高。
複數個開口320a可形成為穿過金屬層250、第二閘極絕緣膜213b及層間絕緣膜215。在其他實施方式中，開口320a可形成為穿過選自金屬層250、第二閘極絕緣膜213b及層間絕緣膜215中的至少一個。如果需要的話，開口320a可被省略。
第4圖繪示了描繪根據實施例的顯示裝置10之平面圖。參照第4圖，顯示裝置10可包含殼體11、設置在殼體11中的至少一個天線12及顯示模組100。
殼體11可形成顯示裝置10的外觀。殼體11可為單一構件，或可包含可彼此耦接的複數個構件。天線12及顯示模組100可設置在殼體11中。各種元件，如電池、主機板、照相機、揚聲器及托架可設置在殼體11與顯示模組100之間。
設置於殼體11中的天線(複數個天線)12的數量可為一個，或兩個或更多個。用於發送及/或接收無線訊號的天線12可藉由使用單頻(single-band)天線或多頻天線形成。可由天線12覆蓋的通信頻帶之實例包含行動電話頻帶(例如，850MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz或2100MHz頻帶)、衛星導航頻帶(例如，用於衛星定位系統的1575MHz頻帶)、無線區域網路頻帶(例如，用於IEEE 802.11(WiFi®)的2.4GHz或5GHz頻帶)或藍牙頻帶(例如，2.4GHz頻帶)。可用於殼體11中的天線12之天線實例包含單極天線(monopole antenna)、雙極天線(dipole antenna)、帶狀天線(strip antenna)、塊狀天線(patch antenna)、倒F天線(inverted-F antenna)、線圈天線(coil antenna)、平面倒F天線(planar inverted-F antenna)、開槽孔天線(open slot antenna)、閉槽孔天線(closed slot antenna)、環形天線(loop antenna)、含有複數個類型的天線之混合型天線(hybrid antenna)，或其他適當的天線。
顯示模組100可設置在殼體11中，以覆蓋天線12。金屬層250可提高顯示模組100的接合特性，但可根據金屬層250相對於天線12的位置而影響天線12的接收靈敏度。例如，當金屬層250係設置成與天線12重疊時，天線12的接收靈敏度可根據金屬層250的寬度而降低。
在第4圖的顯示模組100中，為了不降低天線12的接收靈敏度，甚至當金屬層250係設置成與天線12重疊時，一部分的金屬層250寬度可設置成小於其他部分。
第5圖繪示了描繪第4圖的一部分顯示模組100之放大圖。參照第4圖及第5圖，金屬層250可包含具有第一寬度Wm1的第一部分251及具有第二寬度Wm2的第二部分252，第二寬度Wm2小於第一寬度Wm1。第一部分251及第二部分252可具有恆定寬度。第二寬度Wm2可為第一寬度Wm1的約15%至約45%的範圍內。例如，當金屬層250的第一寬度Wm1為700μm時，金屬層250的第二寬度Wm2可為200μm。
顯示模組100可設置在殼體11中，使得具有小於第一寬度Wm1的第二寬度Wm2之第二部分252係與至少一部分的天線12重疊。據此，天線12可通過第二部分252穩定地發送及接收訊號。可防止或減輕設置於殼體11中的天線12在接收靈敏度上的降低。
金屬層250可進一步包含設置於第一部分251與第二部分252之間的連接部分253。第一部分251可具有恆定的第一寬度Wm1，第二部 分252可具有恆定的第二寬度Wm2，並且至少一部分的連接部分253可具有可變的寬度。例如，連接部分253的寬度可在從第一部分251朝向第二部分252遠離的方向上逐步降低。
在上述實施例中，第一部分251及第二部分252可具有線性形狀。第二部分252可通過連接部分253連接至第一部分251底部。然而，只要第二部分252的第二寬度Wm2小於第一部分251的第一寬度Wm1，第一部分251及第二部分252的配置及連接方法可以各種方式進行修改。
第6A圖至第6E圖繪示了描繪第5圖的金屬層250之修改的剖面圖。第二部分252可直接連接至第一部分251，而沒有如第6A圖中所示的連接部分253。在其中第二部分252通過連接部分253連接至第一部分251的位置可改變。例如，第二部分252可通過如第6B圖中所示的連接部分253連接至第一部分251的中間部分，或可連接至如第6C圖中所示的第一部分251之上部部分。連接部分253的寬度可如第6B圖及第6C圖中所示地線性變化。第二部分252可具有如第6D圖中所示的鋸齒形狀，或可具有如第6E圖中所示的波形。
參照回第5圖，密封構件310可設置在金屬層250上，以與金屬層250重疊。密封構件310可包含第一密封部分311及第二密封部分312，第一密封部分311與第一部分251重疊，並具有第一密封寬度Wsa1，而第二密封部分312與金屬層250的第二部分252重疊，並具有第二密封寬度Wsa2。密封構件310可進一步包含連接密封部分313，其連接至第一密封部分311及第二密封部分312，並具有第三密封寬度Wsa3。本文中所使用的用語「密封寬度(sealing width)」係指完全固化之後的密封構件310寬度。
當顯示模組100被製造時，可改變密封構件310的狀態。例如， 在密封構件310形成於第二基板30上之後，密封構件310可藉由雷射光束熔化並固化。形成於第二基板30上的密封構件310之狀態與完全固化的密封構件310之狀態可彼此相異。當密封構件310形成於第二基板30上時，密封構件310可具有成形寬度，而當密封構件310完全固化時，密封構件310可具有不同於成形寬度的密封寬度。密封構件310的密封寬度可大於密封構件310的成形寬度。
寬度根據密封構件310狀態的變化量，例如，成形寬度與密封寬度之間的差異可根據重疊密封構件310的金屬層250寬度而變化。例如，當重疊密封構件310的金屬層250寬度增加時，在熔化及固化製程期間，密封構件310寬度上的變化量可增加。當金屬層250寬度增加時，在發射雷射光束的同時，由金屬層250反射至密封構件310下部部分的熱量可增加。
第一部分251的第一寬度Wm1可大於第二部分252的第二寬度Wm2。據此，由其中第一密封部分311與金屬層250彼此重疊的寬度可大於由其中第二密封部分312與金屬層250彼此重疊的寬度。當密封構件310藉由發射雷射光束而熔化並固化時，密封構件310寬度上的變化量在第一密封部分311中可大於在第二密封部分312中。
根據本實施例的顯示模組100，因在使用雷射光束的熔化及固化製程期間，由於金屬層250的密封構件310寬度上的變化量，可決定密封構件310的成形寬度，使得密封構件310的密封寬度在所有部分中符合預定範圍。
現將參照第7A圖至第7D圖說明顯示模組100之製造方法，其含有使得密封構件310的密封寬度符合預定範圍之形成密封構件310之操作。
第7A圖至第7D圖繪示了解釋製造第1圖的顯示模組100之方法的平面圖。
參照第7A圖，顯示元件210及圍繞顯示元件210的金屬層250可形成於第一基板20上。
顯示元件210可包含OLED、第一TFT TFT1及第二TFT TFT2。
金屬層250可包含第一部分251、第二部分252及連接第一部分251與第二部分252的連接部分253。可形成金屬層250，使得第二部分252的第二寬度Wm2小於第一部分251的第一寬度Wm1。連接部分253的寬度可從第一部分251朝向第二部分252地而減少。
金屬層250可由與第一TFT TFT1的第一閘極電極214a相同的材料形成在與第一TFT TFT1的第一閘極電極214a相同的平面上。在其他實施方式中，金屬層250可由與第二TFT TFT2的第二閘極電極214b相同的材料形成在與第二TFT TFT2的第二閘極電極214b相同的平面上。在一些實施例中，金屬層250可為含有Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo或Cr的單層膜或多層膜。在一些實施例中，金屬層250可包含合金，如Al：Nd或Mo：W。
參照第7B圖，密封構件310可形成在第二基板30上，以圍繞顯示元件210。密封構件310可包含具有第一成形寬度Wsb1的第一密封部分311以及具有第二成形寬度Wsb2的第二密封部分312。在密封構件310用於塗層第二基板30時並且在密封構件310藉由雷射光束熔化之前，第一成形寬度Wsb1及第二成形寬度Wsb2分別為第一密封部分311的寬度及第二密封部分312的寬度。
密封構件310可被形成，使得第二密封部分312的第二成形寬 度Wsb2大於第一密封部分311的第一成形寬度Wsb1。連接密封部分313可包含其寬度在從第一密封部分311朝向第二密封部分312的方向上線性或非線性增加的部分，以連接第一密封部分311與第二密封部分312。
第二成形寬度Wsb2與第一成形寬度Wsb1之間的差值可為第一成形寬度Wsb1的約3%至約20%。例如，當第一成形寬度Wsb1為630μm時，第二成形寬度Wsb2可為650μm。作為另一個實例，當第一成形寬度Wsb1為420μm時，第二成形寬度Wsb2可為490μm。
可形成密封構件310，使得因在使用雷射光束的後續熔化及固化製程期間，鑑於金屬層250傳遞至密封構件310的熱量上的變化，第二成形寬度Wsb2大於第一成形寬度Wsb1。當第一基板20與第二基板30彼此結合時，雷射光束可發射至密封構件310，且因此密封構件310可被熔化而分散。在這種情況下，當重疊密封構件310的金屬層250寬度越大時，傳遞至密封構件310的熱量就越大，且密封構件310分散的程度可增加。當重疊密封構件310的金屬層250寬度在第一密封部分311中大於在第二密封部分312中時，密封構件310分散的程度在第一密封部分311中可大於在第二密封部分312中。當密封構件310鑑於此形成時，第二密封部分312的第二成形寬度Wsb2可大於第一密封部分311的第一成形寬度Wsb1。
參照第7C圖，可配置第一基板20及第二基板30，使得形成於第二基板30上的密封構件310面對第一基板20、第一密封部分311與第一部分251重疊、且第二密封部分312與第二部分252重疊。第一密封部分311的第一成形寬度Wsb1可小於第一部分251的第一寬度Wm1。第二密封部分312的第二成形寬度Wsb2可大於第二部分252的第二寬度Wm2。
雷射光束可從第一基板20外部發射至密封構件310，以接合第一基板20與第二基板30。當雷射光束發射時，密封構件310可被熔化且 然後可被固化，從而完成接合。雖然在本文中描述的是，發射雷射光束，以熔化及固化密封構件310，但可進行各種修改以傳遞熱至密封構件310。例如，在其他實施方式中，密封構件310可藉由將具有密封構件310於其間的第一基板20及第二基板30放進提供高溫環境的爐中而被熔化及固化。
參照第7D圖，完全固化的密封構件310之第一密封部分311可具有第一密封寬度Wsa1，而第二密封部分312可具有第二密封寬度Wsa2。當密封構件310被熔化並固化時，第一密封部分311的寬度可從第7C圖的第一成形寬度Wsb1改變成第7D圖的第一密封寬度Wsa1，而第二密封部分312的寬度可從第7C圖的第二成形寬度Wsb2改變成第7D圖的第二密封寬度Wsa2。第一密封寬度Wsa1可大於第一成形寬度Wsb1，而第二密封寬度Wsa2可大於第二成形寬度Wsb2。
當金屬層250的第一寬度Wm1大於第二寬度Wm2時，重疊第一部分251的第一密封部分311寬度可大於重疊第二部分252的第二密封部分312寬度。據此，當密封構件310藉由使用雷射光束而熔化時，密封構件310在寬度方向上分散的程度在第一密封部分311中可大於在第二密封部分312中。從密封構件310成形寬度至密封構件310密封寬度的變化量在第一密封部分311中可大於在第二密封部分312中。
鑑於第一密封部分311寬度上的變化量與第二密封部分312寬度上的變化量之間的差異，可形成密封構件310，使得第二密封部分312的第二成形寬度Wsb2大於第一密封部分311的第一成形寬度Wsb1。第一密封部分311寬度上的變化量可大於第二密封部分312寬度上的變化量，但密封構件310的成形寬度在第一密封部分311中可小於在第二密封部分312中。據此，密封構件310的密封寬度可符合預定範圍。第一密封部分 311的第一密封寬度Wsa1與第二密封部分312的第二密封寬度Wsa2可為相同，或者其間的差值可等於或小於第一密封寬度Wsa1的5%。據此，可增加顯示模組100及含有其的顯示裝置10之機械強度。
如果密封構件310的成形寬度被設置成一致，而不考慮密封構件310寬度上的變化量，在使用雷射光束的在熔化及固化製程期間，第一密封部分311及第二密封部分312分散的程度可彼此相異。據此，當第一基板20與第二基板30彼此完全結合時，密封構件310的密封寬度可能不一致。例如，重疊第一部分251的第一密封部分311之第一密封寬度Wsa1與重疊第二部分252的第二密封部分312之第二密封寬度Wsa2之間的差值可超過第一密封寬度Wsa1的5%。因此，當第一密封寬度Wsa1與第二密封寬度Wsa2之間的差值超過5%時，應力可能集中在第一密封寬度Wsa1與第二密封寬度Wsa2之間差值的部分上，從而導致損壞對應部分，或對應部分中的裂縫。
根據本實施例，第一密封部分311的第一成形寬度Wsb1可小於第二密封部分312的第二成形寬度Wsb2。據此，完全固化的密封構件310之第一密封寬度Wsa1及第二密封寬度Wsa2可符合預定範圍。
重疊金屬層250的第一部分251之第一密封部分311的寬度Wo1可大於重疊金屬層250的第二部分252之第二密封部分312的寬度Wo2。重疊第一部分251的第一密封部分311的寬度Wo1與第一密封部分311的第一密封寬度Wsa1之比率Wo1/Wsa1可大於重疊第二部分252的第二密封部分312的寬度Wo2與第二密封部分312的第二密封寬度Wsa2之比率Wo2/Wsa2。
第8圖繪示了第7D圖的顯示模組100的一部分之放大光學顯微影像圖。在第8圖中，黑色部分表示完全固化的密封構件310。在完全固 化的密封構件310中，連接第一密封部分311與第二密封部分312的部分A在寬度上有些微差異。密封構件310形成，使得第一密封部分311的第一成形寬度Wsb1為630μm，而第二密封部分312的第二成形寬度Wsb2為650μm。完全固化的第一密封部分311的第一密封寬度Wsa1與第二密封部分312的第二密封寬度Wsa2之間的差值被大大降低。第一密封寬度Wsa1與第二密封寬度Wsa2之間的差值約為6μm。
第9圖繪示了根據比較例，當第一密封部分311之第一成形寬度Wsb1與第二密封部分312之第二成形寬度Wsb2兩者皆為610μm時，完成固化製程之後，與第8圖中繪示的部分相同之部分之光學顯微影像圖。參照第9圖，在完全固化的密封構件310中，連接第一密封部分311與第二密封部分312的部分A'在寬度上有大差異。第一密封寬度Wsa1與第二密封寬度Wsa2之間的差值約為37μm。
如第9圖中所繪示，當形成密封構件310，使得第一密封部分311及第二密封部分312具有相同寬度，而不考慮金屬層250的第一寬度Wm1與第二寬度Wm2之間的差值時，完全固化的密封構件310之密封寬度不一致。相反地，當密封構件310根據實施例形成，使得第二密封部分312的第二成形寬度Wsb2鑑於金屬層250的第一寬度Wm1與第二寬度Wm2之間的差值，而大於第一密封部分311的第一成形寬度Wsb1時，完全固化的密封構件310之密封寬度被示出符合預定範圍。
第10A圖繪示了描繪在厚度方向上截取的第7D圖之第一密封部分311的剖面圖。第10B圖繪示了描繪在厚度方向上截取的第7D圖之第二密封部分312的剖面圖。
參照第10A圖，第一密封部分311可與金屬層250的第一部分251重疊，並可具有第一密封厚度dsa1。參照第10B圖，第二密封部分312 可與金屬層250的第二部分252重疊，並可具有第二密封厚度dsa2。
密封構件310的厚度可在使用雷射光束的熔化及固化製程期間變化。例如，在使用雷射光束的熔化及固化製程期間，密封構件310形成於第二基板30上時的密封構件310之形成厚度可小於第一基板20與第二基板30彼此結合時的密封構件310之密封厚度。本文中所使用的用語「成形厚度(forming thickness)」係指密封構件310形成於第二基板30上時且在發射雷射光束之前的密封構件310厚度，而用語「密封厚度(sealing thickness)」係指已發射雷射光束時且在已完成熔化及固化製程時的密封構件310厚度。
如上所述，寬度上的變化量可根據與金屬層250重疊的密封構件310的量而變化。與金屬層250重疊的第一密封部分311寬度可大於與金屬層250重疊的第二密封部分312寬度。據此，在使用雷射光束的熔化及固化製程期間，寬度分散的程度在第一密封部分311中可大於在第二密封部分312中。當寬度分散的程度增加時，第一密封部分311厚度上的減少量可大於第二密封部分312厚度上的減少量。因此，當第一密封部分311及第二密封部分312形成為具有相同厚度時，第一密封部分311的第一密封厚度dsa1可小於第二密封部分312的第二密封厚度dsa2。
第11A圖及第11B圖繪示了描繪在厚度方向上截取的顯示模組100之第一密封部分311及第二密封部分312的電子顯微影像圖。第11A圖及第11B圖的第一密封部分311及第二密封部分312可形成具有相同厚度，且然後可藉由使用雷射光束而完全固化。
參照第11A圖及第11B圖，完全固化的第一密封部分311之第一密封厚度dsa1為4.35μm，而完全固化的第二密封部分312之第二密封厚度dsa2為4.76μm。第一密封厚度dsa1與第二密封厚度dsa2之間的差值 為0.41μm(=4.76μm-4.35μm)。
第一密封厚度dsa1與第二密封厚度dsa2之間的差值可為第一密封厚度dsa1的約5%至約15%。當第一密封厚度dsa1與第二密封厚度dsa2之間的差值超過15%時，可降低接合特性。另一方面，當厚度差值等於或小於15%時，可不影響接合特性。
第12A圖及第12B圖係為製造含有第1圖的顯示模組100之顯示裝置10的方法階段之平面圖。
參照第12圖，天線12可設置在殼體11中。形成顯示裝置10外觀的殼體11可為單一構件。在其他實施方式中，殼體11可包含可彼此耦接的複數個構件。
設置於殼體11中的天線12數量可為一個，或兩個或更多個。用於發送及/或接收無線訊號的天線12可藉由使用單頻天線或多頻天線形成。可由天線12覆蓋的通信頻帶之實例包含行動電話頻帶(例如，850MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz或2100MHz頻帶)、衛星導航頻帶(例如，用於衛星定位系統的1575MHz頻帶)°無線區域網路頻帶(例如，用於IEEE 802.11(WiFi®)o的2.4GHz或5GHz頻帶)或藍牙頻帶(例如，2.4GHz頻帶)。可用於殼體11中的天線12之天線實例包含單極天線、雙極天線、帶狀天線、塊狀天線、倒F天線、線圈天線、平面倒F天線、開槽孔天線、閉槽孔天線、環形天線、含有複數個類型的天線之混合型天線及其他適當的天線。
參照第12B圖，顯示模組100可設置在殼體11中，以覆蓋天線12。可設置顯示模組100，使得至少一部分的天線12與金屬層250的第二部分252重疊。第二部分252具有第二寬度Wm2，第二寬度Wm2小於金屬層250第一部分251的第一寬度Wm1。據此，即使當金屬層250與天 線12重疊，可防止天線12的接收靈敏度被降低。
藉由總結及回顧之方式，可密封顯示模組，以保護內部顯示元件免於外部損害。為此，複數個基板可藉由在複數個基板之間形成密封構件，並使用雷射光束固化密封構件而結合在一起。
根據本發明的顯示模組、顯示裝置及其製造方法可維持天線的接收靈敏度，並可藉由使用密封構件而提高第一基板與第二基板之間的接合強度。據此，可提高顯示模組及顯示裝置的耐衝擊性。
已在本文中揭露了例示性實施例，且儘管使用了特定用語，其僅以一般意義及描述性意義使用並解釋，且並非用於限制性目的。在某些情況下，如本申請案之申請之所屬技術領域中具有通常知識者而言將顯而易見的是，除非另有明確指出，結合特定實施例描述的特徵、特性及/或元件可單獨使用，或者合併結合其他實施例描述的特徵、特性及/或元件使用。據此，所屬技術領域中具有通常知識者將理解的是，在不脫離如同下列申請專利範圍中闡述的精神及範疇之下，可進行形式及細節上的各種變化。

Claims (16)

  1. 一種製造顯示模組的方法，該方法包含：形成至少一顯示元件及圍繞該顯示元件的一金屬層在一第一基板上，該金屬層包含具有一第一寬度的一第一部分及具有一第二寬度的一第二部分，該第二寬度小於該第一寬度；形成圍繞該顯示元件的一密封構件在一第二基板上，該密封構件包含具有一第一成形寬度的一第一密封部分及具有一第二成形寬度的一第二密封部分，該第二成形寬度大於該第一成形寬度；配置該第一基板及該第二基板，使得形成在該第二基板上的該密封構件面對該第一基板，該第一密封部分與該金屬層的該第一部分重疊但不與該金屬層的該第二部分重疊，而該第二密封部分與該金屬層的該第二部分重疊但不與該金屬層的該第一部分重疊；以及藉由熔化並固化該密封構件以密封該第一基板及該第二基板，而形成一顯示模組。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，當該密封構件被熔化並固化時：該第一密封部分被變形，使得該第一密封部分從具有該第一成形寬度改變成具有一第一密封寬度，該第二密封部分被變形，使得該第二密封部分由具有該第二成形寬度改變成具有一第二密封寬度，以及該第一密封寬度與該第二密封寬度之間的差值係等於或小於該 第一密封寬度的5%。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包含將該顯示模組設置在一殼體中，使得該金屬層的該第二部分與至少一部分的一天線重疊。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該密封構件係形成在該第二基板上，使得該第一密封部分的該第一成形寬度小於該金屬層的該第一部分的該第一寬度，而該第二密封部分的該第二成形寬度大於該金屬層的該第二部分的該第二寬度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中：該第一密封部分的該第一密封寬度大於該第一密封部分的該第一成形寬度，以及該第二密封部分的該第二密封寬度大於該第二密封部分的該第二成形寬度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中當該密封構件被熔化並固化時：該密封構件的一厚度被減少，以及該第一密封部分的一第一密封厚度小於該第二密封部分的一第二密封厚度。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該密封構件係藉由發射至該密封構件上的一雷射光束而熔化並固化。
  8. 一種顯示裝置，其包含：一殼體；至少一天線，設置在該殼體中；以及 一顯示模組，設置在該殼體中，以覆蓋該天線，其中該顯示模組包含一第一基板，一顯示元件位於該第一基板上；一第二基板，面對該第一基板；一金屬層，在該第一基板上，以圍繞該顯示元件，該金屬層包含具有一第一寬度的一第一部分及具有一第二寬度的一第二部分，該第二寬度小於該第一寬度；以及一密封構件，在該第一基板與該第二基板之間，並圍繞該顯示元件，該密封構件包含一第一密封部分及一第二密封部分，該第一密封部分與該金屬層的該第一部分重疊，並具有一第一密封寬度，而該第二密封部分與該金屬層的該第二部分重疊，並具有一第二密封寬度，其中；該顯示模組的該第一密封寬度與該第二密封寬度之間的差值係等於或小於該第一密封寬度的5%，以及至少一部分的該至少一天線與該金屬層的該第二部分重疊。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中：該第一密封部分及該第二密封部分在該第一基板至該第二基板的方向上分別具有一第一密封厚度及一第二密封厚度，以及該第一密封部分的該第一密封厚度小於該第二密封部分的該第二密封厚度。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中與該金屬層的該第一部分重疊之該第一密封部分的寬度與該第一密封部分的 該第一密封寬度之比率大於與該金屬層的該第二部分重疊之該第二密封部分的寬度與該第二密封部分的該第二密封寬度之比率。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中：該金屬層進一步包含連接該第一部分與該第二部分的一連接部分，以及至少一部分的該連接部分的寬度相異。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中該第一部分及該第二部分的個別寬度係為恆定的。
  13. 一種顯示模組，其包含：一第一基板，一顯示元件位於該第一基板上；一第二基板，面對該第一基板；一金屬層，在該第一基板上，以圍繞該顯示元件，該金屬層包含具有一第一寬度的一第一部分及連接至該第一部分並具有一第二寬度的一第二部分，該第二寬度小於該第一寬度；以及一密封構件，在該第一基板與該第二基板之間，以圍繞該顯示元件，該密封構件包含與該金屬層的該第一部分重疊並具有一第一密封寬度之一第一密封部分及與該金屬層的該第二部分重疊並具有一第二密封寬度之一第二密封部分，其中該第一密封寬度與該第二密封寬度之間的差值等於或小於該第一密封寬度的5%，該第一密封部分及該第二密封部分在從該第一基板至該第二基板的方向上分別具有一第一密封厚度及一第二密封厚度，以及 該第一密封部分的該第一密封厚度小於該第二密封部分的該第二密封厚度。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之顯示模組，其中與該金屬層的該第一部分重疊之該第一密封部分的寬度與該第一密封部分的該第一密封寬度之比率大於與該金屬層的該第二部分重疊之該第二密封部分的寬度與該第二密封部分的該第二密封寬度之比率。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之顯示模組，其中：該金屬層進一步包含連接該金屬層的該第一部分與該金屬層的該第二部分的一連接部分，以及至少一部分的該連接部分的寬度相異。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之顯示模組，其中該金屬層的該第一部分及該金屬層的該第二部分的個別寬度係為恆定的。
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