TWI748818B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI748818B
TWI748818B TW109145756A TW109145756A TWI748818B TW I748818 B TWI748818 B TW I748818B TW 109145756 A TW109145756 A TW 109145756A TW 109145756 A TW109145756 A TW 109145756A TW I748818 B TWI748818 B TW I748818B
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鄭京准
潘政載
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南韓商樂金顯示科技股份有限公司
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Abstract

一種顯示裝置包含形成於顯示區域中的開口區域及圍繞開口區域的非顯示區域，其中顯示區域包含多個像素及連接於這些像素的多個線路。非顯示區域包含連接件，連接件連接於顯示區域的這些線路其中至少一者。連接件與被連接的線路設置於不同的層體並透過通孔電極電性連接於線路。

Description

顯示裝置
本發明係關於顯示裝置。
顯示裝置不僅應用於電視或顯示器，還應用於如行動電話及個人數位助理(PDA)之個人可攜帶式電子裝置，且這種顯示裝置裝配有影像擷取器以實現攝像功能及視訊通話功能。
顯示裝置傾向被製造成具有輕薄的外型且具有寬廣的顯示區域。因此，需要形成盡可能小之邊框區域，其中邊框區域為除了顯示區域以外的非顯示區域。
最近已揭露一種結構，在此結構中，光進入前影像擷取器時通過的開口區域被設置於顯示區域內。因此，需要使設置於開口區域周圍的邊框區域盡可能小。
本發明提供一種顯示裝置，此顯示裝置中圍繞開口區域的邊框區域為較小的。
本發明亦提供一種顯示裝置，其藉由減少在圍繞開口區域的邊框區域中產生於多個線路之間的寄生電容而具有高的設計自由度。
在本發明中所欲解決的問題不限於此且包含以下技術方案以及從本發明可理解的目的或功效。
根據本發明一方面，提供一種顯示裝置，包含形成於顯示區域中的開口區域及圍繞開口區域的非顯示區域。顯示區域包含多個像素及連接於這些像素的多個線路。非顯示區域包含連接件，連接件連接於顯示區域的這些線路其中至少一者。連接件與被連接的線路設置於不同的層體並透過通孔電極電性連接於線路。
相較被連接的線路而言，連接件可設置於較下方的層體。
相較被連接的線路而言，連接件可設置於較上方的層體。
像素可包含電晶體。電晶體可包含離子束屏蔽件、半導體圖案及閘極電極。離子束屏蔽件設置於基板上。半導體圖案設置於離子束屏蔽件上。閘極電極設置於半導體圖案上。這些線路中連接於連接件的線路可為閘極線路或發射線路。連接件與離子束屏蔽件設置於相同的層體。
電晶體可更包含第一絕緣層及第二絕緣層。第一絕緣層設置於離子束屏蔽件與半導體圖案之間。第二絕緣層設置於半導體圖案與閘極電極之間。通孔電極可穿過在非顯示區域中的第一絕緣層及第二絕緣層，以將閘極線路或發射線路電性連接於連接件。
連接件可電性絕緣於離子束屏蔽件。連接件與離子束屏蔽件可具有相同的組成及厚度。
在顯示區域中之閘極電極可透過第一絕緣層及第二絕緣層電性連接於離子束屏蔽件。
在非顯示區域中的這些線路可垂直地重疊。
電性連接於連接件的線路可為發射線路。
像素可包含電晶體。電晶體可包含離子束屏蔽件、半導體圖案、閘極電極、源極電極、汲極電極及像素電極。離子束屏蔽件設置於基板上。半導體圖案設置於離子束屏蔽件上。閘極電極設置於半導體圖案上。源極電極及汲極電極設置於閘極電極上。像素電極設置於閘極電極上。這些線路之中連接於連接件的線路可為閘極線路或發射線路。連接件與像素電極可設置於相同的層體。
通孔電極可穿過在非顯示區域中介於閘極電極及像素電極之間的絕緣層，以將閘極線路或發射線路電性連接於連接件。
連接件可電性絕緣於像素電極。連接件與像素電極可具有相同的組成及厚度。
根據本發明另一方面，提供一種顯示裝置，包含基板、閘極線路及發射線路。基板具有形成於顯示區域的開口區域及圍繞開口區域的非顯示區域。閘極線路延伸通過顯示區域及非顯示區域。發射線路與非顯示區域中之閘極線路設置於不同的層體。發射線路設置於非顯示區域中發射線路與閘極線路之間的寄生電容被最小化的位置。
發射線路可設置於非顯示區域中發射線路與閘極線路之間的寄生電容最小的層體中。
發射線路與顯示區域中之閘極線路可設置於相同的層體。
顯示裝置可更包含通孔電極，通孔電極用以連接顯示區域及非顯示區域中設置於不同的層體的發射線路。
發射線路及閘極線路在非顯示區域中重疊的寬度可大於或等於發射線路的寬度的50%。
在非顯示區域中位於發射線路與閘極線路之間的絕緣層的厚度可為3000埃(Å)或更大。
以下態樣可修改或彼此組合，且本發明的範圍不限於這些態樣。
除非另有說明或矛盾，否則在特定態樣中描述的細節可理解為與其他態樣相關的描述，即使在其他態樣中沒有其描述亦是如此。
舉例而言，當在特定態樣中描述元件A的特徵且在另一態樣中描述元件B的特徵時，除非另有說明或矛盾，否則即使未明確說明，元件A及元件B彼此結合的態樣仍應理解為落入本發明的範圍。
在描述態樣時，當元件被稱為在另一元件之上或之下時，這兩個元件可直接接觸彼此，或者一或多個其他元件可設置於這兩個元件之間。此外，於此所使用之用語「之上或之下」除了可表示相對一元件的向上方向之外，亦可表示向下方向。
本發明之閘極驅動電路的開關元件可被實施為n型或p型金屬氧化物半導體場效應電晶體(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET)結構的電晶體。須注意的是，儘管以下態樣揭示n型電晶體，但本發明不限於此。
電晶體係包含閘極、源極及汲極的三電極元件。源極係供載子(carrier)通過而使載子被提供至電晶體的電極。在電晶體中，載子從源極開始流動。汲極係供載子通過而使載子離開電晶體的電極。也就是說，載子在金屬氧化物半導體場效應電晶體中的流動係從源極到汲極。
在使用n型金屬氧化物半導體場效應電晶體(NMOS)的情況下，上述載子為電子。因此，源極電壓會低於汲極電壓，而使得電子可從源極流到汲極。
在n型金屬氧化物半導體場效應電晶體中，因電子從源極流到汲極，故電流從汲極流到源極。在p型金屬氧化物半導體場效應電晶體(PMOS)中，上述載子為電洞。因此，源極電壓會高於汲極電壓，而使得電洞可從源極流到汲極。由於在p型金屬氧化物半導體場效應電晶體中的電洞從源極流到汲極，故電流從源極流到汲極。須注意的是，金屬氧化物半導體場效應電晶體的源極及汲極並不固定。舉例而言，可根據所施壓的電壓而改變金屬氧化物半導體場效應電晶體的源極及汲極。因此，在以下態樣中，本發明不以電晶體的源極及汲極為限。
在本發明一態樣中，構成一像素的電晶體全部皆實施為p型，但本發明的技術精神不限於此，且即使當電晶體實施為n型時，仍可應用本發明的技術精神。
圖1為根據本發明一態樣之顯示裝置的概念圖。圖2為繪示顯示裝置的運作方式的示意圖。圖3為圖1中部分A的放大示意圖。圖4為沿圖3中的線A-A’截取的剖面示意圖。
請參考圖1，根據本發明一態樣之顯示裝置可包含顯示區域DA、非顯示區域NDA1、開口區域H1及非顯示區域NDA2。非顯示區域NDA1設置於最外側。開口區域H1形成於顯示區域DA中。非顯示區域NDA2圍繞開口區域H1。
光可通過開口區域H1而進入前影像擷取器。然而，本發明不限於此，開口區域H1可為各種電子裝置運作的區域。開口區域H1的外形及數量可依需求而多樣地變化。
請參考圖2，根據本發明一態樣之顯示裝置可包含顯示面板100、資料驅動單元12、閘極驅動單元13及時序控制器11。顯示面板100中形成有像素PXL。資料驅動單元12用以驅動資料線路DL1至DLm。閘極驅動單元13用以驅動閘極線路GL1至GL[n]。時序控制器11用以控制資料驅動單元12及閘極驅動單元13的驅動時序。
多個像素PXL可以矩陣形式排列於顯示面板100中。排列於第n條水平線路中的像素PXL可連接於第n條閘極線路GL[n]。第n條閘極線路GL[n]可包含第n條掃描線路SL[n]及第n-1條掃描線路SL[n-1]。排列於各行中的像素PXL可連接於一個資料線路DL。
像素PXL可共同被供應有來自電力產生單元(未繪示)的高電位驅動電壓(ELVDD)、低電位驅動電壓(ELVSS)及初始化電壓(Vini)。初始化電壓可選自足夠低於有機發光裝置(OLED)的運作電壓的電壓範圍內，以防止有機發光裝置在初始期間(initial period)及取樣期間(sampling period)中不必要地發光。
構成一像素PXL的電晶體(TFT)可實施為包含氧化物半導體層的電晶體。氧化物半導體層在考量電子移動率、製成變化等因素時有利於增加顯示面板100的尺寸。氧化物半導體層可由氧化物半導體形成，其包含但不限於氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)等。並且，本發明不限於此，且電晶體的半導體層可由非晶矽(amorphous silicon，a-Si)、多晶矽(polycrystalline silicon，poly-Si)、有機半導體或類似者形成。
時序控制器11可根據顯示面板100的解析度來將從外部輸入的數位視訊資料RGB重新排列並將經重新排列的數位視訊資料供應至資料驅動單元12。並且，時序控制器11可基於時序訊號產生用以控制資料驅動單元12的運作時序的資料控制訊號DDC以及用以控制閘極驅動單元13的運作時序的閘極控制訊號GDC，其中時序訊號例如為垂直同步訊號Vsync、水平同步訊號Hsync、點時脈訊號DCLK及資料致能訊號DE。
資料驅動單元12可基於資料控制訊號DDC將從時序控制器11輸入的數位視訊資料RGB轉換成類比資料電壓。
閘極驅動單元13可基於閘極控制訊號GDC產生掃描訊號及發射訊號(發光控制訊號)。閘極驅動單元13可包含掃描驅動單元及發光驅動單元。以下定義掃描訊號係透過閘極線路提供且發射訊號係透過發射線路提供。
掃描驅動單元可產生第一至第n個掃描訊號SCAN1至SCAN[n]，發光驅動單元可產生第一至第n個發光控制訊號EM1至EM[n]。閘極驅動單元13可根據面板內閘極驅動器(Gate-driver In Panel，GIP)直接地形成於顯示面板100的非顯示區域中。
請參考圖3，多個線路可設置於圍繞開口區域H1的非顯示區域NDA2中。舉例而言，多個資料線路SD1、多個閘極線路及多個發射線路EM可設置於非顯示區域NDA2中。這些資料線路、這些閘極線路及這些發射線路可在非顯示區域NDA2中沿開口區域H1以一曲率形成。
在圖式中，為了方便描述，資料線路SD1及發射線路EM呈現為不重疊的態樣。然而，在以下說明中，這些線路可被排列成彼此垂直地重疊。因此，可減小非顯示區域NDA2的尺寸。
請參考圖4，根據一態樣之顯示裝置可包含顯示面板100、觸控面板200、設置於非顯示區域中的黑色矩陣300及窗口400。開口區域H1可垂直地形成於顯示面板100中，且影像擷取器模組500可設置於顯示面板100之下。
圍繞開口區域H1的非顯示區域NDA2可具有不同的層體，其中不同的層體供多個線路SL設置。這些線路可包含多個第一資料線路、多個第二資料線路、多個閘極線路及多個發射線路。因此，可藉由以重疊的方式將第一資料線路、第二資料線路、閘極線路及發射線路垂直地排列來使非顯示區域NDA2的尺寸最小化。舉例而言，相較於習知技術而言，非顯示區域NDA2的尺寸可減少到約三分之一。
如參考圖3所述，這些資料線路、這些閘極線路及這些發射線路可沿開口區域H1以一曲率形成。因此，在圖3中沿A-A’截取的剖視圖中，非顯示區域NDA2中的這些資料線路、這些閘極線路及這些發射線路可延伸於相同的方向中。
因此，顯示區域DA可設置於非顯示區域NDA2的外側。顯示區域DA可包含由資料線路及閘極線路界定的多個像素。
圖5為設置於一像素中的電晶體的剖面示意圖。
請參考圖5，基座基板111可包含聚醯亞胺層(未繪示)及緩衝層(未繪示)。緩衝層可為氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或其多層結構。基座基板111可包含形成於顯示區域中的開口區域及圍繞開口區域的非顯示區域。
離子束屏蔽件BSM可設置於基座基板111上。基於聚醯亞胺的絕緣膜會形成移動的電荷，從而影響電晶體的半導體層並降低驅動電流。
離子束屏蔽件BSM可用以防止半導體層122的電流量因聚醯亞胺層中流動的電荷而減少。離子束屏蔽件BSM可處於浮動狀態(floating state)或者可如圖所示連接於閘極電極GE。儘管本說明書中呈現離子束屏蔽件BSM連接於閘極電極GE的態樣，但本發明不限於此，且離子束屏蔽件BSM可連接於汲極電極DE。並且，離子束屏蔽件BSM可連接於具有恆定電壓位準的另一恆定電壓源。
第一絕緣層112可設置於離子束屏蔽件BSM上。第一絕緣層112可用以保護在後續製程中形成的薄膜電晶體免於受到雜質的影響，雜質例如為從離子束屏蔽件BSM流出的鹼離子(alkali ion)。第一絕緣層112可為氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或其多層結構，但本發明不限於此。
半導體層122可設置於第一絕緣層112上。半導體層122可由矽半導體或氧化物半導體製成。矽半導體可包含非晶矽或結晶的多晶矽。於此，多晶矽具有高移動率(超過100 cm2 /Vs)、低功耗及優異的可靠度，因此可應用於驅動器裝置的閘極驅動器及/或多工器(MUX)，或者可應用於像素內(in-pixel)驅動薄膜電晶體。同時，氧化物半導體具有低的截止電流(off-current)而適用於導通時間短且斷開時間長的開關電晶體。並且，像素因低的截止電流而具有長的電壓保持期間，因此氧化物半導體適用於需要低速驅動及/或低功耗的顯示裝置。
第二絕緣層113可設置於半導體層122上。第二絕緣層113可為閘極絕緣層。第二絕緣層113可為氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或其多層結構。
閘極電極GE可設置於第二絕緣層113上並位於半導體層122之特定區域之上，即位於在植入雜質時對應通道的位置。
閘極電極GE可由選自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)及銅(Cu)所組成之群組之一者或上述之合金形成。並且，閘極電極GE可為由選自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)及銅(Cu)所組成之群組之一者或上述之合金形成的多層結構。舉例而言，閘極電極GE可為鉬及鋁釹合金的雙層結構或者是鉬及鋁的雙層結構。
用於絕緣閘極電極GE的第三絕緣層114可設置於閘極電極GE上。第三絕緣層114可為氧化矽膜(SiOx)、氮化矽膜(SiNx)或其多層結構。
電容器金屬層TM1可設置於第三絕緣層114上。電容器金屬層TM1可面對閘極電極GE且第三絕緣層114位於電容器金屬層TM1與閘極電極GE之間。電容器金屬層TM1可形成儲存電容器。
第四絕緣層115可設置於電容器金屬層TM1上。第四絕緣層115可為氧化矽膜(SiOx)、氮化矽膜(SiNx)或其多層結構。
汲極電極DE及源極電極SE可設置於第四絕緣層115上。源極電極SE可透過接觸孔連接於半導體層122，且汲極電極DE可透過接觸孔連接於半導體層122。
源極電極SE及汲極電極DE可包含單層結構或多層結構。當源極電極SE及汲極電極DE包含單層結構時，源極電極SE及汲極電極DE可由選自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)及銅(Cu)所組成之群組之一者或上述之合金形成。
半導體層122、閘極電極GE、汲極電極DE及源極電極SE可構成驅動電晶體。
第五絕緣層116可設置於源極電極SE及汲極電極DE上。第五絕緣層116可保護設置於顯示區域中的電晶體及驅動電晶體並可降低顯示區域DA的高度差異。第二汲極電極125可設置於第五絕緣層116上，且接著第六絕緣層117可設置於其上。
有機發光二極體127的像素電極126可設置於第六絕緣層117上。像素電極126可透過通孔連接於驅動電晶體(DT)的第二汲極電極125。像素電極126可由透明導體材料製成，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋅(ZnO)，但本發明不限於此。
分隔像素的堤部層118可設置於像素電極126上。堤部層118可由有機材料製成，例如聚醯亞胺、苯并環丁烯系列(benzocyclobutene series)樹脂及丙烯酸酯。共用電極128可設置於堤部層118之上。
圖6為呈現在非顯示區域中的線路的配置方式的圖式。圖7為呈現在非顯示區域中形成於這些線路之間的寄生電容的圖式。圖8為呈現顯示區域的閘極線路延伸至非顯示區域的結構的圖式。圖9為呈現顯示區域的發射線路電性連接於非顯示區域的連接件之結構的圖式。圖10為一像素的驅動訊號的波形示意圖。
請參考圖6，第一發射線路121a可在非顯示區域NDA2中設置於基座基板111上，閘極線路123a可設置於第二絕緣層113上，第一資料線路124a可設置於第四絕緣層115上，第二資料線路125a可設置於第五絕緣層116上。
根據一態樣，可藉由將用於供應掃描訊號的閘極線路123a以及用於供應發射訊號的第一發射線路121a設置於不同的層體，來減小非顯示區域NDA2的尺寸。在此情況下，可藉由將第一資料線路124a、第二資料線路125a、閘極線路123a及第一發射線路121a垂直地重疊，來使非顯示區域NDA2的尺寸最小化。
這種重疊的關係不僅可包含第一資料線路124a、第二資料線路125a、閘極線路123a及第一發射線路121a之完全垂直重疊，亦可包含上述線路之部分重疊。舉例而言，閘極線路123a與第一發射線路121a垂直重疊(在y軸方向上)的寬度S1可大於第一發射線路121a的寬度的50%。當閘極線路123a與第一發射線路121a重疊的寬度S1小於第一發射線路121a的寬度的50%時，寄生電容可能不會顯著地降低且非顯示區域的尺寸可能會增加。於此，寬度可位於垂直於線路的長度方向的方向(x軸方向)中。
第一絕緣層112為主動緩衝層並具有約3000埃(Å)的厚度，第二絕緣層113為閘極絕緣層並具有約1400 Å的厚度。因此，閘極線路123a與第一發射線路121a之間形成有厚度約為4400 Å的絕緣層，因而可減少寄生電容。
根據一態樣，第一發射線路121a可在非顯示區域NDA2中設置於底部。在非顯示區域NDA2中，第一發射線路121a可為離子束屏蔽件的虛擬圖案(dummy pattern)。也就是說，當離子束屏蔽件形成於顯示區域中時，虛擬圖案可形成於非顯示區域NDA2中，且虛擬圖案可電性連接於顯示區域的發射線路。因此，非顯示區域NDA2的第一發射線路121a與顯示區域的離子束屏蔽件可具有相同的材料及厚度。
請參考圖7，當第一發射線路121a設置於設有電容器金屬層的第三絕緣層114之上時，第三絕緣層114的厚度為1400 Å，因此寄生電容PC會相對增加。因此，負載可能會增加，這可能會造成昏暗型(dim-type)的不良像素。
另一方面，請參考圖6，相對厚的絕緣層位於閘極線路123a與第一發射線路121a之間，因此寄生電容可為相對小的。舉例而言，當閘極線路123a與第一發射線路121a之間的絕緣層的厚度約為3000 Å或更大時，可藉由降低寄生電容來減少電阻-電容(resistor-capacitor，RC)延遲。
根據一態樣，可在非顯示區域NDA2中調整第一發射線路121a的位置，而使得閘極線路123a與第一發射線路121a之間的寄生電容最小化。舉例而言，在非顯示區域NDA2中，第一發射線路121a可設置於閘極線路123a與第一發射線路121a之間的寄生電容為最小的層體中。在此情況下，不僅考量到閘極線路123a與第一發射線路121a之間的寄生電容，亦考量到第一發射線路121a與第一資料線路124a及第二資料線路125a之間的寄生電容，第一發射線路121a可設置於最佳位置。
請參考圖8，非顯示區域NDA2的閘極線路123a與顯示區域DA的閘極線路123可設置於相同的層體。另一方面，如圖9所示，非顯示區域NDA2的第一發射線路121a與顯示區域DA的發射線路121可設置於不同的層體。如上所述，顯示區域DA的發射線路121可電性連接於第一發射線路121a，其中第一發射線路121a為離子束屏蔽件的虛擬圖案。因此，非顯示區域NDA2的第一發射線路121a可為連接顯示區域DA的發射線路121的連接件。在一態樣中，因連接件可作為發射線路，故非顯示區域NDA2的連接件與非顯示區域NDA2的第一發射線路可以相同的標號表示。
通孔電極VE可穿過非顯示區域NDA2的第一絕緣層112及第二絕緣層113以將顯示區域DA的發射線路121電性連接於第一發射線路121a。通孔電極VE可由從顯示區域DA延伸至非顯示區域NDA2的發射線路121形成。
然而，本發明不限於此。非顯示區域NDA2的第一發射線路121a與顯示區域DA的發射線路121可設置於相同的層體，而非顯示區域NDA2的閘極線路123a及顯示區域DA的閘極線路123設置於不同的層體。
請參考圖10，在閘極線路123a與第一發射線路121a之間的寄生電容可減少至約三分之一，且可維持閘極線路123a的電阻率。因此，可減少掃描負載，這可允許快速的響應。
另一方面，當寄生電容降低至約三分之一時，第一發射線路121a的電阻率可增加約三倍。因此，相較於習知技術而言，電阻電容延遲可具有相似的位準。然而，由於發射訊號在取樣期間被斷開且具有1H的保持期間HT，故上升時間(Tr)及下降時間(Tf)有足夠的限度(margin)。因此，能正常運作。
圖11為呈現本發明另一態樣之在非顯示區域中的線路的配置方式的示意圖。圖12為呈現顯示區域的閘極線路延伸至非顯示區域之結構的圖式。圖13為呈現顯示區域的發射線路電性連接於非顯示區域的連接件之結構的圖式。
請參考圖11，在非顯示區域NDA2中，第二發射線路126a可設置於第六絕緣層117上，閘極線路123a可設置於第二絕緣層113上，第一資料線路124a可設置於第四絕緣層115上，第二資料線路125a可設置於第五絕緣層116上。
根據本發明一態樣，可藉由將用於供應掃描訊號的閘極線路123a以及用於供應發射訊號的第二發射線路126a設置於不同的層體，來減小邊框區域的尺寸。在此情況下，可藉由將第一資料線路124a、第二資料線路125a、閘極線路123a及第二發射線路126a垂直地重疊，來使非顯示區域NDA2的尺寸最小化。
在此情況下，這種重疊關係不僅可包含第一資料線路124a、第二資料線路125a、閘極線路123a及第二發射線路126a之完全垂直重疊，亦可包含上述電路之部分重疊。
由於閘極線路123a設置於第二絕緣層113上且第二發射線路126a設置於第六絕緣層117上，故寄生電容不會形成於閘極線路123a與第二發射線路126a之間。並且，由於係為厚的且厚度約為2微米的第六絕緣層117設置於第二發射線路126a與第二資料線路125a之間，故寄生電容可為非常小的。
根據一態樣，第二發射線路126a可在非顯示區域NDA2中設置於頂部。在非顯示區域NDA2中，第二發射線路126a可為像素電極的虛擬圖案。也就是說，當像素電極被形成於顯示區域中時，虛擬圖案可形成於非顯示區域NDA2中，且虛擬圖案可電性連接於顯示區域DA的發射線路121。因此，非顯示區域NDA2的第二發射線路126a與顯示區域的像素電極可具有相同的材料及厚度。
請參考圖12，非顯示區域NDA2的閘極線路123a與顯示區域DA的閘極線路123可設置於相同的層體。另一方面，如圖13所示，非顯示區域NDA2的第二發射線路126a與顯示區域DA的發射線路121可設置於不同的層體。如上所述，在顯示區域DA中的發射線路121可電性連接於第二發射線路126a，其中第二發射線路126a為像素電極的虛擬圖案。因此，非顯示區域NDA2的第二發射線路126a可為連接顯示區域DA的發射線路121的連接件。
在非顯示區域NDA2中，通孔電極VE可包含第一通孔電極VE1及第二通孔電極VE2，其中第一通孔電極VE1穿過第三絕緣層114及第四絕緣層115，第二通孔電極VE2透過第五絕緣層116連接於第一通孔電極VE1。然而，本發明不限於此，可有一個通孔電極穿過第三絕緣層114、第四絕緣層115及第五絕緣層116。
然而，本發明不限於此。非顯示區域NDA2的第二發射線路126a與顯示區域DA的發射線路121可設置於相同的層體，而非顯示區域NDA2的閘極線路123a與顯示區域DA的閘極線路123設置於不同的層體並彼此連接。
根據一態樣，可減小圍繞開口區域的邊框區域的尺寸。
並且，可減少在邊框區域中排列的線路之間所產生之寄生電容。因此，可防止昏暗類型的影像品質缺陷。
並且，在設計線路時可增加設計自由度。
並且，因使用虛擬圖案，故可在不進行改變的情況下應用於習知製程。
本發明之各種有利的優點及功效不限於上述描述，且在詳細描述本發明之態樣時將輕易地被理解。
儘管已參考示例性態樣描述本發明，但這些僅為示例且不限制本發明。本領域具有通常知識者應理解在不脫離態樣之必要特徵的情況下可進行各種修改及應用。舉例而言，可修改於上述態樣中詳細描述的元件。此外，與這些修改及應用相關的差異應被解釋為涵蓋於由以下申請專利範圍所界定之本發明的範圍內。
11:時序控制器 12:資料驅動單元 13:閘極驅動單元 100:顯示面板 111:基座基板 112:第一絕緣層 113:第二絕緣層 114:第三絕緣層 115:第四絕緣層 116:第五絕緣層 117:第六絕緣層 118:堤部層 121:發射線路 121a:第一發射線路 122:半導體層 123:閘極線路 123a:閘極線路 124a:第一資料線路 125:第二汲極電極 125a:第二資料線路 126:像素電極 126a:第二發射線路 127:有機發光二極體 128:共用電極 200:觸控面板 300:黑色矩陣 400:窗口 500:影像擷取器模組 SE:源極電極 DE:汲極電極 VE:通孔電極 VE1:第一通孔電極 VE2:第二通孔電極 BSM:離子束屏蔽件 TM1:電容器金屬層 GL:閘極線路 DL:資料線路 A:部分 S1:寬度 PC:寄生電容 H1:開口區域 PXL:像素 DA:顯示區域 NDA1:非顯示區域 NDA2:非顯示區域 EM:發射線路 SD1:資料線路 RGB:數位視訊資料 Hsync:水平同步訊號 Vsync:垂直同步訊號 DCLK:點時脈訊號 DE:資料致能訊號 GDC:閘極控制訊號 DDC:資料控制訊號 Scan(N):掃描訊號 EM(N):發光控制訊號 HT:保持期間
透過參考附圖詳細描述本發明之示例性態樣，本發明上述特徵及優點對於本領域具有通常知識者而言將變得更顯而易見，其中： 圖1為根據本發明一態樣之顯示裝置的概念圖。 圖2為繪示顯示裝置的運作方式的示意圖。 圖3為圖1中部分A的放大示意圖。 圖4為沿圖3中的線A-A’截取的剖面示意圖。 圖5為設置於一像素中的電晶體的剖面示意圖。 圖6為呈現在非顯示區域中的線路的配置方式的圖式。 圖7為呈現在非顯示區域中形成於這些線路之間的寄生電容的圖式。 圖8為呈現顯示區域的閘極線路延伸至非顯示區域的結構的圖式。 圖9為呈現顯示區域的發射線路電性連接於非顯示區域的連接件之結構的圖式。 圖10為一像素的驅動訊號的波形示意圖。 圖11為呈現本發明另一態樣之在非顯示區域中的線路的配置方式的示意圖。 圖12為呈現顯示區域的閘極線路延伸至非顯示區域之結構的圖式。 圖13為呈現顯示區域的發射線路電性連接於非顯示區域的連接件之結構的圖式。
100:顯示面板
200:觸控面板
300:黑色矩陣
400:窗口
500:影像擷取器模組
DA:顯示區域
NDA2:非顯示區域
H1:開口區域
SL:線路

Claims (19)

  1. 一種顯示裝置，包含：一顯示區域，供一開口區域設置；以及一非顯示區域圍繞該開口區域，其中該顯示區域包含多個像素及連接於該些像素的多個線路，其中該非顯示區域包含一連接件，該連接件連接於該顯示區域的該些線路其中至少一者，並且其中該連接件與該顯示區域之該些線路其中該至少一者設置於不同的層體並透過一通孔電極電性連接於該些線路其中該至少一者。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中相較該些線路其中該至少一者而言，該連接件設置於較下方的層體。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中相較該些線路其中該至少一者而言，該連接件設置於較上方的層體。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含設置於該些像素中的一電晶體，其中該電晶體包含：一離子束屏蔽件，設置於一基板上；一半導體圖案，設置於該離子束屏蔽件上；以及一閘極電極，設置於該半導體圖案上，其中該些線路其中該至少一者為一閘極線路或一發射線路，並且其中該連接件與該離子束屏蔽件設置於相同的層體。
  5. 如請求項4所述之顯示裝置，更包含：一第一絕緣層，設置於該離子束屏蔽件與該半導體圖案之間；以及一第二絕緣層，設置於該半導體圖案與該閘極電極之間，其中該通孔電極穿過在該非顯示區域中之該第一絕緣層及該第二絕緣層以將該閘極線路或該發射線路電性連接於該連接件。
  6. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該連接件電性絕緣於該離子束屏蔽件，並且其中該連接件與該離子束屏蔽件具有相同的組成及厚度。
  7. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該顯示區域中之該閘極電極透過該第一絕緣層及該第二絕緣層電性連接於該離子束屏蔽件。
  8. 如請求項1所述之顯示裝置，其中在非顯示區域中之該些線路彼此垂直地重疊。
  9. 如請求項1所述之顯示裝置，其中電性連接於該連接件的該些線路其中該至少一者包含一發射線路。
  10. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含設置於該些像素中的一電晶體，其中該電晶體包含：一離子束屏蔽件，設置於一基板上；一半導體圖案，設置於該離子束屏蔽件上；一閘極電極，設置於該半導體圖案上； 一源極電極及一汲極電極，設置於該閘極電極上；以及一像素電極，設置於該閘極電極上，其中該些線路其中該至少一者為一閘極線路或一發射線路，並且其中該連接件與該像素電極設置於相同的層體。
  11. 如請求項10所述之顯示裝置，其中該通孔電極穿過在該非顯示區域中介於該閘極電極與該像素電極之間的一絕緣層，以將該閘極線路或該發射線路電性連接於該連接件。
  12. 如請求項10所述之顯示裝置，其中該連接件電性絕緣於該像素電極，並且其中該連接件與該像素電極具有相同的組成及厚度。
  13. 一種顯示裝置，包含：一基板，具有設置於一顯示區域中的一開口區域及圍繞該開口區域的一非顯示區域；一閘極線路，延伸通過該顯示區域及該非顯示區域；以及一發射線路，與該非顯示區域中之該閘極線路設置於不同的層體，其中該發射線路設置於該非顯示區域中該發射線路與該閘極線路之間的寄生電容被最小化的位置。
  14. 如請求項13所述之顯示裝置，其中該發射線路設置於該非顯示區域中該發射線路與該閘極線路之間的寄生電容最小的層體中。
  15. 如請求項13所述之顯示裝置，其中該發射線路與該閘極線路在該顯示區域中設置於相同的層體。
  16. 如請求項15所述之顯示裝置，更包含一通孔電極，該通孔電極用以連接在該顯示區域及該非顯示區域中設置於不同的層體之該些發射線路。
  17. 如請求項13所述之顯示裝置，其中該發射線路及該閘極線路在該非顯示區域中彼此重疊的寬度大於或等於該發射線路的寬度的50%。
  18. 如請求項17所述之顯示裝置，更包含一絕緣層，該絕緣層設置於該非顯示區域中該發射線路及該閘極線路之間。
  19. 如請求項17所述之顯示裝置，其中該絕緣層的厚度為3000埃(Å)或更大。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200929140A (en) * 2007-11-28 2009-07-01 Sony Corp Display apparatus and fabrication method and fabrication apparatus for the same
TWI486744B (zh) * 2011-01-31 2015-06-01 Apple Inc 手持型可攜式裝置
TW201605038A (zh) * 2014-07-25 2016-02-01 三星顯示器有限公司 顯示模組、顯示裝置及製造顯示模組的方法
TW201621491A (zh) * 2014-09-11 2016-06-16 三星電子股份有限公司 穿戴式裝置
TW201735756A (zh) * 2016-02-26 2017-10-01 基礎產品股份有限公司 顯示器蓋的安裝
TWI630539B (zh) * 2013-01-16 2018-07-21 三星電子股份有限公司 行動裝置及顯示資訊的方法
TW201834234A (zh) * 2016-12-30 2018-09-16 南韓商三星顯示器有限公司 導電圖樣及具有其之顯示裝置
TWI646520B (zh) * 2016-12-29 2019-01-01 南韓商樂金顯示科技股份有限公司 透明顯示裝置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101695317B1 (ko) * 2010-05-18 2017-01-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
KR102490891B1 (ko) * 2015-12-04 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102450856B1 (ko) * 2015-12-30 2022-10-05 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치
KR102471130B1 (ko) * 2016-02-17 2022-11-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN107561799B (zh) * 2017-08-25 2021-07-20 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
KR102476468B1 (ko) * 2017-12-13 2022-12-12 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린을 구비하는 표시장치
KR102649144B1 (ko) * 2018-06-25 2024-03-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102598230B1 (ko) * 2018-08-13 2023-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102631254B1 (ko) * 2018-09-21 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR102643634B1 (ko) * 2018-12-04 2024-03-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN109728005B (zh) * 2019-02-13 2021-05-11 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板以及显示装置
KR20200145953A (ko) * 2019-06-21 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200929140A (en) * 2007-11-28 2009-07-01 Sony Corp Display apparatus and fabrication method and fabrication apparatus for the same
TWI486744B (zh) * 2011-01-31 2015-06-01 Apple Inc 手持型可攜式裝置
TWI630539B (zh) * 2013-01-16 2018-07-21 三星電子股份有限公司 行動裝置及顯示資訊的方法
TW201605038A (zh) * 2014-07-25 2016-02-01 三星顯示器有限公司 顯示模組、顯示裝置及製造顯示模組的方法
TWI673861B (zh) * 2014-07-25 2019-10-01 南韓商三星顯示器有限公司 顯示模組、顯示裝置及製造顯示模組的方法
TW201621491A (zh) * 2014-09-11 2016-06-16 三星電子股份有限公司 穿戴式裝置
TW201735756A (zh) * 2016-02-26 2017-10-01 基礎產品股份有限公司 顯示器蓋的安裝
TWI646520B (zh) * 2016-12-29 2019-01-01 南韓商樂金顯示科技股份有限公司 透明顯示裝置
TW201834234A (zh) * 2016-12-30 2018-09-16 南韓商三星顯示器有限公司 導電圖樣及具有其之顯示裝置

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