TWI673724B - 石墨－銅複合電極材料及使用該材料之放電加工用電極 - Google Patents

石墨－銅複合電極材料及使用該材料之放電加工用電極 Download PDF

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Abstract

目的在提供可使電極消耗減低至實用等級的石墨-銅複合電極材料及使用該材料之放電加工用電極。一種石墨-銅複合電極材料，其係在由石墨材料所成之基材的氣孔中含浸有銅的石墨-銅複合電極材料，電阻率為2.5μΩm以下，以1.5μΩm以下為佳，尤其以1.0μΩm以下為佳。由上述石墨材料所成之基材的異向性比以1.2以下為宜，電極材料中的銅的含浸率φ以13%以上為宜，由上述石墨材料所成之基材的容積密度以1.40Mg/m3以上、1.85Mg/m3以下為宜。

Description

石墨-銅複合電極材料及使用該材料之放電加工用電極
本發明係關於石墨-銅複合電極材料及使用該材料之放電加工用電極。
自以往以來，使用銅、屬於碳材料的石墨、鎢-銅、鎢-銀、石墨-銅等材料等作為放電加工用電極材料。尤其，在超硬合金等高熔點的難削材料的放電加工，係在該等之中亦使用鎢-銅、鎢-銀、石墨-銅材料。
該等材料係分別具有作為放電加工用材料的特徵，但是銅的熔點低，並不適於作為高熔點的超硬合金材料的放電加工用材料。鎢-銅及鎢-銀材料係其本身的熔點高，可以低消耗進行高熔點且屬於難削材料的超硬合金材料等的放電加工。但是，具有缺乏加工成電極形狀的機械加工性，而且，與石墨系材料相比，材料費或製造費用極為昂貴的課題。與鎢-銅或鎢-銀材料相比，石墨單體及石墨-銅材料較為廉價，機械加工性亦較為優異。但是，具有電極消耗多的課題。
在此，揭示一種在改善鎢-銅系電極的機械加 工性的目的下，藉由金屬滲透法，在鎢粉末中滲透銅來製造放電電極的方法(下述專利文獻1)。但是，在該製造方法中，在其製法上，由於難以改變銅與鎢的比率，因此無法解決上述由鎢-銅所成之材料的課題。
此外，已揭示一種藉由燒結法來製造銅-鎢合金的方法(下述專利文獻2)。但是，在該製造方法中，係具有若電極尺寸大，難以獲得均一組成的材料，而且用以改善成形性的助劑的添加反而會有損及放電特性的情形的課題。
另一方面，以電極消耗在石墨-銅材料變多的要因而言，若使用該材料作為電極時，熱容易封入，被認為因容易發生電弧而起。因此，以改善該情形的方法而言，揭示一種使含矽的鋁熔融含浸在石墨材料的方法(下述專利文獻3)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平7-9264號公報
[專利文獻2]日本特開平8-199280號公報
[專利文獻3]日本特開2004-209610號公報
但是，即使為上述專利文獻3所示之放電加工用電極材料，亦具有無法使電極消耗減低至實用等級的課題。
因此，本發明之目的在提供可使電極消耗減低至實用等級的石墨-銅複合電極材料及使用該材料之放電加工用電極。
為達成上述目的，本發明係一種石墨-銅複合電極材料，其係在由石墨材料所成之基材的氣孔中含浸有銅的石墨-銅複合電極材料，其特徵為：電阻率為2.5μΩm以下。
藉由本發明，達成可使電極消耗減低至實用等級的優異效果。
圖1係顯示材料A1~A7中的基材的開氣孔率與銅含浸率的關係的圖表。
圖2係顯示材料A1~A7中的銅含浸率與電阻率的關係的圖表。
圖3係顯示材料A1~A7中的電阻率與電極消耗率的 關係的圖表。
圖4係顯示材料A1~A7中的變數x與加工速度及電極消耗率的關係的圖表。
圖5係材料A1之藉由光學顯微鏡所得的剖面照片。
圖6係顯示材料A1~A5、A8、A9、Z1及Z2中的基材的開氣孔率與銅含浸率的關係的圖表。
圖7係顯示材料A1~A5、A8、A9、Z1及Z2中的銅含浸率與電阻率的關係的圖表。
圖8係顯示材料A1~A5、A8、A9、Z1及Z2中的電阻率與電極消耗率的關係的圖表。
圖9係顯示材料A1~A5、A8、A9、Z1及Z2中的變數x與加工速度及電極消耗率的關係的圖表。
本發明人等針對與銅-鎢或銀-鎢材料相比為較廉價的石墨-銅材料，以實用等級解決上述習知技術的問題點，為了獲得緻密且輕量、且以電極消耗性可承受實用的等級受到抑制的銅含浸石墨材料，精心研究的結果，發現若在屬於均質且具有適度氣孔率的高溫材料的石墨材料含浸銅，電極的電阻率成為2.5μΩm以下(以1.5μΩm以下為佳，以1.0μΩm以下為較佳)，藉此，可飛躍性地減低電極消耗，以致完成本發明。
亦即，本發明係一種石墨-銅複合電極材料，其係在由石墨材料所成之基材的氣孔中含浸有銅的石墨- 銅複合電極材料，其特徵為：電阻率為2.5μΩm以下。
若使用電阻率為2.5μΩm以下的石墨-銅複合電極材料，在超硬的放電加工中，石墨-銅複合電極的電極消耗率會減低。此外，與使用鎢-銅、或鎢-銀作為電極的情形相比，可輕易加工成電極形狀，並且可低成本製作電極。
上述電阻率以1.5μΩm以下為宜，尤其上述電阻率以1.0μΩm以下為宜。
若為如上所示之構成，上述作用效果更加發揮。
由上述石墨材料所成之基材的異向性比以1.2以下為宜。
異向性比為1.2以下的等向性高的石墨材料(以下有時稱為等向性石墨材料)由於因切出方向所致之特性差小，因此設計容易且容易使用，而且機械加工性優異，因此容易精密加工。若考慮到如上所示之情形，異向性比以1.1以下為更佳。
其中，異向性比為1.2以下意指石墨材料中以任意形成直角的方向所測定的電阻率的比的平均值為1.2以下。
此外，以等向性石墨材料而言，通常係由在焦炭等骨材添加瀝青等黏合劑加以混練後，施行冷均壓成型，視燒成、石墨化所需，經由瀝青含浸、再燒成、樹脂含浸、高純度化等工程之實質上僅由碳所成之材料或以碳為主成分的材料所成，包含包括瀝青含浸品、樹脂含浸品等含浸品的所謂石墨化品等等向性石墨材料。
由下述(1)式求出的電極材料中的銅的含浸 率φ以13%以上為宜。
φ=[(dB-dB,s)/ρcu]×100．．．(1)
在(1)式中，dB為電極的容積密度、dB,s為由石墨材料所成之基材的容積密度、ρCu為銅的比重(ρCu=8.96Mg/m3)。
若銅的含浸率φ變大，電極電阻值會變低。接著，在電極電阻值與電極消耗率之間係有若電極電阻值變低，則電極消耗率亦變低的關係。因此，若銅的含浸率φ為13%以上，由於電極電阻值變低，因此電極消耗率會飛躍性減低。若考慮到如上所示之情形，電極材料中的銅的含浸率φ以15%以上為更佳。
由下述(2)式求出的變數x為7.5以下，尤其以6.5以下為宜。
x=(dB×φ×ρ/σB)×10．．．(2)
在(2)式中，dB為電極的容積密度(Mg/m3)、φ為銅的含浸率(%)、ρ為電阻率(μΩm)、σB為彎曲強度(MPa)。
在放電加工電極中，係被要求低電極消耗率、且高加工速度。本發明人等發現各個要求品質有不少因相反的特性而被呈現的情形，但是藉由將由特性值求出的變數x停留在較小的值，可使其發揮取得均衡的性能。若考慮到如上所示之情形，變數x的值係以5.0以下為更佳。
由上述石墨材料所成之基材的容積密度係以1.40Mg/m3以上、1.85Mg/m3以下為宜。
若由石墨材料所成之基材的容積密度未達1.40Mg/m3，會有基材強度降低的情形，另一方面，若該容積密度超過1.85Mg/m3，基材的開氣孔率會變小，因此銅的含浸率會降低之故。若考慮到如上所示之情形，由石墨材料所成之基材的容積密度以1.60Mg/m3以上、1.80Mg/m3以下為更佳。
由上述石墨材料所成之基材的開氣孔率以14vol%以上為宜。
若基材的開氣孔率未達14vol%，銅難以被含浸，因此會有電阻率降低不充分，或電極消耗率變高的情形。
由上述石墨材料所成之基材的電阻率以8.9μΩm以上、19.5μΩm以下為宜。
若基材的電阻率未達8.9μΩm，石墨化高度進行，石墨基材本身的強度會降低，因此會有放電加工時的電極消耗率變高之虞。另一方面，若基材的電阻率超過19.5μΩm，石墨化低度進行，石墨基材本身強度會變得過高，會有因切削等機械加工所為之電極形成變難之虞。
基材的電阻率係以10.0μΩm以上為較佳，以11.0μΩm以上為更佳。
較佳為使用熱均壓法(HIP法)，進行上述銅的含浸。
若為該方法，由於壓力均等施加至等向性石墨材料基材的各面，因此在銅的含浸中，可抑制等向性石墨材料基材發生變形的情形之故。
但是，銅的含浸並非限定為熱均壓法，亦可為熱鍛鑄造法等。
一種放電加工用電極，其係將以碳化鎢為主成分的超硬合金，藉由放電加工施行雕模加工時所使用的放電加工用電極，其特徵為由上述石墨-銅複合電極材料所成。
(其他事項)
(1)在進行藉由HIP法所為之銅含浸時，亦可在不損及特性的範圍內，添加改善石墨與銅的界面的潤濕性的含浸助劑。以該等助劑而言，係可例示鈦、鋯、鈧、釔、鑭、鉿及該等之化合物。但是，含浸助劑的種類並非限定於該等。
此時，含浸助劑的量以位於0.5~10重量%為佳。若未達0.5重量%，會有無法充分獲得潤濕性改善的情形，若超過10重量%，會有含浸後的殘留銅合金與銅含浸石墨材難以分離的情形之故。
(2)銅含浸係使用例如耐壓容器，分別將銅合金放入碳製等陶瓷容器(坩堝)、將等向性石墨材放入碳製等陶瓷容器(陶盆(sagger))，將該等坩堝、陶盆裝入至耐壓容器，接著，將容器內提高至比含浸銅合金的熔點更高的溫度來進行加壓含浸。加壓力為數MPa至150MPa左右，含浸時間為1~60分鐘左右，以30~60分鐘左右為佳。
其中，以在本發明中所使用的銅合金的組成而言，亦可在不會對放電加工特性造成影響的範圍內，含有不可避免的雜質。
(3)若放電加工用電極的銅含浸率高，銅由於導電性高，因此放電加工用電極的電阻率會變低，並且由於銅為高密度，因此放電加工用電極的容積密度會變高。因此，為了降低放電加工用電極中的電阻率，必須以一定程度提高銅含浸率。若考慮到如上所示之情形，放電加工用電極的容積密度的下限為2.5Mg/m3以上，尤其以3.0Mg/m3以上為宜。此外，若放電加工用電極的銅含浸率高，放電加工用電極的容積密度會變高，但是若容積密度變得過高，會有對其他特性造成不良影響之虞。此外，在對石墨材料的氣孔的銅含浸係有限度。若考慮到如上所示之情形，放電加工用電極的容積密度的上限為4.5Mg/m3以下，尤其以4.0Mg/m3以下為宜。
關於銅含浸率，亦基於與上述相同的理由，下限以12.5%以上為宜，尤其以15%以上為宜，上限以35%以下為宜，尤其以30%以下為宜。
一般而言，放電加工用電極的電阻率愈低愈好，但是若太過於接近零，會有對其他特性造成不良影響的情形，因此關於下限，以0.01μΩm以上、尤其0.1μΩm以上為宜。此外，關於彎曲強度，由於愈高，放電時的電極損耗愈被抑制，因此以40MPa以上、尤其60MPa以上為宜。但是，若彎曲強度太高，會有影響其他特性的情 形，因此以220MPa以下、尤其200MPa以下為宜。
[實施例]
以下詳述本發明之實施例，惟本發明並非為受到該等實施例限定者。
(實施例1)
將緻密質的等向性石墨材(東洋炭素股份有限公司製，容積密度1.66Mg/m3、開氣孔率23.8%、電阻率11.1μΩm、異向性比1.02)收容在耐壓容器，將以1070℃熔融後的銅，以N2氣體，以15MPa的壓力加壓含浸1小時，製作銅含浸石墨材料。
如上所示所製作的銅含浸石墨材料在以下稱為材料A1。
其中，以下有將上述銅含浸石墨材料加工成放電加工用電極者稱為電極A1的情形。此在下述實施例2~實施例9、比較例1、比較例2中亦同(例如，若為實施例2的放電加工用電極，即成為電極A2)。
(實施例2)
除了使用容積密度1.66Mg/m3、開氣孔率23.5%、電阻率14.0μΩm、異向性比1.03者作為等向性石墨材之外，與上述實施例1同樣地製作銅含浸石墨材料。
如上所示所製作的銅含浸石墨材料在以下稱為材料 A2。
(實施例3)
除了使用容積密度1.79Mg/m3、開氣孔率16.7%、電阻率12.6μΩm、異向性比1.05者作為等向性石墨材之外，與上述實施例1同樣地製作銅含浸石墨材料。
如上所示所製作的銅含浸石墨材料在以下稱為材料A3。
(實施例4)
除了使用容積密度1.77Mg/m3、開氣孔率16.7%、電阻率18.9μΩm、異向性比1.06者作為等向性石墨材之外，與上述實施例1同樣地製作銅含浸石墨材料。
如上所示所製作的銅含浸石墨材料在以下稱為材料A4。
(實施例5)
除了使用容積密度1.78Mg/m3、開氣孔率15.2%、電阻率19.1μΩm、異向性比1.03者作為等向性石墨材之外，與上述實施例1同樣地製作銅含浸石墨材料。
如上所示所製作的銅含浸石墨材料在以下稱為材料A5。
(實施例6)
除了使用容積密度1.81Mg/m3、開氣孔率14.2%、電阻率8.9μΩm、異向性比1.03者作為等向性石墨材之外，與上述實施例1同樣地製作銅含浸石墨材料。
如上所示所製作的銅含浸石墨材料在以下稱為材料A6。
(實施例7)
除了使用容積密度1.80Mg/m3、開氣孔率14.8%、電阻率15.2μΩm、異向性比1.06者作為等向性石墨材之外，與上述實施例1同樣地製作銅含浸石墨材料。
如上所示所製作的銅含浸石墨材料在以下稱為材料A7。
(實施例8)
除了使用容積密度1.78Mg/m3、開氣孔率15.0%、電阻率15.9μΩm、異向性比1.05者作為等向性石墨材之外，與上述實施例1同樣地製作銅含浸石墨材料。
如上所示所製作的銅含浸石墨材料在以下稱為材料A8。
(實施例9)
除了使用容積密度1.78Mg/m3、開氣孔率16.1%、電阻率14.4μΩm、異向性比1.04者作為等向性石墨材之外，與上述實施例1同樣地製作銅含浸石墨材料。
如上所示所製作的銅含浸石墨材料在以下稱為材料A9。
(比較例1)
除了使用容積密度1.88Mg/m3、開氣孔率10.7%、電阻率8.7μΩm、異向性比1.03者作為等向性石墨材之外，與上述實施例1同樣地製作銅含浸石墨材料。
如上所示所製作的銅含浸石墨材料在以下稱為材料Z1。
(比較例2)
除了使用容積密度1.92Mg/m3、開氣孔率13.4%、電阻率20.0μΩm、異向性比1.06者作為等向性石墨材之外，與上述實施例1同樣地製作銅含浸石墨材料。
如上所示所製作的銅含浸石墨材料在以下稱為材料Z2。
(實驗1)
以如下所示之方法，調查上述材料(電極)A1~A7中的電阻率、銅含浸率、及電極消耗率(長度電極消耗率)，因此將其結果顯示於表1。此外，將材料A1~A7中的基材的開氣孔率與銅含浸率的關係顯示於圖1，材料A1~A7中的銅含浸率與電阻率的關係顯示於圖2，及材料A1~A7中的電阻率與電極消耗率的關係顯示於圖3。
[電阻率的測定]
以直流四端子法測定各材料的電阻率。
[銅含浸率的算出]
調查電極的容積密度(銅含浸後的容積密度)dB、及由石墨材料所成之基材的容積密度dB,s，將該等值代入(1)式，藉此算出銅含浸率。其中，ρCu為銅的比重(ρCu=8.96Mg/m3)。
φ=[(dB-dB,s)/ρCu]×100．．．(1)
[電極消耗率的算出]
使用由各材料所成之電極，以下述條件對超硬合金材料(富士模具股份有限公司製Fujilloy D40)進行放電加工，測定電極消耗長度，將該等值代入下述(3)式來算出電極消耗率。
‧加工面積10×4mm2
‧電極的支持治具朝向加工深度方向的進行距離2mm
‧使用機種：(股)Sodick公司製AQ35L
‧極性：正極性
‧電流峰值：28(A)
‧ON時間：5(μsec)
‧OFF時間：10(μsec)
電極消耗率=(電極消耗長度[mm]/加工深度[mm])×100...(3)
由表1及圖1可知，發現基材的開氣孔率愈高，銅含浸率愈高。此外，由表1及圖2可知，發現銅含浸率愈高，電阻率愈低。此外，由表1及圖3可知，發現電阻率愈低，電極消耗率愈低。
(實驗2)
接著，以與上述實驗1中以〔電極消耗率的算出〕所示條件為相同的條件，使用材料(電極)A1~A7，進行上述超硬合金材料的加工，測定各材料的加工速度。其中，上述加工速度係指將超硬合金材料加工1分鐘時的加工深度。
此外，以材料(電極)A1~A7中的銅含浸後的特性而言，除了上述實驗1中所示之電阻率、銅含浸率之外，調查電極(銅含浸後)的容積密度與彎曲強度。接著，由電極的容積密度、銅含浸率、電阻率、及彎曲強度，使用下述(2)式，求出材料(電極)A1~A7中的變數x。
x=(dB×φ×ρ/σB)×10．．．(2)
在(2)式中，dB為電極的容積密度(Mg/m3)、φ為銅的含浸率(%)、ρ為電阻率(μΩm)、σB為彎曲強度(MPa)。
上述彎曲強度係在室溫下使用英斯特朗型(Instron type)材料試驗機，以3點彎曲試驗方法進行測定。
其中，將各特性值顯示在表2，此外，將材料A1~ A7中的變數x與加工速度及電極消耗率的關係顯示在圖4。
由表2及圖4可知，材料(電極)A1~A7由於變數x為7.5以下，因此在電極消耗率及加工速度之雙方，發揮優異的性能。
此外，針對材料A1，對藉由光學顯微鏡所得之剖面照片進行攝影，因此顯示於圖5。在圖5中，白色部為銅、灰色部為石墨、黑色部為空隙。如圖5所示，可知銅均一含浸存在於石墨中。
(實驗3)
以與實驗1相同的方法，調查上述材料(電極)A1~A5、A8、A9、Z1及Z2中的電阻率、銅含浸率、及電極消耗率(長度電極消耗率)，因此將其結果顯示於表3。但是，僅將放電加工的條件如下所示進行變更(其中，與實驗1不同的是電流峰值、ON時間、及OFF時間)。此外，將材料A1~A5、A8、A9、Z1及Z2中的基材的開氣孔率與銅含浸率的關係顯示於圖6，將材料A1~A5、A8、A9、Z1及Z2中的銅含浸率與電阻率的關係顯示於圖7，並將材料A1~A5、A8、A9、Z1及Z2中的電阻率與電極消耗率的關係顯示於圖8。
‧加工面積10×4mm2
‧電極的支持治具朝向加工深度方向的進行距離2mm
‧使用機種：(股)Sodick公司製AQ35L
‧極性：正極性
‧電流峰值：60(A)
‧ON時間：30(μsec)
‧OFF時間：100(μsec)
由表3及圖6可知，在基材的開氣孔率愈高，銅含浸率愈高，且基材的開氣孔率比材料Z1、Z2為更高的材料A1~A5、A8、A9中，發現銅含浸率比材料Z1、Z2為更高。此外，由表3及圖7可知，在銅含浸率愈高，電阻率愈低，且銅含浸率比材料Z1、Z2為更高的材料A1~A5、A8、A9中，發現電阻率比材料Z1、Z2為更低。此外，由表3及圖8可知，在電阻率愈低，電極消耗率愈低，且電阻率比材料Z1、Z2為更低的材料A1~A5、A8、A9中，發現電極消耗率比材料Z1、Z2為更低。
(實驗4)
接著，以與上述實驗3中以〔電極消耗率的算出〕所示條件為相同的條件，使用材料(電極)A1~A5、A8、A9、Z1及Z2，進行上述超硬合金材料的加工，測定各材料的加工速度。其中，上述加工速度係指將超硬合金材料加工1分鐘時的加工深度。
此外，以材料(電極)A1~A5、A8、A9、Z1及Z2中的銅含浸後的特性而言，除了在上述實驗3中所示之電阻率、銅含浸率之外，調查電極(銅含浸後)的容積密度與彎曲強度。接著，由電極的容積密度、銅含浸率、電阻率、及彎曲強度，使用下述(2)式，求出材料(電極)A1~A5、A8、A9、Z1及Z2中的變數x。
x=(dB×φ×ρ/σB)×10．．．(2)
在(2)式中，dB為電極的容積密度(Mg/m3)、φ為銅的含浸率(%)、ρ為電阻率(μΩm)、σB為彎曲強度(MPa)。
上述彎曲強度係在室溫下使用英斯特朗型材料試驗機，以3點彎曲試驗方法進行測定。
其中，將各特性值顯示於表4，此外，將材料A1~A5、A8、A9、Z1及Z2中的變數x與加工速度及電極消耗率的關係顯示於圖9。
由表4及圖9可知，材料(電極)A1~A5、A8、A9由於變數x為6.5以下，因此在電極消耗率及加工速度之雙方，尤其發揮優異的性能。
[產業上可利用性]
本發明係可作為藉由放電加工施行雕模加工時的電極來使用。

Claims (12)

  1. 一種石墨-銅複合電極材料，其係在由石墨材料所成之基材的氣孔中含浸有銅的石墨-銅複合電極材料，其特徵為：電阻率為2.5μΩm以下，由下述(1)式求出的電極材料中的銅的含浸率φ為15%以上：φ=[(dB-dB,s)/ρCu]×100‧‧‧(1)在(1)式中，dB為電極的容積密度、dB，s為由石墨材料所成之基材的容積密度、ρCu為銅的比重(ρCu=8.96Mg/m3)。
  2. 如申請專利範圍第1項之石墨-銅複合電極材料，其中，上述電阻率為1.5μΩm以下。
  3. 一種石墨-銅複合電極材料，其係在由石墨材料所成之基材的氣孔中含浸有銅的石墨-銅複合電極材料，其特徵為：電阻率為1.0μΩm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之石墨-銅複合電極材料，其中，由上述石墨材料所成之基材的異向性比為1.2以下。
  5. 如申請專利範圍第3項之石墨-銅複合電極材料，其中，由下述(1)式求出的電極材料中的銅的含浸率φ為15%以上：φ=[(dB-dB,s)/ρCu]×100‧‧‧(1) 在(1)式中，dB為電極的容積密度、dB，s為由石墨材料所成之基材的容積密度、ρCu為銅的比重(ρCu=8.96Mg/m3)。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項及第5項中任一項之石墨-銅複合電極材料，其中，由下述(2)式求出的變數x為7.5以下：x=(dB×φ×ρ/σB)×10‧‧‧(2)在(2)式中，dB為電極的容積密度(Mg/m3)、φ為銅的含浸率(%)、ρ為電阻率(μΩm)、σB為彎曲強度(MPa)。
  7. 如申請專利範圍第6項之石墨-銅複合電極材料，其中，由上述(2)式求出的變數x為6.5以下。
  8. 如申請專利範圍第1項至第3項及第5項中任一項之石墨-銅複合電極材料，其中，由上述石墨材料所成之基材的容積密度為1.40Mg/m3以上、1.85Mg/m3以下。
  9. 如申請專利範圍第1項至第3項及第5項中任一項之石墨-銅複合電極材料，其中，由上述石墨材料所成之基材的開氣孔率為14vol%以上。
  10. 如申請專利範圍第1項至第3項及第5項中任一項之石墨-銅複合電極材料，其中，由上述石墨材料所成之基材的電阻率為8.9μΩm以上、19.5μΩm以下。
  11. 如申請專利範圍第1項至第3項及第5項中任一項之石墨-銅複合電極材料，其中，使用熱均壓法(HIP法)，進行上述銅的含浸。
  12. 一種放電加工用電極，其係將以碳化鎢為主成分的超硬合金，藉由放電加工施行雕模加工時所使用的放電加工用電極，其特徵為：由如申請專利範圍第1項至第3項及第5項中任一項之石墨-銅複合電極材料所成。
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