TWI673387B - 減少晶圓邊緣處之背側沉積 - Google Patents

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萊恩 布拉基埃
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Abstract

提供在晶圓上沉積膜的製程腔室，包含一基座、一載送環，其中該基座具有：一中心頂部表面，其具有用以將晶圓支撐於該中心頂部表面之上之支撐位準的複數晶圓支撐件、一環形表面，其係處於自該中心頂部表面起的低一階處；該載送環係配置成受載送環支撐件支撐，使得載送環的底部表面係在該環形表面之上的第一垂直間隔處，該載送環具有相對於頂部表面而界定的階梯式降低表面。其中當載送環被設置於該載送環支撐件上時，該載送環的該階梯式降低表面則係定位於一處理位準，該處理位準係在自該基座之該頂部表面之上的該支撐位準起的第二垂直間隔處。

Description

減少晶圓邊緣處之背側沉積
本實施例相關於半導體晶圓處理設備工具，且尤其關於用於腔室中的載送環，腔室係用以處理及輸送晶圓。
在原子層沉積中（ALD，atomic layer deposition），膜係藉由連續的給劑及活化步驟而逐層沉積。ALD係用以在高縱橫比結構上產生保形膜。ALD的缺點之一係難以避免晶圓背側上的膜沉積，這是因為膜可透過進入晶圓背側的任何間隙而沉積。背側沉積在間隔件應用中係多餘的，因為其在作為完整流程之部分的光微影步驟期間導致對準/聚焦的問題。
背側上的膜係藉由給劑步驟期間前驅物種輸送至背側、以及活化步驟期間所輸送之自由基物種與前驅物的反應而產生。在基本的製程中，已觀察到與邊緣處前側膜一樣厚、且從邊緣處向內延伸至大於5mm的膜環。
本發明之實施例呈現於以下內容中。
本揭露內容的實施例提供在ALD處理期間減少背側沉積的系統、設備、及方法。
在ALD製程腔室中，晶圓受支撐於基座組件上，該基座組件亦利用用於晶圓定位的載送環而固定在腔室中。在如此配置中，兩個至晶圓背側的主要輸送路徑係可用的：晶圓與載送環之間的間隙、及載送環與基座之間的間隙。本發明的實施例提供在低溫ALD製程中減少晶圓邊緣處之背側沉積的新穎的方法。提供經修正的基座及載送環設計，該設計對前驅物或自由基物種至晶圓背側的輸送路徑加以限制，從而使自邊緣起3mm處背側上膜的形成大幅減少至小於50埃。本發明實施例藉由使用基座及載送環的組合而減少晶圓邊緣處的背側沉積，該組合降低兩主要間隙：晶圓至載送環（例如，從14密耳至例如6.5密耳）、及載送環至基座（例如，從6密耳至例如2密耳）。
在一實施例中，提供在晶圓上沉積膜的製程腔室，包含一基座、一載送環。其中該基座係用以承接晶圓，該基座具有：一中心頂部表面，其自基座之中心軸延伸至頂部表面直徑，該中心頂部表面具有界定於中心頂部表面上的複數晶圓支撐件，該晶圓支撐件係用以將晶圓支撐於該中心頂部表面之上的支撐位準處；一環形表面，其自頂部表面直徑延伸至該環形表面的外直徑，該環形表面係處於自該中心頂部表面起的低一階處；複數的載送環支撐件係定位於該環形表面的外直徑處。其中該載送環具有環形主體，該環形主體具有一底部表面及一頂部表面，該載送環之該環形主體的該底部表面係配置成受載送環支撐件支撐，使得該環形主體的該底部表面係處於該環形表面之上的第一垂直間隔處，該載送環具有一內直徑、以及接近該內直徑而界定的一階梯式降低表面，該階梯式降低表面係相對於自該階梯式降低表面延伸至該環形主體之外直徑的該頂部表面而言。其中，當使載送環設置於該載送環支撐件上時，該載送環的該階梯式降低表面則係定位於自該基座之該頂部表面之上的該支撐位準起第二垂直間隔處的處理位準；其中，該第一垂直間隔在該載送環的底部表面、與該環形表面之間界定出下間隙，且該第二垂直間隔在該載送環的該階梯式降低表面、與受支撐於基座上複數晶圓支撐件上的晶圓之間界定出上間隙，上間隙係小於約0.15mm；其中，在晶圓出現於該製程腔室中，並且受支撐於晶圓支撐件上時，該晶圓的邊緣係配置成懸出該頂部表面直徑，使得晶圓的邊緣懸出並停駐於該載送環之該階梯式降低表面之上。
在一實施例中，下間隙係小於約0.15mm。
在一實施例中，下間隙係約0.1mm或更小。
在一實施例中，上間隙係約0.1mm或更小。
在一實施例中，每一載送環支撐件係高度可調的，以在環形表面之上界定出第一垂直間隔，當該載送環受載送環支撐件支撐時，該載送環的底部表面係定位於該第一垂直間隔處。
在一實施例中，載送環支撐件其中至少一者包含一或更多間隔件，用以調整載送環支撐件其中至少一者的高度。
在一實施例中，複數的載送環支撐件定義為對稱地定位於該環形表面之外直徑處的至少三個載送環支撐件。
在一實施例中，下間隙及上間隙限制製程氣體在沉積製程期間進入至晶圓的背側，下間隙及上間隙將晶圓邊緣區域處之晶圓背側上的沉積限制於少於約邊緣區域處晶圓前側上沉積的20%，邊緣區域係界定為自晶圓邊緣起約3mm。
在一實施例中，沉積製程係原子層沉積（ALD）製程。
在一實施例中，載送環係在晶圓往返基座的輸送期間用以支撐晶圓。
在一實施例中，該載送環包含界定於該載送環之階梯式降低表面上的複數載送環晶圓支撐件，該載送環晶圓支撐件係配置成在該晶圓於輸送期間受該載送環支撐時，接合該晶圓。
在另一實施例中，提供在晶圓上沉積膜的製程腔室，包含一基座、一載送環。其中該基座係用以承接晶圓，該基座具有：一中心頂部表面，其自基座之中心軸延伸至頂部表面直徑，該中心頂部表面具有界定於中心頂部表面上的複數晶圓支撐件，該晶圓支撐件係用以將晶圓支撐於該中心頂部表面之上的支撐位準處；一環形表面，其自頂部表面直徑延伸至該環形表面的外直徑，該環形表面係處於自該中心頂部表面起的低一階處；複數的載送環支撐件係定位於該環形表面的外直徑處。其中該載送環具有環形主體，該環形主體具有一底部表面及一頂部表面，該載送環之該環形主體的該底部表面係配置成受載送環支撐件支撐，使得該環形主體的該底部表面係處於該環形表面之上的第一垂直間隔處，該載送環具有一內直徑、以及接近該內直徑而界定的一階梯式降低表面，該階梯式降低表面係相對於自該階梯式降低表面延伸至該環形主體之外直徑的該頂部表面而言。其中，當使載送環設置於該載送環支撐件上時，該載送環的該階梯式降低表面則係定位於自該基座之該頂部表面之上的該支撐位準起第二垂直間隔處的處理位準；其中，該第一垂直間隔在該載送環的底部表面、與該環形表面之間界定出下間隙，該下間隙係小於約0.15mm，且該第二垂直間隔在該載送環的該階梯式降低表面、與受支撐於基座上複數晶圓支撐件上的晶圓之間界定出上間隙，上間隙係小於約0.15mm；其中，在晶圓出現於該製程腔室中，並且受支撐於晶圓支撐件上時，該晶圓的邊緣係配置成懸出該頂部表面直徑，使得晶圓的邊緣懸出並停駐於該載送環之該階梯式降低表面之上；其中，下間隙及上間隙限制製程氣體在沉積製程期間進入至晶圓的背側，下間隙及上間隙將晶圓邊緣區域處之晶圓背側上的沉積限制於少於約邊緣區域處晶圓前側上沉積的20%，邊緣區域係界定為自晶圓邊緣起約3mm。
在另一實施例中，下間隙係約0.1mm或更小；上間隙係約0.1mm或更小。
在一實施例中，每一載送環支撐件係高度可調的，以在環形表面之上界定出第一垂直間隔，當該載送環受載送環支撐件支撐時，該載送環的底部表面係定位於該第一垂直間隔處。
在一實施例中，載送環支撐件其中至少一者包含一或更多間隔件，用以調整載送環支撐件其中至少一者的高度。
在一實施例中，複數的載送環支撐件定義為對稱地定位於該環形表面之外直徑處的至少三個載送環支撐件。
在一實施例中，載送環係在晶圓往返基座的輸送期間用以支撐晶圓；該載送環包含界定於該載送環之階梯式降低表面上的複數載送環晶圓支撐件，該載送環晶圓支撐件係配置成在該晶圓於輸送期間受該載送環支撐時，接合該晶圓。
在一實施例中，沉積製程係原子層沉積（ALD）製程。
在另一實施例中，提供在晶圓上沉積膜的製程腔室，包含一基座、一載送環。其中該基座係用以承接晶圓，該基座具有：一中心頂部表面，其自基座之中心軸延伸至頂部表面直徑，該中心頂部表面具有界定於中心頂部表面上的複數晶圓支撐件，該晶圓支撐件係用以將晶圓支撐於該中心頂部表面之上的支撐位準處；一環形表面，其自頂部表面直徑延伸至該環形表面的外直徑，該環形表面係處於自該中心頂部表面起的低一階處；複數的載送環支撐件係定位於該環形表面的外直徑處。其中該載送環具有環形主體，該環形主體具有一底部表面及一頂部表面，該載送環之該環形主體的該底部表面係配置成受載送環支撐件支撐，使得該環形主體的該底部表面係處於該環形表面之上的第一垂直間隔處，該載送環具有一內直徑、以及接近該內直徑而界定的一階梯式降低表面，該階梯式降低表面係相對於自該階梯式降低表面延伸至該環形主體之外直徑的該頂部表面而言。其中，當使載送環設置於該載送環支撐件上時，該載送環的該階梯式降低表面則係定位於自該基座之該頂部表面之上的該支撐位準起第二垂直間隔處的處理位準；其中，該第一垂直間隔在該載送環的底部表面、與該環形表面之間界定出下間隙，該下間隙係約0.1mm或更小，且該第二垂直間隔在該載送環的該階梯式降低表面、與受支撐於基座上複數晶圓支撐件上的晶圓之間界定出上間隙，上間隙係約0.1mm或更小；其中，在晶圓出現於該製程腔室中，並且受支撐於晶圓支撐件上時，該晶圓的邊緣係配置成懸出該頂部表面直徑，使得晶圓的邊緣懸出並停駐於該載送環之該階梯式降低表面之上；其中，下間隙及上間隙限制製程氣體在沉積製程期間進入至晶圓的背側，下間隙及上間隙將晶圓邊緣區域處之晶圓背側上的沉積限制於少於約邊緣區域處晶圓前側上沉積的20%，邊緣區域係界定為自晶圓邊緣起約3mm。
在一實施例中，沉積製程係原子層沉積（ALD）製程。
本揭露內容之實施例提供用以處理半導體晶圓的製程腔室。
應該瞭解，本發明可以許多方式實施，例如作為製程、設備、系統、裝置、或方法。以下描述若干實施例。
膜的沉積可在電漿加強化學氣相沉積（PECVD）系統中加以實施。PECVD系統可具有許多不同的形式。PECVD系統包含容納一或更多晶圓、且適用於晶圓處理的一或更多腔室或「反應器」(有時包含複數站)。每一腔室可容一或更多晶圓進行處理。一或更多腔室將晶圓維持在（複數的）已界定的位置中（在該位置內有或無動作，例如轉動、振動或其它擾動）。在製程期間，經受沉積的晶圓可從反應器腔室內的一站被轉移至另一站。當然，膜沉積可全部在單一腔室處進行，或者膜的任何部分可在任何數目的處理站處加以沉積。
在製程期間，每一晶圓係藉由基座、晶圓卡盤、及/或其他晶圓固持設備而被固持於適當的位置。對某些操作而言，為對晶圓進行加熱，設備可包含如加熱板的加熱器。
圖1A說明用以處理晶圓101的基板處理系統100。該系統包含具有下腔室部102b及上腔室部102a的腔室102。中心柱係用以支撐在一實施例中為供電電極的基座140。基座140係經由匹配網路106而電性耦接至電源104。電源係由如控制器的控制模組110所控制。控制模組110係配置成藉由執行製程輸入及控制108而操作基板處理系統100。製程輸入及控制108可包含如功率位準、計時參數、製程氣體、晶圓101的機械移動等的製程配方，從而例如在晶圓101的範圍進行沉積或形成複數膜。
中心柱亦顯示包含由抬升銷控制122控制的抬升銷120。抬升銷120係用以使晶圓101從基座140上升，以容許末端執行器拿取晶圓，並在末端執行器放置晶圓101後使晶圓101降低。基板處理系統100更包含連接至製程氣體114（例如，自工廠供應的氣體化學成份）的氣體供應歧管112。取決於正在執行的處理，控制模組110控制製程氣體114經由氣體供應歧管112的傳送。然後使選擇的氣體流至噴淋頭150中，且使選擇的氣體分佈在界定於以下者之間的空間容積中：噴淋頭150之面向晶圓101的面、與設置在基座140之上的晶圓101。
進一步講，氣體可進行預混合，或不然。可採用適當的閥及質流控制機構來確保在製程的沉積、及電漿處理階段期間傳送正確的氣體。製程氣體經由出口離開腔室。真空泵（例如，一或二段式機械式乾燥泵、及/或渦輪分子泵）將製程氣體牽引出來，並且藉由閉合迴路控制的流量限制裝置（例如，節流閥、或擺式閥）而在反應器中維持適當低的壓力。
亦顯示圍繞基座140之外部區域的載送環200。載送環係在晶圓往返基座的輸送期間用以支撐晶圓。載送環200係配置成坐落於載送環支撐件區域之上，該載送環支撐件區域係自基座140中心內晶圓支撐區域起的低一階處。載送環包含其盤狀結構的外邊緣側（例如，外半徑）、及其盤狀結構之最接近設置晶圓101之處的晶圓邊緣側（例如，內半徑）。載送環之晶圓邊緣側包含複數接觸支撐結構，該複數接觸支撐結構係配置成在支架叉180抬升載送環200時抬升晶圓101。載送環因此係於晶圓101一起受到抬升，且載送環可在如複數站系統中被旋轉至另一站。
圖1B說明用以在晶圓上執行原子層沉積（ALD）製程（例如，ALD氧化物製程）的基板處理系統。顯示與參考圖1A所描述之元件相似的元件。然而，供應RF功率至噴淋頭150。
圖2說明複數站處理工具的俯視圖，其中設置四個處理站。該俯視圖係下腔室部102b的俯視圖（例如，為說明內容而移除上腔室部102a），其中四個站係由支架叉226進行存取。每一支架叉，或爪包含第一及第二臂，該第一及第二臂的每一者係定位於基座140之每一側部的周圍。使用接合及旋轉機構220的支架叉226係配置成升起並同時地自複數站抬升（例如，從載送環200的下表面）載送環200，並且然後在使載送環200（此時，載送環其中至少一者支撐晶圓101）降低至下一位置之前，使至少一或更多的複數站進行旋轉，使得進一步的電漿處理、處理、及/或膜沉積可在各晶圓101上進行。
圖3A說明用以針對如原子層沉積（ALD）製程的沉積製程而承接晶圓的基座300。該基座包含中心頂部表面302，該中心頂部表面302係藉由自基座中心軸320延伸至頂部表面直徑322的圓形區域而加以界定，該頂部表面直徑322界定該中心頂部表面的邊緣。中心頂部表面302包含複數的晶圓支撐件304a、304b、304c、304d、304e、及304f，以上者係界定於中心頂部表面302上，並且係配置成將晶圓支撐於中心頂部表面之上的支撐位準。晶圓支撐位準係在晶圓位於晶圓支撐件上時，藉由晶圓底部表面的垂直位置而加以界定。在一些實施例中，晶圓支撐位準係在基座之中心頂部表面302之上約2密耳。在所述實施例中，有六個晶圓支撐件相關於中心頂部表面302的周部而對稱分佈。然而，在其他實施例中，在中心頂部表面302上可有任何數目的晶圓支撐件，該晶圓支撐件可相關於中心頂部表面302以任何適於在沉積製程操作期間支撐晶圓的配置進行分佈。額外也顯示用以容納抬升銷的凹口306a、306b、及306c。如以上提及，可利用抬升銷使晶圓自晶圓支撐件上升，以容許利用末端執行器的接合。
在一些實施例中，每一晶圓支撐件界定一最小接觸區域（MCA，minimum contact area）。MCA係在需要高精確度或公差時、以及在期望最小實體接觸來降低缺陷風險時用以改善表面之間的精確度匹配 。 系統中的其他區域可利用MCA，例如以下進一步詳細描述的載送環支撐件的範圍、及載送環之內部晶圓支撐件的範圍。
基座300更包含環形表面310，其自基座的頂部表面直徑322（其係處於中心頂部表面302的外邊緣處）延伸至該環形表面的外直徑324。環形表面310界定出圍繞中心頂部表面302、且處於自中心頂部表面起之低一階處的環形區域。亦即，環形表面310的垂直位置係低於中心頂部表面302的垂直位置。複數的載送環支撐件312a、312b、及312c實質上係定位於環形表面310的邊緣（外直徑）處/沿環形表面310的邊緣（外直徑）定位，且係相關於環形表面對稱分佈。在一些實施例中，載送環支撐件可界定支撐載送環的MCA。在一些實施例中，載送環支撐件312a、312b、及312c延伸超過環形表面的外直徑324，而在其他實施例中並沒有。在一些實施例中，載送環支撐件的頂部表面具有稍微高於環形表面310之高度的高度，使得載送環設置於載送環支撐件上時，載送環則是受支撐於環形表面之上的預定義距離。每一載送環支撐件可包含一凹口（例如載送環支撐件312a的凹口313），當載送環受載送環支撐件支撐時，自載送環下側突出的延伸部係設置於該凹口中。當載送環設置於載送環支撐件上時，載送環延伸部至載送環支撐件中凹口的配合為載送環提供固定的定位，並防止載送環移動。
在一些實施例中，載送環支撐件的頂部表面係與環形表面310齊平，或者在其他實施例中，並沒有從環形表面單獨地界定出載送環支撐件，使得載送環可直接地設置於環形表面上。結果是在載送環與環形表面310之間不存在間隙。在如此實施例中，載送環與環形表面310之間的路徑係閉合的，防止前驅物經由此路徑而進入晶圓背側。
在所述實施例中，有三個載送環支撐件沿環形表面之外邊緣區域而對稱定位。然而，在其他實施例中，可有三或更多的載送環支撐件分佈於沿基座300之環形表面310的任何位置，從而以穩定靜止的配置支撐載送環。
將察知，當晶圓受晶圓支撐件支撐，且載送環受載送環支撐件支撐時，晶圓的邊緣區域係設置於載送環之內部的範圍。一般來講，晶圓的邊緣區域自晶圓的外邊緣向內延伸約二至五毫米（mm）。從而在晶圓的邊緣區域與載送環的內部之間界定出垂直間隔。在一些實施例中，該垂直間隔係約一至十密耳。
將察知，可控制載送環受支撐於環形表面之上的預定義距離、以及晶圓的邊緣區域與載送環的內部之間的間隔，以限制晶圓邊緣區域中晶圓背側上的沉積。
根據本發明一實施例，圖3B說明基座300之一部分的立體切開視圖。該切開視圖係橫切載送環支撐件其中一者（例如，載送環支撐件312a）的縱向剖面。載送環330係顯示設置於載送環支撐件312a的上頂部。在此配置中，載送環延伸部331係設置於載送環支撐件312a的凹口313內。另，晶圓340（受晶圓支撐件支撐）係顯示設置於基座的中心頂部表面302之上。載送環支撐件312a係高度可調的，以容許載送環受支撐於環形表面310之上的距離係可調的。在一些實施例中，載送環支撐件312a包含間隔件（例如，墊片）316，以調整載送環支撐件其中至少一者的高度。亦即，間隔件316係選擇成當載送環設置於載送環支撐件上時於載送環330與環形表面310之間提供受控距離。將察知，可選擇有零個、一個、或多於一個的間隔件316，並且使以上者定位於載送環支撐件312a下方，以在環形表面310與載送環330之間提供期望的距離。
另外，藉由緊固硬體314使載送環支撐件312a及（複數）間隔件316固定至基座。在一些實施例中，硬體314可為螺釘、螺栓、釘子、銷、 或適於使載送環支撐件及（複數）間隔件固定至基座的任何其他類型的硬體。在其他實施例中，可利用使載送環支撐件及間隔件固定至基座的其他技術/材料，例如適當的黏著。
根據本發明一實施例，圖3C說明基座300之周部的橫剖面視圖，該視圖包含載送環330、及晶圓340的邊緣部分。如可見，載送環支撐件312a的總高度係藉由間隔件/墊片316與載送環支撐件312a的組合高度而界定。這亦決定載送環支撐件312a之頂部表面比基座300之環形表面310高的程度。
根據本發明一實施例，圖3D說明載送環330及晶圓340的橫剖面視圖，其顯示為前驅物及自由基物種至晶圓背側的輸送提供路徑的各種間隙。在所述實施例中，載送環340係具有頂部表面332、及階梯式降低表面334的環形主體。頂部表面332及階梯式降低表面334係藉由轉接階333而接合。將察知，階梯式降低表面334係接近載送環的內直徑336而界定，且自內直徑336向外延伸。頂部表面332自階梯式降低表面延伸至載送環330的外直徑337（顯示於圖3C）。載送環330更包含沿載送環330之階梯式降低表面334而界定的複數載送環晶圓支撐件338。載送環晶圓支撐件338可為MCA，且係在晶圓340受載送環330支撐時（例如，在輸送期間），用以接合晶圓340的背側。
如顯示，下間隙（載送環-基座間隙）G1 存在於載送環330的底部表面與基座300的環形表面310之間。另外，在載送環330的階梯式降低表面（晶圓的邊緣區域係設置於其之上）與晶圓340的背側之間存在上間隙（晶圓-載送環間隙）G2 。將察知，下間隙及上間隙的每一者在沉積處理期間為即將被輸送晶圓背側的前驅物及自由基物種提供路徑。因此，藉由控制該等間隙，背側沉積亦可得以控制。
當載送環330受載送環支撐件（312a、312b、312c）支撐時，下間隙G1 的尺寸係藉由環形表面310、與載送環330之底部表面330a之間的垂直間隔而界定。
晶圓340係藉由晶圓支撐件而受支撐於中心頂部表面之上的支撐位準342，該支撐位準342即由晶圓背側界定的垂直位置。當載送環330係設置於載送環支撐件上時，階梯式降低表面334界定處理位準335。晶圓340與載送環330之間上間隙G2 的尺寸係由處理位準335（當載送環受載送環支撐件支撐時，階梯式降低表面334的垂直位置）與晶圓支撐位準342（當晶圓受晶圓支撐件支撐時，晶圓背側的垂直位置）之間的垂直間隔而界定。
將察知，上間隙G2 的的尺寸由多種因素導致產生，包含：下間隙G1 的尺寸；階梯式降低表面334（在處理期間，晶圓340的邊緣係設置於該階梯式降低表面334之上）區域中載送環330的厚度339；環形表面310與基座300之中心頂部表面302之間在垂直位置上的差異；晶圓340藉由晶圓支撐件（舉例，如藉由中心頂部表面上的MCA而界定的晶圓支撐件）而維持於中心頂部表面之上的距離。藉由精確地控制下間隙及上間隙，背側沉積可受到控制。
在一些實施例中，下間隙G1 係小於約6密耳（亦即，0.006英吋；0.15mm）。在一些實施例中，下間隙G1 係在約0至4密耳（亦即，0.000至0.004英吋；0.00至0.10mm）的範圍中。在一些實施例中，上間隙係在約1至10密耳（亦即，0.001至0.010英吋；0.03至0.25mm）的範圍中。在一些實施例，上間隙係在約2至8密耳（0.002至0.008英吋；0.05至0.20mm）的範圍中。在一些實施例，上間隙係在約3至7密耳（0.003至0.007英吋；0.08至0.18mm）的範圍中。在一些實施例，上間隙係約6密耳（0.006英吋；0.15mm）。
根據本發明一實施例，圖4A及4B說明圖式顯示背側沉積厚度對300mm晶圓上的徑向位置。矽氧化物係藉由ALD利用攝氏50度的製程而沉積。沉積厚度係沿與晶圓切口對齊的晶圓直徑進行量測。從晶圓中心處的0mm位置起，徑向位置可沿直徑延伸至+/-150mm，其中-150mm係在晶圓切口處，且150mm係在與晶圓切口相反的最遠邊緣處。
圖4A顯示晶圓切口附近邊緣區域處的背側沉積厚度，從-147mm（亦即，從邊緣起向內3mm）向內延伸至-140mm。曲線400顯示具有約14密耳（亦即，0.014英吋；0.36mm）之晶圓-載送環間隙及約6密耳（亦即，0.006英吋；0.15mm）之載送環-基座間隙之設定的沉積厚度。曲線402顯示具有約4密耳（亦即，0.004英吋；0.10mm）之晶圓-載送環間隙及約6密耳（亦即，0.006英吋；0.15mm）之載送環-基座間隙之設定的沉積厚度。曲線404顯示具有約4密耳（亦即，0.004英吋；0.10mm）之晶圓-載送環間隙及約0密耳之載送環-基座間隙之設定的沉積厚度。前側沉積厚度係約350埃。
如曲線400顯示，-147mm處背側沉積厚度係約300埃，這接近於晶圓前側上所觀察到的350埃的沉積厚度。如曲線402顯示，藉由使晶圓-載送環間隙從14密耳減少至4密耳，-147mm處的背側沉積厚度減少多於一半，減少至90埃。且如曲線404顯示，額外地使載送環-基座間隙從6密耳減少至0密耳，這提供-147mm處沉積厚度進一步減少至約20埃的標稱量。這接近於晶圓上原生氧化物的厚度，該原生氧化物的厚度典型地係在約15埃的範圍中。
圖4B針對與晶圓切口相反的邊緣區域，顯示相似的結果。曲線410顯示具有約14密耳（亦即，0.014英吋；0.36mm）之晶圓-載送環間隙及約6密耳（亦即，0.006英吋；0.15mm）之載送環-基座間隙之設定的沉積厚度。曲線412顯示具有約4密耳（亦即，0.004英吋；0.10mm）之晶圓-載送環間隙及約6密耳（亦即，0.006英吋；0.15mm）之載送環-基座間隙之設定的沉積厚度。曲線414顯示具有約4密耳（亦即，0.004英吋；0.10mm）之晶圓-載送環間隙及約0密耳之載送環-基座間隙之設定的沉積厚度。前側沉積厚度係約350埃。
如曲線410顯示，147mm處背側沉積厚度係約250埃。如曲線412顯示，藉由使晶圓-載送環間隙從14密耳減少至4密耳，147mm處的背側沉積厚度減少約一半，減少至約125埃。且如曲線414顯示，額外地使載送環-基座間隙從6密耳減少至0密耳，這提供147mm處沉積厚度進一步減少至約20埃的標稱量。
圖5說明一圖表，該圖表顯示在自晶圓邊緣起3mm的固定徑向位置處，背側沉積厚度的圓周掃描圖。矽氧化物係藉由ALD採用攝氏50度的製程而沉積。曲線500針對具有約4密耳之晶圓-載送環間隙及約6密耳之載送環-基座間隙的設定，顯示自晶圓邊緣起3mm處的沉積厚度。如可見，背側沉積厚度在約50與150埃之間變化。
曲線502針對具有約4密耳之晶圓-載送環間隙及約0密耳之載送環-基座間隙的設定，顯示自晶圓邊緣起3mm處的沉積厚度。載送環-基座的零間隙係藉由在基座上施加6密耳的Kapton膠帶以消除載送環支撐件與相鄰基座表面（前面提及之基座的環形表面）之間高度差而實現。如可見，背側沉積厚度被減少至少於25埃。
在另一實驗中，在兩種設定之間比較沉積厚度，該兩種設定都具有6密耳的載送環-基座間隙，但就晶圓-載送環間隙而言有所不同。在具有6密耳載送環-基座間隙及14密耳晶圓-載送環間隙的一設定中（使用標準載送環達成），在自晶圓邊緣起6mm的徑向位置處觀察到少於50埃的平均沉積厚度。而對具有6密耳載送環-基座間隙及減至4密耳之晶圓-載送環間隙的一設定而言（使用特殊載送環達成），在自晶圓邊緣起4-5mm的徑向位置處觀察到少於50埃的平均沉積厚度。
在另一實驗中，在兩種設定之間比較沉積厚度，該兩種設定都具有載送環-基座零間隙，但就晶圓-載送環間隙而言有所不同。在具有載送環-基座零間隙及14密耳晶圓-載送環間隙的一設定中，自晶圓邊緣起7mm的徑向位置處觀察到少於50埃的平均沉積厚度。而對具有載送環-基座零間隙及減至4密耳之晶圓-載送環間隙的一設定而言，自晶圓邊緣起3mm的徑向位置處觀察到少於50埃的平均沉積厚度。
如以上目前所述結果顯示，減少乃至消除載送環與基座（環形表面）之間的間隙對減少背側沉積而言係有利的。又，減少晶圓與載送環之間的間隙就此方面而言亦為有利的。在一些實施例中，因為可能有在晶圓上引入缺陷的風險，所以避免消除晶圓-載送環間隙。在如此實施例中，考慮到影響晶圓-載送環間隙之複數元件之公差的疊加，在維持適當標稱間隙的同時，期望使晶圓-載送環間隙最小化。就此方面而言，注意到，儘管由於載送環與基座結構兩者的剛性，載送環-基座間隙在圓周方向上係恆定的，但晶圓-載送環間隙卻可能由於晶圓的相對撓性而有所變化。亦即，由於晶圓尺寸、且取決於晶圓支撐件的配置（例如，晶圓支撐件MCA銷的數目及位置），在重力作用下可能發生某種程度的晶圓平面彎曲，且該晶圓平面彎曲導致所觀察到的晶圓-載送環間隙值相較於標稱計算值有所不同。尤其，晶圓邊緣處之晶圓-載送環間隙可小於標稱間隙，直至由載送環晶圓支撐件/MCA所界定的限制。
然而，在其他實施例中，藉由免除載送環上的載送環晶圓支撐件，可使晶圓-載送環間隙減少至由載送環晶圓支撐件/MCA所界定的限制以下。假設載送環晶圓支撐件在載送環的階梯式降低表面之上具有3密耳（0.003英吋；0.08mm）的高度，則透過免除載送環晶圓支撐件、以及透過影響晶圓-載送環間隙之其他元件的適當配置，可使晶圓-載送環間隙減少至小於3密耳。
以下的表A提供利用基座及載送環的各種配置進行測試的實驗結果（CR=載送環；HS=「馬蹄」形載送環支撐件）。修正的CR（至少在階梯式降低表面的區域中）具有約比參考CR大12密耳的厚度。使用ALD製程沉積矽氧化物來測試所有配置。 表A
如顯示，在載送環上無MCA，以及0.003”之頂部間隙及0.005”之底部間隙條件下，自邊緣起3mm處的背側沉積係自320埃減少至小於50埃，沉積的減少大於80%。在此配置條件下，邊緣處的背側沉積係小於前側沉積的10%（減去原生氧化物後）。
在特定實施例中，可免除晶圓-載送環間隙（使晶圓-載送環間隙減少至零）。免除載送環晶圓支撐件、及影響載送環之垂直定位的其他元件，並且晶圓係配置成容許晶圓邊緣在整個晶圓邊緣圓周處接觸載送環的階梯式降低表面。
將察知，下間隙及上間隙限制製程氣體在沉積製程期間進入晶圓背側。結果係下間隙及上間隙有效地將晶圓邊緣區域處晶圓背側上的沉積限制於少於邊緣區域處（例如，界定於自晶圓邊緣起約3mm處的邊緣區域）晶圓前側上的沉積。舉例而言，在一實施例中，系統係配置成使背側沉積受限於少於約前側沉積的50%。在另一實施例中，背側沉積係受限於少於約前側沉積的30%。在另一實施例中，背側沉積係受限於少於約前側沉積的20%。在另一實施例中，背側沉積係受限於少於約前側沉積的10%。
圖6顯示用以控制上述系統的控制模組600。在一實施例中，圖1的控制模組110可包含例示性元件的一些者。舉例而言，控制模組600可包含處理器、記憶體、及一或更多介面。部分基於感測值，控制模組600可用來控制系統中的裝置。僅舉例而言，基於感測值及其他控制參數，控制模組600可控制複數閥602的一或更多者、過濾器加熱器604、泵606、及其他裝置608。僅舉例而言，控制模組600接收到來自壓力計610、流量計612、溫度感測器614、及/或其他感測器616的感測值。控制模組600亦可用來控制前驅物傳送及膜沉積期間的製程條件。控制模組600典型地將包含一或更多記憶體裝置及一或更多處理器。
控制模組600可控制前驅物傳送系統及沉積設備的動作。控制模組600執行包含用以控制以下者之指令組的電腦程式：製程時序、傳送系統溫度、橫跨過濾器的壓差、閥位置、氣體混合物、腔室壓力、腔室溫度、晶圓溫度、RF功率位準、晶圓卡盤或基座位置、及特定製程的其他參數。控制模組600亦可監控壓差，並且自動地將汽相前驅物的傳送從一或更多路徑切換至一或更多其他路徑。在一些實施例中，可採用儲存於與控制模組600相關聯之記憶體裝置上的其他電腦程式。
典型地將具有與控制模組600相關聯的使用者介面。使用者介面可包含顯示器618（例如，顯示螢幕、及/或設備及/或製程條件的圖形軟體顯示器）、及使用者輸入裝置620（例如，指向裝置、鍵盤、觸摸螢幕、麥克風等）。
用以控制製程序列中前驅物的傳送、沉積、及其他製程的電腦程式可以任何習知的電腦可讀程式語言撰寫，例如：組合語言、C、C++、Pascal、Fortran、或其他語言。已編成的目的碼或腳本係由處理器加以執行，從而執行程式中所識別的任務。
控制模組參數相關於製程條件，例如過濾器壓差、製程氣體組成及流速、溫度、壓力、如RF功率位準及低頻RF頻率的電漿條件、冷卻氣體壓力、及腔室壁溫度。
系統軟體可以許多不同的方式而加以設計或配置。舉例而言，可撰寫各種腔室元件子程序或控制物件，以控制對實行發明性沉積製程而言有必要之腔室元件的操作。針對此目的之程式或部分程式的範例包含基板定位碼、製程氣體控制碼、壓力控制碼、及加熱器控制碼、及電漿控制碼。
基板定位程式可包含針用以控制腔室元件的程式碼，該腔室元件係用以將基板裝載至基座或夾具上，且係用以控制基板與腔室之其他部件（例如，氣體入口、及/或靶材）之間的間隔。製程氣體控制程式可包含用以控制氣體組成及流動速率的編碼，且該編碼係可選地用以在蝕刻之前使氣體流至腔室中以穩定腔室內的壓力。過濾器監控程式包含將所量測之差壓與預定值進行比較的編碼，及/或用於切換路徑的編碼。壓力控制程式可包含用以藉由調節以下者而控制腔室內壓力的編碼：如腔室之排氣系統內的節流閥。加熱器控制程式可包含用以控制至加熱單元之電流的編碼，該加熱單元係用於對前驅物傳送系統中的元件、基板、及/或系統的其他部分進行加熱。或者，加熱器控制程式可控制熱轉移氣體（例如，氦）至基板夾具的傳送。
在沉積期間可受監控之感測器的範例包含但不限於質流控制模組、如壓力計610的壓力感測器、位於傳送系統中的熱偶、基座或夾具（例如，溫度感測器614）。適當程式化的反饋及控制演算法可與來自該等感測器的數據一起用來維持期望的處理條件。前述內容描述在單一或複數腔室之半導體處理工具中實施本發明實施例。
實施例的前述說明已為說明和描述之目的而提供。其並非意在詳盡無遺、或限制本發明。特定實施例之單獨元件或特徵部一般而言並不受限於該特定實施例，反而在可應用之處係可互換的，並可用在選定的實施例中，即使該選定的實施例並未具體地顯示或描述。相同的情況可以許多方式而改變。如此改變不應被認為背離該發明，且意圖將所有的如此修正併入本發明的範疇內。
儘管上述實施例已針對清楚理解之目的而作詳細地描述，但將顯而易見的是，在所附申請專利範圍的範疇中，可實行某些變更及修改。因此，本實施例應視為舉例性而非限制性，且實施例不應受限於此處所給出的細節，卻可在其範疇及申請專利範圍的均等物內加以修正。
100‧‧‧基板處理系統
101‧‧‧晶圓
102‧‧‧腔室
102a‧‧‧上腔室部
102b‧‧‧下腔室部
104‧‧‧電源
106‧‧‧匹配網路
108‧‧‧製程輸入及控制
110‧‧‧控制模組
112‧‧‧氣體供應歧管
114‧‧‧製程氣體
120‧‧‧抬升銷
122‧‧‧抬升銷控制
140‧‧‧基座
150‧‧‧噴淋頭
180‧‧‧支架叉
200‧‧‧載送環
220‧‧‧接合及旋轉機構
226‧‧‧支架叉
300‧‧‧基座
302‧‧‧中心頂部表面
304a‧‧‧晶圓支撐件
304b‧‧‧晶圓支撐件
304c‧‧‧晶圓支撐件
304d‧‧‧晶圓支撐件
304e‧‧‧晶圓支撐件
304f ‧‧‧晶圓支撐件
306a‧‧‧凹口
306b‧‧‧凹口
306c‧‧‧凹口
310‧‧‧環形表面
312a‧‧‧載送環支撐件
312b‧‧‧載送環支撐件
312c‧‧‧載送環支撐件
313‧‧‧凹口
314‧‧‧硬體
316‧‧‧間隔件/墊片
320‧‧‧中心軸
322‧‧‧頂部表面直徑
324‧‧‧外直徑
330‧‧‧載送環
330a‧‧‧底部表面
331‧‧‧載送環延伸部
332‧‧‧頂部表面
333‧‧‧轉接階
334‧‧‧階梯式降低表面
335‧‧‧處理位準
336‧‧‧內直徑
337‧‧‧外直徑
338‧‧‧載送環晶圓支撐件
339‧‧‧厚度
340‧‧‧晶圓
342‧‧‧支撐位準
410‧‧‧曲線
412‧‧‧曲線
414‧‧‧曲線
500‧‧‧曲線
502‧‧‧曲線
600‧‧‧控制模組
602‧‧‧閥
604‧‧‧過濾器加熱器
606‧‧‧泵
608‧‧‧其他裝置
610‧‧‧壓力計
612‧‧‧流量計
614‧‧‧溫度感測器
616‧‧‧其他感測器
618‧‧‧顯示器
620‧‧‧使用者輸入裝置
G1‧‧‧下間隙
G2‧‧‧上間隙
圖1A說明用以處理晶圓的基板處理系統，例如在該晶圓上形成膜。
圖1B說明用以在晶圓上執行原子層沉積（ALD）製程的基板處理系統。
根據一實施例，圖2說明複數站處理工具的俯視圖，其中設置四個處理站。
根據本發明一實施例，圖3A說明用以針對如原子層沉積（ALD）製程的沉積製程而承接晶圓的基座300。
根據本發明一實施例，圖3B說明基座300之一部分的立體切開視圖。
根據本發明一實施例，圖3C說明基座300之周部的橫剖面視圖，該視圖包含載送環330、及晶圓340的邊緣部分。
根據本發明一實施例，圖3D說明載送環330及晶圓340的橫剖面視圖，其顯示為前驅物及自由基物種至晶圓背側的輸送提供路徑的各種間隙。
根據本發明一實施例，圖4A及4B說明複數的圖表，該圖表顯示背側沉積厚度對晶圓上的徑向位置。
圖5說明一圖表，該圖表顯示在自晶圓邊緣起3mm的固定徑向位置處，背側沉積厚度的圓周掃描圖。
根據一實施例，圖6顯示用以控制系統的控制模組。

Claims (20)

  1. 一種在晶圓上沉積膜的製程腔室，包含： 一基座，其係用以承接該晶圓，該基座具有： 一中心頂部表面，其自該基座的中心軸延伸至一頂部表面直徑，該中心頂部表面具有界定於該中心頂部表面上的複數晶圓支撐件，該晶圓支撐件係用以將該晶圓支撐於該中心頂部表面之上的一支撐位準處， 一環形表面，其自該頂部表面直徑延伸至該環形表面的一外直徑，該環形表面係處於自該中心頂部表面起的低一階處， 複數載送環支撐件，其係定位於該環形表面的該外直徑處； 一載送環，具有一環形主體，該環形主體具有一底部表面及一頂部表面，該載送環之該環形主體的該底部表面係配置成受該載送環支撐件支撐，使得該環形主體的該底部表面係處於該環形表面之上的一第一垂直間隔處，該載送環具有一內直徑、以及接近該內直徑而界定的一階梯式降低表面，該階梯式降低表面係相對於自該階梯式降低表面延伸至該環形主體一外直徑的該頂部表面而言； 其中，當使該載送環設置於該載送環支撐件上時，該載送環的該階梯式降低表面則係定位於一處理位準，該處理位準係處於該基座之該頂部表面之上的該支撐位準起一第二垂直間隔處； 其中，該第一垂直間隔在該載送環的該底部表面、與該環形表面之間界定出一下間隙，且該第二垂直間隔在該載送環的該階梯式降低表面、與受支撐於該基座上之該複數晶圓支撐件上的一晶圓之間界定出一上間隙，該上間隙係小於約0.15mm； 其中，當該晶圓存在於該製程腔室中、並且受支撐於該晶圓支撐件上時，該晶圓的一邊緣係配置成懸出該頂部表面直徑，使得該晶圓的該邊緣懸出並停駐於該載送環的該階梯式降低表面之上。
  2. 如申請專利範圍第1項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該下間隙係小於約0.15mm。
  3. 如申請專利範圍第1項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該下間隙係約0.1mm或更小。
  4. 如申請專利範圍第1項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該上間隙係約0.1mm或更小。
  5. 如申請專利範圍第1項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中每一載送環支撐件係高度可調的，以在該環形表面之上界定出該第一垂直間隔，當該載送環受該載送環支撐件支撐時，該載送環的該底部表面係定位於該第一垂直間隔處。
  6. 如申請專利範圍第5項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該載送環支撐件其中至少一者包含一或更多間隔件，用以調整該載送環支撐件其中至少一者的高度。
  7. 如申請專利範圍第1項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該複數載送環支撐件係定義為對稱地定位於該環形表面之該外直徑處的至少三個載送環支撐件。
  8. 如申請專利範圍第1項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該下間隙及該上間隙限制製程氣體在一沉積製程期間進入至該晶圓的背側，該下間隙及該上間隙將該晶圓一邊緣區域處之該晶圓之背側上的沉積限制於少於約該邊緣區域處之該晶圓之前側上沉積的20%，該邊緣區域係界定為自該晶圓之邊緣起約3mm。
  9. 如申請專利範圍第1項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該沉積製程係一原子層沉積（ALD）製程。
  10. 如申請專利範圍第1項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該載送環係在該晶圓往返該基座的輸送期間用以支撐該晶圓。
  11. 如申請專利範圍第10項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該載送環包含界定於該載送環之該階梯式降低表面上的複數的載送環晶圓支撐件，該載送環晶圓支撐件係配置成在該晶圓於輸送期間受該載送環支撐時，接合該晶圓。
  12. 一種在晶圓上沉積膜的製程腔室，包含： 一基座，其係用以承接該晶圓，該基座具有： 一中心頂部表面，其自該基座的中心軸延伸至一頂部表面直徑，該中心頂部表面具有界定於該中心頂部表面上的複數晶圓支撐件，該晶圓支撐件係用以將該晶圓支撐於該中心頂部表面之上的一支撐位準處， 一環形表面，其自該頂部表面直徑延伸至該環形表面的一外直徑，該環形表面係處於自該中心頂部表面起的低一階處， 複數載送環支撐件，其係定位於該環形表面的該外直徑處； 一載送環，具有一環形主體，該環形主體具有一底部表面及一頂部表面，該載送環之該環形主體的該底部表面係配置成受該載送環支撐件支撐，使得該環形主體的該底部表面係處於該環形表面之上的一第一垂直間隔處，該載送環具有一內直徑、以及接近該內直徑而界定的一階梯式降低表面，該階梯式降低表面係相對於自該階梯式降低表面延伸至該環形主體一外直徑的該頂部表面而言； 其中，當將該載送環設置於該載送環支撐件上時，該載送環的該階梯式降低表面則係定位於一處理位準，該處理位準係處於該基座之該頂部表面之上的該支撐位準起一第二垂直間隔處； 其中，該第一垂直間隔在該載送環的該底部表面、與該環形表面之間界定出一下間隙，該下間隙係小於約0.15mm，且該第二垂直間隔在該載送環的該階梯式降低表面、與受支撐於該基座上之該複數晶圓支撐件上的一晶圓之間界定出一上間隙，該上間隙係小於約0.15mm； 其中，當該晶圓出現於該製程腔室中，並且受支撐於該晶圓支撐件上時，該晶圓的一邊緣係配置成懸出該頂部表面直徑，使得該晶圓的該邊緣懸出並停駐於該載送環的該階梯式降低表面之上； 其中，該下間隙及該上間隙限制製程氣體在一沉積製程期間進入至該晶圓的背側，該下間隙及上間隙將該晶圓一邊緣區域處之該晶圓的背側上的沉積限制於少於約該邊緣區域處該晶圓之前側上沉積的20%，該邊緣區域係界定為自該晶圓之邊緣起約3mm。
  13. 如申請專利範圍第12項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該下間隙係約0.1mm或更小；其中該上間隙係約0.1mm或更小。
  14. 如申請專利範圍第12項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中每一載送環支撐件係高度可調的，以在該環形表面之上界定出該第一垂直間隔，當該載送環受該載送環支撐件支撐時，該載送環的該底部表面係定位於該第一垂直間隔處。
  15. 如申請專利範圍第14項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該載送環支撐件其中至少一者包含一或更多間隔件，用以調整該載送環支撐件其中至少一者的高度。
  16. 如申請專利範圍第12項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該複數載送環支撐件定義為對稱地定位於該環形表面之該外直徑處的至少三個載送環支撐件。
  17. 如申請專利範圍第12項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該載送環係在該晶圓往返該基座的輸送期間用以支撐該晶圓；其中該載送環包含界定於該載送環之該階梯式降低表面上的複數的載送環晶圓支撐件，該載送環晶圓支撐件係配置成在該晶圓於輸送期間受該載送環支撐時，接合該晶圓。
  18. 如申請專利範圍第12項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該沉積製程係一原子層沉積（ALD）製程。
  19. 一種在晶圓上沉積膜的製程腔室，包含： 一基座，其係用以承接該晶圓，該基座具有： 一中心頂部表面，其自該基座的中心軸延伸至一頂部表面直徑，該中心頂部表面具有界定於該中心頂部表面上的複數晶圓支撐件，該晶圓支撐件係用以將該晶圓支撐於該中心頂部表面之上的一支撐位準處， 一環形表面，其自該頂部表面直徑延伸至該環形表面的一外直徑，該環形表面係處於自該中心頂部表面起的低一階處， 複數載送環支撐件，其係定位於該環形表面的該外直徑處； 一載送環，具有一環形主體，該環形主體具有一底部表面及一頂部表面，該載送環之該環形主體的該底部表面係配置成受該載送環支撐件支撐，使得該環形主體的該底部表面係處於該環形表面之上的一第一垂直間隔處，該載送環具有一內直徑、以及接近該內直徑而界定的一階梯式降低表面，該階梯式降低表面係相對於自該階梯式降低表面延伸至該環形主體一外直徑的該頂部表面而言； 其中，當使該載送環設置於該載送環支撐件上時，該載送環的該階梯式降低表面則係定位於一處理位準，該處理位準係處於該基座之該頂部表面之上的該支撐位準起一第二垂直間隔處； 其中，該第一垂直間隔在該載送環的該底部表面、與該環形表面之間界定出一下間隙，該下間隙係小於約0.1mm或更小，且該第二垂直間隔在該載送環的該階梯式降低表面、與受支撐於該基座上之該複數晶圓支撐件上的一晶圓之間界定出一上間隙，該上間隙係小於約0.1mm或更小； 其中，當該晶圓出現於該製程腔室中，並且受支撐於該晶圓支撐件上時，該晶圓的一邊緣係配置成懸出該頂部表面直徑，使得該晶圓的該邊緣懸出並停駐於該載送環的該階梯式降低表面之上； 其中，該下間隙及該上間隙限制製程氣體在一沉積製程期間進入至該晶圓的背側，該下間隙及該上間隙將該晶圓一邊緣區域處之該晶圓的背側上的藉由該沉積製程的沉積限制於少於約該邊緣區域處該晶圓之前側上沉積的20%， 該邊緣區域係界定為自該晶圓之邊緣起約3mm。
  20. 如申請專利範圍第19項之在晶圓上沉積膜的製程腔室，其中該沉積製程係一原子層沉積（ALD）製程。
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