TWI671426B - 流體控制裝置 - Google Patents

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Abstract

為了適當地進行保持在不同溫度之流體加熱部的溫度控制，流體控制裝置(100)，是具備：在內部設有流路或流體收容部且互相連接的複數個流體加熱部(1)、以將複數個流體加熱部加熱成不同溫度的方式來構成的加熱器(10)、以及配置在鄰接的流體加熱部之間的隔熱構件(13、13’)。

Description

流體控制裝置
本發明，是關於在半導體製造裝置或化學廠等所使用的流體控制裝置，特別是關於含有維持在不同溫度的複數個流體加熱部的流體控制裝置。
以往，例如在藉由有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)來進行成膜的半導體製造裝置中，是使用對製程腔室供給原料氣體的原料氣化供給裝置(例如專利文獻1)。 　　在原料氣化供給裝置，例如，是將TEOS(Tetraethyl orthosilicate)等之有機金屬的液體原料事先儲存於貯液槽，將加壓過的惰性氣體供給至貯液槽並將液體原料以一定壓力來擠出而供給至氣化器。所供給的液體原料，是藉由配置在氣化室之周圍的加熱器而被氣化，氣化後的氣體，是藉由流量控制裝置來控制在既定流量並供給至半導體製造裝置。 　　作為原料所使用的有機金屬材料有著沸點超過150℃者，例如上述的TEOS的沸點約為169℃。因此，原料氣化供給裝置，是構成為可將液體原料加熱至比較高溫，例如200℃以上的溫度。 　　且，在原料氣化供給裝置，為了防止氣化後之原料的凝結(再液化)，要求著使氣體通過加溫至高溫的流路，來供給至製程腔室。此外，為了有效率地進行有機金屬材料的氣化，亦有著在供給至氣化器之前，事先加熱液體原料的情況。因此，在原料氣化供給裝置，是將加熱器配置在必要的地方，該加熱器是用來將設有流路或流體收容部的流體加熱部(氣化器等)加熱至高溫。 　　於專利文獻2，揭示有氣化供給裝置，其具備：對原料液體進行預加熱的預加熱部、使以預加熱部加熱過的原料液體氣化的氣化器、以及對氣化後之氣體的流量進行控制之高溫對應型的壓力式流量控制裝置。在專利文獻2所記載的氣化供給裝置，作為將氣化器之本體或流路等予以加熱用的手段，是使用套式加熱器。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[專利文獻1]日本特開2014-114463號公報 　　[專利文獻2]國際公開第2016/174832號
[發明所欲解決的課題] 　　上述的原料氣化供給裝置中，用來對原料進行預加熱而設置的預加熱部，是例如維持在原料之沸點以下的溫度，氣化部，是例如維持在原料之沸點以上的溫度。但是，流體的沸點是因流體的壓力而變動，故即使預加熱部成為原料在常壓(大氣壓)下之沸點以上的溫度，亦會因原料的壓力而有著不氣化而維持在液體的狀態。且，使用熱分解溫度比沸點還低的原料時，氣化部有設定成沸點以下之溫度的情況。又，氣化部的設定溫度，通常是設定成比預加熱部的設定溫度還高。此外，對氣化之原料的流量進行控制的壓力式流量控制裝置，是維持在原料的沸點以上，普遍來說是比氣化部的溫度還高溫。 　　但是，在以往的原料氣化供給裝置，有著不容易將各流體加熱部控制在不同溫度的情況。因此，例如有著預加熱部成為必要以上的高溫，而在預加熱部的內部導致原料氣化等之虞慮，會無法適當地進行高溫液體對氣化部的供給。 　　本發明，是有鑑於上述課題而完成者，主要是以提供流體控制裝置為目的，可分別適當地加熱複數個流體加熱部。 [用以解決課題的手段] 　　本發明之實施形態的流體控制裝置，是具備：在內部設有流路或流體收容部且互相連接的複數個流體加熱部、以將前述複數個流體加熱部加熱成不同溫度的方式來構成的加熱器、以及配置在鄰接的流體加熱部之間的隔熱構件。 　　某實施形態中，前述複數個流體加熱部，是含有：氣化部、將供給至前述氣化部的液體予以預加熱的預加熱部、以及對從前述氣化部所送出的氣體進行控制或測定的流體控制測定部，在鄰接的前述氣化部與前述預加熱部之間配置有前述隔熱構件。 　　某實施形態中，前述流體控制裝置，進一步具有：設在前述流體控制測定部之下游側的截止閥，在前述截止閥的閥下游側流路與閥上游側流路之間，進一步設有隔熱構件。 　　某實施形態中，前述加熱器，是含有：加熱前述預加熱部的第1加熱器、加熱前述氣化部的第2加熱器、以及加熱前述流體控制測定部的第3加熱器，且構成為各自獨立地加熱前述預加熱部、前述氣化部及前述流體控制測定部。 　　某實施形態中，在前述第1加熱器與前述第2加熱器之間設有間隙，前述隔熱構件是設在前述第1加熱器與前述第2加熱器之間的間隙的位置。 [發明的效果] 　　根據本發明之實施形態的流體控制裝置，容易將複數個流體加熱部分別維持在適當溫度，而可提升流體的控制性。
以下，雖參照圖式來說明本發明的實施形態，但本發明並不限定於以下的實施形態。 　　圖1，是表示本發明之實施形態的流體控制裝置100。流體控制裝置100，具備：生成在半導體製造裝置等所使用之原料氣體G用的氣化部4、對供給至氣化部4的液體原料L進行預加熱的預加熱部2、以及對從氣化部4所送出的氣體G進行控制或測定用的流體控制測定部6。圖1中，將填充有液體原料L的部分以斜線的網底來表示，將流動有氣體G的部分以點狀的網底來表示。 　　預加熱部2、氣化部4、流體控制測定部6，均作為使內部之流體(液體原料L或氣體G)加熱的流體加熱部1來設置者，在預加熱部2、氣化部4、流體控制測定部6之各自的內部，設有流路或流體收容部。該等是藉由後述的加熱器10來分別從外側加熱。 　　流體控制裝置100中，氣化部4，可控制液體填充用閥3來透過液體填充用閥3供給原料L。且，設置液體探知部(未圖示)來探知對氣化部4內供給超過既定量之液體原料L的情況，在液體探知部探知到液體時，關閉液體填充用閥3，藉此可防止對氣化部4之液體原料L的過供給。作為液體探知部，如專利文獻2所記載般，可使用配置在氣化室的溫度計(白金電阻溫度計、熱電偶、熱敏電阻等)、液面計、稱重傳感器等。 　　流體控制測定部6，在本實施形態，是公知之高溫對應型的壓力式流量控制裝置，如後述般，可使用控制閥來調整孔口構件71的上游壓力P1，藉此控制流動在孔口構件71之氣體的流量。 　　但是，流體控制測定部6，並不限於壓力式流量控制裝置，可為各種態樣的流量控制裝置。且，流體控制測定部6，亦可為具備流量感測器、濃度感測器等的流體測定部。以下，有時會將壓力式流量控制裝置亦即流體控制測定部6作為流體控制部6來說明。 　　本實施形態的流體控制裝置100，作為對上述的流體加熱部1(此處為預加熱部2、氣化部4、流體控制部6)進行加熱的加熱器10，是具備：加熱預加熱部2的第1加熱器12、加熱氣化部4的第2加熱器14、以及加熱流體控制部6的第3加熱器16。 　　圖2(a)及(b)，是從個別的角度來觀看時之加熱器10 第1加熱器12、第2加熱器14、及第3加熱器16)的分解立體圖。如圖2(a)及(b)所示般，加熱器10的各個，是具備：發熱體10a、以及導熱連接於發熱體10a的金屬製之傳熱構件10b。 　　發熱體10a所發出的熱是傳導至傳熱構件10b的整體，藉由發熱體10a來使傳熱構件10b整體地被加熱。然後，被均勻地加熱過的傳熱構件10b，可從外側來均勻地加熱流體加熱部1。傳熱構件10b，是以螺絲固定等來連接鋁製的零件藉此構成，例如，將底板部、一對側壁部、上面部予以組合來固定，藉此設置成在內側包圍流體加熱部1。 　　作為在半導體製造裝置所使用的流體控制裝置100，在對製程之污染的虞慮較少，且比較便宜的觀點來看，作為傳熱構件10b的材料是選擇鋁或鋁合金為佳。但是，在其他的用途中，亦可使用上述之其他高熱傳導性的金屬材料。 　　加熱器10的發熱體10a，是插入至設在傳熱構件10b之側壁部的細孔來固定。發熱體10a與傳熱構件10b是導熱連接，固定成使來自發熱體10a的熱有效率地傳導致傳熱構件10b。在較佳的態樣中，發熱體10a，是密貼於設在傳熱構件10b的細孔來固定，透過賦予至發熱體10a之外側的公知之熱傳導性物質(導熱塗料或導熱薄片等)來固定於傳熱構件10b。 　　在圖2所示之例，第1加熱器12中，棒狀的彈筒式加熱器10a，是從傳熱構件10b之側壁部的上端面朝下插入至於垂直方向延伸的細孔，第2加熱器14及第3加熱器16中，彎折成L字狀的發熱體10a，是插入至：在傳熱構件10b之側壁部的橫端面設有開口且往水平方向延伸的細孔。但是，作為發熱體10a，可使用公知的各種發熱裝置，例如，亦可使用固定在傳熱構件10b的面狀加熱器。 　　又，上述之彎折成L字狀的發熱體10a之水平方向部分10y，是收納在傳熱構件10b的細孔內，但垂直方向部分10z，並沒有插入至細孔，故有著阻礙傳熱構件10b彼此之連接的情況。在這種時候，是將可收納垂直方向部分10z的凹部11z事先形成在傳熱構件10b的端部，在將發熱體10a的水平方向部分10y插入至細孔時，將垂直方向部分10z收納於凹部11z，藉此可不會妨礙傳熱構件10b的連接。 　　且，在圖2所示之例，是示出安裝在第2加熱器14(加熱氣化部4的加熱器)的溫度感測器10c，可直接測量第2加熱器14之傳熱構件10b的溫度。 　　第1加熱器12的溫度，是設定成例如約180℃，第2加熱器14的溫度是設定成例約200℃，第3加熱器16的溫度是設定成例如約210℃。通常，加熱預加熱部2的第1加熱器12，是設定成比加熱氣化部4的第2加熱器14還低的溫度，加熱流體控制部6的第3加熱器16，是設定成比第2加熱器14還高的溫度。如上述般，在本實施形態，使用未圖示的控制裝置而可個別地控制各加熱器的溫度，故可將原料的氣化、液體原料的預加熱、及防止氣化原料的再液化，分別在適當的溫度來進行。 　　且，傳熱構件10b的上面部，亦可具有與安裝在其上之閥或壓力感測器等之上部安裝構件的形狀相對應的任意形狀。藉此，可進行對流體加熱部1的傳熱，還可適當地作為上部安裝構件的支撐構件來利用。傳熱構件10b的底板部，是如圖2(b)所示般，透過樹脂(例如PEEK(Poly Ether Ether Ketone))製的隔熱構件18來安裝在共通支撐台19亦可。隔熱構件18，只要可阻斷熱則由任意的材料形成皆可，且，亦可配合溫度來適當選擇材料等。 　　本實施形態中，在第1加熱器12的傳熱構件10b與第2加熱器14的傳熱構件10b之間、以及第2加熱器14的傳熱構件10b與第3加熱器16的傳熱構件10b之間，分別設有間隙X。藉此，在使用各加熱器12、14、16，來個別加熱預加熱部2、氣化部4、流體控制部6時，使加熱器間的熱傳導性降低，故能得到容易控制在所期望之溫度的優點。 　　此外，如圖1所示般，在第1加熱器12與第2加熱器14之間，特別是在第1加熱器12與第2加熱器14之間所設置的間隙X所對應的位置，設有隔熱構件13。且，隔熱構件13，是被連接預加熱部2與氣化部4的液體填充用閥3所覆蓋而設置在液體填充用閥3的流體入口與流體出口之間的位置。 　　在本實施形態，作為隔熱構件13，使用有PEEK製的面板材。隔熱構件13的厚度，可因應所要求的隔熱性來適當選擇，但例如可為0.5mm～50mm左右。且，在第1加熱器12與第2加熱器14之間，隔熱構件13，是以預加熱部2與氣化部4夾持來固定亦可，使用治具來固定亦可。隔熱構件13的形狀為任意，但為了適當地防止氣化部4的熱傳導至預加熱部2的情況，以具有預加熱部2與氣化部4不直接或間接地連接的形狀為佳。 　　且，隔熱構件13，並不限於上述的PEEK製者，只要可阻斷熱則由任意的材料形成皆可，且，亦可配合溫度來適當選擇材料等。作為隔熱構件13，可利用公知的真空隔熱面板等。 　　以上所說明的構造中，第1加熱器12與第2加熱器14是被隔熱構件13給分斷，故能抑制從第2加熱器14及氣化部4往預加熱部2的熱傳導。因此，可防止因來自例如設定成200℃以上之溫度的第2加熱器14的熱，使得預加熱部2成為超過設定溫度之高溫(例如超過液體原料之沸點或熱分解溫度的溫度)的情況，可防止原料液體在送到氣化部4之前就氣化的情況。 　　且，在本實施形態的流體控制裝置100，亦在流體控制部6的下游側(截止閥56的附近)進一步配置有隔熱構件13’。更具體來說，下游側的隔熱構件13’，是設在截止閥56的閥下游側流路與閥上游側流路之間。隔熱構件13’也是，只要可阻斷熱則由任意的材料或形狀來形成皆可，且，亦可配合溫度來適當選擇材料等。藉由設置隔熱構件13’，可抑制往外側的傳熱，得到容易使流體控制部6維持在高溫的優點。又，作為截止閥56，例如可使用公知的空氣驅動閥或電磁閥，可因應必要來阻斷氣體的流動。 　　另一方面，在氣化部4與流體控制部6之間，沒有設置隔熱構件。這是因為，即使因來自較高溫之流體控制部6的熱而使得氣化部4變得比設定溫度還要稍微高溫亦不會有問題，反而會使得在氣化部4更有效率地進行氣化。 　　如以上所說明般，在流體控制裝置100，使控制在不同溫度的複數個流體加熱部(預加熱部2、氣化部4、及流體控制部6)連接的態樣中，是在想要抑制熱傳導的地方選擇性地設置隔熱構件，藉此可謀求能源利用效率的提升，並適當地進行流體的控制。 　　又，本實施形態的加熱器10中，鋁製之傳熱構件10b的內側面，亦即與流體加熱部1相對向的面，是施有提升放熱性用之表面處理的陽極化處理(陽極氧化處理)的面，且，傳熱構件10b的外側面，是成為研磨面或鏡面加工面亦可。傳熱構件10b外側的鏡面加工面，普遍是藉由研磨處理來形成，但亦可僅由切削來形成。 　　對傳熱構件10b的內側面進行陽極化處理(例如硬質陽極化處理)，藉此可提升放熱性，在來自發熱體10a的熱接觸的情況，可將熱從傳熱構件10b直接往流體加熱部1傳導，即使是傳熱構件10b與流體加熱部1有著距離的情況，亦可藉由高放射性(高輻射熱)來對液體加熱部1均勻且提昇效率地傳導。且，在流體加熱部1接觸傳熱構件10b的情況，熱是從接觸部分來傳導，但熱從傳熱構件10b往流體加熱部1移動時，若傳熱構件10b的內側表面沒有施以陽極化處理的話，就發射率的關係來看，熱會在傳熱構件10b的內側表面反射，而存在有不移動至流體加熱部1的熱。相對於此，若如本實施形態般在傳熱構件10b的內側表面施以陽極化處理的話，由於發射率較高，幾乎沒有熱會在與流體加熱部1接觸的面反射，來自傳熱構件10b的熱幾乎全部都被傳導至流體加熱部1。 　　此外，對傳熱構件10b的外側面進行鏡面加工，藉此可抑制往加熱器10之外側的放熱作用。藉此，能得到謀求省能源化的優點。又，並不限於硬質陽極化處理，通常的陽極化處理亦可發揮出同樣的效果。陽極層的厚度，只要為通常的陽極化處理所形成的厚度(例如1μm以上)的話，能發揮出同樣的效果。但是，硬質陽極化處理，在運用之際難以受傷，比起通常的陽極化處理，有著膜剝落的虞慮較小的優點。 　　以下，參照圖1等，詳細說明本實施形態之流體控制裝置100之更具體的構造。 　　氣化部4，是具備本體40，其將不銹鋼製的氣化區塊41與氣體加熱區塊42予以連結而構成。氣化區塊體41，是在上部形成有液供給口，在內部形成有氣化室41a。於氣體加熱區塊42，形成有氣體加熱室42a，其連通於從氣化室41a的上部延伸的氣體流路，且在上部形成有氣體排出口。氣體加熱室42a，具有在圓筒狀的空間內設有圓柱狀之加熱促進體的構造，使圓筒狀空間與加熱促進體之間的間隙成為氣體流路。於氣化區塊41與氣體加熱區塊42之間的氣體連通部，中介有具通孔的密封墊片43，使氣體通過該等之具通孔的密封墊片43的通孔，藉此防止氣體的波動。 　　預加熱部2，是具備預加熱區塊21，其透過液體填充用閥3來連接於氣化部4的氣化區塊41。於預加熱區塊21的內部形成有液貯留室23。液貯留室23，是連通於設在側面的液流入通口22及設在上表面的液流出口。預加熱區塊21，是將從圖外的貯液槽以既定壓力壓送過來的液體原料L貯留在液貯留室23，並在供給至氣化室41a之前使用第1加熱器12來預熱。又，在液貯留室23內配置增加表面積用之圓柱狀的加熱促進體。 　　液體填充用閥3，是將與預加熱區塊21和氣化區塊體41連通的供給路4使用閥機構來進行開閉或是開度調整，藉此控制液體原料L對氣化部4的供給量。作為液體填充用閥3，例如可使用氣動閥。於氣化區塊41的液供給口，中介設有形成有細孔的密封墊片44，使液體原料通過密封墊片44的細孔，藉此調整對氣化室41a內的供給量。 　　本實施形態中，流體控制部6，是高溫對應型的壓力式控制裝置，例如可具有專利文獻2所記載的構造。高溫對應型的壓力式控制裝置，例如具備：以在內部設有氣體流路為本體的閥區塊、中介於氣體流路的金屬製隔膜閥體、於縱方向並排的放熱墊塊及壓電驅動元件、中介在金屬隔膜閥體之下游側的氣體流路且形成有微細孔的孔口構件(孔口板等)、以及檢測金屬隔膜閥體與孔口構件之間之氣體流路內之壓力的流量控制用壓力檢測器。放熱墊塊，是以不變鋼材等所形成，即使在氣體流路流動有高溫的氣體亦可防止壓電驅動元件成為耐熱溫度以上的情況。高溫對應型的壓力式控制裝置，是構成為：在壓電驅動元件非通電時，金屬隔膜閥體是抵接於閥座而關閉氣體流路，另一方面，對壓電驅動元件通電藉此使壓電驅動元件伸張，使金屬隔膜閥體藉由自我彈性力復歸至原本的倒盤子形狀而使氣體流路開通。 　　圖3是示意表示流體控制部6(壓力式流量控制裝置)之構造例的圖。壓力式流量控制裝置6，具備：孔口構件71、以金屬隔膜閥體及壓電驅動元件所構成的控制閥80、設在孔口構件71與控制閥80之間的壓力檢測器72及溫度檢測器73。孔口構件71是作為限縮部而設置者，亦可取代此而使用臨界噴嘴或音速噴嘴。孔口或噴嘴的口徑，例如設定成10μm～500μm。 　　壓力檢測器72及溫度檢測器73，是透過AD轉換器來連接於控制電路82。AD轉換器，亦可內藏在控制電路82。控制電路82，亦連接於控制閥80，基於壓力檢測器72及溫度檢測器73的輸出等而生成控制訊號，藉由該控制訊號來控制控制閥80的動作。 　　壓力式流量控制裝置6，可進行與以往相同的流量控制動作，可使用壓力檢測器72，基於上游壓力P1(孔口構件71上游側的壓力)來控制流量。壓力式流量控制裝置6，在其他的態樣中，亦可在孔口構件71的下游側具備壓力檢測器，成為基於上游壓力P1及下游壓力P2來檢測流量的構造。 　　在壓力式流量控制裝置6，當符合臨界膨張條件P1／P2≧約2(其中，P1：限縮部上游側的氣體壓力(上游壓力)，P2：限縮部下游側的氣體壓力(下游壓力)，約2是氮氣的情況)時，通過限縮部之氣體的流速會固定在音速，利用流量不是由下游壓力P2而是由上游壓力P1來決定的原理，來進行流量控制。在符合臨界膨張條件時，限縮部下游側的流量Q，是藉由Q=K1 ・P1(K1 為流體的種類與依存於流體溫度的常數)來賦予，使流量Q與上游壓力P1成比例。且，具備下游壓力感測器的情況，即使是上游壓力P1與下游壓力P2的差變小，而沒有符合臨界膨張條件的情況，亦可算出流量，根據由各壓力感測器所測量到的上游壓力P1及下游壓力P2，可由既定的計算式Q=K2 ・P2m (P1-P2)n (在此K2 為流體的種類與依存於流體溫度的常數，m、n為以實際的流量為基準所導出的指數)來算出流量Q。 　　控制電路82，是基於壓力檢測器72的輸出(上游壓力P1)等，由上述的Q=K1 ・P1或Q=K2 ・P2m (P1-P2)n 以演算來求出流量，並對控制閥80進行回授控制來使該流量接近使用者所輸入的設定流量。由演算所求出的流量，亦可作為流量輸出值來表示。 　　且，在本實施形態的流體控制裝置100，是如圖1所示般，使墊塊區塊50連結於氣體加熱區塊42，使流體控制裝置6的閥區塊連結於墊塊區塊50。以跨越氣體加熱區塊42與墊塊區塊50的方式來固定之流路區塊5內的氣體流路，是使氣體加熱區塊42的氣體加熱室42a與墊塊區塊50的氣體流路連通。墊塊區塊50的氣體流路，是連通於流體控制裝置6之閥區塊的氣體流路。且，截止閥56的下游側，是例如連接於半導體製造裝置的製程腔室，在氣體供給時使製程腔室的內部藉由真空泵來減壓，並將既定流量的原料氣體供給至製程腔室。 [產業上的可利用性] 　　本發明之實施形態的流體控制裝置，例如，可在MOCVD用的半導體製造裝置中，為了將原料氣體供給至製程腔室而使用。
1‧‧‧流體加熱部
2‧‧‧預加熱部
3‧‧‧液體填充用閥
4‧‧‧氣化部
5‧‧‧流路區塊
6‧‧‧流體加熱部
10‧‧‧加熱器
13、13’‧‧‧隔熱構件
56‧‧‧截止閥
100‧‧‧流體控制裝置
圖1為表示本發明之實施形態之流體控制裝置的示意圖。 　　圖2(a)及(b)是加熱器的分解立體圖，分別表示從斜上方觀看時、以及從斜下方觀看時。 　　圖3為表示本發明之實施形態之流體控制部之構造例的示意圖。

Claims (4)

  1. 一種流體控制裝置，是具備：在內部設有流路或流體收容部且互相連接的複數個流體加熱部、以將前述複數個流體加熱部加熱成不同溫度的方式來構成的加熱器、以及配置在鄰接的流體加熱部之間的隔熱構件，前述複數個流體加熱部，是含有：氣化部、將供給至前述氣化部的液體予以預加熱的預加熱部、以及對從前述氣化部所送出的氣體進行控制或測定的流體控制測定部，在鄰接的前述氣化部與前述預加熱部之間配置有前述隔熱構件，還具有：設在前述流體控制測定部之下游側的截止閥，在前述截止閥的閥下游側流路與閥上游側流路之間，進一步設有隔熱構件。
  2. 如請求項1所述之流體控制裝置，其中，前述加熱器，是含有：加熱前述預加熱部的第1加熱器、加熱前述氣化部的第2加熱器、以及加熱前述流體控制測定部的第3加熱器，且構成為各自獨立地加熱前述預加熱部、前述氣化部及前述流體控制測定部。
  3. 一種流體控制裝置，是具備：在內部設有流路或流體收容部且互相連接的複數個流體加熱部、以將前述複數個流體加熱部加熱成不同溫度的方式來構成的加熱器、以及配置在鄰接的流體加熱部之間的隔熱構件，前述複數個流體加熱部，是含有：氣化部、將供給至前述氣化部的液體予以預加熱的預加熱部、以及對從前述氣化部所送出的氣體進行控制或測定的流體控制測定部，在鄰接的前述氣化部與前述預加熱部之間配置有前述隔熱構件，前述加熱器，是含有：加熱前述預加熱部的第1加熱器、加熱前述氣化部的第2加熱器、以及加熱前述流體控制測定部的第3加熱器，且構成為各自獨立地加熱前述預加熱部、前述氣化部及前述流體控制測定部。
  4. 如請求項2或3所述之流體控制裝置，其中，在前述第1加熱器與前述第2加熱器之間設有間隙，前述隔熱構件是設在前述第1加熱器與前述第2加熱器之間的間隙的位置。
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