TWI668450B - 測試系統及其方法 - Google Patents

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TWI668450B TW107126488A TW107126488A TWI668450B TW I668450 B TWI668450 B TW I668450B TW 107126488 A TW107126488 A TW 107126488A TW 107126488 A TW107126488 A TW 107126488A TW I668450 B TWI668450 B TW I668450B
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Abstract

一種測試系統用以測試待測裝置，其中待測裝置包括複數待測電路，測試系統包括：探針卡、測試設備以及控制器。探針卡包括複數探針，探針係電性耦接至待測電路。測試設備固持探針卡，並透過探針卡測試待測電路。控制器控制測試設備，並執行測試程序。測試程序包括：量測探針卡與待測電路之每一者的接觸電阻；決定接觸電阻之統計數值；判斷統計數值是否超過第一臨限值；當統計數值不超過第一臨限值時，設定清針指標為第一狀態；當統計數值超過第一臨限值時，設定清針指標為第二狀態；以及根據清針指標，對探針執行清針程序。

Description

測試系統及其方法
本發明係有關於一種測試系統以及測試方法，特別係有關於一種智慧選擇清針方案來達成自動清針最佳化的測試系統以及測試方法。
晶圓測試的穩定度與探針卡(probe card)的狀況跟設定有直接關係，其中探針的針尖(probe tip)與晶圓上的探針焊墊(probe pad)之間的接觸阻抗(contact resistance)之大小，更是直接影響晶圓的測試品質與良率。然而，接觸阻抗的大小又因探針針尖的潔淨度與形狀所主宰，為了提高晶圓的測試品質與良率，需要時常藉由清針程序來清潔探針針尖，並且對探針針尖重新塑形。
清針程序可大致分為線上清針(online cleaning)以及離線清針(offline cleaning)兩種。線上清針的速度較快，能夠快速的將探針恢復至一定水準，以利後續量測。然而，離線清針儘管能夠應付各種狀況，但卻需要耗費大量的時間，以致拉長整體量測的時間，進而大幅提高量測成本。
再者，已知良好的晶粒(known good die)測試需涵蓋產品的速度及嚴謹的參數測試，該些測試項目對探針與待測電路的接觸品質要求特別高，若無良好的清針 機制，會造成測試良率極大的損失。
因此，我們需要更有效率的清針程序讓探針卡的接觸阻抗得以動態的維持在所需規格內，確保測試品質並提昇良率。
有鑑於此，本發明提出一種測試系統，用以測試一待測裝置，其中上述待測裝置包括複數待測電路，上述測試系統包括：一探針卡、一測試設備以及一控制器。上述探針卡包括複數探針，其中上述探針係用以暫時性地電性耦接至上述待測電路。上述測試設備固持上述探針卡，並透過上述探針卡測試上述待測電路。上述控制器控制上述測試設備，並執行一測試方法，其中上述測試程序包括：量測上述探針卡與上述待測電路之每一者的一接觸電阻；決定上述接觸電阻之一統計數值；判斷上述統計數值是否超過一第一臨限值；當上述統計數值不超過上述第一臨限值時，設定一清針指標為一第一狀態；當上述統計數值超過上述第一臨限值時，設定上述清針指標為一第二狀態；以及根據上述清針指標，對上述探針執行一清針動作。
本發明更提出一種測試方法，適用於用以量測一待測裝置之一探針卡，其中上述待測裝置包括複數待測電路，上述探針卡包括複數探針，上述探針卡電性耦接至上述待測電路，上述測試方法包括：量測上述探針卡與上述待測電路之每一者的一接觸電阻；決定上述接觸電阻之 一統計數值；判斷上述統計數值是否超過一第一臨限值；當上述統計數值不超過上述第一臨限值時，設定一清針指標為一第一狀態；當上述統計數值超過上述第一臨限值時，設定上述清針指標為一第二狀態；以及根據上述清針指標，對上述探針執行一清針動作。
100‧‧‧測試系統
201、300‧‧‧測試程序
110‧‧‧探針卡
202、400‧‧‧量測程序
120‧‧‧測試設備
203、500‧‧‧清針程序
130‧‧‧控制器
S310~S380‧‧‧步驟流程
10‧‧‧待測裝置
S410~S480‧‧‧步驟流程
200‧‧‧測試方法
S501~S517‧‧‧步驟流程
第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之測試系統之方塊圖。
第2圖係顯示根據本發明之一實施例所述之測試方法之流程圖。
第3圖係顯示根據本發明之一實施例所述之測試程序之流程圖。
第4圖係顯示根據本發明之一實施例所述之量測程序之流程圖。
第5A-5B圖係顯示根據本發明之一實施例所述之清針程序之流程圖。
以下說明為本發明的實施例。其目的是要舉例說明本發明一般性的原則，不應視為本發明之限制，本發明之範圍當以申請專利範圍所界定者為準。
值得注意的是，以下所揭露的內容可提供多個用以實踐本發明之不同特點的實施例或範例。以下所述之特殊的元件範例與安排僅用以簡單扼要地闡述本發明之精 神，並非用以限定本發明之範圍。此外，以下說明書可能在多個範例中重複使用相同的元件符號或文字。然而，重複使用的目的僅為了提供簡化並清楚的說明，並非用以限定多個以下所討論之實施例以及/或配置之間的關係。此外，以下說明書所述之一個特徵連接至、耦接至以及/或形成於另一特徵之上等的描述，實際可包含多個不同的實施例，包括該等特徵直接接觸，或者包含其它額外的特徵形成於該等特徵之間等等，使得該等特徵並非直接接觸。
如第1圖所示，測試系統100耦接至待測裝置10，測試系統100包括探針卡110、測試設備120以及控制器130。待測裝置10包括複數待測電路，其中測試系統100用以測試與量測待測裝置10之複數待測電路。根據本發明之一實施例，待測裝置10係為一晶圓，複數待測電路係為製作於晶圓上之各個電路。
探針卡110包括複數探針，其中複數探針用以電性耦接至待測裝置10之複數待測電路。根據本發明之一實施例，待測裝置10之待測電路之每一者皆具有複數個探針焊墊(probe pad)，探針卡110之探針用以暫時性地與探針焊墊相互電性耦接，用以量測複數待測電路之電性參數。此外，當量測完成時，探針卡110之探針可與探針焊墊電性分離，並移動至下一個待測電路。
當探針卡110之複數探針與待測裝置10的接觸時，可量測複數待測電路之一者的電性參數。根據本發明之另一實施例，當探針卡110之複數探針與待測裝置10的接 觸時，可量測一既定數目之複數待測電路的電性參數，其中既定數目係由設計者而定。
測試設備120固持探針卡110，並且透過探針卡110之複數探針測試待測裝置10之複數待測電路。控制器130用以控制測試設備120量測待測裝置10之複數待測電路的電性參數，根據本發明之一實施例，控制器130用以控制測試設備120透過探針卡110，對待測裝置10之複數待測電路的每一者施加測試條件，並紀錄施加的測試條件下待測電路之電性參數。
根據本發明之一實施例，當控制器130控制測試設備120來量測待測裝置10之複數待測電路之電性參數時，控制器130執行一測試方法。該測試方法將於下文中詳細敘述。
以下針對測試方法之敘述，將搭配第1圖之方塊圖，以利詳細說明。如第2圖所示，測試方法200包括測試程序201、量測程序202以及清針程序203。測試程序201用以量測探針卡110與待測裝置10之複數待測電路的接觸電阻，並藉由接觸電阻來判斷探針卡110之複數探針之狀態。
量測程序202用以量測待測裝置10之複數待測電路之電性參數。清針程序203用以根據探針卡110之複數探針的狀態，選取不同的清針方案來對複數探針進行清針動作。以下將分別針對測試程序201、量測程序202以及清針程序203進行詳細說明。
第3圖所示之測試程序300，係對應至第2圖之測試程序201。首先，量測待測裝置10之待測電路的接觸電阻(步驟S310)，當測得複數待測電路的接觸電阻時，將接觸次數以及連續接觸次數加1(步驟S320)。下文中，將詳細敘述接觸次數以及連續接觸次數。
測試系統100係量測既定數量之待測電路的接觸電阻，當測得待測電路的接觸電阻時，隨即將接觸次數加1，其中既定數量係由設計者所決定。舉例而言，當探針卡110與待測裝置10接觸時，測試系統100可同時量測特定數量之待測電路，其中特定數量係為1或1以上之整數，接觸次數即代表探針卡110與待測裝置10之間的接觸次數。
舉例而言，假定特定數量係為1，當測試系統100量測一待測電路後，接觸次數加1；假定特定數量係為10，當測試系統100量測10個待測電路後，接觸次數加1。由於接觸次數將於執行清針動作後歸零，因此接觸次數又代表在執行清針動作後，探針卡110與待測裝置10之間的接觸次數。
接著，控制器130決定測得之接觸電阻之統計數值(步驟S330)。根據本發明之一實施例，統計數值係為中位數。根據本發明之另一實施例，統計數值係為平均值。根據本發明之其他實施例，統計數值可為其他具有統計意義之數值。當測試系統100測得既定數量之待測電路的接觸電阻時，控制器130判斷既定數量之待測電路的接觸電阻之統計數值，其中既定數量係為1或大於1之整數。控制器130 更判斷統計數值是否超過第一臨限值(步驟S340)。當統計數值並未超過第一臨限值時，控制器130設定清針指標為第一狀態(步驟S350)，並開始執行第2圖之量測程序202；當判斷統計數值超過第一臨限值時，控制器130設定清針指標為第二狀態(步驟S360)。
接著，當於步驟S340中判斷統計數值超過第一臨限值時，控制器130更判斷接觸次數是否超過第二臨限值(步驟S370)。當判斷接觸次數不超過第二臨限值時，控制器130將清針指標設定為第三狀態(步驟S380)，並開始執行第2圖之量測程序202；當判斷接觸次數超過第二臨限值時，控制器130結束測試程序300，並開始執行第2圖之量測程序202。
由於接觸次數代表清針後探針卡110與待測裝置10之間的接觸次數，因此當控制器130判斷統計數值超過第一臨限值且接觸次數並未超過第二臨限值時，代表清針頻率已經升高並觸及臨界點，詳細的清針方案將於清針程序中說明。
第4圖所示量測程序400，係對應至第2圖之量測程序202。當控制器130於第3圖之步驟S370判斷接觸次數超過第二臨限值時，控制器130結束測試程序300，選取待測裝置10之待測電路之至少一者(步驟S410)。
根據本發明之一實施例，測試系統100係於步驟S310量測既定數量之待測電路的接觸電阻，因此控制器130於步驟S410選取該既定數量之待測電路之至少一者作 為選取待測電路，並於步驟S420量測選取待測電路的複數電性參數。根據本發明之其他實施例，測試系統100可於步驟S410中選取一或多個待測電路，並於步驟S420中同時量測步驟S410中選取之一或多個待測電路的複數電性參數，選取待測電路之數量將視探針卡110之實際狀況而定，在此並非以任何形式限定於此。
接著，控制器130判斷量測待測電路之複數電性參數是否成功(步驟S430)。當控制器130判斷量測待測電路之複數電性參數不成功時，控制器130將該待測電路對應的探針卡位置之連續量測失敗次數加1(步驟S440)；當控制器130判斷量測待測電路之複數電性參數成功時，控制器130將連續量測次數歸零(步驟S450)。連續量測失敗次數代表待測裝置10上之同一待測電路連續多次探針卡接觸的量測失敗次數，當步驟S430判斷為成功時執行步驟S450，隨即將待測電路對應的探針卡位置之連續量測失敗次數歸零。
回到步驟S450，當判斷量測複數電性參數成功而將待測電路對應的探針卡位置之連續量測失敗次數歸零後，控制器130判斷是否具有下一待測電路(步驟S460)。當判斷沒有下一待測電路時，控制器130接著執行第2圖之清針程序203；當判斷仍有下一待測電路時，控制器130選取下一待測電路(步驟S470)，並重新執行步驟S420。
根據本發明之一實施例，測試系統100於步驟S310量測既定數量之待測電路之接觸電阻，因此控制器130 於步驟S460係判斷該既定數量之待測電路是否具有尚未執行步驟S420之量測動作的待測電路。當控制器130於步驟S460判斷該既定數量之待測電路係皆已執行步驟S420之量測動作時，控制器130執行第2圖之清針程序203。
當控制器130於步驟S460判斷該既定數量之待測電路仍有尚未執行步驟S420之量測動作的待測電路時，控制器130選取該既定數量之待測電路中尚未量測之下一者，並重新執行步驟S420。根據本發明之一實施例，控制器130可於步驟S470選取一或多個待測電路，其中選取之待測電路的數量係視探針卡110之實際狀況而定，在此並非以任何形式限定於此。
回到步驟S440，當判斷量測複數電性參數不成功而將該待測電路位置連續量測失敗次數加1後，控制器130接著判斷連續量測失敗次數是否超過第三臨限值(步驟S480)。當在步驟S480中判斷連續量測失敗次數超過第三臨限值時，控制器130執行第2圖之清針程序203；當判斷連續量測次數不超過第三臨限值時，控制器130則對未完成的待測電路繼續執行步驟S420。
舉例而言，第三臨限值係為3。根據本發明之一實施例，當連續量測次數不超過3次時，代表探針卡110之複數探針的污損情況並不嚴重。當連續量測失敗次數超過3次時，代表探針卡110之複數探針的污損情況不可忽略，故逕行執行第2圖之清針程序203。
第5A-5B圖係顯示根據本發明之一實施例所述 之清針程序之流程圖。第5A-5B圖所示之清針程序500，係對應至第2圖之清針程序203。
回到第4圖之步驟S460，當控制器130於步驟S460中判斷沒有下一待測電路而開始執行清針程序500時，控制器130判斷清針指標係為第一狀態、第二狀態以及第三狀態之一者(步驟S501)。
當判斷清針指標係為第一狀態時，控制器130不對探針卡110上之複數探針進行清針動作(步驟S502)。當清針指標係為第二狀態時，控制器130選取第一清針方案(步驟S503)，並根據第一清針方案對探針卡110之複數探針進行清針動作(步驟S505)。第一清針方案係為採用高磨耗系數的清針片，藉以磨除探針卡110之複數探針之針尖的異物以及碳化層。
當清針指標係為第三狀態時，控制器130選取第二清針方案(步驟S504)，並根據第二清針方案對探針卡110之複數探針進行清針動作(步驟S506)。
根據本發明之一實施例，第二清針方案係為採用低磨耗系數且高沾黏系數的清針片，藉以探針卡110之複數探針之側邊的異物沾粘去除，並銳化複數探針的針尖。
根據本發明之一實施例，當控制器130於步驟S340判斷統計數值並未超過第一臨限值而於步驟S350將清針指標設定為第一狀態時，代表控制器130於步驟S310所量測到的接觸電阻值尚屬正常，故不須對探針卡110之複數探針進行清針動作。
根據本發明之另一實施例，當控制器130於步驟S340判斷統計數值超過第一臨限值而於步驟S360將清針指標設定為第二狀態時，代表控制器130於步驟S310所量測到的接觸電阻已經過大，表示探針卡110之複數探針的針尖可能沾有異物而使得針尖產生形變。因此控制器130於步驟S360將清針指標設定為第二狀態，並於步驟S505中根據第一清針方案，磨除探針卡110之複數探針之針尖的異物以及碳化層。
根據本發明之又一實施例，當控制器130判斷統計數值超過第一臨限值且接觸次數不超過第二臨限值而於步驟S380將清針指標設定為第三狀態時，代表探針卡110之複數探針之針尖可能因磨耗而變得扁平化，或是探針卡110之複數探針的側邊可能沾粘異物。因此控制器130於步驟S506根據第二清針方案，用以探針卡110之複數探針之側邊的異物清除，並銳化複數探針的針尖。
回到第4圖之步驟S480，當控制器130於步驟S480判斷連續量測失敗次數超過第三臨限值時，控制器130選取第三清針方案(步驟S507)，並根據第三清針方案對探針卡110之複數探針進行清針動作(步驟S508)。根據本發明之一實施例，第三清針方案係為採用高沾黏系數的清針片，藉以探針卡110之複數探針之針尖沾粘的異物去除。
根據本發明之一實施例，當連續量測失敗次數超過第三臨限值時，代表量測之待測電路係已連續多次量測失敗，可能為探針卡110之某些探針之針尖沾粘異物或粒 子所造成，因此利用高沾粘係數的清針片將探針之針尖的異物或粒子移除。
當完成步驟S505、步驟S506或步驟S508後，控制器130將接觸次數以及清針指標歸零(步驟S509)。根據本發明之一實施例，由於接觸次數在執行清針動作後歸零，代表接觸次數係代表控制器130執行清針動作後，探針卡110與待測裝置10之間的接觸次數。
當步驟S502或步驟S509完成後，控制器130隨即將清針次數加1(步驟S510)，並計算清針頻率(步驟S511)。根據本發明之一實施例，控制器130根據第3圖之步驟S320所計數之連續接觸次數以及清針次數，計算清針頻率。也就是，清針頻率係為清針次數與連續接觸次數之比值。
接著，控制器130更判斷清針頻率是否超過第四臨限值(步驟S512)。當判斷清針頻率超過第四臨限值時，控制器130更判斷是否待測裝置10具有尚未量測之下一待測電路(步驟S513)。當判斷具有下一待測電路時，控制器130選取下一待測電路(步驟S514)，並回到步驟S310。
當判斷沒有下一待測電路時，控制器130發出警示(步驟S515)。根據本發明之一實施例，當清針頻率超過第四臨限值時，代表對探針卡110進行清針動作的頻率過於頻繁，因此當判斷沒有下一待測裝置110後，控制器發出警示通知測試者檢修探針卡110，以利後續的量測。
回到步驟S512，當判斷清針頻率並未超過第四 臨限值時，控制器130更判斷連續接觸次數是否超過第五臨限值(步驟S516)。當連續接觸次數並未超過第五臨限值時，控制器130判斷是否具有下一待測裝置(步驟S513)；當連續次數超過第五臨限值時，控制器130將連續接觸次數以及清針次數歸零(步驟S517)後，再執行步驟S513。
根據本發明之一實施例，連續接觸次數用以監控在第五臨限值內之清針頻率，因此當連續接觸次數超過第五臨限值時，將連續接觸次數以及清針次數歸零，亦即將清針頻率歸零，用以重新監控下一批量的清針頻率。根據本發明之一實施例，接觸次數係於步驟S509歸零，亦即進行清針動作(步驟S505、步驟S506或步驟S508)後歸零，因此代表接觸次數用以計數執行清針動作後探針卡110與待測裝置10之接觸次數。
根據本發明之一實施例，步驟S516以及步驟S517亦可與測試程序300、量測程序400以及清針程序500之任一步驟並列執行。亦即，當控制器130執行測試方法200之任何步驟時，控制器130可隨時監控連續接觸次數是否超過第五臨限值(步驟S516)，並且當連續接觸次數超過第五臨限值時，立即將連續接觸次數歸零(步驟S517)。
由於本發明所提之測試方法係根據不同的情況選取不同的清針方案對探針卡的探針進行清針動作，使得線上清針(online cleaning)能夠排除探針卡所面對之大多數的狀況，進而減少離線清針(offline cleaning)的次數，並降低離線清針所耗費的時間成本。此外，本發明所提出 之測試方法更有效的維持探針與待測電路之間良好的接觸品質，進而減少良率的損耗。
以上所述為實施例的概述特徵。所屬技術領域中具有通常知識者應可以輕而易舉地利用本發明為基礎設計或調整以實行相同的目的和/或達成此處介紹的實施例的相同優點。所屬技術領域中具有通常知識者也應了解相同的配置不應背離本創作的精神與範圍，在不背離本創作的精神與範圍下他們可做出各種改變、取代和交替。說明性的方法僅表示示範性的步驟，但這些步驟並不一定要以所表示的順序執行。可另外加入、取代、改變順序和/或消除步驟以視情況而作調整，並與所揭露的實施例精神和範圍一致。

Claims (10)

  1. 一種測試系統，用以測試一待測裝置，其中上述待測裝置包括複數待測電路，上述測試系統包括：一探針卡，包括複數探針，其中上述探針係用以暫時性地電性耦接至上述待測電路；一測試設備，固持上述探針卡，並透過上述探針卡測試上述待測電路；以及一控制器，控制上述測試設備，並執行一測試方法，其中上述測試方法包括：執行一測試程序；量測上述探針卡與上述待測電路之每一者的一接觸電阻；決定上述接觸電阻之一統計數值；判斷上述統計數值是否超過一第一臨限值；當上述不超過上述第一臨限值時，設定一清針指標為一第一狀態；當上述統計數值超過上述第一臨限值時，設定上述清針指標為一第二狀態；在上述設定上述清針指標為上述第二狀態之步驟之後，將上述探針卡與上述待測裝置之一接觸次數加1；判斷上述接觸次數是否超過一第二臨限值；以及當上述接觸次數不超過上述第二臨限值且上述統計數值超過上述第一臨限值時，設定上述清針指標為一第三狀態；以及在上述執行上述測試程序之步驟之後，根據上述第一狀態、上述第二狀態以及上述第三狀態，選擇對應的清針方案對上述探針執行一清針動作。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之測試系統，其中在上述設定上述清針指標為上述第二狀態之步驟以及上述設定上述清針指標為上述第三狀態之步驟之後，上述控制器更執行一量測程序，其中上述量測程序包括：選取上述待測電路之一者為一選取待測電路；量測上述選取待測電路的複數電性參數；判斷量測上述電性參數是否成功；當量測上述電性參數不成功時，將一連續量測失敗次數加1；判斷上述連續量測失敗次數是否超過一第三臨限值；當上述連續量測失敗次數並未超過上述第三臨限值時，再次量測上述選取待測電路的上述電性參數；當上述連續量測失敗次數超過上述第三臨限值時，對上述探針執行上述清針動作；當量測上述電性參數成功時，歸零上述連續量測失敗次數；選取上述待測電路之下一者為上述選取待測電路；以及量測上述選取待測電路的上述電性參數。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之測試系統，其中上述控制器更執行一清針程序，其中上述清針程序包括：判斷上述清針指標係為上述第一狀態、上述第二狀態以及上述第三狀態之一者；當上述清針指標為上述第一狀態時，不對上述探針進行上述清針動作；當上述清針指標為上述第二狀態時，選取一第一清針方案；根據上述第一清針方案，對上述探針進行上述清針動作，其中上述第一清針方案用以磨除上述探針之針尖的異物以及碳化層；當上述清針指標為上述第三狀態時，選取一第二清針方案；根據上述第二清針方案，對上述探針進行上述清針動作，其中上述第二清針方案用以磨除上述探針之側邊的異物並銳化上述探針的針尖；以及當執行上述清針動作後，歸零上述接觸次數以及上述清針指標。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之測試系統，其中上述清針程序更包括：當上述連續量測失敗次數超過上述第三臨限值時，選取一第三清針方案；以及根據上述第三清針方案，對上述探針進行上述清針動作，其中上述第三清針方案利用沾粘之方式，移除上述探針上的異物。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之測試系統，其中上述測試程序更包括：計數上述探針卡與上述待測裝置之一連續接觸次數；其中上述清針程序更包括：計數上述清針動作之一清針次數；根據上述連續接觸次數以及上述清針次數，決定一清針頻率；判斷上述清針頻率是否超過一第四臨限值；當上述清針頻率超過上述第四臨限值時，發出一警示；判斷上述連續接觸次數是否超過一第五臨限值；以及當上述連續接觸次數超過一第五臨限值時，歸零上述連續接觸次數以及上述清針次數。
  6. 一種測試方法，適用於一探針卡，其中上述探針卡用以量測一待測裝置，上述待測裝置包括複數待測電路，上述探針卡包括複數探針，上述探針卡電性耦接至上述待測電路，上述測試方法包括：量測上述探針卡與上述待測電路之每一者的一接觸電阻；決定上述接觸電阻之一統計數值；判斷上述統計數值是否超過一第一臨限值；當上述統計數值不超過上述第一臨限值時，設定一清針指標為一第一狀態；當上述統計數值超過上述第一臨限值時，設定上述清針指標為一第二狀態；在上述設定上述清針指標為上述第二狀態之步驟之後，將上述探針卡與上述待測裝置之一接觸次數加1；判斷上述接觸次數是否超過一第二臨限值；當上述接觸次數不超過上述第二臨限值且上述統計數值超過上述第一臨限值時，設定上述清針指標為一第三狀態；以及在上述執行上述測試程序之步驟之後，根據上述第一狀態、上述第二狀態以及上述第三狀態，選擇對應的清針方案對上述探針執行一清針動作。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之測試方法，其中在上述設定上述清針指標為上述第二狀態之步驟以及上述設定上述清針指標為上述第三狀態之步驟之後，上述測試方法更包括：選取上述待測電路之一者為一選取待測電路；量測上述選取待測電路的複數電性參數；判斷量測上述電性參數是否成功；當量測上述電性參數不成功時，將一連續量測失敗次數加1；判斷上述連續量測失敗次數是否超過一第三臨限值；當上述連續量測失敗次數並未超過上述第三臨限值時，重新量測；當上述連續量測失敗次數超過上述第三臨限值時，對上述探針執行上述清針動作；當量測上述電性參數成功時，歸零上述連續量測失敗次數；選取上述待測電路之下一者為上述選取待測電路；以及量測上述選取待測電路的上述電性參數。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之測試方法，更包括：判斷上述清針指標係為上述第一狀態、上述第二狀態以及上述第三狀態之一者；當上述清針指標為上述第一狀態時，不對上述探針進行上述清針動作；當上述清針指標為上述第二狀態時，選取一第一清針方案；根據上述第一清針方案，對上述探針進行上述清針動作，其中上述第一清針方案用以磨除上述探針之針尖的異物以及碳化層；當上述清針指標為上述第三狀態時，選取一第二清針方案；根據上述第二清針方案，對上述探針進行上述清針動作，其中上述第二清針方案用以磨除上述探針之側邊的異物並銳化上述探針的針尖；以及當執行上述清針動作後，歸零上述接觸次數以及上述清針指標。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之測試方法，其中上述清針程序更包括：當上述連續量測失敗次數超過上述第三臨限值時，選取一第三清針方案；以及根據上述第三清針方案，對上述探針進行上述清針動作，其中上述第三清針方案用以利用沾粘之方式，移除上述探針上的異物。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之測試方法，更包括：計數上述探針卡與上述待測裝置之一連續接觸次數；計數上述清針動作之一清針次數；根據上述連續接觸次數以及上述清針次數，決定一清針頻率；判斷上述清針頻率是否超過一第四臨限值；當上述清針頻率超過上述第四臨限值時，發出一警示；判斷上述連續接觸次數是否超過一第五臨限值；以及當上述連續接觸次數超過上述第五臨限值時，歸零上述執行次數以及上述清針次數。
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