TWI668197B - 氧化物靶材及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種氧化物靶材及其製造方法，所述氧化物靶材是用以形成抑制了臨限電壓的不穩定性且構成驅動高精細的顯示器等的TFT的通道層的ZTO薄膜。相對於金屬成分整體，含有20.0原子%～50.0原子%的Sn，剩餘部分包含Zn及不可避免的雜質，10000 μm2 的面積中的ZnO相的面積率為10.5面積%以下，更佳為相對於金屬成分整體，含有合計為0.005原子%～4.000原子%的Al、Ga、Mo及W中的一種以上。

Description

氧化物靶材及其製造方法
本發明是有關於一種氧化物靶材及其製造方法，所述氧化物靶材是用以形成驅動例如液晶顯示器或有機電致發光(electroluminescence，EL)顯示器等的薄膜電晶體的氧化物半導體層。
先前，於藉由薄膜電晶體(thin-film transistor，以下稱為「TFT」)驅動的方式的液晶顯示器或有機EL顯示器等顯示裝置中，主流是於TFT的通道層中採用非晶質矽膜或結晶質矽膜。而且，隨著顯示器的高精細化的要求，作為TFT的通道層中所使用的材料，開始關注氧化物半導體。例如，包含In、Ga、Zn、氧(O)的氧化物半導體膜(以下稱為「I-G-Z-O薄膜」)具有優異的TFT特性而開始實用化。該I-G-Z-O薄膜中所含的In或Ga是於日本被指定為稀有金屬儲備對象礦種的稀少且昂貴的金屬。
因此，作為並不含有所述I-G-Z-O薄膜中所含的In或Ga的氧化物半導體膜，開始關注Zn-Sn-O系氧化物半導體膜(以下稱為「ZTO薄膜」)。而且，該ZTO薄膜可藉由使用靶的濺鍍法而進行成膜。該濺鍍法為使離子或原子或者團簇(cluster)與靶表面碰撞，削去該物質的表面(或使其飛濺)，藉此使構成該物質的成分堆積於基板等的表面上而進行成膜的方法。
此處，ZTO薄膜為含有氧的薄膜，因此使用所謂的反應性濺鍍法，亦即於濺鍍法中，於含有氧的環境下進行成膜。該反應性濺鍍法為如下手法：利用在包含氬氣與氧氣的混合氣體的環境下進行濺鍍的方法，一邊使離子或原子或者團簇與氧反應一邊進行濺鍍，藉此形成氧化物系薄膜。
而且，該反應性濺鍍法中所使用的靶材是使用包含具有與ZTO薄膜的成分組成近似的成分組成的ZTO系氧化物燒結體的靶材。就生產性的觀點而言，此種靶材可適用於直流濺鍍法，為了提高成膜速度，而要求以高電力使用。於專利文獻1中提出有一種靶材用的燒結體，其藉由不使成為電弧放電的原因的氧化錫(SnO2)的結晶相含有於組織中，於高電力濺鍍中，亦可抑制電弧放電的產生並可提高成膜速度。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-277075號公報
根據本發明者的研究，確認到：將所述專利文獻1中所揭示的SnO2的結晶相得到抑制的燒結體作為靶材，利用濺鍍法來製成ZTO薄膜，並形成TFT，若該TFT暴露於光照射下負偏壓施加狀態(Negative Bias under Illumination Stress，以下稱為NBIS)下，則存在顯示出臨限電壓在負方向上發生位移的不穩定性的情況。
而且，若產生該臨限電壓的不穩定性問題，則產生難以獲得高精細顯示器用的驅動元件的問題。
本發明的目的在於提供一種氧化物靶材及其製造方法，所述氧化物靶材是用以形成抑制了臨限電壓的不穩定性且構成驅動高精細顯示器等的TFT的通道層的ZTO薄膜。
本發明者對所述課題進行了研究，結果發現：藉由將氧化物靶材的單位面積中的ZnO相的面積率設為規定的範圍內，可抑制臨限電壓的不穩定性，從而達成本發明。
即，本發明的氧化物靶材中，相對於金屬成分整體，含有20.0原子%~50.0原子%的Sn，剩餘部分包含Zn及不可避免的雜質，於10000μm2的面積中的ZnO相的面積率為10.5面積%以下。
另外，本發明的氧化物靶材較佳為相對於金屬成分整体，含有合計為0.005原子%~4.000原子%的Al、Ga、Mo及W中的一種以上。
另外，本發明的氧化物靶材可利用包括如下步驟的製造方法來獲得：造粒步驟，以相對於金屬成分整體，含有20.0原子%~50.0原子%的Sn，剩餘部分成為Zn及不可避免的雜質的方式，將ZnO粉末、SnO2粉末與純水及分散劑加以混合而製成漿料，使該漿料乾燥而製作造粒粉，對該造粒粉進行預燒而獲得包含Zn2SnO4與ZnO的預燒粉末；燒結步驟，將所述預燒粉末濕式粉 碎後，藉由注漿成形(slip casting)而製作成形體，將該成形體脫脂後，於大氣環境下進行煅燒而獲得氧化物燒結體；及研磨步驟，對所述氧化物燒結體的成為侵蝕面的面進行研磨，從而獲得ZnO相於成為侵蝕面的面中的10000μm2的面積中所佔的面積率為10.5面積%以下的氧化物靶材。
而且，較佳為於所述研磨步驟中，一邊確認亮度L*及色度b*，一面對成為侵蝕面的面進行研磨。
根據本發明，可獲得抑制了臨限電壓的不穩定性的ZTO薄膜。藉由抑制該臨限電壓的不穩定性，對於高精細的大型液晶顯示器或有機EL顯示器等的製造步驟中的TFT的通道層的形成而言為有用的技術。
1‧‧‧玻璃基板
2‧‧‧閘極電極
3‧‧‧閘極絕緣膜
4‧‧‧通道層
5‧‧‧源極電極
6‧‧‧汲極電極
圖1是本發明例1的氧化物靶材的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖2是本發明例2的氧化物靶材的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖3是比較例的氧化物靶材的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖4是TFT結構的概略圖。
圖5是本發明例3的視野1中的掃描式電子顯微鏡的反射電 子像。
圖6是本發明例3的視野2中的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖7是本發明例3的視野3中的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖8是本發明例4的視野1中的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖9是本發明例4的視野2中的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖10是本發明例4的視野3中的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖11是本發明例5的視野1中的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖12是本發明例5的視野2中的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖13是本發明例5的視野3中的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖14是本發明例6的視野1中的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖15是本發明例6的視野2中的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖16是本發明例6的視野3中的掃描式電子顯微鏡的反射電 子像。
圖17是本發明例7的視野1中的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖18是本發明例7的視野2中的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
圖19是本發明例7的視野3中的掃描式電子顯微鏡的反射電子像。
本發明的氧化物靶材的特徵在於：ZnO相於成為侵蝕面的面中的單位面積即10000μm2的面積中所佔的面積率為10.5面積%以下。藉此，本發明的氧化物靶材可形成均勻的ZTO薄膜，且可抑制TFT中的臨限電壓的不穩定性。另外，就與所述相同的理由而言，ZnO相的面積率較佳為於每10000μm2的面積中為10.3面積%以下，更佳為10.2面積%以下。
此處，關於本發明所述的ZnO相的面積率，可於氧化物靶材的侵蝕面的任意視野中，藉由掃描式電子顯微鏡而於反射電子像中以高對比拍攝Zn2SnO4相與ZnO相，使用圖像分析軟體(例如，奧林巴斯軟成像解決方案GMBH(OLYMPUS SOFT IMAGING SOLUTIONS GMBH)公司製造的「鈧(Scandium)」)來對該圖像進行測定。
再者，為了提高以所期望的圖案形成通道層時的蝕刻性，ZnO相的面積率較佳為於每10000μm2的面積中為2.0面積%以上，更 佳為5.0面積%以上。
本發明的氧化物靶材具有如下組成：相對於金屬成分整體，含有20.0原子%~50.0原子%的Sn，剩餘部分包含Zn及不可避免的雜質。
而且，本發明的氧化物靶材藉由將Sn量設為20.0原子%以上，可抑制使ZnO相粗大化或者多個ZnO相連結。另外，就與所述相同的理由而言，Sn量較佳為25.0原子%以上，更佳為29.0原子%以上。
另外，本發明的氧化物靶材藉由將Sn量設為50.0原子%以下，可提高以所期望的圖案形成通道層時的蝕刻性。另外，就與所述相同的理由而言，Sn量較佳為40.0原子%以下，更佳為35.0原子%以下。
而且，本發明的氧化物靶材藉由將Zn量設為50.0原子%以上，可提高以所期望的圖案形成通道層時的蝕刻性。另外，就與所述相同的理由而言，Zn量較佳為60.0原子%以上，更佳為65.0原子%以上。
另外，本發明的氧化物靶材藉由將Zn量設為80.0原子%以下，可抑制使ZnO相粗大化或者多個ZnO相連結。另外，就與所述相同的理由而言，Zn量較佳為75.0原子%以下，更佳為71.0原子%以下。
本發明的氧化物靶材較佳為利用Al、Ga、Mo及W中的一種以上以相對於金屬成分整體，合計成為0.005原子%~4.000原子 %的範圍來置換所述Sn及Zn中的一種以上的一部分。該些元素對於控制載子的遷移率或抑制光劣化而言為有用的元素。
而且，本發明的氧化物靶材更佳為含有合計為0.050原子%以上的該些元素，進而更佳為含有0.100原子%以上。另外，本發明的氧化物靶材更佳為含有合計為3.000原子%以下的該些元素，進而更佳為含有2.000原子%以下。
以下，對本發明的氧化物靶材的製造方法進行說明。
本發明的氧化物靶材的製造方法中，於造粒步驟中，以相對於金屬成分整體，含有20.0原子%~50.0原子%的Sn，剩餘部分成為Zn及不可避免的雜質的方式，將ZnO粉末、SnO2粉末與純水、分散劑加以混合而製成漿料，使該漿料乾燥後，製作造粒粉，對該造粒粉進行預燒而製作包含Zn2SnO4與ZnO的預燒粉末。
較佳為將用以製作所述預燒粉末的造粒粉的預燒溫度設定為1000℃~1200℃。藉由將預燒溫度設為1000℃以上，可使ZnO粉末與SnO2粉末的反應充分地進行，就該方面而言較佳，更佳為1050℃以上。
另外，藉由將預燒溫度設為1200℃以下，可抑制ZnO粉末與SnO2粉末的過度反應，並且可維持0.5μm~1.5μm這一適合於煅燒的粉末粒徑，藉此可獲得緻密的氧化物靶材，就該方面而言較佳，更佳為1120℃以下。
而且，較佳為將預燒溫度下的保持時間設為1小時~10小時的範圍。藉由將預燒溫度下的保持時間設為1小時以上，可促進 ZnO粉末與SnO2粉末的反應，就該方面而言較佳，更佳為2小時以上。
另外，藉由將預燒溫度下的保持時間設為10小時以下，可抑制ZnO粉末與SnO2粉末的燒結，就該方面而言較佳，更佳為7小時以下。
本發明的氧化物靶材的製造方法中，於煅燒步驟中，將所述造粒步驟中所獲得的預燒粉末濕式粉碎後，藉由注漿成形而製作成形體，經脫脂而於大氣環境下進行煅燒，從而獲得氧化物燒結體。
較佳為將大氣環境下的煅燒溫度設定為1300℃~1450℃。藉由將煅燒溫度設為1300℃以上，可促進燒結，且可獲得緻密的氧化物靶材，就該方面而言較佳。而且，就與所述相同的理由而言，煅燒溫度更佳為1350℃以上。
另外，藉由將煅燒溫度設為1450℃以下，可抑制因ZnO蒸發而產生的空孔，且可製成高密度的氧化物靶材，就該方面而言較佳。而且，就與所述相同的理由而言，更佳為將煅燒溫度設為1420℃以下。
而且，藉由將煅燒溫度下的保持時間設為4小時以上，可促進由煅燒所引起的緻密化，就該方面而言較佳。而且，就與所述相同的理由而言，更佳為將煅燒溫度下的保持時間設為8小時以上。
另外，若煅燒溫度下的保持時間超過15小時，則助長ZnO 相的成長，從而難以減小單位面積中的ZnO相的面積率。因此，為了獲得本發明的氧化物靶材，較佳為將煅燒溫度下的保持時間設為15小時以下。而且，就與所述相同的理由而言，更佳為將煅燒溫度下的保持時間設為12小時以下。
本發明中，藉由將所述煅燒步驟中所獲得的氧化物燒結體於非氧化性環境下還原熱處理，從而可使氧化物燒結體的電阻率降低，並可進行利用直流濺鍍的ZTO薄膜的成膜，就該方面而言較佳。氧化物燒結體的電阻率與氧化物燒結體中的缺氧密度相關聯。因此，藉由以1300℃以上進行還原熱處理，可使缺氧密度增加，且可使電阻率降低，就該方面而言較佳。而且，就與所述相同的理由而言，更佳為以1350℃以上進行還原熱處理。
另外，藉由以1450℃以下進行還原熱處理，除可抑制ZnO的蒸發以外，亦可抑制ZnO相的粗大化，就該方面而言較佳。而且，就與所述相同的理由而言，更佳為以1420℃以下進行還原熱處理。
而且，較佳為將還原熱處理的保持時間設為3小時以上。藉此，可均勻地形成氧化物燒結體中的缺氧狀態。而且，就與所述相同的理由而言，更佳為將還原熱處理的保持時間設為4小時以上。
另外，較佳為將還原熱處理的保持時間設為15小時以下。藉此，可抑制ZnO的蒸發與ZnO相的粗大化。而且，就與所述相同的理由而言，更佳為將還原熱處理的保持時間設為10小時以下。
而且，本發明的氧化物靶材可藉由如下方式而獲得：於 研磨步驟中，以ZnO相於所述煅燒步驟中所獲得的氧化物燒結體的成為侵蝕面的面中的10000μm2的面積中所佔的面積率成為10.5面積%以下的方式，對氧化物燒結體的成為侵蝕面的面進行研磨。此處，為了將ZnO相的面積率設為10.5面積%以下，實際上可藉由如下方式來實現：對氧化物燒結體的成為侵蝕面的面中的組織進行觀察，算出ZnO相的面積率，並交替地進行該算出與研磨。
另外，為了將ZnO相的面積率設為10.5面積%以下，實際上亦可藉由如下方式來實現：以日本工業標準(Japanese Industrial Standards，JIS)Z8781-4：2013中所規定的亮度L*及色度b*為指標，測定氧化物燒結體的成為侵蝕面的面中的L*及b*，並交替地進行該測定與研磨，以使L*成為60.3以下且b*成為-0.3以下。而且，L*及b*例如可使用柯尼卡美能達(Konica Minolta)股份有限公司製造的分光測色計(CM2500d)來測定。
[實施例1]
首先，以相對於金屬成分整體，Sn成為30.0原子%，剩餘部分成為Zn及不可避免的雜質的方式，秤量平均粒徑(累積粒度分佈的D50)為0.70μm的ZnO粉末、平均粒徑(累積粒度分佈的D50)為1.85μm的SnO2粉末，並投入至放入有規定量的純水與分散劑的攪拌容器內後，加以混合而獲得漿料。使該漿料乾燥並加以造粒後，以1090℃、4小時進行煅燒，從而獲得包含Zn2SnO4與ZnO的預燒粉末。預燒粉末藉由濕式粉碎而進行粒度 調整，以使平均粒徑(累積粒度分佈的D50)成為1μm。
然後，將所述預燒粉末濕式粉碎後，藉由注漿成形而獲得三片厚度10mm×直徑125mm的成形體。
繼而，將一片所獲得的成形體於1400℃、10小時、大氣環境下煅燒，繼而，於1400℃、4小時、氮氣環境下進行常壓的還原熱處理，從而獲得氧化物燒結體。然後，對該氧化物燒結體進行機械加工，製成厚度5mm×直徑50mm，針對成為侵蝕面的氧化物燒結體的表面，測定L*及b*，並交替地進行該測定與研磨，以使10000μm2的面積中的ZnO相的面積率成為10.5面積%以下，具體而言，L*成為60.3以下且b*成為-0.3以下，從而獲得成為本發明例1的氧化物靶材。再者，L*及b*的測定中使用柯尼卡美能達(Konica Minolta)股份有限公司製造的分光測色計(CM2500d)。
另外，將另一片所獲得的成形體於1400℃、10小時、大氣環境下煅燒，繼而，於1400℃、4小時、氮氣環境下進行常壓的還原熱處理，從而獲得氧化物燒結體。然後，對該氧化物燒結體進行機械加工，製成厚度5mm×直徑50mm，針對成為侵蝕面的氧化物燒結體的表面，測定L*及b*，並交替地進行該測定與研磨，以使10000μm2的面積中的ZnO相的面積率成為10.5面積%以下，具體而言，L*成為60.3以下且b*成為-0.3以下，從而獲得成為本發明例2的氧化物靶材。
另外，將進而另一片所獲得的成形體於1400℃、10小 時、大氣環境下煅燒，繼而，於1400℃、4小時、氮氣環境下進行常壓的還原熱處理，從而獲得氧化物燒結體。然後，對該氧化物燒結體進行機械加工，製成厚度5mm×直徑50mm，針對成為侵蝕面的氧化物燒結體的表面，測定L*及b*，並交替地進行該測定與研磨，以使10000μm2的面積中的ZnO相的面積率超過10.5面積%，具體而言，L*超過60.3且b*超過-0.3，從而獲得成為比較例的氧化物靶材。
將所述所獲得的本發明例1、本發明例2及比較例的氧化物靶材的成為侵蝕面的面的掃描式電子顯微鏡的反射電子像示於圖1~圖3中。於該掃描式電子顯微鏡的反射電子像中，對任意的縱：94.6μm×橫：130.6μm(面積：12355μm2)的視野中的成為10000μm2的1視野進行觀察，並測定存在於視野內的ZnO相的面積。此處，關於測定，藉由掃描式電子顯微鏡而於反射電子像中以高對比拍攝Zn2SnO4相與ZnO相，針對該圖像，使用圖像分析軟體(奧林巴斯軟成像解決方案GMBH(OLYMPUS SOFT IMAGING SOLUTIONS GMBH)公司製造的「鈧(Scandium)」)而獲得ZnO相的面積率。將其結果示於表1中。另外，亦併記有各氧化物靶材的成為侵蝕面的面的任意位置中的L*及b*的值以供參考。
根據表1的結果，確認到：本發明的氧化物靶材的10000μm2的面積中的ZnO相的面積率為10.5面積%以下。
另一方面，比較例的氧化物靶材的10000μm2的面積中的ZnO 相的面積率超過10.5面積%，超出本發明的範圍。
繼而，為了確認由ZTO薄膜所帶來的對於TFT特性的影響，製作圖4所示的簡易TFT並實施評價。
首先，於玻璃基板1上形成成為閘極電極2的Mo的金屬薄膜。其後，利用光阻劑(photoresist)形成閘極圖案的遮罩。介隔該遮罩而進行蝕刻加工，從而形成厚度70nm的閘極電極2。其後，將成為閘極絕緣膜3的SiO2膜以100nm的厚度形成於整個面。然後，使用所述所製作的各氧化物靶材並藉由濺鍍而形成厚度30nm的通道層4。
繼而，於通道層4上形成之後成為通道圖案的光阻劑層。此處，為了對通道區域進行加工，而於光阻劑層上描繪通道圖案，並進行曝光、顯影而形成遮罩。然後，使用該遮罩來進行蝕刻加工，從而形成通道區域。
進而，以厚度140nm形成成為源極電極5及汲極電極6的Mo的金屬薄膜，將光阻劑設為遮罩而進行蝕刻加工，從而形成源極電極5及汲極電極6。然後，利用保護膜被覆而製作簡易TFT。
使用所述所製作的各簡易TFT來進行NBIS下的可靠性 評價。於室溫(25℃)下，提供0秒~1000秒的NBIS(閘極電壓Vg=-15V，汲極電壓Vd=0V，照度=10001x)，將經過1000秒後的臨限電壓(Vth)與試驗前加以比較，並算出其差分作為ΔVth。將其結果示於表2中。
其結果，確認到利用本發明的氧化物靶材來形成ZTO薄膜的簡易TFT為ΔVth未滿-10.0V且穩定性得到確保的TFT。
另一方面，利用比較例的氧化物靶材形成ZTO薄膜的簡易TFT的ΔVth低於-10.0V，而不適合作為TFT。
[實施例2]
首先，以相對於金屬成分整體，Sn成為33.3原子%，剩餘部分成為Zn及不可避免的雜質的方式，秤量平均粒徑(累積粒度分佈的D50)為0.70μm的ZnO粉末、平均粒徑(累積粒度分佈的D50)為1.85μm的SnO2粉末，並投入至放入有規定量的純水與分散劑的攪拌容器內後，加以混合而獲得漿料。使該漿料乾燥並加以造粒後，以1090℃、4小時進行煅燒，從而獲得包含Zn2SnO4與ZnO的預燒粉末。預燒粉末於濕式粉碎時追加平均粒徑(累積粒度分佈的D50)為0.70μm的ZnO粉末與平均粒徑(累 積粒度分佈的D50)為0.1μm~0.4μm的Al2O3粉末，以使Sn成為29.5原子%~31.0原子%且Al成為0.132原子%，然後進行粒度調整，以使整體的平均粒徑(累積粒度分佈的D50)成為0.7μm~1.0μm。
將所述預燒粉末濕式粉碎後，藉由注漿成形而獲得五片厚度10mm×寬度235mm×長度310mm的成形體。
另外，將所獲得的成形體於1400℃、10小時、大氣環境下煅燒，繼而，於1400℃、4小時、氮氣環境下進行常壓的還原熱處理，從而獲得氧化物燒結體。然後，對該氧化物燒結體進行機械加工，製成厚度5mm×直徑50mm，於掃描式電子顯微鏡的反射電子像中，對任意的縱：94.6μm×橫：130.6μm(面積：12355μm2)的3視野中的各視野的成為10000μm2的視野進行觀察，並測定存在於該視野內的ZnO相的面積。然後，交替地進行該測定與研磨，藉此獲得成為本發明例3~本發明例7的氧化物靶材。
此處，關於測定，藉由掃描式電子顯微鏡而於反射電子像中以高對比拍攝Zn2SnO4相與ZnO相，針對該圖像，使用圖像分析軟體(奧林巴斯軟成像解決方案GMBH(OLYMPUS SOFT IMAGING SOLUTIONS GMBH)公司製造的「鈧(Scandium)」)而獲得各視野中的ZnO相的面積率與3視野的平均值。將其結果示於表3中。
將所述所獲得的本發明例3~本發明例7的氧化物靶材的成為侵蝕面的面中的視野1~視野3的掃描式電子顯微鏡的反 射電子像示於圖5~圖19中。
根據表3及圖5~圖19的結果，確認到：本發明的氧化物靶材的10000μm2的面積中的ZnO相的面積率為10.5面積%以下。

Claims (4)

  1. 一種氧化物靶材，其特徵在於：相對於金屬成分整體，含有20.0原子%~50.0原子%的Sn，剩餘部分包含Zn及不可避免的雜質，ZnO相於成為侵蝕面的面中的10000μm2的面積中所佔的面積率為2.0面積%以上且10.5面積%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的氧化物靶材，其中相對於金屬成分整體，含有合計為0.005原子%~4.000原子%的Al、Ga、Mo及W中的一種以上。
  3. 一種氧化物靶材的製造方法，其包括：造粒步驟，以相對於金屬成分整體，含有20.0原子%~50.0原子%的Sn，剩餘部分成為Zn及不可避免的雜質的方式，將ZnO粉末、SnO2粉末與純水及分散劑加以混合而製成漿料，使所述漿料乾燥而製作造粒粉，對所述造粒粉進行預燒而獲得包含Zn2SnO4與ZnO的預燒粉末；燒結步驟，將所述預燒粉末濕式粉碎後，藉由注漿成形而製作成形體，將所述成形體脫脂後，於大氣環境下進行煅燒而獲得氧化物燒結體；及研磨步驟，對所述氧化物燒結體的成為侵蝕面的面進行研磨，從而獲得ZnO相於成為侵蝕面的面中的10000μm2的面積中所佔的面積率為2.0面積%以上且10.5面積%以下的氧化物靶材。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的氧化物靶材的製造方法，其中於所述研磨步驟中，一邊確認亮度L*及色度b*，一面對成為侵蝕面的面進行研磨。
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