TWI667465B - 平板顆粒度檢測裝置 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
- G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/04—Prisms
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N2021/1765—Method using an image detector and processing of image signal
- G01N2021/177—Detector of the video camera type
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4735—Solid samples, e.g. paper, glass
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N2021/9513—Liquid crystal panels
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/063—Illuminating optical parts
- G01N2201/0638—Refractive parts
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Immunology (AREA)
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- Biochemistry (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Dispersion Chemistry (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
本發明揭露一種平板顆粒度檢測裝置,包括:照明單元,用於產生入射光,所述入射光經被檢測平板表面的異物散射產生散射光且經所述被檢測平板的表面反射後產生反射光;探測單元,用於接收所述散射光且所述探測單元的光軸方向與所述入射光入射至所述被檢測平板表面的法線方向平行;測量光束調整單元,用於將所述反射光與所述散射光分離,所述測量光束調整單元包括第一折光單元和第二折光單元,所述第一折光單元與所述散射光對應設置,用於將所述散射光進行轉折後入射至所述探測單元;所述第二折光單元對應於所述反射光設置,用於將所述反射光轉折至所述探測單元的接收區域以外。
Description
本發明關於一種半導體技術領域,特別是關於一種平板顆粒度檢測裝置。
在半導體積體電路或平板顯示的製備製程中,為提高產品良率,污染控制是一個至關重要的環節。掩模板、矽片或玻璃基板等在進行曝光前,都需要進行異物(包括外來顆粒、指紋、刻痕、針孔等)檢測。
一般集成在光刻設備中的顆粒度檢測裝置通常採用暗場散射測量技術,其檢測原理如圖1所示,即:掩模台30上承載掩模40a,從輻射光源10發出的光線11經掩模40a上的異物散射,被散射的訊號光12進入探測單元20。但這種檢測裝置結構會受到顆粒鏡像串擾(掩模下表面為鉻時尤為嚴重)及掩模下表面圖案(pattern)串擾的影響(如圖2和3所示,實驗中採集到的原始圖像),會嚴重影響探測訊號的信噪比(或稱訊噪比),進而影響檢測準確性。舉例而言,對於掩模下表面是鉻層的情況,鉻層中形成有需要曝光的圖案,然而,當掩模上表面存在顆粒時,鉻層相當於鏡面,使得掩模上表面的顆粒相對於鉻層產生一個虛像,稱為鏡像顆粒,由此產生顆粒鏡像串擾,並對檢測造成影響。
為解決上述問題,提出如圖4所示的方案,即通過控制入射角50、接收角60及照明視場的約束,對顆粒鏡像串擾和圖案串擾的抑制
進行了分析,能夠提出設計方案的理論配置,從而解決前述的顆粒鏡像串擾問題與圖案串擾問題。但採用該方案時,系統組態無法覆蓋全入射角50、接收角60。當接收角60非常接近於反射角時,如圖5所示,即當反射光13進入成像模組20視場邊緣時,反射光13的光強會疊加於散射的訊號光12,從而導致顆粒尺寸判斷失準。此外,該方案中,成像模組20光軸方向與接收角60相同,會受其它系統參數配置的約束,因此成像模組20的支撐、裝配、夾持等必須隨著接收角60的改變進行調整,相容性差。
本發明提供一種平板顆粒度檢測裝置,以解決上述技術問題。
為解決上述技術問題,本發明提供一種平板顆粒度檢測裝置,包括:照明單元,用於產生入射光,所述入射光經被檢測平板表面的異物散射產生散射光且經所述被檢測平板的表面反射後產生反射光;探測單元,用於接收所述散射光且所述探測單元的光軸方向與所述入射光入射至所述被檢測平板表面的法線方向平行;測量光束調整單元,用於將所述反射光與所述散射光分離,所述測量光束調整單元包括第一折光單元和第二折光單元,所述第一折光單元與所述散射光對應設置,用於將所述散射光進行轉折後入射至所述探測單元;所述第二折光單元對應於所述反射光設置,用於將所述反射光轉折至所述探測單元的接收區域以外。
較佳地,被轉折後入射至所述探測單元的所述散射光的光軸垂直於所述探測單元的光接收面。
較佳地,所述測量光束調整單元包括一反射棱鏡,所述反射棱鏡的外表面包括第一通光區域、第二通光區域和反光區域,所述第一通光區域、第二通光區域和所述反射棱鏡的內表面的反光區域形成所述第一折光單元,所述第一通光區域面向所述散射光設置,所述第二通光區域面向所述探測單元設置,所述反射棱鏡被設置為使得所述散射光從所述第一通光區域入射至所述反射棱鏡的內表面,經所述反射棱鏡的內表面反射後從所述第二通光區域入射至所述探測單元;對應於所述反射光的所述反射棱鏡的外表面的所述反光區域形成所述第二折光單元,所述反射光入射至所述反光區域,被反射至所述探測單元的所述接收區域以外。
較佳地,所述反射棱鏡的截面為梯形且包括頂面、底面、第一斜面及第二斜面,其中所述頂面和所述底面均與所述被檢測平板的表面平行,所述底面為所述反射棱鏡靠近所述探測單元的一面,所述第一斜面上與所述散射光對應的區域為所述第一通光區域,所述底面為所述第二通光區域,所述散射光從所述第一斜面入射至所述反射棱鏡內部,經所述第二斜面的內表面第一次反射後入射至所述第一斜面的內表面進行第二次反射,最終從所述底面射出被所述探測單元接收。
較佳地,所述第一斜面垂直於所述散射光的光軸,定義所述反射棱鏡的所述第一斜面與所述底面之間的夾角為第一角θ1,所述底面與所述第二斜面之間的夾角為第二角θ2、所述第二斜面與所述頂面之間的夾角為第三角θ3和所述頂面與所述第一斜面之間的夾角為第四角
θ4,所述第一至第四角的參數配置,以及所述反射棱鏡的所述第一斜面上的第一通光區域的直徑l如下:θ1=theta1;θ2=180°-1.5×theta1;θ3=1.5×theta1;θ4=180°-theta1;l=2×d1×tan(alpha1);其中,theta1為所述散射光的光軸與所述被檢測平板表面的法線的夾角,alpha1為所述散射光相對於反射棱鏡的物方視場角,d1為所述照明單元在所述被檢測平板表面產生的照明視場的中心距所述反射棱鏡的所述第一斜面的距離。
較佳地,所述第一折光單元包括第一反射鏡和第二反射鏡,所述第二折光單元包括第三反射鏡,所述第一反射鏡面向所述散射光設置,所述散射光依次經所述第一反射鏡和第二反射鏡的反射,入射至所述探測單元;所述第三反射鏡面向所述反射光設置,所述反射光經所述第三反射鏡反射至所述探測單元的所述接收區域以外。
較佳地,所述第一反射鏡與所述被檢測平板的夾角為θ5=180°-1.5×theta1;所述第二反射鏡與第三反射鏡在同一直線上,且所述第二反射鏡相對於所述第三反射鏡更靠近所述被檢測平板,所述第二反射鏡與第三反射鏡與所述被檢測平板的夾角為θ6=180°-theta1;所述第一反射鏡的長度尺寸大於2×d1×tan(alpha1);所述第二反射鏡的長度尺寸大於2×(d1+d3)×tan(alpha1);第三反射鏡的長度尺寸大於0,且小於2×(h1-h2),其中,theta1為散射光的光軸與所述被檢測平板表面的法
線的夾角,alpha1為散射光相對於所述第一反射鏡的物方視場角,d1為照明單元在所述被檢測平板表面產生的照明視場的中心與所述第二反射鏡沿散射光的光軸方向的距離,h1為第三反射鏡接收到反射光位置處距所述被檢測平板的距離,h1=d2/tan(beta),h2為從第三反射鏡接收到反射光位置處到所述被檢測平板的垂線與散射光相交的最高點距所述被檢測平板的距離,h2=d2/tan(theta1-alpha1),beta為所述照明單元入射至被檢測平板的入射光與法線的夾角。
較佳地,所述照明單元產生的照明視場為線照明視場。
較佳地,所述探測單元包括成像光路和TDI(Time Delay Integration)相機,散射光和反射光經所述測量光束調整單元分離後,所述散射光經由成像光路彙聚至所述TDI相機。
較佳地,所述反射棱鏡的截面為直角梯形。
與習知技術相比,本發明提供的平板顆粒度檢測裝置,包括:照明單元,用於產生入射光,所述入射光經被檢測平板表面的異物散射產生散射光且經所述被檢測平板的表面反射後產生反射光;探測單元,用於接收所述散射光且所述探測單元的光軸方向與所述入射光入射至所述被檢測平板表面的法線方向平行;測量光束調整單元,用於將所述反射光與所述散射光分離,所述測量光束調整單元包括第一折光單元和第二折光單元,所述第一折光單元與所述散射光對應設置,用於將所述散射光進行轉折後入射至所述探測單元;所述第二折光單元對應於所述反射光設置,用於將所述反射光轉折至所述探測單元的接收區域以外。本發明在傳統照明單元與探測單元之間增加測量光束調整單元,將
散射光與反射光分離,確保反射光不會進入探測單元內;另外,探測單元的光軸方向與所述照明單元產生的入射光入射至所述被檢測平板表面的法線方向平行,提高了不同系統組態下的設計相容性。
100‧‧‧照明單元
10‧‧‧輻射光源
11‧‧‧光線
12‧‧‧訊號光
101‧‧‧入射光
102‧‧‧散射光
103、13‧‧‧反射光
200、20‧‧‧探測單元
20‧‧‧成像模組
300‧‧‧承載台
30‧‧‧掩模台
400‧‧‧被檢測平板
40‧‧‧平板
40a‧‧‧掩模
500、50‧‧‧入射角
600‧‧‧散射接收角
60‧‧‧接收角
700‧‧‧反光區域
70‧‧‧第一反射鏡
800‧‧‧第一通光區域
80‧‧‧第三反射鏡
900‧‧‧第二通光區域
90‧‧‧第二反射鏡
S1‧‧‧頂面
S2‧‧‧底面
S3‧‧‧第一斜面
S4‧‧‧第二斜面
圖1為現有的平板顆粒度檢測裝置的基本原理圖;圖2和圖3分別為顆粒鏡像串擾和掩模下表面pattern串擾的示意圖;圖4為改進後的平板顆粒度檢測裝置的結構示意圖;圖5為改進後的平板顆粒度檢測裝置的受反射光影響的示意圖;圖6為本發明實施例一提供的平板顆粒度檢測裝置的結構示意圖;圖7為本發明實施例一提供的平板顆粒度檢測裝置的反射棱鏡參數配置示意圖;圖8為本發明實施例二提供的平板顆粒度檢測裝置的結構示意圖;以及圖9為本發明實施例三提供的平板顆粒度檢測裝置的結構示意圖。
為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂,下面結合圖式對本發明的具體實施方式做詳細的說明。需說明的是,本發明圖式均採用簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
實施例一
本發明提供的平板顆粒度檢測裝置,如圖6所示,包括:照明單元100,用於產生照明視場,具體為線照明視場;探測單元200,所述照明單元100產生的入射光101經被檢測平板400表面的異物散射,承載台300承載所述被檢測平板400,產生的散射光102被所述探測單元200接收,所述探測單元200的光軸方向與所述照明單元100產生的入射光101入射至所述被檢測平板400表面的法線方向平行;還包括測量光束調整單元,所述入射光101經所述被檢測平板400的上表面反射後產生反射光103,所述測量光束調整單元將所述反射光103與所述散射光102分離。具體地,所述探測單元200包括成像光路和時間延遲積分(Time Delay Integration,TDI)相機,散射光102和反射光103經所述測量光束調整單元分離後,所述散射光102經由成像光路彙聚至所述TDI相機。
本實施例中,所述測量光束調整單元採用反射棱鏡,所述反射棱鏡的表面區域分為第一通光區域800、第二通光區域900和反光區域700,其中,所述散射光102從所述第一通光區域800入射,經所述反射棱鏡內部反射後從所述第二通光區域900入射至所述探測單元200;所述反射光103入射至所述反光區域700,被反射至所述探測單元200的接收區域以外,從而實現反射光103與散射光102的分離,確保反射光103不會進入探測單元200內,進而避免反射光103對檢測準確性造成影響。
較佳地,請參考圖6和圖7,所述反射棱鏡的截面為梯形,較佳地可為直角梯形,本實施例中以非直角梯形為例,其中反射棱鏡的
頂面S1(圖示為下側)和底面S2(圖示為上側)均與所述被檢測平板400的表面平行,所述散射光102從第一斜面S3上的第一通光區域800入射至所述反射棱鏡內部,經第二斜面S4的內表面(圖示為右側)第一次反射後入射至第一斜面S3的內表面(圖示為左側)進行第二次反射,最終從底面S2射出被所述探測單元200接收,本實施例中,反射光103從頂面S1的外表面反射至所述探測單元200的接收區域以外。具體地,定義所述反射棱鏡的底面S2與第一斜面S3之間的夾角為第一角θ1,從所述第一角θ1開始,按順時針的方向依次為第二角θ2(所述底面S2與所述第二斜面S4之間的夾角)、第三角θ3(所述第二斜面S4與所述頂面S1之間的夾角)和第四角θ4(所述頂面S1與所述第一斜面S3之間的夾角),所述第一至第四角的參數配置,以及所述反射棱鏡的第一斜面S3上第一通光區域800的直徑l如下:θ1=90°-(90°-theta1);θ2=360°-90°-2×theta1-(90°-beta1)=180°-1.5×theta1;θ3=180°-2θ2=1.5×theta1;θ4=180°-theta1;l=2×dl×tan(aplha1);其中,theta1為散射光102與法線的夾角,aplha1為散射光102相對於反射棱鏡的物方視場角,dl為照明視場中心距所述反射棱鏡第一斜面S3的距離,beta1為散射光102經所述反射棱鏡的第二斜面S4反射的反射角。
由於反射棱鏡的第一斜面S3與法線的夾角為90°-theta1,且2×beta1=90°-theta1,所以beta1=theta1÷2。
當aplha1=0.8°,theta1=60°,dl=10mm時,根據上述公式,可得:θ1=60°,θ4=120°,θ2=90°,θ3=90°,l=0.28mm。
通過對反射棱鏡進行上述配置,可使探測單元200的方向始終不變。此外,通過更換不同配置的反射棱鏡,可使同一套探測單元200覆蓋全部散射接收角600。
例如,若系統需檢出被檢測平板400表面存在的一類條紋狀髒污痕跡,該類型髒污痕跡為週期70um至150um、占空比0.8的一維光柵,採用630nm光源、入射角500為62°,theta1為60°、aplha1為0.8°的系統組態。根據光柵方程d[sin(theta_i)-sin(theta_m)]=mλ(其中d為光柵週期,theta_i為入射角,theta_m為對應級次m的散射角,λ為入射波長),結合嚴格耦合波法進行模擬分析,可得到對應散射級次的散射角和散射效率如下兩表所示(0級次為反射光):表1光柵散射角對應表
此時所採用的散射光102如下表所示:
若散射光102為探測器雜訊10倍以上時可作為有效訊號,則此時需保證探測器信噪比>10×1.6600029%÷0.7410704%=22.4即可。
當系統由於裝配等誤差導致接收角theta1改變為61.2°時,所有尺寸的光柵均可採用1級散射光作為探測訊號,但若採用如圖4所示的配置方案,如圖5所示,反射光(0級光)從成像模組的邊緣進入,此時需保證探測器信噪比>10×59.5407309%÷2.4873573%=239.8,由於目前探測器最大信噪比一般不超過150,該誤差將導致系統功能無法順利實現。
若採用本實施例所示的配置方案,使用前述的反射棱鏡配置參數,反射光103(0級光)從反射棱鏡的透光區域800的邊界處被反射。此時保持系統結構不變即可實現散射光102與反射光103分離。
實施例二
請參考圖8,本實施例與實施例一的主要區別在於:反射光103從第一斜面S3的外表面(第一通光區域800以外的區域)反射至所述探測單元200的接收區域以外。
反射棱鏡的各項參數配置推導與實施例一相同。
即:當aplha1=1°,theta1=60°,dl=8mm時,根據上述公式,可得:θ1=60°,θ4=120°,θ2=90°,θ3=90°,l=0.28mm。
通過對反射棱鏡進行上述配置,可使探測單元200的方向始終不變。此外,通過更換不同配置的反射棱鏡,可使同一套探測單元200覆蓋全部散射接收角600。
與實施例一一致,入射光102與反射光103角度的偏差等於散射接收角600與裝配誤差之和,或成像光路物方視場角大於散射接收角600,從而導致使用圖4所示方案產生圖5所示的入射角從成像光路物方視場邊緣進入探測單元的結果時,採用本實施例二所示的配置方案,可阻攔反射光102,保證系統結構不變的情況下實現散射光102與反射光103分離。
實施例三
請參考圖9,本實施例相對於實施例一和實施例二的主要區別在於:測量光束調整單元的設置不同,具體地,本實施例中,所述測量光束調整單元包括第一反射鏡70、第二反射鏡90、第三反射鏡80,所述散射光102依次經所述第一反射鏡70和第二反射鏡90的反射,入射至所
述探測單元200;所述反射光103經所述第三反射鏡80反射至所述探測單元200的接收區域以外;換句話說,本實施例使用第一反射鏡70、第二反射鏡90、第三反射鏡80折轉光路,其中,第二反射鏡90和第三反射鏡80用於實現相當於實施例一中的反射棱鏡第一斜面的功能,傾斜角度與反射棱鏡第一斜面相同;第一反射鏡70用於實現相當於實施例一中的反射棱鏡第二斜面的功能,傾斜角度也與反射棱鏡第二斜面相同。
第一反射鏡70、第二反射鏡90和第三反射鏡80的配置如下:當照明光路入射角為beta,成像光路物方視場角為alpha1,散射接收角為theta1,照明視場中心距第一反射鏡70沿成像光路物方視場角的距離為d1,照明視場中心距第三反射鏡80接收到反射光位置處的水準距離為d2,第一反射鏡70與第三反射鏡80沿光路方向的距離為d3,則有:第一反射鏡70與平板40之間的夾角θ5=θ2,θ5=180°-1.5×theta1。
第二反射鏡90和第三反射鏡80與平板40之間的夾角θ6=θ4,θ6=180°-theta1。
由於散射光的發散角較小,故第一反射鏡70接收到散射光的區域約為2×d1×tan(aplha1)。若第一反射鏡70接收到散射光的位置為其中心,則第一反射鏡70的尺寸只需要滿足大於2×d1×tan(alpha1)即可。
第二反射鏡90接收到散射光的區域約為2×(d1+d3)×tan(alpha1)。若第二反射鏡90接收到散射光的位置為其中心,則第二反射鏡90的尺寸只需要滿足大於2×(d1+d3)×tan(alpha1)即可。
第三反射鏡80接收到反射光位置處距平板40的距離為h1=d2/tan(beta),在此位置處,作與平板40相交的垂線,此垂線將與通過此處的散射光102相交,因此,在此位置處,散射光102距平板40的最大距離,即此垂線與散射光102相交的最高點距平板40的距離為h2=d2/tan(theta1-alpha1)。由於beta<theta1-alpha1,故h1>h2。第三反射鏡80配置於h1與h2的高度差之間的距離內,若第三反射鏡80接收到反射光103的位置為其中心,則第三反射鏡80的尺寸只需要滿足大於0且小於2×(h1-h2)即可。
本實施例中,由第一反射鏡70、第二反射鏡90、第三反射鏡80組成的反射鏡組等同替代了反射棱鏡的功能,實現了實施例一和實施例二所描述之結構。除此之外,當然也可藉由其它元件或元件以等同替代的方式實現上述實施例所描述之結構。因此,此類實施例均視為等同於上述實施方式。
綜上所述,本發明提供的平板顆粒度檢測裝置,包括:照明單元100,用於產生照明視場;探測單元200,所述照明單元100產生的入射光101經被檢測平板400表面的異物散射,產生的散射光102被所述探測單元200接收,所述探測單元200的光軸方向與所述照明單元100產生的入射光101入射至所述被檢測平板400表面的法線方向平行;還包括測量光束調整單元,所述入射光101經所述被檢測平板400的上表面反射後產生反射光103,所述測量光束調整單元將所述反射光103與所述散射光102分離。本發明在傳統照明單元100與探測單元200之間增加測量光束調整單元,將散射光102與反射光103分離,確保反射光103不會進入探測單元
200內;另外,探測單元200的光軸方向與所述照明單元100產生的入射光101入射至所述被檢測平板400表面的法線方向平行,提高了不同系統組態下的設計相容性。
顯然,所屬技術領域中具有通常知識者可以對發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和範圍。這樣,倘若本發明的這些修改和變型屬於本發明的申請專利範圍及其等同技術的範圍之內,則本發明也意圖包括這些改動和變型在內。
Claims (10)
- 一種平板顆粒度檢測裝置,其中,包括:一照明單元,用於產生一入射光,該入射光經一被檢測平板表面的異物散射產生一散射光且經該被檢測平板的表面反射後產生一反射光;一探測單元,用於接收該散射光且該探測單元的光軸方向與該入射光入射至該被檢測平板表面的法線方向平行;一測量光束調整單元,用於將該反射光與該散射光分離,該測量光束調整單元包括一第一折光單元和一第二折光單元,該第一折光單元與該散射光對應設置,用於將該散射光進行轉折後入射至該探測單元,該第二折光單元對應於該反射光設置,用於將該反射光轉折至該探測單元的一接收區域以外。
- 如申請專利範圍第1項所述的平板顆粒度檢測裝置,其中,被轉折後入射至該探測單元的該散射光的光軸垂直於該探測單元的光接收面。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的平板顆粒度檢測裝置,其中,該測量光束調整單元包括一反射棱鏡,該反射棱鏡的外表面包括一第一通光區域、一第二通光區域和一反光區域,該第一通光區域、該第二通光區域和該反射棱鏡內表面的該反光區域形成該第一折光單元,該第一通光區域面向該散射光設置,該第二通光區域面向該探測單元設置,該反射棱鏡被設置為使得該散射光從該第一通光區域入射至該反射棱鏡的內表面,經該反射棱鏡的內表面反射後從該第二通光區域入射至該探測單元;對應於該反射光的該反射棱鏡的外表面的該反光區域形成該第二折光單元,該反射光入射至該反光區域,被反射至該探測單元的該接收區域以外。
- 如申請專利範圍第3項所述的平板顆粒度檢測裝置,其中,該反射棱鏡的截面為梯形且包括一頂面、一底面、一第一斜面及一第二斜面,其中該頂面和該底面均與該被檢測平板的表面平行,該底面為該反射棱鏡靠近該探測單元的一面,該第一斜面上與該散射光對應的區域為該第一通光區域,該底面為該第二通光區域,該散射光從該第一斜面入射至該反射棱鏡的內部,經該第二斜面的內表面第一次反射後入射至該第一斜面的內表面進行第二次反射,最終從該底面射出被該探測單元接收。
- 如申請專利範圍第4項所述的平板顆粒度檢測裝置,其中,該第一斜面垂直於該散射光的光軸,定義該反射棱鏡的該第一斜面與該底面之間的夾角為第一角θ1,該底面與該第二斜面之間的夾角為第二角θ2、該第二斜面與該頂面之間的夾角為第三角θ3和該頂面與該第一斜面之間的夾角為第四角θ4,該第一至第四角的參數配置,以及該反射棱鏡的該第一斜面上的第一通光區域的直徑l如下:θ1=theta1;θ2=180°-1.5theta1;θ3=1.5×theta1;θ4=180°-theta1;l=2×d1×tan(alpha1);其中,theta1為該散射光的光軸與該被檢測平板表面的法線的夾角,alpha1為該散射光相對於該反射棱鏡的物方視場角,d1為該照明單元在該被檢測平板表面產生的照明視場的中心距該反射棱鏡的該第一斜面的距離。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的平板顆粒度檢測裝置,其中,該第一折光單元包括一第一反射鏡和一第二反射鏡,該第二折光單元包括一第三反射鏡,該第一反射鏡面向該散射光設置,該散射光依次經該第一反射鏡和該第二反射鏡的反射,入射至該探測單元;該第三反射鏡面向該反射光設置,該反射光經該第三反射鏡反射至該探測單元的該接收區域以外。
- 如申請專利範圍第6項所述的平板顆粒度檢測裝置,其中,該第一反射鏡與該被檢測平板的夾角為θ5=180°-1.5×theta1;該第二反射鏡與該第三反射鏡在同一直線上,且該第二反射鏡相對於該第三反射鏡更靠近該被檢測平板,該第二反射鏡與該第三反射鏡與該被檢測平板的夾角為θ6=180°-theta1;該第一反射鏡的長度尺寸大於2×d1×tan(alpha1);該第二反射鏡的長度尺寸大於2×(d1+d3)×tan(alpha1);該第三反射鏡的長度尺寸大於0,且小於2×(h1-h2),其中,theta1為該散射光的光軸與該被檢測平板表面的法線的夾角,alpha1為該散射光相對於該第一反射鏡的物方視場角,d1為該照明單元在該被檢測平板表面產生的照明視場的中心與該第二反射鏡沿該散射光的光軸方向的距離,h1為該第三反射鏡接收到該反射光位置處距該被檢測平板的距離,h1=d2/tan(beta),h2為從該第三反射鏡接收到該反射光位置處到該被檢測平板的垂線與該散射光相交的最高點距該被檢測平板的距離,h2=d2/tan(theta1-alpha1),beta為該照明單元入射至該被檢測平板的入射光與法線的夾角。
- 如申請專利範圍第5項所述的平板顆粒度檢測裝置,其中,該照明單元產生的照明視場為線照明視場。
- 如申請專利範圍第1項所述的平板顆粒度檢測裝置,其中,該探測單元包括一成像光路和一TDI相機,該散射光和該反射光經該測量光束調整單元分離後,該散射光經由該成像光路彙聚至該TDI相機。
- 如申請專利範圍第4項所述的平板顆粒度檢測裝置,其中,該反射棱鏡的截面為直角梯形。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710114472.3A CN108507909B (zh) | 2017-02-28 | 2017-02-28 | 一种平板颗粒度检测装置 |
??201710114472.3 | 2017-02-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201833533A TW201833533A (zh) | 2018-09-16 |
TWI667465B true TWI667465B (zh) | 2019-08-01 |
Family
ID=63245732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107106248A TWI667465B (zh) | 2017-02-28 | 2018-02-23 | 平板顆粒度檢測裝置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10345247B2 (zh) |
JP (1) | JP6559822B2 (zh) |
KR (1) | KR20180099567A (zh) |
CN (1) | CN108507909B (zh) |
TW (1) | TWI667465B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2017
- 2017-02-28 CN CN201710114472.3A patent/CN108507909B/zh active Active
-
2018
- 2018-02-23 TW TW107106248A patent/TWI667465B/zh active
- 2018-02-28 JP JP2018035291A patent/JP6559822B2/ja active Active
- 2018-02-28 US US15/907,736 patent/US10345247B2/en active Active
- 2018-02-28 KR KR1020180024810A patent/KR20180099567A/ko not_active Application Discontinuation
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CN108507909B (zh) | 2021-04-09 |
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TW201833533A (zh) | 2018-09-16 |
US20180246040A1 (en) | 2018-08-30 |
JP6559822B2 (ja) | 2019-08-14 |
JP2018141787A (ja) | 2018-09-13 |
CN108507909A (zh) | 2018-09-07 |
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