TWI665260B - 低介電聚醯亞胺組合物、聚醯亞胺、聚醯亞胺膜及覆銅板 - Google Patents

低介電聚醯亞胺組合物、聚醯亞胺、聚醯亞胺膜及覆銅板 Download PDF

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Abstract

一種低介電聚醯亞胺組合物，其包括脂肪族酸酐、長鏈二胺及酯類二胺。另，本發明還提供一種應用該低介電聚醯亞胺組合物製得的聚醯亞胺，一種由該聚醯亞胺製得的聚醯亞胺膜，及一種應用該聚醯亞胺膜的覆銅板。

Description

低介電聚醯亞胺組合物、聚醯亞胺、聚醯亞胺膜及覆銅板
本發明涉及一種聚醯亞胺組合物、應用該聚醯亞胺組合物製得的聚醯亞胺、應用該聚醯亞胺製得的聚醯亞胺膜、及應用該聚醯亞胺膜的覆銅板，尤其涉及一種低介電聚醯亞胺組合物、應用該低介電聚醯亞胺合物製得的聚醯亞胺、應用該低介電聚醯亞胺製得的聚醯亞胺膜、及應用該聚醯亞胺膜的覆銅板。
在大資料時代，電子產品的資訊處理不斷向著信號傳輸高頻化和高速數位化的方向發展。若要保證電子產品在高頻信號傳輸的條件下同時具有良好的信號傳輸品質，需要電路板的導電銅箔中的傳輸線與其所連接的電子元件之間處於阻抗匹配狀態，避免造成信號反射、散射、衰減及延遲等現象。電路板中與導電線路相接觸的絕緣層的材料的介電常數是影響高頻傳輸阻抗匹配的其中一種因素。為了實現高頻信號傳輸阻抗匹配，絕緣層通常需要選擇介電常數較低的材料。
習知技術中的聚醯亞胺中包含C=O、C=C、OH等高極性基團，使得其介電常數皆高於3.0。而傳統的電路板以熱固型聚醯亞胺為絕緣層，在其表面塗布熱塑性聚醯亞胺，與銅箔高溫(溫度高達380℃以上)壓合後形成，得到 的電路板的介電常數Dk高達3.2以上，介電損耗Df高達0.008以上。傳統的電路板也有以熱固型聚醯亞胺為絕緣層，在其表面塗布接著劑(例如環氧樹脂接著劑)，與銅箔低溫壓合後形成，得到的電路板的介電常數Dk高達3.5以上，介電損耗Df高達0.02以上。習知的聚醯亞胺已經不能滿足電路板的信號傳輸高頻化和高速數位化的要求。
有鑑於此，有必要提供一種新的低介電聚醯亞胺組合物，以解決上述問題。
另，還有必要提供一種應用所述低介電聚醯亞胺組合物製得的聚醯亞胺。
另，還有必要提供一種應用所述聚醯亞胺製得的聚醯亞胺膜。
另，還有必要提供一種應用所述聚醯亞胺膜的覆銅板。
一種低介電聚醯亞胺組合物，其包括脂肪族酸酐、長鏈二胺及酯類二胺。
一種聚醯亞胺，該聚醯亞胺由上述低介電聚醯亞胺組合物環化聚合形成。
一種聚醯亞胺膜，該聚醯亞胺膜由聚醯亞胺製備而成，該聚醯亞胺由上述低介電聚醯亞胺組合物環化聚合形成。
一種覆銅板，其包括基板及分別結合於該基板相對兩表面的兩個銅箔，該基板包括至少一絕緣層及結合於該絕緣層的至少一聚醯亞胺膜，該聚醯亞胺膜由聚醯亞胺製備而成，該聚醯亞胺由上述聚低介電醯亞胺組合物環化聚合形成。
本發明的低介電聚醯亞胺組合物包括脂肪族酸酐、長鏈二胺及酯類二胺，由該低介電聚醯亞胺組合物製得的聚醯亞胺的主鏈上導入有C-C(碳碳單鍵)、C-H(碳氫單鍵)等具有低極化率的基團，可以使原子團的摩爾極化率下降而降低介電常數，使得本發明的聚醯亞胺可以具有較低的介電常數及介電損耗。此外，本發明的聚醯亞胺還具有較高的耐熱性、耐化性、機械強度及電阻抗。由本發明的聚醯亞胺製得的覆銅板在具有低介電常數及低介電損耗的同時，還具有較強的銅剝離強度及漂錫耐熱性。
100a、100b、100c‧‧‧覆銅板
10a、10b、10c‧‧‧基板
11‧‧‧絕緣層
12‧‧‧聚醯亞胺膜
20‧‧‧銅箔
101‧‧‧第一中間體
102‧‧‧第二中間體
103‧‧‧第三中間體
圖1~5為本發明第一實施例的覆銅板的截面示意圖。
圖6~9為本發明第二實施例的覆銅板的截面示意圖。
圖10~13為本發明第三實施例的覆銅板的截面示意圖。
下面將結合本發明實施方式中的附圖，對本發明實施方式中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施方式僅僅是本發明一部分實施方式，而不是全部的實施方式。
基於本發明中的實施方式，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施方式，都屬於本發明保護的範圍。
本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是旨在於限製本發明。
本發明較佳實施方式提供一種低介電聚醯亞胺組合物，其主要用於製作聚醯亞胺。該低介電聚醯亞胺組合物包括脂肪族酸酐、長鏈二胺及酯類二胺。
所述低介電聚醯亞胺組合物中，所述脂肪族酸酐的含量範圍為1~20摩爾份，所述長鏈二胺的含量範圍為1~10摩爾份，所述酯類二胺的含量範圍為0.1~0.5摩爾份。
所述脂肪族酸酐包括但不限於雙環[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐(Bicyclo[2.2.2]oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic acid dianhydride，BTA)、四氫-5,9-甲橋-1H-吡喃並[3,4-D]氧雜卓-1,3,6,8(4H)-四酮(3-(Carboxymethyl)-1,2,4-cyclopentanetricarboxylic acid 1,4：2,3-dianhydride，TCA)、及1,2,3,4-環戊四羧酸二酐(1,2,3,4-Cyclopentanetetracarboxylic aciddianhydride，CPDA)中的一種或幾種。
所述雙環[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐的化學結構式為：
所述四氫-5,9-甲橋-1H-吡喃並[3,4-D]氧雜卓-1,3,6,8(4H)-四酮的化學結構式為：
所述1,2,3,4-環戊四羧酸二酐的化學結構式為：
所述長鏈二胺包括但不限於[雙(3-氨丙基)]聚矽氧烷([Bis(3-aminopropy)]polydimethylsiloxane，KF8010)、2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯 基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷(2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane，HFBAPP)、及聚醚胺(O,O'-Bis(2-aminopropyl)polypropyleneglycol，OOBP)中的一種或幾種。
所述[雙(3-氨丙基)]聚矽氧烷的化學結構式為： 其中，所述R為有機基團。
所述2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷的化學結構式為：
所述聚醚胺的化學結構式為：
所述酯類二胺包括但不限於對氨基苯甲酸對氨基苯酯(4-Aminobenzoic acid 4-aminophenyl ester，APAB)、及1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯(1,4-Bis(4-aminobenzo-yloxy)benzene，ABHQ)中的一種或兩種。
所述對氨基苯甲酸對氨基苯酯的化學結構式為：
所述1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯的化學結構式為：
一種低介電聚醯亞胺，該低介電聚醯亞胺主要由上述低介電聚醯亞胺組合物環化聚合製備而成。換言之，該低介電聚醯亞胺主要藉由上述低介電聚醯亞胺組合物中的脂肪族酸酐、長鏈二胺及酯類二胺之間發生化學環化反應聚合而成。
所述低介電聚醯亞胺的介電常數Dk小於3.0，介電損耗Df小於0.01。
所述低介電聚醯亞胺的黏度範圍優選為2000~5000CPS(厘帕‧秒)。
所述低介電聚醯亞胺具有熱塑性，即所述低介電聚醯亞胺為低介電熱塑性聚醯亞胺。
所述低介電聚醯亞胺具有較高的耐熱性、耐化性、機械強度及電阻抗。所述低介電聚醯亞胺的主鏈上導入有C-C(碳碳單鍵)、C-H(碳氫單鍵)等具有低極化率的基團，可以使原子團的摩爾極化率下降而降低介電常數。
一種所述低介電聚醯亞胺的製備方法，其包括如下步驟：
步驟S10：將脂肪族酸酐、長鏈二胺及酯類二胺依次加入具有溶劑的反應瓶中得到混合溶液。
所述溶劑可以為二甲基甲醯胺(DMF)、二甲基乙醯胺(DMAC)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)或二甲基亞碸(DMSO)。所述溶劑的添加量可根據需要進行變更，只要使所述脂肪族酸酐、長鏈二胺及酯類二胺能後完全溶解即可。
步驟S20：加熱攪拌所述混合溶液一段時間，使脂肪族酸酐、長鏈二胺及酯類二胺溶解在溶劑中。
在至少一實施例中，所述加熱溫度為80℃，所述攪拌時間為4小時。
步驟S30：向反應瓶中加入二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。該二甲苯主要用於除去反應過程中產生的水。
步驟S40：將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，使所述脂肪族酸酐、長鏈二胺及酯類二胺發生化學環化反應聚合生成低介電聚醯亞胺。
請參閱圖5，本發明第一實施例的覆銅板100a，其用於製作電路板(圖未示)。該覆銅板100a包括基板10a及分別結合於該基板10a相對兩表面的兩個銅箔20。該基板10a包括絕緣層11及結合於該絕緣層11相對兩表面的聚醯亞胺膜12。所述每一銅箔20結合於一聚醯亞胺膜12的遠離絕緣層11的表面。該聚醯亞胺膜12藉由將所述低介電聚醯亞胺塗布在絕緣層11上然後烘烤或乾燥後製得。該絕緣層11的材質可以為聚醯亞胺。
一種所述覆銅板100a的製作方法，其包括如下步驟：
步驟S11：請參閱圖1，提供一絕緣層11。
步驟S12：請參閱圖2，在所述絕緣層11一表面塗布一層低介電聚醯亞胺，將上述塗布有低介電聚醯亞胺的絕緣層11放置在180℃的溫度下烘烤5min，以去除低介電聚醯亞胺中的溶劑，使所述低介電聚醯亞胺轉化為聚醯亞胺膜12。
步驟S13：請參閱圖3，提供一銅箔20，將該銅箔20貼合在上述聚醯亞胺膜12的遠離絕緣層11的表面，並在120℃的溫度下壓合，使所述銅箔20、聚醯亞胺膜12及絕緣層11緊密地結合在一起，得到第一中間體101。
步驟S14：請參閱圖4，在所述第一中間體101的絕緣層11的遠離所述聚醯亞胺膜12的表面塗布一層低介電聚醯亞胺，並放置在180℃的溫度下烘烤5min，以去除低介電聚醯亞胺中的溶劑，使該低介電聚醯亞胺轉化為另一聚醯亞胺膜12。
步驟S15：請參閱圖5，提供另一銅箔20，將該銅箔20貼合在結合於第一中間體101的聚醯亞胺膜12的遠離第一中間體101的表面，並在120℃的溫度下壓合，使該銅箔20、另一聚醯亞胺膜12及第一中間體101緊密地結合在一起，即製得覆銅板100a。
請參閱圖9，本發明第二實施例的覆銅板100b包括基板10b及分別結合於該基板10b相對兩表面的兩個銅箔20。該基板10b包括絕緣層11及結合於該絕緣層11一表面的聚醯亞胺膜12。所述其中一銅箔20結合於該絕緣層11的遠離聚醯亞胺膜12的表面，所述另一銅箔20結合於聚醯亞胺膜12的遠離絕緣層11的表面。該聚醯亞胺膜12藉由將所述低介電聚醯亞胺塗布在絕緣層11上然後烘烤或乾燥後製得。該絕緣層11的材質可以為聚醯亞胺。
一種所述覆銅板100b的製作方法，其包括如下步驟：
步驟S21：請參閱圖6，提供一銅箔20。
步驟S22：請參閱圖7，在所述銅箔20的一表面設置絕緣層11，得到第二中間體102。
步驟S23：請參閱圖8，在所述第二中間體102的絕緣層11的遠離銅箔20的表面塗布一層低介電聚醯亞胺，並放置在180℃的溫度下烘烤5min，以去除低介電聚醯亞胺中的溶劑，使該低介電聚醯亞胺轉化為聚醯亞胺膜12。
步驟S24：請參閱圖9，提供另一銅箔20，將該銅箔20貼合在上述聚醯亞胺膜12的遠離絕緣層11的表面，並在120℃的溫度下壓合，使所述銅箔20、聚醯亞胺膜12及第二中間體102緊密地結合在一起，即製得覆銅板100b。
請參閱圖13，本發明第三實施例的覆銅板100c包括基板10c及分別結合於該基板10c相對兩表面的兩個銅箔20。該基板10c包括二絕緣層11及夾設於該二絕緣層11之間的聚醯亞胺膜12。所述每一銅箔20結合於一絕緣層11的遠離 聚醯亞胺膜12的表面。該聚醯亞胺膜12藉由將所述低介電聚醯亞胺塗布在絕緣層11上然後烘烤或乾燥後製得。該絕緣層11的材質可以為聚醯亞胺。
一種所述覆銅板100c的製作方法，其包括如下步驟：
步驟S31：請參閱圖10，提供兩個銅箔20。
步驟S32：請參閱圖11，在所述每一銅箔20的一表面設置一絕緣層11。
步驟S33：請參閱圖12，在所述每一絕緣層11的遠離銅箔20的表面塗布一層低介電聚醯亞胺，並放置在180℃的溫度下烘烤5min，以去除低介電聚醯亞胺中的溶劑，使該低介電聚醯亞胺轉化為聚醯亞胺膜12，得到兩個第三中間體103。
步驟S34：請參閱圖13，將所述兩個第三中間體103的聚醯亞胺膜12貼合在一起，並在120℃的溫度下壓合，使所述兩個第三中間體103緊密地結合在一起，兩個聚醯亞胺膜12結合為一體，形成一個聚醯亞胺膜12，即製得覆銅板100c。
下面藉由實施例來對本發明進行具體說明。
實施例1
將1.0mol的BTA、0.9mol的KF8010及0.1mol的APAB依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例2
將1.0mol的BTA、0.9mol的KF8010及0.1mol的ABHQ依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度 下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例3
將1.0mol的BTA、0.9mol的HFBAPP及0.1mol的APAB依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例4
將1.0mol的BTA、0.9mol的HFBAPP及0.1mol的ABHQ依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例5
將1.0mol的BTA、0.9mol的OOBP及0.1mol的APAB依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例6
將1.0mol的BTA、0.9mol的OOBP及0.1mol的ABHQ依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度 下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例7
將1.0mol的TCA、0.9mol的KF8010及0.1mol的APAB依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例8
將1.0mol的TCA、0.9mol的KF8010及0.1mol的ABHQ依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例9
將1.0mol的TCA、0.9mol的HFBAPP及0.1mol的APAB依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例10
將1.0mol的TCA、0.9mol的HFBAPP及0.1mol的ABHQ依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在 該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例11
將1.0mol的TCA、0.9mol的OOBP及0.1mol的APAB依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例12
將1.0mol的TCA、0.9mol的OOBP及0.1mol的ABHQ依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例13
將1.0mol的CPDA、0.9mol的KF8010及0.1mol的APAB依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例14
將1.0mol的CPDA、0.9mol的KF8010及0.1mol的ABHQ依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在 該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例15
將1.0mol的CPDA、0.9mol的HFBAPP及0.1mol的APAB依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例16
將1.0mol的CPDA、0.9mol的HFBAPP及0.1mol的ABHQ依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例17
將1.0mol的CPDA、0.9mol的OOBP及0.1mol的APAB依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
實施例18
將1.0mol的CPDA、0.9mol的OOBP及0.1mol的ABHQ依次加入具有100g NMP的容積為500mL的反應瓶中得到混合溶液。將所述溶液加熱至80℃，並在 該溫度下攪拌4小時。向反應瓶中加入5g二甲苯，在反應瓶上架設回流管，並向回流管中加入二甲苯。將反應瓶內液體的溫度加熱至180℃，然後攪拌4小時，即製得低介電聚醯亞胺。
提供市售的熱塑性聚醯亞胺(KANEKA FRS-522 #SW)及環氧樹脂。對上述實施例1~18所製備的低介電聚醯亞胺、該市售的熱塑性聚醯亞胺、及該環氧樹脂的介電常數Dk和介電損耗Df分別進行測試，測試結果參見表一。
由表一可以看出：本發明的實施例1~18的低介電聚醯亞胺的介電常數Dk明顯低於市售熱塑性聚醯亞胺的介電常數Dk，本發明的實施例1~18的低介電聚醯亞胺的介電常數Dk及介電損耗Df均明顯低於環氧樹脂的介電常數Dk及介電損耗Df。可見，本發明的低介電聚醯亞胺具有較低的介電常數及介電損耗。
提供厚度為12μm的銅箔(JX BHFX Type)及厚度為25μm的絕緣層(市售聚醯亞胺膜(PI膜)，SKC GF Type)，將上述實施例1、4、7、10、13、16所製備的低介電聚醯亞胺製作成覆銅板100a，將上述實施例2、5、8、11、14、17所製備的低介電聚醯亞胺製作成覆銅板100b，將上述實施例3、6、9、12、15、18所製備的低介電聚醯亞胺製作成覆銅板100c，將上述市售的熱塑性聚醯亞胺製作成與覆銅板100a疊構相似的覆銅板a及與覆銅板100c疊構相似的覆銅板b，將上述環氧樹脂製作成與覆銅板100c疊構相似的覆銅板。對所述覆銅板進行銅剝離強度測試及漂錫耐熱性測試，檢測結果參見表二。其中，若漂錫耐熱性測試條件大於等於288℃×10sec(秒)時，錫不脫落，則漂錫耐熱性測試結果為“通過”，表明電路板達到耐熱性的需求。
由表二可以看出：利用本發明實施例1~18的低介電聚醯亞胺製備的覆銅板與市售的熱塑性聚醯亞胺的低介電聚醯亞胺膜製備的覆銅板及環氧樹脂製備的覆銅板具有近似的銅箔剝離強度及漂錫耐熱性。可見，利用本發明的低介電聚醯亞胺所製備的覆銅板的銅剝離強度及漂錫耐熱性符合要求。
本發明的低介電聚醯亞胺組合物包括脂肪族酸酐、長鏈二胺及酯類二胺，由該低介電聚醯亞胺組合物製得的低介電聚醯亞胺的主鏈上導入有C-C(碳碳單鍵)、C-H等具有低極化率的基團，可以使原子團的摩爾極化率下降而降低介電常數，使得本發明的低介電聚醯亞胺可以具有較低的介電常數及介電損耗。此外，本發明的低介電聚醯亞胺還具有較高的耐熱性、耐化性、機械強 度及電阻抗。由本發明的低介電聚醯亞胺製得的覆銅板在具有低介電常數及低介電損耗的同時，還具有較強的銅剝離強度及漂錫耐熱性。
另外，以上所述，僅是本發明的較佳實施方式而已，並非對本發明任何形式上的限製，雖然本發明已將較佳實施方式揭露如上，但並非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案範圍內，當可利用上述揭示的技術內容做出些許更動或修飾為等同變化的等效實施方式，但凡是未脫離本發明技術方案內容，依據本發明的技術實質對以上實施方式所做的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。

Claims (9)

  1. 一種低介電聚醯亞胺組合物，其改良在於，該低介電聚醯亞胺組合物包括脂肪族酸酐、長鏈二胺及酯類二胺；其中，所述低介電聚醯亞胺組合物中，所述脂肪族酸酐的含量範圍為1~20摩爾份，所述長鏈二胺的含量範圍為1~10摩爾份，所述酯類二胺的含量範圍為0.1~0.5摩爾份。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的低介電聚醯亞胺組合物，其中，所述脂肪族酸酐包括雙環[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、四氫-5,9-甲橋-1H-吡喃並[3,4-D]氧雜卓-1,3,6,8(4H)-四酮、及1,2,3,4-環戊四羧酸二酐中的一種或幾種。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的低介電聚醯亞胺組合物，其中，所述長鏈二胺包括[雙(3-氨丙基)]聚矽氧烷、2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、及聚醚胺中的一種或幾種。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的低介電聚醯亞胺組合物，其中，所述酯類二胺包括對氨基苯甲酸對氨基苯酯及1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯中的一種或兩種。
  5. 一種聚醯亞胺，其改良在於，該聚醯亞胺由申請專利範圍第1至4項任意一項所述的低介電聚醯亞胺組合物環化聚合形成。
  6. 如申請專利範圍5所述的聚醯亞胺，其中，所述聚醯亞胺的介電常數小於3.0，介電損耗小於0.01。
  7. 如申請專利範圍5所述的聚醯亞胺，其中，所述聚醯亞胺的黏度範圍為2000~5000厘帕‧秒。
  8. 一種聚醯亞胺膜，該聚醯亞胺膜由聚醯亞胺製備而成，其改良在於，所述聚醯亞胺由申請專利範圍第1至4項任意一項所述的低介電聚醯亞胺組合物環化聚合形成。
  9. 一種覆銅板，其包括基板及分別結合於該基板相對兩表面的兩個銅箔，該基板包括至少一絕緣層及結合於該絕緣層的至少一聚醯亞胺膜，該聚醯亞胺膜由聚醯亞胺製備而成，其改良在於，所述聚醯亞胺由申請專利範圍第1至4項任意一項所述的低介電聚醯亞胺組合物環化聚合形成。
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