TWI663692B - Pressure sensor package structure - Google Patents

Pressure sensor package structure Download PDF

Info

Publication number
TWI663692B
TWI663692B TW107106587A TW107106587A TWI663692B TW I663692 B TWI663692 B TW I663692B TW 107106587 A TW107106587 A TW 107106587A TW 107106587 A TW107106587 A TW 107106587A TW I663692 B TWI663692 B TW I663692B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive layer
lead frame
pressure sensor
package structure
sensor package
Prior art date
Application number
TW107106587A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201937664A (zh
Inventor
田炯岳
張政嶢
蘇美燕
杜明德
Original Assignee
菱生精密工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 菱生精密工業股份有限公司 filed Critical 菱生精密工業股份有限公司
Priority to TW107106587A priority Critical patent/TWI663692B/zh
Priority to US15/923,574 priority patent/US11041774B2/en
Priority to JP2018054196A priority patent/JP6487584B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of TWI663692B publication Critical patent/TWI663692B/zh
Publication of TW201937664A publication Critical patent/TW201937664A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061—Electrical connection means
    • G01L19/0069—Electrical connection means from the sensor to its support
    • G01L19/0076—Electrical connection means from the sensor to its support using buried connections
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/142—Multiple part housings
    • G01L19/143—Two part housings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

一種壓力感測器封裝結構，包含一封裝導線架、一側壁、一壓力感測模組以及一封裝矽膠，封裝導線架具有一模壓膠層以及多個導線架單元，模壓膠層具有一頂面，多個導線架單元設置於該模壓膠層中，側壁設置於模壓膠層的頂面並圍繞形成一容置區，壓力感測模組設置於模壓膠層之頂面並且位於容置區中，封裝矽膠設置於容置區並包覆壓力感測模組。

Description

壓力感測器封裝結構
本發明係有關於半導體封裝，特別是指一種壓力感測器封裝結構。
目前習用的壓力感測器封裝結構，通常是在一陶瓷基板(Ceramic substrate)上黏接一金屬蓋(Metal lid)，並在金屬蓋內設置壓力感測模組並填入封裝膠體以完成整個封裝結構，惟，上述陶瓷基板及金屬蓋的生產成本過高，因此，如何降低壓力感測器封裝結構的生產成本，成為一個重要的課題。
藉此，本發明之主要目的係在於提供一種可降低生產成本的壓力感測器封裝結構。
該壓力感測器封裝結構包含一封裝導線架、一側壁、一壓力感測模組以及一封裝矽膠，該封裝導線架具有一模壓膠層以及多個導線架單元，該模壓膠層具有一頂面，該等導線架單元設置於該模壓膠層中，該側壁設置於該模壓膠層的頂面並圍繞形成一容置區，該壓力感測模組設置於該模壓膠層之頂面並且位於該容置區中，該封裝矽膠設置於該容置區並包覆該壓力感測模組。
較佳地，該模壓膠層更具有一底面，該等導線架單元的頂端及底端係分別自該模壓膠層的頂面及底面露出。
較佳地，該側壁係為模壓樹脂或金屬材質。
較佳地，該壓力感測模組包含多個晶片單元，該等晶片單元係以相互堆疊的方式設置於該模壓膠層的頂面。
較佳地，該壓力感測模組係藉由金屬線電性連接於該等導線架單元，或是藉由覆晶製程(Flip-chip)電性連接於該等導線架單元。
較佳地，該模壓膠層係為環氧樹脂。
較佳地，該等導線架單元係為金屬材質。
藉此，該封裝導線架相較於習用陶瓷基板的生產成本較低，配合利用金屬或模壓樹脂製成的側壁，可降低整體的生產成本。
有關本發明所提供之詳細構造、特點，將於後續的實施方式詳細說明中予以描述。然而，在本領域中具有通常知識者應能瞭解，該等詳細說明以及實施本發明所列舉的特定實施例，僅係用於說明本發明，並非用以限制本發明之專利申請範圍。
10‧‧‧壓力感測器封裝結構
20‧‧‧封裝導線架
21‧‧‧頂面
22‧‧‧模壓膠層
23‧‧‧底面
24‧‧‧導線架單元
25‧‧‧頂端
26‧‧‧底端
30‧‧‧側壁
32‧‧‧容置區
33‧‧‧底端
34‧‧‧內壁面
40‧‧‧壓力感測模組
42、42A、42B‧‧‧晶片單元
50‧‧‧封裝矽膠
第1圖為本發明第一較佳實施例的剖視圖。
第2圖為本發明第二較佳實施例的剖視圖。
請參閱第1圖，本發明第一較佳實施例所提供的壓力感測器封裝結構10包含一封裝導線架20、一側壁30、一壓力感測模組40以及一封裝矽膠50。
封裝導線架20具有一模壓膠層22以及多個導線架單元24，於本較佳實施例中模壓膠層22係為環氧樹脂材質，於其它較佳實施例中亦可為其它絕緣的高分子封裝材料製成，模壓膠層22呈平板狀並且具有一頂面21、一底面23 以及一側周面，多個導線架單元24係設置於模壓膠層22中，導線架單元24的材質可選自金屬材質，例如金、銀、銅、鎳，或合金金屬，例如銅系合金或鐵鎳合金等導電材料，各導線架單元24具有一頂端25以及一底端26，各導線架的頂端25及底端26分別自模壓膠層22的頂面21及底面23露出。值得一提的是，多個導線架單元24係各自電性獨立。
側壁30設置於模壓膠層22的頂面21並圍繞形成一容置區32，容置區32係向上開放，於本較佳實施例中，側壁30係為金屬材質(metal)，側壁30的底端33可藉由錫膏黏接於模壓膠層22的頂面21，請參考第2圖，於本發明第二較佳實施例中，側壁30係為模壓樹脂(molding compound)，並藉由模壓設備直接黏接於模壓膠層22的頂面21。
壓力感測模組40設置於模壓膠層22的頂面21並且位於容置區32中，壓力感測模組40係藉由金屬線電性連接於各導線架單元24，或是藉由覆晶製程(Flip-chip)電性連接於各導線架單元24，更進一步來說，壓力感測模組40包含多個晶片單元42，多個晶片單元42係以相互堆疊的方式設置於模壓膠層22的頂面21，各晶片單元42係選自壓力感測器(Pressure Sensor)、特殊應用積體電路(ASIC)、主動元件(Active Component)、被動元件(Passive Component)或是其組合，於本較佳實施例中，晶片單元42的數量為二，分別以晶片單元42A及晶片單元42B表示，晶片單元42A設置於模壓膠層22的頂面21，並藉由金屬線(圖中未示)電性連接於各導線架單元24，或是藉由覆晶製程(Flip-Chip)電性連接於各導線架單元24，晶片單元42B係堆疊設置於晶片單元42A頂面，並且藉由金屬線電性連接於晶片單元42A或各導線架單元24，或藉由覆晶製程(Flip-Chip)電性連接於晶 片單元42A。其中，該等導線架單元20分別位於該側壁30與該壓力感測模組40之間，且未顯露於該模壓膠層22之側周面之外。
封裝矽膠50係填充設置於容置區32中，並包覆壓力感測模組40，封裝矽膠50係黏附於側壁30的內壁面34以及模壓膠層22的頂面21，以增加側壁30、壓力感測模組40以及封裝導線架20之間的結合強度。
綜合上述說明，藉由利用封裝導線架20取代習知陶瓷基板，配合金屬材質或模壓樹脂材質製成的側壁30，以及利用封裝矽膠50作為封裝膠體，可降低壓力感測器封裝結構10的生產成本，進而提高整體經濟效益。
最後必須再次說明，本發明於前揭實施例中所揭露的構成元件，僅為舉例說明，並非用來限制本案之範圍，其他等效元件的替代或變化，亦應為本案之申請專利範圍所涵蓋。

Claims (7)

  1. 一種壓力感測器封裝結構，包含：一封裝導線架，具有一模壓膠層以及多個導線架單元，該模壓膠層具有一頂面以及一側周面，該等導線架單元設置於該模壓膠層中；一側壁，設置於該模壓膠層的頂面並圍繞形成一容置區；一壓力感測模組，設置於該模壓膠層之頂面並且位於該容置區中；以及一封裝矽膠，設置於該容置區並包覆該壓力感測模組；其中，該等導線架單元分別位於該側壁與該壓力感測模組之間，且未顯露於該模壓膠層之側周面之外。
  2. 如申請專利範圍第1項所述壓力感測器封裝結構，該模壓膠層更具有一底面，該等導線架單元的頂端及底端係分別自該模壓膠層的頂面及底面露出。
  3. 如申請專利範圍第1項所述壓力感測器封裝結構，該側壁係為模壓樹脂或金屬材質。
  4. 如申請專利範圍第1項所述壓力感測器封裝結構，該壓力感測模組包含多個晶片單元，該等晶片單元係以相互堆疊的方式設置於該模壓膠層的頂面。
  5. 如申請專利範圍第1項所述壓力感測器封裝結構，該壓力感測模組係藉由金屬線電性連接於該等導線架單元，或是藉由覆晶製程(Flip-chip)電性連接於該等導線架單元。
  6. 如申請專利範圍第1項所述壓力感測器封裝結構，該模壓膠層係為環氧樹脂。
  7. 如申請專利範圍第1項所述壓力感測器封裝結構，該等導線架單元係為金屬材質。
TW107106587A 2018-02-27 2018-02-27 Pressure sensor package structure TWI663692B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107106587A TWI663692B (zh) 2018-02-27 2018-02-27 Pressure sensor package structure
US15/923,574 US11041774B2 (en) 2018-02-27 2018-03-16 Pressure sensor package
JP2018054196A JP6487584B1 (ja) 2018-02-27 2018-03-22 圧力センサーパッケージ構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107106587A TWI663692B (zh) 2018-02-27 2018-02-27 Pressure sensor package structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI663692B true TWI663692B (zh) 2019-06-21
TW201937664A TW201937664A (zh) 2019-09-16

Family

ID=65802390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107106587A TWI663692B (zh) 2018-02-27 2018-02-27 Pressure sensor package structure

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11041774B2 (zh)
JP (1) JP6487584B1 (zh)
TW (1) TWI663692B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018222781A1 (de) * 2018-12-21 2020-06-25 Robert Bosch Gmbh Drucksensoranordnung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200903680A (en) * 2007-06-27 2009-01-16 Stats Chippac Ltd Packaging system with hollow package
TW200939361A (en) * 2007-12-28 2009-09-16 Stats Chippac Ltd Integrated circuit package system with interposer
TW201126688A (en) * 2009-09-04 2011-08-01 Analog Devices Inc System with recessed sensing or processing elements
TW201539677A (zh) * 2014-04-02 2015-10-16 Xintex Inc 晶片封裝體及其製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3596199B2 (ja) * 1996-11-28 2004-12-02 株式会社デンソー 半導体式圧力センサ
DE102004043663B4 (de) * 2004-09-07 2006-06-08 Infineon Technologies Ag Halbleitersensorbauteil mit Hohlraumgehäuse und Sensorchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersensorbauteils mit Hohlraumgehäuse und Sensorchip
DE102004051468A1 (de) * 2004-10-22 2006-04-27 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
CN103904041A (zh) * 2009-02-19 2014-07-02 日本电气株式会社 真空密封封装
CN102486427A (zh) * 2010-12-06 2012-06-06 飞思卡尔半导体公司 压力传感器及其封装方法
US9231119B2 (en) * 2011-03-11 2016-01-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Sensor
US20140374848A1 (en) * 2013-06-24 2014-12-25 Wen Shi Koh Semiconductor sensor device with metal lid
US9476788B2 (en) * 2014-04-22 2016-10-25 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor sensor with gel filled cavity
US9362479B2 (en) * 2014-07-22 2016-06-07 Freescale Semiconductor, Inc. Package-in-package semiconductor sensor device
CN107290096A (zh) * 2016-04-11 2017-10-24 飞思卡尔半导体公司 具有膜片的压力感测集成电路器件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200903680A (en) * 2007-06-27 2009-01-16 Stats Chippac Ltd Packaging system with hollow package
TW200939361A (en) * 2007-12-28 2009-09-16 Stats Chippac Ltd Integrated circuit package system with interposer
TW201126688A (en) * 2009-09-04 2011-08-01 Analog Devices Inc System with recessed sensing or processing elements
TW201539677A (zh) * 2014-04-02 2015-10-16 Xintex Inc 晶片封裝體及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11041774B2 (en) 2021-06-22
JP6487584B1 (ja) 2019-03-20
TW201937664A (zh) 2019-09-16
US20190265118A1 (en) 2019-08-29
JP2019148575A (ja) 2019-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7408244B2 (en) Semiconductor package and stack arrangement thereof
JP5635661B1 (ja) イメージセンサの２段階封止方法
US7259042B2 (en) Ultra thin dual chip image sensor package structure and method for fabrication
JP4705784B2 (ja) イメージセンサデバイスの製造方法
US7521783B2 (en) Ultra thin image sensor package structure and method for fabrication
US7205651B2 (en) Thermally enhanced stacked die package and fabrication method
US6841858B2 (en) Leadframe for die stacking applications and related die stacking concepts
KR100742177B1 (ko) 반도체 패키지, 그 제조방법 및 이미지 센서용 반도체패키지 모듈
US20140374848A1 (en) Semiconductor sensor device with metal lid
TW201229479A (en) Pressure sensor and method of assembling same
TWI663692B (zh) Pressure sensor package structure
JP2016167577A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US8604595B2 (en) Multi-chip electronic package with reduced stress
KR20090043945A (ko) 스택 패키지
TWI548048B (zh) 晶片封裝體及其製造方法
KR101686349B1 (ko) 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
JP2009063550A5 (zh)
KR100455698B1 (ko) 칩 싸이즈 패키지 및 그 제조 방법
KR100708050B1 (ko) 반도체패키지
KR100753409B1 (ko) 초박형 패키지 및 그 제조방법
KR101628274B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR20060006397A (ko) 반도체 패키지
JP2005203609A (ja) 半導体装置
KR20060024230A (ko) Ｅｌｐ 구조의 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법
KR20110001158A (ko) 반도체 패키지 및 이의 제조 방법