TWI660259B - 具有電流緩衝以縮減補償電容器尺寸及提供寬範圍的外部電容器之等效串聯電阻（ｅｓｒ）値之ｕｓｂ調節器 - Google Patents

具有電流緩衝以縮減補償電容器尺寸及提供寬範圍的外部電容器之等效串聯電阻（ｅｓｒ）値之ｕｓｂ調節器 Download PDF

Info

Publication number
TWI660259B
TWI660259B TW103109275A TW103109275A TWI660259B TW I660259 B TWI660259 B TW I660259B TW 103109275 A TW103109275 A TW 103109275A TW 103109275 A TW103109275 A TW 103109275A TW I660259 B TWI660259 B TW I660259B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
voltage regulator
current
current buffer
driver
coupled
Prior art date
Application number
TW103109275A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201502746A (zh
Inventor
周華敏
舞瓦 馬丁
克莉絲汀 阿爾比那
佛瑞茲 史克朗德
明 樂
Original Assignee
美商微晶片科技公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=51524713&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI660259(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 美商微晶片科技公司 filed Critical 美商微晶片科技公司
Publication of TW201502746A publication Critical patent/TW201502746A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI660259B publication Critical patent/TWI660259B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/575—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices characterised by the feedback circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183—Long tailed pairs
    • H03F3/45192—Folded cascode stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/45—Indexing scheme relating to amplifiers the load of the amplifier being a capacitive element, e.g. CRT
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45192—Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier contains current mirrors comprising diodes which act as a load for the differential amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45626—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising biasing means controlled by the input signal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本發明係關於一種電壓調節器，其包括在一運算放大器之一第一階與一最後階功率電晶體之間增加之一大gm(跨導)電流緩衝驅動器。此電流緩衝允許顯著縮減調節器穩定所需之最大內部及外部補償電容。該電流緩衝補償電路允許一寬範圍外部電容器尺寸，其增加在選擇該等外部電容器類型(具有低至高額定等效串聯電阻(ESR))方面的靈活性。

Description

具有電流緩衝以縮減補償電容器尺寸及提供寬範圍的外部電容器之等效串聯電阻(ESR)值之USB調節器 [相關申請案交叉參考]
此申請案主張2013年3月14日申請之共同擁有的美國臨時專利申請案第61/780,985號之優先權，為了所有目的，該案之全文以引用的方式併入本文中。
本發明係關於USB電壓調節器，且尤其係關於具有一電流緩衝以縮減補償電容器尺寸且提供一寬範圍的外部補償電容器之等效串聯電阻(ESR)值之一USB電壓調節器。
USB電壓調節器以極低等效串聯電阻(ESR)值(例如，約10毫歐姆)操作。此ESR值不係很精確，此係因為陶瓷電容器製造者很少在其等資料表中指定ESR值。此外，精確值取決於外部電容器之額定尺寸/電壓設計，且可基於使用者連接拓撲(電路板布局及其上所使用之組件)變化，例如，並聯放置多個小電容器，藉此縮減ESR；或使用薄/長印刷電路板跡線以連接至電容器，藉此增加銅跡線電阻ESR。通常外部補償低壓降(LDO)電壓調節器使用大值外部電容器用於具有一限制範圍額定ESR之穩定。歸因於取決於負載條件之ESR值之可變化 零極點位置，ESR值將嚴重影響LDO電壓調節器之設計。因此，為了使電壓調節器保持穩定，具有一USB介面之既有產品使用需要非常大外部電容器尺寸及ESR值之變動之標準電壓調節器架構。
參考圖1及圖1A，描繪展示不同ESR情境之各種頻率回應圖。圖1(a)展示一期望普通頻率回應。圖1(b)展示ESR太高之一情境。圖1A(c)展示ESR太低之一情境。及圖1A(d)展示導致可怕的「死亡隧道」之ESR。
因此，有需要顯著地改良具有小至大ESR值之外部電容器之範圍且縮減內部補償電容值之尺寸用於穩定一相關聯電壓調節器，尤其一低壓降(LDO)電壓調節器。
根據一實施例，一種電壓調節器可包括：一運算放大器；一gm(跨導)加強電流緩衝驅動器；一輸出功率驅動器，其中電流緩衝驅動器可耦合在運算放大器與輸出功率驅動器之間；一電流回授電路，其耦合在輸出功率驅動器與電流緩衝驅動器之間；及一回授環路，其耦合在輸出功率驅動器與運算放大器之間。
根據一進一步實施例，一gm升壓電路可耦合至電流緩衝驅動器。根據一進一步實施例，gm升壓電路增加電流緩衝驅動器輸入阻抗。根據一進一步實施例，gm升壓電路啟用電流緩衝驅動器以具有一大gm值。根據一進一步實施例，一偏壓電路可耦合至電流緩衝驅動器以為電流緩衝驅動器之gm升壓設定一偏壓比率。根據一進一步實施例，可提供一啟用/停用功能以啟用/停用偏壓電路用於縮減備用電流。根據一進一步實施例，一補償電容器可耦合在輸出功率驅動器與運算放大器之一串疊節點之間。根據一進一步實施例，電壓調節器可為一低壓降(LDO)電壓調節器。根據一進一步實施例，運算放大器可具有經調適用於耦合至一參考電壓之一第一輸入及耦合至回授環路 之一第二輸入。根據一進一步實施例，運算放大器可為一低增益且高頻寬放大器。根據一進一步實施例，低增益且高頻寬放大器可為一折疊式串疊放大器。根據一進一步實施例，運算放大器可包括用於降低折疊式串疊放大器之一輸出阻抗之二極體連接PMOS電晶體。根據一進一步實施例，電流緩衝驅動器可為一運算跨導放大器(OTA)。
根據一進一步實施例，電流回授電路可感測在輸出功率驅動器處之一電流改變。根據一進一步實施例，電流回授電路可提供暫態加強用於經改良負載調節器。根據一進一步實施例，電流回授電路可自一輸出電壓節點提供一回授電壓。根據一進一步實施例，電流緩衝驅動器可具有一低輸出阻抗。根據一進一步實施例，可提供在偏壓電路中之電容器用於改良其之雜訊抗擾性。根據一進一步實施例，電壓調節器可為一USB電壓調節器。根據一進一步實施例，電流緩衝驅動器可具有低輸入阻抗且可提供可實質上不影響電壓調節器主要極點之一高頻率極點。
202‧‧‧低增益運算放大器(OpAmp)/第一階OpAmp/OpAmp/輸入階OpAmp
204‧‧‧低阻抗電流緩衝驅動器/大gm電流驅動器緩衝放大器/電流緩衝驅動器/電流緩衝
206‧‧‧功率輸出驅動器/最後階功率輸出驅動器/輸出驅動器/頻率輸出驅動器/大功率輸出驅動器/功率輸出階
208‧‧‧偏壓電路
210‧‧‧電流回授/電流回授電路
212‧‧‧回授環路/回授網路
214‧‧‧補償電容器
216‧‧‧外部負載及電容器
218‧‧‧gm升壓電路/gm升壓階
320‧‧‧電晶體
324‧‧‧電晶體
326‧‧‧電晶體
328‧‧‧電晶體
330‧‧‧電晶體
332‧‧‧電容器
334‧‧‧電晶體
336‧‧‧電晶體
340‧‧‧電晶體
342‧‧‧電容器
350‧‧‧電晶體
354‧‧‧電晶體
356‧‧‧電晶體
360‧‧‧電晶體
366‧‧‧電晶體
368‧‧‧電晶體
370‧‧‧電晶體
372‧‧‧電阻器
374‧‧‧電晶體
376‧‧‧電晶體
378‧‧‧電晶體
380‧‧‧頻率PMOS電晶體/電晶體/輸出電晶體
382‧‧‧電晶體
384‧‧‧電晶體/PMOS第二階電晶體/電流驅動階電晶體/驅動器電晶體
388‧‧‧電阻器
390‧‧‧電阻器
394‧‧‧電晶體
396‧‧‧電晶體
400‧‧‧電晶體
402‧‧‧電晶體
A‧‧‧節點
C‧‧‧節點
D‧‧‧節點
E‧‧‧非直接補償節點
H‧‧‧節點
M‧‧‧節點
可藉由參考結合隨附圖式所得之以下描述獲取本發明之一更完全理解，其中：圖1及圖1A繪示展示不同ESR情境之各種頻率回應圖；圖2繪示根據本發明之一特定實例實施例之一USB電壓調節器之示意方塊圖；圖3、圖3A及圖3B組合繪示根據本發明之一特定實施例具有偏壓、gm升壓、電流驅動器及電流回授電路之一折疊式串疊放大器之示意圖；及圖4及圖5繪示根據本發明之教示之暫態及調節回應曲線。
雖然本發明易於以多種修改及替換形式呈現，在圖式中展示且本文詳細描述其之特定實例實施例。應理解，然而，特定實例實施例 之本文描述並不意欲將本發明限制至本文所揭示之特定形式，但是相反，本發明係欲涵蓋如隨附申請專利範圍所定義之所有修改及等效物。
在典型低壓降調節器(LDO)設計中，輸出負載非始終恆定。隨著負載改變，輸出處之極點位置自相對高頻率(全負載，例如，>30mA)變化至非常低頻率(無負載或非常低負載，例如，<100μA)，歸因於大功率PMOS電晶體尺寸導致分離輸出極點與閘極極點之困難。歸因於負載電流之大轉變範圍(通常自非常低，小於250μA至非常大約60mA)，一USB調節器具有一非常大功率PMOS電晶體，如一輸出驅動器。歸因於此獨特應用，很難達成SoC(系統單晶片)設計(少電容器架構)。USB LDO電壓調節器應用需要一外部電容器。外部電容器可具有自幾毫歐姆至幾十歐姆範圍之非常不同ESR(等效串聯電阻)值，引起輸出零極點位置猛烈移動。因此，當在(例如但不限於)一USB LDO電壓調節器中使用外部電容器時，有需要將最後階PMOS功率電晶體之閘極極點推至一更高頻率。
根據各種實施例，一種電壓調節器可包括在一第一階運算放大器(OpAmp)與一最後階功率電晶體(例如，p通道金屬氧化物半導體(PMOS)電晶體)之間增加之一大gm(跨導)電流驅動器(低阻抗電流緩衝放大器)。此電流緩衝允許最大內部補償電容縮減至約3.7微微法拉之一顯著縮減，且外部負載電容之工作範圍自約0.4微法拉至約4.7微法拉。此外，根據本發明之教示，電流緩衝給電路設計者提供一更寬範圍外部電容器尺寸選擇。本文所描述及主張之電流緩衝補償電路允許縮減外部電容器尺寸，其增加整體電路板布局效率及電容器選擇之靈活性。此外，根據各種實施例，電壓調節器(例如，USB電壓調節器)可藉由根據本發明之教示(例如但不限於)使用低壓降(LDO)電壓調 節器電路設計消耗更少電力。
根據各種實施例，可藉由充分分離電壓調節器電路內之極點來處置ESR之各種值，以建立一鄰近單極點系統。參考圖2，描繪根據本發明之一特定實例實施例之一電壓調節器之示意方塊圖。調節器可包括一低增益運算放大器(OpAmp)202、一低阻抗電流緩衝驅動器204及一功率輸出驅動器206，例如，PMOS。能夠使用較小值內部及外部電容之關鍵係在第一階運算放大器202與最後階功率輸出驅動器206之間具有一大gm電流驅動器緩衝放大器204。圖2之電壓調節器可進一步包括偏壓電路208、電流回授210、一回授環路212、一補償電容器214及一gm升壓電路218。此電壓調節器可將電力(電壓及電流)供應至一外部負載及電容器216，且可進一步用作一USB電壓調節器。
運算放大器202作為一折疊式串疊組態的實施係歸因於其之獨特架構導致在輸出處之一單一極點，此最小化其之補償的複雜性。電流緩衝驅動器204之作用如同在運算放大器202與輸出驅動器206之間連接之一低阻抗驅動器。因為在電力供應操作期間輸出驅動器206可提供非常大量切換電流，歸因於驅動器之尺寸，閘極電容顯著地高，藉此導致在相對低頻率產生一極點。因此，為了得到極點分離效應，歸因於其之低阻抗特徵，電流緩衝驅動器204將此極點推至超過單位增益頻率之一高頻率。為了達成此，必須提供電流緩衝驅動器204之一相當大gm值。gm升壓電路218可提供在可感測於輸出驅動器206之輸出處之電流改變之電流回授210的幫助下，將增加電流緩衝驅動器204之阻抗值之一gm升壓技術。電流回授210亦可表現得像在(例如，但不限於)USB電力供應操作期間將幫助調節器之負載調節之一暫態加強電路。
輸入階運算放大器202可為一低增益、高頻寬放大器，其包括降低折疊式串疊放大器之輸出阻抗之二極體連接PMOS電晶體。參考 圖3、圖3A及圖3B，根據本發明之一特定實施例，組合描繪具有gm升壓、電流驅動器及電流回授電路之一折疊式串疊放大器之示意圖。因為以下原因，一折疊式串疊放大器設計經選擇用於輸入階運算放大器202：(1)架構僅在折疊式階之輸出處形成一個極點，其降低頻率補償之複雜性；(2)歸因於其係可經調適以驅動一電容性負載(諸如電晶體384之閘極)之一OTA(運算跨導放大器)的特徵，其為其後放置之圖3B中所展示之源極隨耦器階的電流緩衝204提供一良好驅動能力；及(3)折疊式階(圖3A中所展示之電晶體360及366)之獨特性可用作一非直接補償節點E。
圖3中所展示係用於USB調節器之偏壓電路208。在停用/停電操作期間可關閉電晶體320、330、334及336以確保此電路將實質上不消耗DC電流。電容器332及342係耦合電容器以改良VDD雜訊消除，確保電晶體324、326及328之閘極以與VDD(節點A)相同方式移動以消除雜訊，結果為Vsg_noise=0.342類似地作用，以幫助電晶體340具有更好接地雜訊抗擾性，而導致Vgs_noise=0。節點M係來到調節器電路之啟用信號，使得當停用時可關閉模組。
來自運算放大器202(圖3A，節點C)之輸出階(電晶體350、360及366)接著連接至PMOS第二階電晶體384之閘極。查看電流緩衝204之放大功能及電晶體384之源極之低阻抗建立將與系統主要極點互動不相關之一相當高頻率極點，該極點連接至在頻率輸出驅動器206中之頻率PMOS電晶體380，藉此具有更有效率極點分離，且允許更容易頻率補償。圖3B中所展示之調節器電路之電流驅動器階電晶體384(電流緩衝204中)使用電流緩衝(電晶體384及394及電阻器372)建立一低阻抗環境，以分離在包括電晶體380及內部階調節器(運算放大器202，圖3A，節點C)之大功率輸出驅動器206上可見之極點。藉由正確地將在電晶體380之閘極處之極點推至一高頻率域，在完全負載條 件中有效地在運算放大器202之輸出(節點C)處留下唯一的主要極點。為了達成此操作，可使用一gm升壓階。
該gm升壓階218可包括電流緩衝204之圖3B中所展示之電晶體368、370、374、376、378、382、396、394、400、402、384及電阻器372。電流驅動器可包括電流緩衝204之圖3B中所展示之電晶體370、384及394以及電阻器372，且電流回授電路210可包括電流緩衝204之圖3B中所展示之電晶體374、376、378、400、402及394。PMOS電流緩衝驅動器204之gm可包括電晶體384，且可經耦合至電流之兩個源極，一個源極來自偏壓網路且另一個源極如電流回授210包括來自可包括電晶體380之功率輸出階206的電晶體378、400、402及376。可藉由電晶體396來固定偏壓網路。接著在電晶體368及370中比率化此等電流，以為驅動器電晶體384提供足夠量電流，但基於電晶體396之一限制電流鏡像而不足以增加更多電流。
回授網路212可包括電晶體380，電阻器388及390可經耦合至輸出電晶體380，且當調節電路經歷不同輸出負載情況時，可主動地提供電流至電流驅動器電晶體384。回授網路212提供回授電壓至運算放大器202之一個差動輸入(電晶體356，圖3A，節點D)，以與連接至另一差動輸入(電晶體354，圖3A，節點H)之一參考電壓(來自未展示之一電壓參考)相比較。僅需要將在圖3A中之運算放大器202節點C之輸出階與圖3B中耦合至輸出節點N之電阻器388上方之調節器之輸出階之間所要求之唯一的補償電容器定大小，以確保甚至進一步好分離極點。此值經限於一小數目，以幫助穩定調節器系統。因為簡單電流緩衝204包括電晶體368、370、374、376、378、382、396、394、400、402、384及電阻器372，電壓調節器之作用如同偽「一個極點」系統，其獨立於輸出極點改變，只要其在系統之頻寬內。因此，ESR之範圍隨同輸出電容一起延伸。因此，根據本發明之教示，可有效地使 用一更寬範圍之外部電容器。
參考圖4及圖5，根據本發明之教示，描繪暫態及調節回應曲線。展示反射系統之AC回應的線暫態回應圖表，其中調節器輸出係穩定的，其中供應電壓暫態改變。此等圖表展示使用一小補償電容器的調節器系統是穩定的。
雖然藉由參考本發明之實例實施例描繪、描述及定義本發明之實施例，此等參考不意味本發明之限制，且不能推斷此限制。如熟習相關技術與受益於本發明之士，可在形式及功能上對所揭示之標的進行大幅修改、替代及等效物。本發明之所描繪及描述實施例僅係實例，且不係本發明之範疇之窮盡。

Claims (19)

  1. 一種電壓調節器，其包括：一運算放大器；一電流緩衝驅動器；一功率輸出驅動器，其中該電流緩衝驅動器係耦合在該運算放大器與該功率輸出驅動器之間；一電流回授電路，其耦合在該功率輸出驅動器與該電流緩衝驅動器之間；及一回授環路，其耦合在該功率輸出驅動器與該運算放大器之間，其中該電流緩衝驅動器包括與一PMOS場效電晶體及一NMOS場效電晶體串聯耦合之一電阻器，其中該PMOS場效電晶體係由該運算放大器之一輸出所控制且該NMOS場效電晶體與一電流鏡耦合。
  2. 如請求項1之電壓調節器，進一步包括耦合至該電流緩衝驅動器之一gm升壓電路。
  3. 如請求項2之電壓調節器，其中該gm升壓電路增加該電流緩衝驅動器輸入阻抗。
  4. 如請求項2之電壓調節器，其中該gm升壓電路啟用該電流緩衝驅動以具有一gm值，該gm值係足夠大而能夠使用較小值內部及外部電容。
  5. 如請求項1之電壓調節器，進一步包括一偏壓電路，該偏壓電路耦合至該電流緩衝驅動器以用於提供該電流緩衝驅動器之一gm升壓。
  6. 如請求項5之電壓調節器，進一步包括一啟用/停用功能以啟用/停用該偏壓電路用於縮減備用電流。
  7. 如請求項1之電壓調節器，進一步包括耦合在該功率輸出驅動器與該運算放大器之一串疊節點之間之一補償電容器。
  8. 如請求項1之電壓調節器，其中該電壓調節器係一低壓降(LDO)電壓調節器及/或一USB電壓調節器。
  9. 如請求項1之電壓調節器，其中該運算放大器具有經調適用於耦合至一參考電壓之一第一輸入，及耦合至該回授環路之一第二輸入。
  10. 如請求項1之電壓調節器，其中該運算放大器係一低增益且高頻寬放大器。
  11. 如請求項10之電壓調節器，其中該低增益且高頻寬放大器係一折疊式串疊放大器。
  12. 如請求項11之電壓調節器，其中該運算放大器包括用於降低該折疊式串疊放大器之一輸出阻抗之二極體連接PMOS電晶體。
  13. 如請求項1之電壓調節器，其中該電流緩衝驅動器係一運算跨導放大器(OTA)。
  14. 如請求項1之電壓調節器，其中該電流回授電路感測在該功率輸出驅動器處之一電流改變。
  15. 如請求項1之電壓調節器，其中該電流回授電路提供暫態加強用於經改良負載調節。
  16. 如請求項1之電壓調節器，其中該電流回授電路自一輸出電壓節點提供一回授電壓。
  17. 如請求項1之電壓調節器，其中該電流緩衝驅動器具有一低輸出阻抗。
  18. 如請求項5之電壓調節器，進一步包括在該偏壓電路中之電容器，用於改良其之雜訊抗擾性。
  19. 如請求項1之電壓調節器，其中該電流緩衝驅動器具有低輸入阻抗，且提供實質上不影響該電壓調節器主要極點之一高頻率極點。
TW103109275A 2013-03-14 2014-03-14 具有電流緩衝以縮減補償電容器尺寸及提供寬範圍的外部電容器之等效串聯電阻（ｅｓｒ）値之ｕｓｂ調節器 TWI660259B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361780985P 2013-03-14 2013-03-14
US61/780,985 2013-03-14
US14/204,011 US9471074B2 (en) 2013-03-14 2014-03-11 USB regulator with current buffer to reduce compensation capacitor size and provide for wide range of ESR values of external capacitor
US14/204,011 2014-03-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201502746A TW201502746A (zh) 2015-01-16
TWI660259B true TWI660259B (zh) 2019-05-21

Family

ID=51524713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103109275A TWI660259B (zh) 2013-03-14 2014-03-14 具有電流緩衝以縮減補償電容器尺寸及提供寬範圍的外部電容器之等效串聯電阻（ｅｓｒ）値之ｕｓｂ調節器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9471074B2 (zh)
EP (1) EP2972642B1 (zh)
KR (1) KR20150130997A (zh)
CN (1) CN105009017B (zh)
TW (1) TWI660259B (zh)
WO (1) WO2014159507A2 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104142701B (zh) * 2013-05-06 2016-08-24 意法半导体研发(深圳)有限公司 限流电路

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6246221B1 (en) * 2000-09-20 2001-06-12 Texas Instruments Incorporated PMOS low drop-out voltage regulator using non-inverting variable gain stage
US20050168272A1 (en) * 2004-02-02 2005-08-04 Jaideep Banerjee Voltage regulator with improved load regulation using adaptive biasing
US20060192538A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 O2Micro, Inc. Low drop-out voltage regulator with enhanced frequency compensation
TW201108588A (en) * 2009-05-26 2011-03-01 Silergy Corp Control for regulator fast transient response and low EMI noise
TW201236340A (en) * 2010-11-08 2012-09-01 Intersil Inc Synthetic ripple regulator with frequency control

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6509722B2 (en) * 2001-05-01 2003-01-21 Agere Systems Inc. Dynamic input stage biasing for low quiescent current amplifiers
US7656224B2 (en) * 2005-03-16 2010-02-02 Texas Instruments Incorporated Power efficient dynamically biased buffer for low drop out regulators
US7719241B2 (en) * 2006-03-06 2010-05-18 Analog Devices, Inc. AC-coupled equivalent series resistance
US7312598B1 (en) 2006-08-25 2007-12-25 National Semiconductor Corporation Capacitor free low drop out regulator
US7683720B1 (en) * 2007-06-08 2010-03-23 Integrated Device Technology, Inc. Folded-cascode amplifier with adjustable continuous time equalizer
TW200903988A (en) * 2007-07-03 2009-01-16 Holtek Semiconductor Inc Low drop-out voltage regulator with high-performance linear and load regulation
CN101419477B (zh) 2007-10-22 2013-04-03 三星电子株式会社 提供多输出电压的可控低压差线性稳压电路
CN101853040A (zh) 2010-07-05 2010-10-06 复旦大学 一种带前馈跨导的高电源抑制比低压差线性稳压器
CN102915061B (zh) 2011-08-05 2015-05-06 深圳市汇春科技有限公司 极低静态电流的低压降稳压器
US8547077B1 (en) * 2012-03-16 2013-10-01 Skymedi Corporation Voltage regulator with adaptive miller compensation

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6246221B1 (en) * 2000-09-20 2001-06-12 Texas Instruments Incorporated PMOS low drop-out voltage regulator using non-inverting variable gain stage
US20050168272A1 (en) * 2004-02-02 2005-08-04 Jaideep Banerjee Voltage regulator with improved load regulation using adaptive biasing
US20060192538A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 O2Micro, Inc. Low drop-out voltage regulator with enhanced frequency compensation
TW201108588A (en) * 2009-05-26 2011-03-01 Silergy Corp Control for regulator fast transient response and low EMI noise
TW201236340A (en) * 2010-11-08 2012-09-01 Intersil Inc Synthetic ripple regulator with frequency control

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Mohammad Al-Shyoukh, Hoi Lee, Raul Perez,"A Transient-Enhanced Low-Quiescent Current Low-Dropout Regulator With Buffer Impedance Attenuation", IEEE Journal of Solid-State Circuits (Volume: 42, Issue: 8, Aug. 2007),2007/07/23. *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150130997A (ko) 2015-11-24
CN105009017A (zh) 2015-10-28
CN105009017B (zh) 2017-06-09
US9471074B2 (en) 2016-10-18
US20140266107A1 (en) 2014-09-18
WO2014159507A2 (en) 2014-10-02
EP2972642A2 (en) 2016-01-20
TW201502746A (zh) 2015-01-16
WO2014159507A3 (en) 2014-12-24
EP2972642B1 (en) 2020-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI413881B (zh) 線性穩壓器及其電流感測電路
US7492137B2 (en) Series regulator and differential amplifier circuit thereof
TWI696910B (zh) 低壓降穩壓電路及其穩壓方法
US20090195290A1 (en) Method and apparatus for overshoot and undershoot errors correction in analog low dropout regulators
US8854136B2 (en) Fully differential operational amplifier with common-mode feedback circuit
JP2010244255A (ja) 非反転増幅回路及び半導体集積回路と非反転増幅回路の位相補償方法
CN105992981B (zh) 低压差电压调节器电路
WO2023011223A1 (zh) 一种电源抑制电路、芯片及通信终端
US20140117950A1 (en) Voltage regulator circuit
US5315264A (en) Rail-to-rail opamp with large sourcing current and small quiescent current
CN115079760B (zh) 一种低压差线性稳压器和芯片
JP2008236339A (ja) 半導体集積回路
Yu et al. A fast-transient low-dropout regulator (LDO) with Super Class-AB OTA
Li et al. Design of a capacitor-less adaptively biased low dropout regulator using recycling folded cascode amplifier
Liu et al. A fast transient FVF-based output capacitorless LDO with self-feedback biasing
Zeng et al. An output-capacitor-free low-dropout regulator with subthreshold slew-rate enhancement technique
Sansen Analog design procedures for channel lengths down to 20 nm
TWI660259B (zh) 具有電流緩衝以縮減補償電容器尺寸及提供寬範圍的外部電容器之等效串聯電阻（ｅｓｒ）値之ｕｓｂ調節器
CN108445959B (zh) 一种可选接片外电容的低压差线性稳压器
US7570113B2 (en) Overload recovery circuit for folded cascode amplifiers
US9385658B2 (en) Fast recovery scheme of transconductance gain for folded cascode amplifier
JP2014164702A (ja) ボルテージレギュレータ
CN110320953B (zh) 一种输出电压可调的基准电压源
Furth et al. A 22dB PSRR enhancement in a two-stage CMOS opamp using tail compensation
EP4435553A1 (en) Low dropout regulator