TWI657607B - 發光元件、發光裝置、電子裝置、及照明裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明的發光元件藉由具有包含即使作為客體材料使用發光能量高的磷光化合物也可以處於化學上穩定的狀態的主體材料的結構，可以充分地確保發光效率。根據包含在發光層中的主體材料和客體材料而得到的發光的相對發光強度與發光時間之間的關係以多成分衰減曲線表示，並且上述多成分衰減曲線的最慢的成分的相對發光強度在最慢的成分被主體材料的淬滅不阻礙的短時間(較佳為15μsec以下)內成為1/100，由此可以充分地確保發光效率。
Description
本發明係關於一種物體、方法或製造方法。或者，本發明係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或物質組成元件(composition of matter)。尤其是，本發明例如係關於一種半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、上述裝置的驅動方法或它們的製造方法。尤其是，例如，本發明的一個方式係關於一種發光元件，其中一對電極之間夾有藉由施加電場來得到發光的有機化合物，另外，本發明涉及一種具有這種發光元件的發光裝置、電子裝置以及照明設備。
作為能夠應用於下一代平板顯示器的發光元件，將具有薄型輕量、高速回應性及直流低電壓驅動等的特徵的有機化合物用作發光體的發光元件被期待。一般認為尤其是將發光元件配置為矩陣狀的顯示裝置與習知的液晶顯示裝置相比具有視角寬且可見度優異的優點。
一般認為發光元件的發光機制是如下：藉由在一對電極之間夾著包含發光物質的EL層並對該一對電極施加電壓，從陰極注入的電子和從陽極注入的電洞在EL層的發光中心形成激發態，該激發態返回到基態時釋放出能量而發光。作為用於發光物質的有機化合物的激發態，可以是單重激發態或三重激發態，由單重激發態(S1)發射的光被稱為螢光，而由三重激發態(T1)發射的光被稱為磷光。此外，在發光元件中，單重激發態和三重激發態的統計學上的生成比率被認為是S1：T1=1：3。
由此，一直在進行為了提高元件特性的研究開發，例如，正在開發不僅利用螢光發光而且還利用磷光發光的發光元件。在該發光元件的發光層中，包含主體材料和客體材料，並且作為客體材料使用呈現高能量發光的磷光物質(例如，參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2010-182699號公報
一般而言，在使用主體材料和客體材料的發光元件的情況下，為了提高發光元件的發光效率，作為主體材料使用其T1能階比客體材料高的物質是較佳的。但是，在將發光能量高的磷光化合物(例如，藍色磷光化合物)用作客體材料的情況下，出現如下問題：主體材料所需的T1能階比使用發光能量低的磷光化合物(例如，綠色或紅色磷光化合物)時高，從而成為化學上不穩定的狀態。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種化學上穩定的發光裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種發光效率高的發光裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性高的發光裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種螢幕灼傷少的發光裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種發生延遲發光的發光裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的發光裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種優良的發光裝置。
另外，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。注意，本發明的一個方式不必須要達到上述所有目的。另外，說明書、圖式以及申請專利範圍等的記載中顯然存在上述目的以外的目的，可以從說明書、圖式以及申請專利範圍等的記載中獲得上述目的以外的目的。
於是，本發明的一個方式的發光元件具有包含即使作為客體材料使用發光能量高的磷光化合物也可以處於化學上穩定的狀態的主體材料的結構，也就是說在發光元件的發光層中至少包含主體材料和客體材料的結構，在不發生濃度淬滅的激子濃度範圍中，根據上述材料而得到的發光(例如，由於光激發而發生的光致發光(PL)或由於電場激發而發生的電致發光(EL)等)的相對發光強度與發光時間之間的關係以多成分衰減曲線表示，並且較
佳的是上述衰減曲線的最慢的成分的相對發光強度(=E(t)/E0)在最慢的成分被主體材料的淬滅不阻礙的短時間內成為1/100，即最慢的成分的發光時間為15μsec以下，較佳為10μsec以下，更佳為5μsec以下，由此可以充分地確保發光效率。
上述多成分衰減曲線以下述算式1表示。
(注意，E0表示初始發光強度，E(t)表示相對於時間(t)的發光強度，A表示常數，τ表示壽命，n表示衰減曲線的成分的數量。)
在上述條件下，即使在主體材料的T1能階比客體材料的T1能階低的情況下也可以向客體材料進行能量移動，而主體材料的T1能階不一定必須比客體材料高，因此可以將化學上穩定的材料用作主體材料。
因此，本發明的一個方式是一種包括至少包含主體材料和客體材料的發光層的發光元件，其中，在照射脈衝雷射(設定為不發生濃度淬滅的輸出)之後的發光層中，相對發光強度與發光時間之間的關係以多成分衰減曲線表示，並且，上述衰減曲線的最慢的成分的相對發光強度成為1/100的發光時間為15μsec以下，較佳為10μsec以下，更佳為5μsec以下。
本發明的另一個方式是一種在一對電極之間至少包括發光層的發光元件，其中，發光層包含兩種以上的有機化合物，在相對發光強度成為1/100時觀察到示出發光時的相對發光強度與發光時間之間的關係的兩個以上的成分，並且，上述多成分衰減曲線的最慢的成分的相對發光強度成為1/100的發光時間為15μsec以下，較佳為10μsec以下，更佳為5μsec以下。
本發明的另一個方式是一種在一對電極之間至少包括發光層的發光元件，其中，發光層至少包含第一有機化合物(主體材料)和第二有機化合物(客體材料)，第二有機化合物為有機金屬錯合物，第一有機化合物的T1能階低於第二有機化合物的T1能階，在相對發光強度成為1/100時觀察到示出相對發光強度與發光時間之間的關係的兩個以上的成分，並且，上述多成分衰減曲線的最慢的成分的相對發光強度成為1/100的發光時間為15μsec以下，較佳為10μsec以下，更佳為5μsec以下。
注意，在上述各結構中，由於作為主體材料可以使用T1能階比客體材料低的有機化合物，所以可以製造發光元件，而不使用化學上不穩定的有機化合物作為主體材料。
另外，在上述各結構中，較佳為採用主體材料的T1能階比客體材料的T1能階低0eV以上且0.2eV以下的組合。由此，可以以發光效率不下降的方式使用化學上穩定的主體材料，從而可以實現發光元件的長壽命
化。
另外，本發明的一個方式在其範疇內不僅包括具有發光元件的發光裝置，還包括具有發光裝置的電子裝置及照明設備。因此，本說明書中的發光裝置是指影像顯示裝置或光源(包括照明設備)。另外，發光裝置還包括如下模組：在發光裝置中安裝有連接器諸如FPC(Flexible printed circuit：撓性印刷電路)、TCP(Tape Carrier Package：載帶封裝)的模組；將印刷線路板設置於TCP端部的模組；或者IC(積體電路)藉由COG(Chip On Glass：玻璃上晶片)方式直接安裝在發光元件上的模組。
根據本發明的一個方式，可以提供一種發光效率高的發光元件。另外，因為可以將化學上穩定的主體材料用於發光層，所以可以提供一種壽命長的發光元件。此外，藉由具備上述發光元件，可以提供一種可靠性高的發光裝置。此外，藉由具備上述發光裝置，可以提供一種可靠性高的電子裝置及照明設備。
10‧‧‧激子
11‧‧‧主體材料
12‧‧‧客體材料
101‧‧‧陽極
102‧‧‧陰極
103‧‧‧EL層
104‧‧‧發光層
105‧‧‧作為主體材料的第一有機化合物
106‧‧‧作為客體材料的第二有機化合物
201‧‧‧第一電極
202‧‧‧第二電極
203‧‧‧EL層
204‧‧‧電洞注入層
205‧‧‧電洞傳輸層
206‧‧‧發光層
207‧‧‧電子傳輸層
208‧‧‧電子注入層
209‧‧‧作為主體材料的第一有機化合物
210‧‧‧作為客體材料的第二有機化合物
301‧‧‧第一電極
302(1)‧‧‧第一EL層
302(2)‧‧‧第二EL層
304‧‧‧第二電極
305‧‧‧電荷產生層
305(1)‧‧‧第一電荷產生層
305(2)‧‧‧第二電荷產生層
501‧‧‧元件基板
502‧‧‧像素部
503‧‧‧驅動電路部(源極線驅動電路)
504a、504b‧‧‧驅動電路部(閘極線驅動電路)
505‧‧‧密封材料
506‧‧‧密封基板
507‧‧‧佈線
508‧‧‧FPC(撓性印刷電路)
509‧‧‧n通道型FET
510‧‧‧p通道型FET
511‧‧‧開關用FET
512‧‧‧電流控制用FET
513‧‧‧第一電極(陽極)
514‧‧‧絕緣物
515‧‧‧EL層
516‧‧‧第二電極(陰極)
517‧‧‧發光元件
518‧‧‧空間
1100‧‧‧基板
1101‧‧‧第一電極
1102‧‧‧EL層
1103‧‧‧第二電極
1111‧‧‧電洞注入層
1112‧‧‧電洞傳輸層
1113‧‧‧發光層
1114‧‧‧電子傳輸層
1115‧‧‧電子注入層
2001‧‧‧第一基板
2002‧‧‧發光部
2005a‧‧‧第一密封材料
2005b‧‧‧第二密封材料
2006‧‧‧第二基板
2011‧‧‧第二空間
2013‧‧‧第一空間
3000‧‧‧發光裝置
3001‧‧‧基板
3002a‧‧‧反射電極
3002b‧‧‧反射電極
3002c‧‧‧反射電極
3003a‧‧‧下部電極
3003b‧‧‧下部電極
3003c‧‧‧下部電極
3005a‧‧‧透明導電層
3005b‧‧‧透明導電層
3005c‧‧‧透明導電層
3007a‧‧‧分隔壁
3007b‧‧‧分隔壁
3007c‧‧‧分隔壁
3007d‧‧‧分隔壁
3009‧‧‧電洞注入層
3011a‧‧‧電洞傳輸層
3011b‧‧‧電洞傳輸層
3011c‧‧‧電洞傳輸層
3013a‧‧‧發光層
3013b‧‧‧發光層
3013c‧‧‧發光層
3015a‧‧‧電子傳輸層
3015b‧‧‧電子傳輸層
3015c‧‧‧電子傳輸層
3017‧‧‧電子注入層
3019‧‧‧上部電極
3020a‧‧‧發光元件
3020b‧‧‧發光元件
3020c‧‧‧發光元件
3100‧‧‧發光裝置
3101‧‧‧基板
3102a‧‧‧反射電極
3102b‧‧‧反射電極
3102c‧‧‧反射電極
3103a‧‧‧下部電極
3103b‧‧‧下部電極
3103c‧‧‧下部電極
3103d‧‧‧下部電極
3105a‧‧‧透明導電層
3105b‧‧‧透明導電層
3107a‧‧‧分隔壁
3107b‧‧‧分隔壁
3107c‧‧‧分隔壁
3107d‧‧‧分隔壁
3110‧‧‧電洞注入層及電洞傳輸層
3112‧‧‧第一發光層
3114‧‧‧電荷產生層
3116‧‧‧第二發光層
3118‧‧‧電子傳輸層及電子注入層
3119‧‧‧上部電極
3120a‧‧‧發光元件
3120b‧‧‧發光元件
3120c‧‧‧發光元件
4000‧‧‧照明設備
4001‧‧‧照明設備
4003‧‧‧基板
4005‧‧‧基板
4007‧‧‧發光元件
4009‧‧‧電極
4011‧‧‧電極
4013‧‧‧下部電極
4014‧‧‧EL層
4015‧‧‧上部電極
4017‧‧‧輔助佈線
4019‧‧‧密封基板
4021‧‧‧密封材料
4023‧‧‧乾燥劑
4025‧‧‧基板
4027‧‧‧擴散板
4100‧‧‧照明設備
4101‧‧‧照明設備
4103‧‧‧密封基板
4105‧‧‧平坦化膜
4107‧‧‧發光元件
4109‧‧‧電極
4111‧‧‧電極
4113‧‧‧下部電極
4114‧‧‧EL層
4115‧‧‧上部電極
4117‧‧‧輔助佈線
4121‧‧‧密封材料
4125‧‧‧基板
4127‧‧‧擴散板
4129‧‧‧障壁膜
4131‧‧‧絕緣層
4500‧‧‧觸摸感測器
4510‧‧‧導電層
4510a‧‧‧導電層
4510b‧‧‧導電層
4510c‧‧‧導電層
4520‧‧‧導電層
4540‧‧‧電容器
4710‧‧‧電極
4810‧‧‧絕緣層
4820‧‧‧絕緣層
4910‧‧‧基板
4920‧‧‧基板
5000‧‧‧模組
5001‧‧‧上部外殼
5002‧‧‧下部外殼
5003‧‧‧FPC
5004‧‧‧觸控面板
5005‧‧‧FPC
5006‧‧‧顯示面板
5007‧‧‧背光單元
5008‧‧‧光源
5009‧‧‧框架
5010‧‧‧印刷基板
5011‧‧‧電池
6001‧‧‧基板
6002‧‧‧發光元件
6003‧‧‧第一電極
6004‧‧‧EL層
6005‧‧‧第二電極
6006‧‧‧緩衝層
6007‧‧‧第三電極
6008‧‧‧接觸部
6100‧‧‧光散射層
6101‧‧‧光散射體
6102‧‧‧空氣層
6103‧‧‧高折射率層
6104‧‧‧元件層
7100‧‧‧電視機
7101‧‧‧外殼
7103‧‧‧顯示部
7105‧‧‧支架
7107‧‧‧顯示部
7109‧‧‧操作鍵
7110‧‧‧遙控器
7201‧‧‧主體
7202‧‧‧外殼
7203‧‧‧顯示部
7204‧‧‧鍵盤
7205‧‧‧外部連接埠
7206‧‧‧指向裝置
7301‧‧‧外殼
7302‧‧‧外殼
7303‧‧‧聯結部
7304‧‧‧顯示部
7305‧‧‧顯示部
7306‧‧‧揚聲器部
7307‧‧‧儲存介質插入部
7308‧‧‧LED燈
7309‧‧‧操作鍵
7310‧‧‧連接端子
7311‧‧‧感測器
7312‧‧‧麥克風
7400‧‧‧行動電話機
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作按鈕
7404‧‧‧外部連接埠
7405‧‧‧揚聲器
7406‧‧‧麥克風
8001‧‧‧照明設備
8002‧‧‧照明設備
8003‧‧‧照明設備
8004‧‧‧照明設備
9033‧‧‧夾子
9034‧‧‧顯示模式切換開關
9035‧‧‧電源開關
9036‧‧‧省電模式切換開關
9038‧‧‧操作開關
9630‧‧‧外殼
9631‧‧‧顯示部
9631a‧‧‧顯示部
9631b‧‧‧顯示部
9632a‧‧‧觸控面板的區域
9632b‧‧‧觸控面板的區域
9633‧‧‧太陽能電池
9634‧‧‧充放電控制電路
9635‧‧‧電池
9636‧‧‧DCDC轉換器
9637‧‧‧操作鍵
9638‧‧‧轉換器
9639‧‧‧按鈕
在圖式中：圖1A和圖1B是說明本發明的一個方式的概念的圖；圖2是說明發光元件的結構的圖；圖3是說明發光元件的結構的圖；
圖4A和圖4B是說明發光元件的結構的圖；圖5A和圖5B是說明發光裝置的圖；圖6A至圖6D是說明電子裝置的圖；圖7A至圖7C是說明電子裝置的圖；圖8是說明照明設備的圖；圖9是說明發光元件的結構的圖；圖10是示出發光元件1及比較發光元件2的電流密度-亮度特性的圖；圖11是示出發光元件1及比較發光元件2的電壓-亮度特性的圖；圖12是示出發光元件1及比較發光元件2的亮度-電流效率特性的圖；圖13是示出發光元件1及比較發光元件2的電壓-電流特性的圖；圖14是示出發光元件1的發射光譜的圖；圖15是示出發光元件1及比較發光元件2的可靠性的圖；圖16是示出發光元件的磷光光譜的圖；圖17是示出發光元件的發光時間的圖；圖18A和圖18B是說明本發明的一個方式的發光裝置的圖；圖19A和圖19B是說明本發明的一個方式的發光裝置的圖；圖20A至圖20E是說明本發明的一個方式的照明設
備的圖；圖21A和圖21B是說明本發明的一個方式的觸摸感測器的圖；圖22是說明本發明的一個方式的觸摸感測器的電路圖；圖23是說明本發明的一個方式的觸摸感測器的剖面圖；圖24是說明使用本發明的一個方式的發光裝置的模組的圖；圖25A和圖25B是說明本發明的一個方式的發光元件的圖。
下面，參照圖式詳細地說明本發明的實施方式。但是，本發明不侷限於以下說明的內容，其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。
在本實施方式中，說明作為本發明的一個方式的即使作為客體材料使用發光能量高的磷光化合物，主體材料也可以處於化學上穩定的狀態的發光元件的結構概念及發光元件的具體結構。
本發明的一個方式的發光元件以在一對電極之間夾著發光層的方式形成，發光層至少包含主體材料和客體材料(注意，激子濃度在不發生濃度淬滅的範圍內)，在根據上述材料而得到的發光(例如，由於光激發而發生的光致發光(PL)或由於電場激發而發生的電致發光(EL)等)中，藉由使相對發光強度與發光時間之間的關係示出多成分衰減曲線，並且上述衰減曲線的最慢的成分的相對發光強度在最慢的成分被主體材料的淬滅不阻礙的短時間(較佳為15μsec以下)內成為1/100，由此可以充分地確保發光效率。
此時，即使在主體材料的T1能階比客體材料的T1能階低的情況下也可以進行能量移動，而主體材料的T1能階不一定必須比客體材料高，因此可以將化學上穩定的材料用作主體材料。由此，本發明的一個方式可以使用T1能階比客體材料低的主體材料。
參照圖1A和圖1B說明本發明的一個方式中的它們的結構。
圖1A示出至少包含在發光層中的主體材料11和客體材料12的激子的能量狀態的關係。客體材料12的三重激發態是T1(g)能階，由客體材料12生成的激子10位於該能階。另外，主體材料11的三重激發態是其能量比客體材料12低△E(eV)的T1(h)能階。
在此情況下，位於客體材料12的T1(g)能階的激發能量以[D0 *]×K2(注意，[D0 *]：客體材料的激子
的濃度，K2：從客體材料12到主體材料11的激發能量移動速度常數)的速度向主體材料11的T1(h)能階移動(Yg)。另外，激發能量也可以以[H0 *]×K3(注意，[H0 *]：主體材料的激子濃度，K3：從主體材料11到客體材料12的激發能量移動速度常數)的速度從主體材料11的T1(h)能階向客體材料12的T1(g)能階移動(Yh)。上述從低能階到高能階的物理上不利的能量移動(以下稱為反能量移動)可以藉由利用室溫的能量使激子活化來進行。但是，剛發生光激發或電激發之後的從T1(g)能階到T1(h)能階的激發能量的移動速度比從T1(h)能階到T1(g)能階的反能量移動速度極快，由此可以認為幾乎沒有發生從主體材料11到客體材料12的反能量移動。注意，在圖1A和圖1B中，客體材料12的從T1(g)能階到S0(g)能階的速度常數為K1，主體材料11的從T1(h)能階到S0(h)能階的速度常數為K4。
但是，如圖1B所示，隨著從T1(g)能階到T1(h)能階的激發能量的移動(Yg)，位於T1(h)能階的激子濃度變高，由此高效地發生從T1(h)能階到T1(g)能階的激發能量的移動(Yh)。此時，為了高效地發生反能量移動，重要的是T1(g)能階與T1(h)能階之間的能量差(△E)不是很大。在此，較佳為以滿足0<△E<0.2eV的方式組合主體材料11和客體材料12。
在發生上述激發能量的移動的同時也發生客體材料12的從T1(g)能階到S0(g)能階的發光性轉移(Xg)
和主體材料11的從T1(h)能階到S0(h)能階的非發光性轉移(Xh)。注意，在圖1A和圖1B中，客體材料12的從T1(g)能階到S0(g)能階的轉移速度常數為K1，主體材料11的從T1(h)能階到S0(h)能階的轉移速度常數為K4。此時，為了實現高效的發光，非發光性轉移(Xh)的速度比發光性轉移(Xg)非常慢是重要的。此外，發光性轉移(Xg)較佳比0.2(μsec)-1快，非發光性轉移(Xh)較佳比10(msec)-1慢。
就是說，藉由使反能量移動速度比非發光性主體材料的轉移速度充分快並使發光性客體材料的轉移速度比非發光性主體材料的轉移速度充分快，可以實現高效的發光。
如上所述，因為本發明的一個方式的發光元件的發光包含從能量低的能階進行反能量移動的能量，所以表示PL測量時的發光時間的曲線示出多成分衰減曲線。另外，上述衰減曲線的最慢的成分的相對發光強度在最慢的成分被主體材料的淬滅不阻礙的短時間內成為1/100，即最慢的成分的發光時間為15μsec以下，較佳為10μsec以下，更佳為5μsec以下，由此可以充分地確保發光效率。
注意，除了上述狀態之外，即使在增大脈衝雷射的功率密度且激子濃度高的狀態下進行測量，有時也示出多成分衰減曲線。這是因為：激子濃度變高，發生激子的相互作用，而導致三重態-三重態湮滅。該現象也稱
為濃度淬滅。當進行測量時，需要在降低脈衝雷射的功率密度且激子濃度低的狀態下進行測量以避免濃度淬滅的影響。
接著，參照圖2說明本發明的一個方式的發光元件的元件結構。
如圖2所示，本發明的一個方式的發光元件具有在一對電極(陽極101、陰極102)之間夾著發光層104的結構。其中，發光層104包含第一有機化合物和第二有機化合物。發光層104是構成與一對電極接觸的EL層103的功能層的一部分。另外，EL層103除了發光層104還可以適當地選擇電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等層，並將其形成於所需的位置。注意，發光層104是至少包含作為主體材料的第一有機化合物105及作為客體材料的第二有機化合物106的層。
作為用作主體材料的第一有機化合物105，可以使用電洞傳輸性高的物質或電子傳輸性高的物質。
作為可以應用於第一有機化合物105的電洞傳輸性高的物質，例如可以舉出：芳香胺化合物諸如4-(1-萘基)-4’-苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBBiNB)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBA1BP)、4,4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBNBB)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)、4,4’,4”-三[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]三苯胺
(簡稱：1’-TNATA)、2,7-雙[N-(4-二苯基胺基苯基)-N-苯基胺基]螺環-9,9’-二茀(簡稱：DPA2SF)、N,N’-雙(9-苯基咔唑-3-基)-N,N’-二苯基苯-1,3-二胺(簡稱：PCA2B)、N-(9,9-二甲基-2-二苯基胺基-9H-茀-7-基)二苯基胺(簡稱：DPNF)、N,N’,N”-三苯基-N,N’,N”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1,3,5-三胺(簡稱：PCA3B)、2-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]螺環-9,9’-二茀(簡稱：PCASF)、2-[N-(4-二苯基胺基苯基)-N-苯基胺基]螺環-9,9’-二茀(簡稱：DPASF)、N,N’-雙[4-(咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基-9,9-二甲基茀-2,7-二胺(簡稱：YGA2F)、4,4’-雙[N-(4-二苯基胺基苯基)-N-苯基胺基]聯苯(簡稱：DPAB)、N-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-N-{9,9-二甲基-2-[N’-苯基-N’-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基]-9H-茀-7-基}苯基胺(簡稱：DFLADFL)、4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(簡稱：NPB或α-NPD)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯]-4,4’-二胺(簡稱：TPD)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱：TCTA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯胺)三苯胺(簡稱：TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲苯)-N-苯胺基]三苯胺(簡稱：MTDATA)以及4,4’-雙[N-(螺環-9,9’-二茀-2-基)-N-苯基胺基]聯苯(簡稱：BSPB)等；3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3-[N-(4-二苯基胺基苯基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzDPA1)、3,6-雙[N-(4-二苯基胺基
苯基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzDPA2)、4,4’-雙(N-{4-[N’-(3-甲基苯基)-N’-苯基胺基]苯基}-N-苯基胺基)聯苯(簡稱：DNTPD)、3,6-雙[N-(4-二苯基胺基苯基)-N-(1-萘基)胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzTPN2)以及3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)等。除上述以外，還可以使用4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)等包含咔唑骨架的化合物等。在此所述的物質主要是電洞移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。注意，只要是具有電洞傳輸性的物質，就也可以使用上述物質之外的物質。
另外，作為可以用於第一有機化合物105的具有高電子傳輸性的物質，例如可以舉出：具有多唑骨架的雜環化合物如2-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、3-(4’-三級丁基苯基)-4-苯基-5-(4”-聯苯)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、1,3-雙[5-(對-三級丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CO11)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯並咪唑)(簡稱：TPBI)及2-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯並咪唑(簡稱：mDBTBIm-II)等；具有喹噁啉骨架或二苯並喹噁啉骨架的雜環化合物如2-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f,h]喹噁啉
(簡稱：2mDBTPDBq-II)、7-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f,h]喹噁啉(簡稱：7mDBTPDBq-II)、6-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f,h]喹噁啉(簡稱：6mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯並噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯並[f,h]喹噁啉(簡稱：2mDBTBPDBq-II)及2-[3’-(9H-咔唑-9-基)聯苯-3-基]二苯並[f,h]喹噁啉(簡稱：2mCzBPDBq)等；具有二嗪骨架(嘧啶骨架或吡嗪骨架)的雜環化合物如4,6-雙[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(簡稱：4,6mPnP2Pm)、4,6-雙[3-(4-二苯並噻吩基)苯基]嘧啶(簡稱：4,6mDBTP2Pm-II)及4,6-雙[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(簡稱：4,6mCzP2Pm)等；以及具有吡啶骨架的雜環化合物如3,5-雙[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(簡稱：35DCzPPy)、1,3,5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(簡稱：TmPyPB)及3,3’,5,5’-四[(間-吡啶基)-苯-3-基]聯苯基(簡稱：BP4mPy)等。其中，具有喹噁啉骨架或二苯並喹噁啉骨架的雜環化合物、具有二嗪骨架的雜環化合物、具有吡啶骨架的雜環化合物的可靠性高，所以是較佳的。除了上述以外，還可以舉出：三芳基氧化膦如苯基-二(1-芘基)氧化膦(簡稱：POPy2)、螺環-9,9’-二茀-2-基-二苯基氧化膦(簡稱：SPPO1)、2,8-雙(二苯基磷醯基)二苯並[b,d]噻吩(簡稱：PPT)、3-(二苯基磷醯基)-9-[4-(二苯基磷醯基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：PPO21)等；以及三芳基硼烷如三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷(簡稱：3TPYMB)等。在此所述的物質
主要是電子移動率為10-6cm2/Vs以上的電子傳輸性的物質。注意，只要是具有電子傳輸性的物質，就也可以使用上述物質之外的物質。
此外，發光層除了第一有機化合物(主體材料)和第二有機化合物(客體材料)之外還可以包含第三有機化合物。考慮到藉由調整發光層中的電洞和電子的平衡來得到高發光效率，在第一有機化合物具有電洞傳輸性時第三有機化合物較佳為具有電子傳輸性。與此相反，在第一有機化合物具有電子傳輸性時第三有機化合物較佳為具有電洞傳輸性。注意，在任何情況下，第一有機化合物的T1(h)能階都較佳低於第二有機化合物的T1(g)能階。另外，第三有機化合物的T1能階也可以高於T1(g)能階。這是因為第三有機化合物所產生的T1能階的能量迅速地被彙集到位於更低的位準的第一有機化合物的T1(h)能階的能量。
另外，作為用作客體材料的第二有機化合物106，可以使用將三重激發態能轉換為發光的發光物質即有機金屬錯合物(磷光化合物)等。
此外，作為可用作第二有機化合物106的物質，例如可以舉出，雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C2’]銥(III)四(1-吡唑基)硼酸鹽(簡稱：FIr6)、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C2' ]銥(III)吡啶甲酸鹽(簡稱：FIrpic)、雙[2-(3’,5’-雙三氟甲基苯基)吡啶-N,C2' ]銥(III)吡啶甲酸鹽(簡稱：[Ir(CF3ppy)2(pic)])、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C2' ]銥(III)乙醯丙酮(簡稱：FIracac)、三(2-苯基吡啶)銥(III)(簡稱：[Ir(ppy)3])、雙(2-苯基吡啶)銥(III)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(ppy)2(acac)])、雙(苯並[h]喹啉)銥(III)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(bzq)2(acac)])、雙(2,4-二苯基-1,3-噁唑-N,C2' )銥(III)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(dpo)2(acac)])、雙{2-[4'-(全氟苯基)苯基]吡啶-N,C2' }銥(III)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(p-PF-ph)2(acac)])、雙(2-苯基苯並噻唑-N,C2' )銥(III)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(bt)2(acac)])、雙[2-(2’-苯並[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3' ]銥(III)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(btp)2(acac)])、雙(1-苯基異喹啉-N,C2' )銥(III)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(piq)2(acac)])、(乙醯基丙酮)雙[2,3-雙(4-氟苯基)喹噁啉]銥(III)(簡稱：[Ir(Fdpq)2(acac)])、(乙醯丙酮)雙(2,3,5-三苯基吡嗪根合)銥(III)(簡稱：[Ir(tppr)2(acac)])、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉合鉑(II)(簡稱：PtOEP)、三(乙醯丙酮)(一啡啉)鋱(III)(簡稱：Tb(acac)3(Phen))、三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮)(一啡啉)銪(III)(簡稱：Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲醯基)-3,3,3-三氟丙酮](一啡啉)銪(III)(簡稱：Eu(TTA)3(Phen))等。
另外，本實施方式所示的發光元件的發光層至少包含的主體材料和客體材料滿足如下條件：在由這些材料而得到的發光(例如，由於光激發而發生的光致發光(PL)或由於電場激發而發生的電致發光(EL)等)在
示出相對發光強度與發光時間之間的關係時示出多成分衰減曲線，並且上述衰減曲線的最慢的成分的相對發光強度在最慢的成分被主體材料的淬滅不阻礙的短時間內成為1/100，即最慢的成分的發光時間為15μsec以下，較佳為10μsec以下，更佳為5μsec以下。
此外，即使在主體材料的T1能階比客體材料的T1能階低的情況下也可以進行能量移動，而不一定需要主體材料的T1能階比客體材料高，因此可以將化學上穩定的材料用作主體材料。
如上所述，在本實施方式中，由於在發光元件的發光層中可以將化學上穩定的材料用作主體材料，所以可以形成長壽命的發光元件。再者，在本實施方式所示的結構中，在使用其T1能階比客體材料低的主體材料時隨著反能量移動發生延遲發光。因為在室溫下主體材料的T1能階具有非發光性，所以呈現延遲發光的發光層有效率劣化的擔憂。但是，在上述範圍中上述反能量移動及客體材料的轉移速度比非發光性主體材料的轉移速度(無輻射失活速度)充分快，因此對元件特性沒有影響，從而可以得到發光效率高的發光元件。
注意，雖然在本實施方式中描述了在示出相對發光強度與發光時間之間的關係時示出多成分衰減曲線的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。本發明的一個方式根據其情況在示出相對發光強度與發光時間之間的關係時有時不示出多成分衰減曲線。
在本實施方式中，參照圖3說明本發明的一個方式的
發光元件的一個例子。
如圖3所示，在本實施方式所示的發光元件中，在一對電極(第一電極(陽極)201和第二電極(陰極)202)之間夾著包括發光層206的EL層203。EL層203除了包括發光層206之外，還包括電洞注入層204、電洞傳輸層205、電子傳輸層207、電子注入層208等。
另外，與在實施方式1中說明的發光元件同樣，發光層206至少包含作為主體材料的第一有機化合物209和作為客體材料的第二有機化合物210而形成。注意，由於第一有機化合物209和第二有機化合物210可以使用與實施方式1所示的物質相同的物質，所以省略其說明。
另外，除了用作主體材料的第一有機化合物209和用作客體材料的第二有機化合物210之外，發光層206還可以包含具有與第一有機化合物209相反的性質(電洞傳輸性或電子傳輸性)的第三有機化合物。
接下來，說明製造本實施方式所示的發光元件時的具體例子。
作為第一電極(陽極)201及第二電極(陰極)202，可以使用金屬、合金、導電化合物及這些物質的混合物。明確而言，除了氧化銦-氧化錫(ITO：Indium
Tin Oxide)、包含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(Indium Zinc Oxide)、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)之外，還可以使用屬於元素週期表中第1族或第2族的元素，即諸如鋰(Li)和銫(Cs)等鹼金屬、諸如鎂(Mg)、鈣(Ca)和鍶(Sr)等鹼土金屬以及包含這些金屬的合金(MgAg、AlLi)、諸如銪(Eu)和鐿(Yb)等稀土金屬以及包含這些金屬的合金，此外還可以使用石墨烯等。另外，第一電極(陽極)201及第二電極(陰極)202例如可以藉由濺射法或蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)等來形成。
作為用於電洞注入層204及電洞傳輸層205的電洞傳輸性高的物質，例如可以舉出4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(簡稱：NPB或α-NPD)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯]-4,4’-二胺(簡稱：TPD)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱：TCTA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯胺)三苯胺(簡稱：TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯胺]三苯胺(簡稱：MTDATA)、4,4’-雙[N-(螺環-9,9’-二茀-2-基)-N-苯基胺基]聯苯(簡稱：BSPB)等芳香胺化合物、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-
(9-苯基咔唑-3-基)胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)等。除上述以外，還可以使用4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)等的咔唑衍生物等。在此所述的物質主要是電洞移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。但是，只要是電洞傳輸性比電子傳輸性高的物質，就可以使用上述物質之外的物質。
再者，還可以使用聚(N-乙烯咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯三苯胺)(簡稱：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯胺)苯基]苯基-N’-苯胺}苯基)甲基丙烯醯胺](簡稱：PTPDMA)、聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺](簡稱：Poly-TPD)等高分子化合物。
另外，作為能夠用於電洞注入層204的受體物質，可以舉出過渡金屬氧化物或屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。明確地說，氧化鉬是特別較佳的。
此外，作為接觸於發光層206的電洞傳輸層205，較佳為使用與包含在發光層中的有機化合物類似的化合物。藉由採用該結構，可以降低電洞傳輸層205與發光層206之間的電洞注入能障，從而不僅可以提高發光效率，而且還可以降低驅動電壓。就是說，可以得到即使在高亮度下也很少發生由電壓損失導致的電力效率下降的發
光元件。此外，減少電洞注入能障的特別較佳的方式是採用電洞傳輸層205所包含的有機化合物與發光層所包含的有機化合物相同的結構。
電子傳輸層207是包含電子傳輸性高的物質的層。作為電子傳輸層207，可以使用金屬錯合物諸如三(8-羥基喹啉)合鋁(III)(簡稱：Alq3)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(III)(簡稱：Almq3)、雙(10-羥基苯並[h]-喹啉合)鈹(II)(簡稱：BeBq2)、BAlq、Zn(BOX)2或雙[2-(2-羥基苯基)-苯並噻唑]鋅(II)(簡稱：Zn(BTZ)2)等。此外，也可以使用雜芳族化合物諸如2-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對-三級丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4’-三級丁基苯基)-4-苯基-5-(4”-聯苯)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、3-(4-三級丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：p-EtTAZ)、紅啡啉(簡稱：BPhen)、浴銅靈(簡稱：BCP)、4,4’-雙(5-甲基苯並噁唑-2-基)二苯乙烯(簡稱：BzOs)等。另外，還可以使用高分子化合物諸如聚(2,5-吡啶二基)(簡稱：PPy)、聚[(9,9-二己基茀-2,7-二基)-共-(吡啶-3,5-二基)](簡稱：PF-Py)、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-共-(2,2’-聯吡啶-6,6’-二基)](簡稱：PF-BPy)。在此所述的物質主要是電子移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。另外，只要是電子傳輸性比電洞傳輸性高的物質，就可以將上述物質之外的
物質用於電子傳輸層207。
另外，作為電子傳輸層207，不僅可以採用單層，也可以採用由上述物質構成的兩層以上的疊層。
電子注入層208是包含電子注入性高的物質的層。作為電子注入層208，可以使用氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)及鋰氧化物(LiOx)等鹼金屬、鹼土金屬或這些金屬的化合物。此外，可以使用氟化鉺(ErF3)等稀土金屬化合物。另外，也可以使用如上所述的構成電子傳輸層207的物質。
或者，也可以將有機化合物與電子給體(施體)混合而成的複合材料用於電子注入層208。這種複合材料的電子注入性及電子傳輸性高，因為電子給體將電子產生在有機化合物中。在此情況下，有機化合物較佳是在傳輸所產生的電子方面性能優異的材料。明確而言，例如，可以使用如上所述的構成電子傳輸層207的物質(金屬錯合物和雜芳族化合物等)。作為電子給體，只要使用對有機化合物呈現電子給體性的物質，即可。明確而言，較佳為使用鹼金屬、鹼土金屬和稀土金屬，可以舉出鋰、銫、鎂、鈣、鉺、鐿等。另外，較佳為使用鹼金屬氧化物或鹼土金屬氧化物，例如可以舉出鋰氧化物、鈣氧化物、鋇氧化物等。此外，可以使用氧化鎂等路易士鹼。另外，也可以使用四硫富瓦烯(簡稱：TTF)等有機化合物。
另外，上述的電洞注入層204、電洞傳輸層205、發光層206、電子傳輸層207、電子注入層208分別
可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、塗敷法等的方法形成。
在上述的發光元件的發光層206中得到的發光穿過第一電極201和第二電極202中的任一者或兩者取出到外部。因此，本實施方式中的第一電極201和第二電極202中的任一者或兩者為具有透光性的電極。
另外，本實施方式所示的發光元件是本發明的一個方式，其特徵尤其在於發光層的結構。因此，藉由應用本實施方式所示的結構，可以製造無源矩陣型發光裝置和有源矩陣型發光裝置等，上述發光裝置都包括在本發明的範疇中。
另外，在有源矩陣型發光裝置的情況下，對FET的結構沒有特別的限制。例如，可以適當地使用交錯型FET或反交錯型FET。此外，形成在FET基板上的驅動電路可以由N型FET和P型FET中的一者或兩者形成。並且，對用於FET的半導體材料及其結晶性也沒有特別的限制。作為半導體材料，例如可以使用：元素半導體諸如矽、鍺、錫、硒或碲等；化合物半導體諸如GaAs、GaP、InSb、ZnS或CdS等；或者氧化物半導體諸如SnO2、ZnO、Fe2O3、V2O5、TiO2、NiO、Cr2O3、Cu2O、MnO2、MnO、InGaZnO(包括原子數比不同的)；等等。此外，作為半導體材料的結晶性例如可以舉出非晶、單晶、多晶、微晶或它們的混合相結構等，而可以使用呈現上述結晶性的半導體材料。
另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
在本實施方式中，作為本發明的一個方式，說明夾著電荷產生層具有多個EL層的結構的發光元件(以下，稱為串聯型發光元件)。
本實施方式所示的發光元件是如圖4A所示那樣的在一對電極(第一電極301與第二電極304)之間具有多個EL層(第一EL層302(1)和第二EL層302(2))的串聯型發光元件。
在本實施方式中，第一電極301是用作陽極的電極，第二電極304是用作陰極的電極。另外，作為第一電極301及第二電極304，可以採用與實施方式2相同的結構。此外，雖然多個EL層(第一EL層302(1)和第二EL層302(2))可以具有與實施方式2所示的結構相同的結構，但是也可以是上述EL層中的任一個具有與實施方式2所示的結構相同的結構。換言之，第一EL層302(1)和第二EL層302(2)既可以具有相同結構，又可以具有不同的結構，作為其結構，可以應用與實施方式2相同的結構。
另外，在多個EL層(第一EL層302(1)和第二EL層302(2))之間設置有電荷產生層305。電荷產生層305具有如下功能：當對第一電極301和第二電極
304施加電壓時，將電子注入到一方的EL層中，且將電洞注入到另一方的EL層中。在本實施方式中，當對第一電極301施加電壓以使其電位高於第二電極304時，電子從電荷產生層305被注入到第一EL層302(1)中，而電洞被注入到第二EL層302(2)中。
另外，為了提高光提取效率，電荷產生層305較佳為具有使可見光透過的功能(明確而言，電荷產生層305較佳為具有40%以上的可見光透射率)。另外，電荷產生層305即使其電導率小於第一電極301或第二電極304也發揮作用。
電荷產生層305既可以具有對電洞傳輸性高的有機化合物添加有電子受體(受體)的結構，又可以具有對電子傳輸性高的有機化合物添加有電子給體(施體)的結構。或者，也可以層疊有這兩種結構。
在採用對電洞傳輸性高的有機化合物添加有電子受體的結構的情況下，作為電洞傳輸性高的有機化合物，例如可以使用芳族胺化合物諸如NPB、TPD、TDATA、MTDATA或4,4’-雙[N-(螺環-9,9’-二茀-2-基)-N-苯基胺基]聯苯(簡稱：BSPB)等。在此所述的物質主要是電洞移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。但是，只要是電洞傳輸性比電子傳輸性高的有機化合物，就可以使用上述物質之外的物質。
另外，作為電子受體，可以舉出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟喹啉並二甲烷(簡稱：F4TCNQ)、氯醌
等鹵素化合物、吡嗪並[2,3-f][1,10]啡啉-2,3-二甲腈(簡稱：PPDN)、二吡嗪並[2,3-f：2’,3’-h]喹噁啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(簡稱：HAT-CN)等氰基化合物等。另外，還可以舉出過渡金屬氧化物。另外，可以舉出屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。明確而言，較佳為使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸，這是因為它們具有高電子接受性。其中，尤其較佳為使用氧化鉬，因為氧化鉬在大氣中穩定且其吸濕性低，所以容易進行處理。
另一方面，在採用對電子傳輸性高的有機化合物添加有電子給體的結構的情況下，作為電子傳輸性高的有機化合物，例如可以使用具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬錯合物等諸如Alq、Almq3、BeBq2或BAlq等。除此之外，還可以使用具有噁唑基配體或噻唑基配體的金屬錯合物等諸如Zn(BOX)2或Zn(BTZ)2等。再者，除了金屬錯合物之外，還可以使用PBD、OXD-7、TAZ、BPhen、BCP等。在此所述的物質主要是電子移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。另外，只要是電子傳輸性比電洞傳輸性高的有機化合物，就可以使用上述物質之外的物質。
另外，作為電子給體，可以使用鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、屬於元素週期表中第13族的金屬及它們的氧化物和碳酸鹽。明確而言，較佳為使用鋰(Li)、銫(Cs)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鐿(Yb)、銦(In
)、氧化鋰、碳酸銫等。此外，也可以將如四硫萘並萘(tetrathianaphthacene)的有機化合物用作電子給體。
另外，藉由使用上述材料形成電荷產生層305，可以抑制層疊EL層時造成的驅動電壓的增大。
雖然在本實施方式中，對具有兩個EL層的發光元件進行了說明，但是，如圖4B所示那樣，可以同樣地應用層疊有n個(注意，n是3以上)EL層的發光元件。如根據本實施方式的發光元件那樣，當在一對電極之間具有多個EL層時，藉由將電荷產生層設置在EL層與EL層之間，可以在保持低的電流密度的同時在高亮度區域中發光。由於可以保持低的電流密度，因此能夠實現長壽命元件。另外，當將照明作為應用例子時，因為可以減少由電極材料的電阻導致的電壓下降，所以可以實現大面積的均勻發光。此外，可以實現能夠進行低電壓驅動且耗電量低的發光裝置。
此外，藉由使各EL層發射互不相同顏色的光，可以使發光元件整體發射所需顏色的光。例如，在具有兩個EL層的發光元件中，使第一EL層的發光顏色和第二EL層的發光顏色處於補色關係，因此作為整體發光元件可以得到發射白色發光的發光元件。注意，詞語“補色關係”表示當顏色混合時得到無彩色的顏色關係。也就是說，藉由將從發射具有補色關係的顏色的光的物質得到的光混合，可以得到白色發光。
另外，具有三個EL層的發光元件的情況也與
此相同，例如，當第一EL層的發射色是紅色，第二EL層的發射色是綠色，第三EL層的發射色是藍色時，發光元件作為整體可以得到白色發光。
此外，本實施方式所示的EL層也可以藉由採用夾著電荷產生層層疊的結構，並且將電極(第一電極301及第二電極304)之間的距離設定為所需的距離，形成具有光的共振效應的光學微共振器(micro optical resonator)(微腔)結構的發光元件。
另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
在本實施方式中，說明具有本發明的一個方式的發光元件的發光裝置。
作為發光元件，可以應用其他實施方式所說明的發光元件。另外，上述發光裝置既可以是無源矩陣型發光裝置，又可以是有源矩陣型發光裝置，但在本實施方式中，參照圖5A和圖5B說明有源矩陣型發光裝置。
另外，圖5A是示出發光裝置的俯視圖，圖5B是沿圖5A中的虛線A-A’切割的剖面圖。根據本實施方式的有源矩陣型發光裝置具有設置在元件基板501上的像素部502、驅動電路部(源極線驅動電路)503以及驅動電路部(閘極線驅動電路)504a和504b。將像素部502、驅動電路部503以及驅動電路部504a和504b由密
封材料505密封在元件基板501與密封基板506之間。
此外，在元件基板501上設置用來連接對驅動電路部503及驅動電路部504a和504b傳達來自外部的信號(例如，視訊訊號、時脈信號、起始信號或重設信號等)或電位的外部輸入端子的引導佈線507。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC(撓性印刷電路)508的例子。另外，雖然在此只圖示FPC，但是該FPC也可以安裝有印刷線路板(PWB)。本說明書中的發光裝置不僅包括發光裝置主體，而且還包括安裝有FPC或PWB的發光裝置。
接著，參照圖5B說明剖面結構。在元件基板501上形成有驅動電路部及像素部，在此示出源極線驅動電路的驅動電路部503及像素部502。
驅動電路部503示出形成有組合n通道型FET509和p通道型FET510的CMOS電路的例子。另外，形成驅動電路部的電路也可以使用各種CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。此外，在本實施方式中，雖然示出將驅動電路形成在基板上的驅動器一體型，但是不一定必須如此，也可以將驅動電路形成在外部而不形成在基板上。
此外，像素部502由包括開關用FET511、電流控制用FET512及與電流控制用FET512的佈線(源極電極或汲極電極)電連接的第一電極(陽極)513的多個像素形成。另外，以覆蓋第一電極(陽極)513的端部的
方式形成有絕緣物514。在此，使用正型的光敏丙烯酸樹脂形成絕緣物514。
另外，為了提高層疊在絕緣物514上的膜的覆蓋率，較佳為在絕緣物514的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，在作為絕緣物514的材料使用正型的光敏丙烯酸樹脂的情況下，較佳為使絕緣物514的上端部為具有曲率半徑(0.2μm至3μm)的曲面。此外，作為絕緣物514，可以使用負型感光性樹脂或正型感光性樹脂，並且不侷限於有機化合物，還可以使用無機化合物諸如氧化矽、氧氮化矽等。
在第一電極(陽極)513上層疊有EL層515及第二電極(陰極)516而形成有發光元件517。在EL層515中至少設置有在實施方式1中說明的發光層。另外，在EL層515中，除了發光層之外，可以適當地設置電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產生層等。
另外，作為用於第一電極(陽極)513、EL層515及第二電極(陰極)516的材料，可以使用實施方式2所示的材料。此外，雖然在此未圖示，但是第二電極(陰極)516與作為外部輸入端子的FPC508電連接。
此外，雖然在圖5B所示的剖面圖中僅示出一個發光元件517，但是，在像素部502中以矩陣形狀配置有多個發光元件。在像素部502中分別選擇性地形成能夠得到三種(R、G、B)發光的發光元件，而可以形成能夠
進行全彩色顯示的發光裝置。此外，也可以藉由與濾色片組合來實現能夠進行全彩色顯示的發光裝置。
再者，藉由利用密封材料505將密封基板506與元件基板501貼合在一起，得到在由元件基板501、密封基板506及密封材料505包圍的空間518中具備有發光元件517的結構。另外，空間518除了可以填充有惰性氣體(氮、氬等)以外，還可以填充有密封材料505。
另外，作為密封材料505，較佳為使用環氧類樹脂或玻璃粉。另外，這些材料較佳是儘量不使水分、氧透過的材料。此外，作為用於密封基板506的材料，除了玻璃基板、石英基板之外，還可以使用由FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics：玻璃纖維強化塑膠)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸樹脂等構成的塑膠基板。在作為密封材料使用玻璃粉的情況下，作為元件基板501及密封基板506較佳為使用玻璃基板。
藉由上述步驟，可以得到有源矩陣型的發光裝置。
另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
在本實施方式中，參照圖6A至圖7C對使用應用本發明的一個方式的發光元件來製造的發光裝置的各種電子裝置的一個例子進行說明。
作為應用發光裝置的電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的顯示器、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生装置、彈珠機等的大型遊戲機等。圖6A至圖6D示出這些電子裝置的具體例子。
圖6A示出電視機的一個例子。在電視機7100中，外殼7101組裝有顯示部7103。由顯示部7103能夠顯示影像，並可以將發光裝置用於顯示部7103。此外，在此示出利用支架7105支撐外殼7101的結構。
可以藉由利用外殼7101所具備的操作開關、另外提供的遙控器7110進行電視機7100的操作。藉由利用遙控器7110所具備的操作鍵7109，可以進行頻道及音量的操作，並可以對在顯示部7103上顯示的影像進行操作。此外，也可以採用在遙控器7110中設置顯示從該遙控器7110輸出的資訊的顯示部7107的結構。
另外，電視機7100採用具備接收機及數據機等的結構。可以藉由利用接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機將電視機7100連接到有線或無線方式的通信網路，從而進行單向(從發送者到接收者)或雙向(發送者和接收者之間或接收者之間等)的資訊通信。
圖6B示出電腦，包括主體7201、外殼7202、顯示部7203、鍵盤7204、外部連接埠7205、指向裝置7206等。此外，該電腦是藉由將發光裝置用於其顯
示部7203來製造的。
圖6C示出可攜式遊戲機，包括外殼7301和外殼7302的兩個外殼，並且藉由連接部7303可以開閉地連接。外殼7301組裝有顯示部7304，而外殼7302組裝有顯示部7305。此外，圖6C所示的可攜式遊戲機還具備揚聲器部7306、儲存介質插入部7307、LED燈7308、輸入單元(操作鍵7309、連接端子7310、感測器7311(包括測定如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉動數、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風7312)等。當然，可攜式遊戲機的結構不侷限於上述結構，只要在顯示部7304及顯示部7305的兩者或一方中使用發光裝置，即可。此外，還可以採用適當地設置其他輔助設備的結構。圖6C所示的可攜式遊戲機具有如下功能：讀出儲存在儲存介質中的程式或資料並將其顯示在顯示部上；以及藉由與其他可攜式遊戲機進行無線通訊而實現資訊共用。另外，圖6C所示的可攜式遊戲機的功能不侷限於此，而可以具有各種各樣的其他功能。
圖6D示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400除了組裝在外殼7401中的顯示部7402之外還具備操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，行動電話機7400是藉由將發光裝置用於顯示部7402來製造的。
圖6D所示的行動電話機7400可以用手指等觸摸顯示部7402來輸入資訊。此外，可以用手指等觸摸顯示部7402來進行打電話或製作電子郵件的操作。
顯示部7402的螢幕主要有如下三個模式：第一是以影像顯示為主的顯示模式；第二是以文字等資訊輸入為主的輸入模式；第三是混合顯示模式與輸入模式的兩個模式的顯示及輸入模式。
例如，在打電話或製作電子郵件的情況下，將顯示部7402設定為以文字輸入為主的文字輸入模式，並進行顯示在螢幕的文字的輸入操作，即可。在此情況下，較佳的是，在顯示部7402的螢幕的大部分上顯示鍵盤或號碼按鈕。
另外，藉由在行動電話機7400內部設置具有陀螺儀和加速度感測器等檢測傾斜度的感測器的檢測裝置，判斷行動電話機7400的方向(縱向或橫向)，而可以對顯示部7402的螢幕顯示進行自動切換。
此外，藉由觸摸顯示部7402或對外殼7401的操作按鈕7403進行操作，切換螢幕模式。也可以根據顯示在顯示部7402上的影像種類切換螢幕模式。例如，當顯示在顯示部上的影像信號為動態影像的資料時，將螢幕模式切換成顯示模式，而當顯示在顯示部上的影像信號為文字資料時，將螢幕模式切換成輸入模式。
另外，當在輸入模式下藉由檢測出顯示部7402的光感測器所檢測的信號得知在一定期間內沒有顯
示部7402的觸摸操作輸入時，也可以控制為將螢幕模式從輸入模式切換成顯示模式。
還可以將顯示部7402用作影像感測器。例如，藉由用手掌或手指觸摸顯示部7402，來拍攝掌紋、指紋等，而可以進行身份識別。此外，藉由在顯示部中使用發射近紅外光的背光或發射近紅外光的感測光源，也可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。
圖7A和圖7B是能夠進行折疊的平板終端。圖7A是打開的狀態的平板終端，並且包括外殼9630、顯示部9631a、顯示部9631b、顯示模式切換開關9034、電源開關9035、省電模式切換開關9036、夾子9033以及操作開關9038。此外，藉由將發光裝置用於顯示部9631a和顯示部9631b的一者或兩者來製造該平板終端。
在顯示部9631a中，可以將其一部分用作觸控面板的區域9632a，並且可以藉由觸摸所顯示的操作鍵9637來輸入資料。此外，作為一個例子示出顯示部9631a的一半只具有顯示的功能，並且另一半具有觸控面板的功能的結構，但是不侷限於該結構。也可以採用使顯示部9631a的所有的區域具有觸控面板的功能的結構。例如，可以使顯示部9631a的整個面顯示鍵盤按鈕來將其用作觸控面板，並且將顯示部9631b用作顯示幕面。
此外，顯示部9631b與顯示部9631a同樣，也可以將其一部分用作觸控面板的區域9632b。此外，藉由使用手指或觸控筆等觸摸觸控面板上的鍵盤顯示切換按
鈕9639的位置，可以在顯示部9631b上顯示鍵盤按鈕。
此外，也可以對觸控面板的區域9632a和觸控面板的區域9632b同時進行觸摸輸入。
另外，顯示模式切換開關9034能夠選擇切換豎屏顯示和橫屏顯示等顯示的方向以及黑白顯示和彩色顯示等。省電模式切換開關9036可以根據平板終端所內置的光感測器所檢測的使用時的外光的光量，將顯示的亮度設定為最合適的亮度。平板終端除了光感測器以外還可以內置陀螺儀和加速度感測器等檢測傾斜度的感測器等的其他檢測裝置。
此外，圖7A示出顯示部9631b的顯示面積與顯示部9631a的顯示面積相同的例子，但是不侷限於此，可以使一方的尺寸和另一方的尺寸不同，也可以使它們的顯示品質有差異。例如可以採用顯示部9631a和9631b中的一方與另一方相比可以進行高精細的顯示的結構。
圖7B是合上的狀態的平板終端，並且包括外殼9630、太陽能電池9633、充放電控制電路9634、電池9635以及DCDC轉換器9636。此外，在圖7B中，作為充放電控制電路9634的一個例子示出具有電池9635和DCDC轉換器9636的結構。
此外，平板終端能夠進行折疊，因此不使用時可以合上外殼9630。因此，可以保護顯示部9631a和顯示部9631b，而可以提供一種具有良好的耐久性且從長期使用的觀點來看具有良好的可靠性的平板終端。
此外，圖7A和圖7B所示的平板終端還可以具有如下功能：將日曆、日期或時間等各種各樣的資訊顯示為靜態影像、動態影像或文字影像；將日曆、日期或時刻等顯示在顯示部上；對顯示在顯示部上的資訊進行操作或編輯的觸摸輸入；藉由各種各樣的軟體(程式)控制處理等。
藉由利用安裝在平板終端的表面上的太陽能電池9633，可以將電力供應到觸控面板、顯示部或影像信號處理部等。另外，由於太陽能電池9633可以進行對顯示部9631a和顯示部9631b中的一個或兩個供應電力的電池9635的充電，所以是較佳的。另外，當作為電池9635使用鋰離子電池時，有可以實現小型化等的優點。
另外，參照圖7C所示的方塊圖對圖7B所示的充放電控制電路9634的結構和工作進行說明。圖7C示出太陽能電池9633、電池9635、DCDC轉換器9636、轉換器9638、開關SW1至SW3以及顯示部9631，電池9635、DCDC轉換器9636、轉換器9638、開關SW1至SW3對應於圖7B所示的充放電控制電路9634。
說明在利用外光使太陽能電池9633發電時的工作的例子。使用DCDC轉換器9636對太陽能電池9633所產生的電力進行升壓或降壓以使它成為用來對電池9635進行充電的電壓。並且，當利用來自太陽能電池9633的電力使顯示部9631工作時使開關SW1打開，並且，利用轉換器9638將該電力升壓或降壓到顯示部9631
所需要的電壓。另外，當不進行顯示部9631中的顯示時，使開關SW1斷開且使開關SW2打開來對電池9635進行充電。
注意，作為發電方法的一個例子示出太陽能電池9633，但是不侷限於此，也可以使用壓電元件(piezoelectric element)或熱電轉換元件(珀耳帖元件(Peltier element))等其他發電方法進行電池9635的充電。例如，也可以使用以無線(不接觸)的方式能夠收發電力來進行充電的無線電力傳輸模組或組合其他充電方法進行充電。
另外，如果具備上述實施方式所說明的顯示部，則當然不侷限於圖7A至圖7C所示的電子裝置。
藉由上述步驟，可以藉由應用本發明的一個方式的發光裝置而得到電子裝置。發光裝置的應用範圍極廣，而可以應用於所有領域的電子裝置。
另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
在本實施方式中，參照圖8說明應用包括本發明的一個方式的發光元件的發光裝置的照明設備的一個例子。
圖8是將發光裝置用於室內照明設備8001的例子。另外，因為發光裝置可以實現大面積化，所以也可以形成大面積的照明設備。此外，也可以藉由使用具有曲
面的外殼來形成發光區域具有曲面的照明設備8002。包括在本實施方式所示的照明設備中的發光元件為薄膜狀，外殼的設計的自由度高。因此，可以形成能夠對應各種設計的照明設備。再者，也可以在室內的牆面具備大型的照明設備8003。
另外，藉由將發光裝置用於桌子的表面，可以提供具有桌子的功能的照明設備8004。此外，藉由將發光裝置用於其他傢俱的一部分，可以提供具有傢俱的功能的照明設備。
如上所述，可以得到應用發光裝置的各種各樣的照明設備。另外，這種照明設備包括在本發明的一個方式的範疇中。
另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
在本實施方式中，參照圖18A及圖18B對使用本發明的一個方式的發光元件製造的發光裝置進行說明。
圖18A示出本實施方式所示的發光裝置的平面圖以及沿該平面圖中的鎖鏈線E-F之間的剖面圖。
圖18A所示的發光裝置在第一基板2001上包括包含發光元件的發光部2002。另外，發光裝置採用如下結構：以包圍發光部2002的外周的方式設置有第一密封材料2005a，並且以包圍第一密封材料2005a的外周的
方式設置有第二密封材料2005b(所謂的雙密封結構)。
因此，發光部2002設置於由第一基板2001、第二基板2006以及第一密封材料2005a包圍的空間中。
另外，在本說明書中，不侷限於第一密封材料2005a以及第二密封材料2005b都接觸於第一基板2001以及第二基板2006的結構。例如，也可以採用在第一基板2001上形成的絕緣膜或導電膜與第一密封材料2005a接觸的結構。
在上述結構中，藉由將包含乾燥劑的樹脂層用於第一密封材料2005a，並將玻璃層用於第二密封材料2005b，可以提高抑制水分或氧等雜質從外部侵入的效果(以下稱為密封性)。
如上所述那樣藉由將樹脂層用於第一密封材料2005a，可以抑制在作為第二密封材料2005b的玻璃層中產生破裂或裂縫(以下稱為裂縫)。另外，在不能充分得到第二密封材料2005b的密封性的情況下，即便水分或氧等雜質侵入到第一空間2013中，也可以藉由利用第一密封材料2005a的高密封性來抑制水分或氧等雜質侵入到第二空間2011中。因此，可以抑制水分或氧等雜質侵入到發光部2002中而導致包含在發光元件中的有機化合物或金屬材料等的劣化。
另外，如圖18B所示，作為其他結構可以採用將玻璃層用於第一密封材料2005a並將包含乾燥劑的樹脂層用於第二密封材料2005b的結構。
此外，在本實施方式所示的發光裝置中，越靠向外周部，外力等所導致的應變越大。因此，藉由將玻璃層用於外力等所導致的應變較小的第一密封材料2005a，並將具有高耐衝擊性及耐熱性且不容易因外力等所導致的變形而壞的樹脂層用於第二密封材料2005b，可以抑制水分或氧侵入到第一空間2013中。
另外，在上述結構中，第一空間2013以及第二空間2011也可以包含用作乾燥劑的材料。
當將玻璃層用於第一密封材料2005a或第二密封材料2005b時，例如可以使用玻璃粉或玻璃帶等。另外，玻璃粉以及玻璃帶至少含有玻璃材料。
此外，上述玻璃粉包含玻璃材料作為玻璃粉材料(frit material)，例如包含氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶、氧化鋇、氧化銫、氧化鈉、氧化鉀、氧化硼、氧化釩、氧化鋅、氧化碲、氧化鋁、二氧化矽、氧化鉛、氧化錫、氧化磷、氧化釕、氧化銠、氧化鐵、氧化銅、二氧化錳、氧化鉬、氧化鈮、氧化鈦、氧化鎢、氧化鉍、氧化鋯、氧化鋰、氧化銻、硼酸鉛玻璃、磷酸錫玻璃、釩酸鹽玻璃或硼矽酸鹽玻璃等。為了吸收紅外光，較佳為包含過渡金屬中的至少一種。
另外，當使用上述玻璃粉形成玻璃層時，例如在基板上塗敷玻璃粉漿料，並且對其進行加熱處理或雷射照射等。玻璃粉漿料包含上述玻璃粉材料及使用有機溶劑稀釋的樹脂(也稱為黏合劑)。玻璃粉漿料可以使用已
知的材料及結構。另外，也可以使用在玻璃粉材料中添加有吸收雷射光束的波長的光的吸收劑的玻璃粉漿料。此外，作為雷射器，例如較佳為使用Nd：YAG雷射器或半導體雷射器等。另外，進行雷射照射時的雷射照射形狀既可以為圓形又可以為四角形。
此外，較佳的是，形成的玻璃層的熱膨脹率近於基板的熱膨脹率。兩者的熱膨脹率越近，越可以抑制由於熱應力而在玻璃層或基板中產生裂縫。
另外，當將樹脂層用於第一密封材料2005a或第二密封材料2005b時，可以使用已知的材料諸如紫外線硬化性樹脂等光硬化性樹脂或熱固性樹脂等，尤其較佳為使用不使水分或氧透過的材料。尤其是，較佳為使用光硬化性樹脂。發光元件有時包含耐熱性低的材料。由於光硬化性樹脂藉由光照射而固化，可以抑制由於加熱發光元件而發生的膜質的變化及有機化合物本身的劣化，所以是較佳的。並且，也可以使用可用於本發明的一個方式的發光元件的有機化合物。
此外，上述樹脂層、第一空間2013或第二空間2011所包含的乾燥劑可以使用已知的材料。作為乾燥劑，可以使用藉由化學吸附來吸附水分等的物質和藉由物理吸附來吸附水分等的物質中的任一種。例如，可以舉出鹼金屬的氧化物、鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)、硫酸鹽、金屬鹵化物、高氯酸鹽、沸石或矽膠等。
另外，上述第一空間2013及第二空間2011
的一者或兩者例如可以充滿稀有氣體及氮氣體等惰性氣體，或者有機樹脂等。另外，上述空間處於大氣壓狀態或減壓狀態。
如上所述，本實施方式所示的發光裝置採用第一密封材料2005a和第二密封材料2005b中的一方為玻璃層而另一方為樹脂層的雙密封結構：該玻璃層具有高生產性及密封性，該樹脂層具有高耐衝擊性及耐熱性且不容易因外力等所導致的變形而壞。並且，這些密封材料也可以包含乾燥劑。因此，可以提高抑制水分或氧等雜質從外部侵入的密封性。
因此，藉由採用本實施方式所示的結構，可以提供使由於水分或氧等雜質導致的發光元件的劣化得到抑制的發光裝置。
另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式或實施例所示的結構適當地組合。
在本實施方式中，參照圖19A及圖19B對應用本發明的一個方式的發光元件製造的發光裝置進行說明。
圖19A及圖19B示出包括多個發光元件的發光裝置的剖面圖的例子。圖19A所示的發光裝置3000包括發光元件3020a、3020b、3020c。
在發光裝置3000中，在基板3001上設置有相互被隔開成島狀的下部電極3003a、3003b、3003c。可
以將下部電極3003a、3003b、3003c用作發光元件的陽極。另外，也可以在下部電極3003a、3003b、3003c下設置反射電極。另外，也可以在下部電極3003a、3003b、3003c上設置透明導電層3005a、3005b、3005c。較佳的是，透明導電層3005a、3005b、3005c的各厚度根據發射不同顏色的元件而不同。
另外，發光裝置3000包括分隔壁3007a、3007b、3007c、3007d。更明確而言，分隔壁3007a覆蓋下部電極3003a及透明導電層3005a的一個端部。分隔壁3007b覆蓋下部電極3003a及透明導電層3005a的另一個端部以及下部電極3003b及透明導電層3005b的一個端部。分隔壁3007c覆蓋下部電極3003b及透明導電層3005b的另一個端部以及下部電極3003c及透明導電層3005c的一個端部。分隔壁3007d覆蓋下部電極3003c及透明導電層3005c的另一個端部。
此外，在發光裝置3000中，在下部電極3003a、3003b、3003c以及分隔壁3007a、3007b、3007c、3007d上設置有電洞注入層3009。
另外，在發光裝置3000中，在電洞注入層3009上設置有電洞傳輸層3011。另外，在電洞傳輸層3011上設置有發光層3013a、3013b、3013c。此外，在發光層3013a、3013b、3013c上設置有電子傳輸層3015。
另外，在發光裝置3000中，在電子傳輸層3015上設置有電子注入層3017。另外，在電子注入層
3017上設置有上部電極3019。可以將上部電極3019用作發光元件的陰極。
此外，雖然圖19A示出將下部電極3003a、3003b、3003c用作發光元件的陽極並將上部電極3019用作發光元件的陰極的例子，但也可以調換陰極與陽極的疊層順序。此時，適當地調換電子注入層、電子傳輸層、電洞傳輸層以及電洞注入層的疊層順序，即可。
本發明的一個方式的發光元件可以應用於發光層3013a、3013b、3013c。由於該發光元件可以實現低驅動電壓、高電流效率或長使用壽命，因此可以提供耗電量低或使用壽命長的發光裝置3000。
圖19B所示的發光裝置3100包括發光元件3120a、3120b、3120c。另外，發光元件3120a、3120b、3120c是在下部電極3103a、3103b、3103c與上部電極3119之間包括多個發光層的串聯型發光元件。
在發光裝置3100中，在基板3101上設置有相互被隔開成島狀的下部電極3103a、3103b、3103c。可以將下部電極3103a、3103b、3103c用作發光元件的陽極。另外，也可以在下部電極3103a、3103b、3103c下設置反射電極。另外，也可以在下部電極3103a、3103b上設置透明導電層3105a、3105b。較佳的是，透明導電層3105a、3105b的各厚度根據發射不同顏色的元件而不同。雖然未圖示，但也可以在下部電極3103c上設置透明導電層。
另外，發光裝置3100包括分隔壁3107a、3107b、3107c、3107d。更明確而言，分隔壁3107a覆蓋下部電極3103a及透明導電層3105a的一個端部。分隔壁3107b覆蓋下部電極3103a及透明導電層3105a的另一個端部以及下部電極3103b及透明導電層3105b的一個端部。分隔壁3107c覆蓋下部電極3103b及透明導電層3105b的另一個端部以及下部電極3103c及透明導電層3105c的一個端部。分隔壁3107d覆蓋下部電極3103c及透明導電層3105c的另一個端部。
另外，在發光裝置3100中，在下部電極3103a、3103b、3103c以及分隔壁3107a、3107b、3107c、3107d上設置有電洞注入層以及電洞傳輸層3110。
此外，在發光裝置3100中，在電洞注入層以及電洞傳輸層3110上設置有第一發光層3112。另外，在第一發光層3112上隔著電荷產生層3114設置有第二發光層3116。
此外，在發光裝置3100中，在第二發光層3116上設置有電子傳輸層以及電子注入層3118。並且，在電子傳輸層以及電子注入層3118上設置有上部電極3119。可以將上部電極3119用作發光元件的陰極。
此外，雖然圖19B示出將下部電極3103a、3103b、3103c用作發光元件的陽極並將上部電極3119用作發光元件的陰極的例子，但也可以調換陰極與陽極的疊
層順序。此時，適當地調換電子注入層、電子傳輸層、電洞傳輸層以及電洞注入層的疊層順序，即可。
本發明的一個方式的發光元件可以應用於第一發光層3112、第二發光層3116。由於該發光元件可以實現低驅動電壓、高電流效率或長使用壽命，因此可以提供耗電量低或使用壽命長的發光裝置3100。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式或實施例所示的結構適當地組合。
在本實施方式中，參照圖20A至圖20E對應用本發明的一個方式的發光元件製造的照明設備進行說明。
圖20A至圖20E示出照明設備的平面圖以及剖面圖的例子。圖20A至圖20C示出在基板一側取出光的底部發射型照明設備。圖20B示出圖20A的鎖鏈線G-H間的剖面。
在圖20A及圖20B所示的照明設備4000中，在基板4005上設置有發光元件4007。另外，在基板4005的外側設置有具有凹凸的基板4003。發光元件4007包括下部電極4013、EL層4014以及上部電極4015。
下部電極4013與電極4009電連接，上部電極4015與電極4011電連接。另外，也可以設置與下部電極4013電連接的輔助佈線4017。
基板4005與密封基板4019由密封材料4021
黏合。另外，較佳為在密封基板4019與發光元件4007之間設置有乾燥劑4023。
由於基板4003具有如圖20A所示那樣的凹凸，因此可以提高取出在發光元件4007中產生的光的效率。另外，如圖20C所示的照明設備4001那樣，也可以在基板4025的外側設置擴散板4027代替基板4003。
圖20D及圖20E示出在與基板相反的一側取出光的頂部發射型照明設備。
在圖20D所示的照明設備4100中，在基板4125上設置有發光元件4107。發光元件4107包括下部電極4113、EL層4114以及上部電極4115。
下部電極4113與電極4109電連接，上部電極4115與電極4111電連接。另外，也可以設置與上部電極4115電連接的輔助佈線4117。另外，也可以在輔助佈線4117下設置絕緣層4131。
基板4125與具有凹凸的密封基板4103由密封材料4121黏合。另外，也可以在密封基板4103與發光元件4107之間設置平坦化膜4105以及障壁膜4129。
由於密封基板4103具有如圖20D所示那樣的凹凸，因此可以提高取出在發光元件4107中產生的光的效率。另外，如圖20E所示的照明設備4101那樣，也可以在發光元件4107上設置擴散板4127代替密封基板4103。
本發明的一個方式的發光元件可以應用於EL
層4014以及EL層4114所包含的發光層。由於該發光元件可以實現低驅動電壓、高電流效率或長使用壽命，因此可以提供耗電量低或使用壽命長的照明設備4000、4001、4100、4101。
另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式或實施例所示的結構適當地組合。
在本實施方式中，使用圖21A至圖24說明可以與本發明的一個方式的發光裝置組合的觸摸感測器及模組。
圖21A是示出觸摸感測器4500的結構的例子的分解斜視圖，圖21B是示出觸摸感測器4500的電極的結構例子的平面圖。
在圖21A和圖21B所示的觸摸感測器4500中，在基板4910上形成有在X軸方向上排列的多個導電層4510、在與X軸方向交叉的Y軸方向上排列的多個導電層4520。在圖21A和圖21B中，分離而示出觸摸感測器4500的形成有多個導電層4510的平面圖和形成有多個導電層4520的平面圖。
圖22是圖21A和圖21B所示的觸摸感測器4500的導電層4510與導電層4520的交叉部分的等效電路圖。如圖22所示那樣，在導電層4510與導電層4520交叉的部分形成電容器4540。
導電層4510、導電層4520具有四邊形狀的多
個導電膜相連接的結構。以導電膜的四邊形狀的部分的位置不重疊的方式配置有多個導電層4510及多個導電層4520。在導電層4510與導電層4520交叉的部分處，在其間設置有絕緣膜，以防止導電層4510和導電層4520接觸。
圖23是圖21A和圖21B所示的觸摸感測器4500中的導電層4510a、4510b、4510c與導電層4520的連接結構的一個例子的剖面圖，示出導電層4510(導電層4510a、4510b、4510c)與導電層4520交叉的部分的剖面圖作為一個例子。
如圖23所示那樣，導電層4510由第一層的導電層4510a和導電層4510b以及絕緣層4810上的第二層的導電層4510c構成。導電層4510a和導電層4510b由導電層4510c連接。導電層4520使用第一層的導電層形成。以覆蓋導電層4710的一部分、導電層4510及導電層4520的方式形成絕緣層4820。作為絕緣層4810、絕緣層4820，例如形成氧氮化矽膜即可。此外，也可以在基板4910與導電層4710、導電層4510a、4510b和導電層4520之間形成由絕緣膜而成的基底膜。作為基底膜，例如可以形成氧氮化矽膜。
導電層4510a、4510b、4510c和導電層4520由對可見光具有透光性的導電材料形成。例如，作為具有透光性的導電材料，有包含氧化矽的氧化銦錫、氧化銦錫、氧化鋅、氧化銦鋅、添加有鎵的氧化鋅等。
導電層4510a與導電層4710連接。導電層4710構成與FPC的連接用端子。導電層4520也與導電層4510a相同地連接到其他導電層4710。導電層4710例如可以使用鎢膜形成。
以覆蓋導電層4510、導電層4520和導電層4710的方式形成絕緣層4820。為了使導電層4710與FPC電連接，在導電層4710上的絕緣層4810及絕緣層4820中形成有開口。在絕緣層4820上，由黏合劑或膠膜等黏合有基板4920。藉由使用黏合劑或膠膜使基板4910一側設置在顯示面板的濾色片基板上，構成觸摸感測器。
接著，使用圖24說明可以使用本發明的一個方式的發光裝置的模組。
圖24所示的模組5000在上部外殼5001和下部外殼5002之間包括連接到FPC5003的觸控面板5004、連接到FPC5005的顯示面板5006、背光單元5007、框架5009、印刷基板5010和電池5011。
根據觸控面板5004及顯示面板5006的尺寸，可以適當地改變上部外殼5001及下部外殼5002的形狀或尺寸。
可以使電阻膜方式或靜電容量方式的觸控面板重疊於顯示面板5006來使用觸控面板5004。另外，也可以使顯示面板5006的對置基板(密封基板)具有觸控面板功能。也可以在顯示面板5006的各像素內設置光感測器，而用作光學觸控面板。
背光單元5007具有光源5008。注意，在圖24中，例示出在背光單元5007上配置光源5008的結構，但是不侷限於此。例如，也可以採用在背光單元5007的邊緣配置光源5008而且使用光擴散板的結構。
框架5009除了具有保護顯示面板5006的功能以外，還具有用來遮斷因印刷基板5010的工作而產生的電磁波的電磁遮罩的功能。此外，框架5009也可以具有放熱板的功能。
印刷基板5010具有電源電路以及用來輸出視訊訊號和時脈信號的信號處理電路。將電力供應到電源電路的電源可以是外部的商業電源或另行設置的電池5011的電源。當使用商業電源時，可以省略電池5011。
此外，在模組5000中也可以還設置偏光板、相位差板、稜鏡片等的構件。
本實施方式所示的結構等可以與其他實施方式或實施例所示的結構適當地組合而實施。
在本實施方式中，參照圖25A及圖25B說明本發明的一個方式的發光元件的結構。
圖25A所示的發光元件6002形成於基板6001上。另外，發光元件6002包括第一電極6003、EL層6004、第二電極6005。另外，在圖25A所示的發光裝置中，在第二電極6005上形成有緩衝層6006，在緩衝層
6006上形成有第三電極6007。藉由設置緩衝層6006，可以防止因在第二電極6005表面發生的表面電漿而導致的光提取效率的降低。
另外，第二電極6005與第三電極6007在接觸部6008中電連接。接觸部6008的位置不侷限於圖25A所示的位置，該接觸部6008可以形成於發光區域中。
此外，第一電極6003和第二電極6005中的任一方可以為陽極或陰極。另外，第一電極6003和第二電極6005中的至少一方的電極具有透光性即可，兩者的電極也可以使用具有透光性的材料形成。當第一電極6003用作使來自EL層6004的光透過的電極時，可以使用ITO等透明導電膜。另外，當第一電極6003用作不使來自EL層6004的光透過的電極時，可以使用層疊有ITO及銀等的多層導電膜。
另外，當採用從EL層6004向第一電極6003一側發射光的結構時，第二電極6005的厚度較佳比第三電極6007的厚度薄，而當採用向與第一電極6003相反的一側發射光的結構時，第二電極6005的厚度較佳比第三電極6007的厚度厚。但是不侷限於此。
另外，緩衝層6006可以使用有機樹脂膜(如Alq(簡稱))或無機絕緣材料(如氮化矽膜)等。
另外，也可以藉由作為包括本發明的一個方式的發光元件的結構採用圖25B所示的結構，來提高光提取效率。
在圖25B中，以與基板6001接觸的方式形成由光散射體6101和空氣層6102構成的光散射層6100，以與光散射層6100接觸的方式形成由有機樹脂構成的高折射率層6103，並且以與高折射率層6103接觸的方式形成包含發光元件等的元件層6104。
此外，光散射體6101可以使用陶瓷等粒子。另外，高折射率層6103可以使用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等高折射率(例如，折射率為1.7至1.8)材料。
另外，元件層6104包括本說明書所示的發光元件等。
在本實施例中，參照圖9說明本發明的一個方式的發光元件1及比較發光元件2。另外，下面示出在本實施例中使用的材料的化學式。
首先，在由玻璃製造的基板1100上藉由濺射法形成包含氧化矽的氧化銦-氧化錫(ITSO)的膜，由此形成用作陽極的第一電極1101。另外，將膜的厚度設定為110nm，並且將電極面積設定為2mm×2mm。
接著，作為用來在基板1100上形成發光元件的預處理，使用水對基板表面進行洗滌，並以200℃進行1小時的焙燒，然後進行370秒鐘的UV臭氧處理。
然後，將基板放入到其內部被減壓到10-4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，並在真空蒸鍍裝置內的加熱室中，以170℃進行30分鐘的真空焙燒，然後對基板1100進行30分鐘左右的冷卻。
接著，以使形成有第一電極1101的面朝下的方式將基板1100固定到設置在真空蒸鍍裝置內的支架。在本實施例中，說明如下情況，即藉由真空蒸鍍法，依次形成構成EL層1102的電洞注入層1111、電洞傳輸層1112、發光層1113、電子傳輸層1114及電子注入層1115。
在將真空蒸鍍裝置的內部減壓到10-4Pa之後，藉由將1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯(簡稱：DBT3P-II)和氧化鉬(VI)以滿足DBT3P-II(簡稱)：氧化鉬=1：0.5(質量比)的關係的方式共蒸鍍，從而在第一電極1101上形成電洞注入層1111。並且將其厚度設定為20nm。注意，共蒸鍍是指使多個不同的物質分別從不同的蒸發源同時蒸發的蒸鍍法。
接著，藉由蒸鍍20nm厚的4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯胺(簡稱：BPAFLP)，形成電洞傳輸層1112。
接著，在電洞傳輸層1112上形成發光層1113
。在發光元件1中，將2-[3’-(二苯並噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯並[f,h]喹噁啉(簡稱：2mDBTBPDBq-II)、4-(1-萘基)-4’-苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBBiNB)及(乙醯丙酮根)雙(6-三級丁基-4-苯基嘧啶根)銥(III)(簡稱：[Ir(tBuppm)2(acac)])以滿足2mDBTBPDBq-II：PCBBiNB：[Ir(tBuppm)2(acac)]=0.7：0.3：0.06(質量比)的方式共蒸鍍20nm厚，然後以滿足2mDBTBPDBq-II：PCBBiNB：[Ir(tBuppm)2(acac)]=0.8：0.2：0.06(質量比)的方式共蒸鍍20nm厚，由此形成發光層1113。
另外，在比較發光元件2的情況下，將2mDBTBPDBq-II、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBA1BP)及[Ir(tBuppm)2(acac)]以滿足2mDBTBPDBq-II：PCBA1BP：[Ir(tBuppm)2(acac)]=0.7：0.3：0.06(質量比)的方式共蒸鍍20nm厚，然後以滿足2mDBTBPDBq-II：PCBA1BP：[Ir(tBuppm)2(acac)]=0.8：0.2：0.06(質量比)的方式共蒸鍍20nm厚，由此形成發光層1113。
接著，藉由在發光層1113上蒸鍍10nm厚的2mDBTBPDBq-II之後，蒸鍍15nm厚的紅啡啉(簡稱：Bphen)，從而形成具有疊層結構的電子傳輸層1114。再者，藉由在電子傳輸層1114上蒸鍍1nm厚的氟化鋰，來形成電子注入層1115。
最後，在電子注入層1115上蒸鍍鋁膜並使其
厚度為200nm，來形成用作陰極的第二電極1103，從而得到發光元件1及比較發光元件2。注意，在上述所有蒸鍍過程中，均使用電阻加熱法進行蒸鍍。
藉由上述製程得到發光元件1及比較發光元件2。表1示出發光元件1及比較發光元件2的元件結構。
此外，在氮氛圍的手套箱中密封所製造的發光元件1及比較發光元件2，以使其不暴露於大氣(將密封材料塗敷在元件的周圍，並且在密封時以80℃進行1小時的熱處理)。
測定所製造的發光元件1及比較發光元件2的動作特性。注意，測定是在室溫下(保持在25℃的氛圍下)進行的。
圖10示出發光元件1及比較發光元件2的電流密度-亮度特性。注意，在圖10中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電流密度(mA/cm2)。另外，圖11示出發光元件1及比較發光元件2的電壓-亮度特性。在圖11中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電壓(V)。此外，圖12示出發光元件1及比較發光元件2的亮度-電流效率特性。在圖12中，縱軸表示電流效率(cd/A)，橫軸表示亮度(cd/m2)。另外，圖13示出發光元件1及比較發光元件2的電壓-電流特性；注意，在圖13中，縱軸表示電流(mA)，橫軸表示電壓(V)。
從圖10至圖13所示的結果可知，雖然在本發明的一個方式的發光元件1中，在發光層中用作主體材料的PCBBiNB(簡稱)的T1能階低於用作客體材料的[Ir(tBuppm)2(acac)](簡稱)的T1能階，但是與將T1能階比[Ir(tBuppm)2(acac)](簡稱)高的PCBA1BP用作主體材料的比較發光元件2相比，其元件特性幾乎沒有差異而可以得到良好的特性(參照後述的表3)。
另外，下面的表2示出1000cd/m2附近的發光元件1及比較發光元件2的主要初期特性值。
由表2的結果可知，在本實施例中製造的發光元件1及比較發光元件2都具有高量子效率。
另外，圖14示出使0.1mA的電流流過發光元件1時的發射光譜。如圖14所示那樣，發光元件1的發射光譜在546nm附近具有峰值，由此可知，發射光譜來源於包含在發光層1113中的[Ir(tBuppm)2(acac)](簡稱)的發光。
此外，進行發光元件1及比較發光元件2的可靠性測試。圖15示出可靠性測試的結果。在圖15中，縱軸表示初始亮度為100%時的歸一化亮度(%)，橫軸表示元件的驅動時間(h)。此外，在可靠性測試中，將起始亮度設定為5000cd/m2，並且在電流密度恆定的條件下驅動發光元件1及比較發光元件2。其結果是，發光元件1的100小時之後的亮度保持初始亮度的92%左右，由此可知發光元件1所維持的亮度比比較發光元件2高。
由上述可靠性測試可知，本發明的一個方式的發光元件1是具有高可靠性的長壽命的發光元件。
另外，圖16示出：在本實施例中，對用於發光元件1的發光層的PCBBiNB、用於比較發光元件2的發光層的PCBA1BP以及用於兩個發光元件的發光層的[Ir(tBuppm)2(acac)]的T1能階進行測量的結果。
此外，藉由測量各物質的磷光發光來進行T1能階的測量。測量條件為如下：對各物質照射325nm的激發光，測量溫度為10K。注意，對PCBBiNB及PCBA1BP進行利用機械斬光碟(mechanical chopper)的時間分解測量，對[Ir(tBuppm)2(acac)]進行不進行時間分解的通常的磷光測量。此外，在測量能階時，從吸收波長算出能階時的精確度比從發射波長算出能階時的精確度高。但是，因為T1能階的吸收極微弱而難以進行測量，所以在此藉由測量發光波長來求得T1能階。因此，測量值也包括小的誤差。
測量結果如表3所示。
由此可以確認到：在作為主體材料使用PCBBiNB的發光元件1中主體材料的T1能階低於客體材料的T1能階，在作為主體材料使用PCBA1BP的比較發光元件2中主體材料的T1能階高於客體材料的T1能階。就是說，由上述結果可知，使用雖然化學上穩定但是T1能階低的PCBBiNB的發光元件1具有不比比較發光元件2差的充分高的元件特性。
在本實施例中，使用實施例1的發光元件1和比較發光元件2中的一個或兩個的發光層所包含的PCBBiNB(簡稱)、PCBA1BP(簡稱)及[Ir(tBuppm)2(acac)](簡稱)，製造在石英基板之間包括改變其質量比來形成的有機膜(厚度為50nm)的多種樣本，而對每一個樣本的壽命(τ1，τ2)[μsec]進行測量。
有機膜的質量比為2mDBTBPDBq-II：PCBBiNB(或PCBA1BP)：[Ir(tBuppm)2(acac)]=1-X：X：0.06(質量比)。表4示出各樣本的結構。
測量條件為如下：對樣本照射337nm(500ps)的激發光，電洞尺寸為100μm，測量時間範圍為0至20μsec。圖17示出測量結果。
從圖17的結果可知，在將T1能階比客體材料([Ir(tBuppm)2(acac)])高的PCBA1BP用作主體材料的情況下，壽命示出單成分衰減曲線。針對於此，在將T1能階比客體材料([Ir(tBuppm)2(acac)])低的PCBBiNB用作主體材料的情況下，壽命示出二成分衰減曲線。可以確認：PCBBiNB的壽命短的成分(τ1)比作為主體採用PCBA1BP時的壽命短，而PCBBiNB的壽命長的成分(τ2)比作為主體採用PCBA1BP時的壽命長。此外，PCBBiNB所占的比率越大，壽命長的成分(τ2)的壽命越長。可以認為：PCBBiNB的壽命短的成分(τ1)是通常的客體材料的發光速度加上激子的能量向主體材料移動的速度的結果，PCBBiNB的壽命長的成分(τ2)是從主體材料到客體材料的能量移動的結果。
就是說，在使用像本發明的一個方式的發光元件那樣的T1能階比客體材料低的主體材料的情況下，可以得到如圖17所示的多成分衰減曲線。
Claims (12)
- 一種發光裝置，其包括：發光層，其至少包含第一有機化合物、第二有機化合物、和第三有機化合物，其中該第二有機化合物和該第三有機化合物中之一者具有電洞傳輸性，且該第二有機化合物和該第三有機化合物中之另一者具有電子傳輸性，其中該第一有機化合物是客體材料，其中該第一有機化合物的T1能階等於或高於該第二有機化合物的T1能階，其中該第一有機化合物的T1能階等於或低於該第三有機化合物的T1能階，其中該發光裝置的發光強度的發光時間依賴性以多成分衰減曲線表示，及其中該多成分衰減曲線的最長壽命的成分的發光時間為15μsec以下，其中該發光時間係指初始發光強度值成為1/100所需的時間。
- 一種發光裝置，其包括：至少包含第一有機化合物、第二有機化合物、和第三有機化合物的發光層，其中該第二有機化合物和該第三有機化合物分別為主體材料，其中該第二有機化合物和該第三有機化合物中之一者具有電洞傳輸性，且該第二有機化合物和該第三有機化合 物中之另一者具有電子傳輸性，其中該第一有機化合物是客體材料，其中該第一有機化合物的T1能階等於或高於該第二有機化合物的T1能階，其中該第一有機化合物的T1能階等於或低於該第三有機化合物的T1能階，其中選擇該第一有機化合物和該第二有機化合物，以使該發光裝置的發光強度的發光時間依賴性以多成分衰減曲線表示，及其中該多成分衰減曲線的最長壽命的成分的發光時間為15μsec以下，其中該發光時間係指初始發光強度值成為1/100所需的時間。
- 一種發光裝置，其包括：包含客體材料、第一主體材料、和第二主體材料的發光層，其中該客體材料的T1能階等於或高於該第一主體材料的T1能階，其中該客體材料的T1能階等於或低於該第二主體材料的T1能階，其中該第一主體材料和該第二主體材料中之一者具有電洞傳輸性，且該第一主體材料和該第二主體材料中之另一者具有電子傳輸性，選擇該客體材料、該第一主體材料和該第二主體材料，以使該發光裝置的發光強度的發光時間依賴性以多成 分衰減曲線表示，及其中該多成分衰減曲線的最長壽命的成分的發光時間為15μsec以下，其中該發光時間係指初始發光強度值成為1/100所需的時間。
- 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之發光裝置，其中該發光裝置發射藍色光。
- 一種電子裝置，其包括根據申請專利範圍第1至3項中任一項之發光裝置。
- 一種照明裝置，其包括根據申請專利範圍第1至3項中任一項之發光裝置。
- 根據申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中該第一有機化合物的該T1能階與該第二有機化合物的該T1能階之間的差異為0eV以上且0.2eV以下。
- 根據申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中該第一有機化合物為磷光化合物。
- 根據申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中該多成分衰減曲線表示當該初始發光強度值成為1/100時源自於該第一有機化合物和/或該第二有機化合物的至少兩個成分。
- 根據申請專利範圍第3項之發光裝置，其中該客體材料的該T1能階與該第一主體材料的該T1能階之間的差異為0eV以上且0.2eV以下。
- 根據申請專利範圍第3項之發光裝置，其中該客體材料為磷光化合物。
- 根據申請專利範圍第3項之發光裝置，其中該多成分衰減曲線表示當該初始發光強度值成為1/100時源自於該客體材料的至少兩個成分。
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