TWI652871B - 微型配電盒及其製造方法 - Google Patents

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維多 薩德傑
Victor Zaderej
蘭德 威爾本
Rand WILBURN
大衛E 杜漢
David E. Dunham
理查 費茲派翠克
Richard Fitzpatrick
鄭義賢
Euy-Hyun Cheong
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莫仕有限公司
Molex, Llc
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Abstract

提供了一種微型配電盒,其包括一器件,一連接器/殼體以及一蓋體。所述器件具有一基板、至少一個第一指部、至少一個第二指部以及至少一個電部件。所述至少一個第一指部以及所述至少一個第二指部彼此電連接。所述至少一個第一指部具有第一部分、第二部分以及第三部分。所述至少一個第二指部具有第一和第二部分。所述基板包覆成型於所述至少一個第一和第二指部的第一部分上。所述基板未包覆成型於所述至少一個第一和第二指部的第二部分上或未包覆成型於所述至少一個第一指部的第三部分上。所述至少一個第一和第二指部的第二部分從所述基板向外延伸。所述至少一個第一指部的第二部分是一高電流接觸件。所述至少一個第二指部的第二部分是一接觸插針。所述至少一個第一指部的第三部分經由設置成穿過所述基板的一開孔露出。所述至少一個電部件直接安裝於所述至少一個第一指部的第三部分以將所述至少一個電部件電連接於所述至少一個第一指部。所述連接器/殼體構造成收容所述器件於其內且構造成連接於一對接連接器。所述蓋體構造成以防止所述器件從所述連接器/殼體移出的一方式固定於所述連接器/殼體。

Description

微型配電盒及其製造方法
本發明涉及電子器件以及這種器件的製造。更具體地,本發明涉及微型配電盒以及採用專用電子封裝(application specific electronics packaging)技術製造的微型配電盒。
模塑互連器件(“MID”)是三維製造零件,其通常包括塑膠構件以及電子電路跡線。創建一塑膠基板或基座且將電氣電路和器件(devices)鍍覆、分層或植入在塑膠基板上。模塑互連元件通常比常規生產的器件的零件少,這節省了空間和重量。模塑互連元件的應用包括行動電話、自動取款機、汽車的方向盤構件、RFID構件、照明裝置、醫療裝置以及許多消費性產品。
目前模塑互連元件的製程包括雙射成型(two-shot molding)以及雷射直接成型(LDS)。雙射成型涉及使用兩個分離的塑膠零件,通常是一個能鍍覆的塑膠零件和一個不能鍍覆的塑膠零件。能鍍覆的零件形成電路,而不能鍍覆的零件完成機械功能並完成模製成型。兩個零件融接在一起且通過使用化學鍍(electroless plating)創建電路。能鍍覆的塑膠被金屬化,而不能鍍覆的塑膠保持不導電。相比之下,LDS涉及注塑成型步驟、塑性材料的雷射活化 步驟、然後進行金屬化的步驟。雷射將一佈線圖案刻蝕到零件上並準備將其金屬化。使用LDS時,僅需要單種熱塑性材料,從而使模製成型步驟成為單射製程(one-shot process)
然而存在著對改進的系統和製程的需求,以用於快速並有效地製造能包括多個器件的一組合的三維結構。尤其是,存在著一需求,即將電子封裝增設到更小的空間中,以包括在更高的速度下運行的更多的特徵而同時利用更少的功率並減少熱,所有以降低的製造成本進行。
對用於快速並有效地製造三個維結構的一改進的系統和製程的需求的一個例子是針對微型配電盒(power distribution box,PDB)的製造。一微型配電盒(PDB)為一減少尺寸的模組,其典型用於控制下一代車輛內(不管是汽車上的、商業上的、構造上還是其他方面上)的電氣功率。隨著車輛變得越來越“電動化”,控制功率的需求增加。與從一集中的位置做所有的控制相比,通過控制功率的能力分佈,佈線、功率損耗以及整個成本能最小化。
微型配電盒的設計上的最顯著的挑戰的其中之一是如何處理由於系統必須承載的非常高的電流導致的模組內產生的熱。為了承載50安培或者更高的常要求被控制的電流,非常“大”的接觸件被採用。這些接觸件常焊接於印刷電路板(PCB),印刷電路板被製成有厚的跡線(高達5盎司的銅(0.2mm厚的銅))。採用這些非常厚的跡線和接觸件的原因在於與高電流連接相關的“電阻熱”通過承載的電流的平方乘以電流路徑中的電阻來計算。實際上,一路徑內承載的一50安培的電流連同10毫歐的電阻一起產生25瓦的熱能。
由此,存在有對一改進的微型配電盒以及改進的製造微型配電盒的方法的需求。
本發明的一第一優選實施例提供了一種微型配電盒,其包括一連接器、一殼體以及一器件,所述器件由一專用電子封裝製程形成。所述殼體固定於所述連接器。所述器件具有一基板、至少一個指部以及至少一個電子元件。所述基板固定於所述連接器。所述基板具有設置成穿過其的至少一個開孔。所述基板包覆成型於所述至少一個指部的一第一部分上。所述基板的所述至少一個開孔露出所述至少一個指部的一第二部分。所述至少一個電子元件通過所述基板的所述至少一個開孔電連接於所述至少一個指部的第二部分。
所述微型配電盒的所述第一優選實施例的所述至少一個電子元件優選是一高功率的場效應電晶體、一內部的微處理器或一繼電器和一保險絲。
所述微型配電盒的所述第一優選實施例的所述器件優選具有第一指部和第二指部。所述第一指部和所述第二指部均具有第三部分。所述基板未包覆成型於所述第一指部的第三部分和所述第二指部的第三部分。所述第三部分均從所述基板向外延伸。所述第一指部的第三部分可為一高電流接觸件或一接觸插針。當所述第二指部的第三部分是一接觸插針時,所述第二指部不具有經由所述基板的所述至少一個開孔露出的一第二部分。
用於形成所述微型配電盒的所述第一優選實施例的所述器件的所述專用電子封裝製程優選包括步驟:形成一連續的具有多個引線框的料帶,各引線框限定一開口並具有延伸到所述開口中的至少一個指部;包覆成型一基板在各引線框的指部上;將所述至少一個電子元件電連接於各引線框的所述至少一個指部以形成多個器件;以及從所述連續的料帶上使所述多個器件的每一個單一化(singulating)。
所述微型配電盒的所述第一優選實施例的所述基板優選由一導熱的液晶聚合物形成。
本發明的一第二優選實施例提供了一種微型配電盒,其由一製程製備,所述製程包括步驟:形成一連續的具有多個引線框的料帶,各引線框限定一開口並具有延伸到所述開口中的多個指部;包覆成型一基板在各引線框的多個指部上;將一電子元件電連接於各引線框的多個指部中的至少一個以形成多個器件,各器件具有至少一個電子元件;從所述連續的料帶上使每一個所述多個器件單一化;將器件固定於一連接器;以及將一殼體固定於所述連接器。
所述微型配電盒的所述第二優選實施例的所述至少一個電子元件優選是一高功率的場效應電晶體、一內部的微處理器或一繼電器和一保險絲。
所述微型配電盒的所述第二優選實施例的所述基板優選由一導熱的液晶聚合物形成。
本發明的一第三優選實施例提供了一種形成一微型配電盒的方 法,所述方法包括步驟:形成一連續的具有多個引線框的料帶,各引線框限定一開口並具有延伸到所述開口中的多個指部;包覆成型一基板在各引線框的多個指部上,各基板具有設置成穿過其的露出所述多個指部中的一個的至少一部分的至少一個開孔;將一電子元件經由所述基板的所述至少一個開孔電連接於各引線框的指部的所述露出的部分以形成多個器件,各器件具有至少一個電子元件;從所述連續的料帶上使每一個所述多個器件單一化;將器件固定於一連接器;以及將一殼體固定於所述連接器。
本發明的一第四優選實施例提供了一種微型配電盒,其包括:一器件,由一專用電子封裝製程形成;以及一殼體。所述器件具有一基板、至少一個指部以及至少一個電子元件。所述基板形成為一連接器。所述基板具有設置成穿過其的至少一個開孔。各指部具有設置成穿過其的一開孔。所述基板包覆成型於所述至少一個指部的至少部分,由此所述基板的所述至少一個開孔與所述至少一個指部的一對應開孔對齊。所述至少一個電子元件通過所述基板的所述至少一個開孔電連接於所述至少一個指部。所述殼體固定於所述連接器。
所述微型配電盒的所述第四優選實施例的所述至少一個電子元件是優選一高功率的場效應電晶體或一內部的微處理器。
所述微型配電盒的所述第四優選實施例的所述基板優選由一導熱的液晶聚合物形成。
所述微型配電盒的所述第四優選實施例的所述至少一個指部具有一高電流接觸部。所述基板未包覆成型於所述至少一個指部的所述高電流接 觸部上。
用於形成所述微型配電盒的所述第四優選實施例的所述器件的所述專用電子封裝製程包括步驟:形成一連續的具有多個引線框的料帶,各引線框限定一開口並具有延伸到所述開口中的至少一個指部;包覆成型一基板在各引線框的指部上;將至少一個電子元件電連接於各引線框的所述至少一個指部以形成多個器件;以及從所述連續的料帶上使所述多個器件的每一個單一化。
一第五優選實施例提供了一種微型配電盒,其由一製程製備,所述製程包括步驟:形成一連續的具有多個引線框的料帶,各引線框限定一開口並具有延伸到所述開口中的至少一個指部;包覆成型一基板在各引線框的指部上,所述基板形成為一連接器;將至少一個電子元件電連接於各引線框的所述至少一個指部以形成多個器件,各器件具有至少一個電子元件,所述至少一個電子元件包括一高功率的場效應電晶體;從所述連續的料帶上使每一個所述多個器件單一化;以及將一殼體固定於所述連接器。
所述微型配電盒的所述第五優選實施例的所述基板優選由一導熱的液晶聚合物形成。
一第六優選實施例提供了一種形成一微型配電盒的方法,所述方法包括步驟:形成一連續的具有多個引線框的料帶,各引線框限定一開口並具有延伸到所述開口中的至少一個指部;包覆成型一基板在各引線框的指部上,所述基板形成為一連接器,各基板具有設置成穿過其的露出所述至少一個指部 的一部分的至少一個開孔;將至少一個電子元件經由所述基板的所述至少一個開孔電連接於各引線框的所述至少一個指部以形成多個器件,各器件具有至少一個電子元件,所述至少一個電子元件包括一高功率的場效應電晶體;從所述連續的料帶上使每一個所述多個器件單一化;以及將一殼體固定於所述連接器。
一第七優選實施例提供了一種微型配電盒,其包括一器件、一連接器以及一蓋體。所述器件具有一基板、至少一個第一指部、至少一個第二指部以及至少一個電子元件。所述至少一個第一指部以及所述至少一個第二指部彼此電連接。所述至少一個第一指部具有第一部分、第二部分以及第三部分。所述至少一個第二指部具有第一部分和第二部分。所述基板包覆成型於所述至少一個第一和第二指部的第一部分。所述基板未包覆成型於所述至少一個第一和第二指部的第二部分或未包覆成型於所述至少一個第一指部的第三部分上。所述至少一個第一和第二指部的第二部分從所述基板向外延伸。所述至少一個第一指部的第二部分是一高電流接觸件。所述至少一個第二指部的所述第二部分是一接觸插針。所述至少一個第一指部的第三部分經由設置成穿過所述基板的一開孔露出。所述至少一個電子元件直接安裝於所述至少一個第一指部的所述第三部分以將所述至少一個電子元件電連接於所述至少一個第一指部。所述連接器構造成收容所述器件於其內且構造成連接於一對接連接器。所述蓋體構造成以防止所述器件從移出所述連接器的一方式固定於所述連接器。
微型配電盒的第七優選實施例的所述至少一個電子元件優選是 一高功率的場效應電晶體或一內部的微處理器。
微型配電盒的第七優選實施例的所述基板優選由一導熱的液晶聚合物形成。
微型配電盒的第七優選實施例的所述器件優選由一專用電子封裝製程形成。
微型配電盒的第七優選實施例的所述至少一個第一指部以及所述至少一個第二指部優選經由匯流條(busbar)彼此電連接。所述基板優選包覆成型於所述匯流條上。
微型配電盒的第七優選實施例優選還包括:一墊片,其固定在所述蓋體和所述連接器之間。
10‧‧‧ASEP器件
20‧‧‧ASEP製程
22‧‧‧料帶
24a、24b‧‧‧端部
26‧‧‧料帶孔
28‧‧‧引線框
30a、30b‧‧‧穩定部
32‧‧‧開口
34‧‧‧指部
36‧‧‧開孔
38‧‧‧基板
40‧‧‧開孔
42‧‧‧部分
44‧‧‧圖案
46‧‧‧跡線
48‧‧‧導電跡線
50‧‧‧電子電路跡線
52‧‧‧阻焊膜
54‧‧‧電鍍引線框
55‧‧‧焊膏
56‧‧‧電鍍指部
58‧‧‧電鍍接觸插針部
60‧‧‧微型配電盒
62‧‧‧刀片型件
64‧‧‧印刷電路板
66‧‧‧繼電器
68‧‧‧保險絲
70‧‧‧元件
72‧‧‧連接器
74‧‧‧殼體
86‧‧‧電子元件
110‧‧‧ASEP器件
120‧‧‧ASEP製程
122‧‧‧料帶
124a、124b‧‧‧端部
128‧‧‧引線框
130a、130b‧‧‧穩定部
132‧‧‧開口
134‧‧‧指部
136‧‧‧開孔
138‧‧‧基板
140‧‧‧開孔
141‧‧‧高電流接觸件
142‧‧‧接觸插針
160‧‧‧微型配電盒
166‧‧‧繼電器
168‧‧‧保險絲
172‧‧‧連接器
174‧‧‧殼體
186‧‧‧電子元件
210‧‧‧ASEP器件
220‧‧‧ASEP製程
222‧‧‧料帶
224a、224b‧‧‧端部
228‧‧‧引線框
230a、230b‧‧‧穩定部
232‧‧‧開口
234‧‧‧指部
238‧‧‧基板
241‧‧‧高電流接觸件
246‧‧‧跡線
248‧‧‧導電跡線
250‧‧‧電子電路跡線
254‧‧‧電鍍引線框
256‧‧‧電鍍指部
257‧‧‧電鍍高電流接觸件
260‧‧‧微型配電盒
272‧‧‧連接器
274‧‧‧殼體
286‧‧‧電子元件
310‧‧‧ASEP器件
320‧‧‧ASEP製程
322‧‧‧料帶
324a、324b‧‧‧端部
328‧‧‧引線框
330a、330b‧‧‧穩定部
332‧‧‧開口
334‧‧‧指部
338‧‧‧基板
341‧‧‧高電流接觸件
341a‧‧‧部分
342‧‧‧接觸插針
344‧‧‧圖案
346‧‧‧跡線
348‧‧‧導電跡線
350‧‧‧電子電路跡線
354‧‧‧電鍍引線框
356‧‧‧電鍍指部
357‧‧‧電鍍高電流接觸件
357a‧‧‧部分
358‧‧‧電鍍接觸插針
360‧‧‧微型配電盒
375‧‧‧殼體
386‧‧‧電子元件
388‧‧‧散熱鰭片
390‧‧‧前緣
392‧‧‧後緣
394‧‧‧第一側緣
396‧‧‧第二側緣
398‧‧‧第二內部
400‧‧‧蓋體
402‧‧‧墊片
500‧‧‧對接連接器
600‧‧‧連接器元件
本發明之其他的特徵及功效,將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現,其中:圖1是一流程圖(flow chart),示出一ASEP製程的一實施例的步驟;圖2是ASEP製程的該實施例的步驟的一作業圖(flow diagram);圖2A至圖2K是圖2的作業圖的多個獨立的步驟的放大圖;圖3是申請人當前正研發的微型配電盒的一剖視圖;圖4是形成一微型配電盒的一第一實施例的步驟的一作業圖,其中微型配電盒包括由一修改的ASEP製程形成的一修改的ASEP器件: 圖5是形成一微型配電盒的一第二實施例的步驟的一作業圖,其中微型配電盒包括由一ASEP製程形成的一ASEP器件;圖6是形成一微型配電盒的一第三實施例的步驟的一作業圖,其中微型配電盒包括由一ASEP製程形成的一ASEP器件;圖7是微型配電盒的第三實施例的ASEP器件的一立體圖;圖8是圖7的ASEP器件的另一立體圖;圖9是微型配電盒的第三實施例的一分解立體圖;圖10是連接器元件的一立體圖,連接器元件處於一未對接狀態(arrangement),包括微型配電盒的第三實施例以及一對接連接器;以及圖11是圖10的連接器元件處於已對接狀態的一立體圖。
本發明面向在微型配電盒(micro PDB)的設計和製造上的改進。本發明的微型配電盒優選採用一專用電子封裝(Application Specific Electronics Packaging,ASEP)系統和方法製造。所述製程適合於多種器件(諸如印刷電路板、柔性電路、連接器、熱管理特徵、EMI屏蔽、高電流導體、RFID裝置、天線、無線電源、感測器、MEMS裝置、LED、微處理器以及記憶體、ASIC、被動器件以及其他電氣和機電裝置)的創建。ASEP製程已在前面說明且示出在於2016年6月28日提交的國際申請PCT/US16/39860,其揭示內容通過援引併入本文。
圖1示出用於構建一ASEP器件10的一ASEP製程20的一優選實施例的一流程圖。圖2示出ASEP製程20的一作業圖,其中ASEP製程20包括步驟A至步驟K。圖2A至圖2K提供了步驟A至步驟K的放大的圖像,其中圖2A示出步驟A、圖2B示出步驟B、以此類推。
有利地,製程20出於速度和成本原因優選是連續的。諸如圖2所示的卷盤到卷盤技術使得ASEP器件10在貼接於一料帶(carrier web)22上的同時形成。料帶22優選從一第一(批料來源(bulk source))卷盤(未示出)放卷且之後,如果需要,收集於一第二(收卷)卷盤(未示出),其中製程20在第一卷盤與第二卷盤之間進行。料帶22具有相反的端部24a、24b以及一中間部(未示出),中間部跨越(span)相反的端部24a、24b之間的距離。端部24a、24b具有延伸穿過其的料帶孔26。料帶孔26使得料帶22像一傳送帶一樣在第一卷盤和第二卷盤之間沿一生產線以一連續的流動的方式穿行(traverse)。料帶22優選由任何所需的導電金屬(諸如銅合金)形成,但是料帶22可替代地由聚醯亞胺柔性材料形成,諸如具有一個或多個層(在某些實施例中柔性材料能具有四個或超過4個的層)的一柔性電路。
如圖1、圖2和圖2A所示,製程20從步驟A開始,其中步驟A發生在工位(Position)A,工位A位於在第一卷盤和第二卷盤之間且在第一卷盤之後。在步驟A中,料帶22的中間部被衝壓(stamp)(由此去除料帶22的中間部的所不需要的部分)以形成一引線框(lead frame)28。引線框28以適於ASEP器件10形成的一所需的結構形成。如圖2A最佳所示,引線框28優選包括端部 24a、24b(理解的是,一個引線框28的端部24a、24b與相鄰引線框28的端部24a、24b連續)、一對穩定部30a、30b(理解的是,一個引線框28的穩定部30a也將優選作為相鄰引線框28的穩定部30b),其中各穩定部30a、30b跨越相反的端部24a、24b之間的距離(端部24a、24b優選不經歷步驟A的衝壓)。相反的端部24a、24b和穩定部30a、30b由此大體形成限定在它們之間的一開口32的一矩形框。引線框28還優選包括:多個指部34,其連接於相反的端部24a、24b以及穩定部30a、30b中的任一個且向內延伸到開口32中。各指部34可具有設置成穿過其的一個或多個開孔36。
如圖1、圖2以及圖2B所示,製程20繼續進行步驟B,其中步驟B發生在工位B,工位B位於在第一卷盤和第二卷盤之間且在工位A之後。在步驟B中,一基板38包覆成型(overmolded)於引線框28的所述多個指部34上。基板38可具有設置成穿過其的開孔40,開孔40優選與指部34的開孔36對齊。如圖2B所示,指部34的某些部分42沒有被基板38包覆且不連接於相反的端部24a、24b和穩定部30a、30b中的任一個。這些某些部分42可作為將形成的ASEP器件10的接觸插針。步驟B的包覆成型能採用單或雙射出製程或任何其他常規的模製成型製程來執行。
如圖1、圖2和圖2C所示,製程20繼續執行步驟C,其中步驟C發生在工位C,工位C位於在第一卷盤和第二卷盤之間且在工位B之後。在步驟C中,在基板38上執行圖案化。圖案化提供在基板38的表面上形成一個或多個圖案44(其可為電路圖案)。圖案44能由任何數量的合適製程形成,包括一雷射 製程,一等離子體(plasma)製程(其能為一真空常壓(atmospheric)製程)、一UV製程和/或一氟化(fluorination)製程。依賴於所採用的製程(例如等離子體、UV和/或氟化),圖案化可包括圖案化(即一表面處理)基板38的表面的大部分(如果不是全部的話)。由此,圖案44可形成在基板38的全部或幾乎全部的表面上。
如圖1、圖2和圖2D所示,製程20繼續執行步驟D,其中步驟D發生在工位D,工位D位於在第一卷盤和第二卷盤之間且在工位C之後。在步驟D中,一金屬層(通常稱為一種子層)沉積在全部或部分圖案44上(當圖案44由一雷射製程形成時,典型地是沉積在全部圖案44上,而當圖案44由等離子體、UV和/或氟化製程形成時,典型地是沉積在部分圖案44上)並連接於基板38,該金屬層提供一導電圖案或跡線46。跡線46還沿開孔40、36的壁設置,由此將跡線46電連接於指部34,且由此也將跡線46電連接於引線框28的剩餘部分。金屬層的沉積可由任何合適製程執行,包括一化學鍍製程、一噴墨製程、一絲網(screening)製程或一噴霧(aerosol)製程。依賴於所採用的製程,將沉積的金屬可以任何合適的形式(包括墨或膏)形成。將沉積的金屬優選具有高導電性和低粘接劑含量以增加其導電性。將沉積的金屬還優選在鍍覆浴槽(plating baths)中具有高化學穩定性以及一與所需的沉積製程相容的粘性。儘管未示出,應理解的是,多個指部34的一部分能作為電連接於基板38的表面上的跡線46的內部匯流排(internal buss)。
如圖1、圖2和圖2E所示,製程20繼續執行步驟E,其中步驟E發 生在工位E,工位E位於在第一卷盤和第二卷盤之間且在工位D之後。在步驟E中,跡線46被製成是導電的(被燒結),由此形成導電跡線48。燒結製程能由一雷射或由快速加熱(快速加熱)執行或由提供足夠熱能的任何其他所需的製程執行,例如來熔化一墨或膏中的顆粒(例如,在尺寸上為奈米或微米)。燒結說明保證形成跡線46的沉積的金屬粘合於基板38且還確保沉積的金屬是導電的(因為經常是這種情況,即所施加的沉積的金屬導電性不足以使一電壓勢(voltage potential)施加於跡線46)。如能認識到的,如果步驟D採用一化學鍍製程來執行,則步驟E無需執行,因為無需對化學鍍進行燒結。
還應注意的是,如果步驟C和步驟E二者利用雷射來執行,則一優選系統和製程會將多個雷射集成到一單一個的生產位(station)/工位,由此節省製程20的空間並幫助確保鐳射正確地對準(registered)。另外,多個雷射集成在一單一個的生產位/工位能使材料的處理更快。
如圖1、圖2和圖2F所示,製程20繼續執行步驟F,其中步驟F發生在工位F,工位F位於在第一卷盤和第二卷盤之間且在工位E之後。在步驟F中,通過施加一電壓勢於引線框28(引線框28經由所述內部匯流排電連接於跡線46/導電跡線48)並隨後將使引線框28、基板38和跡線46/導電跡線48暴露於一電鍍浴槽中,跡線46/導電跡線48被電鍍。電鍍製程不僅電鍍跡線46/導電跡線48以形成電子電路跡線50,而且電鍍引線框28以形成一電鍍引線框54,電鍍引線框54具有電鍍指部56,電鍍指部56具有電鍍接觸插針部58。步驟F可涉及一單步驟鍍覆製程(其構造一單種材料(諸如銅)的一單一個層),或者可涉 及一多步驟鍍覆製程(其構造多種材料的多個層(諸如一銅層和一錫層)),理解的是也可使用其他合適材料。所增加的厚度使得電流承載能力增加,且一般而言,電鍍製程往往創建具有一高導電性的一材料,從而所得到的電子電路跡線50的性能得到改善。
跡線46連接於所述內部匯流排使所有金屬(包括銅、鎳、金、銀、錫、鉛、鈀和其他材料)能夠進行電鍍。連接於所述內部匯流排並隨後電鍍的形成跡線46的製程能使金屬的沉積比公知的化學鍍製程更快。另外,與許多常規的批次式(batch)製程相比,當利用卷盤到卷盤技術實施時,所述鍍覆製程更順暢且成本更低。
在其他實施例,諸如Mesoscribe技術所涵蓋的那些技術可用於沉積一全厚度的銅(或其他導電材料)在一表面上。一皮秒雷射可隨後用於在導電材料中隔離所需的導電圖案。這樣一種方式可用於替代步驟F,如本文所述的,或者在希望一個或多個鍍覆的材料的情況下在步驟F之外增設這樣一種方式。
步驟C、步驟D、步驟E以及步驟F可用作由XAREC提供的一間同立構聚苯乙烯(Syndiotactic Polystyrene,SPS)上並提供電子電路跡線50對基板38的表面的良好的固持性。
如圖1、圖2和圖2G所示,製程20繼續執行步驟G,其中步驟G發生在工位G,工位G位於在第一卷盤和第二卷盤之間且在工位F之後。在步驟G中,一阻焊膜(solder mask)52設置成覆蓋電子電路跡線50的選擇部分和基板 38的全部或大體全部的露出的表面。
如圖1、圖2和圖2H所示,製程20繼續執行步驟H,其中步驟H發生在工位H,工位H位於在第一卷盤和第二卷盤之間且在工位G之後。在步驟中H,焊膏55被範本印製(stenciled)在電子電路跡線50的露出的部分(即未被阻焊膜52覆蓋的那些部分)上。
如圖1、圖2和圖2I所示,製程20繼續執行步驟I,其中步驟I發生在工位I,工位I位於在第一卷盤和第二卷盤之間且在工位H之後。在步驟I中,電子元件(electrical components)86定位於焊膏55上以將電子元件86電連接於電子電路跡線50。在電子元件86正位於焊膏55上的同時,一回流焊(reflow)製程可隨後用於形成ASEP器件10。應注意的是,可替代地或在步驟G和步驟H之外,電子元件86可以使用導線鍵合(wire-bonded)於電子電路跡線50。
如圖1、圖2和圖2J所示,製程20繼續執行步驟J,其中步驟J發生在工位J,工位J位於在第一卷盤和第二卷盤之間且在工位I之後。在步驟J中,與電鍍引線框54的“框體”連接的剩餘的露出的電鍍指部56大部分被沖切掉(punched)/去除,留下僅一必要數量(例如兩個,如圖2J所示)的露出的電鍍指部56依然連接於電鍍引線框54的“框體”。在這個時間點,如果需要,所形成的ASEP器件10能被電測試。
如圖1、圖2和圖2K所示,製程20繼續執行步驟K,其中步驟K發生在工位K,工位K位於第一卷盤和第二卷盤外。在步驟K中,一旦ASEP器件10形成,為了ASEP器件10被使用,ASEP器件10必須從料帶22上移出,以使ASEP 器件10單一化,其中,在此之後,單一化的ASEP器件10能按照所需使用,例如作為一成品元件(未示出)的一部分使用。
ASEP器件10使得一集成器件能以一大體加成(additive)方式形成。因為電鍍是一相對有效的製程,所以穿過一鍍覆浴槽的一往復路徑同時小於30分鐘的一相對短的停留(dwell)時間可能是足夠的,由此使得整個製程少於一小時同時能實現幾何形狀和結構的一複雜的集合(complex set)。當然,增設另外的鍍覆層可能會增加製程的整體時間,但是與常規的使用印刷電路板的製程相比,在從頭到尾地的整體時間上依然提供了顯著的減少。
應認識到的是,在某些應用中,不是所有的步驟A至步驟K將需要使用。還應認識到的是,在某些應用中,步驟A至步驟K的順序可適當地修改。還應認識到的是,在某些應用中,工位A至工位K的順序可適當地修改,而且,在一些應用中,工位A至工位K中的一些工位可與工位A至工位K的其他工位相同。
還應注意的是,儘管附圖僅示出製程20用於基板38的一側,但是製程20可同樣地應用於基板38的其他側以及應用於內部的層。應注意的是,一金屬製的料帶22的使用可獲得最適於除了金屬製的料帶22外僅有兩層(在基板38的兩側上均一層)的應用的一結構。如果存在有需求另外的層,那麼已確定的是,使用由一聚醯亞胺柔性體形成的一料帶22可能更有益於允許增設另外的內部的層。
上面參照ASEP器件10說明了各種實施例,然而,這些只是可採 用ASEP技術形成器件的僅一些例子。通過ASEP,可將連接器、感測器、LED、熱管理、天線、RFID器件、微處理器、記憶體、阻抗控制以及多層功能性直接集成到一產品中。
針對微型配電盒的製造,申請人當前正研發的一微型配電盒60(其不是全部地或部分地通過採用ASEP技術形成)提供在現有技術的微型配電盒上的一改進。微型配電盒60示出在圖3。更大的6mm刀片型件62用於傳導高達40安培的電流給具有四盎司銅的一印刷電路板64。印刷電路板64上的跡線將一繼電器66和一保險絲68互連。刀片型件62、印刷電路板64、繼電器66以及保險絲68形成一元件70,元件70固定於一連接器72。一殼體74固定於連接器72並進一步保護元件70。在這個當前的微型配電盒60中,存在有六組焊接結合點以及四盎司銅的顯著路徑長度。然而由於在微型配電盒60內產生的非常高的溫度,形成對系統在各種環境溫度下能承載多少的限制。如果溫度變得太高,則系統會失效。不管前述如何,某些人群一直尋求各種途徑,以進一步將微型配電盒能承載的電流量增加到高達50安培及之上。
為了獲得所需水平的電流承載能力,即50安培及以上,系統內的電阻必須降低。實現這個目的一個途徑是降低在微型配電盒的一端處的接觸、穿過繼電器和保險絲並在系統的另一端處的接觸部位之間的體積(bulk)和接觸電阻。實現這個目的最佳途徑是最小化穿過所述兩端接觸之間的導電體的熱阻。這包括兩個外部接觸件之間的導電體的體積電阻以及接觸介面的數量和品質)(即能夠移除的接觸點和焊接結合點)。
在一微型配電盒160的一第一實施例中,微型配電盒160採用一修改的ASEP製程120部分地形成,焊接結合點的數量從六組減少至四組,且四盎司銅的印刷電路板由相同厚度的作為高電流接觸件的導體(0.8mm)整個替代,由此消除與印刷電路板相關聯的更高的電阻。預期的是,與微型配電盒160相關聯的路徑電阻會使得電阻降低達高達50%,由此使得系統在相同的輸入電流“更冷地環境”下運行或者增大系統能最終承載的電流。
微型配電盒160採用ASEP技術部分地獲得,由此連接器接觸件、印刷電路板電路跡線以及所有必要的構件以連接器、一印刷電路板與所述構件之間的介面最少化的方式集成在一起。通過使用於製造高功率接觸件的接觸件材料直接延伸至繼電器,接觸件與印刷電路板之間的介面能被取消。
關注圖4,圖4示出採用修改的ASEP製程120的一ASEP器件110的形成,其中所形成的ASEP器件110隨後用作微型配電盒160的一部分。修改的ASEP製程120包括ASEP製程20的步驟A和步驟B以及將ASEP製程20的步驟I和步驟K修改的步驟I'以及K'。
如圖4所示,製程120從開始步驟A。像製程20一樣,儘管由於正形成的ASEP器件110的尺寸,製程120優選發生在一對卷盤之間,但應理解的是ASEP器件110在到達收卷卷盤之前可能需要從料帶122上移出。在步驟A中,料帶122的中間部被衝壓(由此去除料帶122的中間部的所不需要的部分)以形成一引線框128。引線框128以適於形成ASEP器件110的一所需的結構形成。引線框128優選包括端部124a、124b(理解的是,一個引線框128的端部124a、124b 與相鄰引線框128的端部124a、124b連續)、一對穩定部130a、130b(理解的是,一個引線框128的穩定部130a也將優選作為相鄰引線框128的穩定部130b),其中各穩定部130a、130b跨越相反的端部124a、124b之間的距離(該端部124a、124b優選不經歷步驟A的衝壓)。相反的端部124a、124b和穩定部130a、130b由此大體形成限定它們之間的一開口132的一矩形框。
引線框128還優選包括多個指部134,所述多個指部134連接於相反的端部124a、124b和穩定部130a、130b中的任一個且向內延伸到開口132中。各指部134可具有設置成穿過其的一個或多個開孔136。在ASEP器件110的形成中,理解的是,多個指部134形成多個呈刀片型的高電流接觸件141和多個接觸插針142。
如圖4所示,製程120繼續執行步驟B。在步驟中B,一基板138包覆成型於引線框128的多個指部134上,但不包覆成型於刀片型件141或者接觸插針142上。基板138可具有設置成穿過其的開孔140,開孔140優選與指部134的開孔136對齊。
如圖4所示,製程120繼續執行步驟I'。在步驟I'中,電子元件186以任何數量的公知的方式通過基板138的開孔140電連接於指部134,由此形成ASEP器件110。ASEP器件110的電子元件186優選包括一繼電器166和一保險絲168。
如圖4所示,製程120繼續執行步驟K'。在步驟K'中,一旦ASEP器件110形成,為了ASEP器件110被使用,它必須從料帶122上移出,以使ASEP 器件110單一化。
一旦ASEP器件110被單一化,ASEP器件110能固定於一連接器172,且一殼體174能固定於連接器172,由此形成微型配電盒160,如圖4所示。
若干新的技術現在已變得可採用,從而當組合時能急劇地增加下一代微型配電盒元件的性能、尺寸以及成本。這些兩個技術是高功率的(powered)FET(場效應電晶體)器件和ASEP技術。高功率FET器件(諸如由Infineon製造並銷售的智慧高或低-側功率開關(Smart High or Low-Side Power Switches))當它們啟動時具有非常低的電阻且當它們關閉時具有高電阻,且能切換高達80安培。通過使用ASEP技術將FET、驅動器電路(driver circuits)以及被動器件互連成一個緊湊的(compact)且更高集成的封裝而將高功率FET器件集成於微型配電盒設計,可創建新一代更加顯著“在各方面更好”的功率控制器件。
一微型配電盒260的一第二實施例採用一ASEP製程220部分地形成。關注圖5,圖5示出採用ASEP製程220的一ASEP器件210的形成,其中形成的ASEP器件210隨後用作微型配電盒260的一部分。ASEP製程220優選包括ASEP製程20的步驟A至步驟K的每個步驟,但是出於簡明目的,圖5未示出步驟A至步驟K的各個步驟和每一個步驟,這將在下面將說明。
如圖5所示,製程220從開始步驟A。像製程20一樣,儘管由於正形成的ASEP器件210的尺寸,製程220優選發生在一對卷盤之間,但應理解的是ASEP器件210在到達收卷卷盤之前可能需要從料帶222上移出。在步驟A中, 料帶222的中間部被衝壓(由此去除料帶222的中間部的所不需要的部分)以形成一引線框228。引線框228以適於形成ASEP器件210的一所需的結構形成。引線框228優選包括端部224a、224b(理解的是,一個引線框228的端部224a、224b與相鄰引線框228的端部224a、224b連續)、一對穩定部230a、230b(理解的是,一個引線框228的穩定部230a也將優選作為相鄰引線框228的穩定部230b),其中各穩定部230a、230b跨越相反的端部224a、224b之間的距離(該端部224a、224b優選不經歷步驟A的衝壓)。相反的端部224a、224b和穩定部230a、230b由此大體形成限定它們之間的一開口232的一矩形框。
引線框228還優選包括多個指部234,所述多個指部234連接於相反的端部224a、224b和穩定部230a、230b中的任一個並向內延伸到開口232中。在ASEP器件210的形成中,理解的是,一些指部234形成高電流接觸件241。
如圖5所示,製程220繼續執行步驟B。在步驟B中,一基板238包覆成型於引線框228的多個指部234。基板238優選具有設置成穿過其的多個開孔,多個開孔優選露出指部234的不同部分(包括高電流接觸件241的部分)。在這個製程220中,形成的基板238為微型配電盒260的連接器272。
製程220繼續執行步驟C、步驟D以及步驟E(圖案化、金屬沉積以形成跡線,且如果執行,則將跡線製成是導電的(進行燒結)以形成導電跡線),但是僅步驟E的結果示出在圖5,即在基板238上設置跡線246/導電跡線248。
如圖5所示,製程220繼續執行步驟F。在步驟F中,通過施加一電壓勢於引線框228(引線框228經由內部匯流排電連接於跡線246/導電跡線 248)並隨後使引線框228、基板238和跡線246/導電跡線248暴露於一電鍍浴槽中,跡線246/導電跡線248被電鍍。電鍍製程不僅電鍍跡線246/導電跡線248以形成電子電路跡線250,而且電鍍引線框228以形成一電鍍引線框254,電鍍引線框254具有電鍍指部256,電鍍指部256具有電鍍高電流接觸件257。
製程220繼續執行步驟G和步驟H(設置阻焊掩膜和設置焊接膏),但是圖5未示出這些步驟。還應理解的是,如果需要,步驟G和步驟H可從製程220中省略。
如圖5所示,製程220繼續執行步驟I。在步驟I中,電子元件286電連接於電鍍高電流接觸件257和電子電路跡線250,這優選經由焊接發生。由此,電子元件286直接安裝於電鍍高電流接觸件257和電子電路跡線250,從而熱和電氣的路徑具有非常低的熱阻。如此,溫度比在一標準印刷電路板上能被更好得多地控制。如上所述,電子元件286優選包括至少一高功率FET,諸如由Infineon製造並銷售的那些器件。
製程220繼續執行步驟J,但是圖5未示出該步驟。
如圖5所示,製程220繼續執行步驟K。在步驟K中,一旦ASEP器件210形成(其結合連接器272),為了ASEP器件210將被使用,ASEP器件210必須從料帶222上出,以使ASEP器件210單一化
一旦ASEP器件210被單一化,一殼體274能固定於ASEP器件210的連接器272,由此形成微型配電盒260,如圖5所示。應認識到的是,由於ASEP製程220,殼體274的尺寸與殼體74、174的尺寸相比大大地縮小。
一微型配電盒360的一第三實施例採用一ASEP製程320部分地形成。關注圖6,圖6示出採用ASEP製程320的一ASEP器件310的形成,其中形成的ASEP器件310隨後用作微型配電盒360的一部分。ASEP製程320優選包括ASEP製程20的步驟A至步驟K的各步驟,但是出於簡明目的,圖6未示出步驟A至步驟K的各步驟以及每一個步驟,這將在下面說明。
如圖6所示,製程320從開始步驟A。像製程20一樣,儘管由於正形成的ASEP器件310的尺寸,製程320優選發生在一對卷盤之間,但應理解的是,ASEP器件310在到達收卷卷盤之前可能需要從料帶322上移出(儘管ASEP器件310尺寸優選為在到達收卷卷盤之前從料帶322上移除將會不要求)。在步驟A中,料帶322的中間部被衝壓(由此去除料帶322的中間部的所不需要的部分)以形成一引線框328。引線框328以適於形成ASEP器件310的一所需的結構形成。引線框328優選包括端部324a、324b(理解的是,一個引線框328的端部324a、324b與相鄰引線框328的端部324a、324b連續)、一對穩定部330a、330b(理解的是,一個引線框328的穩定部330a也將優選作為相鄰引線框328的穩定部330b),其中各穩定部330a、330b跨越在相反的端部324a、324b之間的距離(該端部324a、324b優選不經歷步驟A的衝壓)。相反的端部324a、324b和穩定部330a、330b由此大體形成限定它們之間的一開口332的一矩形框。
引線框328還優選包括多個指部334,所述多個指部334連接於相反的端部324a、324b和穩定部330a、330b的任一個並向內延伸到開口332中。在ASEP器件310的形成中,理解的是,一些指部334形成高電流接觸件341而一些 指部334形成接觸插針342。
如圖6所示,製程320繼續執行步驟B。在步驟B中,一基板338包覆成型於引線框328的多個指部334。基板338可具有設置成穿過其的多個開孔(未示出),多個開孔優選露出指部334的不同部分(包括高電流接觸件341的部分341a)。
製程320繼續執行步驟C、步驟D以及步驟E(圖案化、金屬沉積以形成跡線,並將跡線製成是導電的(進行燒結)以形成導電跡線),且出於簡明目的,並根據製程20的前述說明,在圖6中,步驟C形成一圖案344,步驟D形成一跡線346而步驟E形成一導電跡線348。
如圖6所示,製程320繼續執行步驟F。在步驟F中,通過施加一電壓勢於引線框328(引線框328經由內部匯流排電連接於跡線346/導電跡線348)並隨後使引線框328、基板338和跡線346/導電跡線348暴露在一電鍍浴槽中,跡線346/導電跡線348被電鍍。電鍍製程不僅電鍍跡線346/導電跡線348以形成電子電路跡線350,而且電鍍引線框328以形成一電鍍引線框354,電鍍引線框354具有電鍍指部356,電鍍指部356具有電鍍高電流接觸件357(其中電鍍高電流接觸件357的部分357a經由基板338的開孔露出)以及電鍍接觸插針358。
製程320繼續執行步驟G和步驟H(設置阻焊掩膜和設置焊接膏),但是圖6未示出這些步驟。
如圖6所示,製程320繼續執行步驟I。在步驟I中,電子元件386電連接於電鍍高電流接觸件357的露出的部分357a和電子電路跡線350,這優選 經由焊接發生。由此,電子元件386直接安裝於電鍍高電流接觸件357和電子電路跡線350,從而熱和電氣的路徑具有非常低的熱阻。如此,溫度比一標準印刷電路板上能被更好得多地控制。像製程220中一樣,電子元件386優選包括至少一高功率FET,諸如由Infineon製造並銷售的那些。
製程320繼續執行步驟J,但是圖6未示出該步驟。
如圖6所示,製程320繼續執行步驟K。在步驟K中,一旦ASEP器件310形成,為了ASEP器件310將被使用,ASEP器件310必須從料帶322上移出,以使ASEP器件310單一化。
參閱圖6及圖9,一旦ASEP器件310被單一化,ASEP器件310能被組裝/連接於一完全重新設計的連接器,其包括一殼體375,以形成微型配電盒360。微型配電盒360將具有與微型配電盒260相比一甚至更小的腳位排列/輪廓,微型配電盒260與微型配電盒60、160相比如前所述已大大地減少。
圖7和圖8示出ASEP器件310的一優選構型。基板338形成有:多個散熱鰭片388,相反於基板338的安裝電子元件386的一側。基板338具有一前緣390、一後緣392以及第一和第二側緣394、396。
圖6、圖9和圖10示出微型配電盒360。如所示出的,殼體375包括ASEP器件310插入並被收容的一第一內部(未示出)。第一和第二側緣394、396優選插入由殼體375限定的軌道部(未示出)中直到前緣390抵靠殼體375的一內部的壁(未示出)。第一內部具有一開口,從而使基板338的散熱鰭片388露出。所述內部的壁將殼體375的第一內部與一第二內部398分隔。所述內部的 壁具有延伸穿過其的多個開孔(未示出),所述多個開孔使得電鍍高電流接觸件357和電鍍接觸插針358延伸進入第二內部398中。
如圖10所示,一蓋體400經由公知的手段能固定於殼體375,以封閉第一內部且本質上包封(encapsulate)ASEP器件310在其內。蓋體400以及所述內部的壁可構造成使軌道部分別收容後緣392和前緣390,從而所述ASEP器件310在位置上穩定。一墊片402可設置在蓋體400與殼體375之間,以相對外部器件密封ASEP器件310。
採用形成的微型配電盒360,它能連接於一對接連接器500,由此提供一連接器元件600,其中對接連接器500構造成經由電鍍高電流接觸件357和電鍍接觸插針358電連接於微型配電盒360。連接器元件600或者經由微型配電盒360或者經由對接連接器500(或者二者,如果需要)以各種公知的方式能安裝在一車輛內、典型地安裝於一面板。
總的來說,微型配電盒360比公知的標準配電盒小約55%和輕約60%。
應注意的是,ASEP器件310的基板338可形成為不具有散熱鰭片388。在這樣一種情況下,殼體375可能需要修改,從而使得散熱鰭片388露出的殼體375的開口會被取消。
還應注意的是,示出在圖6-9中的ASEP器件310示出具有兩個電鍍高電流接觸件357,而圖10示出具有三個電鍍高電流接觸件357。如此,應理解的是,ASEP器件310可依照需要具有任何數量的電鍍高電流接觸件357。
除了高功率FET以外,ASEP器件210、310的電子元件286、386還可優選包括用於局域互連網路(LIN)控制的能對各種功能進行程式設計的一內部的微處理器。
ASEP器件110、210、310中的每一個存在的基板138、238、338還可有利地由一導熱的液晶聚合物(LCP)形成。通過由導熱的LCP製成基板138、238、339,電子部件的熱負載在ASEP器件110、210、310中且由此在微型配電盒160、260、360中能顯著地減少。
在此引用的包括出版物、專利申請以及專利的所有參考文獻在此通過援引而同等程度地合併,就像各個參考文獻單獨且具體指出為通過援引合並且其整體上被闡述的一樣。
在說明本發明的上下文中(尤其是在下面申請專利範圍的上下文中),術語“一(用於輔音前)”及“一(用於母音前)”和“所述”以及至少一個”和類似的指稱(referents)的使用將解釋為涵蓋單數和複數形式,除非本文另有說明或上下文明確否認。後隨一個或多個物品的一列表的術語“至少一個”的使用(例如“A和B中的至少一個”)將解釋為指的是從所列的物品中選擇的一個物品(A或B)或所列的物品中的兩個或更多個的任意組合(A和B),除非另有說明或上下文明確否認。除非另有說明,術語“包括”、“具有”、“包含”以及“含有”將被解釋為開放性術語(即意味著“包括但不限於”)。本文中引用的數值範圍僅旨在作為一種將落入在該範圍內的各單值獨立參照的簡略方式,除非本文另有說明,且各單值合併到本說明書中,就像它 獨立在本文中被引用一樣。此處說明的所有製程可以以任何合適的循序執行,除非本文另有說明或上下文明確否認。本文提供的任一和所有的例子或示範性的語言(例如“諸如”)的使用旨在僅更好地解釋本發明且不是對本發明的範圍進行限制,除非另有主張。在本申請中沒有任何語言應被解釋為表明任何未主張的部件對實踐本發明是必不可少的。
本文說明了本發明的優選實施例,包括發明人瞭解的實現本發明的最佳方式。對於本領域普通技術人員而言,通過閱讀前述說明,這些優選實施例的變型可能變得顯而易見。發明人期望本領域普通技術員合適地使用這些變型,並且發明人意指本發明將在除了本文具體說明以外的方法實施。因此,在適用法律允許的情況下,本發明包括隨附申請專利範圍引用的主題的所有修改及等同物。此外,上述部件在其所有可能的變型下的任何組合將包括在本發明內,除非另有說明或上下文明確否認。

Claims (33)

  1. 一種微型配電盒,包括:一連接器;一殼體,固定於所述連接器;以及一器件,由一專用電子封裝製程形成,所述器件具有一基板、至少一個指部以及至少一個電子元件,其中所述基板固定於所述連接器,其中所述基板具有設置成穿過其的至少一個開孔,其中所述基板包覆成型於所述至少一個指部的一第一部分上,其中所述基板的所述至少一個開孔露出所述至少一個指部的一第二部分,而且其中所述至少一個電子元件通過所述基板的所述至少一個開孔電連接於所述至少一個指部的第二部分。
  2. 如請求項1所述的微型配電盒,其中,所述至少一個電子元件包括一高功率的場效應電晶體。
  3. 如請求項1所述的微型配電盒,其中,所述至少一個電子元件包括一內部的微處理器。
  4. 如請求項1所述的微型配電盒,其中,所述至少一個電子元件包括一繼電器以及一保險絲。
  5. 如請求項1所述的微型配電盒,其中,所述器件具有第一指部和第二指部,所述第一指部和第二指部均具有一第三部分,所述基板未包覆成型在所述第一指部的第三部分和所述第二指部的第三部分上,所述第三部分均從所述基板向外延伸。
  6. 如請求項5所述的微型配電盒,其中,所述第一指部的第三部分是一高電流接觸件。
  7. 如請求項5所述的微型配電盒,其中,所述第二指部的第三部分是一接觸插針。
  8. 如請求項7所述的微型配電盒,其中,所述第二指部不具有經由所述基板的所述至少一個開孔露出的一第二部分。
  9. 如請求項1所述的微型配電盒,其中,用於形成所述器件的所述專用電子封裝製程包括步驟:形成一連續的具有多個引線框的料帶,各引線框限定一開口且具有延伸到所述開口中的至少一個指部;包覆成型一基板在各引線框的指部上;將所述至少一個電子元件電連接於各引線框的所述至少一個指部以形成多個器件;以及從所述連續的料帶上使所述多個器件的每一個單一化。
  10. 如請求項1所述的微型配電盒,其中,所述基板由一導熱的液晶聚合物形成。
  11. 一種微型配電盒,由一製程製備,所述製程包括:形成一連續的具有多個引線框的料帶,各引線框限定一開口且具有延伸到所述開口中的多個指部;包覆成型一基板在各引線框的多個指部上;將一電子元件電連接於各引線框的多個指部中的至少一個以形成多個器件,各器件具有至少一個電子元件;從所述連續的料帶上使每一個所述多個器件單一化;將器件固定於一連接器;以及將一殼體固定於所述連接器。
  12. 如請求項11所述的微型配電盒,其中,所述電子元件包括一高功率的場效應電晶體。
  13. 如請求項11所述的微型配電盒,其中,所述電子元件包括一內部的微處理器。
  14. 如請求項11所述的微型配電盒,其中,所述電子元件包括一繼電器以及一保險絲。
  15. 如請求項11所述的微型配電盒,其中,所述基板由一導熱的液晶聚合物形成。
  16. 一種形成一微型配電盒的方法,所述方法包括步驟:形成一連續的具有多個引線框的料帶,各引線框限定一開口且具有延伸到所述開口中的多個指部;包覆成型一基板在各引線框的多個指部上,各基板具有設置成穿過其的露出所述多個指部中的一個的至少一部分的至少一個開孔;將一電子元件經由所述基板的所述至少一個開孔電連接於各引線框的多個指部中的所述露出的部分以形成多個器件,各器件具有至少一個電子元件;從所述連續的料帶上使每一個所述多個器件單一化;將器件固定於一連接器;以及將一殼體固定於所述連接器。
  17. 一種微型配電盒,包括:一器件,由一專用電子封裝製程形成,所述器件具有一基板、至少一個指部以及至少一個電子元件,其中所述基板形成為一連接器,其中所述基板具有設置成穿過其的至少一個開孔,其中各指部具有設置成穿過其的一開孔,其中所述基板包覆成型於所述至少一個指部的至少部分,由此所述基板的所述至少一個開孔與所述至少一個指部的一對應開孔對齊,而且其中所述至少一個電子元件通過所述基板的所述至少一個開孔電連接於所述至少一個指部;以及一殼體,固定於所述連接器。
  18. 如請求項17所述的微型配電盒,其中,所述至少一個電子元件包括一高功率的場效應電晶體。
  19. 如請求項17所述的微型配電盒,其中,所述至少一個電子元件包括一內部的微處理器。
  20. 如請求項17所述的微型配電盒,其中,所述至少一個指部具有一高電流接觸部,其中所述基板未包覆成型於所述至少一個指部的高電流接觸部上。
  21. 如請求項17所述的微型配電盒,其中,用於形成所述器件的所述專用電子封裝製程包括步驟:形成一連續的具有多個引線框的料帶,各引線框限定一開口且具有延伸到所述開口中的至少一個指部;包覆成型一基板在各引線框的指部上;將至少一個電子元件電連接於各引線框的所述至少一個指部以形成多個器件;以及從所述連續的料帶上使每一個所述多個器件單一化。
  22. 如請求項17所述的微型配電盒,其中,所述基板由一導熱的液晶聚合物形成。
  23. 一種微型配電盒,由一製程製備,所述製程包括:形成一連續的具有多個引線框的料帶,各引線框限定一開口且具有延伸到所述開口中的至少一個指部;包覆成型一基板在各引線框的指部上,所述基板形成為一連接器;將至少一個電子元件電連接於各引線框的所述至少一個指部以形成多個器件,各器件具有至少一個電子元件,所述至少一個電子元件包括一高功率的場效應電晶體;從所述連續的料帶上使每一個所述多個器件單一化;以及將一殼體固定於所述連接器。
  24. 如請求項23所述的微型配電盒,其中,所述基板由一導熱的液晶聚合物形成。
  25. 一種形成一微型配電盒的方法,所述方法包括步驟:形成一連續的具有多個引線框的料帶,各引線框限定一開口且具有延伸到所述開口中的至少一個指部;包覆成型一基板在各引線框的指部上,所述基板形成為一連接器,各基板具有設置成穿過其的露出所述至少一個指部的一部分的至少一個開孔;將至少一個電子元件經由所述基板的所述至少一個開孔電連接於各引線框的所述至少一個指部以形成多個器件,各器件具有至少一個電子元件,所述至少一個電子元件包括一高功率的場效應電晶體;從所述連續的料帶上使每一個所述多個器件單一化;以及將一殼體固定於所述連接器。
  26. 一種微型配電盒,包括:一器件,具有一基板、至少一個第一指部、至少一個第二指部以及至少一個電子元件,所述至少一個第一指部以及所述至少一個第二指部彼此電連接,所述至少一個第一指部具有第一部分、第二部分以及第三部分,所述至少一個第二指部具有第一部分和第二部分,所述基板包覆成型於所述至少一個第一和第二指部的第一部分上,所述基板未包覆成型於所述至少一個第一和第二指部的第二部分上或未包覆成型於所述至少一個第一指部的所述第三部分上,所述至少一個第一和第二指部的第二部分從所述基板朝同一方向向外延伸,所述至少一個第一指部的第二部分是一高電流接觸件,所述至少一個第二指部的第二部分是一接觸插針,所述至少一個第一指部的第三部分經由設置成穿過所述基板的一開孔露出,所述至少一個電子元件直接安裝於所述至少一個第一指部的第三部分以將所述至少一個電子元件電連接於所述至少一個第一指部;一連接器,包括一殼體,該殼體構造成收容所述器件於其內且構造成連接於一對接連接器;以及一蓋體,其構造成以防止所述器件從所述連接器的殼體移出的一方式固定於所述連接器的殼體。
  27. 如請求項26所述的微型配電盒,其中,所述基板由一導熱的液晶聚合物形成。
  28. 如請求項26所述的微型配電盒,其中,所述至少一個電子元件包括一高功率的場效應電晶體。
  29. 如請求項26所述的微型配電盒,其中,所述至少一個電子元件包括一內部的微處理器。
  30. 如請求項26所述的微型配電盒,其中,所述器件由一專用電子封裝製程形成。
  31. 如請求項26所述的微型配電盒,其中,所述至少一個第一指部以及所述至少一個第二指部經由匯流條彼此電連接。
  32. 如請求項31所述的微型配電盒,其中,所述基板包覆成型於所述匯流條上。
  33. 如請求項26所述的微型配電盒,還包括:一墊片,其固定在所述蓋體和所述殼體之間。
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