TWI648924B - USB C female connector - Google Patents

Abstract

本發明為有關一種USB C母座連接器，主要結構為包括有第一上排高頻傳輸導體組、上排低頻傳輸導體組、第二上排高頻傳輸導體組、第一下排高頻傳輸導體組、下排低頻傳輸導體組、及第二下排高頻傳輸導體組之USB Type C的母座連接器，並向後延伸形成有第一下排高頻焊接部組、上排低頻焊接部組、下排低頻焊接部組及第二下排高頻焊接部組，而界定出一第一單排焊接區，及向後延伸形成有第一上排高頻焊接部組及第二上排高頻焊接部組，而界定出一第二單排焊接區。藉上述結構，縮小連接器焊接端的寬度，及隔開上下排的高頻訊號，以降低射頻干擾及電磁干擾。

Description

USB C母座連接器

本發明為提供一種USB C母座連接器，尤指一種可縮小連接器焊接端的寬度、及隔開上下排的高頻訊號，以降低射頻干擾及電磁干擾的USB C母座連接器。

按，為了使USB能夠應用於更高速率的訊號傳輸，全新的通用序列匯流排Type C便因應而生。USB國際制定標準協會(USB-IF)於日前宣布了這項名為USB Type C介面的標準規範，由於同步傳輸的資料量大幅增加，在使用過程中可能產生相對應的電磁輻射，以致干擾其它電子元件的正常運作，有鑑於此，業界普遍都會以接地方式來降低電磁干擾(EMI)的產生。

再者，由於USB Type C之連接器規範為24根導電端子，故為了提升連接器與電路基板的焊接品質，市面上有採用24根導電端子的焊接端以單排焊接之方式結合於電路基板的做法，如此雖可降低焊接動作的難度，但卻造成高頻訊號端子彼此間距縮短，而產生更嚴重的EMI問題，為此，常以增加電源端子或接地端子的寬度或厚度，以利用大電流形成雜訊隔離效果，但此作法效果有限。

是以，要如何解決上述習用之問題與缺失，即為本發明之申請人與從事此行業之相關廠商所亟欲研究改善之方向所在者。

故，本發明之申請人有鑑於上述缺失，乃蒐集相關資料，經由多方評估及考量，並以從事於此行業累積之多年經驗，經由不斷試作及修改，始設計出此種可縮小連接器焊接端的寬度、及隔開上下排的高頻訊號，以降低射頻干擾及電磁干擾的USB C母座連接器的發明專利者。

本發明之主要目的在於：將USB Type C各端子的焊接端，重新以特殊排列方式結合於電路基板上，以消除高頻訊號端子間的雜訊，避免造成電磁波輻射，而對射頻產生共振，造成干擾。

本發明之另一主要目的在於：將第一、第二上排高頻焊接部組與第一、第 二下排高頻焊接部組分別設置於第一單排焊接區及第二單排焊接區，以降低高頻訊號端子間的影響。

為達成上述目的，本發明之主要結構包括：一第一上排高頻傳輸導體組，該第一上排高頻傳輸導體組一側設有一上排低頻傳輸導體組，該上排低頻傳輸導體組背離該第一上排高頻傳輸導體組一側則設有一第二上排高頻傳輸導體組，並於該第一上排高頻傳輸導體組對應位置處設置一第一下排高頻傳輸導體組，該第一下排高頻傳輸導體組一側設有一與該上排低頻傳輸導體組位置對應設置之下排低頻傳輸導體組，該下排低頻傳輸導體組背離該第一下排高頻傳輸導體組一側則設有一與該第二上排高頻傳輸導體組位置對應設置之第二下排高頻傳輸導體組，且於該第一下排高頻傳輸導體組一端延伸形成一第一下排高頻焊接部組，並於該上排低頻傳輸導體組一端延伸形成有一設於該第一下排高頻焊接部組一側之上排低頻焊接部組，及於該下排低頻傳輸導體組一端延伸形成有一設於該上排低頻焊接部組背離該第一下排高頻焊接部組一側之下排低頻焊接部組，且於該第二下排高頻傳輸導體組一端延伸形成有一設於該下排低頻焊接部組背離該上排低頻焊接部組一側之第二下排高頻焊接部組，而該第一下排高頻焊接部組、該上排低頻焊接部組、該下排低頻焊接部組、及該第二下排高頻焊接部組係共同界定形成一第一單排焊接區，另於該第一上排高頻傳輸導體組一端延伸形成有一第一上排高頻焊接部組，並於該第二上排高頻傳輸導體組一端延伸形成有一設於該第一上高頻焊接部組一側之第二上排高頻焊接部組，而該第一上排高頻焊接部組及該第二上排高頻焊接部組則共同界定形成一位於該第一單排焊接區一側之第二單排焊接區；藉此，將USB Type C連接器的各端子以上述排列方式重新設計，並使該等焊接部組分置於第一單排焊接區及第二單排焊接區，而有效拉開第一、第二上排高頻傳輸導體組與第一、第二下排高頻傳輸導體組之距離，而降低高頻訊號端子間的影響，進而利用第一、第二上排高頻傳輸導體組與第一、第二下排高頻傳輸導體組的電源端子及接地端子平衡兩端極性，以消除高頻訊號端子間的雜訊，避免造成電磁波輻射，而對射頻產生共振，造成干擾。

藉由上述技術，可針對習用USB Type C連接器所存在之容易因電磁波輻射對射頻造成共振的問題點加以突破，達到上述優點之實用進步性。

1、1a、1b‧‧‧導電端子

101‧‧‧接觸部

102‧‧‧延伸部

103、103b、103c‧‧‧焊接部

11、11a‧‧‧第一上排高頻傳輸導體組

111、111c‧‧‧第一上排高頻焊接部組

112a‧‧‧第一上排電源導體部

113a‧‧‧第一上排接地導體部

12‧‧‧上排低頻傳輸導體組

121、121a‧‧‧上排低頻焊接部組

13、13a‧‧‧第二上排高頻傳輸導體組

131、131c‧‧‧第二上排高頻焊接部組

132a‧‧‧第二上排電源導體部

133a‧‧‧第二上排接地導體部

21、21a‧‧‧第一下排高頻傳輸導體組

211、211a‧‧‧第一下排高頻焊接部組

212a‧‧‧第一下排電源導體部

213a‧‧‧第一下排接地導體部

22‧‧‧下排低頻傳輸導體組

221、221a‧‧‧下排低頻焊接部組

23、23a‧‧‧第二下排高頻傳輸導體組

231a、231a‧‧‧第二下排高頻焊接部組

232a‧‧‧第二下排電源導體部

233a‧‧‧第二下排接地導體部

3、3a、3b‧‧‧絕緣膠體

31、31b‧‧‧舌板部

32‧‧‧固持部

33‧‧‧結合部

331‧‧‧結合槽

332‧‧‧定位墊圈

34b、34c‧‧‧後防水件

35b、35c‧‧‧前防水件

36b、36c‧‧‧全覆式防水件

41、41b、41c‧‧‧屏蔽殼體

411、411b、411c‧‧‧後開口部

412c‧‧‧抵觸部

42c‧‧‧屏蔽外殼

421c‧‧‧限位部

431、431c‧‧‧圓弧部

432、432c‧‧‧延伸遮蔽部

433、433c‧‧‧延伸焊接部

51a‧‧‧第一隔板件

511a‧‧‧第一隔板焊接部

512a‧‧‧第一電源隔板部

52a‧‧‧第二隔板件

521a‧‧‧第二隔板焊接部

522a‧‧‧第二電源隔板部

A1‧‧‧第一單排焊接區

A2‧‧‧第二單排焊接區

第一圖 係為本發明第一較佳實施例之立體圖。

第二圖 係為本發明第一較佳實施例之另一角度立體圖。

第三圖 係為本發明第一較佳實施例之分解圖。

第四圖 係為本發明第一較佳實施例之端子分解圖。

第五圖 係為本發明第一較佳實施例之另一角度端子分解圖。

第六圖 係為本發明第一較佳實施例隱藏屏蔽殼體之側面透視圖。

第七圖 係為本發明第二較佳實施例之立體圖。

第八圖 係為本發明第二較佳實施例之分解透視圖。

第九圖 係為本發明第二較佳實施例隱藏絕緣膠體之分解圖。

第十圖 係為本發明第二較佳實施例之隔板件之實施示意圖。

第十一圖 係為本發明第三較佳實施例之防水示意圖(一)。

第十二圖 係為本發明第三較佳實施例之防水示意圖(二)。

第十三圖 係為本發明第四較佳實施例之立體圖。

第十四圖 係為本發明第四較佳實施例之分解圖。

第十五圖 係為本發明第四較佳實施例之防水示意圖。

為達成上述目的及功效，本發明所採用之技術手段及構造，茲繪圖就本發明較佳實施例詳加說明其特徵與功能如下，俾利完全了解。

請參閱第一圖至第六圖所示，係為本發明較佳實施例之立體圖至隱藏屏蔽殼體之側面透視圖，由圖中可清楚看出本發明係包括：一第一上排高頻傳輸導體組11；一設於該第一上排高頻傳輸導體組11一側之上排低頻傳輸導體組12；一設於該上排低頻傳輸導體組12背離該第一上排高頻傳輸導體組11一側之第二上排高頻傳輸導體組13；一與該第一上排高頻傳輸導體組11位置對應設置之第一下排高頻傳輸導體組21；一設於該第一下排高頻傳輸導體組21一側、且與該上排低頻傳輸導體組12位置對應設置之下排低頻傳輸導體組22；一設於該下排低頻傳輸導體組22背離該第一下排高頻傳輸導體組21一 側、且與該第二上排高頻傳輸導體組13位置對應設置之第二下排高頻傳輸導體組23；一延伸形成於該第一下排高頻傳輸導體組21一端之第一下排高頻焊接部組211；一延伸形成於該上排低頻傳輸導體組12一端、且設於該第一下排高頻焊接部組211一側之上排低頻焊接部組121；一延伸形成於該下排低頻傳輸導體組22一端、且設於該上排低頻焊接部組121背離該第一下排高頻焊接部組211一側之下排低頻焊接部組221；一延伸形成於該第二下排高頻傳輸導體組23一端、且設於該下排低頻焊接部組221背離該上排低頻焊接部組121一側之第二下排高頻焊接部組231；一由該第一下排高頻焊接部組211、該上排低頻焊接部組121、該下排低頻焊接部組221、及該第二下排高頻焊接部組231共同界定形成之第一單排焊接區A1；一延伸形成於該第一上排高頻傳輸導體組11一端之第一上排高頻焊接部組111；一延伸形成於該第二上排高頻傳輸導體組13一端、且設於該第一上排高頻焊接部組111一側之第二上排高頻焊接部組131；一由該第一上排高頻焊接部組111及該第二上排高頻焊接部組131共同界定形成之第二單排焊接區A2，係位於該第一單排焊接區A1一側；一固設於該第一上排高頻傳輸導體組11、該上排低頻傳輸導體組12、該第二上排高頻傳輸導體組13、該第一下排高頻傳輸導體組21、該下排低頻傳輸導體組22、及該第二下排高頻傳輸導體組23上之絕緣膠體3，且該絕緣膠體3係包含一舌板部31、一形成於該舌板部31一側且厚度大於該舌板部31之固持部32、及一形成於該固持部32背離該舌板部31一側、且厚度大於該固持部32之結合部33；至少一環繞形成於該結合部33上之結合槽331，且該結合槽331內設有至少一定位墊圈332；及一罩設該絕緣膠體3且與該結合部33連接設置之屏蔽殼體41，且該屏 蔽殼體41上界定有複數圓弧部431、複數分別延伸形成於各該圓弧部431一側供遮蔽該第一上排高頻焊接部組111及該第二上排高頻焊接部組131之延伸遮蔽部432、複數分別延伸形成於各該延伸遮蔽部432一側之延伸焊接部433、及一界定於該屏蔽殼體41鄰近該延伸遮蔽部432一側之後開口部411。

藉由上述構件組構時，由圖中可清楚看出，本發明係為符合USB Type C規範定義之母座連接器，而在本實施例中母座連接器的24根導電端子1係每四根為一組分別定義為第一上排高頻傳輸導體組11、上排低頻傳輸導體組12、第二上排高頻傳輸導體組13、第一下排高頻傳輸導體組21、下排低頻傳輸導體組22、及第二下排高頻傳輸導體組23，並皆固設於一絕緣膠體3內，且該些導電端子1中用以與公頭連接器電性導通的接觸部101係局部裸露的設置於舌板部31上，該些導電端子1中用以改變端子延伸方向之延伸部102係設置於該固持部32內，而該些導電端子1中用以焊接於電路基板上之焊接部103則凸設於該結合部33上，藉此將各導電端子1穩固結合於絕緣膠體3上。該絕緣膠體3則透過設置於結合部33上的結合槽331之定位墊圈332，增加絕緣膠體3與屏蔽殼體41的結合強度。

為了達到本發明可縮小連接器焊接端的寬度、及隔開上下排的高頻訊號，以降低射頻干擾及電磁干擾之目的，係針對24根導電端子1之焊接部103排列方式提供特殊設計。具體而言，係將第一下排高頻傳輸導體組21、下排低頻傳輸導體組22、上排低頻傳輸導體組12、與第二下排高頻傳輸導體組23，各自向後延伸形成之第一下排高頻焊接部組211、上排低頻焊接部組121、下排低頻焊接部組221、與第二下排高頻焊接部組231，依序排列於第一單排焊接區A1處，同時將第一上排高頻傳輸導體組11與第二上排高頻傳輸導體組13，各自向後延伸形成之第一上排高頻焊接部組111及第二上排高頻焊接部組131依序排列於第二單排焊接區A2處，且第一上排高頻焊接部組111及第二上排高頻焊接部組131之延伸長度較遠，而使第二單排焊接區A2相對於第一單排焊接區A1距離絕緣膠體3之距離較遠，且第一下排高頻焊接部組211及第二下排高頻焊接部組231係位於第一單排焊接區A1相背離的兩側，而第一上排高頻焊接部組111及第二上排高頻焊接部組131則位於第二單排焊接區A2的中央，藉此使第一、第二上排高頻傳輸 導體組11、13與第一、第二下排高頻傳輸導體組21、23的間距拉大，並配合高頻訊號端子兩側的電源端子及接地端子平衡左右極性，而有效降低高頻訊號端子間的影響，及消除高頻訊號端子間的雜訊，避免造成電磁波輻射，而對射頻產生共振，造成干擾。

另外，將屏蔽殼體41的外形配合本發明之端子排列，由屏蔽殼體41的圓弧部431處向後方延伸形成有延伸遮蔽部432，以對第二單排焊接區A2上的第一上排高頻焊接部組111及第二上排高頻焊接部組131進行遮蔽，使該些導電端子1的焊接部103盡皆設置於後開口部411的範圍內，藉此輔助隔離外界之雜訊，同時由延伸遮蔽部432向下延伸形成有延伸焊接部433，以輔助屏蔽殼體41焊接於電路基板上之強度。

再請同時配合參閱第七圖至第十圖所示，係為本發明第二較佳實施例之立體圖至隔板件之實施示意圖，由圖中可清楚看出，本實施例係於第一較佳實施例中，增加上、下層端子的隔板於絕緣膠體3a上，以隔離上、下層端子的高頻雜訊，故於該第一上排高頻傳輸導體組11a與該第一下排高頻傳輸導體組21a間具有一第一隔板件51a，且該第一隔板件51a一端延伸形成有一設於該第一下排高頻焊接部組211a背離該上排低頻焊接部組121a一側之第一隔板焊接部511a，又該第二上排高頻傳輸導體組13a與該第二下排高頻傳輸導體組23a間具有一第二隔板件52a，且該第二隔板件52a一端延伸形成有一設於該第二下排高頻焊接部組231a背離該下排低頻焊接部組221a一側之第二隔板焊接部521a，其中該第一隔板件51a包含有一位於該第一上排高頻傳輸導體組11a之第一上排電源導體部112a、與該第一下排高頻傳輸導體組21a之第一下排電源導體部212a間的第一電源隔板部512a，係與該第一隔板件51a分離設置，而該第二隔板件52a包含有一位於該第二上排高頻傳輸導體組13a之第二上排電源導體部132a、與該第二下排高頻傳輸導體組23a之第二下排電源導體部232a間的第二電源隔板部522a，係與該第二隔板件52a分離設置。

藉此，將該些導電端子1a中的接地訊號端子(GND)及電源訊號端子(V_BUS)電性導通於第一隔板件51a及第二隔板件52a，即可不再只是單純的利用金屬材質提供雜訊隔離之功效，而更利用帶正電或帶負電第一隔板件51a或第二隔板件52a，以提供更強的雜訊隔離效果。具體而言，以第一隔板件5 1a隔離第一上排高頻傳輸導體組11a及第一下排高頻傳輸導體組21a，並以第一上排高頻傳輸導體組11a的第一上排接地導體部113a、及第一下排高頻傳輸導體組21a的第一下排接地導體部213a，電性導通於第一隔板件51a，使第一隔板件51a帶負電；以第一電源隔板部512a隔離第一上排高頻傳輸導體組11a的第一上排電源導體部112a、及第一下排高頻傳輸導體組21a的第一下排電源導體部212a，同時使第一上排電源導體部112a、及第一下排電源導體部212a電性導通於第一電源隔板部512a，而使第一電源隔板部512a帶正電；同理，第二隔板件52a可隔離第二上排高頻傳輸導體組13a及第二下排高頻傳輸導體組23a，並以第二上排高頻傳輸導體組13a的第二上排接地導體部133a、及第二下排高頻傳輸導體組23a的第二下排接地導體部233a，電性導通於第二隔板件52a，使第二隔板件52a帶負電，而第二電源隔板部522a可隔離第二上排電源導體部132a及第二下排電源導體部232a，同時帶正電。較佳的，分別將第一隔板件51a及第二隔板件52a後延伸形成有一第一隔板焊接部511a及一第二隔板焊接部521a，以將隔離效果擴大至第一單排焊接區A1的外側。

又請同時配合參閱第十一圖及第十二圖所示，係為本發明第三較佳實施例之防水示意圖(一)及防水示意圖(二)，，由圖中可清楚看出，本實施例與上述實施例為大同小異，僅於該絕緣膠體3b上鄰近該後開口部411b之側處設有至少一後防水件34b，或於該屏蔽殼體41b外壁鄰近該舌板部31b之側處設有至少一前防水件35b。藉此，從連接器的對接口處進行密封防水，及後開口部411b處進行密封防水，以達到良好的密封效果，甚至可直接將前防水件35b進一步向後延伸形成一全覆式防水件36b，以將整個連接器完全包覆，僅露出對接口及該些導電端子1b的焊接部103b，而大幅提升整體防水效果。

另請同時配合參閱第十三圖至第十五圖所示，係為本發明第四較佳實施例之立體圖至防水示意圖，由圖中可清楚看出，本實施例與上述實施例為大同小異，僅將屏蔽殼體41c變更為兩件式之態樣，故於屏蔽殼體41c上覆蓋有一屏蔽外殼42c，且該屏蔽外殼42c上界定有複數圓弧部431c、複數分別延伸形成於各該圓弧部431c一側供遮蔽該第一上排高頻焊接部組11 1c及該第二上排高頻焊接部組131c之延伸遮蔽部432c、複數分別延伸形成於各該延伸遮蔽部432c一側之延伸焊接部433c，又該屏蔽殼體41c鄰近該延伸遮蔽部432c一側界定有一後開口部411c、及至少一向下彎折形成之抵觸部412c，而該屏蔽外殼42c於該延伸遮蔽部432c間向下彎折形成有一限位部421c，係與該抵觸部412c對應卡掣。藉此，簡單利用彎折形成於屏蔽殼體41c一側之抵觸部412c及彎折形成於屏蔽外殼42c一側的限位部421c，進行相互卡掣而將屏蔽外殼42c固定於屏蔽殼體41c上，進而利用兩層金屬殼體隔離外部雜訊，進一步提升整體訊號品質。

另外，同樣可於絕緣膠體上鄰近該後開口部411c之側處設有至少一後防水件34c，及於該屏蔽外殼42c外壁鄰近該舌板部之側處設有至少一前防水件35c，而提供一定程度的防水效果，或直接前防水件35c進一步向後延伸形成一全覆式防水件36c，以將整個連接器完全包覆，僅露出對接口及該些導電端子的焊接部103c，而大幅提升整體防水效果。

惟，以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，非因此即侷限本發明之專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所為之簡易修飾及等效結構變化，均應同理包含於本發明之專利範圍內，合予陳明。

綜上所述，本發明之USB C母座連接器於使用時，為確實能達到其功效及目的，故本發明誠為一實用性優異之發明，為符合發明專利之申請要件，爰依法提出申請，盼 審委早日賜准本發明，以保障申請人之辛苦創作，倘若 鈞局審委有任何稽疑，請不吝來函指示，申請人定當竭力配合，實感德便。

Claims (12)

1. 一種USB C母座連接器，主要包括：一第一上排高頻傳輸導體組；一設於該第一上排高頻傳輸導體組一側之上排低頻傳輸導體組；一設於該上排低頻傳輸導體組背離該第一上排高頻傳輸導體組一側之第二上排高頻傳輸導體組；一與該第一上排高頻傳輸導體組位置對應設置之第一下排高頻傳輸導體組；一設於該第一下排高頻傳輸導體組一側、且與該上排低頻傳輸導體組位置對應設置之下排低頻傳輸導體組；一設於該下排低頻傳輸導體組背離該第一下排高頻傳輸導體組一側、且與該第二上排高頻傳輸導體組位置對應設置之第二下排高頻傳輸導體組；一延伸形成於該第一下排高頻傳輸導體組一端之第一下排高頻焊接部組；一延伸形成於該上排低頻傳輸導體組一端、且設於該第一下排高頻焊接部組一側之上排低頻焊接部組；一延伸形成於該下排低頻傳輸導體組一端、且設於該上排低頻焊接部組背離該第一下排高頻焊接部組一側之下排低頻焊接部組；一延伸形成於該第二下排高頻傳輸導體組一端、且設於該下排低頻焊接部組背離該上排低頻焊接部組一側之第二下排高頻焊接部組；一由該第一下排高頻焊接部組、該上排低頻焊接部組、該下排低頻焊接部組、及該第二下排高頻焊接部組共同界定形成之第一單排焊接區；一延伸形成於該第一上排高頻傳輸導體組一端之第一上排高頻焊接部組；一延伸形成於該第二上排高頻傳輸導體組一端、且設於該第一上高頻焊接部組一側之第二上排高頻焊接部組；及一由該第一上排高頻焊接部組及該第二上排高頻焊接部組共同界定形成之第二單排焊接區，係位於該第一單排焊接區一側。
2. 如申請專利範圍第1項所述之USB C母座連接器，其中該第一上排高頻傳輸導體組與該第一下排高頻傳輸導體組間具有一第一隔板件，且該第一隔板件一端延伸形成有一設於該第一下排高頻焊接部組背離該上排低頻焊接部組一側之第一隔板焊接部，又該第二上排高頻傳輸導體組與該第二下排高頻傳輸導體組間具有一第二隔板件，且該第二隔板件一端延伸形成有一設於該第二下排高頻焊接部組背離該下排低頻焊接部組一側之第二隔板焊接部，其中該第一隔板件包含有一位於該第一上排高頻傳輸導體組之第一上排電源導體部、與該第一下排高頻傳輸導體組之第一下排電源導體部間的第一電源隔板部，係與該第一隔板件分離設置，而該第二隔板件包含有一位於該第二上排高頻傳輸導體組之第二上排電源導體部、與該第二下排高頻傳輸導體組之第二下排電源導體部間的第二電源隔板部，係與該第二隔板件分離設置。
3. 如申請專利範圍第1項所述之USB C母座連接器，其中更包含一固設於該第一上排高頻傳輸導體組、該上排低頻傳輸導體組、該第二上排高頻傳輸導體組、該第一下排高頻傳輸導體組、該下排低頻傳輸導體組、及該第二下排高頻傳輸導體組上之絕緣膠體，且該絕緣膠體係包含一舌板部、一形成於該舌板部一側且厚度大於該舌板部之固持部、及一形成於該固持部背離該舌板部一側、且厚度大於該固持部之結合部。
4. 如申請專利範圍第3項所述之USB C母座連接器，其中該結合部上環繞形成有至少一結合槽，且該結合槽內設有至少一定位墊圈。
5. 如申請專利範圍第3項所述之USB C母座連接器，其中更包含一罩設該絕緣膠體且與該結合部連接設置之屏蔽殼體，且該屏蔽殼體上界定有複數圓弧部、複數分別延伸形成於各該圓弧部一側供遮蔽該第一上排高頻焊接部組及該第二上排高頻焊接部組之延伸遮蔽部、複數分別延伸形成於各該延伸遮蔽部一側之延伸焊接部、及一界定於該屏蔽殼體鄰近該延伸遮蔽部一側之後開口部。
6. 如申請專利範圍第5項所述之USB C母座連接器，其中該絕緣膠體上鄰近該後開口部之側處設有至少一後防水件。
7. 如申請專利範圍第5項所述之USB C母座連接器，其中該屏蔽殼體外壁 鄰近該舌板部之側處設有至少一前防水件。
8. 如申請專利範圍第7項所述之USB C母座連接器，其中該前防水件係向後延伸形成一全覆式防水件。
9. 如申請專利範圍第3項所述之USB C母座連接器，其中更包含一罩設該絕緣膠體且與該結合部連接設置之屏蔽殼體、及一覆蓋於該屏蔽殼體上之屏蔽外殼，且該屏蔽外殼上界定有複數圓弧部、複數分別延伸形成於各該圓弧部一側供遮蔽該第一上排高頻焊接部組及該第二上排高頻焊接部組之延伸遮蔽部、複數分別延伸形成於各該延伸遮蔽部一側之延伸焊接部，又該屏蔽殼體鄰近該延伸遮蔽部一側界定有一後開口部、及至少一向下彎折形成之抵觸部，而該屏蔽外殼於該延伸遮蔽部間向下彎折形成有一限位部，係與該抵觸部對應卡掣。
10. 如申請專利範圍第9項所述之USB C母座連接器，其中該絕緣膠體上鄰近該後開口部之側處設有至少一後防水件。
11. 如申請專利範圍第9項所述之USB C母座連接器，其中該屏蔽外殼外壁鄰近該舌板部之側處設有至少一前防水件。
12. 如申請專利範圍第11項所述之USB C母座連接器，其中該前防水件係向後延伸形成一全覆式防水件。