TWI641295B - 二維條碼結構與其製作方法 - Google Patents
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Abstract
一種二維條碼結構,包含第一基材、第一金屬層、第二基材以及第二金屬層。第一金屬層位於第一基材上,其中第一金屬層具有根據二維矩陣條碼圖案而形成之複數個區段與複數個鏤空區,且每一鏤空區位於區段之兩者間。第二基材位於第一金屬層上,第二金屬層位於第二基材上。第一基材、第二基材與第二金屬層共同具有複數個通孔,通孔的位置對應鏤空區的位置。第二基材與第二金屬層共同具有複數個盲孔,盲孔的位置對應區段的位置。第一金屬層之區段從盲孔裸露,且通孔與盲孔之俯視圖案為二維矩陣條碼圖案。
Description
本發明是有關於一種二維條碼結構及一種二維條碼結構的製作方法。
製作二維條碼結構於表面為銅箔之板材的傳統方法主要是利用X光雷射擷取銅面下的二維條碼影像,再根據所擷取之影像於對應的位置形成通孔,藉由銅面與通孔之差異形成二維條碼圖案。然而,X光雷射需要額外的離線製程,因此增加了空間成本、時間成本及保管費用,同時還具有輻射疑慮。
利用傳統方法製作二維條碼結構時,由於銅面上無表面處理,容易使雷射光散射,因此形成通孔的效率不佳。此外,通孔處容易形成火山孔以及崩孔的現象,造成孔型不佳並降低了影像的可辨識度。
本發明之一技術態樣為一種二維條碼結構。
於本發明之一些實施例中,二維條碼結構,包含第一基材、第一金屬層、第二基材以及第二金屬層。第一金屬層位於第一基材上,其中第一金屬層具有根據二維矩陣條碼圖案而形成之複數個區段與複數個鏤空區,且每一鏤空區位於區段之兩者之間。第二基材位於第一金屬層上,第二金屬層位於第二基材上。第一基材、第二基材與第二金屬層共同具有複數個通孔,通孔的位置對應鏤空區的位置。第二基材與第二金屬層共同具有複數個盲孔,盲孔的位置對應區段的位置。第一金屬層之區段從盲孔裸露,且通孔與盲孔之俯視圖案為二維矩陣條碼圖案。
於本發明之一些實施例中,二維條碼結構之第一金屬層與第二金屬層電性絕緣。
於本發明之一些實施例中,二維條碼結構之盲孔的孔徑與通孔的孔徑介於250nm至270nm的範圍。
於本發明之一些實施例中,二維條碼結構之盲孔的孔徑與通孔的孔徑大致相同。
於本發明之一些實施例中,二維條碼結構之第一金屬層之區段的寬度大於盲孔的孔徑。
於本發明之一些實施例中,二維條碼結構更包含第三金屬層,位於第一基材背對於第一金屬層的表面上。
於本發明之一些實施例中,二維條碼結構之第一基材與第二基材分別具有朝向通孔其中之一的第一
側壁與第二側壁,第一金屬層之區段其中之一具有朝向通孔其中之一的第三側壁,且第三側壁內縮於第一側壁與第二側壁。
本發明之另一技術態樣為一種二維條碼結構的製作方法。
於本發明之一些實施例中,一種二維條碼結構的製作方法包含形成第一金屬層於第一基材上,其中第一金屬層包含根據二維矩陣條碼圖案而形成之複數個區段與複數個鏤空區;形成第二基材於第一金屬層上;形成第二金屬層於第二基材上;以及使用雷射於第一基材、第二基材與第二金屬層中形成複數個通孔,且於第二基材與第二金屬層中形成複數個盲孔,其中通孔的位置對應鏤空區的位置,盲孔的位置對應區段的位置,通孔與盲孔之俯視圖案為二維矩陣條碼圖案。
於本發明之一些實施例中,二維條碼結構的製作方法更包含在使用雷射形成通孔與盲孔前,對第二金屬層進行表面處理。
於本發明之一些實施例中,二維條碼結構的製作方法更包含在使用雷射形成通孔與盲孔前,根據二維矩陣條碼圖案定位出複數個二維矩陣孔於第二金屬層之位置,二維矩陣孔的位置為通孔與盲孔的位置。
於本發明上述實施例中,藉由影像設計方式,根據二維矩陣條碼圖案將第一金屬層設計為區段與鏤空區,以便於第一基材、第二基材與第二金屬層中形
成通孔,於第二基材與第二金屬層中形成盲孔。盲孔內裸露出的第一金屬層及中空的通孔間的影像對比可顯示出二維矩陣條碼圖案。
100、100a‧‧‧二維條碼結構
101‧‧‧二維矩陣條碼圖案
102‧‧‧電路板
110‧‧‧第一基材
120‧‧‧第一金屬層
121‧‧‧區段
122‧‧‧鏤空區
130‧‧‧第二基材
140‧‧‧第二金屬層
150‧‧‧通孔
151‧‧‧第一側壁
152‧‧‧第二側壁
153‧‧‧第三側壁
160‧‧‧盲孔
161‧‧‧盲孔側壁
170‧‧‧雷射
180‧‧‧第三金屬層
D1、D2、D3、D4‧‧‧孔徑
W1、W2‧‧‧寬度
S1~S4‧‧‧步驟
第1圖為根據本發明一實施例之二維條碼結構之上視圖。
第2圖為第1圖之二維條碼結構沿著線段2-2的局部剖面圖。
第3圖為第2圖之局部二維條碼結構的上視圖。
第4圖為根據本發明一實施例之二維條碼結構之製作方法的流程圖。
第5圖至第7圖為根據第4圖之製作方法在不同階段的局部剖面圖。
第8圖為根據本發明另一實施例之二維條碼結構之局部剖面圖。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式,為明確說明起見,許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而,應瞭解到,這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說,在本發明部分實施方式中,這些實務上的細節是非必要的。此外,為簡化圖式起見,
一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。且為了清楚起見,圖式中之層和區域的厚度可能被誇大,並且在圖式的描述中相同的元件符號表示相同的元件。
第1圖為根據本發明一實施例之二維條碼結構100之上視圖。於本實施例中,二維條碼結構100形成於電路板102上,且二維條碼結構100的俯視圖案為二維矩陣條碼圖案101。電路板102並非必要,可依設計需求而定,並不用以限制本發明。二維矩陣條碼圖案101由盲孔160以及通孔150所編排而成,盲孔160以及通孔150間的影像對比可提供二維條碼結構100之二維矩陣條碼圖案101的辨識度。
第2圖為第1圖之二維條碼結構100沿著線段2-2的局部剖面圖。請同時參照第1圖及第2圖,二維條碼結構100包含第一基材110、第一金屬層120、第二基材130以及第二金屬層140。第一金屬層120位於第一基材110與第二基材130之間,且具有根據二維矩陣條碼圖案101而形成之複數個區段121與複數個鏤空區122,每一鏤空區122位於兩相鄰區段121之間。第二基材130位於第一金屬層120與第二金屬層140之間。第一基材110、第二基材130與第二金屬層140共同具有複數個通孔150,且通孔150的位置對應鏤空區122的位置。第二基材130與第二金屬層140共同具有複數個盲孔160,且盲孔160的位置對應區段121的位置。第一金屬層120之區段121從盲孔160裸露,
且通孔150與盲孔160之俯視圖案為二維矩陣條碼圖案101。
於本實施例中,藉由影像設計方式,於第一基材110及第二基材130之間,根據二維矩陣條碼圖案101將第一金屬層120設計為區段121與鏤空區122,以方便使用雷射於同一步驟中形成通孔150與盲孔160。盲孔160內裸露出的第一金屬層120及中空的通孔150間的影像對比可顯示出二維矩陣條碼圖案101。
於本實施例中,二維條碼結構100之第一金屬層120與第二金屬層140電性絕緣。於一些實施例中,第一金屬層120與第二金屬層140之材質可為銅。
請繼續參照第1圖及第2圖。於本實施例中,二維條碼結構100之通孔150於第二金屬層140的表面具有孔徑D1,二維條碼結構100之盲孔160於第二金屬層140的表面具有孔徑D2,孔徑D1與孔徑D2大致相同,且孔徑D1與孔徑D2皆可介於250nm至270nm的範圍。
於本實施例中,通孔150於第一基材110之底面具有孔徑D3,孔徑D3小於孔徑D1。第一金屬層120之鏤空區122可具有寬度W1,且寬度W1可大於通孔150之孔徑D1與孔徑D3。二維條碼結構100之第一基材110與第二基材130分別具有朝向通孔150的第一側壁151與第二側壁152,第一基材110之第一側壁151的輪廓小於第二基材130之第二側壁152的輪廓。第一金屬層120之區段121具有朝向通孔150的第三側壁153,且第三側壁153可內縮於
第一側壁151與第二側壁152。此外,於此實施例中,相鄰兩第三側壁153之間的距離為鏤空區122的寬度W1。也就是說,介於孔徑D1與孔徑D3間任意之通孔150的孔徑皆小於寬度W1。
於本實施例中,盲孔160在第二基材130之底面具有孔徑D4,孔徑D4小於孔徑D2。第一金屬層120之區段121可具有寬度W2,且寬度W2大於盲孔160之孔徑D2與孔徑D4。二維條碼結構100之第二基材130及第二金屬層140共同具有朝向盲孔160的盲孔側壁161,盲孔側壁161之輪廓從第二金屬層140往第二基材130的方向遞減。
第3圖為第2圖之局部二維條碼結構100的上視圖。請同時參閱第2圖及第3圖,於二維條碼結構100之上視圖中,包含第二金屬層140、通孔150、盲孔160以及自盲孔160中裸露出的第一金屬層120。為了清楚表示,第3圖中僅繪示位於第二金屬層140表面之通孔150的孔徑D1與盲孔160的孔徑D2。
於本實施例中,藉由使鏤空區122的寬度W1大於通孔150之孔徑D1與孔徑D3,可避免通孔150被第一金屬層120遮蔽,而藉由使區段121的寬度W2大於盲孔160之孔徑D2與孔徑D4,可確保盲孔160的底部可被第一金屬層120的區段121完整封閉。可提高二維條碼結構100之產品良率。
於本實施例中,區段121與鏤空區122可為矩形。於一些其他實施例中,區段121與鏤空區122可為任
意形狀。應理解到,區段121的寬度W2與鏤空區122的寬度W1可以是相同的也可以是不相同的,只要鏤空區122之寬度W1足以讓區段121不會延伸到通孔150中,且區段121之寬度W2足以使盲孔160之底部被第一金屬層120之區段121完整封閉即可。
第4圖為根據本發明一實施例之二維條碼結構之製作方法流程圖。首先在步驟S1中,形成第一金屬層於第一基材上,其中第一金屬層包含根據二維矩陣條碼圖案而形成之複數個區段與複數個鏤空區。接著於步驟S2中,形成第二基材於第一金屬層上。接著於步驟S3中,形成第二金屬層於第二基材上。最後於步驟S4中,使用雷射於第一基材、第二基材與第二金屬層中形成複數個通孔,且於第二基材與第二金屬層中形成複數個盲孔,其中通孔的位置對應鏤空區的位置,盲孔的位置對應區段的位置,通孔與盲孔之俯視圖案為二維矩陣條碼圖案。在以下敘述中,將說明上述各步驟。
第5圖至第7圖為根據第4圖之製作方法在不同階段的局部剖面圖。
請同時參照第1圖及第5圖,於步驟S1中,提供第一基材110,接著形成第一金屬層120於第一基材110上。第一金屬層120包含根據二維矩陣條碼圖案101而形成之複數個區段121與複數個鏤空區122,使第一基材110於鏤空區122裸露。此外,於本實施例中,第一金屬層120之區段121可具有寬度W2,第一金屬層120之任一鏤空區
122具有寬度W1。
請同時參照第1圖及第6圖,於步驟S2及步驟S3中,形成第二基材130於第一金屬層120上,接著形成第二金屬層140於第二基材130上。此外,二維條碼結構100之製作方法還可包含對第二金屬層140進行表面處理。於一些實施例中,表面處理的方法可包含噴錫、鍍鎳金、形成護銅劑等,但並不用以限定本發明,設計者可依需求自由選擇表面處理的方法。
藉由對第二金屬層140進行表面處理,可降低後續製程中之雷射在第二金屬層140表面上的散射,進而使雷射能量集中,避免火山孔及崩孔的現象。經過表面處理後的第二金屬層140,可使後續形成通孔150與盲孔160之製程與電路板102內部線路之製程結合,而無須額外的離線製程,因此可降低空間與時間成本。除此之外,由於不需傳統製程中常用的X光雷射,同時降低了操作環境的安全疑慮。
請同時參照第1圖及第7圖,於本實施例中,先根據二維矩陣條碼圖案101定位出複數個二維矩陣孔於第二金屬層140之位置。二維矩陣孔的位置對應盲孔160與通孔150的位置。接著於步驟S4中,使用雷射170依序於第二金屬層140上之二維矩陣孔的定位逐一打孔。此外,於本實施例中,雷射170之參數是調整為可使第二金屬層140被擊穿,而第一金屬層120不被擊穿。
因此,藉由根據二維矩陣條碼圖案101而形成
之第一金屬層120,以及將通孔150與盲孔160之製程與電路板102內部線路之製程結合,使得雷射170自第二金屬層140上方打出二維矩陣孔後,可同時於第一基材110、第二基材130與第二金屬層140中形成複數個通孔150,於第二基材130與第二金屬層140中形成複數個盲孔160,且通孔150與盲孔160之俯視圖案為二維矩陣條碼圖案101。如此一來,便可得到第1圖之二維條碼結構100。
於本實施例中,通孔150之孔徑D1、孔徑D3與盲孔160之孔徑D2、孔徑D4皆介於250nm至270nm的範圍。一般而言,電路板102上的內部線路中用以填充導電物之導電盲孔之孔徑約為70nm,而通孔150與盲孔160之孔徑約為260nm。藉由增加二維條碼結構100之盲孔160與內部線路中用以填充導電物之導電盲孔的孔徑差異,可於後續的電鍍製程中,降低盲孔160內部對電鍍溶液的吸附效果。因此,盲孔160與導電盲孔可在同一道雷射製程步驟中形成,且能避免盲孔160與導電盲孔電性導通,也無需再增加額外的遮蔽步驟去區分盲孔160與導電盲孔的製程。
應理解到,於本實施例中,二維條碼結構100形成於電路板102上,而電路板102上之第一基材110、第二基材130與第一金屬層120、第二金屬層140的數量僅為示意,使用者可依實際需求而設計更多層的基材與金屬層。
第8圖為根據本發明另一實施例之二維條碼
結構100a之局部剖面圖。二維條碼結構100a包含第一基材110、第一金屬層120、第二基材130以及第二金屬層140。與第2圖實施方式不同的地方在於:二維條碼結構100a還包含第三金屬層180。第三金屬層180位於第一基材110背對於第一金屬層120的表面上,即位於第一基材110的下表面。於本實施例中,於形成第7圖的二維條碼結構100後,可再電鍍第三金屬層180或繼續堆疊基材或金屬層。此外,由於盲孔160之孔徑D2、孔徑D4之大小可避免盲孔160內吸附電鍍溶液,使得二維條碼結構100a之製作可輕易的與如第1圖之電路板102內部線路製程結合,無須額外的空間時間成本,且無干擾內部線路之疑慮。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
Claims (10)
- 一種二維條碼結構,包含:一第一基材;一第一金屬層,位於該第一基材上,其中該第一金屬層具有根據一二維矩陣條碼圖案而形成之複數個區段與複數個鏤空區,每一該些鏤空區位於該些區段之兩者間;一第二基材,位於該第一金屬層上;以及一第二金屬層,位於該第二基材上,其中該第一基材、該第二基材與該第二金屬層共同具有複數個通孔,該些通孔的位置對應該些鏤空區的位置,該第二基材與該第二金屬層共同具有複數個盲孔,該些盲孔的位置對應該些區段的位置,該第一金屬層之該些區段從該些盲孔裸露,且該些通孔與該些盲孔之俯視圖案為該二維矩陣條碼圖案。
- 如請求項1所述之二維條碼結構,其中該第一金屬層與該第二金屬層電性絕緣。
- 如請求項1所述之二維條碼結構,其中該些盲孔的孔徑與該些通孔的孔徑介於250nm至270nm的範圍。
- 如請求項1所述之二維條碼結構,其中該些盲孔的孔徑與該些通孔的孔徑大致相同。
- 如請求項1所述之二維條碼結構,其中該第一金屬層之該些區段的寬度大於該些盲孔的孔徑。
- 如請求項1所述之二維條碼結構,更包含:一第三金屬層,位於該第一基材背對於該第一金屬層的表面上。
- 如請求項1所述之二維條碼結構,其中該第一基材與該第二基材分別具有朝向該些通孔其中之一的一第一側壁與一第二側壁,該第一金屬層之該些區段其中之一具有朝向該些通孔其中之一的一第三側壁,且該第三側壁內縮於該第一側壁與該第二側壁。
- 一種二維條碼結構的製作方法,包含:形成一第一金屬層於一第一基材上,其中該第一金屬層包含根據一二維矩陣條碼圖案而形成之複數個區段與複數個鏤空區;形成一第二基材於該第一金屬層上;形成一第二金屬層於該第二基材上;以及使用雷射於該第一基材、該第二基材與該第二金屬層中形成複數個通孔,且於該第二基材與該第二金屬層中形成複數個盲孔,其中該些通孔的位置對應該些鏤空區的位置,該些盲孔的位置對應該些區段的位置,該些通孔與該些盲孔之俯視圖案為該二維矩陣條碼圖案。
- 如請求項8所述之二維條碼結構的製作方法,其中更包含:在使用雷射形成該些通孔與形成該些盲孔前,對該第二金屬層進行表面處理。
- 如請求項8所述之二維條碼結構的製作方法,更包含:在使用雷射形成該些通孔與形成該些盲孔前,根據該二維矩陣條碼圖案定位出複數個二維矩陣孔於該第二金屬層之位置,該些二維矩陣孔的位置為該些通孔與該些盲孔的位置。
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