TWI639706B

TWI639706B - 磁芯之製造方法

Info

Publication number: TWI639706B
Application number: TW104121604A
Authority: TW
Inventors: 牧野彰宏; 帕曼那德沙瑪; 西山信行; 清水一行; 吉田健二
Original assignee: 日商東北磁材研究所股份有限公司; 日商阿爾普士電氣股份有限公司
Priority date: 2014-07-03
Filing date: 2015-07-03
Publication date: 2018-11-01
Also published as: WO2016002945A1; JP6283417B2; TW201606087A; JPWO2016002945A1

Abstract

一種磁芯之製造方法包含第1熱處理步驟、中間體製作步驟及第2熱處理步驟。在第1熱處理步驟中，熱處理由合金組成物形成的薄帶。在中間體製作步驟中，使用第1熱處理步驟後的薄帶製作中間體。在第2熱處理步驟中，熱處理中間體。合金組成物具有非晶質相作為主相，且，以組成式Fe_{100-a-b-c-d-e-f} Co_a B_b Si_c P_d Cu_e C_f (但，3.5≦a≦4.5at%、8≦b≦11at%、0＜c≦2at%、3≦d≦5at%、0.5≦e≦1.1at%、0≦f≦2at%)表示。在第1熱處理步驟中，薄帶以第1升溫速度升溫到比合金組成物之結晶化溫度高的第1溫度。在第2熱處理步驟中，中間體升溫到結晶化溫度以下的第2溫度。

Description

磁芯之製造方法

本發明係關於使用Fe基非晶質薄帶的磁芯之製造方法。

專利文獻1中揭示使用由Fe基軟磁性合金形成的薄帶(Fe基非晶質薄帶)的鐵芯(磁芯)之製造方法。依據專利文獻1，對薄帶及捲繞薄帶製成的鐵芯中之任一者，實施用以析出由bccFe形成的奈米結晶粒(bccFe結晶粒)的熱處理。熱處理分成2次以上實施，藉此降低熱處理中之自發熱的影響。［先前技術文獻］［專利文獻］

［專利文獻1］日本特開2003－213331號公報

［發明所欲解決的問題］

包含3.5at%以上且4.5at%以下的Co之適當組成比的Fe-Co-B-Si-P-Cu合金或Fe-Co-B-Si-P-Cu-C合金具有高非晶質形成能力。此外，由該合金製成的Fe基非晶質薄帶(以下，簡稱為「薄帶」)具有優異的磁特性。因此，藉捲繞如此組成之薄帶，可製造具有優異磁特性的磁芯。

但是，如此組成之薄帶，若進行熱處理而析出bccFe結晶粒則容易變脆。因此，難以捲繞薄帶。另一方面，在捲繞薄帶後進行熱處理的情形中，隨著磁芯大型化，會難以均勻地熱處理磁芯之各部。因此，恐有磁芯不具有足夠的磁特性之虞。

因此，本發明之目的在於提供具有足夠的磁特性的磁芯之製造方法，其使用由包含3.5at%以上且4.5at%以下的Co之Fe-Co-B-Si-P-Cu合金或Fe-Co-B-Si-P-Cu-C合金形成的薄帶。［解決問題的手段］

本發明之一樣態係提供包含第1熱處理步驟、中間體製作步驟及第2熱處理步驟的磁芯之製造方法。在前述第1熱處理步驟中，熱處理由合金組成物形成的薄帶。在前述中間體製作步驟中，使用前述第1熱處理步驟後之前述薄帶製作中間體。在前述第2熱處理步驟中，熱處理前述中間體。前述合金組成物具有非晶質相作為主相，且，以組成式Fe_{100-a-b-c-d-e-f} Co_a B_b Si_c P_d Cu_e C_f (但，3.5≦a≦4.5at%、8≦b≦11at%、0＜c≦2at%、3≦d≦5at%、0.5≦e≦1.1at%、0≦f≦2at%)表示。在前述第1熱處理步驟中，前述薄帶以第1升溫速度升溫到比前述合金組成物之結晶化溫度高的第1溫度。在前述第2熱處理步驟中，前述中間體升溫到前述結晶化溫度以下的第2溫度。［發明的功效］

依據本發明，薄帶的熱處理與中間體的熱處理藉互相不同的步驟進行。因此，藉在第1熱處理步驟中只短時間地保持薄帶在第1溫度，可使微小的bccFe結晶粒析出。藉此，可防止薄帶的脆弱化，且可藉捲繞薄帶製作大型的中間體。此外，藉在第2熱處理步驟中比較長時間地保持中間體在第2溫度，可使在第1熱處理步驟中析出的bccFe結晶粒成長，使比較大尺寸的bccFe結晶粒均質地析出。藉此，可製得具有優異磁特性的磁芯。

藉由一面參照附加圖式一面檢討下述最佳實施形態的說明，可確實地了解本發明之目的，且更完全地了解其結構。

雖然本發明可藉多種變形或各種形態實現，但以下詳細地說明如圖式所示之特定實施形態，作為其一例。圖式及實施形態不限定本發明於在此揭示之特定形態，且其對象中包含在明示於申請專利範圍之範圍內所作成之全部變形例、均等物、代替例。

本發明實施形態的合金組成物作為Fe基奈米結晶合金之起始原料是理想的，且組成式係Fe_{100-a-b-c-d-e-f} Co_a B_b Si_c P_d Cu_e C_f 。其中，3.5≦a≦4.5at%、8≦b≦11at%、0＜c≦2at%、3≦d≦5at%、0.5≦e≦1.1at%、0≦f≦2at%。即，不含C的情形的組成式係Fe_{100-a-b-c-d-e} Co_a B_b Si_c P_d Cu_e ，而包含0≦f≦2at%之C的情形的組成式係Fe_{100-a-b-c-d-e-f} Co_a B_b Si_c P_d Cu_e C_f 。以下，上述組成式稱為「本實施形態的組成式」。此外，具有非晶質相作為主相，且，具有上述組成式之合金組成物稱為「本實施形態的合金組成物」。

在本實施形態中，Co元素係承擔非晶質相形成的必要元素。若對Fe-B-Si-P-Cu合金或Fe-B-Si-P-Cu-C合金添加一定量的Co元素，可提高Fe-B-Si-P-Cu合金或Fe-B-Si-P-Cu-C合金之非晶質相形成能力。藉此，例如，可安定地製作具有一定厚度的連續薄帶。若Co的比例比3.5at%少，則液體急冷條件下之非晶質相的形成能力降低，且熱處理後的結晶粒徑變大而導致保磁力上升。若Co的比例比4.5at%多，則飽和磁通密度降低。此外，若Co的比例比4.5at%多，熱處理後的結晶粒徑變大而導致保磁力上升。因此，Co的比例宜為3.5at%以上、4.5at%以下。即使在為提高非晶質相形成能力而使Co的比例多達3.5at%以上的情形中，藉由如下所述地調整其他元素B、Si、P、Cu的比例，亦可獲得良好的磁特性。

在本實施形態中，B元素係承擔非晶質相形成的必要元素。若B的比例比8at%少，則液體急冷條件下之非晶質相的形成能力降低，且熱處理後的結晶粒徑變大而導致保磁力上升。若B的比例比11at%多，則液體急冷條件下之非晶質相的形成能力降低，且熱處理後的結晶粒徑變大而導致保磁力上升。因此，B的比例宜為8at%以上、11at%以下。

在本實施形態中，Si元素係承擔非晶質相形成的必要元素。若不含Si，則飽和磁通密度降低。若Si的比例超過2at%，則液體急冷條件下之非晶質相的形成能力降低，且熱處理後的結晶粒徑變大而導致保磁力上升。因此，Si的比例宜為2at%以下(不包含0)。

在本實施形態中，P元素係承擔非晶質相形成的必要元素。若P的比例比3at%少，則液體急冷條件下之非晶質相的形成能力降低，且熱處理後的結晶粒徑變大而導致保磁力上升。若P的比例比5at%多，則液體急冷條件下之非晶質相的形成能力降低，且熱處理後的結晶粒徑變大而導致保磁力上升。因此，P的比例宜為3at%以上、5at%以下。

在本實施形態中，Cu元素係承擔非晶質相形成的必要元素。若Cu的比例比0.5at%少，則液體急冷條件下之非晶質相的形成能力降低，且熱處理後的結晶粒徑變大而導致保磁力上升。若Cu的比例比1.1at%多，則液體急冷條件下之非晶質相的形成能力降低，且熱處理後的結晶粒徑變大而導致保磁力上升。因此，Cu的比例宜為0.5at%以上、1.1at%以下。

在本實施形態中，Fe元素係在本實施形態的組成式中佔有剩餘部分之主元素。此外，Fe元素係承擔磁性的必要元素。為提高飽和磁通密度及減少原料價格，Fe的比例多基本上是理想的。

亦可對具有本實施形態組成式之一的Fe_{100-a-b-c-d-e} Co_a B_b Si_c P_d Cu_e 的合金組成物添加一定量的C元素，以降低合金組成物之總材料成本。在添加C元素的情形中，即使薄帶變厚，飽和磁通密度或保磁力等的磁特性亦不易劣化。但是，若C的比例超過2at%，則液體急冷條件下之非晶質相的形成能力降低，且熱處理後的結晶粒徑變大而導致保磁力上升。因此，即使在添加C元素而使合金組成物之組成式為Fe_{100-a-b-c-d-e-f} Co_a B_b Si_c P_d Cu_e C_f 的情形中，C的比例亦宜為2at%以下(不包含0)。

本實施形態的合金組成物可有各種形狀。例如，合金組成物可具有連續薄帶形狀，亦可具有粉末形狀。連續薄帶形狀之合金組成物可使用製造Fe基非晶質薄帶等所使用之如單輥製造裝置或雙輥製造裝置的習知裝置來形成。粉末形狀之合金組成物可藉由水噴霧法或氣體噴霧法製作，亦可藉粉碎薄帶之合金組成物來製作。

使本實施形態的合金組成物成形，可形成捲磁芯、積層磁芯、壓粉磁芯等之磁芯。此外，使用該磁芯，可提供變壓器、電感器、馬達或發電機等之構件。

本實施形態的合金組成物具有非晶質相作為主相。因此，若在如Ar氣體環境之惰性氣體環境中熱處理本實施形態的合金組成物，則進行2次以上結晶化。令最初開始結晶化之溫度為第1結晶化開始溫度(Tx1)，且令開始第2次結晶化之溫度為第2結晶化開始溫度(Tx2)。此外，令第1結晶化開始溫度(Tx1)與第2結晶化開始溫度(Tx2)之間的溫度差為DT=Tx2-Tx1。該等結晶化溫度可，例如，藉由使用微差掃描熱量分析(DSC)裝置，以大約40℃/分之升溫速度進行熱分析來進行評價。

以下，第1結晶化開始溫度(Tx1)簡稱為「結晶化溫度」。在結晶化溫度下開始析出的主要是承擔軟磁性之bccFe(aFe，Fe-Si)結晶，而在第2結晶化開始溫度(Tx2)下開始析出的主要是使磁特性劣化之Fe-B或Fe-P等的結晶。

藉對本實施形態的合金組成物(例如，薄帶)進行預定熱處理，可製得Fe基奈米結晶合金(例如，Fe基奈米結晶合金薄帶)。此外，可使用製得的Fe基奈米結晶合金薄帶來製作磁芯。另外，使用製成的磁芯，可構成變壓器、電感器、馬達或發電機等之構件。

以下，詳細說明本實施形態的磁芯之製造方法。

如圖1所示地，本實施形態的磁芯之製造方法包含4步驟，具體而言，薄帶製作步驟(P1)、第1熱處理步驟(P2)、中間體製作步驟(P3)及第2熱處理步驟(P4)。

請參照圖1，在薄帶製作步驟(P1)中，首先，秤量包含Fe、Co等之原料後，使其溶解而生成合金熔融液。此時之秤量係以使合金熔融液具有本實施形態的組成式的方式進行。接著，使該合金熔融液急冷凝固而製成連續薄帶(以下，簡稱為「薄帶」)。具體而言，例如，由噴嘴排出合金熔融液，使其接觸旋轉之冷卻基板的表面而急冷凝固。藉此，製得由具有非晶質相作為主相之合金組成物形成的薄帶。薄帶之製作方法不限於上述之方法。只要製得之薄帶具有非晶質相作為主相，且，具有本實施形態的組成式，什麼樣的方法都可以。

請參照圖1及圖2，在第1熱處理步驟(P2)中，熱處理薄帶。此時，藉加熱薄帶，使薄帶以第1升溫速度急速地升溫到比本實施形態的合金組成物的結晶化溫度高的第1溫度。另外，薄帶到達第1溫度後，不保持薄帶在第1溫度附近，而停止對薄帶加熱。若停止對薄帶加熱，則薄帶之溫度緩緩地下降到預定溫度(例如，室溫)(請參照圖2之1點虛線)。

藉由使薄帶升溫到第1溫度，在薄帶上析出bccFe結晶。但是，由於薄帶以第1升溫速度急速地升溫，且，薄帶未保持在第1溫度附近，故析出之bccFe結晶之尺寸微小，例如粒徑15nm以下。換言之，藉由第1熱處理步驟(P2)，在薄帶上遍布薄帶全體地均一析出不使薄帶變脆程度的微小bccFe結晶。進一步，薄帶急速地升溫，且，薄帶之溫度到達第1溫度後下降。因此，假使薄帶在升溫前含有bccFe結晶，bccFe結晶亦幾乎不成長。換言之，第1熱處理步驟(P2)係用以析出bccFe結晶之結晶核的步驟。

在第1熱處理步驟(P2)中，在第1溫度比430℃小的情形中，恐有未充分地析出bccFe結晶之虞。因此，第1溫度宜為430℃以上。但是，在第1溫度比480℃大的情形中，由於bccFe結晶粗大化或Fe-B或Fe-P等之結晶析出，恐有薄帶的磁特性劣化之虞。因此，第1溫度宜為480℃以下。此外，在第1升溫速度比每秒100℃小的情形中，恐有由於bccFe結晶粗大化而使薄帶的磁特性劣化且使薄帶變脆之虞。因此，第1升溫速度宜為每秒100℃以上。

第1熱處理步驟(P2)中之具體熱處理方法可考慮，例如，使用紅外線加熱或高頻加熱等可急速升溫之裝置的熱處理方法。但是，本發明不限於此。

例如，亦可使薄帶以每秒0.1m以上且每秒1秒以下的速度在升溫環境內移動。藉由該方法，亦可使薄帶以第1升溫速度升溫。

具體而言，如圖4所示地，藉由送出輥50，以預定之移動速度搬送連續薄帶(薄帶)10。薄帶10通過電爐60之入口64搬送至電爐60之內部。薄帶10通過電爐60之內部由出口66送出至電爐60外，並被捲取在捲取輥70上。電爐60之內部形成有已設置加熱用之電極(未圖示)等的升溫環境62。薄帶10只有在升溫環境62內移動期間，藉由電極加熱。藉此，薄帶10以第1升溫速度升溫到第1溫度。第1溫度及第1升溫速度可藉由調整升溫環境62內之電極溫度或薄帶10之移動速度來調整。此外，例如，藉由調整成使薄帶10達到第1溫度時到達電爐60之出口66，可使薄帶10不保持在第1溫度。若考慮電爐60之加熱性能等，則薄帶10之移動速度宜為每秒0.1m以上且每秒1m以下。在薄帶10之移動速度小於每秒0.1m的情形中，薄帶10長時間地在升溫環境62內移動。因此，薄帶10在急速地到達第1溫度後，在保持在第1溫度之期間因結晶化之自發熱而高溫化，無法得到所希望之組織。另一方面，在薄帶10之移動速度超過每秒1m的情形中，無法得到熱傳送所需之時間。因此，薄帶10在升溫環境62內未到達所希望之第1溫度且第一熱處理步驟(P2)之效果不足。

如圖3所示地，本實施形態的磁芯之製造方法亦可在第1熱處理步驟(P2)後具有降溫步驟(P2A)。在降溫步驟(P2A)中，第1熱處理步驟(P2)後之薄帶降溫到預定溫度。藉由設置降溫步驟(P2A)，使薄帶不是比較和緩地自然降溫(請參照圖2之1點虛線)，而是可使薄帶冷卻而比較急速地降溫到預定溫度(請參照圖2之2點虛線)。藉此，可更確實地防止bccFe結晶之粗大化，同時可縮短製造磁芯所需之時間。

降溫步驟(P2A)中之預定溫度係例如室溫。藉使薄帶降溫到室溫，可輕易地加工降溫後之薄帶。作為降溫步驟(P2A)中之具體降溫方法，例如，可空氣冷卻薄帶，亦可使用冷媒急冷。但是，本發明不限於此。

由以上說明可了解地，第1熱處理步驟(P2)後之薄帶及降溫步驟(P2A)後之薄帶可彎曲90º。因此，可使用該薄帶製作各種形狀之磁性構件。

請參照圖1及圖3，在中間體製作步驟(P3)中，使用第1熱處理步驟(P2)後之薄帶或降溫步驟(P2A)後之薄帶製作中間體。本實施形態的中間體係藉由捲繞或積層薄帶製作。薄帶捲繞次數或積層次數可為任何次數。依據本發明，在第1熱處理步驟(P2)中，為防止薄帶的脆弱化，可只捲繞或積層薄帶必要次數來製作大型的中間體。但是，中間體亦可藉捲繞或積層薄帶以外之方法來製作。

請參照圖1及圖3，在第2熱處理步驟(P4)中，熱處理中間體。此時，藉加熱薄帶，使中間體升溫到合金組成物之結晶化溫度以下的第2溫度。

如前所述地，在第1熱處理步驟(P2)中，在薄帶上已充分地析出微小的bccFe結晶。因此，在第2熱處理步驟(P4)中，在中間體上幾乎未析出新bccFe結晶。但是，藉由使中間體升溫到第2溫度，中間體包含之bccFe結晶成長。此外，成長之bccFe結晶互相衝突而形成微細之組織。藉此，製得具有優異磁特性的磁芯。換言之，第2熱處理步驟(P4)係使bccFe結晶之結晶核成長，用以形成bccFe結晶之微細組織的步驟。

為防止bccFe結晶過度成長或Fe-B或Fe-P等之結晶析出，必須使第2溫度在結晶化溫度以下。藉使bccFe結晶緩慢地成長，容易避免因自發熱引起的熱失控，且，容易製得由bccFe結晶形成的微細組織。由所謂使bccFe結晶緩慢地成長之觀點來看，第2溫度宜在結晶化溫度以下，且，以更低較佳。另一方面，由所謂使bccFe結晶之體積分率增加而使磁特性改善之觀點來看，第2溫度宜在結晶化溫度附近。

具體而言，在第2熱處理步驟(P4)中，在第2溫度比結晶化溫度大的情形中，恐有bccFe結晶之粒徑變成過大而使中間體的磁特性劣化之虞。因此，第2溫度宜在430℃以下。但是，在第2溫度比385℃小的情形中，bccFe結晶未充分地成長，恐有無法得到足夠的磁特性之虞。因此，第2溫度宜在385℃以上。

在第2熱處理步驟(P4)中，亦可使中間體在升溫到第2溫度後，比較長時間地保持在第2溫度附近(例如，第2溫度±1℃或第2溫度±3℃之範圍)。換言之，亦可在已升溫到第2溫度之中間體上，只施加用以使中間體維持在第2溫度之熱預定保持時間。藉此，可使bccFe結晶之體積分率充分地增加，且使bccFe結晶粒均質地成長。結果，可製得具有優異磁特性的磁芯。

具體而言，在第2溫度附近之保持時間比3分小的情形中，恐有bccFe結晶未充分地成長之虞。另一方面，在保持時間比20分大的情形中，恐有bccFe結晶粒過度粗大地成長之虞。因此，保持時間宜為3分以上且20分以下。換言之，宜在使中間體在升溫到第2溫度後，在3分以上且20分以下的期間，保持在第2溫度附近。

第2熱處理步驟(P4)中之具體熱處理方法，與第1熱處理步驟(P2)中的熱處理方法同樣地，可為各種方法。

如上所述地製成的本實施形態的磁芯具有21nm以下的平均結晶粒徑，並且具有1.8T以上之高飽和磁通密度及10A/m以下的低保磁力。

以下，一面參照多數實施例及多數比較例，一面更詳細地說明本發明之實施形態。

(實施例1至17及比較例1至28) 首先，檢驗不含C之Fe-Co-B-Si-P-Cu合金。詳而言之，秤量原料使其成為揭示於下述表1之本發明實施例1至17及比較例1至28的合金組成，接著藉由高頻感應加熱使之溶解。然後，在大氣中藉單輥液體急冷法處理溶解之合金組成物，製成具有大約25µm厚度之寬度大約50mm、長度大約50至100m的連續薄帶(薄帶)(薄帶製作步驟)。藉X光繞射法鑑定該等薄帶之合金組成物的相。該等薄帶都具有非晶質相作為主相。接著，在表2記載的熱處理條件下，熱處理實施例1至17及比較例1至28之薄帶(第1熱處理步驟)。接著，捲繞第1熱處理步驟後的薄帶而製成中間體(中間體製作步驟)。此時，第1熱處理步驟後之實施例1至17的薄帶可輕易地捲繞。另一方面，第1熱處理步驟後之比較例1至28的薄帶中，比較例3、4、6、9、10、12、15、16及18之薄帶稍微變脆，且不易捲繞。進一步，在表2記載的熱處理條件下，熱處理中間體(第2熱處理步驟)。使用振動試樣磁力計(VMS)藉800kA/m之磁場測量已熱處理之中間體的各飽和磁通密度Bs。使用直流BH描繪器藉2kA/m之磁場測量各合金組成物的保磁力Hc。測量結果顯示於表2中。

［表1］

［表2］

請參照表2，在第1熱處理步驟中熱處理實施例之薄帶，並在第2熱處理步驟中熱處理中間體，結果製得由Fe基奈米結晶合金形成的磁芯。實施例之磁芯的結晶粒徑全部小至21nm以下，且具有10A/m以下的小保磁力，並且具有1.8T以上之高飽和磁通密度。

(實施例18及比較例29) 進一步檢驗包含C之Fe-Co-B-Si-P-Cu-C合金。詳而言之，秤量原料使其成為揭示於下述表3之本發明實施例18及比較例29的合金組成，接著進行電弧溶解。然後，在大氣中藉單輥液體急冷法處理溶解之合金組成物，製成具有大約25µm之厚度之寬度大約3mm、長度大約5至15m的薄帶。藉X光繞射法鑑定該等薄帶之合金組成物的相。該等薄帶都具有非晶質相作為主相。接著，在表4記載的熱處理條件下，熱處理實施例18及比較例29之薄帶(第1熱處理步驟)。接著，捲繞第1熱處理步驟後的薄帶而製成中間體(中間體製作步驟)。進一步，在表4記載的熱處理條件下，熱處理中間體(第2熱處理步驟)。使用振動試樣磁力計(VMS)藉800kA/m之磁場測量已熱處理之中間體的各飽和磁通密度Bs。使用直流BH描繪器藉2kA/m之磁場測量各合金組成物的保磁力Hc。測量結果顯示於表4中。

［表3］

［表4］

請參照表4，在第1熱處理步驟中熱處理實施例18之薄帶，並在第2熱處理步驟中熱處理中間體，結果製得由Fe基奈米結晶合金形成的磁芯。實施例18之磁芯的結晶粒徑小至16nm，且具有7.9A/m之小保磁力，並且具有1.81T之高飽和磁通密度。

本發明係以2014年7月3日在日本專利局提出之日本專利申請案第2014-137933號為基礎，且其內容藉由參照構成本說明書之一部份。

雖然已說明了本發明之最佳實施形態，但如所屬技術領域中具有通常知識者所了解地，在不脫離本發明之精神的範圍內可使實施形態變形，且如此之實施形態亦屬於本發明之範圍。

10‧‧‧連續薄帶(薄帶)
50‧‧‧送出輥
60‧‧‧電爐
62‧‧‧升溫環境
64‧‧‧入口
66‧‧‧出口
70‧‧‧捲取輥
P1‧‧‧薄帶製作步驟
P2‧‧‧第1熱處理步驟
P2A‧‧‧降溫步驟
P3‧‧‧中間體製作步驟
P4‧‧‧第2熱處理步驟

［圖1］係示意地顯示本發明實施形態的磁芯之製造方法的流程圖。［圖2］係示意地顯示本實施形態的第1熱處理步驟中之薄帶溫度變化，及本實施形態的第2熱處理步驟中之中間體溫度變化的圖。［圖3］係示意地顯示本實施形態變形例的磁芯之製造方法的流程圖。［圖4］係示意地顯示圖2之第1熱處理步驟中之具體加熱系統之一例的圖。

Claims

一種磁芯之製造方法，包含：第1熱處理步驟，其熱處理由合金組成物形成的薄帶；中間體製作步驟，其使用該第1熱處理步驟後之該薄帶製作中間體；及第2熱處理步驟，其熱處理該中間體，該合金組成物具有非晶質相作為主相，且，以組成式Fe_{100-a-b-c-d-e-f}Co_aB_bSi_cP_dCu_eC_f(但，3.5≦a≦4.5at%、8≦b≦11at%、0＜c≦2at%、3≦d≦5at%、0.5≦e≦1.1at%、0≦f≦2at%)表示，在該第1熱處理步驟中，該薄帶以第1升溫速度升溫到比該合金組成物之結晶化溫度高的第1溫度，在該第2熱處理步驟中，該中間體升溫到該結晶化溫度以下的第2溫度。
如申請專利範圍第1項之磁芯之製造方法，其中，該中間體係藉捲繞或積層該第1熱處理步驟後之該薄帶來製作。
如申請專利範圍第1或2項之磁芯之製造方法，其中包含：使該第1熱處理步驟後之該薄帶降溫到預定溫度的降溫步驟，該中間體係使用該降溫步驟後之該薄帶來製作。
如申請專利範圍第1或2項之磁芯之製造方法，其中，該第1熱處理步驟中之該第1升溫速度係每秒100℃以上，該第1熱處理步驟中之該第1溫度係430℃以上。
如申請專利範圍第4項之磁芯之製造方法，其中，該第1熱處理步驟中之該第1溫度係480℃以下。
如申請專利範圍第1或2項之磁芯之製造方法，其中，該第2熱處理步驟中之該第2溫度係385℃以上，在該第2熱處理步驟中，該中間體升溫至該第2溫度後，在3分以上且20分以下的期間，保持在該第2溫度附近。
如申請專利範圍第1或2項之磁芯之製造方法，其中，在該第1熱處理步驟中，該薄帶以每秒0.1m以上且每秒1m以下的速度在升溫環境內移動，藉此以該第1升溫速度升溫。