TWI634606B - 半導體晶圓的安裝方法及半導體晶圓的安裝裝置 - Google Patents

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Abstract

藉由氣體供給部自晶圓框架之內緣與半導體晶圓的外緣之間的空間供給氣體，使氣體流動於與半導體晶圓之背面對向配置的黏著帶與該半導體晶圓之間，並使貼附輥滾動於藉由該氣體而自半導體晶圓之背面保持一定距離而隔開的黏著帶上，將黏著帶貼附於半導體晶圓之背面。

Description

半導體晶圓的安裝方法及半導體晶圓的安裝裝置
本發明係關於用以將支撐用黏著帶貼附於晶圓框架及載置於該晶圓框架中央之半導體晶圓(以下，適宜地稱為「晶圓」)的背面，經由黏著帶將晶圓一體形成於晶圓框架之半導體晶圓的安裝方法及半導體晶圓的安裝裝置。
近年來，隨著應用面的快速進步，要求晶圓越來越薄型化。其厚度為100μm~50μm，有時更希望能薄至25μm程度。因此，為了使藉由背面研磨處理而薄化之晶圓保持剛性而能容易操作並進行切割處理，經由支撐用黏著帶(切割膠帶)將晶圓安裝於晶圓框架之中央並予黏著保持(參照日本國特開2006-165385號公報)。
此外，為了提高黏著帶之黏著力，一面加熱黏著帶一面將黏著帶貼附於晶圓之背面。
於先前之晶圓的安裝方法中，產生有如下之問題。也就是說，於將黏著帶貼附於晶圓背面時，為了防止皺摺的產生，施加既定之張力。於將先前之8吋左右之小型晶圓安裝於黏著帶時，黏著帶之皺摺產生率較低。然而，例如於12吋等之大型晶圓上貼附黏著帶之過程中，會有皺摺產生率增加之傾向的問題。
本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的在於提供一種半導體晶圓的安裝方法及半導體晶圓的安裝裝置，於製作安裝框架之過程中，能一面防止皺摺之產生一面精度良好地使黏著帶密接於半導體晶圓的背面。
本發明者等對用來究明產生上述問題之原因的黏著帶(切割膠帶)反復地進行將黏著帶貼附於晶圓背面的實驗，並經刻意檢討之結果，獲得如下之知識。
即進行了以下實驗：於施加張力至構成支撐用黏著帶之基材的組織產生變形的上限附近為止的狀態下，將該黏著帶貼附於晶圓的背面。
於是可瞭解到，由於黏著帶之面積比以往大，即使熱影響造成的每單位面積之基材的延伸率小，整個黏著帶之延伸長度仍明顯增大。即，瞭解到會有以下情形：於因該黏著帶之延伸而對黏著帶進行貼附之後半側，該黏著帶發生起伏波動而於輥通過之前便將黏著帶不必要地黏著於晶圓之背面。又，雖不如加熱黏著帶時那麼大，但在不對大型黏著帶進行加熱之情況下，也會於黏著帶發生延伸而產生同樣之現象。
因此，為了達成這樣之目的，本發明採取如下之構成。
即，一種半導體晶圓的安裝方法，係經由支撐用黏著帶將半導體晶圓保持於晶圓框架之半導體晶圓的安裝方法，該方法包含以下之過程：氣體供給過程，藉由氣體供給部自該晶圓框架之內緣與該半導體晶圓的 外緣之間的空間供給氣體，使氣體流動於該半導體晶圓之背面與該黏著帶之間；及貼附過程，使貼附輥滾動於藉由該氣體而自半導體晶圓之背面分離的該黏著帶上，將該黏著帶貼附於半導體晶圓之背面。
根據該方法，於將黏著帶貼附於半導體晶圓之背面的過程中，使氣體流動於晶圓之背面與黏著帶之間，所以可於自半導體晶圓之背面分離的方向使風壓作用於黏著帶上。也就是說，可藉由風壓抑制因黏著帶之延伸而造成的不必要之波的產生，可自半導體晶圓之背面使距離保持一定。因此，不會有黏著帶於貼附輥之前進路線前方先貼附於半導體晶圓之背面的情況。換言之，不會於黏著帶產生皺摺而可使該黏著帶密接於半導體晶圓之整個背面。
又，上述方法中，較佳為氣體供給部係於環狀構件空開既定間隔形成有複數個噴出孔，並自各噴出孔朝該半導體晶圓之背面中心供給氣體。
根據該方法，可抑制因氣體逸出而容易於半導體晶圓之周緣側產生的供氣不均。因此，可有效地抑制整個黏著帶之起伏波動。
此外，根據上述方法，較佳為追隨貼附輥之滾動自前進路線後方朝前方依序停止來自噴出孔之氣體供給。
根據該方法，於已黏著在半導體晶圓之背面的黏著帶之周圍，風壓不作用於露出有黏著帶之部分。因此，不對黏著於半導體晶圓背面之黏著帶作用剝離之力，即可維持朝半導體晶圓之背面的密接狀態。
此外，根據上述方法，較佳為隨著該貼附輥靠近黏著帶之貼附終端位置，逐漸減少氣體之流量。
根據該方法，當以相同流量持續供給氣體時，隨著朝半導體晶圓背面之未黏著部分的黏著帶之長度變短，於位在半導體晶圓之終端側的黏著帶部分容易引起振動。然而，藉由減少流量，可抑制黏著帶發生振動。
又，上述方法中，貼附於半導體晶圓背面之黏著帶例如，可為例如帶狀之黏著帶，也可預先貼附於晶圓框架上。
於帶狀黏著帶之情況下，則是於貼附過程中同時將該黏著帶貼附於晶圓框架及半導體晶圓上。
此外，為了達成此目的，本發明採取如下之構成。
即，一種半導體晶圓的安裝裝置，係經由支撐用黏著帶將半導體晶圓保持於晶圓框架之半導體晶圓的安裝裝置，該裝置包含以下之構成：框架保持部，其保持該晶圓框架；晶圓保持部，其保持該半導體晶圓；帶供給部，其朝該晶圓框架與該半導體晶圓之背面供給帶狀之該黏著帶；氣體供給部，其自藉由該框架保持部所保持之晶圓框架的內緣與藉由該晶圓保持部所保持之半導體晶圓的外緣之間的空間朝該半導體晶圓的背面側供給氣體；貼附機構，其使貼附輥滾動於藉由該氣體而自半導體晶圓之背面分離的該黏著帶上，將黏著帶貼附於晶圓框架與半導體晶圓之背面；切斷機構，其於該晶 圓框架上使切斷構件移動來切斷黏著帶；及回收部，其回收被切除之該黏著帶。
根據該構成，藉由氣體供給部自藉由框架保持部所保持之晶圓框架的內緣與藉由晶圓保持部所保持之半導體晶圓的外緣之間的空間供給氣體。氣體係流動於晶圓框架及與半導體晶圓之背面對向而供給的黏著帶之間。因此，可一面保持藉由氣體之風壓使位於貼附輥之前進路線前方的黏著帶自半導體晶圓之背面分離的狀態，一面將黏著帶貼附於半導體晶圓之背面。因此，於貼附輥通過之前，黏著帶不會黏著於半導體晶圓之背面，所以不會於黏著帶產生皺摺而可使帶狀之黏著帶密接於半導體晶圓之背面。
又，上述構成中，較佳為具備隔著晶圓框架自上游側及下游朝該黏著帶施加張力之輥，及隔著該晶圓框架自寬度方向對黏著帶施加張力之拉伸機構。
根據該構成，可抑制黏著帶之鬆弛，進而可確實地抑制黏著帶所產生之起伏波動。
此外，為了達成此目的，本發明採取如下之構成。
即，一種半導體晶圓的安裝裝置，係經由支撐用黏著帶將半導體晶圓保持於晶圓框架之半導體晶圓的安裝裝置，該裝置包含以下之構成：框架保持部，其保持預先貼附有圓形之該黏著帶的該晶圓框架；晶圓保持部，其保持該半導體晶圓；昇降機構，其使該框架保持部與該晶圓保持部相對地上下移動；氣體供給部，其 在使黏著帶與該半導體晶圓接近且對向之狀態下，自該晶圓框架之內緣與該半導體晶圓的外緣之間的空間朝該半導體晶圓的背面側供給氣體；及貼附機構，其使貼附輥滾動於藉由該氣體而自該半導體晶圓之背面分離的該黏著帶上，將該黏著帶貼附於該半導體晶圓之背面。
根據該構成，可使預先貼附於晶圓框架之黏著帶密接於半導體晶圓的背面。
又，具有上述各構成之半導體晶圓的安裝裝置中，較佳為氣體供給部係由隔開既定間隔形成有複數個噴出孔且自各噴出孔朝向該半導體晶圓之背面中心供給氣體的環狀構件所構成，並具備追隨該貼附輥之滾動而自前進路線後方朝前方依序停止來自噴出孔之氣體供給的控制部。
此外，較佳為該控制部係隨著該貼附輥靠近黏著帶之貼附終端位置而減少氣體流量。
根據該構成，可確實地抑制在半導體晶圓之外周部分或黏著帶貼附結束端側容易於黏著帶產生之振動。因此，不會有黏著帶於貼附輥之前進路線前方先貼附於半導體晶圓之背面的情況。
又，較佳為具有上述各構成之半導體晶圓的安裝裝置中，以於晶圓保持部具備加熱黏著帶之加熱器。
根據該構成，通過藉由加熱器所加熱之半導體晶圓來加熱黏著帶之黏著劑。因此，可將藉由該加熱而軟化之黏著帶確實地貼附於半導體晶圓之背面。
又，上述各裝置中，較佳為於貼附輥之前方具有與該貼附輥相同長度之吸嘴，且該吸嘴伴隨貼附輥之移動，吸引前方之黏著帶以輔助黏著帶自半導體晶圓分離。
根據該構成，可更確實地防止於貼附輥通過之前，黏著帶便貼附於晶圓上的情況。
為了對發明進行說明，雖圖示有現階段被認為是較佳之數個形態，但應可理解的是，發明不限於圖示之構成及方法。
1‧‧‧半導體晶圓之安裝裝置
2‧‧‧晶圓供給部
3‧‧‧晶圓搬運機構
4‧‧‧對準台
5‧‧‧紫外線照射單元
6‧‧‧晶圓框架供給部
7‧‧‧晶圓框架搬運機構
8‧‧‧安裝框架製作部
9‧‧‧第一安裝框架搬運機構
10‧‧‧保護帶剝離裝置
11‧‧‧第二安裝框架搬運機構
12‧‧‧轉台
13‧‧‧安裝框架回收部
14‧‧‧機械手臂
15‧‧‧按壓機構
16‧‧‧按壓板
20‧‧‧吸盤
21‧‧‧帶供給部
22‧‧‧拉伸機構
23‧‧‧貼附單元
24‧‧‧切斷機構
24a‧‧‧切刀
25‧‧‧剝離單元
26‧‧‧帶回收部
27‧‧‧晶圓保持部
28‧‧‧框架保持部
29‧‧‧氣體供給部
30‧‧‧昇降驅動機構
31‧‧‧噴出孔
32‧‧‧加壓泵
33a-33c‧‧‧流路
34a-34c‧‧‧電磁閥
36‧‧‧縱壁
37‧‧‧軌道
38‧‧‧活動台
39‧‧‧活動框
40‧‧‧臂
41‧‧‧貼附輥
45‧‧‧剝離台
46‧‧‧帶供給部
47‧‧‧剝離單元
48‧‧‧帶回收部
49‧‧‧軌道
50‧‧‧脈衝馬達
51‧‧‧螺桿
55‧‧‧控制部
60‧‧‧剝離桿
W‧‧‧半導體晶圓
C‧‧‧晶圓盒
PT‧‧‧保護帶
f‧‧‧晶圓框架
DT‧‧‧黏著帶
MF‧‧‧安裝框架
Ts‧‧‧剝離帶
第1圖為顯示半導體晶圓之安裝裝置的整體構成之立體圖。
第2圖為顯示吸盤之概略構成之部分剖面圖。
第3圖為吸盤之底視圖。
第4圖為安裝框架製作部之底視圖。
第5圖為吸盤之側視圖。
第6圖為保護帶剝離裝置之前視圖。
第7圖為顯示貼附黏著帶之動作之示意圖。
第8圖為顯示貼附黏著帶之動作之示意圖。
第9圖為顯示自氣體供給部供給氣體之狀態之示意圖。
第10圖為顯示氣體之供給方式之圖。
第11圖為顯示貼附黏著帶之動作之示意圖。
第12圖為顯示切斷黏著帶之動作之示意圖。
第13圖為顯示切斷黏著帶之動作之示意圖。
第14圖為顯示剝離保護帶之動作之示意圖。
第15圖為顯示變化例之貼附黏著帶的動作之示意圖。
第16圖為顯示變化例之貼附黏著帶之動作之示意圖。
第17圖為顯示變化例之貼附黏著帶的動作之示意圖。
第18圖為顯示變化例之氣體的供給模式之圖。
第19圖為顯示變化例之貼附黏著帶的動作之示意圖。
第20圖為變化例之安裝框架製作部之底視圖。
以下，參照圖面對本發明之一實施例進行說明。
第1圖為本發明之一實施例，顯示半導體晶圓之安裝裝置的整體構成之局部剖視立體圖。
該半導體晶圓之安裝裝置1係由晶圓供給部2、晶圓搬運機構3、對準台4、紫外線照射單元5、晶圓框架供給部6、晶圓框架搬運機構7、安裝框架製作部8、第一安裝框架搬運機構9、保護帶剝離裝置10、第二安裝框架搬運機構11、轉台12及安裝框架回收部13所構成。以下，對各構成進行說明。
晶圓供給部2具備晶圓盒台。該晶圓盒台係用以載置多層地收納有經背面研磨處理後之半導體晶圓 W(以下簡稱為「晶圓W」)的晶圓盒C，該晶圓W之圖案面(以下適宜地稱為「表面」)貼附有保護帶PT。這時，晶圓W係保持使電路圖案面向上之水平姿勢。
晶圓搬運機構3具備機械手臂14及按壓機構15。此外，晶圓搬運機構3係構成為藉由驅動機構而可旋轉及昇降。即，可進行後述之機械手臂14前端之晶圓保持部、按壓機構15所具備之按壓板16的位置調整。此外，晶圓搬運機構3係將晶圓W自晶圓盒C搬運至對準台4。
機械手臂14具備其前端形成為未圖示之馬蹄形的晶圓保持部。此外，機械手臂14係構成為可使晶圓保持部出入於多層地收納於晶圓盒C之晶圓W間的間隙。又，於機械手臂14前端之晶圓保持部設有吸附孔，其可自背面真空吸附及保持晶圓W。
按壓機構15係於前端具備形成為與晶圓W大致相同形狀的圓形按壓板16。按壓板16係構成為以移動於載置在對準台4上之晶圓W的上方之方式而能使手臂部分進退。又，按壓板16之形狀不限於圓形，只要是能矯正產生於晶圓W之翹曲的形狀即可。例如，也可將桿狀物等之前端按壓於晶圓W的翹曲部分。
此外，按壓機構15係於將晶圓W載置於後述之對準台4的保持台上時，當發生吸附不良時進行動作。具體而言，於晶圓W發生翹曲而無法吸附保持晶圓W時，按壓板16按壓晶圓W之表面，對翹曲進行矯正而使晶圓成為平面狀態。於此狀態下，保持台自背面真空吸附晶圓W。
對準台4具備保持藉由機械手臂14所搬運之晶圓W的吸附墊。此吸附墊係自載置面出入。此外，對準台4具備根據所載置之晶圓W的周緣所具備之定向平面或凹口等進行定位，並覆蓋晶圓W之整個背面進行真空吸附的保持台。
此外，對準台4檢測真空吸附晶圓W時之壓力值，並對該實際測量值及與正常動作時(晶圓W被正常地吸附於保持台時)之壓力值相關而預先確定的基準值進行比較。於壓力值高於基準值(即，進氣管內之壓力未充分降低)之情況下，則判斷為晶圓W具有翹曲而未被吸附於保持台。然後，使按壓板16動作以按壓晶圓W進行翹曲矯正，藉此將晶圓W吸附於保持台上。
對準台4係構成為能於載置晶圓W並進行定位之初期位置與後述之安裝框架製作部8所具備的吸盤20之下方位置之間在吸附保持晶圓W之狀態下進行搬運移動。即，對準台4係在矯正晶圓W之翹曲而保持為平面狀態下搬運至下一製程。
紫外線照射單元5係配備於位在初期位置之對準台4的上方。紫外線照射單元5係朝保護帶PT照射紫外線，該保護帶PT係貼附於晶圓W之表面的紫外線硬化型之黏著帶。即，藉由紫外線之照射而使保護帶PT的黏著層硬化以降低黏著力。
晶圓框架供給部6係底部設有滑輪之箱型形狀者，且裝填於裝置本體內。此外，其以將上部開口而使多層地收納於內部之晶圓框架f滑動上昇並予送出的方式構成。
晶圓框架搬運機構7係自上側一片一片地依序真空吸附收納於晶圓框架供給部6內之晶圓框架f，將晶圓框架f依序搬運至未圖示的對準台及貼附黏著帶DT之位置。
安裝框架製作部8係自晶圓框架f及晶圓W之背面貼附黏著帶DT以製作安裝框架MF。此安裝框架製作部8係由吸盤20、帶供給部21、拉伸機構22、貼附單元23、切斷機構24、剝離單元25及帶回收部26所構成。
如第2及第3圖所示，吸盤20係由晶圓保持部27、框架保持部28及氣體供給部29所構成。此外，吸盤20係裝備於可於黏著帶DT之貼附位置及上方的待機位置之間進行昇降的昇降驅動機構30上。
晶圓保持部27係以能覆蓋添設有保護帶PT之晶圓W的表面而進行真空吸附之方式形成為與晶圓W大致相同形狀的圓形。
框架保持部28係由配合晶圓框架f之內緣將中央裁切成圓形的吸附板所構成。此外，框架保持部28係沿中央之裁切部周邊而於背面側設有複數個吸附墊。即，框架保持部28係吸附保持晶圓框架f。
又，晶圓保持部27及框架保持部28係連通具有電磁閥之流路而與外部的真空源連通連接。
氣體供給部29係由附設於晶圓保持部27之外周的環狀構件所構成。於環狀構件之背面隔開既定間隔形成有噴出氣體的複數個噴出孔31。如第2圖所示， 噴出孔31係自環狀構件之內部朝向晶圓保持部27的中心傾斜。即，於晶圓保持部27吸附保持晶圓W時，如第9圖所示，朝晶圓W之中心供給氣體。
此外，例如，氣體供給部29係沿貼附輥41之行進方向分為A-C之三個區域，且可對A-C之每個區域供給氣體及停止氣體供給。又，如第2圖所示，氣體供給部29係將連通連接於加壓泵32之一條流路朝各區域分叉連接，並於這些各個流路33a-33c具備電磁閥34a-34c。藉由控制部55對各電磁閥34a-34c之開閉動作進行控制。又，本實施例中，雖利用空氣作為氣體，但也可為其他氣體。
昇降驅動機構30具備可藉由馬達等沿配置於縱壁36之軌道37進行昇降的活動台38、可調節高度地支撐於該活動台38之活動框39、及自該活動框39朝前方延伸之臂40。於臂40之前端部安裝有吸盤20。
帶供給部21係朝吸附保持於吸盤20之晶圓W及晶圓框架f的背面側供給黏著帶DT。
如第4及第5圖所示，拉伸機構22係將黏著帶DT自寬度方向之兩端夾入，並朝帶寬方向施加張力。即，當使用軟黏著帶DT時，因施加於帶供給方向之張力，會沿該供給方向於黏著帶DT之表面產生縱向皺摺。為了避開此縱向皺摺而將黏著帶DT均勻地貼附於晶圓框架f，自帶寬方向側施加張力。又，於黏著帶DT之長度方向，藉由隔著貼附位置而配置於上游側及下游側之輥施加適量的張力。
如第1圖所示，貼附單元23係配備於保持在黏著帶DT之上方的晶圓框架f之斜下方(第1圖中為左斜下方)的待機位置。於貼附單元23設有周面以能彈性變形之彈性體所被覆的貼附輥41。又，貼附單元23相當於本發明之貼附機構。
切斷機構24係安裝於使切刀24a之刃口向上的切刀保持器。切斷機構24係配置於載置有晶圓框架f之黏著帶DT的下方。當藉由貼附單元23將黏著帶DT貼附於晶圓框架f時，拉伸機構22對黏著帶DT之保持被開放，於是切斷機構24上昇。上昇之切斷機構24沿晶圓框架f將黏著帶DT切斷成圓形。
剝離單元25係自晶圓框架f剝離藉由切斷機構24所裁斷之黏著帶DT的不要部分。具體而言，當黏著帶DT朝晶圓框架f之貼附及裁斷結束時，拉伸機構22對黏著帶DT之保持被開放。接著，剝離單元25使晶圓框架f上朝帶供給部21側移動，將裁斷後之不要的支撐用黏著帶DT剝離。
帶回收部26係將藉由剝離單元25所剝離之不要的黏著帶DT捲繞回收於捲軸上。
第一安裝框架搬運機構9係真空吸附一體地形成有晶圓框架f及晶圓W之安裝框架MF，並移載於保護帶剝離裝置10之剝離台45。
如第6圖所示，保護帶剝離裝置10係由剝離台45、帶供給部46、剝離單元47及帶回收部48所構成。
剝離台45係構成為自背面側真空吸附安裝框架MF，且支撐於沿前後水平配備之左右一對軌道49可前後滑動地支撐之活動台上。此外，活動台係構成為藉由以脈衝馬達50正反驅動之螺桿51而被螺旋式進給驅動。
帶供給部46係將自原始滾筒導出之剝離帶Ts朝剝離單元47之下端部導引及供給。
剝離單元47係安裝於經由設於基台之縱軌而可昇降的昇降台上。此剝離單元47之下端部安裝有剝離桿60。
帶回收部48係捲繞回收自剝離單元47送出之剝離帶Ts。
返回第1圖，第二安裝框架搬運機構11係真空吸附自保護帶剝離裝置10送出之安裝框架MF並移載於轉台12。
轉台12係以進行安裝框架MF之位置定位及安裝框架MF朝安裝框架回收部13的收納之方式構成。即，當藉由第二安裝框架搬運機構11將安裝框架MF移載於轉台12上時，根據晶圓W之定向平面或晶圓框架f之定位形狀等進行位置定位。此外，為了改變安裝框架MF朝安裝框架回收部13的收納方向，轉台12係形成為能旋轉。又，轉台12係當收納方向確定時藉由未圖示之推桿推出安裝框架MF，將安裝框架MF收納於安裝框架回收部13。
安裝框架回收部13係載置於未圖示之能昇降的載置台。即，藉由載置台昇降移動，可將藉由推桿推出之安裝框架MF收納於安裝框架回收部13的任意一層。
其次，參照第7至第14圖對上述實施例裝置之一個循環之動作進行說明。
機械手臂14之晶圓保持部插入晶圓盒C之間隙。然後，自下方吸附保持晶圓W並且一片片地取出。取出之晶圓W被搬運至對準台4。
藉由機械手臂14將晶圓W載置於保持台，並自背面吸附保持。此時，藉由未圖示之壓力計檢測晶圓W的吸附水準，並對此實際測量時及與正常動作時之壓力值相關而預先確定之基準值進行比較。
於檢測出吸附異常之情況下，藉由按壓板16自表面按壓晶圓W，於矯正了翹曲之平面狀態下吸附保持晶圓W。此外，晶圓W係根據定向平面或凹口等進行位置定位。
當於對準台4上結束定位時，藉由紫外線照射單元5朝晶圓W之表面照射紫外線。
當實施了紫外線之照射處理，晶圓W就以吸附保持於保持台之狀態由每個對準台4搬運至安裝框架製作部8。即，對準台4移動至吸盤20之下方。
於自晶圓供給部2朝吸盤20搬運晶圓W之期間，晶圓框架f被搬運至吸盤20之下方。多層地收納於晶圓框架供給部6內之晶圓框架f，藉由晶圓框架搬運 機構7自上方被各一片地真空吸附取出。取出之晶圓框架f於未圖示之對準台進行位置定位之後，被搬運至黏著帶DT之上方的黏著帶貼附位置。
當藉由晶圓框架搬運機構7將晶圓框架f搬運至黏著帶之貼附位置時，吸盤20下降，並藉由框架保持部28吸附保持晶圓框架f。
同樣地，當對準台4於帶貼附位置上方的既定位置待機時，位於上方之吸盤20下降，晶圓保持部27之底面抵接於晶圓W開始真空吸附。當晶圓保持部27之真空吸附開始時，對準台4之保持台側的吸附保持被開放，於吸盤20進行翹曲矯正而平面保持晶圓W之狀態下接取晶圓W。於是接收了晶圓W之對準台4返回初期位置。
又，藉由吸盤20吸附保持晶圓框架f及晶圓W之順序可適宜地變更。
於吸盤20吸附保持晶圓框架f及晶圓W時，如第7圖所示，晶圓框架f及晶圓W之背面的高度相同，或者將晶圓背面調整為略高。
接著，貼附輥41朝貼附開始位置移動，並且拉伸機構22把持黏著帶DT之寬度方向的兩端，朝帶寬度方向移動而對黏著帶DT施加張力。
貼附輥41上昇，如第8圖所示，將黏著帶DT按壓並貼附於晶圓框架f之兩端。然後，貼附輥41朝位於待機位置之帶供給部46側滾動，將黏著帶DT貼附於晶圓框架f及晶圓W之兩個背面。
此時，例如，藉由旋轉編碼器等之感測器檢測貼附輥41之位置，並將檢測信號輸送至控制部55。控制部55根據自檢測信號算出之距離資料，自預先決定之晶圓框架f及晶圓W之匹配資料依序求取貼附輥41之位置。也可不檢測貼附輥41之位置，而是自貼附輥41之移動速度及時間計算出移動距離。
當貼附輥41之長度方向的中心超過晶圓框架f時，控制部55使氣體供給部29動作並開啟電磁閥34a-34c。於是，氣體供給部29自晶圓框架f之內緣與晶圓W的外緣之間開始供給氣體。
如第9圖之箭頭所示，氣體朝向晶圓W之中心流動於晶圓W與黏著帶DT之間。即，如第11圖所示，氣體於貼附輥41之前方將未黏著於晶圓W之黏著帶DT朝下方壓下，以使晶圓W與黏著帶DT之距離保持一定。
控制部55一面以感測器依序監視貼附輥41之位置，一面確認貼附輥41通過各區域A-C之情況，每當通過區域A-C，即依序關閉電磁閥34a-34c，如第10圖所示，停止氣體之供給。
當貼附輥41到達貼附位置之終端時，藉由拉伸機構22對黏著帶DT之保持被開放。
第12圖所示之下方的切斷機構24如第13圖所示般上昇，沿晶圓框架f將黏著帶DT裁斷成圓形。此時，貼附輥41追蹤切刀24a之移動進行滾動，對黏著帶DT之切斷部位進行按壓及貼附。當黏著帶DT之切斷結束時，剝離單元25朝帶供給部21側移動，剝離不要之黏著帶DT。
接著，帶供給部21動作以送出黏著帶DT，並將裁斷之不要部分的帶朝帶回收部25送出。此時，貼附輥41朝貼附開始位置移動。
將黏著帶DT貼附於晶圓W及晶圓框架f而製作之安裝框架MF，自吸盤20被交付給第一安裝框架搬運機構9。
第一安裝框架搬運機構9將安裝框架MF載置於保護帶剝離裝置10之剝離台45。
保持了安裝框架MF之剝離台45自待機位置朝剝離帶Ts的貼附開始位置移動。如第14圖所示，使剝離桿60朝晶圓W之貼附開始端下降。此時，捲繞於剝離桿60之剝離帶Ts被按壓貼附於晶圓W上的保護帶PT上。
剝離台45前行移動既定之距離。此時，剝離帶Ts被貼附於保持帶PT上直至帶寬度剝離終端為止。同時，藉由剝離桿60一面折返剝離帶Ts一面一體地將保護帶PT自晶圓W之表面剝離。
與保護帶PT成為一體之剝離帶Ts以與剝離帶45之移動速度同步的速度，藉由帶回收部48之捲軸進行捲繞。
當保護帶PT完全自晶圓W之表面剝離時，剝離單元47返回初期狀態準備下一處理。
結束了保護PT之剝離處理的安裝框架MF，藉由剝離台45移動至第二安裝框架搬運機構11之待機位置。
自保護帶剝離裝置10交出之安裝框架MF，藉由第二安裝框架搬運機構11移載於轉台12。被移載之安裝框架MF藉由定向平面或凹口等進行定位，並進行收納方向之調節。當定位及收納方向確定時，安裝框架MF藉由推桿推出而被收納於安裝框架回收部13。
以上，完成了實施例裝置之一個循環的動作，之後，反復地進行相同動作直到達到既定片數為止。
根據上述實施例裝置，於將黏著帶DT貼附於晶圓W之背面時，藉由氣體供給部29自晶圓框架f之內緣與晶圓W的外緣之間使氣體流動於晶圓W與黏著帶DT之間。此時，藉由氣體之風壓，黏著帶DT被向下方壓下。因此，於貼附輥41之前方未黏著於晶圓W的背面之黏著帶DT，距晶圓W之距離保持為一定。換言之，於貼附輥41通過之前，不會有未黏著於晶圓W之黏著帶DT發生起伏波動而不必要地黏著於晶圓W之背面並由此產生皺摺的情況。
又，本發明還可依以下之實施形態實施。
(1)也可於將黏著帶DT貼附於晶圓框架f之後，將黏著帶DT貼附於晶圓W之背面。也就是說，也可先將帶狀之黏著帶DT貼附於晶圓框架f進行切斷，也可先將圓形之預切割帶貼附於晶圓框架f。
例如，構成吸盤20之晶圓保持部27及晶圓保持部28係構成為可藉由獨立之驅動機構進行昇降。以下，對將黏著帶DT貼附於晶圓W之背面的一個循環動作進行說明，其中晶圓框架f上預先貼附有該黏著帶DT。
如第15圖所示，於貼附有吸附保持於框架保持部28之黏著帶DT的晶圓框架f之中央，使吸附保持晶圓W之晶圓保持部27移動。
如第16圖所示，於使晶圓W接近並與黏著帶DT對向之狀態下，使以彈性體覆被之貼附輥41上昇並以適量之按壓接觸於開始端側的晶圓框架f。於維持此狀態之下，如第17圖所示，使貼附輥41滾動，將黏著帶DT按壓並貼附於晶圓W之背面。
與上述實施例類似，於黏著帶DT之貼附過程中，每當貼附輥41通過氣體供給部29之分割區域時，停止氣體之供給。
根據該構成，即使於將黏著帶預先貼附於晶圓框架f之狀態下，當將黏著帶DT貼附於晶圓W之背面時，氣體仍流動於晶圓W之背面與黏著帶DT之間。因此，可使貼附輥41之前方未黏著之黏著帶DT與晶圓W之背面保持一定距離，所以可避免於貼附輥41通過之前，黏著帶DT發生起伏波動而先黏著於晶圓背面之情況。
(2)上述實施例中，將供給於氣體供給部29之分割區域A-C的氣體的流量設為一定，但也可適宜地變更流量。例如，如第18圖所示，貼附輥41在通過區域B時漸漸地減少流量。
若以相同流量持續地供給氣體，隨著朝晶圓W之背面的未黏著部分之黏著帶DT的距離變短，於位在晶圓W之終端側的黏著帶DT的部分容易引起振動。 然而，藉由依上述方式調整氣體之流量，可抑制黏著帶DT發生振動。
(3)上述各實施例裝置中，也可於貼附輥41之前方自下方吸引黏著帶DT。於此情況下，由於輔助性地吸引黏著帶DT，所以，以設定為與藉由自氣體供給部29供給之氣體所作用於黏著帶DT的風壓相同程度之吸引力或此吸引力以下為較佳。
又，例如，如第19及第20圖所示，黏著帶DT之吸引可藉由於貼附輥41之前方安裝與該貼附輥41相同長度的吸嘴70來實現。
(4)上述各實施例裝置中，將來自氣體供給部29之氣體供給區域分為三個區域A-C，但不限於該形態，也可分為3個以下或3個以上之區域。
(5)上述各實施例裝置中，也可為於晶圓保持部27埋設加熱器之構成。根據該構成，黏著帶DT之黏著劑藉由加熱器被加熱軟化。因此，容易將黏著帶DT密接於晶圓W之背面。
(6)上述各實施例裝置中，對氣體供給部29之供給區域進行分割來設定氣體之供給方式，但也可不分割區域，而是持續地供給氣體直至黏著帶DT朝晶圓W之背面的次貼附完成為止。
本發明只要未超出發明之思想及實質範圍，即可以其他之具體形態實施，因此，作為顯示發明之範圍者，不是以上述之說明，應參照附加之申請專利範圍。

Claims (11)

  1. 一種半導體晶圓的安裝方法，係經由支撐用黏著帶將半導體晶圓保持於晶圓框架之半導體晶圓的安裝方法，該方法包含以下之過程：氣體供給過程，藉由氣體供給部自該晶圓框架之內緣與該半導體晶圓的外緣之間的空間供給氣體，使氣體流動於該半導體晶圓之背面與該黏著帶之間；及貼附過程，使貼附輥滾動於藉由該氣體而自半導體晶圓之背面分離的該黏著帶上，將該黏著帶貼附於半導體晶圓之背面，該氣體供給部係於環狀構件隔開既定間隔形成有複數個噴出孔，並自各噴出孔朝該半導體晶圓之背面中心供給氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓的安裝方法，其中追隨該貼附輥之滾動自前進路線後方朝前方依序停止來自噴出孔之氣體供給。
  3. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓的安裝方法，其中隨著該貼附輥靠近該黏著帶之貼附終端位置，逐漸減少氣體之流量。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓的安裝方法，其中該黏著帶為帶狀，於貼附過程中同時將該黏著帶貼附於該晶圓框架及該半導體晶圓上。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓的安裝方法，其中該黏著帶係預先貼附於該晶圓框架上。
  6. 一種半導體晶圓的安裝裝置，係經由支撐用黏著帶將半導體晶圓保持於晶圓框架之半導體晶圓的安裝裝置，該裝置包含以下之構成：框架保持部，其保持該晶圓框架；晶圓保持部，其保持該半導體晶圓；帶供給部，其朝該晶圓框架與該半導體晶圓之背面供給帶狀之該黏著帶；氣體供給部，其自藉由該框架保持部所保持之晶圓框架與藉由該晶圓保持部所保持之半導體晶圓之間的空間朝該半導體晶圓的背面側供給氣體；貼附機構，其使貼附輥滾動於藉由該氣體而自半導體晶圓之背面分離的該黏著帶上，將黏著帶貼附於晶圓框架與半導體晶圓之背面；切斷機構，其於該晶圓框架上使切斷構件移動來切斷黏著帶；及回收部，其回收被切除之該黏著帶，該氣體供給部係由隔開既定間隔形成有複數個噴出孔且自各噴出孔朝向該半導體晶圓之背面中心供給氣體的環狀構件所構成，並具備追隨該貼附輥之滾動而自前進路線後方朝前方依序停止來自噴出孔之氣體供給的控制部。
  7. 如申請專利範圍第6項之半導體晶圓的安裝裝置，其中該裝置進而具備以下之構成：隔著該晶圓框架自上游側及下游朝該黏著帶施加張力之輥；及隔著該晶圓框架自寬度方向對黏著帶施加張力之拉伸機構。
  8. 一種半導體晶圓的安裝裝置，係經由支撐用黏著帶將半導體晶圓保持於晶圓框架之半導體晶圓的安裝裝置，該裝置包含以下之構成：框架保持部，其保持預先貼附有圓形之該黏著帶的該晶圓框架；晶圓保持部，其保持該半導體晶圓；昇降機構，其使該框架保持部與該晶圓保持部相對地上下移動；氣體供給部，其在使黏著帶與該半導體晶圓接近且對向之狀態下，自該晶圓框架之內緣與該半導體晶圓的外緣之間的空間朝該半導體晶圓的背面側供給氣體；及貼附機構，其使貼附輥滾動於藉由該氣體而自該半導體晶圓之背面分離的該黏著帶上，將該黏著帶貼附於該半導體晶圓之背面，該氣體供給部係由隔開既定間隔形成有複數個噴出孔且自各噴出孔朝向該半導體晶圓之背面中心供給氣體的環狀構件所構成，並具備追隨該貼附輥之滾動而自前進路線後方朝前方依序停止來自噴出孔之氣體供給的控制部。
  9. 如申請專利範圍第8項之半導體晶圓的安裝裝置，其中該控制部係隨著該貼附輥靠近該黏著帶之貼附終端位置而減少氣體的流量。
  10. 如申請專利範圍第6或8項之半導體晶圓的安裝裝置，其中於該晶圓保持部具備加熱該黏著帶之加熱器。
  11. 如申請專利範圍第6或8項之半導體晶圓的安裝裝置，其中於該貼附輥之前方具有與該貼附輥相同長度之吸嘴，且該吸嘴伴隨貼附輥之移動，吸引前方之黏著帶以輔助黏著帶自半導體晶圓分離。
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