TWI634396B - 曝光方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種曝光方法包括以第一和第二光罩對光敏層進行圖案化製程。第一光罩具有彼此間隔第一距離D1的多個第一圖案，其具有第一寬度W1和第一邊緣；第二光罩具有彼此間隔第二距離D2的多個第二圖案，其具有第二寬度W2、第二邊緣、第一部份和第二部份；W1≠W2，D1≠D2，W1+D1=W2+D2，且第一光罩和第二光罩符合下述任一者的條件： 條件(1)：第二圖案的正投影中心實質上對齊第一圖案的正投影中心； 條件(2)：第二邊緣的正投影實質上對齊第一邊緣的正投影； 條件(3)：第一部份的正投影位於第一圖案的正投影以外，第二部份的正投影位於第一圖案的正投影以內。

Description

曝光方法

本發明是有關於一種曝光方法，且特別是有關於一種多重曝光方法。

目前的顯示面板包括有全反射型、半穿反型和微穿透型等類別，其共通點是顯示面板具有一反射層。就獲得高反射效率的觀點而言，覆蓋於凸塊(bump)上的反射層比覆蓋於平面上的反射層為佳，並且凸塊表面斜率的變化影響顯示面板的反射率。因此，如何良好地控制凸塊表面斜率以提升顯示面板的反射率，實為相關技術者所欲改善之課題。

此外，透過對光敏層進行圖案化製程可獲得凸塊。然而，在高解析度的顯示面板中，因畫素較小凸塊的尺寸需設計的較小，甚至超過圖案化製程的極限。因此，需要一種能夠滿足高解析度顯示面板的凸塊設計需求的解決方案。

本發明提供一種曝光方法，對於凸塊表面斜率保有較大的設計空間且可應用於高解析度顯示面板。

本發明的曝光方法包括提供一基底、於基底上形成一光敏層以及對光敏層進行圖案化製程。圖案化製程包括依序以一第一光罩和一第二光罩對光敏層進行曝光。第一光罩具有多個第一圖案，多個第一圖案彼此間隔一第一距離D1且每一第一圖案具有一第一寬度W1和一第一邊緣；第二光罩具有多個第二圖案，多個第二圖案彼此間隔一第二距離D2且每一第二圖案具有一第二寬度W2、一第二邊緣、一第一部份和一第二部份；其中，W1≠W2，D1≠D2，W1+D1=W2+D2，且在垂直基底的方向上，第一光罩和第二光罩符合下述任一者的條件： 條件(1)：所述第二圖案的正投影中心實質上對齊所述第一圖案的正投影中心； 條件(2)：所述第二邊緣的正投影實質上對齊所述第一邊緣的正投影； 條件(3)：所述第一部份的正投影位於所述第一圖案的正投影以外，所述第二部份的正投影位於所述第一圖案的所述正投影以內。

在本發明的一實施例中，W1＞W2且D1＜D2。

在本發明的一實施例中，W1＜W2且D1＞D2。

在本發明的一實施例中，圖案化製程還包括將第一光罩固定在一第一位置以進行曝光，以及將固定在第一位置的第一光罩置換為第二光罩再進行曝光。

在本發明的一實施例中，圖案化製程還包括將第一光罩固定在一第一位置以進行曝光，以及將第二光罩固定在一第二位置再進行曝光，第二位置與第一位置在同一水平面上彼此偏移。

在本發明的一實施例中，曝光方法還包括在上述曝光之後以一第三光罩對光敏層進行曝光。第三光罩具有多個第三圖案，多個第三圖案彼此間隔一第三距離D3且每一第三圖案具有一第三寬度W3和一第三邊緣，其中W1+D1=W2+D2=W3+D3，W1＞W2＞W3且D1＜D2＜D3，而在分別滿足上述條件(1)、條件(2)和條件(3)時，在垂直基底的方向上第三光罩符合下述的條件： 條件(1-1)：第三圖案的正投影中心實質上對齊第一圖案的正投影中心和第二圖案的正投影中心； 條件(2-1)：第三邊緣的正投影實質上對齊第一邊緣的正投影和第二邊緣的正投影；以及 條件(3-1)：第三圖案的正投影與第二部份的正投影的一部份重疊，且第一部份的正投影位於第三圖案的正投影以內。

在本發明的一實施例中，曝光方法還包括在上述曝光之後以一第三光罩對光敏層進行曝光。第三光罩具有多個第三圖案，多個第三圖案彼此間隔一第三距離D3且每一第三圖案具有一第三寬度W3和一第三邊緣，其中W1+D1=W2+D2=W3+D3，W1＜W2＜W3、D1＞D2＞D3，而在分別滿足上述條件(1)、條件(2)和條件(3)時，在垂直基底的方向上第三光罩符合下述的條件： 條件(1-1)：第三圖案的正投影中心實質上對齊第一圖案的正投影中心和第二圖案的正投影中心； 條件(2-1)：第三邊緣的正投影實質上對齊第一邊緣的正投影和第二邊緣的正投影；以及 條件(3-1)：第三圖案的正投影與第二部份的正投影的一部份重疊，且第一部份的正投影位於第三圖案的正投影以內。

在本發明的一實施例中，圖案化製程還包括將第一光罩固定在一第一位置以進行曝光，以及將固定在第一位置的第一光罩依序置換為第二光罩和第三光罩且分別進行曝光。

在本發明的一實施例中，圖案化製程還包括將第一光罩固定在一第一位置以進行曝光，將第二光罩固定在一第二位置再進行曝光，第二位置與所述第一位置在同一水平面上彼此偏移，以及將第三光罩固定在一第三位置再進行曝光，第三位置位於水平面上且與第一位置或第二位置相同。

在本發明的一實施例中，圖案化製程還包括將第一光罩固定在一第一位置以進行曝光，將第二光罩固定在一第二位置再進行曝光，第二位置與第一位置在同一水平面上彼此偏移，以及將第三光罩固定在一第三位置再進行曝光，第三位置位於水平面上且與第一位置或第二位置不同。

基於上述，在本發明一實施例中，第一光罩和第二光罩之間的圖案配置關係符合W1≠W2，D1≠D2，W1+D1=W2+D2，並且在垂直基底的方向上，第一光罩和第二光罩符合上述條件(1)至條件(3)中的任一者，因此可良好地控制凸塊表面斜率且對凸塊表面斜率保有較大的設計空間。特別是，當第一光罩和第二光罩符合上述條件(3)時，適合製作高解析度顯示面板中的凸塊。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1和圖2是依照本發明各實施例的曝光方法於形成光敏層的步驟圖。

請先參照圖1和圖2。本發明各實施例的曝光方法始於圖1，提供一基底100。接著，如圖2所示，於基底100上形成光敏層102。形成光敏層102的方法沒有特別地限制，可列舉旋塗(spin-coating)、浸塗(dipping)、輥塗(roller-coating)或其他塗佈技術。之後，對光敏層102進行圖案化製程，其詳細步驟將配合所附圖式於下文中詳細說明。

圖3A至圖3D是依照本發明第一實施例的曝光方法於圖案化製程的步驟圖。

請參照圖3A。將第一光罩104固定在一第一位置，第一位置位於光敏層102上方。第一光罩104具有多個第一圖案104P，多個第一圖案104P彼此間隔一第一距離D1且每一第一圖案104P具有一第一寬度W1。隨後，對光敏層102進行第一次曝光。將一光源投射至第一光罩104時，一部分的光被第一圖案104P遮蔽，一部分的光由相鄰的第一圖案104P之間穿過並照射至光敏層102表面的第一區A1，以改變自光敏層102的表面延伸至第一深度t1(以小的點虛線表示)範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度。換言之，第一深度t1為第一次曝光的曝光深度。第一區A1具有與第一光罩104的第一寬度D1相同的寬度。

請參照圖3B。將固定在第一位置的第一光罩104置換為第二光罩106。第二光罩106具有多個第二圖案106P，多個第二圖案106P彼此間隔一第二距離D2且每一第二圖案106P具有一第二寬度W2，其中W1≠W2，D1≠D2，W1+D1=W2+D2。詳言之，第一光罩104和第二光罩106之間的圖案配置關係可參照圖15，圖15可表示本發明第一實施例中各光罩之間於相同固定位置時的圖案配置關係圖。請同時參照圖3A、圖3B和圖15。在本實施例中，W1＞W2，D1＜D2，W1+D1=W2+D2，且在垂直基底100的方向上，第二圖案106P的正投影中心實質上對齊第一圖案104P的正投影中心，使得後續所形成的凸塊102B(示於圖3D)為對稱式。換言之，在本發明其他實施例中，如果第一光罩104和第二光罩106的圖案配置關係能符合上述，則第二光罩106不一定需要固定在第一位置，第二光罩106可固定在一第二位置，第二位置與第一位置位於同一水平面且第二位置和第一位置可不同。圖16表示相較於圖15各光罩之間於同一水平面但不同固定位置時的圖案配置關係的一種態樣。圖16的第一光罩104和第二光罩106的圖案配置關係和圖15的第一光罩104和第二光罩106的圖案配置關係相同，亦可獲得對稱式的凸塊102B。圖16和圖15的差異在於：固定第二光罩106的第二位置與固定第一光罩104的第一位置在同一水平面上彼此偏移一距離ΔX。

請再次參照圖3B。於固定第二光罩106之後，對光敏層102進行第二次曝光。將一光源投射至第二光罩106時，一部分的光被第二圖案106P遮蔽，一部分的光由相鄰的第二圖案106P之間穿過並照射至光敏層102表面的第二區A2。第二區A2具有與第二光罩106的第二寬度D2相同的寬度且第二區A2的中心和第一區A1的中心對齊。因此，當第二次曝光的光照射至第二區A2時，位於第一區A1的第一深度t1範圍內的光敏層102已經和光完成反應，所以在第一區A1和第二區A2重疊的區域改變了自第一深度t1延伸至第二深度t2(以線虛線表示)範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度，並且在第一區A1和第二區A2未重疊的區域改變了自光敏層102的表面延伸至第二深度t2範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度。換言之，第二深度t2為第二次曝光的曝光深度。圖3B示例性地表示第一深度t1和第二深度t2為相同，但本發明不限於此，在其他實施例中，第一深度t1和第二深度t2可不同。在本實施例中，透過調整第一寬度W1和第二寬度W2、和/或調整第一深度t1和第二深度t2可改變後續所形成的凸塊102B(示於圖3D)的表面斜率或形狀，相較於單重曝光方法有助於反射率的提升。

請參照圖3C。以顯影液去除位於第一深度t1和第二深度t2的光敏層102以獲得初始凸塊102A。每一初始凸塊102A具有一頂點，位於頂點相對兩側的表面彼此對稱且分別由多個階梯狀(例如2個階梯)的表面構成。

請參照圖3D。對初始凸塊102A進行烘烤以改善表面平整度，所得凸塊102B的表面較初始凸塊102A平滑。

圖4A至圖4C是依照本發明第二實施例的曝光方法於部份圖案化製程的步驟圖。

本發明第二實施例的曝光方法是先進行上述圖1至圖3B的步驟。接著，如圖4A所示，將固定在第一位置的第二光罩106置換為第三光罩108。第三光罩108具有多個第三圖案108P，多個第三圖案108P彼此間隔一第三距離D3且每一第三圖案108P具有一第三寬度W3。第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108之間的圖案配置關係可參照圖15，圖15可表示本發明第二實施例中各光罩之間於相同固定位置時的圖案配置關係圖。請同時參照圖3A、圖3B、圖4A和圖15。在本實施例中，W1+D1=W2+D2=W3+D3，W1＞W2＞W3，D1＜D2＜D3，且在垂直基底100的方向上，第三圖案108P的正投影中心實質上對齊第一圖案104P的正投影中心和第二圖案106P的正投影中心，使得後續所形成的凸塊102D(示於圖4C)為對稱式。換言之，在本發明的其他實施例中，如果第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108的圖案配置關係能符合上述，則第三光罩108不一定需要固定在第一位置，第三光罩108可固定在一第三位置，第三位置與第一位置位於同一水平面，其中當固定第二光罩106的第二位置與固定第一光罩104的第一位置相同時，第三位置可與第一位置(和第二位置)不同，而當固定第二光罩106的第二位置與固定第一光罩104的第一位置在同一水平面上彼此偏移時，第三位置可與第一位置或第二位置相同或者第三位置可與第一位置或第二位置不同。圖16表示相較於圖15各光罩之間於同一水平面但不同固定位置時的圖案配置關係的一種態樣。圖16的各光罩之間的圖案配置關係和圖15的各光罩之間的圖案配置關係相同，亦可獲得對稱式的凸塊102D。圖16和圖15的差異在於：固定第二光罩106的第二位置與固定第一光罩104的第一位置在同一水平面上彼此偏移一距離ΔX，而固定第三光罩108的第三位置與固定第一光罩104的第一位置相同。

請再次參照圖4A。於固定第三光罩108之後，對光敏層102進行第三次曝光。將一光源投射至第三光罩108時，一部分的光被第三圖案108P遮蔽，一部分的光由相鄰的第三圖案108P之間穿過並照射至光敏層102表面的第三區A3。第三區A3具有與第三光罩108的第三寬度D3相同的寬度，且第三區A3的中心與第一區A1的中心和第二區A2的中心重疊。因此，當第三次曝光的光照射至第三區A3時，位於第一區A1的第一深度t1範圍內的和位於第二區A2的第二深度t2範圍內的光敏層102已經和光完成反應，所以在第一區A1、第二區A2和第三區A3重疊的區域改變了自第二深度t2延伸至第三深度t3(以大的點虛線表示)範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度，在第二區A2和第三區A3重疊的區域改變了自第二深度t2延伸至第三深度t3範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度，並且在第二區A2和第三區A3未重疊的區域改變了自光敏層102的表面延伸至第三深度t3範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度。換言之，第三深度t3為第三次曝光的曝光深度。圖4A示例性地表示第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3為相同，但本發明不限於此，在其他實施例中，第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3可不同或者第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3中的至少兩者可相同。本發明第二實施例相較於第一實施例可再透過調整第三光罩108中第三寬度W3和/或第三深度t3而形成如圖4B所示的初始凸塊102C。

請參照圖4B。以顯影液去除位於第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3的光敏層102以獲得初始凸塊102C。每一初始凸塊102C具有一頂點，位於頂點兩側的表面彼此對稱且分別由多個階梯狀(例如3個階梯)的表面構成。以圖3C和圖4B為例，對於在垂直基底100的方向上具有相同正投影面積的凸塊而言，圖4B的初始凸塊102C位於頂點相對兩側的階梯狀表面分別含有3個階梯(第二實施例)，圖3C的初始凸塊102A位於頂點相對兩側的階梯狀表面分別含有2個階梯(第一實施例)，表示本發明第二實施例相較於第一實施例對後續所形成的凸塊表面斜率或形狀有更好地控制能力且對後續所形成的凸塊的表面斜率有較好的設計空間。

請參照圖4C。對初始凸塊102C進行烘烤以獲得表面平滑的凸塊102D。

圖5A至圖5D是依照本發明第三實施例的曝光方法於圖案化製程的步驟圖。本發明第三實施例的曝光方法是先進行上述圖1至圖2的步驟，且圖5A至圖5D的基本圖案化製程步驟與圖3A至圖3D的基本圖案化製程步驟相同，故以下主要針對其差異點進行描述，而對於圖5A至圖5D的圖案化製程步驟僅作簡單描述，其具體內容可參見上述實施例。

請參照圖5A和圖5B。在基底100上形成光敏層102後，依序以第一光罩104和第二光罩106對光敏層102進行曝光。第一光罩104和第二光罩106之間的圖案配置關係可參照圖17，圖15可表示本發明第三實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。請同時參照圖5A、圖5B和圖17。在本實施例中，W1＜W2，D1＞D2，W1+D1=W2+D2，且在垂直基底100的方向上，第二圖案106P的正投影中心實質上對齊第一圖案104P的正投影中心，使得後續所形成的凸塊102F(示於圖5D)為對稱式。

請再次參照圖5B，當第二次曝光的光照射至第二區A2時，位於第一區A1的第一深度t1範圍內的光敏層102已經和光完成反應，所以在第一區A1和第二區A2重疊的區域改變了自第一深度t1延伸至第二深度t2範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度。圖5B示例性地表示第一深度t1和第二深度t2為相同，但本發明不限於此，在其他實施例中，第一深度t1和第二深度t2可不同。

請參照圖5C。以顯影液去除位於第一深度t1和第二深度t2的光敏層102以獲得初始凸塊102E。值得注意的是，雖然圖5C所繪示的初始凸塊102E(第三實施例)和圖3C所繪示的初始凸塊102A(第一實施例)不同，但應理解的是，如果將第一實施例所使用的第二光罩106和第一光罩104分別作為第三實施例中的第一光罩104和第二光罩106，則可獲得如圖3C所示的初始凸塊102A。反之，如果將第三實施例所使用的第一光罩104和第二光罩106分別作為第一實施例中的第二光罩106和第一光罩104，則可獲得如圖5C所示的初始凸塊102C。

請參照圖5D。對初始凸塊102E進行烘烤以獲得表面平滑的凸塊102F。

圖6A至圖6C是依照本發明第四實施例的曝光方法於部份圖案化製程的步驟圖。本發明第四實施例的曝光方法是先進行上述圖1至圖2、圖5A至圖5B的步驟，且圖6A至圖6C的基本圖案化製程步驟與圖4A至圖4C的基本圖案化製程步驟相同，故以下主要針對其差異點進行描述，而對於圖6A至圖6C的圖案化製程步驟僅作簡單描述，其具體內容可參見上述實施例。

請參照圖6A。將第二光罩106置換為第三光罩108以對光敏層102進行第三次曝光。第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108之間的圖案配置關係可參照圖17，圖17可表示本發明第四實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。請同時參照圖5A、圖5B、圖6A和圖17。在本實施例中，W1+D1=W2+D2=W3+D3，W1＜W2＜W3，D1＞D2＞D3，且在垂直基底100的方向上，第三圖案108P的正投影中心實質上對齊第一圖案104P的正投影中心和第二圖案106P的正投影中心，使得後續所形成的凸塊102H(示於圖6C)為對稱式。

請再次參照圖6A。當第三次曝光的光照射至第三區A3時，位於第一區A1的第一深度t1範圍內的和位於第二區A2的第二深度t2範圍內的光敏層102已經和光完成反應，所以在第一區A1、第二區A2和第三區A3重疊的區域改變了自第二深度t2延伸至第三深度t3範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度。圖6A示例性地表示第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3為相同，但本發明不限於此，在其他實施例中，第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3可不同或者第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3中的至少兩者可相同。本發明第四實施例相較於第三實施例可再透過調整第三光罩108中第三寬度W3和/或第三深度t3而形成如圖6B所示的初始凸塊102G。

請參照圖6B。以顯影液去除位於第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3的光敏層102以獲得初始凸塊102G。值得注意的是，圖6B所繪示的初始凸塊102G(第四實施例)和圖4B所繪示的初始凸塊102C(第二實施例)可為相同。舉例來說，如果將第二實施例所使用的第三光罩108、第二光罩106和第一光罩104分別作為第四實施例中的第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108，則可獲得如圖4B所示的初始凸塊102C。反之，如果將第四實施例所使用的第三光罩108、第二光罩106和第一光罩104分別作為第二實施例中的第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108，則可獲得如圖6B所示的初始凸塊102C。

請參照圖6C。對初始凸塊102G進行烘烤以獲得表面平滑的凸塊102H。

圖7A至圖7D是依照本發明第五實施例的曝光方法於圖案化製程的步驟圖。本發明第五實施例的曝光方法是先進行上述圖1至圖2的步驟，且圖7A至圖7D的基本圖案化製程步驟與圖3A至圖3D的基本圖案化製程步驟相同，故以下主要針對其差異點進行描述，而對於圖7A至圖7D的圖案化製程步驟僅作簡單描述，其具體內容可參見上述實施例。

請參照圖7A。在基底100上形成光敏層102後，以第一光罩104對光敏層102進行第一次曝光，第一光罩104的每一第一圖案104P還具有一第一邊緣E1。

請參照圖7B。將第一光罩104置換為第二光罩106以對光敏層102進行第二次曝光，第二光罩106的每一第二圖案106P還具有一第二邊緣E2。第一光罩104和第二光罩106之間的圖案配置關係可參照圖18，圖18可表示本發明第五實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。請同時參照圖7A、圖7B和圖18。在本實施例中，W1＞W2，D1＜D2，W1+D1=W2+D2，且在垂直基底100的方向上，第二邊緣E2的正投影實質上對齊第一邊緣E1的正投影且第二圖案106P的正投影位於第一圖案104P的正投影以內，使得後續所形成的凸塊102J(示於圖7D)為非對稱式。

請再次參照圖7B。對應第一光罩104和第二光罩106之間的圖案配置關係，光敏層102的第二區A2和第一區A1的邊緣對齊，且自基底100的法線方向觀察，第一區A1位於第二區A2以內。因此，當第二次曝光的光照射至第二區A2時，位於第一區A1的第一深度t1範圍內的光敏層102已經和光完成反應，所以在第一區A1和第二區A2重疊的區域改變了自第一深度t1延伸至第二深度t2範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度，並且在第一區A1和第二區A2未重疊的區域改變了自光敏層102的表面延伸至第二深度t2範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度。圖7B示例性地表示第一深度t1和第二深度t2相同，但本發明不限於此，在其他實施例中，第一深度t1和第二深度t2可不同。

請參照圖7C。以顯影液去除位於第一深度t1和第二深度t2的光敏層102以獲得初始凸塊102I。每一初始凸塊102I的表面主要由單個階梯狀的表面和多個階梯狀(例如2個階梯)的表面構成。

請參照圖7D。對初始凸塊102I進行烘烤而獲得表面平滑的凸塊102J。詳言之，每一初始凸塊102I的單個階梯狀的表面經烘烤成為凸塊102J的陡坡面，每一初始凸塊102I的多個階梯狀的表面經烘烤成為凸塊102J的緩坡面。緩坡面的面積大於陡坡面的面積，因此可反射的光線較多，於緩坡面所對應的視角範圍內有較高的反射率，有助於視角集中。

圖8A至圖8C是依照本發明第六實施例的曝光方法於部份圖案化製程的步驟圖。本發明第六實施例的曝光方法是先進行上述圖1至圖2、圖7A至圖7B的步驟，且圖8A至圖8C的基本圖案化製程步驟與圖4A至圖4C的基本圖案化製程步驟相同，故以下主要針對其差異點進行描述，而對於圖8A至圖8C的圖案化製程步驟僅作簡單描述，其具體內容可參見上述實施例。

請參照圖8A。將第二光罩106置換為第三光罩108以對光敏層102進行第三次曝光。第三光罩108的每一第三圖案108P還具有一第三邊緣E3。第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108之間的圖案配置關係可參照圖18，圖18可表示本發明第六實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。請同時參照圖7A、圖7B、圖8A和圖18。在本實施例中，W1+D1=W2+D2=W3+D3，W1＞W2＞W3，D1＜D2＜D3，且在垂直基底100的方向上，第三邊緣E3的正投影實質上對齊第一邊緣E1的正投影和第二邊緣E2的正投影且第三圖案108P的正投影位於第一圖案104P的正投影和第二圖案106P的正投影以內，使得後續所形成的凸塊102L(示於圖8C)為非對稱式。

請再次參照圖8A。對應第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108之間的圖案配置關係，光敏層102的第三區A3、第二區A2和第一區A1的邊緣對齊，且自基底100的法線方向觀察，第二區A2位於第三區A3以內。因此，當第三次曝光的光照射至第三區A3時，位於第一區A1的第一深度t1範圍內的和位於第二區A2的第二深度t2範圍內的光敏層102已經和光完成反應，所以在第一區A1、第二區A2和第三區A3重疊的區域改變了自第二深度t2延伸至第三深度t3範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度，在第二區A2和第三區A3重疊的區域改變了自第二深度t2延伸至第三深度t3範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度，並且在第二區A2和第三區A3未重疊的區域改變了自光敏層102的表面延伸至第三深度t3範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度。圖8A示例性地表示第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3相同，但本發明不限於此，在其他實施例中，第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3可不同，或者第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3中的至少兩者可相同。

請參照圖8B。以顯影液去除位於第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3的光敏層102以獲得初始凸塊102K。每一初始凸塊102K的表面主要由單個階梯狀的表面和多個階梯狀(例如3個階梯)的表面構成。以圖7C和圖8B為例，對於在垂直基底100的方向上具有相同正投影面積的凸塊而言，圖8B的初始凸塊102K的多個階梯狀表面含有3個階梯(第六實施例)，圖7C的初始凸塊102I的多個階梯狀表面含有2個階梯(第五實施例)，表示本發明第六實施例相較於第五實施例對後續所形成的凸塊表面斜率或形狀有更好地控制能力且對後續所形成的凸塊的表面斜率有較好的設計空間。

請參照圖8C。對初始凸塊102K進行烘烤而獲得表面平滑的凸塊102L。詳言之，每一初始凸塊102K的單個階梯狀的表面經烘烤成為凸塊102L的陡坡面，每一初始凸塊102K的多個階梯狀的表面經烘烤成為凸塊102L的緩坡面。緩坡面的面積大於陡坡面的面積，因此可反射的光線較多，於緩坡面所對應的視角範圍內有較高的反射率，有助於視角集中。

圖9A至圖9D是依照本發明第七實施例的曝光方法於圖案化製程的步驟圖。本發明第七實施例的曝光方法是先進行上述圖1至圖2的步驟，且圖9A至圖9D的基本圖案化製程步驟與圖7A至圖7D的基本圖案化製程步驟相同，故以下主要針對其差異點進行描述，而對於圖9A至圖9D的圖案化製程步驟僅作簡單描述，其具體內容可參見上述實施例。

請先參照圖9A和圖9B。在基底100上形成光敏層102後，依序以第一光罩104和第二光罩106對光敏層102進行曝光。第一光罩104和第二光罩106之間的圖案配置關係可參照圖19，圖19可表示本發明第七實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。請參照圖19。請同時參照圖9A、圖9B和圖19。在本實施例中，W1＜W2，D1＞D2，W1+D1=W2+D2，且在垂直基底100的方向上，第二邊緣E2的正投影實質上對齊第一邊緣E1且第一圖案104P的正投影位於第二圖案106P的正投影以內，使得後續所形成的凸塊102N(示於圖9D)為非對稱式。

請再次參照圖9B。對應第一光罩104和第二光罩106之間的圖案配置關係，光敏層102的第二區A2和第一區A1的邊緣對齊，且自基底100的法線方向觀察，第二區A2位於第一區A1以內。因此，當第二次曝光的光照射至第二區A2時，位於第一區A1的第一深度t1範圍內的光敏層102已經和光完成反應，所以在第一區A1和第二區A2重疊的區域改變了自第一深度t1延伸至第二深度t2範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度。圖9B示例性地表示第一深度t1和第二深度t2相同，但本發明不限於此，在其他實施例中，第一深度t1和第二深度t2可不同。

請參照圖9C。以顯影液去除位於第一深度t1和第二深度t2的光敏層102以獲得初始凸塊102M。值得注意的是，雖然圖9C所繪示的初始凸塊102M(第七實施例)和圖7C所繪示的初始凸塊102I(第五實施例)不同，但應理解的是，如果將第五實施例所使用的第二光罩106和第一光罩104分別作為第七實施例中的第一光罩104和第二光罩106，則可獲得如圖7C所示的初始凸塊102I。反之，如果將第七實施例所使用的第一光罩104和第二光罩106分別作為第五實施例中的第二光罩106和第一光罩104，則可獲得如圖9C所示的初始凸塊102M。

請參照圖9D。對初始凸塊102M進行烘烤以獲得表面平滑的凸塊102N。

圖10A至圖10C是依照本發明第八實施例的曝光方法於部份圖案化製程的步驟圖。本發明第八實施例的曝光方法是先進行上述圖1至圖2、圖9A至圖9B的步驟，且圖10A至圖10C的基本圖案化製程步驟與圖8A至圖8C的基本圖案化製程步驟相同，故以下主要針對其差異點進行描述，而對於圖10A至圖10C的圖案化製程步驟僅作簡單描述，其具體內容可參見上述實施例。

請參照圖10A。將第二光罩106置換為第三光罩108以對光敏層102進行第三次曝光。第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108之間的圖案配置關係可參照圖19，圖19可表示本發明第八實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。請同時參照圖9A、圖9B、圖10A和圖19。在本實施例中，W1+D1=W2+D2=W3+D3，W1＜W2＜W3，D1＞D2＞D3，且在垂直基底100的方向上，第三邊緣E3的正投影實質上對齊第一邊緣E1的正投影和第二邊緣E2的正投影且第一圖案104P的正投影位於第二圖案106P的正投影和第三圖案108P的正投影以內，使得後續所形成的凸塊102P(示於圖10C)為非對稱式。

請再次參照圖10A。對應第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108之間的圖案配置關係，光敏層102的第三區A3、第二區A2和第一區A1的邊緣對齊，且自基底100的法線方向觀察，第三區A3位於第二區A2以內。因此，當第三次曝光的光照射至第三區A3時，位於第一區A1的第一深度t1範圍內的和位於第二區A2的第二深度t2範圍內的光敏層102已經和光完成反應，所以在第一區A1、第二區A2和第三區A3重疊的區域改變了自第二深度t2延伸至第三深度t3範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度。圖10A示例性地表示第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3相同，但本發明不限於此，在其他實施例中，第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3可不同，或者第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3中的至少兩者可相同。

請參照圖10B。以顯影液去除位於第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3的光敏層102以獲得初始凸塊102O。值得注意的是，圖10B所繪示的初始凸塊102O(第八實施例)和圖8B所繪示的初始凸塊102K(第六實施例)可為相同。舉例來說，如果將第六實施例所使用的第三光罩108、第二光罩106和第一光罩104分別作為第八實施例中的第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108，則可獲得如圖8B所示的初始凸塊102K。反之，如果將第八實施例所使用的第三光罩108、第二光罩106和第一光罩104分別作為第六實施例中的第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108，則可獲得如圖10B所示的初始凸塊102O。

請參照圖10C。對初始凸塊102O進行烘烤而獲得表面平滑的凸塊102P。

圖11A至圖11D是依照本發明第九實施例的曝光方法於圖案化製程的步驟圖。本發明第九實施例的曝光方法是先進行上述圖1至圖2的步驟，且圖11A至圖11D的基本圖案化製程步驟與圖7A至圖7D的基本圖案化製程步驟相同，故以下主要針對其差異點進行描述，而對於圖11A至圖11D的圖案化製程步驟僅作簡單描述，其具體內容可參見上述實施例。

請參照圖11A。在基底100上形成光敏層102後，以第一光罩104對光敏層102進行第一次曝光。

請參照圖11B。將第一光罩104置換為第二光罩106以對光敏層102進行第二次曝光，第二光罩106的每一第二圖案106P還具有一第一部份106A和一第二部份106B。第一光罩104和第二光罩106之間的圖案配置關係可參照圖20，圖20可表示本發明第九實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。請同時參照圖11A、圖11B和圖20。在本實施例中，W1＞W2，D1＜D2，W1+D1=W2+D2，且在垂直基底100的方向上，第一部份106A的正投影位於第一圖案104P的正投影以外，第二部份106B的正投影位於第一圖案104P的正投影以內，使得後續所形成的凸塊102R(示於圖11D)為非對稱式。

請再次參照圖11B。對應第一光罩104和第二光罩106之間的圖案配置關係，位於光敏層102表面的第一區A1具有一邊緣，所述邊緣與第二圖案106P的第一部份106A和第二部份106B的交界線對齊，而位於光敏層102表面的第二區A2具有一邊緣，所述邊緣與第二圖案106P中位於第一部份106A的邊緣對齊。換言之，第二區A2的所述邊緣自第一區A1的所述邊緣偏移一距離，所述距離和第一部份106A的寬度相同，且第二區A2和第一區A1部分重疊。因此，當第二次曝光的光照射至第二區A2時，位於第一區A1的第一深度t1範圍內的光敏層102已經和光完成反應，所以在第一區A1和第二區A2重疊的區域改變了自第一深度t1延伸至第二深度t2範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度，並且在第一區A1和第二區A2未重疊的區域改變了自光敏層102的表面延伸至第二深度t2範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度。圖11B示例性地表示第一深度t1和第二深度t2相同，但本發明不限於此，在其他實施例中，第一深度t1和第二深度t2可不同。

請參照圖11C。以顯影液去除位於第一深度t1和第二深度t2的光敏層102以獲得初始凸塊102Q。每一初始凸塊102Q具有一頂點，位於頂點相對兩側的表面可分別為多個階梯狀的表面，其中位於頂點一側的每一階梯的階寬-階高比(tread-riser ratio)小於位於頂點另一側的每一階梯的階寬-階高比。此外，相較於圖7C的單個階梯狀的表面，圖11C的具有多個小階寬-階高比的階梯狀表面(例如2個階梯)的斜率可較緩。

請參照圖11D。對初始凸塊102Q進行烘烤而獲得表面平滑的凸塊102R。詳言之，在每一初始凸塊102Q中，具有多個小階寬-階高比的表面經烘烤成為凸塊102R的陡坡面，具有多個大階寬-階高比的表面經烘烤成為凸塊102R的緩坡面。因此，除了具有視角集中的效果之外，還特別適合用於製作高解析度顯示面板中的凸塊。

圖12A至圖12C是依照本發明第十實施例的曝光方法於部份圖案化製程的步驟圖。本發明第十實施例的曝光方法是先進行上述圖1至圖2、圖11A至圖11B的步驟，且圖12A至圖12C的基本圖案化製程步驟與圖8A至圖8C的基本圖案化製程步驟相同，故以下主要針對其差異點進行描述，而對於圖12A至圖12C的圖案化製程步驟僅作簡單描述，其具體內容可參見上述實施例。

請參照圖12A。將第二光罩106置換為第三光罩108以對光敏層102進行第三次曝光。第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108之間的圖案配置關係可參照圖20，圖20可表示本發明第十實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。請同時參照圖11A、圖11B、圖12A和圖20，在本實施例中，W1+D1=W2+D2=W3+D3，W1＞W2＞W3，D1＜D2＜D3，且在垂直基底100的方向上，第三圖案108P的正投影與第二圖案106P的第二部份106B的正投影的一部份重疊，且第二圖案106P的第一部份106A的正投影位於第三圖案108P的正投影以內，使得後續所形成的凸塊102T(示於圖12C)為非對稱式。

請再次參照圖12A。對應第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108之間的圖案配置關係，位於光敏層102表面的第三區A3的邊緣自第二區A2的所述邊緣偏移一距離，所述距離和第三圖案108P未與第二圖案106P重疊的寬度相同，且第三區A3和第二區A2部分重疊。因此，當第三次曝光的光照射至第三區A3時，位於第一區A1的第一深度t1範圍內的和位於第二區A2的第二深度t2範圍內的光敏層102已經和光完成反應，所以在第一區A1、第二區A2和第三區A3重疊的區域改變了自第二深度t2延伸至第三深度t3範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度，在第二區A2和第三區A3重疊的區域改變了自第二深度t2延伸至第三深度t3範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度，並且在第二區A2和第三區A3未重疊的區域改變了自光敏層102的表面延伸至第三深度t3範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度。圖12A示例性地表示第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3相同，但本發明不限於此，在其他實施例中，第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3可不同，或者第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3中的至少兩者可相同。

請參照圖12B。以顯影液去除位於第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3的光敏層102以獲得初始凸塊102S。每一初始凸塊102S具有一頂點，位於頂點相對兩側的表面可分別為多個階梯狀的表面，其中位於頂點一側的每一階梯的階寬-階高比(tread-riser ratio)小於位於頂點另一側的每一階梯的階寬-階高比。以圖11C和圖12B為例，對於在垂直基底100的方向上具有相同正投影面積的凸塊而言，圖12B的初始凸塊102S的多個階梯狀表面含有3個階梯(第十實施例)，圖11C的初始凸塊102Q的多個階梯狀表面含有2個階梯(第九實施例)，表示本發明第十實施例相較於第九實施例對後續所形成的凸塊表面斜率或形狀有更好地控制能力且對後續所形成的凸塊的表面斜率有較好的設計空間。

請參照圖12C。對初始凸塊102S進行烘烤而獲得表面平滑的凸塊102T。詳言之，在每一初始凸塊102S中，具有多個小階寬-階高比的表面經烘烤成為凸塊102T的陡坡面，具有多個大階寬-階高比的表面經烘烤成為凸塊102T的緩坡面。因此，除了具有視角集中的效果之外，還特別適合用於製作高解析度顯示面板中的凸塊。

圖13A至圖13D是依照本發明第十一實施例的曝光方法於圖案化製程的步驟圖。本發明第十一實施例的曝光方法是先進行上述圖1至圖2的步驟，且圖13A至圖13D的基本圖案化製程步驟與圖11A至圖11D的基本圖案化製程步驟相同，故以下主要針對其差異點進行描述，而對於圖13A至圖13D的圖案化製程步驟僅作簡單描述，其具體內容可參見上述實施例。

請參照圖13A。在基底100上形成光敏層102後，以第一光罩104對光敏層102進行第一次曝光。

請參照圖13B。將第一光罩104置換為第二光罩106以對光敏層102進行第二次曝光，第二光罩106的每一第二圖案106P還具有一第一部份106A和一第二部份106B。第一光罩104和第二光罩106之間的圖案配置關係可參照圖21，圖21可表示本發明第十一實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。請同時參照圖13A、圖13B和圖21。在本實施例中，W1＜W2，D1＞D2，W1+D1=W2+D2，且在垂直基底100的方向上，第一部份106A的正投影位於第一圖案104P的正投影以外，第二部份106B的正投影位於第一圖案104P的正投影以內，使得後續所形成的凸塊102V(示於圖13D)為非對稱式。

請再次參照圖13B。當第二次曝光的光照射至第二區A2時，位於第一區A1的第一深度t1範圍內的光敏層102已經和光完成反應，所以在第一區A1和第二區A2重疊的區域改變了自第一深度t1延伸至第二深度t2範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度，並且在第一區A1和第二區A2未重疊的區域改變了自光敏層102的表面延伸至第二深度t2範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度。圖13B示例性地表示第一深度t1和第二深度t2相同，但本發明不限於此，在其他實施例中，第一深度t1和第二深度t2可不同。

請參照圖13C。以顯影液去除位於第一深度t1和第二深度t2的光敏層102以獲得初始凸塊102U。值得注意的是，雖然圖13C所繪示的初始凸塊102U(第十一實施例)和圖11C所繪示的初始凸塊102Q(第九實施例)不同，但應理解的是，如果將第九實施例所使用的第二光罩106和第一光罩104分別作為第十一實施例中的第一光罩104和第二光罩106，則可獲得如圖11C所示的初始凸塊102Q。反之，如果將第十一實施例所使用的第一光罩104和第二光罩106分別作為第九實施例中的第二光罩106和第一光罩104，則可獲得如圖13C所示的初始凸塊102U。

請參照圖13D。對初始凸塊102U進行烘烤而獲得表面平滑的凸塊102V。本發明第十一實施例的曝光方法也適合在畫素較小的高解析度顯示面板中用於製作凸塊。

圖14A至圖14C是依照本發明第十二實施例的曝光方法於部份圖案化製程的步驟圖。本發明第十二實施例的曝光方法是先進行上述圖1至圖2、圖13A至圖13B的步驟，且圖14A至圖14C的基本圖案化製程步驟與圖12A至圖12C的基本圖案化製程步驟相同，故以下主要針對其差異點進行描述，而對於圖14A至圖14C的圖案化製程步驟僅作簡單描述，其具體內容可參見上述實施例。

請參照圖14A。將第二光罩106置換為第三光罩108以對光敏層102進行第三次曝光。第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108之間的圖案配置關係可參照圖21，圖21可表示本發明第十二實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。請同時參照圖13A、圖13B、圖14A和圖21。在本實施例中，W1+D1=W2+D2=W3+D3，W1＜W2＜W3，D1＞D2＞D3，且在垂直基底100的方向上，第三圖案108P的正投影與第二圖案106P的第二部份106B的正投影的一部份重疊，且第二圖案106P的第一部份106A的正投影位於第三圖案108P的正投影以內，使得後續所形成的凸塊102X(示於圖14C)為非對稱式。

請再次參照圖14A。當第三次曝光的光照射至第三區A3時，位於第一區A1的第一深度t1範圍內的和位於第二區A2的第二深度t2範圍內的光敏層102已經和光完成反應，所以在第一區A1、第二區A2和第三區A3重疊的區域改變了自第二深度t2延伸至第三深度t3範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度，在第二區A2和第三區A3重疊的區域改變了自第二深度t2延伸至第三深度t3範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度，並且在第二區A2和第三區A3未重疊的區域改變了自光敏層102的表面延伸至第三深度t3範圍內的光敏層102對後續所使用的顯影液的溶解度。圖14A示例性地表示第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3相同，但本發明不限於此，在其他實施例中，第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3可不同，或者第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3中的至少兩者可相同。

請參照圖14B。以顯影液去除位於第一深度t1、第二深度t2和第三深度t3的光敏層102以獲得初始凸塊102W。值得注意的是，圖14B所繪示的初始凸塊102W(第十二實施例)和圖12B所繪示的初始凸塊102S(第十實施例)可為相同。舉例來說，如果將第十實施例所使用的第三光罩108、第二光罩106和第一光罩104分別作為第十二實施例中的第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108，則可獲得如圖12B所示的初始凸塊102S。反之，如果將第十二實施例所使用的第三光罩108、第二光罩106和第一光罩104分別作為第十實施例中的第一光罩104、第二光罩106和第三光罩108，則可獲得如圖14B所示的初始凸塊102W。

請參照圖14C。對初始凸塊102W進行烘烤而獲得表面平滑的凸塊102X。本發明第十二實施例的曝光方法也適合在畫素較小的高解析度顯示面板中用於製作凸塊。

綜上所述，在本發明一實施例中，第一光罩和第二光罩之間的圖案配置關係符合W1≠W2，D1≠D2，W1+D1=W2+D2，並且在垂直基底的方向上，第一光罩和第二光罩符合下述任一者的條件，因此可良好地控制凸塊表面斜率且對凸塊表面斜率保有較大的設計空間。 條件(1)：第二圖案的正投影中心實質上對齊第一圖案的正投影中心。 條件(2)：第二邊緣的正投影實質上對齊第一邊緣的正投影。 條件(3)：第一部份的正投影位於第一圖案的正投影以外，第二部份的正投影位於第一圖案的正投影以內。

特別是，當第一光罩和第二光罩符合上述條件(3)時，可突破目前圖案化製程的限制，滿足小凸塊的設計需求。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧基底
102‧‧‧光敏層
102A、102C、102E、102G、102I、102K、102M、102O、102Q、102S、102U、102W‧‧‧初始凸塊
102B、102D、102F、102H、102J、102L、102N、102P、102R、102T、102V、102X‧‧‧凸塊
104‧‧‧第一光罩
104P‧‧‧第一圖案
106‧‧‧第二光罩
106P‧‧‧第二圖案
106A‧‧‧第一部份
106B‧‧‧第二部份
108‧‧‧第三光罩
108P‧‧‧第三圖案
A1‧‧‧第一區
A2‧‧‧第二區
A3‧‧‧第三區
D1‧‧‧第一距離
D2‧‧‧第二距離
D3‧‧‧第三距離
E1‧‧‧第一邊緣
E2‧‧‧第二邊緣
E3‧‧‧第三邊緣
t1‧‧‧第一深度
t2‧‧‧第二深度
t3‧‧‧第三深度
W1‧‧‧第一寬度
W2‧‧‧第二寬度
W3‧‧‧第三寬度
ΔX‧‧‧距離

圖1和圖2是依照本發明各實施例的曝光方法於形成光敏層的步驟圖。 圖3A至圖3D是依照本發明第一實施例的曝光方法於圖案化製程的步驟圖。 圖4A至圖4C是依照本發明第二實施例的曝光方法於部份圖案化製程的步驟圖。 圖5A至圖5D是依照本發明第三實施例的曝光方法於圖案化製程的步驟圖。 圖6A至圖6C是依照本發明第四實施例的曝光方法於部份圖案化製程的步驟圖。 圖7A至圖7D是依照本發明第五實施例的曝光方法於圖案化製程的步驟圖。 圖8A至圖8C是依照本發明第六實施例的曝光方法於部份圖案化製程的步驟圖。 圖9A至圖9D是依照本發明第七實施例的曝光方法於圖案化製程的步驟圖。 圖10A至圖10C是依照本發明第八實施例的曝光方法於部份圖案化製程的步驟圖。 圖11A至圖11D是依照本發明第九實施例的曝光方法於圖案化製程的步驟圖。 圖12A至圖12C是依照本發明第十實施例的曝光方法於部份圖案化製程的步驟圖。 圖13A至圖13D是依照本發明第十一實施例的曝光方法於圖案化製程的步驟圖。 圖14A至圖14C是依照本發明第十二實施例的曝光方法於部份圖案化製程的步驟圖。 圖15表示本發明第一實施例或第二實施例中各光罩之間於相同固定位置時的圖案配置關係圖。 圖16表示相較於圖15各光罩之間於同一水平面但不同固定位置時的圖案配置關係的一種態樣。 圖17表示本發明第三實施例或第四實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。 圖18表示本發明第五實施例或第六實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。 圖19表示本發明第七實施例或第八實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。 圖20表示本發明第九實施例或第十實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。 圖21表示本發明第十一實施例或第十二實施例中各光罩之間的圖案配置關係圖。

Claims (10)

1. 一種曝光方法，包括： 提供一基底； 於所述基底上形成一光敏層；以及 對所述光敏層進行圖案化製程，所述圖案化製程包括： 依序以一第一光罩和一第二光罩對所述光敏層進行曝光，所述第一光罩具有多個第一圖案，所述多個第一圖案彼此間隔一第一距離D1且每一第一圖案具有一第一寬度W1和一第一邊緣；所述第二光罩具有多個第二圖案，所述多個第二圖案彼此間隔一第二距離D2且每一第二圖案具有一第二寬度W2、一第二邊緣、一第一部份和一第二部份， 其中，W1≠W2，D1≠D2，W1+D1=W2+D2，且在垂直所述基底的方向上，所述第一光罩和所述第二光罩符合下述任一者的條件： 條件(1)：所述第二圖案的正投影中心實質上對齊所述第一圖案的正投影中心； 條件(2)：所述第二邊緣的正投影實質上對齊所述第一邊緣的正投影； 條件(3)：所述第一部份的正投影位於所述第一圖案的正投影以外，所述第二部份的正投影位於所述第一圖案的所述正投影以內。
2. 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法，其中W1＞W2且D1＜D2。
3. 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法，其中W1＜W2且D1＞D2。
4. 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法，其中所述圖案化製程更包括： 將所述第一光罩固定在一第一位置以進行曝光；以及 將固定在所述第一位置的所述第一光罩置換為所述第二光罩再進行曝光。
5. 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法，其中所述圖案化製程更包括： 將所述第一光罩固定在一第一位置以進行曝光；以及 將所述第二光罩固定在一第二位置再進行曝光，所述第二位置與所述第一位置在同一水平面上彼此偏移。
6. 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法，更包括在所述曝光之後以一第三光罩對所述光敏層進行曝光，所述第三光罩具有多個第三圖案，所述多個第三圖案彼此間隔一第三距離D3且每一第三圖案具有一第三寬度W3和一第三邊緣， 其中，W1+D1=W2+D2=W3+D3，W1＞W2＞W3且D1＜D2＜D3，而在分別滿足所述條件(1)、所述條件(2)和所述條件(3)時，在垂直所述基底的方向上所述第三光罩符合下述的條件： 條件(1-1)：所述第三圖案的正投影中心實質上對齊所述第一圖案的所述正投影中心和所述第二圖案的所述正投影中心； 條件(2-1)：所述第三邊緣的正投影實質上對齊所述第一邊緣的所述正投影和所述第二邊緣的所述正投影；以及 條件(3-1)：所述第三圖案的正投影與所述第二部份的所述正投影的一部份重疊，且所述第一部份的所述正投影位於所述第三圖案的所述正投影以內。
7. 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法，更包括在所述曝光之後以一第三光罩對所述光敏層進行曝光，所述第三光罩具有多個第三圖案，所述多個第三圖案彼此間隔一第三距離D3且每一第三圖案具有一第三寬度W3和一第三邊緣， 其中，W1+D1=W2+D2=W3+D3，W1＜W2＜W3、D1＞D2＞D3，而在分別滿足所述條件(1)、所述條件(2)和所述條件(3)時，在垂直所述基底的方向上所述第三光罩符合下述的條件： 條件(1-1)：所述第三圖案的正投影中心實質上對齊所述第一圖案的所述正投影中心和所述第二圖案的所述正投影中心； 條件(2-1)：所述第三邊緣的正投影實質上對齊所述第一邊緣的所述正投影和所述第二邊緣的所述正投影；以及 條件(3-1)：所述第三圖案的正投影與所述第二部份的所述正投影的一部份重疊，且所述第一部份的所述正投影位於所述第三圖案的所述正投影以內。
8. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的曝光方法，其中所述圖案化製程更包括： 將所述第一光罩固定在一第一位置以進行曝光；以及 將固定在所述第一位置的所述第一光罩依序置換為所述第二光罩和所述第三光罩且分別進行曝光。
9. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的曝光方法，其中所述圖案化製程更包括： 將所述第一光罩固定在一第一位置以進行曝光； 將所述第二光罩固定在一第二位置再進行曝光，所述第二位置與所述第一位置在同一水平面上彼此偏移；以及 將所述第三光罩固定在一第三位置再進行曝光，所述第三位置位於所述水平面上且與所述第一位置或所述第二位置相同。
10. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的曝光方法，其中所述圖案化製程更包括： 將所述第一光罩固定在一第一位置以進行曝光； 將所述第二光罩固定在一第二位置再進行曝光，所述第二位置與所述第一位置在同一水平面上彼此偏移；以及 將所述第三光罩固定在一第三位置再進行曝光，所述第三位置位於所述水平面上且與所述第一位置或所述第二位置不同。