TWI634231B - Spray head, vapor phase growth device, and gas phase growth method - Google Patents

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Abstract

實施形態的噴灑頭包括：混合室，被供給製程氣體；多個冷卻部，分別經由間隙而設置於混合室的下方，且分別在內部具有沿水平方向設置的冷卻孔，所述間隙自混合室被導入製程氣體；多個緩衝區域，設置於間隙的下方，自間隙被導入製程氣體；以及噴灑板，設置於緩衝區域的下方，以規定的間隔配置有多個貫通孔，所述多個貫通孔自緩衝區域被導入製程氣體。

Description

噴灑頭、氣相成長裝置以及氣相成長方法
本發明是有關於一種供給製程氣體（process gas）的噴灑頭、使用所述噴灑頭的氣相成長裝置以及氣相成長方法。
作為使高品質的半導體膜成膜的方法，有藉由氣相成長而在基板上進行成膜的磊晶成長（epitaxial growth）技術。在使用磊晶成長技術的氣相成長裝置中，是將基板載置於保持在常壓或減壓的氣相成長裝置內的支撐部上。然後，一面對所述基板進行加熱，一面將成為原料的製程氣體供給至基板。在基板的表面上產生製程氣體的熱反應等，而使磊晶單晶膜成膜。
當將製程氣體供給至基板時，較佳為利用噴灑頭將製程氣體均勻地供給至基板上。此處，在成膜過程中藉由噴灑頭的溫度上升，而可能引起噴灑頭的損傷、變形或製程氣體的熱反應。因此，進行有使噴灑頭冷卻的操作。
本發明的實施態樣是提供一種可使製程氣體均勻地冷卻的噴灑板、使用所述噴灑板的氣相成長裝置以及氣相成長方法。
實施形態的噴灑頭包括：混合室，被供給製程氣體；多個冷卻部，分別經由間隙而設置於混合室的下方，且分別在內部具有沿水平方向設置的冷卻孔，所述間隙自混合室被導入製程氣體；多個緩衝區域，設置於間隙的下方，自間隙被導入製程氣體；以及噴灑板，設置於緩衝區域的下方，以規定的間隔配置有多個貫通孔，所述多個貫通孔自緩衝區域被導入製程氣體。
實施形態的氣相成長裝置包括：所述態樣的噴灑頭；反應室，設置於噴灑頭下方；以及支撐部，設置於反應室內，能夠載置基板。
實施形態的氣相成長方法是對冷卻孔供給冷媒，所述冷卻孔分別沿水平方向設置於多個冷卻部的內部，所述多個冷卻部分別經由間隙而設置於混合室的下方；對混合室供給製程氣體；利用冷媒使製程氣體冷卻，所述製程氣體是經由間隙而供給至設置於間隙的下方的緩衝區域；經由多個貫通孔，將經冷卻的製程氣體供給至反應室，所述多個貫通孔是以規定的間隔配置在設置於緩衝區域的下方的噴灑板上；並且在載置於反應室內的基板上，利用製程氣體使膜成長。
以下，一面參照圖式，一面對本發明的實施形態進行說明。
再者，在本說明書中，將氣相成長裝置經設置成可成膜的狀態下的重力方向定義為｢下｣，將其相反方向定義為｢上｣。因此，所謂｢下部｣，是指相對於基準為重力方向上的位置，所謂｢下方｣，是指相對於基準為重力的方向。又，所謂｢上部｣，是指相對於基準為與重力方向相反的方向上的位置，所謂｢上方｣，是指相對於基準為與重力的方向相反的方向。
又，在本說明書中，所謂｢製程氣體｣，是指用以在基板上進行成膜的氣體的總稱，例如，包括原料氣體、源氣體（source gas）、載體氣體（carrier gas）等。
本實施形態的噴灑頭包括：混合室，被供給製程氣體；多個冷卻部，分別經由間隙而設置於混合室的下方，且分別在內部具有沿水平方向設置的冷卻孔，所述間隙自混合室被導入製程氣體；多個緩衝區域，設置於間隙的下方，自間隙被導入製程氣體；以及噴灑板，設置於緩衝區域的下方，以規定的間隔配置有多個貫通孔，所述多個貫通孔自緩衝區域被導入製程氣體。
圖1是實施形態的氣相成長裝置的主要部分的示意剖面圖。圖2是實施形態的另一態樣的氣相成長裝置的主要部分的示意剖面圖。圖3是實施形態的外周部冷卻機構以及冷卻孔的主要部分的示意圖。圖4是實施形態的噴灑頭的主要部分的立體剖面圖。圖5是實施形態的噴灑頭的主要部分的立體剖面圖。
實施形態的氣相成長裝置是例如利用有機金屬氣相沈積（metal organic chemical vapor deposition，MOCVD）法的立式單片型的磊晶成長裝置。在實施形態的磊晶成長裝置中，例如，使GaN（氮化鎵）、AlN（氮化鋁）、AlGaN（氮化鋁鎵）、InGaN（氮化銦鎵）等III-V族的氮化物系半導體的單晶膜成長。
氣相成長裝置1000包括反應室10。膜的成長是在反應室10內進行。
在反應室10內，設置有可載置晶圓（基板）W且使晶圓W在晶圓W的圓周方向上旋轉的支撐部12。晶圓W例如是Si（矽）晶圓或藍寶石晶圓（sapphire wafer）。作為支撐部12，例如使用在中心具有開口部，利用周緣對基板進行支撐的固持器（holder），但亦可使用無開口部的基座（susceptor）。又，在支撐部12上，例如，設置有未圖示的上頂銷，用以使晶圓W自支撐部12脫附。
旋轉軸18的上端設置於反應室10內。支撐部12經由旋轉環14及設置於旋轉環14的下方的旋轉底座16而與旋轉軸18的上端連接。旋轉軸18藉由設置於旋轉軸18的周圍的旋轉驅動機構20而旋轉，由此使晶圓W沿其圓周方向旋轉。旋轉驅動機構20例如包含馬達或馬達與齒輪的組合等。再者，旋轉環14、旋轉底座16以及旋轉軸18的形態並不限定於此。
在反應室10下方，設置有用以排出剩餘的製程氣體及反應副產物的氣體排出部28，且與排氣機構29連接，所述排氣機構29包含用以排出氣體並且將反應室10內設為規定的壓力的真空泵、閥等。
加熱部26例如是自未圖示的外部電源，經由貫通旋轉軸18的內部的電極22而供給電力，並藉由未圖示的電流導入端子及電極22而供給電力，從而發熱。
反應室10包含未圖示的晶圓搬入搬出口。晶圓搬入搬出口用於向反應室10內部搬入晶圓W、以及向反應容器外部搬出晶圓W。此處，在晶圓W的搬入搬出時，例如是使用未圖示的機械手（robot hand）。經機械手搬入的晶圓W在反應室10的內部支撐於支撐部12。再者，晶圓W的搬入搬出的方法並不限定於此。
在反應室10的上方設置有噴灑頭100。噴灑頭100包括第1透明構件192、第2透明構件194、頂板102、混合室110、冷卻部120、冷卻孔122、間隙126、緩衝區域130、連接部132、噴灑板140、貫通孔144、連接流路172、沖洗氣體（purge gas）供給路徑37、沖洗氣體連接流路157以及沖洗氣體噴出孔117。
氣體供給口162例如設置於兩處，被導入自以下氣體供給路徑供給的各製程氣體，所述氣體供給路徑為供給第1製程氣體的第1氣體供給路徑152、供給第2製程氣體的第2氣體供給路徑154及供給第3製程氣體的第3氣體供給路徑156。自氣體供給口162導入的各製程氣體經由連接流路172等而導入至混合室110。
在圖1中所示的氣相成長裝置中，將第1製程氣體、第2製程氣體與第3製程氣體加以暫時混合後分離成兩個系統，並自兩處氣體供給口162以及連接流路172供給至混合室110。在圖2中所示的氣相成長裝置中，首先將第1製程氣體、第2製程氣體以及第3製程氣體分別分離成兩個系統。其次，將經分離成兩個系統的各第1製程氣體、第2製程氣體以及第3製程氣體加以混合，而自兩處氣體供給口162及連接流路172供給至混合室110。
例如在藉由MOCVD法而使GaN的單晶膜在晶圓W上成膜時，供給氫氣（H2 ）作為第1製程氣體。又，供給氮氣（N）的源氣體即氨氣（NH3 ）作為第2製程氣體。然後，供給利用氫氣（H2 ）將三甲基鎵（trimethyl gallium，TMG）加以稀釋而成的氣體作為第3製程氣體，所述氫氣（H2 ）是載體氣體，所述三甲基鎵（TMG）是鎵（Ga）的源氣體。
多個冷卻部120經由間隙126而設置於混合室110的下方。對間隙126，自混合室110導入製程氣體。
多個冷卻部120在內部具有沿水平方向設置的冷卻孔122。冷卻孔122的內徑為2R1 。藉由冷媒流入至冷卻孔122的內部，而使噴灑頭100冷卻。冷媒例如為水。
將與垂直方向相反的方向設為Z方向，將與Z方向垂直的方向中的一個方向設為X方向，將與Z方向及X方向垂直的方向設為Y方向。當氣相成長裝置1000經配置成可成膜的狀態時，在X方向上經由間隙126而設置有多個冷卻部120。冷卻部120及冷卻孔122是與Y方向平行地延伸而設置。冷卻孔122的中心線124與Y方向平行。又，冷卻孔122的內徑2R1 是在與XZ面內平行的面內取得。
多個緩衝區域130是在間隙126的下方，針對各個間隙126的每個而設置。對多個緩衝區域130，分別自間隙126導入製程氣體。
噴灑板140設置於緩衝區域130的下方。噴灑板140包括多個貫通孔144及主面142。多個貫通孔144的內徑為2R2 。此處，2R2 是在與XY平面平行的面內取得。多個貫通孔144是在X方向上具有規定的間隔L3 而設置。此處，規定的間隔L3 設為各個貫通孔144的中心線146彼此的間隔。又，多個貫通孔144是在Y方向上亦具有規定的間隔L3 而設置。多個貫通孔144的中心線146與Z方向平行。因此，多個貫通孔144的中心線146與冷卻孔122的中心線相互垂直。對多個貫通孔144，自緩衝區域130導入製程氣體。主面142是設置於噴灑頭100的反應室側的面，且是與XY面平行的面。
多個冷卻部120藉由設置於各個冷卻部120的下方的連接部132，而與噴灑板140連接。緩衝區域130設置於多個連接部132之間。
將已供給至貫通孔144的製程氣體供給至反應室10內。已供給至反應室10內的製程氣體是用於晶圓W上的成膜，所述晶圓W是載置於反應室10內的支撐部12上。將剩餘的製程氣體及藉由成膜而產生的副產物自氣體排出部28加以排出。
與噴灑板140的主面142平行且與冷卻孔122的中心線124垂直的第1方向上的間隙126的寬度L1 ，短於與第1方向平行的方向上的緩衝區域130的寬度L2 。其原因在於，藉由將已供給至間隙126的製程氣體供給至緩衝區域130，且使製程氣體暫時滯留在緩衝區域130內，而對多個貫通孔144均等地供給製程氣體。在本實施形態中，主面142是設置於XY平面內。冷卻孔122的中心線與Y方向平行。因此，第1方向與X方向平行，與噴灑板140的主面142平行且與冷卻孔122的中心線124垂直的第1方向上的間隙126的長度L1 是與X方向平行地取得。
貫通孔144的內徑2R2 和與第1方向平行的方向上的規定的間隔L3 之和是第1方向（寬度方向）上的緩衝區域130的寬度L2 以下。當貫通孔144的內徑2R2 與L3 之和長於L2 時，將貫通孔144配置於連接部132的下方。由於對此種貫通孔144無法良好地供給製程氣體，將製程氣體供給至晶圓W上的方式會變得不均勻。
冷卻孔122的內徑2R1 小於與噴灑板140的主面142垂直的方向即Z方向上的冷卻部120的長度t1 。其原因在於，若2R1 設為t1 以上，則無法在冷卻部120內配置冷卻孔122。
冷卻孔122的內徑2R1 大於與噴灑板140的主面142垂直的方向上的緩衝區域130的長度t2 。其原因在於，藉由增大冷卻孔122的內徑，且減小緩衝區域130的長度而縮短冷卻部120與噴灑板140的距離，來將大量的冷媒供給至冷卻孔122，且藉由冷卻部120而使噴灑板140高效率地冷卻。
與噴灑板140的主面142垂直的方向上的緩衝區域130的長度t2 大於貫通孔144的內徑2R2 。其原因在於，使製程氣體在緩衝區域130內充分滯留之後，將製程氣體供給至貫通孔144。
冷卻部120、連接部132以及噴灑板140可製作成一體。又，亦可藉由如下方式製作：分別各別地製作冷卻部120、連接部132以及噴灑板140，然後將所述各個構件加以接合。
氣相成長裝置1000較佳為更包括供給沖洗氣體的沖洗氣體供給路徑37。由此，可抑制膜沈積於反應室側壁，而使低缺陷的膜成膜於基板上。所謂沖洗氣體，是指為了抑制在成膜過程中膜沈積於反應室10的側壁內面（內壁），而沿反應室10的側壁供給至晶圓W的外周側的氣體。沖洗氣體包含例如選自氮氣、氫氣及惰性氣體中的至少一種氣體。
沖洗氣體噴出孔117與沖洗氣體連接流路157連接。沖洗氣體連接流路157在噴灑頭100的外側區域的內部，形成為環狀的中空部分。沖洗氣體供給路徑37與沖洗氣體連接流路157連接。因此，沖洗氣體供給路徑37經由沖洗氣體連接流路157，與多個沖洗氣體噴出孔117連接。
外周部冷卻機構180包括外周部冷卻流路184、第1冷卻器（chiller）186及第2冷卻器188。自第1冷卻器186供給的冷媒在外周部冷卻流路184內使反應室10與噴灑板140之間的O形環（未圖示）冷卻，在噴灑板140上使外側的六個冷卻孔122a及外側的六個冷卻孔122d冷卻。自第2冷卻器188供給的冷媒在噴灑板140上使內側的三個冷卻孔122b及內側的三個冷卻孔122c冷卻。再者，外周部冷卻機構180的態樣並不限定於此，例如亦可使用公知的冷卻鰭片（cooling fin）等。
控制機構190與旋轉驅動機構20連接，進行藉由旋轉驅動機構20而實現的晶圓W的旋轉以及旋轉速度的控制。又，控制機構190與加熱部26連接，進行晶圓W的溫度控制。此外，控制機構190與排氣機構29連接，進行反應室10內的壓力控制。此外，控制機構190與分別設置於第1氣體供給路徑152、第2氣體供給路徑154、第3氣體供給路徑156中的流量控制機構151、流量控制機構153、流量控制機構155連接，對各氣體的流量進行控制。此外，適當進行利用機械手而進行的晶圓W的搬送的控制等控制。再者，作為流量控制機構151、流量控制機構153、流量控制機構155，是使用公知的質量流量控制器（mass flow controller）或針閥（needle valve）、或該些的組合。
控制機構190既可由電氣電路、量子電路等硬體構成，亦可由軟體構成。在由軟體構成的情況下，亦可使用以中央處理單元（Central Processing Unit，CPU）為中心的微處理器（micro processor）、對處理程式進行記憶的唯讀記憶體（Read Only Memory，ROM）、對資料進行暫時記憶的隨機存取記憶體（Random Access Memory，RAM）、以及輸入輸出埠及通信埠。記錄介質並不限定於磁碟或光碟等可拆裝的介質，亦可為硬碟裝置或記憶體等固定型的記錄介質。
測量裝置50設置於頂板102上。測量裝置50是例如利用雷射測定晶圓W的翹曲的裝置、利用雷射測定用晶圓W上成長的膜的膜厚或膜質的裝置、或藉由來質晶圓W的輻射來測定晶圓W的溫度的、射溫度計等。
第1透明構件192設置於頂板102內。第2透明構件194設置於噴灑板140內。用第2透明構件194上設置有貫通孔195，所述貫通孔195是以與貫通孔144相同的直徑、間距而設置，被導入經混合而成的製程氣體。第1透明構件192及第2透明構件194使自第量裝置50照射的雷射或來自晶圓W的、射通過。
為了對將所述雷射高【率地照射至晶圓W並反射的雷射進行檢第，或者高【率地對所述、射進行檢第，第1透明構件192及第2透明構件194分別較佳為被通著頂使102及噴灑使140。又，較佳為第1透明構件192配置於第2透明構件194的正上方，此外，第量裝置50配置於第1透明構件192的正上方。
第1透明構件192及第2透明構件194是對於第量裝置50中所板用的規定的波長充分透明的構件，例如可適宜板用石英玻璃。又，只要強度充分，對於所述規定的波長充分透明且對製程氣體】的耐性高，即可適宜板用藍件石】。
用第2透明構件194的上方所域196內，為了不妨礙第量裝置50的第定，亦可不設置冷卻部120或冷卻孔122。藉由此種構成，當將第2透明構件194設置於噴灑使140內時，可板用將第2透明構件194自噴灑使140上方安裝於噴灑使140內的方法，從而容易地製作噴灑頭100。
其次，對實施形態的噴灑頭100以及氣相成長裝置1000的作用效果進行說明。
在實施形態的噴灑頭100中，藉由流經冷卻孔122的冷媒而使各個冷卻部120冷卻。經由連接部132藉由冷卻部120而使噴灑板140冷卻。由此，可使噴灑頭100均勻地冷卻。
又，通過間隙126的製程氣體暫時滯留於緩衝區域130內之後，通過貫通孔144、貫通孔195而供給至反應室10。由此，根據實施形態的噴灑頭100，可均勻地將製程氣體供給至反應室10。
藉由外周部冷卻流路184，而使噴灑頭100自外周冷卻。因此，根據實施形態的噴灑頭，可提供一種能夠更均勻地進行冷卻的噴灑頭。
根據實施形態的氣相成長裝置，可使噴灑頭100所具有的各個貫通孔144的壓力損失相一致而使製程氣體流量及流速在整個面上均勻。又，藉由設置於噴灑板140的內外的兩個系統的冷卻機構，可對溫度分佈進行控制，而使通過噴灑板140的製程氣體的溫度均勻，或使所述溫度具有分佈。因此，根據實施形態的氣相成長裝置，可均勻地將製程氣體供給至反應室10，從而使優質的膜在基板上成長。
圖6是實施形態的氣相成長方法的流程圖。
本實施形態的氣相成長方法是對冷卻孔供給冷媒，對混合室供給製程氣體，利用冷媒使經由間隙而供給至設置於間隙的下方的緩衝區域的製程氣體冷卻，經由多個貫通孔，將經冷卻的製程氣體供給至反應室，並利用製程氣體，在載置於反應室內的基板上使膜成長，所述冷卻孔分別沿水平方向設置於多個冷卻部的內部，所述多個冷卻部分別經由間隙而設置於混合室的下方，所述多個貫通孔是以規定的間隔配置在設置於緩衝區域的下方的噴灑板上。
首先，控制機構190例如利用機械手，將晶圓W搬入至反應室10，並載置於支撐部12上。其次，控制機構190利用加熱部26，對晶圓W進行加熱。其次，控制機構190利用旋轉驅動機構20，使晶圓W在晶圓W的圓周方向上以規定的旋轉速度旋轉。
其次，自第1冷卻器186，向多個冷卻部120的冷卻孔122供給冷媒，所述多個冷卻部120分別在內部具有冷卻孔122，且經由間隙126而設置於混合室110的下方（S08）。又，自第2冷卻器188，向外周部冷卻流路184供給冷媒。再者，外周部冷卻流路184既可與冷卻孔122串聯，亦可將冷卻孔122設為雙重管構造而使外側體與外周部冷卻流路184串聯而藉由第1冷卻器進行控制，且藉由第2冷卻器對內側體進行控制。該些構件亦可藉由控制機構190來控制。
其次，將經控制機構190控制流量的第1製程氣體及第2製程氣體、以及視需要而加入的第3製程氣體加以混合，並供給至混合室110（S10）。
其次，利用冷媒，使經由間隙126而供給至緩衝區域130的製程氣體冷卻，所述緩衝區域130設置於間隙126的下方（S12）。
經冷卻的製程氣體經由多個貫通孔144，而供給至反應室10，所述多個貫通孔144是以規定的間隔配置於噴灑板140，所述噴灑板140設置於緩衝區域130的下方。
已供給至混合室110的製程氣體經由間隙126、緩衝區域130、貫通孔144而導入至反應室10，在晶圓W上形成膜（S14）。
其次，沖洗氣體經由沖洗氣體供給路徑37及沖洗氣體連接流路157而自沖洗氣體噴出孔117供給至反應室10的側壁內面（內壁）。
膜的成長結束後，降低晶圓W的溫度，例如利用機械手將晶圓W搬出至反應室10外。
剩餘的製程氣體以及反應副產物是經由設置於反應室10下方的氣體排出部28，藉由真空泵等排氣機構29而排出至反應室10外。
根據實施形態的氣相成長方法，可對製程氣體的冷卻進行控制並供給至反應室10，故而可使優質的膜在晶圓W上成長。
在實施形態中，對構成等、本發明的說明中並非直接需要的部分等省略了描述，但可適當地選擇使用需要的構成等。又，具備本發明的要素且本領域技術人員可適當地設計變更的噴灑頭、使用所述噴灑頭的氣相成長裝置以及氣相成長方法包含於本發明的範圍中。本發明的範圍是由申請專利範圍及其均等物的範圍來定義的。
2R1、2R2‧‧‧內徑
10‧‧‧反應室
12‧‧‧支撐部
14‧‧‧旋轉環
16‧‧‧旋轉底座
18‧‧‧旋轉軸
20‧‧‧旋轉驅動機構
22‧‧‧電極
26‧‧‧加熱部
28‧‧‧氣體排出部
29‧‧‧排氣機構
37‧‧‧沖洗氣體供給路徑
50‧‧‧測量裝置
100‧‧‧噴灑頭
102‧‧‧頂板
110‧‧‧混合室
117‧‧‧沖洗氣體噴出孔
120‧‧‧冷卻部
122、122a～122d‧‧‧冷卻孔
124、146‧‧‧中心線
126‧‧‧間隙
130‧‧‧緩衝區域
132‧‧‧連接部
140‧‧‧噴灑板
142‧‧‧主面
144‧‧‧貫通孔
151、153、155‧‧‧流量控制機構
152‧‧‧第1氣體供給路徑
154‧‧‧第2氣體供給路徑
156‧‧‧第3氣體供給路徑
157‧‧‧沖洗氣體連接流路
162‧‧‧氣體供給口
172‧‧‧連接流路
180‧‧‧外周部冷卻機構
184‧‧‧外周部冷卻流路
186‧‧‧第1冷卻器
188‧‧‧第2冷卻器
190‧‧‧控制機構
192‧‧‧第1透明構件
194‧‧‧第2透明構件
195‧‧‧貫通孔
196‧‧‧上方區域
1000‧‧‧氣相成長裝置
L1、L2‧‧‧寬度
L3‧‧‧間隔
S08～S14‧‧‧步驟
t1、t2‧‧‧長度
W‧‧‧晶圓
x、y、z‧‧‧方向
圖1是實施形態的氣相成長裝置的主要部分的示意剖面圖。 圖2是實施形態的另一態樣的氣相成長裝置的主要部分的示意剖面圖。 圖3是實施形態的外周部冷卻機構以及冷卻孔的主要部分的示意圖。 圖4是實施形態的噴灑頭的主要部分的立體剖面圖。 圖5是實施形態的噴灑頭的主要部分的立體剖面圖。 圖6是實施形態的氣相成長方法的流程圖。

Claims (5)

  1. 一種噴灑頭，包括： 混合室，被供給製程氣體； 多個冷卻部，分別經由間隙而設置於所述混合室的下方，且分別在內部具有沿水平方向設置的冷卻孔，所述間隙自所述混合室被導入所述製程氣體； 多個緩衝區域，設置於所述間隙的下方，自所述間隙被導入所述製程氣體；以及 噴灑板，設置於所述緩衝區域的下方，以規定的間隔配置有多個貫通孔，所述多個貫通孔自所述緩衝區域被導入所述製程氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的噴灑頭，其中所述間隙的寬度短於所述緩衝區域的寬度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的噴灑頭，其中所述緩衝區域的寬度方向上的所述貫通孔的內徑與所述規定的間隔之和為所述緩衝區域的寬度以下。
  4. 一種氣相成長裝置，包括： 如申請專利範圍第1項所述的噴灑頭； 反應室，設置於所述噴灑頭下方；以及 支撐部，設置於所述反應室內，能夠載置基板。
  5. 一種氣相成長方法， 對冷卻孔供給冷媒，所述冷卻孔分別沿水平方向設置於多個冷卻部的內部，所述多個冷卻部分別經由間隙而設置於混合室的下方； 對所述混合室供給製程氣體； 利用所述冷媒使所述製程氣體冷卻，所述製程氣體是經由所述間隙而供給至設置於所述間隙的下方的緩衝區域； 經由多個貫通孔，將經冷卻的所述製程氣體供給至反應室，所述多個貫通孔是以規定的間隔配置在設置於所述緩衝區域的下方的噴灑板上；並且 在載置於所述反應室內的基板上，利用所述製程氣體使膜成長。
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