TWI631433B - 多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 60
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 190
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 94
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 77
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 46
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 17
- 238000009877 rendering Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
- H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
- H01J2237/30461—Correction during exposure pre-calculated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31769—Proximity effect correction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31769—Proximity effect correction
- H01J2237/31771—Proximity effect correction using multiple exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31774—Multi-beam
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Abstract
依本實施形態之多重帶電粒子束描繪裝置,具備:可移動的平台,載置描繪對象的基板;及放出部,放出帶電粒子束;及孔徑構件,形成有複數個開口部,前述帶電粒子束通過前述複數個開口部,藉此形成多射束;及遮沒板,具有進行前述多射束的各射束的遮沒偏向之複數個遮沒器;及位元對映生成部,對多重描繪的每一描繪道次生成位元對映資料,該位元對映資料是規定了將前述基板的描繪區域予以網目狀地假想分割而成之複數個照射位置每一者的照射時間;及複數個照射量修正部,接收從前述位元對映生成部各自分割出的前述位元對映資料,進行前述照射時間的修正處理,而生成、保持被分割至各自的處理範圍之複數個照射量資料;及資料轉送部,將在前述複數個照射量修正部被生成或保持的前述複數個照射量資料透過複數個訊號線群轉送給前述遮沒板。前述資料轉送部,於每一描繪道次,對應於前述各自的處理範圍,而切換使用於在各照射量修正部被生成或保持的前述被分割的複數個照射量資料的轉送之訊號線群。
Description
本發明有關多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法。
隨著LSI的高度積體化,半導體元件之電路線寬更加持續地微細化。作為形成用來將電路圖樣形成至該些半導體元件之曝光用光罩(用於步進機或掃描機者亦稱為倍縮光罩)的方法,會使用具有優良解析性之電子束描繪技術。
舉例來說,有使用多射束的描繪裝置。藉由使用多射束,相較於以一道電子束描繪的情形,能夠一口氣(一次的擊發)照射較多的射束,故能使產出大幅提升。多射束方式之描繪裝置中,例如會使從電子槍放出的電子束通過具有複數個孔之孔徑構件而形成多射束,然後藉由遮沒板進行各射束的遮沒控制,未被遮蔽的各射束則被光學系統縮小,並照射至被載置於可移動的平台上之試料。
多射束描繪中,使用多數個射束,因此用來個別地控制各射束的照射時間之資料會成為龐大的量。因此,研討將複數個計算機平行化,來抑制各計算機處理的資料量。
作為多射束描繪的描繪方式的1種,已知有為了將每一射束的電流值的離差予以平均化、或抑制阻劑受熱(resist heating)的影響,而將必要的照射量分成複數次描繪(曝光)之多重描繪。例如,多重描繪中,會以條紋單位一面挪移照射位置一面反覆描繪。
當一面挪移照射位置一面進行多重描繪的情形下,平行化的複數個計算機,會分別於多重描繪的每一道次(pass)處理不同的資料。因此,必須在各計算機組裝用來保持處理對象的資料之大容量記憶體。此外,各計算機送接收的資料量會變多,而有資料轉送耗費時間這樣的問題。
本發明,提供一種在使用了多射束之多重描繪中,能夠削減資料轉送量並且削減記憶體容量之多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法。
依本發明一態樣之多重帶電粒子束描繪裝置,係具備:可移動的平台,載置描繪對象的基板;及放出部,放出帶電粒子束;及孔徑構件,形成有複數個開口部,前述帶電粒子束通過前述複數個開口部,藉此形成多射束;及遮沒板,具有進行前述多射束的各射束的遮沒偏向之複數個遮沒器;及位元對映生成部,對多重描繪的每一描繪道次生成位元對映資料,該位元對映資料是規定了將前述基板的描繪區域予以網目狀地假想分割而成之複數個照射位
置每一者的照射時間;及複數個照射量修正部,接收從前述位元對映生成部各自分割出的前述位元對映資料,進行前述照射時間的修正處理,而生成、保持被分割至各自的處理範圍之複數個照射量資料;及資料轉送部,將在前述複數個照射量修正部被生成或保持的前述複數個照射量資料透過複數個訊號線群轉送給前述遮沒板;前述資料轉送部,於每一描繪道次,對應於前述各自的處理範圍,而切換使用於在各照射量修正部被生成或保持的前述被分割的複數個照射量資料的轉送之訊號線群。
1‧‧‧檢查裝置
2‧‧‧基板
10‧‧‧記憶裝置
11‧‧‧位元對映生成部
12~15‧‧‧XY平台
16‧‧‧照射量修正部
MB‧‧‧多射束
B‧‧‧電子束
20‧‧‧電子鏡筒
21‧‧‧電子槍
22‧‧‧照明透鏡
23‧‧‧孔徑構件
24‧‧‧遮沒板
25‧‧‧縮小透鏡
26‧‧‧限制孔徑構件
27‧‧‧對物透鏡
28‧‧‧主偏向器
30‧‧‧檢查區域
32‧‧‧XY平台
40‧‧‧基板
50‧‧‧描繪區域
52‧‧‧條紋區域
61~67、101~115‧‧‧分割位元對映資料
70~74‧‧‧畸變對映
B‧‧‧電子束
L1~L4‧‧‧訊號線
MB‧‧‧多射束
圖1為依本發明實施形態之描繪裝置的概略圖。
圖2A~2E為多重描繪的描繪方法說明圖。
圖3A~3D為條紋內的描繪動作說明圖。
圖4A~4D為依同實施形態之多重描繪中的照射量修正部的資料處理範圍說明圖。
圖5為畸變對映的例子示意圖。
圖6A~6D為資料轉送部所做的資料轉送處理說明圖。
圖7A~7D為依比較例之多重描繪中的修正部的資料處理範圍說明圖。
圖8A~9H為依同實施形態之多重描繪中的照射量修正部的資料處理範圍說明圖。
圖10A~11H為資料轉送部所做的資料轉送處理說明
圖。
以下,依據圖面說明本發明之實施形態。另,本實施形態中,作為帶電粒子束的一例,係以使用了電子束之構成來做說明。但,帶電粒子束不限於電子束,也可以是使用離子束等帶電粒子的射束。
圖1為本實施形態之描繪裝置的概略構成圖。描繪裝置,具備控制部1與描繪部2。描繪裝置,為多重帶電粒子束描繪裝置之一例。描繪部2,具備電子鏡筒20與描繪室30。在電子鏡筒20內,配置有電子槍21、照明透鏡22、孔徑構件23、遮沒板24、縮小透鏡25、限制孔徑構件26、對物透鏡27、及偏向器28。縮小透鏡25及對物透鏡27均由電磁透鏡所構成,藉由縮小透鏡25及對物透鏡27來構成縮小光學系統。
在描繪室30內配置XY平台32。在XY平台32上,載置描繪對象之基板40。基板40,為製造半導體裝置時的曝光用光罩、供製造半導體裝置的半導體基板(矽晶圓)、或塗布有阻劑但尚未被描繪任何東西的光罩底板(mask blanks)等。
控制部1,具備磁碟裝置等記憶裝置10、位元對映生成部11、照射量修正部12~15、及資料轉送部16。照射量修正部12~15是在位元對映生成部11與資料轉送部16之間並列地設置。位元對映生成部11、照射量修正部12~15、
及資料轉送部16,分別由包含電子電路之計算機(電腦)等的個別的硬體所構成。位元對映生成部11和照射量修正部12~15透過匯流排而連接。此外,照射量修正部12~15和資料轉送部16透過匯流排而連接。
圖1中,記載了用以說明本實施形態所必須之構成。描繪裝置的動作所必要之其他周知的構成係省略圖示。
在孔徑構件23,有縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m,n≧2)的孔(開口部)以規定之排列間距(pitch)形成為矩陣狀。例如,形成512×512的孔。各孔均形成為相同尺寸形狀的矩形或圓形。
從電子槍21放出之電子束B,會藉由照明透鏡22而近乎垂直地對孔徑構件23全體做照明。電子束B通過孔徑構件23的複數個孔,藉此形成例如矩形形狀的複數個電子束(多射束)MB。
在遮沒板24,配合孔徑構件23的各孔的配置位置而形成有通過孔。在各通過孔,分別配置有成對的2個電極的組(遮沒器:遮沒偏向器)。在各射束用的2個電極的一方,配置施加電壓之放大器,另一方被接地。通過各通過孔的電子束,會分別獨立地藉由施加於成對的2個電極之電壓而被偏向。藉由此電子束的偏向來做遮沒控制。
通過了遮沒板24的多射束MB,會藉由縮小透鏡25而被縮小,朝向形成於限制孔徑構件26之中心的孔行進。藉由遮沒板24的遮沒器而被偏向了的電子束,其位置會偏離限制孔徑構件26的中心的孔,而被限制孔徑構件26遮蔽。
另一方面,未受到遮沒器偏向的電子束,會通過限制孔徑構件26的中心的孔。
像這樣,限制孔徑構件26,是將藉由個別遮沒機構而被偏向成為射束OFF狀態之各射束加以遮蔽。然後,藉由從成為射束ON開始至成為射束OFF為止所形成之通過了限制孔徑構件26的射束,形成1次份的擊發的射束。
通過了限制孔徑構件26的多射束MB,會藉由對物透鏡27而合焦,成為期望之縮小率的圖樣像,然後藉由偏向器28統一被偏向,照射至基板40。例如,當XY平台32在連續移動時,射束的照射位置會受到偏向器28控制,以便追隨XY平台32的移動。
一次所照射之多射束MB,理想上會成為以孔徑構件23的複數個孔的排列間距乘上上述期望的縮小率而得之間距而並排。描繪裝置,係以連續依序逐漸照射擊發射束之逐線掃瞄(raster scan)方式來進行描繪動作,當描繪期望的圖樣時,因應圖樣不同,必要的射束會藉由遮沒控制而被控制成射束ON。
如圖2A所示,基板40的描繪區域50,例如朝向y方向以規定寬度被假想分割成長條狀的複數個條紋區域52。各條紋區域52便成為描繪單位區域。
例如,使XY平台32移動,調整以使得一次的多射束MB照射所能夠照射之照射區域位於第1個條紋區域52的左端或更左側之位置,開始描繪。使XY平台32朝-x方向移動,藉此便能夠相對地往x方向進行描繪。
依本實施形態之描繪裝置,係進行多重描繪。此外,當進行多重描繪時,於各描繪道次,是以條紋區域52單位朝y方向挪移位置。例如,當每次將位置挪移條紋區域寬度W的1/4而以4道次(多重度=4)來描繪的情形下,各描繪道次的照射區域,會成為圖2B~2E所示般者。
也就是說,第1道次,是在y方向的條紋挪移量成為0之位置描繪。第2道次中,是在y方向的條紋挪移量成為W/4之位置描繪。第3道次中,是在y方向的條紋挪移量成為W/2之位置描繪。第4道次中,是在y方向的條紋挪移量成為3W/4之位置描繪。
藉由像這樣挪移位置來進行多重描繪,照射基板40上的同一位置之射束於每一描繪道次會成為不同,因此能夠將每一射束的電流值的離差予以平均化。
圖3A~3D為條紋區域52內的描繪動作的一例說明圖。圖3A~3D揭示例如於x,y方向使用4×4的多射束來描繪條紋區域52內之例子,對應至圖2B的第1道次的描繪道次。
此例中,揭示了拉開各射束間的距離,例如於y方向以和多射束全體的照射區域同等之寬度將條紋區域52分割之情形。又,揭示了一面於x方向或y方向每次將照射位置挪移1網目而藉由16次的擊發使得多射束全體的1個照射區域完成曝光(描繪)之情形。
圖3A,揭示了藉由1次的擊發所照射之網目區域。接著,如圖3B所示,一面於y方向每次將位置挪移1網目,而
依序進行第2、3、4次的擊發。接著,如圖3C所示,於x方向將位置挪移1網目,進行第5次的擊發。接著,一面於y方向每次將位置挪移1網目,而依序進行第6、7、8次的擊發。反覆同樣的動作,如圖3D所示,依序進行剩下的第9~16次的擊發。
多射束描繪中,是將描繪區域50以網目狀予以假想分割成射束尺寸或其以下的尺寸。然後,對於有圖形圖樣存在的網目照射射束,對於沒有存在的網目不照射射束,藉此描繪圖樣。但,當圖形圖樣的端部位於網目內的情形等下,會藉由調整照射量來控制圖形圖樣的端部的位置。
此外,為了修正鄰近效應(proximity effect)等的尺寸變動,必須調整照射量。鄰近效應修正計算,可以習知的手法實施。照射量是藉由多射束的各射束的照射時間來控制。
在記憶裝置10存儲有描繪資料。描繪資料,例如定義有各圖形圖樣的配置位置、圖形種類、及圖形尺寸等。除此以外,定義有作為基準之照射量。
位元對映生成部11,將描繪區域50假想分割成條紋區域52,再將各條紋區域52假想分割成網目區域。位元對映生成部11,從記憶裝置10讀出描繪資料,將描繪資料內定義的圖形圖樣分配至網目區域。位元對映生成部11,算出配置於每一網目區域之圖形圖樣的面積密度,算出每一網目位置(射束照射位置)的總照射時間。此外,位元對映生成部11,對每一網目位置(射束照射位置),將總照射
時間均等地分配至多重描繪的各道次。位元對映生成部11,針對各道次,生成定義有每一網目位置(射束照射位置)的照射時間之位元對映資料。
位元對映生成部11,將位元對映資料予以分割,將分割位元對映資料轉送給照射量修正部12~15。本例中,是將1條紋份的位元對映資料分割成和照射量修正部12~15的數量為同數量之4個,而將分割位元對映資料轉送給照射量修正部12~15。
例如,如圖4A所示般將第1道次的描繪道次的位元對映資料朝向y方向分割成4個分割位元對映資料61~64。分割位元對映資料61被轉送給照射量修正部12。分割位元對映資料62被轉送給照射量修正部13。分割位元對映資料63被轉送給照射量修正部14。分割位元對映資料64被轉送給照射量修正部15。
照射量修正部12~15,會考量遮沒板24的畸變、或塗布於基板40上的阻劑的靈敏度等,來修正每一網目位置(射束照射位置)的照射量(照射時間)。
一般而言,描繪裝置中,由於遮沒板24的孔位置的誤差或光學性誤差等,照射至基板40之多射束MB的射束陣列可能會偏離理想格子。照射量修正部12~15,是參照規定了圖5所示般的各射束的位置偏離量之畸變對映70,來修正每一網目位置(射束照射位置)的照射時間。
例如,在對於第1道次的描繪道次之資料處理中,照射量修正部12,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資
料61相對應之畸變對映71,來修正分割位元對映資料61中定義之照射時間。
照射量修正部13,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料62相對應之畸變對映72,來修正分割位元對映資料62中定義之照射時間。
照射量修正部14,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料63相對應之畸變對映73,來修正分割位元對映資料63中定義之照射時間。
照射量修正部15,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料64相對應之畸變對映74,來修正分割位元對映資料64中定義之照射時間。
依此方式,便能修正第1道次的描繪道次中的各射束的照射時間。
如圖4B所示,在第2道次的描繪道次的資料處理中,分割位元對映資料65被轉送給照射量修正部15。分割位元對映資料65,為在第2道次的描繪道次中藉由挪移位置而對應於在第1道次的描繪道次中未被描繪之新描繪的區域之分割位元對映資料。分割位元對映資料61~63的處理是在照射量修正部12~14進行。照射量修正部12~14,於前次(第1道次)的描繪道次的資料處理時,分割位元對映資料61~63已被轉送來。
在對於第2道次的描繪道次之資料處理中,照射量修正部12,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料61相對應之畸變對映72,來修正分割位元對映資料61中定義之
照射時間。
照射量修正部13,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料62相對應之畸變對映73,來修正分割位元對映資料62中定義之照射時間。
照射量修正部14,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料63相對應之畸變對映74,來修正分割位元對映資料63中定義之照射時間。
照射量修正部15,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料65相對應之畸變對映71,來修正分割位元對映資料65中定義之照射時間。
依此方式,便能修正第2道次的描繪道次中的各射束的照射時間。
如圖4C所示,在第3道次的描繪道次的資料處理中,分割位元對映資料66被轉送給照射量修正部14。分割位元對映資料61、62、65的處理是在照射量修正部12、13、15進行。照射量修正部12、13、15,於直到前次(第1道次或第2道次)的描繪道次的資料處理時,分割位元對映資料61、62、65已被轉送來。
在對於第3道次的描繪道次之資料處理中,照射量修正部12,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料61相對應之畸變對映73,來修正分割位元對映資料61中定義之照射時間。
照射量修正部13,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料62相對應之畸變對映74,來修正分割位元對映資
料62中定義之照射時間。
照射量修正部14,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料66相對應之畸變對映71,來修正分割位元對映資料66中定義之照射時間。
照射量修正部15,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料65相對應之畸變對映72,來修正分割位元對映資料65中定義之照射時間。
依此方式,便能修正第3道次的描繪道次中的各射束的照射時間。
如圖4D所示,在第4道次的描繪道次的資料處理中,分割位元對映資料67被轉送給照射量修正部13。分割位元對映資料61、65、66的處理是在照射量修正部12、15、14進行。照射量修正部12、15、14,於直到前次(第1、2或3道次)的描繪道次的資料處理時,分割位元對映資料61、65、66已被轉送來。
在對於第4道次的描繪道次之資料處理中,照射量修正部12,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料61相對應之畸變對映74,來修正分割位元對映資料61中定義之照射時間。
照射量修正部13,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料67相對應之畸變對映71,來修正分割位元對映資料67中定義之照射時間。
照射量修正部14,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料66相對應之畸變對映72,來修正分割位元對映資
料66中定義之照射時間。
照射量修正部15,是參照畸變對映70當中和分割位元對映資料65相對應之畸變對映73,來修正分割位元對映資料65中定義之照射時間。
依此方式,便能修正第4道次的描繪道次中的各射束的照射時間。
照射量修正部12,在第1~4道次的描繪道次的資料處理中,進行分割位元對映資料61的處理,一面改變畸變對映70的參照區域(畸變對映71~74),一面修正分割位元對映資料61中定義之照射時間。
照射量修正部13,一面改變畸變對映70的參照區域,一面在第1~3道次的描繪道次的資料處理中進行分割位元對映資料62的處理,在第4道次的描繪道次的資料處理中則進行分割位元對映資料67的處理。
照射量修正部14,一面改變畸變對映70的參照區域,一面在第1、2道次的描繪道次的資料處理中進行分割位元對映資料63的處理,在第3、4道次的描繪道次的資料處理中則進行分割位元對映資料66的處理。
照射量修正部15,一面改變畸變對映70的參照區域,一面在第1道次的描繪道次的資料處理中進行分割位元對映資料64的處理,在第2~4道次的描繪道次的資料處理中則進行分割位元對映資料65的處理。
像這樣,照射量修正部12~15,在各描繪道次中,修正通過遮沒板24的不同區域的通過孔之電子束的照射時
間。資料轉送部16,於每一描繪道次,將藉由照射量修正部12~15而被修正的照射時間資料的輸出對象予以切換。
圖6A~6D揭示資料轉送部16所做的資料輸出對象的切換例。
如圖6A所示,在第1道次的描繪道次中,資料轉送部16,將藉由照射量修正部12而被修正照射量的照射量資料(照射時間資料),透過訊號線L1轉送給遮沒板24。例如,此照射量資料,當將遮沒板24分割成4個區域24_1~24_4的情形下,為規定通過位於區域24_1的遮沒器之射束的照射量者。
資料轉送部16,將藉由照射量修正部13而被修正照射量的通過位於區域24_2的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L2轉送給遮沒板24。
資料轉送部16,將藉由照射量修正部14而被修正照射量的通過位於區域24_3的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L3轉送給遮沒板24。
資料轉送部16,將藉由照射量修正部15而被修正照射量的通過位於區域24_4的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L4轉送給遮沒板24。
另,訊號線L1~L4,為各自平行的訊號線(訊號線群),但為便於說明,以1根訊號線圖示。訊號線(訊號線群)L1,為轉送用來控制位於區域24_1的遮沒器之照射量資料者。訊號線(訊號線群)L2,為轉送用來控制位於區域24_2的遮沒器之照射量資料者。訊號線(訊號線群)
L3,為轉送用來控制位於區域24_3的遮沒器之照射量資料者。訊號線(訊號線群)L4,為轉送用來控制位於區域24_4的遮沒器之照射量資料者。
如圖6B所示,在第2道次的描繪道次中,資料轉送部16,將藉由照射量修正部12而被修正照射量的通過位於區域24_2的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L2轉送給遮沒板24。
資料轉送部16,將藉由照射量修正部13而被修正照射量的通過位於區域24_3的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L3轉送給遮沒板24。
資料轉送部16,將藉由照射量修正部14而被修正照射量的通過位於區域24_4的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L4轉送給遮沒板24。
資料轉送部16,將藉由照射量修正部15而被修正照射量的通過位於區域24_1的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L1轉送給遮沒板24。
如圖6C所示,在第3道次的描繪道次中,資料轉送部16,將藉由照射量修正部12而被修正照射量的通過位於區域24_3的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L3轉送給遮沒板24。
資料轉送部16,將藉由照射量修正部13而被修正照射量的通過位於區域24_4的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L4轉送給遮沒板24。
資料轉送部16,將藉由照射量修正部14而被修正照射
量的通過位於區域24_1的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L1轉送給遮沒板24。
資料轉送部16,將藉由照射量修正部15而被修正照射量的通過位於區域24_2的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L2轉送給遮沒板24。
如圖6D所示,在第4道次的描繪道次中,資料轉送部16,將藉由照射量修正部12而被修正照射量的通過位於區域24_4的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L4轉送給遮沒板24。
資料轉送部16,將藉由照射量修正部13而被修正照射量的通過位於區域24_1的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L1轉送給遮沒板24。
資料轉送部16,將藉由照射量修正部14而被修正照射量的通過位於區域24_2的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L2轉送給遮沒板24。
資料轉送部16,將藉由照射量修正部15而被修正照射量的通過位於區域24_3的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L3轉送給遮沒板24。
遮沒板24的各遮沒器,基於轉送而來的照射量資料,進行各射束的遮沒控制,控制照射時間。
當未設有進行資料輸出對象的切換之資料轉送部16的情形下,照射量修正部12~15,在各描繪道次中,會修正
通過遮沒板24的同一區域的通過孔之電子束的照射時間。例如,照射量修正部12,在各描繪道次中,進行通過位於區域24_1的遮沒器之射束的照射量修正。藉由照射量修正部12而被修正照射量的通過位於區域24_1的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L1被轉送給遮沒板24。
同樣地,藉由照射量修正部13、14、15而被修正照射量的通過位於區域24_2、24_3、24_4的遮沒器之射束的照射量資料,透過訊號線L2、L3、L4被轉送給遮沒板24。
當每次將位置挪移條紋區域寬度W的1/4而以4道次來描繪的情形下,如圖7A所示,在對於第1道次的描繪道次的資料處理中,照射量修正部12、13、14、15,各自修正分割位元對映資料61、62、63、64中定義之照射時間。
如圖7B所示,在對於第2道次的描繪道次的資料處理中,照射量修正部12、13、14、15,各自修正分割位元對映資料65、61、62、63中定義之照射時間。
如圖7C所示,在對於第3道次的描繪道次的資料處理中,照射量修正部12、13、14、15,各自修正分割位元對映資料66、65、61、62中定義之照射時間。
如圖7D所示,在對於第4道次的描繪道次的資料處理中,照射量修正部12、13、14、15,各自修正分割位元對映資料67、66、65、61中定義之照射時間。
像這樣,當未設有進行資料輸出對象的切換之資料轉送部16的情形下,照射量修正部12,在對於第1~4道次的描繪道次的資料處理中,會進行分割位元對映資料61、
65、66、67的處理。照射量修正部13,在對於第1~4道次的描繪道次的資料處理中,會進行分割位元對映資料62、61、65、66的處理。照射量修正部14,在對於第1~4道次的描繪道次的資料處理中,會進行分割位元對映資料63、62、61、65的處理。照射量修正部15,在對於第1~4道次的描繪道次的資料處理中,會進行分割位元對映資料64、63、62、61的處理。
也就是說,照射量修正部12~15,各自進行不同的4個分割位元對映資料的處理。因此,相當於從位元對映生成部11轉送4個分割位元對映資料給照射量修正部12~15,資料轉送量會變大。此外,照射量修正部12~15,各自保持4個分割位元對映資料,因此必須要容量大的記憶體。
另一方面,本實施形態中,設有進行資料輸出對象的切換之資料轉送部16,因此照射量修正部12,在對於第1~4道次的描繪道次的資料處理中,是進行1個分割位元對映資料(分割位元對映資料61)的處理。照射量修正部13,在對於第1~4道次的描繪道次的資料處理中,會進行2個分割位元對映資料(分割位元對映資料62、67)的處理。照射量修正部14,在對於第1~4道次的描繪道次的資料處理中,會進行2個分割位元對映資料(分割位元對映資料63、66)的處理。照射量修正部15,在對於第1~4道次的描繪道次的資料處理中,會進行2個分割位元對映資料(分割位元對映資料64、65)的處理。
相當於從位元對映生成部11轉送1個或2個分割位元對映資料給照射量修正部12~15,相較於上述的比較例,能夠削減資料轉送量。此外,照射量修正部12~15,只要保持1個或2個分割位元對映資料即可,能夠削減記憶體容量。
像這樣,藉由設置進行對於遮沒板24的資料輸出對象的切換之資料轉送部16,當進行將位置朝y方向挪移之多重描繪的情形下,能夠減少照射量修正部12~15進行處理之分割位元對映資料的數量,因此能夠削減資料轉送量並且削減記憶體容量。
上述實施形態中,說明了每次將位置挪移條紋區域寬度W的1/4而以4道次(多重度=4)描繪之情形,但挪移量或多重度不限定於此。
圖8A~8D、圖9E~9H、圖10A~10D、圖11E~11H,揭示每次將位置挪移條紋區域寬度W的1/8而以8道次描繪之情形的處理例。例如,如圖8A所示般第1道次的描繪道次的位元對映資料,朝向y方向被分割成8個分割位元對映資料101~108。分割位元對映資料101、102被轉送給照射量修正部12。分割位元對映資料103、104被轉送給照射量修正部13。分割位元對映資料105、106被轉送給照射量修正部14。分割位元對映資料107、108被轉送給照射量修正部15。
如圖10A所示,資料轉送部16,將藉由照射量修正部12而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L11、
L12轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部13而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L13、L14轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部14而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L15、L16轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部15而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L17、L18轉送給遮沒板24。
如圖8B所示,在第2道次的描繪道次的資料處理中,分割位元對映資料109被轉送給照射量修正部15。分割位元對映資料101、102的處理是在照射量修正部12進行。分割位元對映資料103、104的處理是在照射量修正部13進行。分割位元對映資料105、106的處理是在照射量修正部14進行。照射量修正部15,進行分割位元對映資料107,109的處理。
如圖10B所示,資料轉送部16,將藉由照射量修正部12而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L12、L13轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部13而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L14、L15轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部14而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L16、L17轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部15而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L11、L18轉送給遮沒板24。
如圖8C所示,在第3道次的描繪道次的資料處理中,
分割位元對映資料110被轉送給照射量修正部15。分割位元對映資料101、102的處理是在照射量修正部12進行。分割位元對映資料103、104的處理是在照射量修正部13進行。分割位元對映資料105、106的處理是在照射量修正部14進行。照射量修正部15,進行分割位元對映資料109,110的處理。
如圖10C所示,資料轉送部16,將藉由照射量修正部12而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L13、L14轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部13而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L15、L16轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部14而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L17、L18轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部15而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L11、L12轉送給遮沒板24。
如圖8D所示,在第4道次的描繪道次的資料處理中,分割位元對映資料111被轉送給照射量修正部14。分割位元對映資料101、102的處理是在照射量修正部12進行。分割位元對映資料103、104的處理是在照射量修正部13進行。分割位元對映資料109、110的處理是在照射量修正部15進行。照射量修正部14,進行分割位元對映資料105,111的處理。
如圖10D所示,資料轉送部16,將藉由照射量修正部12而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L14、
L15轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部13而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L16、L17轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部14而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L11、L18轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部15而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L12、L13轉送給遮沒板24。
如圖9E所示,在第5道次的描繪道次的資料處理中,分割位元對映資料112被轉送給照射量修正部14。分割位元對映資料101、102的處理是在照射量修正部12進行。分割位元對映資料103、104的處理是在照射量修正部13進行。分割位元對映資料109、110的處理是在照射量修正部15進行。照射量修正部14,進行分割位元對映資料111,112的處理。
如圖11E所示,資料轉送部16,將藉由照射量修正部12而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L15、L16轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部13而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L17、L18轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部14而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L11、L12轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部15而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L13、L14轉送給遮沒板24。
如圖9F所示,在第6道次的描繪道次的資料處理中,
分割位元對映資料113被轉送給照射量修正部13。分割位元對映資料101、102的處理是在照射量修正部12進行。分割位元對映資料109、110的處理是在照射量修正部15進行。分割位元對映資料111、112的處理是在照射量修正部14進行。照射量修正部13,進行分割位元對映資料103,113的處理。
如圖11F所示,資料轉送部16,將藉由照射量修正部12而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L16、L17轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部13而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L11、L18轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部14而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L12、L13轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部15而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L14、L15轉送給遮沒板24。
如圖9G所示,在第7道次的描繪道次的資料處理中,分割位元對映資料114被轉送給照射量修正部13。分割位元對映資料101、102的處理是在照射量修正部12進行。分割位元對映資料109、110的處理是在照射量修正部15進行。分割位元對映資料111、112的處理是在照射量修正部14進行。照射量修正部13,進行分割位元對映資料113,114的處理。
如圖11G所示,資料轉送部16,將藉由照射量修正部12而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L17、
L18轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部13而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L11、L12轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部14而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L13、L14轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部15而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L15、L16轉送給遮沒板24。
如圖9H所示,在第8道次的描繪道次的資料處理中,分割位元對映資料115被轉送給照射量修正部12。照射量修正部12,進行分割位元對映資料101,115的處理。分割位元對映資料109、110的處理是在照射量修正部15進行。分割位元對映資料111、112的處理是在照射量修正部14進行。分割位元對映資料113、114的處理是在照射量修正部13進行。
如圖11H所示,資料轉送部16,將藉由照射量修正部12而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L11、L18轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部13而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L12、L13轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部14而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L14、L15轉送給遮沒板24。資料轉送部16,將藉由照射量修正部15而被修正照射量修正的照射量資料,透過訊號線L16、L17轉送給遮沒板24。
照射量修正部12,在對於第1~8道次的描繪道次的資
料處理中,會進行3個分割位元對映資料(分割位元對映資料101、102、115)的處理。照射量修正部13,在對於第1~8道次的描繪道次的資料處理中,會進行4個分割位元對映資料(分割位元對映資料103、104、113、114)的處理。照射量修正部14,在對於第1~8道次的描繪道次的資料處理中,會進行4個分割位元對映資料(分割位元對映資料105、106、111、112)的處理。照射量修正部15,在對於第1~8道次的描繪道次的資料處理中,會進行4個分割位元對映資料(分割位元對映資料107~110)的處理。
資料轉送部16進行資料輸出對象的切換,因此照射量修正部12~15僅處理位元對映資料的一部分即可,能夠減低從位元對映生成部11給照射量修正部12~15的資料轉送量,並且抑制組裝於照射量修正部12~15之記憶體容量。
另,本發明並不限定於上述實施形態本身,於實施階段中在不脫離其要旨的範圍內能夠將構成要素變形而予具體化。此外,藉由將上述實施形態中揭示之複數個構成要素予以適當組合,能夠形成種種發明。例如,亦可將實施形態所示之全部構成要素中刪除數個構成要素。又,亦可將不同實施形態之間的構成要素予以適當組合。
Claims (10)
- 一種多重帶電粒子束描繪裝置,其特徴為,具備:可移動的平台,載置描繪對象的基板;及放出部,放出帶電粒子束;及孔徑構件,形成有複數個開口部,前述帶電粒子束通過前述複數個開口部,藉此形成多射束;及遮沒板,具有進行前述多射束的各射束的遮沒偏向之複數個遮沒器;及位元對映生成部,對多重描繪的每一描繪道次生成位元對映資料,該位元對映資料是規定了將前述基板的描繪區域予以網目狀地假想分割而成之複數個照射位置每一者的照射時間;及複數個照射量修正部,接收從前述位元對映生成部各自分割出的前述位元對映資料,進行前述照射時間的修正處理,而生成、保持被分割至各自的處理範圍之複數個照射量資料;及資料轉送部,將在前述複數個照射量修正部被生成或保持的前述複數個照射量資料透過複數個訊號線群轉送給前述遮沒板;各訊號線群,為轉送用來控制位於前述遮沒板的相對應區域的遮沒器之照射量資料者,前述資料轉送部,於每一描繪道次,切換使用於在各照射量修正部被生成或保持的前述被分割的複數個照射量資料的轉送之訊號線群。
- 如申請專利範圍第1項所述之多重帶電粒子束描繪裝置,其中,前述多重描繪,是於每一描繪道次一面挪移描繪範圍一面進行。
- 如申請專利範圍第2項所述之多重帶電粒子束描繪裝置,其中,前述照射量修正部,參照前述遮沒板的畸變對映來進行前述照射時間的修正處理,於每一描繪道次改變前述畸變對映的參照區域。
- 如申請專利範圍第3項所述之多重帶電粒子束描繪裝置,其中,前述位元對映生成部,將第n道次(n為2以上的整數)的描繪道次的位元對映資料當中,對應於在第(n-1)道次的描繪道次中未被描繪之區域的位元對映資料,傳輸給前述複數個照射量修正部的其中1者。
- 如申請專利範圍第4項所述之多重帶電粒子束描繪裝置,其中,從前述位元對映生成部接收對應於在前述第(n-1)道次的描繪道次中未被描繪之區域的位元對映資料之照射量修正部以外的照射量修正部,是在第(n-1)道次與在第n道次中,改變前述畸變對映的參照區域,而進行同一位元對映資料中規定之照射時間的修正處理。
- 一種多重帶電粒子束描繪方法,為使用帶電粒子束所造成的多射束來進行多重描繪之多重帶電粒子束描繪方法,其特徴為,具備:對多重描繪的每一描繪道次作成位元對映資料之工程,該位元對映資料是規定了將前述基板的描繪區域予以網目狀地假想分割而成之複數個照射位置每一者的照射時間;及複數個照射量修正部接收分割出的前述位元對映資料,進行前述照射時間的修正處理,而生成、保持被分割至各自的處理範圍之複數個照射量資料之工程;及將在前述複數個照射量修正部被生成、保持的複數個照射量資料,透過複數個訊號線群,轉送給具有和多射束的各射束相對應之複數個遮沒器的遮沒板之工程;及前述複數個遮沒器基於前述複數個照射量資料,進行相對應之射束的遮沒偏向之工程;各訊號線群,為轉送用來控制位於前述遮沒板的相對應區域的遮沒器之照射量資料者,於每一描繪道次,切換使用於在各照射量修正部被生成或保持的前述複數個照射量資料的轉送之訊號線群。
- 如申請專利範圍第6項所述之多重帶電粒子束描繪方法,其中,前述多重描繪,是於每一描繪道次一面挪移描繪範圍一面進行。
- 如申請專利範圍第7項所述之多重帶電粒子束描繪方法,其中,前述照射量修正部,參照前述遮沒板的畸變對映來進行前述照射時間的修正處理,於每一描繪道次改變前述畸變對映的參照區域。
- 如申請專利範圍第8項所述之多重帶電粒子束描繪方法,其中,將第n道次(n為2以上的整數)的描繪道次的位元對映資料當中,對應於在第(n-1)道次的描繪道次中未被描繪之區域的位元對映資料,傳輸給前述複數個照射量修正部的其中1者。
- 如申請專利範圍第9項所述之多重帶電粒子束描繪方法,其中,接收對應於在前述第(n-1)道次的描繪道次中未被描繪之區域的位元對映資料之照射量修正部以外的照射量修正部,是在第(n-1)道次與在第n道次中,改變前述畸變對映的參照區域,而進行同一位元對映資料中規定之照射時間的修正處理。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016132690A JP6589758B2 (ja) | 2016-07-04 | 2016-07-04 | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2016-132690 | 2016-07-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201812461A TW201812461A (zh) | 2018-04-01 |
TWI631433B true TWI631433B (zh) | 2018-08-01 |
Family
ID=60807683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106119845A TWI631433B (zh) | 2016-07-04 | 2017-06-14 | 多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10483087B2 (zh) |
JP (1) | JP6589758B2 (zh) |
KR (1) | KR101961695B1 (zh) |
TW (1) | TWI631433B (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6851181B2 (ja) * | 2016-11-09 | 2021-03-31 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム光学系の調整方法 |
JP6446572B1 (ja) | 2018-01-18 | 2018-12-26 | 住友化学株式会社 | 芳香族ポリスルホン樹脂およびその膜 |
JP7024616B2 (ja) * | 2018-06-08 | 2022-02-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データ処理方法、データ処理装置、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP7110831B2 (ja) * | 2018-08-29 | 2022-08-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP7210991B2 (ja) * | 2018-10-11 | 2023-01-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
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JP7124763B2 (ja) | 2019-02-27 | 2022-08-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP7180515B2 (ja) | 2019-04-11 | 2022-11-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
US11869746B2 (en) | 2019-07-25 | 2024-01-09 | Nuflare Technology, Inc. | Multi-beam writing method and multi-beam writing apparatus |
JP7548862B2 (ja) * | 2021-04-05 | 2024-09-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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JP5977550B2 (ja) | 2012-03-22 | 2016-08-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2014007327A (ja) | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Canon Inc | 描画装置、および物品の製造方法 |
JP2014041936A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Canon Inc | 描画装置および物品の製造方法 |
JP6209369B2 (ja) | 2013-06-13 | 2017-10-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
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EP2830083B1 (en) | 2013-07-25 | 2016-05-04 | IMS Nanofabrication AG | Method for charged-particle multi-beam exposure |
JP2015070213A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | キヤノン株式会社 | 描画装置、および物品の製造方法 |
JP6190254B2 (ja) * | 2013-12-04 | 2017-08-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2015201576A (ja) | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ショットデータ生成方法およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6428518B2 (ja) * | 2014-09-05 | 2018-11-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データ生成装置、エネルギービーム描画装置、及びエネルギービーム描画方法 |
JP6037484B2 (ja) | 2015-10-30 | 2016-12-07 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-07-04 JP JP2016132690A patent/JP6589758B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-14 TW TW106119845A patent/TWI631433B/zh active
- 2017-06-29 US US15/637,527 patent/US10483087B2/en active Active
- 2017-07-03 KR KR1020170084210A patent/KR101961695B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201812461A (zh) | 2018-04-01 |
US20180005799A1 (en) | 2018-01-04 |
KR20180004671A (ko) | 2018-01-12 |
KR101961695B1 (ko) | 2019-03-25 |
US10483087B2 (en) | 2019-11-19 |
JP2018006604A (ja) | 2018-01-11 |
JP6589758B2 (ja) | 2019-10-16 |
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