TWI767279B - 多射束描繪方法及多射束描繪裝置 - Google Patents

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Abstract

實施形態有關多射束描繪方法及多射束描繪裝置。 實施形態之多射束描繪方法，係對被載置於朝規定方向行進的平台之基板上定義的每一像素照射前述多射束的各射束而形成圖樣。此多射束描繪方法，藉由至少於前述規定方向將前述多射束的陣列分割而成的複數個子陣列每一者的各射束的位置偏離量，取得子陣列每一者的圖樣的位置修正量，基於位置修正量，算出用來將在前述子陣列每一者被描繪的圖樣的位置予以移位之對各像素照射的各射束的照射量，控制被算出的前述照射量，使用2個以上的前述子陣列的各自至少一部分而進行多重描繪。

Description

多射束描繪方法及多射束描繪裝置
本發明有關多射束描繪方法及多射束描繪裝置。
隨著LSI的高度積體化，對於半導體元件要求之電路線寬正逐年微細化。為了對半導體元件形成期望的電路圖樣，會採用下述手法，即，利用縮小投影型曝光裝置，將形成於玻璃基板上的遮光膜之高精度的原圖圖樣(光罩，或特別是用於步進機或掃描機者亦稱為倍縮光罩)縮小轉印至晶圓上。高精度的原圖圖樣之作成中，會使用藉由電子束描繪裝置而形成阻劑圖樣之所謂的電子束微影技術。 使用了多射束的描繪裝置，相較於以一道電子束描繪的情形，能夠一口氣照射較多的射束，故能使產量大幅提升。多射束描繪裝置的一種形態亦即使用了遮沒孔徑陣列之多射束描繪裝置中，例如，是將從1個電子槍放出的電子束通過帶有複數個開口的成形孔徑陣列來形成多射束(複數個電子束)。多射束會通過遮沒孔徑陣列的各個相對應之遮沒器內。遮沒孔徑陣列，具有用來將射束個別地偏向之電極對，在電極對之間形成有射束通過用的開口。藉由將電極對(遮沒器)控制成同電位或相異電位，來進行通過的電子束的遮沒偏向。藉由遮沒器而被偏向的電子束會受遮蔽，未被偏向的電子束會照射至基板上。在基板上以一定的間距定義著像素，藉由以多射束曝光此像素來描繪圖樣。 多射束描繪中，可能因電子光學系統的透鏡的失真等而發生照射位置偏離之射束，惟對多數個多射束設置個別的偏向機構而個別地修正位置偏離在技術上有困難。因此，會設計成對每一射束調變照射量，即使以位置偏離了的射束照射的情形下，仍可避免對阻劑給予的劑量分布中顯現射束位置偏離的影響。將此方法叫做在鄰接像素間的照射量調變。此技術例如揭示於日本專利公開公報2016-119423號。 但，若使用這樣的在鄰接像素間的照射量調變，像素的照射量的最大值會增加而多射束的照射動作的循環會變長，而有使描繪產量劣化之問題。
本發明有鑑於上述習知的實情而創作，提供一種防止描繪產量的劣化，同時使描繪精度提升之多射束描繪方法及多射束描繪裝置。 按照本發明的一個態樣之多射束描繪方法，係對被載置於朝規定方向行進的平台之基板上定義的每一像素照射多射束的各射束而形成圖樣。此多射束描繪方法，藉由至少於規定方向將多射束的陣列分割而成的複數個子陣列每一者的各射束的位置偏離量，取得子陣列每一者的圖樣的位置修正量，基於位置修正量，算出用來將在前述子陣列每一者被描繪的圖樣的位置予以移位之對各像素照射的各射束的照射量，藉由被算出的前述照射量，使用2個以上的前述子陣列的各自至少一部分而進行多重描繪。
以下，基於圖面說明本發明之實施形態。實施形態中，說明使用了電子束作為射束的一例之構成。但，射束不限於電子束，也可以是使用離子束等的帶電粒子束或使用了雷射光的射束。 圖1為實施形態之描繪裝置的概略構成圖。如圖1所示，描繪裝置100具備描繪部150及控制部160。描繪裝置100為多帶電粒子束描繪裝置的一例。描繪部150，具備電子鏡筒102與描繪室103。在電子鏡筒102內，配置有電子槍201、照明透鏡202、成形孔徑構件203、遮沒板204、縮小透鏡205、限制孔徑構件206、對物透鏡207、偏向器208、及檢測器211。 在描繪室103內配置XY平台105。在XY平台105上，配置描繪對象之基板101。在基板101的上面塗布有藉由帶電粒子束而被照射之阻劑，基板101例如為被加工作為光罩的基板(光罩底板；mask blanks)、或被加工作為半導體裝置的半導體基板(矽晶圓)。此外，基板101亦可為已塗布阻劑，但尚未受到任何描繪之光罩底板。 在XY平台105上，配置標記106、及平台的位置測定用的鏡210。 控制部160，具有控制計算機110、偏向控制電路130、檢測電路132、平台位置檢測器139、及記憶部140，142，144。描繪資料從外部輸入並被存儲於記憶部140。 控制計算機110，具有射束位置測定部111、分割部112、位置偏離量平均值算出部113、位置修正部114、照射量算出部115、資料處理部116、及描繪控制部117。控制計算機110的各部，可以由電子電路等硬體來構成，亦可由執行該些功能的程式等軟體來構成。或者，亦可由硬體與軟體之組合來構成。
平台位置檢測器139，係照射雷射，接收來自鏡210的反射光，藉此以雷射干涉法的原理來檢測XY平台105的位置。
圖2為成形孔徑構件203的構成示意概念圖。如圖2所示，在成形孔徑構件203，有縱(y方向)m行×橫(x方向)n列(m，n≧2)的開口22以規定之排列間距(pitch)形成。各開口22例如均以相同尺寸形狀的矩形來形成。各開口22亦可是略同一直徑的圓形。
從電子槍201(放出部)放出之電子束200，會藉由照明透鏡202而例如近乎垂直地對成形孔徑構件203全體做照明。電子束200，將包含所有開口22之區域做照明。電子束200的一部分通過成形孔徑構件203的複數個開口22，剩餘的射束在成形孔徑構件被阻止。電子束200通過成形孔徑構件203的複數個開口22，藉此形成例如矩形形狀的複數個電子束(多射束)20a~20e。
在照射量控制部亦即遮沒板204，配合成形孔徑構件203的各開口22的配置位置而形成有射束的通過孔。在各通過孔，分別配置有成對的2個電極的組(遮沒器)。通過各通過孔的電子束，藉由被施加於遮沒器之電壓而每一射 束獨立地受到控制成射束on或射束off的狀態。射束on的情形下，遮沒器的相向的電極被控制成同電位，遮沒器不將射束偏向。射束off的情形下，遮沒器的相向的電極被控制成彼此相異電位，遮沒器將射束偏向。像這樣，複數個遮沒器，係對通過了成形孔徑陣列構件203的複數個開口22的多射束當中分別相對應的射束進行遮沒偏向，藉此控制成射束off狀態。
通過了遮沒板204的多射束20a~20e，會藉由縮小透鏡205而被縮小。
此處，被控制成射束off狀態的射束藉由遮沒板204的遮沒器而受到偏向，而通過會通過限制孔徑構件206的開口之外的軌道，因此藉由限制孔徑構件206而被遮蔽。另一方面，被控制成射束on狀態的射束，不藉由遮沒器而受到偏向，故會通過限制孔徑構件206的開口。此時，理想是通過同一點。藉由未圖示的校準線圈來預先調整射束的軌道，以使此點位於限制孔徑構件206的中心的開口內。像這樣藉由遮沒板204的遮沒控制，射束的on/off受到控制。也就是說，藉由遮沒板204而照射時間受到控制，藉此照射量受到控制。
限制孔徑構件206，是將藉由複數個遮沒器而被偏向成為射束off狀態之各射束予以遮蔽。然後，藉由從成為射束on開始至成為射束off為止所形成之通過了限制孔徑構件206的射束，形成1次份的擊發的多射束。
通過了限制孔徑構件206的多射束，藉由對物透鏡207而被合焦，以期望的縮小率被投影至基板101。藉由偏向器208，多射束全體朝同方向被一齊偏向，照射至基板101上的期望的位置。 當XY平台105在連續移動的情形下，射束的軌道會藉由偏向器208而受到控制，以使射束的基板101上的照射位置跟隨XY平台105的移動。所照射之多射束20，理想上會成為以成形孔徑構件203的複數個開口的排列間距乘上上述期望的縮小率而得之間距而在基板101上並排。例如，描繪裝置100，以連續依序逐一照射擊發射束之逐線掃瞄(raster scan)方式來進行描繪動作，當描繪期望的圖樣時，不需要的射束會藉由遮沒控制而被控制成射束off。 圖3為實施形態中的描繪動作說明用概念圖。如圖3所示，基板101的描繪區域30，例如朝向y方向(第1方向)以規定寬度被分割成長條狀的複數個條紋區域34。首先，使XY平台105移動，調整以使得一次的多射束照射所能夠照射之照射區域35位於第1個條紋區域34的左端，開始描繪。 在描繪第1個條紋區域34時，使XY平台105朝-x方向移動，藉此便相對地朝＋x方向逐漸進行描繪。使XY平台105以規定的速度連續移動。第1個條紋區域34的描繪結束後，使平台位置朝-y方向移動，調整以使得照射區域35位於第2個條紋區域34的右端。接著，如圖3(b)所示，使XY平台105例如朝＋x方向移動，藉此朝向-x方向進行描繪。 在第3個條紋區域34朝＋x方向描繪，在第4個條紋區域34朝-x方向描繪。藉由一面交互地改變方向一面描繪，能夠縮短描繪時間。亦可朝向同一方向描繪各條紋區域34。 在各條紋區域34定義著未圖示的像素，使用多射束將各像素曝光相同次數，藉此描繪各條紋區域。當描繪各條紋區域34時，XY平台105朝向x方向連續移動，同步地藉由偏向器208控制射束位置而照射基板101上的像素。此時，偏向器208，進行在1次的照射與下次的照射之間進行照射像素的切換之偏向動作、及使得於照射中基板101上的射束位置會被固定之方式而配合平台移動之連續性的偏向動作。 圖4～圖6中示意於x方向存在4個多射束而以射束尺寸的4倍的間隔排列的例子。又，亦可於y方向存在4行或相異行數的多射束，惟各行的多射束是描繪射束間距寬幅的高度的區域，故作為複數行所構成之多射束的各行的描繪動作的例子，圖4～圖6中揭示某一行的射束及它們應該照射的像素。 圖4例子中，示意照射了於y方向4像素所構成之1列後，將射束朝＋x方向移動而移動至另一列的工程之反覆。圖中，像素的群組藉由射束間距寬幅的區域而被區隔，惟射束移至另一列時，射束移動至另一間距寬幅的區域。此處，左邊數來第3個為止的間距寬幅的區域僅一部分的像素被照射，惟比其還右邊的間距寬幅的區域是所有的像素被照射。亦即，照射剛開始後，射束間距區域3個份會成為不完全的照射，故事先從比描繪區域還左側的區域開始描繪動作，以免此部分落入實際的描繪區域。 圖4例子中，像素是朝y方向被依序照射，但不限於此。例如亦可如圖5所示般朝x方向依序照射。亦可以其以外的順序依序照射。 亦可僅使用於x方向並排的射束的一部分來照射所有的像素。一例示意於圖6。此處，反覆進行照射了2列之後至另一射束間距寬幅的區域之動作，藉此以2個射束c、d照射所有的像素。此時，能夠與射束c、d所做的照射同步地進行另2個射束a，b所做的照射。在此情形下，將藉由相對於平台進行方向位於上游側的射束a，b照射過的像素藉由射束c、d而照射，藉此所有的像素會各自被照射2次。換言之，將射束陣列於x方向做2分割而控制，藉此所有的像素被照射2次。一般而言，是將射束陣列做N分割而控制，藉此所有的像素被照射N次或N次以上。 進行描繪處理時，理想是各射束被照射至設定好的擊發位置，亦即各射束相對應的像素的位置，但由於電子光學系統的透鏡的失真等而各擊發的射束照射位置會從設定好的擊發位置偏離。圖7示意在被照射至基板101的射束陣列全面之各射束的位置偏離量的有關X座標、Y座標的分布的例子。圖7中作為多射束陣列內的代表點係配置32×32點，而示意在各位置之射束的位置偏離量。位置偏離量在射束陣列中心小，但位置偏離量在射束陣列周邊逐漸增加。進一步將在射束陣列內之位置偏離量的範圍分布對每一Y座標(Yindex：1～32)統整，則成為如圖8所示者。將x方向的帶符號位置偏離量的最大值訂為xmax、最小值訂為xmin、y方向的帶符號位置偏離量的最大值訂為ymax、最小值訂為ymin。 如圖8所示，以射束陣列全面來看，在y方向中央部分(Yindex為15～17一帶)射束位置偏離量的不均一性(xmax與xmin之差、ymax與ymin之差)稍小，但在任一Y座標中均包含射束陣列左端與右端之位置偏離量大的部分的值，因此每一Y座標的射束位置偏離量的範圍，相對於射束陣列全體中的位置偏離的範圍也並非極端地小。 圖7例子中，射束的位置偏離至少於x方向是有系統地和緩地逐漸變化，故如圖9所示，當將射束陣列BA朝向x方向(第2方向)以規定的寬幅予以等分割成複數個區域例如8個區域R1～R8的情形下，在各分割區域之每一Y座標的射束位置偏離的分布寬幅，會比陣列全體中的每一Y座標的射束位置偏離的分布寬幅還小。此一傾向，在對應於射束位置偏離量大的射束陣列上下之Y座標也成立。 本實施形態中，當有透鏡的失真所造成的射束位置偏離分布等在射束陣列面內和緩地變化之位置偏離分布的情形下，利用射束陣列的一部分區域中的射束位置偏離量的範圍比射束陣列全體中的射束位置偏離量的範圍還小這一傾向，而將在射束陣列的一部分區域內之射束位置偏離量的修正，齊一地置換成在該區域內之平均的位置偏離量，換言之近似成射束陣列的一部分區域具有齊一的位置偏離量，而將該平均的位置偏離量作為修正量來進行射束的位置偏離修正。 又，將射束陣列分割而成的區域(子陣列)的射束位置偏離量，是藉由將該區域的射束描繪的描繪資料中記載的圖樣的位置予以移位來修正。亦即，將描繪資料上的圖樣位置以朝和射束的位置偏離量反方向而相同量的位置修正量予以移位後，使用描繪資料以位置偏離後的射束來描繪，便能修正使得描繪圖樣的位置趨近設計值。或者，亦可將從描繪資料算出照射量之處理的基準位置以位置修正量朝反方向移位。 例如，如圖10所示，具有描繪資料上的位置(x0、y0)之圖樣P0，根據區域R1的射束位置偏離量及位置偏離方向而將描繪資料上的圖樣位置移位至(x1、y1)，而藉由區域R1的射束被描繪。此外，此圖樣P0，根據區域R2的射束位置偏離量及位置偏離方向而將描繪資料上的圖樣位置移位至(x2、y2)，而藉由區域R2的射束被描繪。同樣地，雖省略圖示，圖樣P0，根據區域R3～R7各者的射束位置偏離量及位置偏離方向而將描繪資料上的圖樣位置移位，而藉由區域R3～R7的射束被描繪。又，圖樣P0，根據區域R8的射束位置偏離量及位置偏離方向而將描繪資料上的圖樣位置移位至(x8、y8)，而藉由區域R8的射束被描繪。 在平台朝X方向移動而射束陣列通過平台上的位置(x0、y0)的期間，此位置藉由區域R1～R8的射束而被多重照射。亦即，圖樣P0藉由和射束陣列的區域分割數相同數量的多重度而被多重描繪。此外，藉由減慢平台速度，亦可達成以各區域例如區域R1的右半邊與左半邊的射束分別進行1次的照射之描繪。在此情形下圖樣P0藉由射束陣列的區域分割數的2倍數量的多重度而被多重描繪。一般而言，圖樣P0藉由和射束陣列的區域分割數相同或其以上的數量的多重度而被多重描繪。 接下來，沿著圖11所示流程圖說明本實施形態之描繪方法。 首先，測定多射束的各射束的擊發位置的位置偏離量(步驟S1)。例如，將多射束的一部分予以群組化，掃描設於XY平台105的標記106，藉由檢測器211檢測在標記106被反射的電子。檢測電路132，將藉由檢測器211檢測出的電子量通知給控制計算機110。射束位置測定部111，從檢測出的電子量取得掃描波形，以XY平台105的位置為基準，算出群組化的射束的位置。XY平台105的位置，藉由平台位置檢測器139而被檢測。 將多射束的別的射束予以群組化，藉由同樣的手法算出射束的位置。反覆此，藉此便能對每一群組化的射束求出射束位置。算出的射束位置與理想位置之差分，便成為位置偏離量。取得的位置偏離資料(位置偏離量的對映)存放於記憶部142。 必須選擇群組化的射束區域的大小，使得在群組化的射束群組的區域內之射束位置偏離量的範圍，比起射束陣列全體中的射束位置偏離量的範圍成為足夠小。亦即，若射束陣列內的位置偏離量的變化和緩則可使得較大的射束群組區域，但若前述位置偏離量的變化陡峭則必須使用足夠小的群組區域。對每一群組化的射束求出位置偏離量後，將此位置偏離量定義成在各群組化的射束的區域的中心之位置偏離量來表現射束陣列內的位置偏離量的分布，將其插補，算出在各射束位置之位置偏離量。 分割部112，將射束陣列朝向x方向(描繪行進方向)以均等的寬幅分割成複數個區域(子陣列)(步驟S2)。例如，如圖9所示，將射束陣列分割成8個區域R1～R8。 位置偏離量平均值算出部113，針對各分割區域，對間隔Δy的每一y座標，算出各分割區域內的針對X位置的位置偏離量的平均值Xa，Ya(步驟S3)。間隔Δy，是選擇使得Y座標相依的位置偏離量的變化成為比描繪所要求的圖樣尺寸精度及位置精度還足夠小。例如，當尺寸精度及位置精度的要求精度為1.0nm的情形下，合適是設定間隔Δy使得Y座標相依的位置偏離量的變化成為0.1nm。例如，當位置偏離量的針對Y座標的變化率是Y座標每1um為0.2nm的情形下，Δy可設定成0.5um。Xa為x方向的位置偏離量的區域內的針對X位置的平均值，Ya為y方向的位置偏離量的區域內的針對Y位置的平均值。例如，針對區域R1～R8的各者，算出間隔Δy的每一y座標的位置偏離量的平均值Xa，Ya。 位置修正部114，算出針對y座標的函數ΔX(y)、ΔY(y)(步驟S4)。此函數ΔX(y)、ΔY(y)成為表示位置修正量的函數。具體而言，函數ΔX(y)、ΔY(y)為將把平均值Xa，Ya的正負反轉而得的值針對y座標予以插補而作為y座標的函數者。函數ΔX(y)、ΔY(y)是在將射束陣列分割出的每一區域被算出。圖9例子中，針對區域R1～R8的各者，算出函數ΔX(y)、ΔY(y)。函數資料被存儲於記憶部144。 位置修正部114，從記憶部140讀出描繪資料，將描繪資料中定義的圖樣的位置予以移位恰好函數ΔX(y)、ΔY(y)的值(步驟S5)。當描繪圖樣的Y方向尺寸大的情形下，例如比前述Δy還大的情形下，將圖樣以Δy的寬幅分割而對分割出的每一圖樣以和分割圖樣的座標x、y相對應之ΔX(y)、ΔY(y)的值進行移位。像這樣若圖樣針對y方向被分割成比Δy還小，則圖樣的在內部之位置偏離量可視為略同一，故不論將圖樣的位置x、y定義成為圖樣的中心的位置，或定義成其他位置例如圖樣的左下的位置，也沒有描繪精度上的差別，圖樣位置的定義的方式不會引起描繪精度的劣化。 位置修正部114基於藉由位置偏離量而被求出的位置修正量來將圖樣移位，照射量算出部115將各條紋區域34以規定的尺寸分割成網目狀。此時，只要使圖樣與網目的相對位置移位即可，亦可將網目移位。另，此時基板上定義的像素的位置不會依每一子陣列移位。算出重疊於分割的各網目之圖樣的圖樣面積密度ρ與其對映亦即面積密度對映(面積密度分布)。此時，網目尺寸例如為多射束的射束1道的針對x方向及y方向之尺寸的平均值。照射量算出部115，從圖樣面積密度對映算出照射至各像素的射束的照射量ρD0。例如對圖樣面積密度ρ乘上基準照射量D0，算出照射至各像素的射束的照射量(步驟S6)。照射量算出部115，亦可將此照射量再做調變。例如亦可將乘上用來修正鄰近效應的修正係數而得之值訂為照射量。照射量算出部115，以條紋單位作成定義了每一像素的照射量之照射量對映。 另，亦可不使網目與圖樣的相對位置移位而製作出面積密度對映後，再基於位置修正量將面積密度對映移位來作成照射量對映。或者，亦可從面積密度對映作成照射量對映後，再基於位置修正量將照射量對映移位。或者，當面積密度對映中定義著描繪資料的情形下，亦可從面積密度對映作成照射量對映後，再基於位置修正量將照射量對映移位。或者，亦可藉由圖樣位置、面積密度對映、照射量對映的2種以上的移位的組合來進行位置修正。此時，亦可使用描繪資料中定義的圖樣的圖樣面積密度ρ來作成面積密度對映。 步驟S5的圖樣之移位及步驟S6的各像素的照射量之算出，是依射束陣列的每一分割區域進行。例如，使用區域R1的函數ΔX(y)、ΔY(y)將圖樣移位，以條紋單位算出針對R1的各像素的照射量，而作成區域R1的射束用的照射量對映。依同樣方式，以條紋單位作成區域R2～R8的各者的射束用的照射量對映。亦即，針對各條紋區域34的各者，作成和R1～R8相對應之條紋單位的照射量對映。 資料處理部116，將照射量變換成照射時間，以循著描繪循序(sequence)之擊發順序重新排列。照射時間，例如是訂為將每一前述網目的照射量除以射束的電流密度而得之值來求出。藉由此處理而獲得的是條紋單位的照射時間對映，故從此對映的網目選擇藉由1次的多射束的擊發而被照射的網目的組，來作成1次的擊發的照射時間排列資料。重新排列後的照射時間排列資料，被輸出給偏向控制電路130。 偏向控制電路130，將照射時間排列資料輸出給各遮沒器的控制電路。描繪控制部117控制描繪部150，令上述的描繪處理執行(步驟S7)。例如，對和區域R1的射束相對應之遮沒器的控制電路，輸入基於區域R1用的照射量對映之照射時間排列資料。針對其他的區域R2～R8亦同。 像這樣，按照本實施形態，將射束陣列朝向x方向以規定的均等寬幅分割成複數個區域，利用各分割區域中射束的位置偏離量的範圍會變得比射束陣列全體中的射束位置偏離量的範圍還小這一傾向，針對各分割區域算出示意位置偏離量的平均值之函數。然後，將描繪資料中定義的圖樣的位置預先移位恰好藉由此函數算出的值，藉此便能將藉由位置偏離的射束而描繪的圖樣的描繪位置修正成趨近設計值。此外，藉由和射束陣列的區域分割數相同數量(或其以上的數量)的多重度而進行多重描繪。 雖藉由圖樣移位進行射束的位置偏離修正，但此時像素的照射量的最大值幾乎不變化，因此能夠防止描繪產量的劣化，同時使描繪精度提升。圖樣移位時，當圖樣或將圖樣分割出的分割圖樣有重疊的情形下，在重疊發生的位置前述圖樣面積密度ρ會增加，但鄰接的圖樣或分割圖樣中的位置偏離量的差距足夠小故重疊的量小，重疊所造成的射束的照射時間的增加量微小，其所造成的描繪產量的劣化亦微小。 上述實施形態中，是不進行在鄰接像素間之照射量調變而進行了射束的位置偏離修正，但亦可結合圖樣移位與在鄰接像素間之照射量調變，來進行射束的位置偏離修正。在此情形下，控制計算機110如圖12所示，更具有差分算出部120。循著圖13所示流程圖來說明結合圖樣移位與在鄰接像素間之照射量調變而進行射束的位置偏離修正之描繪方法。 擊發位置的位置偏離量之測定(步驟S11)及區域分割(步驟S12)，和圖11的步驟S1及S2為相同處理，因此省略說明。 位置偏離量平均值算出部113，針對各分割區域，對前述間隔Δy的每一y座標，算出各分割區域內的針對X位置的位置偏離量XA，YA的平均值(步驟S13)。 差分算出部120，算出各射束的位置偏離量與相對應的各分割區域的y座標的位置偏離量XA，YA的平均值之差分X’、Y’(步驟S14)。亦即，當位於位置x、y的射束隸屬於分割區域R2的情形下，從分割區域R2中的在位置y的位置偏離量XA，YA、與該射束的位置偏離量的x成分、y成分之差分來算出X’、Y’。 位置修正部114，從記憶部140讀出描繪資料，將描繪資料中定義的圖樣的位置予以移位恰好-XA，-YA(步驟S15)。 照射量算出部115，將各條紋區域34以規定的尺寸(例如1道射束的尺寸)分割成網目狀，算出分割的各像素中配置的圖樣的圖樣面積密度ρ。照射量算出部115，對圖樣面積密度ρ乘上基準照射量D0 ，算出對各像素照射的射束的照射量ρD0 。此外，照射量算出部115，基於針對各射束算出的上述的差分X’、Y’，對各像素的照射量ρD0 進行在鄰接像素間的照射量調變，算出修正照射量D(步驟S16)。照射量算出部115，以條紋單位作成定義了每一像素的修正照射量D之照射量對映。 另，此時，亦可算出描繪資料中定義的圖樣的圖樣面積密度ρ而作成面積密度對映後，將面積密度對映移位來作成照射量對映。或者，亦可從描繪資料中定義的圖樣的圖樣面積密度ρ作成照射量對映後，再將照射量對映移位。 步驟S15的圖樣之移位及步驟S16的各像素的照射量之算出／調變，是依射束陣列的每一分割區域進行。藉此，例如作成區域R1～R8的各者的射束用的照射量對映。 資料處理部116，將照射量變換成照射時間，以循著描繪循序(sequence)之擊發順序重新排列。重新排列後的照射時間排列資料，被輸出給偏向控制電路130。 偏向控制電路130，將照射時間排列資料輸出給各遮沒器。描繪控制部117控制描繪部150，令上述的描繪處理執行(步驟S17)。 像這樣，將圖樣移位與照射量調變組合，藉此便能使描繪精度更加提升。比起如上述實施形態般不進行照射量的調變之情形，雖然描繪時間變長，但比起僅藉由照射量的調變來進行射束的位置偏離修正之以往手法，能夠抑制每1道射束的最大照射量，因此能夠縮短描繪時間。 上述實施形態中，說明了將射束陣列的分割寬幅(區域R1～R8的寬幅)訂為相同之例子，但每一分割區域亦可寬幅相異。例如，亦可將射束陣列的x方向兩端側的分割區域的寬幅訂為比中央部的分割區域的寬幅還小。這是因為中央部，即使將分割區域增寬，位置偏離量的不均度仍小。 另，本發明並不限定於上述實施形態本身，於實施階段中在不脫離其要旨的範圍內能夠將構成要素變形而予具體化。此外，藉由上述實施形態中揭示的複數個構成要素的適宜組合，能夠形成種種發明。例如，亦可將實施形態所示之全部構成要素中刪除數個構成要素。又，亦可將不同實施形態之間的構成要素予以適當組合。
20(20a~20e):電子束(多射束) 22:開口 30:描繪區域 34:條紋區域 35:照射區域 100:描繪裝置 101:基板 102:電子鏡筒 103:描繪室 105:XY平台 106:標記 110:控制計算機 111:射束位置測定部 112:分割部 113:位置偏離量平均值算出部 114:位置修正部 115:照射量算出部 116:資料處理部 117:描繪控制部 120:差分算出部 130:偏向控制電路 132:檢測電路 139:平台位置檢測器 140,142,144:記憶部 150:描繪部 160:控制部 200:電子束 201:電子槍 202:照明透鏡 203:成形孔徑構件 204:遮沒板 205:縮小透鏡 206:限制孔徑構件 207:對物透鏡 208:偏向器 210:鏡 211:檢測器 BA:射束陣列 P0:圖樣 R1~R8:區域
[圖1]為依本發明實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的概略圖。 [圖2]為成形孔徑構件的平面圖。 [圖3(a)]、[圖3(b)]為描繪動作的一例說明圖。 [圖4]為描繪動作的一例說明圖。 [圖5]為描繪動作的一例說明圖。 [圖6]為描繪動作的一例說明圖。 [圖7]為射束陣列內的各射束的射束位置的例子示意圖。 [圖8]為射束陣列內的射束位置偏離量示意圖表。 [圖9]為分割區域內的射束位置偏離量示意圖表。 [圖10]為圖樣移位的例子示意圖。 [圖11]為同實施形態之描繪方法說明圖。 [圖12]為按照另一實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的概略圖。 [圖13]為另一實施形態之描繪方法說明圖。
20a~20e:多射束
100:描繪裝置
101:基板
102:電子鏡筒
103:描繪室
105:XY平台
106:標記
110:控制計算機
111:射束位置測定部
112:分割部
113:位置偏離量平均值算出部
114:位置修正部
115:照射量算出部
116:資料處理部
117:描繪控制部
130:偏向控制電路
132:檢測電路
139:平台位置檢測器
140,142,144:記憶部
150:描繪部
160:控制部
200:電子束
201:電子槍
202:照明透鏡
203:成形孔徑構件
204:遮沒板
205:縮小透鏡
206:限制孔徑構件
207:對物透鏡
208:偏向器
210:鏡
211:檢測器

Claims (18)

  1. 一種多射束描繪方法，係對被載置於朝規定方向行進的平台之基板上定義的每一像素照射多射束的各射束而形成圖樣之多射束描繪方法，其中， 藉由至少於前述規定方向將前述多射束的陣列分割而成的複數個子陣列每一者的前述各射束的位置偏離量，取得前述子陣列每一者的前述圖樣的位置修正量， 基於前述位置修正量，算出用來將在前述子陣列每一者被描繪的前述圖樣的位置予以移位之對前述各像素照射的前述各射束的照射量， 控制被算出的前述照射量，使用2個以上的前述子陣列的各自至少一部分而進行多重描繪。
  2. 如請求項1記載之多射束描繪方法，其中，基於前述子陣列每一者的前述位置修正量，對複數個前述子陣列每一者，將前述圖樣的描繪資料上的位置或從前述描繪資料算出照射量之處理的基準位置予以移位，藉此算出對和前述描繪資料上的位置已移位的前述圖樣相對應的像素照射之前述各射束的照射量。
  3. 如請求項1記載之多射束描繪方法，其中，求出和複數個前述子陣列的各者相對應的前述圖樣的面積密度分布， 將前述面積密度分布基於前述位置修正量予以移位，而算出對和前述圖樣相對應的像素照射之前述各射束的照射量。
  4. 如請求項1記載之多射束描繪方法，其中，求出和複數個前述子陣列的各者相對應的前述圖樣的面積密度分布， 藉由前述面積密度分布求出前述子陣列每一者的照射量分布， 將前述照射量分布基於前述位置修正量予以移位，而算出前述各射束的照射量。
  5. 如請求項1記載之多射束描繪方法，其中，前述位置修正量，是使用在前述子陣列內和垂直於前述規定方向的方向的位置相依而變化之函數而求出。
  6. 如請求項1記載之多射束描繪方法，其中，前述位置修正量，在前述子陣列內訂為齊一。
  7. 如請求項1記載之多射束描繪方法，其中，從前述子陣列內的前述各射束的位置偏離量分布與前述子陣列每一者前述位置修正量之差分，求出位置修正剩餘分布， 基於前述位置修正剩餘分布在鄰接射束間將前述照射量調變。
  8. 如請求項1記載之多射束描繪方法，其中，前述複數個子陣列，其前述規定方向的寬幅為均等。
  9. 如請求項1記載之多射束描繪方法，其中，前述多射束的陣列中，位於前述規定方向的兩端側的子陣列的前述規定方向的寬幅，比中央部的子陣列的前述規定方向的寬幅還小。
  10. 如請求項1記載之多射束描繪方法，其中，使用朝前述規定方向並排之前述多射束的陣列的一部分，照射前述像素。
  11. 一種多射束描繪裝置，係對被載置於朝規定方向行進的平台之基板上掃描多射束，對前述基板上定義的每一像素照射前述多射束的各射束而形成圖樣之多射束描繪裝置，具備： 位置修正部，藉由至少於規定方向將前述多射束的陣列分割而成的複數個子陣列每一者的前述各射束的位置偏離量，取得前述子陣列每一者的前述圖樣的位置修正量；及 照射量算出部，對前述子陣列每一者，算出用來將被描繪的前述圖樣的位置予以移位之前述各射束的照射量；及 照射量控制部，控制使得多射束的各射束成為被算出的前述照射量；及 描繪部，藉由被控制的前述照射量，使用2個以上的前述子陣列的各自至少一部分而在前述基板上進行多重描繪。
  12. 如請求項11記載之多射束描繪裝置，其中，前述位置修正部，基於前述位置修正量，將和複數個前述子陣列的各者相對應的前述圖樣的描繪資料上的位置予以移位， 前述照射量算出部，算出對和已移位的前述圖樣相對應的像素照射之前述各射束的照射量。
  13. 如請求項11記載之多射束描繪裝置，其中，前述位置修正部，將前述子陣列每一者的面積密度分布予以移位恰好前述位置修正量， 前述照射量算出部，基於已移位的前述子陣列每一者的前述面積密度分布，求出前述各射束的照射量。
  14. 如請求項11記載之多射束描繪裝置，其中，前述照射量算出部，求出前述子陣列每一者的照射量分布， 前述位置修正部，將前述照射量分布基於前述位置修正量予以移位。
  15. 如請求項11記載之多射束描繪裝置，其中，前述位置修正量，在前述子陣列內和垂直於前述規定方向的方向的位置相依而變化。
  16. 如請求項11記載之多射束描繪裝置，其中，更具備：差分算出部，從前述子陣列內的前述各射束的位置偏離量分布與前述子陣列每一者前述位置修正量之差分，求出位置修正剩餘分布， 前述照射量算出部，基於前述位置修正剩餘分布在鄰接射束間將前述照射量調變。
  17. 如請求項11記載之多射束描繪裝置，其中，前述複數個子陣列，其前述規定方向的寬幅為均等。
  18. 如請求項11記載之多射束描繪裝置，其中，前述多射束的陣列中，位於前述規定方向的兩端側的子陣列的前述規定方向的寬幅，比中央部的子陣列的前述規定方向的寬幅還小。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8710467B2 (en) * 2011-09-01 2014-04-29 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method
JP2016119423A (ja) * 2014-12-22 2016-06-30 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
TWI631598B (zh) * 2015-10-07 2018-08-01 紐富來科技股份有限公司 Multi-charged particle beam drawing method and multiple charged particle beam drawing device
TWI645258B (zh) * 2016-02-08 2018-12-21 日商紐富來科技股份有限公司 多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法
TW201910932A (zh) * 2017-08-04 2019-03-16 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
TWI655514B (zh) * 2016-10-26 2019-04-01 日商紐富來科技股份有限公司 Multi-charged particle beam drawing device and multi-charged particle beam drawing method
US20190198290A1 (en) * 2017-12-26 2019-06-27 Nuflare Technology, Inc. Multiple charged particle beam writing apparatus, and multiple charged particle beam writing method

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001075946A1 (fr) * 2000-04-04 2001-10-11 Advantest Corporation Appareil d'exposition a faisceau multiple comprenant un objectif electronique a axes multiples, objectif electronique a axes multiples pour mettre au point le faisceau electronique multiple, et procede de production d'un appareil a semi-conducteur
JP4459524B2 (ja) * 2002-11-14 2010-04-28 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置、デバイス製造方法
JP4421836B2 (ja) 2003-03-28 2010-02-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP5828610B2 (ja) * 2007-07-12 2015-12-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置
WO2009147202A1 (en) * 2008-06-04 2009-12-10 Mapper Lithography Ip B.V. Writing strategy
ATE527678T1 (de) 2008-11-17 2011-10-15 Ims Nanofabrication Ag Verfahren zur maskenlosen teilchenstrahlbelichtung
KR20120098627A (ko) 2009-09-18 2012-09-05 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 다중 빔을 갖는 대전 입자 광학 시스템
JP2013074088A (ja) 2011-09-28 2013-04-22 Canon Inc 荷電粒子線描画装置、描画データ生成方法、描画データ生成プログラム、それを用いた物品の製造方法
JP2015037104A (ja) 2013-08-12 2015-02-23 キヤノン株式会社 描画装置、および物品の製造方法
JP6353229B2 (ja) * 2014-01-22 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6383228B2 (ja) 2014-09-19 2018-08-29 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのビーム位置測定方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2016086103A (ja) 2014-10-27 2016-05-19 キヤノン株式会社 描画装置、リソグラフィーシステム、パターンデータの作成方法、描画方法及び物品の製造方法
JP6438280B2 (ja) 2014-11-28 2018-12-12 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2016225357A (ja) 2015-05-27 2016-12-28 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US9852876B2 (en) 2016-02-08 2017-12-26 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method
JP6589758B2 (ja) 2016-07-04 2019-10-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6869695B2 (ja) * 2016-10-28 2021-05-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2018078251A (ja) 2016-11-11 2018-05-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
US10325757B2 (en) 2017-01-27 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced dose-level quantization of multibeam-writers
JP6934742B2 (ja) 2017-04-19 2021-09-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6854215B2 (ja) 2017-08-02 2021-04-07 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP7239282B2 (ja) 2018-08-03 2023-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8710467B2 (en) * 2011-09-01 2014-04-29 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method
JP2016119423A (ja) * 2014-12-22 2016-06-30 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
TWI631598B (zh) * 2015-10-07 2018-08-01 紐富來科技股份有限公司 Multi-charged particle beam drawing method and multiple charged particle beam drawing device
TWI645258B (zh) * 2016-02-08 2018-12-21 日商紐富來科技股份有限公司 多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法
TWI655514B (zh) * 2016-10-26 2019-04-01 日商紐富來科技股份有限公司 Multi-charged particle beam drawing device and multi-charged particle beam drawing method
TW201910932A (zh) * 2017-08-04 2019-03-16 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
US20190198290A1 (en) * 2017-12-26 2019-06-27 Nuflare Technology, Inc. Multiple charged particle beam writing apparatus, and multiple charged particle beam writing method

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