TWI631427B - 基於晶圓之光源參數控制技術 - Google Patents

基於晶圓之光源參數控制技術 Download PDF

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TWI631427B
TWI631427B TW103120055A TW103120055A TWI631427B TW I631427 B TWI631427 B TW I631427B TW 103120055 A TW103120055 A TW 103120055A TW 103120055 A TW103120055 A TW 103120055A TW I631427 B TWI631427 B TW I631427B
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傑森Ｊ 李
洛斯提斯拉夫 洛基司基
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Abstract

一種微影方法，其係包括：指示一光源產生一脈衝光束；使該脈衝光束掃描越過一微影曝光設備的一晶圓以用該脈衝光束使該晶圓曝光；在使該脈衝光束掃描越過該晶圓期間，接收該脈衝光束在該晶圓的一特性；接收一晶圓之一物理性質對於一特定脈衝光束特性的一測定值；以及基於在掃描期間收到的該脈衝光束特性以及收到的該物理性質之該測定值，修改該脈衝光束在掃描越過該晶圓期間的一效能參數。

Description

基於晶圓之光源參數控制技術
本揭示內容係有關於基於晶圓之光源參數控制技術。
微影技術為圖案化半導體電路於基板(例如，矽晶圓)上的方法。微影光源提供用來曝光在晶圓上之光阻劑的深紫外光(DUV)。微影的DUV光是用準分子光源產生。該光源常為雷射源，以及脈衝光束為脈衝雷射光束。該光束穿經光束輸送單元，濾過標線(或遮罩)，然後投影於預備好的矽晶圓上。以此方式，將晶片設計圖案化於隨後會被蝕刻及清洗的光阻劑上，然後重覆該方法。
在一些一般方面中，一種微影方法，其係包括：指示一光源產生一脈衝光束；使該脈衝光束掃描越過一微影曝光設備的一晶圓以用該脈衝光束使該晶圓曝光；在使該脈衝光束掃描越過該晶圓期間，接收該脈衝光束在該晶圓的一特性；接收一晶圓之一物理性質對於一特定脈衝光束特性的一測定值；以及基於在掃描期間收到的該脈衝光束特性以及收到的該物理性質之該測定值，修改該脈衝光 束在掃描越過該晶圓期間的一效能參數。
具體實作可包括下列特徵中之一或更多。例如，該物理性質的測定值可包括該晶圓之該物理性質的誤差。該物理性質可為下列項目中之一或更多：形成於該晶圓上之一特徵的一對比，在暴露於該脈衝光束之一晶圓區的一關鍵尺寸，在暴露於該脈衝光束之一晶圓區的一光阻劑分布，形成於該晶圓上之諸層之間的疊對(overlay)，以及在暴露於該脈衝光束之一晶圓區的一側壁角度。
該晶圓之該物理性質對於一特定光束特性的測定值可藉由以下方式接收：針對已被該光源之光束曝光在先之一晶圓，接收該曝光在先晶圓之物理性質對於在該曝光在先晶圓上之一光束特性集合的一測定值集合。
在使該脈衝光束掃描越過該晶圓期間，接收該光束在該晶圓的特性可藉由接收為該晶圓曝光於該光束處的一位置。
在使該脈衝光束掃描越過該晶圓期間，接收該光束在該晶圓的特性可藉由：接收該光束在使該晶圓曝光時的一能量。
修改該脈衝光束的效能參數可藉由修改該脈衝光束的一目標效能參數。該方法更可包括：接收該脈衝光束之該效能參數的一測量值；確定該測得效能參數是否與該經修改之目標效能參數匹配；以及如果確定該測得效能參數與該經修改之目標效能參數不匹配，送出一訊號給該光源以修改該脈衝光束之該效能參數。
接收在該晶圓的光束特性可藉由接收由該微影曝光設備至該光源的一控制訊號；以及基於收到的該控制訊號來確定在該晶圓之該光束特性。
該方法可包括決定該脈衝光束之該效能參數的一修改。決定修改該脈衝光束之該效能參數可藉由：將一經儲存之效能參數集合存取成在該晶圓處之光束特性的一函數；在經存取之該集合內選定用於效能參數的數值，而該數值對應至在該當前晶圓處所接收到的光束特性；以及比較該效能參數之選定值與該脈衝光束之效能參數的一當前值。該方法可包括：如果該效能參數之選定值與該當前值不匹配，則判定該當前效能參數需要調整以與該選定值匹配。
接收該晶圓之該物理性質對於該特定光束特性之該測定值可藉由：基於該光束之該收到特性來選擇該晶圓之該物理性質對於該特定光束特性的數值。
該晶圓之該物理性質之該測定值可藉由以下方式接收：對於該晶圓處之一光束特性集合，接收該晶圓之一測得物理性質集合。該方法也可包括：對於在該集合中的在該晶圓之各個光束特性，基於該測得物理性質來確定該脈衝光束的一效能參數；以及對於該集合內的各個光束特性，儲存經確定之效能參數。
使該脈衝光束掃描越過該晶圓可藉由：使該脈衝光束掃描越過該晶圓之一場域，該場域為該被曝光之晶圓的全部區域之一小部份；以及接收該光束之該特性可藉 由：在掃描越過該場域期間，接收該特性。
修改該脈衝光束的效能參數可藉由修改以下項目中之一或更多：光譜特徵，光譜特徵的誤差，該脈衝光束的能量，該脈衝光束的劑量，該脈衝光束的波長誤差，該脈衝光束的頻寬，以及該脈衝光束的光譜形狀。
該方法可包括基於修改該脈衝光束的該效能參數來修正該晶圓的圖案化誤差(errors in patterning)。可在不修改該微影曝光設備下，修正該晶圓的圖案化誤差。可在不修改該微影曝光設備內的光學特徵件或組件下，修正該晶圓的圖案化誤差。
修改該脈衝光束的效能參數可藉由修改該脈衝光束的一光譜特徵，以及該方法可包括每次在收到該光束特性時，產生一光譜特徵的一估計值。
可接收該晶圓之各個場域的該光束特性，該場域為該被曝光之晶圓的全部區域之一小部份以及該晶圓的該區域在一曝光窗口的一次掃描時曝光。
藉由以脈衝至脈衝方式(pulse-to-pulse basis)干擾該脈衝光束的一光譜形狀可產生該脈衝光束。脈衝至脈衝方式干擾該脈衝光束之該光譜形狀可藉由：使該光束之各個脈衝的一中心波長以預定義的一重覆模式方式偏離一基線波長。修改該脈衝光束之該效能參數可藉由：修改該光束之各個脈衝之該中心波長偏離該基線波長的程度。
該方法在掃描該晶圓之前也可包括：在一掃描內測量在一或更多先前被曝光之晶圓之各個曝光場域的該物 理性質；以及對於在用該脈衝光束曝光之一整個晶圓上的各個曝光場域，建立與各個測得物理性質關聯的一表格。接收該物理性質之該測定值可藉由：從該生成表格接收該當前曝光場域的該測得物理性質。接收該光束特性可藉由：接收該晶圓之一曝光之一起動的一檢波；以及接收該晶圓之該曝光之一結束的一檢波。
在其他一般方面中，一種微影系統包括：產生一脈衝光束的一光源；一光學組件集合，彼等係引導該脈衝光束至一微影技術曝光設備的一晶圓以藉此用該脈衝光束使該晶圓曝光；在該微影曝光設備內的一掃描光學系統，其係經組配成可使該脈衝光束掃描越過該晶圓；在該微影曝光設備內的一監視模組，其係在掃描該晶圓期間輸出該脈衝光束在該晶圓的一特性；一關聯模組(correlation module)，其係接收一晶圓之一物理性質對於在該晶圓之一脈衝光束特性集合的一測得值集合，以及基於該等收到測定值，輸出該脈衝光束之一目標效能參數與在該晶圓之該脈衝光束特性的一關聯；一效能參數模組，其係連接至該監視模組以接收在該晶圓之該脈衝光束特性的輸出以及連接至該關聯模組以接收該關聯之程序配方以及經組配成基於收到的該光束特性及該關聯之程序配方，可輸出該效能參數的一數值；以及一光源模組，其係連接至該效能參數模組以接收該效能參數之該輸出值以及連接至一光源致動系統，該光源致動系統基於收到的該輸出值來致動該光源之一或更多物理特徵以修改該光源的一或更多效能參數。
數個具體實作可包括下列特徵中之一或更多。例如，該微影系統也可包括一量測模組(metrology module)，其係包含：接受一或更多晶圓的一晶圓夾持器；以及一偵測系統，其係測量該晶圓對於在該晶圓之各個光束特性的該物理性質以及輸出各個光束特性在該晶圓的該測得物理性質。該關聯模組可經連接成可接收來自該量測模組的輸出，以及基於該量測模組的輸出，建立該關聯之程序配方。在該晶圓之該光束特性可包括該脈衝光束在使該晶圓曝光時的一位置。
100‧‧‧微影系統
105‧‧‧光學源/光源
110‧‧‧脈衝光束
115‧‧‧微影曝光設備
117‧‧‧控制器
120‧‧‧晶圓
122‧‧‧晶圓夾持器
125‧‧‧掃描光學系統/光學系統
140‧‧‧監視模組
145‧‧‧量測設備
150‧‧‧效能參數系統
155‧‧‧偵測系統
160‧‧‧資料集合
164‧‧‧資訊
165‧‧‧資訊/光束在晶圓的特性
180‧‧‧測量系統
185‧‧‧控制系統
200‧‧‧曝光狹縫或窗口
205‧‧‧曝光狹縫
210‧‧‧光學配置
220‧‧‧平台
232‧‧‧物鏡配置
234‧‧‧遮罩
238‧‧‧光軸
300‧‧‧晶圓曝光訊號
305‧‧‧高位值
310‧‧‧低位值
315‧‧‧閘極訊號
320‧‧‧高位值
325‧‧‧低位值
330‧‧‧觸發訊號
400‧‧‧光譜(或發射光譜)
405‧‧‧光譜強度
410‧‧‧波長或光學頻率
500‧‧‧主振盪器(MO)
502‧‧‧種子光束
505‧‧‧示範光源
510‧‧‧功率放大器(PA)
515‧‧‧輸出耦合器
525‧‧‧光束修改光學系統
530‧‧‧光束反射器
550‧‧‧光譜特徵選擇系統
551‧‧‧光譜特徵選擇模組
580'、580”‧‧‧測量系統
650‧‧‧效能參數系統
651‧‧‧效能參數模組
652A-x‧‧‧控制器
654A-x‧‧‧致動系統集合
666A-x‧‧‧特徵
750‧‧‧光譜特徵選擇系統
751‧‧‧光譜特徵模組
752‧‧‧光譜特徵控制器
754、756、758‧‧‧光譜特徵致動系統
760、762、764‧‧‧光學特徵件
766‧‧‧光學系統
780‧‧‧反射光柵
782、784、786、788‧‧‧稜鏡
840'‧‧‧訊號監視器
840”‧‧‧能量或功率感測器
900‧‧‧記憶體
905‧‧‧輸入裝置
910‧‧‧輸出裝置
915‧‧‧可編程處理器
920‧‧‧電腦程式產品
925‧‧‧關聯模組
930‧‧‧效能參數模組
935‧‧‧資訊/目標效能參數與在晶圓的光束特性
937‧‧‧目標值/當前測得值
945‧‧‧光源模組
940‧‧‧目標效能參數
945‧‧‧光源模組
950‧‧‧光源致動系統
1000‧‧‧列表
1002‧‧‧測得物理性質
1004‧‧‧脈衝光束特性
1010‧‧‧列表
1012‧‧‧效能參數
1120‧‧‧示範晶圓
1200‧‧‧程序
1205至1240‧‧‧步驟
1300至1315‧‧‧步驟
1400至1415‧‧‧步驟
1510‧‧‧曲線圖
1610、1620‧‧‧曲線圖
1710、1800‧‧‧曲線圖
1810、1910‧‧‧曲線圖
2000、2050‧‧‧曲線圖
2200‧‧‧曲線圖
2230‧‧‧直線
圖1的方塊圖圖示包含微影曝光設備及量測設備的微影系統；圖2A的方塊圖圖示圖1之系統的示範微影曝光設備；圖2B及圖2C的方塊圖圖示圖2A示範微影曝光設備在曝光期間的示範步驟；圖3為示範訊號-時間曲線圖，其係由圖1之微影曝光設備的內部控制器產生；圖4為示範光譜曲線圖，其係由圖1之微影系統的光源產生；圖5的方塊圖圖示圖1之微影系統的示範光源；圖6的方塊圖圖示圖1之微影系統的示範效能參數系統；圖7A的方塊圖圖示圖6之效能參數系統的示範效能參數模組； 圖7B的方塊圖圖示圖7A之效能參數模組的示範組件；圖8A及圖8B的方塊圖圖示可用於圖1之微影曝光設備的示範監視模組；圖9的方塊圖圖示圖1之微影系統的示範控制系統；圖10圖示被在圖9控制系統內之關聯模組接收的示範列表以及由該關聯模組輸出的示範列表；圖11圖示可用圖1之微影系統成像的示範晶圓；圖12的流程圖圖示藉由調整輸出自圖1微影系統之光源之效能來調整晶圓之物理性質的程序；圖13的流程圖圖示用以基於光束在晶圓之收到特性以及晶圓對於特定光束特性之測得物理性質來確定是否要修改及如何修改光束之效能參數的程序；圖14的流程圖圖示用於修改光束之效能參數的程序；圖15A的曲線圖圖示如何用圖12之程序來控制光束效能參數(頻寬)；圖15B的圖表圖示晶圓上的測得物理性質如何隨著在各個場域之頻寬的修改而改變；圖16為一曲線圖集合，上曲線圖圖示如何按照各個狹縫編號用圖12之程序改變光束效能參數，以及下曲線圖圖示如何用圖12之程序使光束效能參數不改變；圖17A的曲線圖圖示如何用圖12之程序來控制光束效能參數(能量)；圖17B至圖17D的圖表圖示晶圓上的測得物理性質各 自對於不同的頻寬範圍如何隨著在各個場域之頻寬的修改而改變；圖18的曲線圖圖示如何按照晶圓的各個場域編號用圖12之程序改變光束效能參數(波長誤差)；圖19的曲線圖圖示如何用圖12之程序按照光束在晶圓的各個脈衝來改變光束效能參數(波長誤差)；圖20A及圖20B的曲線圖各自圖示在用光束曝光晶圓期間在不同位置或時刻取得之光束的光譜形狀；圖21為一示範晶圓對映圖，其中光束的光譜相位經修改成藉此可場域至場域地修改光束的光譜形狀；以及圖22A及圖22B的曲線圖圖示晶圓的物理性質(關鍵尺寸)如何隨著光束的效能參數(焦點)而改變。
請參考圖1，微影系統100包括引導脈衝光束110至晶圓120的光學源(或光源)105。微影系統100也包括接受晶圓120的微影曝光設備115，以及連接至微影曝光設備115和至光源105的控制系統185。微影曝光設備115包括掃描光學系統125、監視模組140及內部控制器117。當晶圓120正在暴露於脈衝光束110時，監視模組140偵測或測量脈衝光束110在晶圓120的特性(例如，位置)。
微影系統100包括含有晶圓夾持器122的量測設備145，晶圓夾持器122係接受晶圓120及偵測系統155。在一些具體實作中，晶圓夾持器122接受一或更多先前已曝光的晶圓120。在其他具體實作中，晶圓夾持器122在光 束掃描晶圓120時也夾持晶圓120，因而，在這些具體實作中，量測設備145使得及時量測(亦即，在晶圓的曝光期間)有可能。
偵測系統155測量對應至在晶圓之特定光束特性晶圓120物理性質。例如，晶圓120的物理性質可為微影時形成於晶圓上之物理特徵的對比，微影時暴露於光束110之晶圓區的關鍵尺寸，微影時暴露於光束110之晶圓區的光阻劑分布，微影時形成於晶圓上之每一層的疊對，或微影時暴露於光束110之晶圓區的特徵之側壁角度。例如，該光束特性可為晶圓120在微影時暴露於光束的數個指定位置。在此實施例中，偵測系統155測量為晶圓暴露於光束之各個晶圓位置的物理性質。偵測系統155輸出一資料集合160，其係包含在晶圓之各個光束特性的一或更多測得物理性質。選擇用偵測系統155測量在晶圓之光束特性的數目可基於所欲控制數量或可基於被測量的指定物理性質。
控制系統185從量測設備145之偵測系統155接收在晶圓之各個光束特性的測得物理性質的輸出160。基於收到的資訊，控制系統185可用晶圓120上的各個光束特性確定先前已加工(用微影系統100)晶圓120的物理形狀是否有誤差，以及可確定如何調整脈衝光束110的效能參數以補償晶圓形狀的誤差。或者，控制系統185可確定如何調整光束110的效能參數以調整晶圓形狀。該晶圓形狀為在晶圓120暴露於光束110時由圖案化引起而形成於晶 圓120上的幾何圖案。因此，該幾何圖案可為一序列在晶圓中的刻印或一序列在所欲圖案中的新材料沉積物，以及此幾何圖案的形狀經獨特地製作成能夠用於晶圓及由該晶圓形成的晶片。
微影系統100的其他組件，例如效能參數系統150及一或更多測量系統180，都連接至控制系統185。例如，效能參數系統150可包括接收源於光源105之光束以及基於來自控制系統185之輸入來微調光源105之光譜輸出的光譜特徵模組。一或更多測量系統180測量輸出自光源105之光束110的性質，例如，光譜特徵(例如，頻寬及波長)或能量。
在微影曝光設備115掃描當前晶圓120時，控制系統185從監視模組140接收表示光束110掃描晶圓120的資訊165。此資訊為光束110在使晶圓120曝光時的特性(例如，空間位置或能量)。例如，該資訊可用來測定光束110正在使晶圓120曝光的位置。
控制系統185使用來自監視模組140的資訊165以及來自偵測系統155的輸出160以確定如何修改由光源105產生之脈衝光束110的一或更多光學效能參數。以此方式，脈衝光束110之一或更多光學效能參數的變化或擾動可用來藉此修改晶圓在微影曝光設備115內掃描時持續出現的晶圓120物理性質或物理性質誤差。
因為這樣，當晶圓120正在曝光時，可用晶圓內(例如，場域至場域)或場域內(例如，狹縫至狹縫)方式驅動 光源105而不需改變微影曝光設備115。所揭示的技術可致能用晶圓至晶圓、場域至場域或狹縫至狹縫方式及時產生任意光譜。這可增強晶圓曝光及資料記錄的能力及機動性。
也參考圖2A，描述晶圓120的曝光。控制器117控制諸層如何印製於晶圓120係藉由提供命令給光源105(例如，通過控制系統185)欲供應有特定特性及時序的光束110。
微影曝光設備115包括承載晶圓120的平台220使得在光束110的曝光期間可移動晶圓120。微影曝光設備115包括含有照明器系統的光學配置210，該照明器系統，例如，有一或更多聚光透鏡、遮罩234及物鏡配置(objective arrangement)232。遮罩234可沿著一或更多方向移動，例如光束110的光軸238或在垂直於光軸238的平面。物鏡配置232包括投影透鏡以及使得遮罩234的圖像能轉印到晶圓120上的光阻劑。該照明器系統也調整光束110打在遮罩234上的角度範圍。
“場域”係指晶圓120的曝光場域210，以及曝光場域210為晶圓120中暴露於曝光狹縫或窗口200之一次掃描的區域，以及曝光窗口200為晶圓120中暴露於一次照射劑量的受照射區。用微影曝光設備115內之一或更多曝光狹縫的曝光，控制照射同一個區域(曝光窗口)之光束110的脈衝數。
在曝光期間，用光束110輻照晶圓120。製程程式或程序配方(recipe)確定晶圓120的曝光長度，被使用的 遮罩234，以及影響曝光的其他因素。
控制器117控制諸層如何印製於晶圓120上係藉由提供命令給光源105(例如，通過控制系統185)以供應有特定特性及時序的光束110。特別是，控制器117藉由送出一或更多訊號給光源105來控制光源105何時放射脈衝或一陣脈衝。
因此，在晶圓120之光束特性為晶圓120暴露於光束之位置的實施例中，則偵測系統155可測量晶圓對於每一場域、每一狹縫或光束之某一脈衝數的物理性質；使得晶圓位置數可低到每個晶圓場域有1至10個位置或每個晶圓有1至10個位置，以及可高到每個晶圓場域有100至300個位置(或可以各個狹縫或各個脈衝為基礎)。
例如，以及參考圖3，控制器117可經組配成可送出晶圓曝光訊號300給光源105，其係告訴光源105在確定新晶圓120已放在平台220上時開始晶圓曝光。晶圓曝光訊號300在晶圓正被曝光時可具有高位值305(例如，整數5)以及在晶圓曝光結束時可切換到低位值310(例如，0)。另外，控制器117送出閘極訊號315給光源105；閘極訊號315在整串脈衝期間有高位值320(例如，1)以及在脈衝串之間有低位值325(例如，0)。脈衝串中的脈衝數可與照射同一個曝光窗口從而同一個場域之光束110的脈衝數相同。在一些具體實作中，脈衝串(或場域)有數以百計的數值，例如100至400脈衝。控制器117也送出觸發訊號330給光源105；觸發訊號330對於光源105的各個脈衝有高位 值(例如，1)，以及在每個相繼脈衝之間有低位值(例如，0)。
在微影期間，光束110的多個脈衝照射晶圓120的同一個區域以形成照射劑量。用放在遮罩234前面的曝光狹縫205控制狹縫200的大小。可設計類似快門以及可包含可開關之多個葉片的狹縫205；以及暴露面積的大小則取決於在掃描及非掃描方向的葉片距離。在一些具體實作中，N值為兩位數，例如，10至100個脈衝，10至70個脈衝，或10至50個脈衝。在其他具體實作中，N值為三位數，例如，100至400個脈衝。
遮罩234、物鏡配置232及晶圓120中之一或更多在曝光期間可相互運動以使曝光窗口200掃描越過曝光場域210。例如，圖2B及圖2C圖示掃描的兩個示範步驟。
脈衝光束110的光學效能參數包括光束110的能量，光束110的光譜性質，例如波長或頻寬，以及光束110的能量或光譜性質誤差。以下描述光束110的光譜性質及光源105。
請參考圖4，由光源105產生之脈衝光束110的光譜(或發射光譜)400含有光學能量或功率如何分佈於不同波長的資訊。光束110的光譜400以圖表的形式圖示，其中光譜強度405(不一定有絕對定標)繪製成為波長或光學頻率410的函數。光譜400可稱為光束110的光譜形狀或強度譜(intensity spectrum)。光束110的光譜性質或特徵包括強度譜的任何方面或表現。例如，頻寬為光譜特徵。該光束的頻寬為此光譜形狀的寬度測度，以及此寬度可用 雷射光的波長或頻率給出。與光譜400細節有關的任何適當數學結構(亦即，度量衡)可用來估計特徵化光束之頻寬的數值。例如，在光譜形狀之最大尖峰強度之一小部份(X)的光譜之全寬度(稱為FWXM)可用來特徵化光束頻寬。作為另一實施例，光譜中包含積分光譜強度(稱為EY)之一小部份(Y)的寬度可用來特徵化光束頻寬。
請參考圖5，示範光源505為產生脈衝雷射光束成為光束110的脈衝雷射源。如圖5的實施例所示，光源505為雙平台雷射系統，其係包含提供種子光束502給功率放大器(PA)510的主振盪器(MO)500。主振盪器500通常包括放大在其中發生的增益介質(gain medium)以及光學回饋機構，例如光學諧振器。功率放大器510通常包括在用源於主振盪器500之種子雷射光束作為種子時而在其中發生放大的增益介質。如果功率放大器510設計成為再生環諧振器，則它被描述成為功率環放大器(PRA)，以及在此情形下，此環式設計可提供足夠的光學回饋。主振盪器500致能微調光譜參數，例如在在相對低輸出脈衝能量的中心波長及頻寬。功率放大器510接收來自主振盪器500的輸出以及放大此輸出以得到必要的功率供輸出以用於微影技術。
在此實施例中，效能參數系統150包括光譜特徵選擇模組551，以及一或更多測量系統180包括連接至控制系統185的測量系統580’及580”。測量系統580’為接收來自輸出耦合器515之輸出的線中心分析模組(LAM)。
主振盪器500包括有兩個長形電極的放電室、用作增益介質的雷射氣體，用於使氣體在電極之間循環的風扇，以及雷射諧振器，其係形成於在放電室之一側上的光譜特徵選擇系統550與在放電室之另一側上的輸出耦合器515之間。一或更多光束修改光學系統525按需要修改雷射光束的大小及/或形狀。線中心分析模組580’為一種可用來測量或監視種子光束502波長的測量系統180之實施例。該線中心分析模組可放在光源505內的其他位置，或可放在光源505的輸出處。
用於放電室的雷射氣體可為任何適當氣體用於產生在必要波長及頻寬附近的雷射光束，例如，該雷射氣體可為放射波長約193奈米之光線的氬氟化物(ArF)，或放射波長約248奈米之光線的氪氟化物(KrF)。
功率放大器510包括功率放大器放電室，以及如果它是再生(再循環)環放大器，該功率放大器也包含將光束反射回到放電室以形成循環路徑的光束反射器530。該功率放大器放電室包括一對長形電極、用作增益介質的雷射氣體，以及用於使氣體在電極之間循環的風扇。種子光束502的放大係藉由重覆地通過功率放大器510。光束修改光學系統525提供一種方法(例如，部份反射鏡)以入耦合(in-couple)種子光束及出耦合(out-couple)來自功率放大器之放大輻射的一部份以形成輸出光束110。
測量系統580”用來產生光束110的基線光譜。在一些具體實作中，測量系統580”可包括光柵分光計，例 如由LTB Lasertechnik Berlin GmbH公司在德國柏林生產的ELIAS階梯分光計。在其他具體實作中，測量系統580”可用於光譜性質的板上及時測量以及包括接收光束110中重定向自放在光束110路徑上之光束分裂裝置(beam splitting device)之一部份的標準具分光計。該標準具分光計包括含有標準具供該光束部份行進通過的光學配置，以及接收來自該光學配置之輸出光線的偵測器。該偵測器的輸出連接至控制系統185；以此方式，控制系統185接收被該偵測器記錄的每個光譜400。
再參考圖2A，形成該等微電子特徵於晶圓120上，例如，可藉由沉積一層輻射敏感光阻材料於晶圓上，然後安置帶圖案遮罩234於光阻層上面，然後使帶遮罩光阻層暴露於選定的輻射(亦即，光束110)。然後，晶圓120暴露於顯影劑，例如水性基質(aqueous base)或溶劑。而且，光阻層中對顯影劑抵抗力的部份留在晶圓120上，以及光阻層的其餘部份被顯影劑移除以暴露晶圓120下面的材料。
晶圓120可用額外的製程步驟加工，它們可為以下製程步驟中之一或更多的組合，例如蝕刻，沉積及微影製程，以及不同的遮罩234以產生開口圖案(例如，凹槽、通道或孔洞)於晶圓120材料中或沉積於晶圓120上的材料中。這些開口可填滿絕緣、導電或半導體材料以建立數層微電子特徵於晶圓120上。然後，切單晶圓120以形成可加入各種電子產品的個別晶片，例如電腦及其他消費者或工業電子裝置。
隨著形成於晶圓120中之微電子特徵的尺寸減少(例如，以減少由晶圓120形成的晶片的大小)，形成於光阻層中之特徵的尺寸也必須減少。關鍵尺寸(CD)為需要印製於半導體基板(晶圓120)上的特徵尺寸，因此關鍵尺寸可能要求緊密的尺寸控制。
減少關鍵尺寸的方法之一是增加物鏡配置232中之投影透鏡的數值孔徑(NA)。不過，隨著投影透鏡的NA增加，遮罩234在晶圓120上的投影影像在孤立特徵會損失焦深(DOF)。DOF為實現有較高良率的加工晶圓所需，因為製程需要變化焦點。DOF較低的結果是，加工晶圓的良率可能會不能接受地低。
大部份投影透鏡(用於物鏡配置232)有色差，如果光源105有波長誤差，這會在晶圓120上產生成像誤差。由色差造成的誤差之一是焦點誤差以及傾向更小的其他誤差。例如，如果光束110的波長偏離目標波長，晶圓120上的影像會有顯著的焦面誤差。
圖6圖示示範效能參數系統650，其係接收來自控制系統185的輸出以控制或修改與光源105關連的一或更多效能參數。效能參數系統650包括一或更多效能參數模組651(例如，651A、651B、651C、...、651x)。取決於要加以控制的效能參數，指定效能參數模組651可經選擇成可修改或改變光源105的效能參數。每個效能參數模組651可包括含有形式為韌體及軟體之任何組合之電子設備的自用控制器(652A、652B、652C、...、652x)。每個效能 參數模組651可包括自用致動系統集合(654A、654B、654C、...、654x)，其係包含耦合至光源105之各個特徵(666A、666B、666C、...、666x)的致動器。例如，該等致動器可為機械、電氣、光學、熱力、水力裝置的任何組合，例如，這取決於光源中要加以控制的特徵。藉由控制光源105的各個特徵(666A，666B，666C、...、666x)，可調整各個效能參數。
儘管圖示一組效能參數模組651於圖6，然而效能參數系統650有可能只包含一個效能參數模組或任意多個效能參數模組。
圖7A的方塊圖圖示為效能參數模組651之一實施例的光譜特徵模組751。示範光譜特徵模組751耦合來自光源105的光線。在一些具體實作中，光譜特徵模組751接收來自主振盪器500的光線以致能微調主振盪器500內的參數，例如波長及頻寬。
光譜特徵模組751可包括控制器，例如含有形式為韌體及軟體之任何組合之電子設備的光譜特徵控制器752。控制器752連接至一或更多致動系統，例如光譜特徵致動系統754、756、758。儘管以3個致動系統圖示，然而可具有比致動系統少或多的致動系統。每個致動系統754、756、758可包括各自連接至光學系統766之光學特徵件760、762、764的一或更多致動器。光學特徵件760、762、764經組配成可調整生成光束110的特定特性以藉此調整光束110的光譜特徵。控制器752接收來自控制系統185(如 下述)的控制訊號，該控制訊號含有指定命令以操作或控制致動系統754、756、758中之一或更多。致動系統754、756、758可經選擇及設計成可一起工作，亦即，串聯。此外，每個致動系統754、756、758可經優化成對於該光譜特徵可回應特定類別的干擾或修改。此類協調及合作可一起被控制系統185用來使光譜特徵(例如，波長或頻寬)保持或維持在所欲設定點或至少在設定點附近的所欲範圍內，即使光源105可經受多種序列的干擾。或者，協調及合作可被控制系統185用來修改光譜特徵(例如，該波長)以合成光束110的光譜形狀來形成合成光譜形狀，如下述。或者，協調及合作可被控制系統185用來修改光譜特徵(例如，該頻寬)以修正形成於晶圓120上之物理特徵的誤差。
每個光學特徵件760、762、764光學耦合至由光源105產生的光束110。在一些具體實作中，光學系統766為譜線緊縮模組(line narrowing module)，如以方塊圖圖示圖7A光譜特徵模組751中之示範光學組件的圖7B所示。該譜線緊縮模組包括例如光學特徵件760、762、764色散光學元件，例如反射光柵780及折射光學元件，例如稜鏡782、784、786、788，它們中之一或更多可旋轉。此譜線緊縮模組的實施例在美國專利第8,144,739號中可找到，其標題為“System Method and Apparatus for Selecting and Controlling Light Source Bandwidth”及發行於2012年3月27日(簡稱‘739專利)，其全部內容併入本文作為參考資料。在‘739專利中，描述一種譜線緊縮模組，其係包含擴 束器(包含一或更多稜鏡782、784、786、788)及色散元件，例如光柵780。用於可致動光學特徵件(例如，光柵780)的各個致動系統，以及稜鏡782、784、786、788中之一或更多未圖示於圖7B。
致動系統754、756、758中的每個致動器為用於移動或控制光學系統之各個光學特徵件760、762、764的機械裝置。該等致動器接收來自模組752的能量，以及把該能量轉換成傳授給光學系統之光學特徵件760、762、764的某種運動。例如，在‘739專利中，致動系統被描述成例如力裝置(以對光柵的區域施力)以及旋轉平台用於旋轉擴束器的稜鏡中之一或更多。致動系統754、756、758可包括，例如，馬達(例如，步進馬達)、閥、壓力控制裝置、壓電裝置、線性馬達、液壓致動器、音圈等等。
光譜特徵選擇系統750有可能只包括耦合至光學系統之一光學特徵件的一個致動系統，同時光學系統的其他光學特徵件保持未開動。例如，在圖7B中，該譜線緊縮模組可被設置成只有一個稜鏡(例如，稜鏡782)藉由與其致動系統耦合而被開動，以及稜鏡782在壓電裝置的控制下可移動。例如，稜鏡782可安裝於在由模組752控制之壓電裝置的控制下可移動的平台上。
另一種效能參數模組651可為，例如，控制輸出自光源105之光束110能量的能量模組。在一些具體實作中，控制該能量係藉由控制至氣體放電室中之一或更多(例如，至主振盪器500的氣體放電室或功率放大器510的氣 體放電室)的電壓。在其他具體實作中，控制該能量係藉由調整主振盪器500與功率放大器510之各自放電的相對時序。在此情形下，控制系統185接收該能量的目標值。或者，監視模組140監視效能參數與目標值的偏差，以及控制器117調整電壓及時序或光源105內的其他特徵以修改及控制光束110的能量。
再參考圖1，量測設備145可為自足式系統，例如設計成可用於高解析度成像的高解析度掃描電子顯微鏡(SEM)，以便能夠顯示小於例如1奈米的特徵尺寸。該SEM為一種電子顯微鏡，其係用聚焦電子束掃描晶圓120來產生樣本(在此情形下，為晶圓120)的影像。電子與晶圓120中的原子相互作用，產生可偵測及含有關於晶圓表面形貌及組成之資訊的各種訊號。該電子束可用光柵掃描型式(raster scan pattern)掃描，以及電子束的位置與偵得訊號結合以產生影像。該SEM可實現比1奈米(nm)更好的解析度。可在任何適當的環境中觀察晶圓120，例如高度真空、低度真空、(環境SEM)潮濕狀態及在寬廣低溫或高溫範圍的環境。最常見的偵測模式是用由電子束激發之原子所放射的二次電子。二次電子的數目為晶圓120表面與電子束之角度的函數。在其他系統中，可偵測回散射的電子或x射線。
例如，該SEM可為特別設計成可成像晶圓的CD-SEM。可用作量測設備145的適當自足式系統為由在美國加州聖克拉拉市之應用材料公司生產的VeritySEMTM或 由在日本東京港區之日立高科技公司生產的CG序列CDSEM(例如，CG5000)。
在其他具體實作中，量測設備145為向晶圓120發射能量脈衝以及測量反射或繞射自晶圓120之能量的散射計。該散射計可在一感測器中組合疊對、焦點及CD的測量值。在一些具體實作中，量測設備145為YieldStar S-250D(由在荷蘭北布拉班特省的ASML Netherlands B.V製成)，其係允許用以衍射為基礎之疊對及以衍射為基礎之聚焦技術以及測量CD之視需要能力來測量產品上疊對及焦點的獨立量測工具。
在一些具體實作中，量測設備145為疊對量測設備，其係確定放在晶圓120中之各層上之材料的個別圖案是否正確地對齊。例如，該疊對量測設備確定晶圓120中之各層的接觸、線路及電晶體是否相互對齊。圖案之間的任何一種未對準都可能造成短路及連接故障而衝擊良率及利潤率。因此，實務上，是在形成每一層於晶圓120上後而不是在形成第二層後使用該疊對量測設備。該疊對量測設備測量最近形成於晶圓上(亦即，當前)之層與前一個形成於晶圓上之層的相對位置，在此最近形成層係形成前一個形成層。為晶圓暴露於光束的每個位置(如果光束110在晶圓120測得的特性對應至該位置的話)，測量當前晶圓層與前一個晶圓層的相對位置。示範疊對量測設備為在美國加州米爾皮塔斯之KLA-Tencor公司的ArcherTM500序列。
如上述，監視模組140及時提供表示光束110如 何掃描晶圓120以控制系統185的資訊164。該資訊為光束110在使晶圓120曝光時的特性。在一些具體實作中，該資訊可在曝光掃描期間因而及時地用來測定光束110正在使晶圓120曝光的位置；以及在晶圓的掃描期間，可周期性地提供此資訊，例如，在晶圓之一掃描內的設定次數期間，或在晶圓之一場域內的設定次數期間，可提供該晶圓之各場域的資訊。
請參考圖8A，在一些具體實作中，監視模組140包括經定位成可監視或觀察由控制器117(屬於微影曝光設備115)送至光源105之一或更多訊號的訊號監視器840’。例如，再參考圖3，可將訊號監視器840’組配成可偵測下列示範訊號中之一或更多：在晶圓曝光訊號300為高位值305時；在閘極訊號315為低位值325時；在觸發訊號330為低位值及閘極訊號315為高位值320時；在晶圓曝光訊號300由高位值305切到低位值310時；或當觸發訊號330在高位值有某一次數(例如，對應至狹縫的次數)後切到低位值。
請參考圖8B，在其他具體實作中，監視模組140包括位於微影曝光設備115內的能量或功率感測器840”以在它使晶圓120曝光後就偵測光束110的能量。感測器840”，例如，可為光二極體功率感測器、熱功率感測器、或熱電能量感測器(pyroelectric energy sensor)。感測器840”可位在反射在光源105與晶圓120間之路徑上之光束110的光學元件。
圖9提供控制系統185中與本文所述系統及方法之方面有關的細節。控制系統185可包括未圖示於圖9的其他特徵。一般而言，控制系統185包括以下項目中之一或更多：數位電子電路、電腦硬體、韌體及軟體。
特別是，控制系統185包括可為唯讀記憶體及/或隨機存取記憶體的記憶體900。適合具體實現電腦程式指令及資料的儲存裝置包括所有形式的非揮發性記憶體，例如，包括半導體記憶裝置，例如EPROM、EEPROM及快閃記憶裝置；磁碟，例如內部硬碟及可移式磁碟；磁光碟；以及CD-ROM光碟。控制系統185也可包括一或更多輸入裝置905(例如，鍵盤、觸控螢幕、麥克風、滑鼠、手持輸入裝置、等等)以及一或更多輸出裝置910(例如，揚聲器或監視器)。
一般而言，控制系統185包括一或更多可編程處理器915，以及具體實現於機器可讀儲存裝置中供可編程處理器(例如，處理器915)執行的一或更多電腦程式產品920。一或更多可編程處理器915各自可執行由指令組成的程式以藉由操作輸入資料及產生適當輸出來完成所欲功能。一般而言，處理器915接收來自記憶體900的指令及資料。上述中之任一可輔之以，或併入，特別設計的ASIC(特殊應用積體電路)。
特別是，控制系統185包括關聯模組925(可為由一或更多處理器執行的電腦程式產品集合，例如處理器915)以及效能參數模組930(可為由一或更多處理器執行的電腦 程式產品集合，例如處理器915)。關聯模組925接收來自在量測設備145內之偵測系統155的輸出160。效能參數模組930接收來自監視模組140關於光束110如何掃描晶圓120的及時資訊165，輸出自關聯模組925的資訊935，以及效能參數的目標值937。該控制系統也包含光源模組945及光源致動系統950。光源模組945接收來自效能參數模組930的目標效能參數940以及來自測量系統180的效能參數測得值。光源模組945的輸出表明光源致動系統950如何調整光源105的特徵。光源致動系統950係連接至光源105及效能參數系統150。
儘管圖9以所有組件似乎實體共置(physically co-located)於其中的方盒圖示控制系統185，控制系統185仍有可能由實體相互遠離的組件構成。例如，光源模組945及光源致動系統950可與光源110實體共置；關聯模組925可為遠離光源模組945及記憶體900和處理器915的個別內含電腦。
請參考圖10，被關聯模組925收到的輸出160為晶圓120之測得物理性質1002對於在晶圓之各個脈衝光束特性1004的列表1000。晶圓120之測得物理性質1002的實施例包括形成於該晶圓上之一特徵的一對比，在晶圓位置的線寬或關鍵尺寸(CD)，光阻劑分布，側壁角度，以及最終阻劑厚度。物理性質1002可在以下背景內分析：物理性質與使晶圓120曝光之光束之性質(例如，焦點或劑量)的曲線或繪圖，例如，柏森曲線(Bossung curve)。
在晶圓的脈衝光束特性1004可為晶圓120暴露於光束的位置。在此情形下，輸出160為晶圓120之測得物理性質1002對於晶圓上之各個位置1004的列表1000。也參考圖11，可取得在示範晶圓1120之各個曝光場域的位置，以及在此實施例中，各個曝光場域標上連續號碼使得晶圓1120有42個場域。因此，偵測系統155測量在量測設備145內之晶圓1120上之各個場域的物理性質1002。關聯模組925輸出關聯光束110之效能參數1012與各個脈衝光束特性1004的列表1010。關聯模組925確定光束110的效能參數1012在特定脈衝光束特性1004會修改或修正物理性質1002。例如，如果特性1004為晶圓1120上的位置，以及測得物理性質1002為CD誤差，關聯模組925可決定如何調整光束110的頻寬(效能參數)以補償在晶圓1120上之各個位置的CD誤差。生成列表1010為送到效能參數模組930的資訊935。關聯模組925因此可確定如何調整脈衝光束110中之一或更多效能參數以補償出現於晶圓120上的實際誤差，而不修改特性(例如，光學特性)或微影曝光設備115內的組件。
請參考圖12，微影系統100執行程序1200用以調整在晶圓的物理性質，其係藉由以晶圓內(例如，場域至場域)或場域內(例如，脈衝至脈衝)的方式修改或調整輸出自光源的效能。程序1200中之一或更多步驟可由控制系統185及/或控制器117完成。
最初，訊號送到光源105以產生為脈衝集合的光 束110(1205)。例如，可將光源模組945組配成可從控制器117接收晶圓曝光訊號300、閘極訊號315及觸發訊號330中之一或更多，以及該等訊號的數值，指示光源致動系統950開動光源105的特徵以脈衝串方式產生光束110。使製成光束110掃描越過晶圓120(1210)。例如，控制器117及控制系統185可與微影曝光設備115內的組件協調脈衝光束110的產生以使遮罩234、物鏡配置232及晶圓120中之一或更多在曝光期間彼此相對移動以使曝光窗口200掃描越過晶圓120的曝光場域210使得N個脈衝照射晶圓120的各個場域。
在光束110正在掃描越過晶圓120(1210)時，控制系統185(特別是，效能參數模組930)接收來自監視模組140的資訊165，為在晶圓120之脈衝光束110在掃描期間之一時間步距(step in time)的特性(1215)。因此，例如，控制系統185接收表示脈衝光束110在掃描期間之該時間步距之位置例如對於曝光場域內之特定脈衝或對於晶圓之特定曝光場域的數值。該時間步距可在單一脈衝的時間內，如果想要脈衝至脈衝地控制效能參數的話。該時間步距可在單一曝光場域的時間內(因此，可持續N個脈衝，它約為100個脈衝)。該時間步距可在單一狹縫的時間內，它有多個脈衝但是小於曝光場域的大小，從而可持續在1至數個之間的某些數值，其係在該場域內之N個脈衝的一小部份。
在以場域至場域方式控制的實施例中，如果監視模組140設計成跟圖8A的監視模組840’一樣，則控制系 統185可接收來自監視模組840’的訊號，其係表明閘極訊號315由高位值320切到低位值325。此類資訊意指光束110在晶圓120些之曝光場域的結尾因而它提供控制系統185與光束110相對於晶圓120之位置有關的資訊。作為以脈衝至脈衝方式控制的另一實施例，控制系統185可接收來自監視模組840’的訊號，其係表明觸發訊號330剛剛由高位值切到低位值以及閘極訊號315在高位值320。此資訊意指光束110的脈衝已在當前曝光場域內結束。
控制系統185(特別是，關聯模組925)接收來自偵測系統155的輸出160，亦即，晶圓120物理性質對於特定光束特性1004的測定值1002(1220)。一般而言，晶圓120物理性質對於各個光束特性1004的測定值1002係接收作為列表1000，它是在來自量測設備145的輸出160中以及基於先前被曝光之晶圓的分析及測量。量測設備145有可能整合於微影曝光設備115內使得它及時和在裝在平台220上之當前晶圓120的曝光期間測量晶圓120的物理性質。
基於接收來自監視模組140之資訊165(脈衝光束110在晶圓120的特性)(1215)以及晶圓120之物理性質對於來自偵測系統155之特定光束特性1004的收到測定值1002(1220)(1225)，控制系統185(特別是，效能參數模組930)決定是否要修改光束110之效能參數以及要改多少。控制系統185在掃描越過晶圓120期間修改脈衝光束110的效能參數(1230)，如果控制系統判定該效能參數需要修改的話 (1225)。特別是，控制系統185在當前時步(current time step)之後及下一個時步之前可修改脈衝光束110的效能參數。如果該時步為光束110的整個脈衝，則效能參數的修改可在光束110發射當前脈衝之後但是在下一個脈衝之前發生。如果該時步為整個場域，則效能參數的修改可在當前曝光場域完成後但是在下一個曝光場域開始之前發生。因此，參考圖3，例如，如果該時步為整個場域F，則修改可在時間T(mod)發生，這是在晶圓120的兩個曝光場域之間的時間。
控制系統185判斷晶圓120的掃描是否完成(1235)。例如，控制系統185(特別是，效能參數模組930)可接收來自監視模組840’的訊號，其係表明晶圓曝光訊號300已由高位值305(其係表明晶圓正被曝光)切到表明晶圓曝光結束的低位值310。如果來自監視模組840’的訊號為高位值305，則晶圓120的掃描未完成(1235)以及掃描繼續(1210)。如果來自監視模組840’的訊號表明晶圓曝光訊號300已由高位值305切到低位值310，則晶圓120的掃描完成1235以及離線執行晶圓120的後段加工(1240)。
請參考圖13，控制系統185可執行程序1225用於基於脈衝光束110在晶圓120的收到特性(1215)以及晶圓120之物理性質對於特定光束特性1004的收到測定值1002(1220)來決定是否要修改光束110之效能參數以及要改多少。控制系統185(特別是，效能參數模組930)將效能參數之列表或集合存取成在晶圓處之光束特性的一函數 (由關聯模組925產生)(1300)；在該受存取集合內選定該效能參數的數值，其係對應至在當前晶圓120之光束(來自監視模組140)的收到特性(1305)；以及比較效能參數的選定值與脈衝光束110之效能參數的當前測得值937(1310)。另外，如果該效能參數的選定值與該當前值不匹配，則控制系統185(特別是，效能參數模組930)確定當前目標效能參數需要調整以與效能參數的選定值匹配(1315)。
請參考圖14，藉由執行程序1230，可修改脈衝光束的效能參數(1230)。控制系統185(特別是，效能參數模組930)修改光束110的目標效能參數(1400)。控制系統185(特別是，光源模組945)從測量系統180接收脈衝光束110之效能參數的測量值(1405)，以及判斷測得效能參數是否與更改目標效能參數940匹配(1410)。如果等於更改目標效能參數或測得效能參數與更改目標效能參數之差額小於預定臨界值，可視為測得效能參數與更改目標效能參數匹配。
例如，在效能參數為光束110之頻寬的某些應用中，可控制頻寬(用E95度量衡測量)在目標頻寬附近±30飛米(fm)內。作為另一實施例，在效能參數為光束110之平均波長誤差的某些應用中，可控制波長誤差在目標波長誤差附近的±6fm內。作為另一實施例，在效能參數為光束110之能量穩定度(例如，能量誤差)的某些應用中，可控制能量誤差在目標能量誤差的4%內。
如果控制系統185(特別是，光源模組945)確定 測得效能參數與更改目標效能參數不匹配(1410)，則控制系統185用光源致動系統950送出訊號給光源105以修改脈衝光束110的效能參數(1415)。
藉由執行程序1200，藉由修改光束110的效能參數而不修改微影曝光設備115的特徵或在其內的光學組件，可修正晶圓120的圖案化誤差。
請參考圖15A及圖15B，在一些具體實作中，用程序1200控制它的光束效能參數為光束110的頻寬(用適當度量衡測量或特徵化，例如包含雷射脈衝能量的積分能量或EX之X%的光譜寬度，在X可為95)而且以場域至場域的方式控制它(這意指程序的時步與各個曝光場域一起出現)。在此實施例中，調整光束110用於晶圓120之各個場域的頻寬。圖15A的曲線圖1510圖示與曝光場域1004關聯之頻寬1012的示範列表1010，其係輸出自關聯模組925。圖15B的晶圓示意圖圖示先前被曝光之晶圓120之各個曝光場域1004的測得物理性質(例如，關鍵尺寸)，其中顏色對應至各個曝光場域之關鍵尺寸的數值，其係與綠色的零標稱值不同。圖15B用量測設備145取得的資料係針對以由300fm至1600fm之不同頻寬操作的光源110曝光的晶圓120，其中頻寬的數值隨著晶圓的各個場域而改變，如圖15A所示。至於紅色或藍色的場域，其關鍵尺寸係偏離標稱值。此資訊可用來確定如何調整頻寬以彌補在晶圓的測得物理性質。列表1010(圖示於圖15A)顯示各個曝光場域的頻寬1012需要如何調整以修改或修正在晶圓120之 各個場域的關鍵尺寸1002。
請參考圖16，在一些具體實作中，用程序1200來控制它的光束效能參數為光束110的頻寬而且以場域內(例如，狹縫至狹縫)方式來控制它，這意指程序的時步出現在場域的各個狹縫。上曲線圖為圖示輸出自關聯模組925之示範列表1010的曲線圖1610，而下曲線圖1620圖示在效能參數模組930沒有任何修改或調整下的頻寬行為。在此曲線圖1610中，頻寬1012的效能參數與晶圓120之一場域的各個曝光狹縫關聯。這顯示顯示各個曝光場域的頻寬1012需要如何調整以修改或修正在晶圓120之各個場域的一些物理性質1002。
請參考圖17A，在一些具體實作中，用程序1200來控制它的光束效能參數為光束110的能量而且以場域至場域方式控制它(這意指程序的時步與各個曝光場域一起出現)。在此實施例中，調整光束110用於晶圓120之各個場域的能量。圖17A的曲線圖1710圖示與曝光場域1004關聯之能量1012的示範列表1010，其係輸出自關聯模組925。此列表1010顯示各個曝光場域之能量1012需要如何調整以修改或修正在晶圓120之各個場域的關鍵尺寸1002。
圖17B、圖17C及圖17D的晶圓示意圖圖示先前被曝光之晶圓120之各個曝光場域1004的測得物理性質(例如，關鍵尺寸)，其中顏色對應至各個曝光場域之關鍵尺寸的數值，其係與綠色的零標稱值不同。圖17B用量測設 備145取得的資料係針對先前以範圍在300fm至600fm(用E95度量衡測量)間之頻寬操作的光源110曝光的晶圓120；圖17C用量測設備145取得的資料係針對先前以範圍在300fm至800fm(用E95度量衡測量)間之頻寬操作的光源110曝光的晶圓120，以及圖17D用量測設備145取得的資料係針對先前以範圍在300fm至900fm(用E95度量衡測量)間之頻寬操作的光源110曝光的晶圓120。頻寬的數值隨著晶圓的各個場域而改變，如圖15A所示。至於紅色或藍色的場域，其關鍵尺寸係偏離標稱值。
圖18的曲線圖1810圖示光束110波長誤差(單位任意，例如fm)效能參數基於場域至場域(或基於晶圓內)的調整或差異，其係使用程序1200。曲線圖1800的各個資料點為脈衝串或場域以及顯示如何調整波長誤差以修正物理性質(例如，關鍵尺寸)在晶圓120的誤差。
圖19的曲線圖1910圖示光束110波長誤差效能參數基於脈衝至脈衝(或基於場域內)的調整或差異。縱軸為在一場域內的脈衝數以及橫軸為波長誤差(中心為零值)。曲線圖1910的各個資料點表示一脈衝，以及顯示如何調整波長誤差以修正物理性質(例如，關鍵尺寸)在晶圓120的誤差。由曲線圖1910顯而易見，對於形成場域之第一半部的脈衝，其波長誤差傾向較大，同時場域之第二半部的波長誤差傾向減小。
圖20A及圖20B的曲線圖2000、2050各自圖示在晶圓掃描期間如何修改或調整光源110的光譜形狀(一效 能參數)以考慮到物理性質在晶圓120的某些變化。例如，在一個脈衝串期間可維持該光譜形狀或可隨著各個脈衝串而改變或可隨著各個脈衝或各個狹縫而改變。曲線圖2000、2050圖示兩個光譜形狀實施例，但是也可實現其他的實施例。調整該光譜形狀可藉由改變光譜400的相位；該相位為藉由光譜合成產生之波長的尖峰距離。藉由改變波長尖峰的距離，可修改整個晶圓120的光譜形狀。
也參考圖示修改光譜相位之示範晶圓對映(wafer map)的圖21。在晶圓曝光開始時，雷射在第一脈衝串(場域)的第一觸發訊號330之前接收來自控制器117(在微影曝光設備115中)的重置位元(晶圓曝光訊號300)。在各個場域曝光(脈衝串)開始時，光源110在該脈衝串的第一觸發訊號330之前接收來自控制器117的許多脈衝資訊。然後，雷射軟體(可在控制系統185中)可計算及決定波長修改的振幅A、相位補償φ及微振周期(dither period)N以基於在晶圓120的照射要求來產生最適當的光譜用於直接下一個場域。
合適地安排接收資訊與第一觸發訊號之間的時序以允許控制系統185有充分的時間完成它的計算及分析。以此方式，各個場域(例如，圖21中的i及i+1)可具有完全不同的光譜，這提供以脈衝至脈衝或場域至場域為基礎的照射機動性。在各個場域結束時，例如，在T(mod)秒內，與光源110有關的所有資訊，以及用於在場域中觸發光源110的條件送到光源模組945以及被正確地處理及記 錄於例如記憶體900內。已記錄的資訊可進一步用來在線或離線的晶圓內及晶圓間特徵化。
通過控制系統185或通過控制系統185中專屬於光源105的一部份，可致能或去能程序1200。此程序1200可用於晶圓特徵化和晶圓至晶圓光譜趨勢控制。此程序1200可用於場域間或場域內閉環光譜控制。基於最後一個脈衝串之資訊的計算，可修改當前脈衝串的光譜。
以此方式，該光譜係以場域至場域或晶圓至晶圓為基礎產生。而且，有光譜形狀以場域至場域及晶圓至晶圓為基礎的自適應控制。
也參考圖22A，其係圖示在晶圓120之關鍵尺寸(物理性質1002)與光束110焦點(光束參數1012)的曲線圖2200。此曲線圖2200通常被稱為柏森曲線，其係致能分析印上特徵關鍵尺寸對於焦點寬容度(focus latitude)及曝光寬容度的變化。曲線圖2200圖示有符號(例如，方格或圓圈)的點圖集合，以及該等點圖皆用對稱光譜400產生。另一方面，圖示於曲線圖2200的無符號點圖集合皆用非對稱光譜400產生。圖22B複製曲線圖2200，但是加上直線2230以顯示用非對稱光譜400產生的點圖是斜的。這樣一來，藉由修改光譜400的形狀來誘發柏森傾斜或偏移。

Claims (30)

  1. 一種微影方法，其係包含下列步驟：指示一光源(optical source)產生一脈衝光束；使該脈衝光束掃描越過一微影曝光設備的一晶圓，以用該脈衝光束使該晶圓曝光；當該脈衝光束掃描越過該晶圓時偵測該脈衝光束在該晶圓處的一性質；在使該脈衝光束掃描越過該晶圓期間，接收該脈衝光束在該晶圓處的該性質；藉由基於該經接收該脈衝光束性質選擇該晶圓之一物理性質之一值判定與該經接收該脈衝光束性質相關聯之該晶圓之該物理性質之該值；基於在掃描期間所接收到的該脈衝光束性質以及該晶圓物理性質之經判定值，判定該脈衝光束之一效能參數的一修改(modification)；以及基於該經判定修改在掃描越過該晶圓期間修改該脈衝光束之該效能參數。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該晶圓物理性質之該經判定值包含該晶圓之該物理性質中的一誤差。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該晶圓物理性質為：形成於該晶圓上之一特徵的一對比、在暴露於該脈衝光束之一晶圓區處的一關鍵尺寸(critical dimension)、在暴露於該脈衝光束之一晶圓區處的一光阻劑分布、或在暴露於 該脈衝光束之一晶圓區處的一側壁角度。
  4. 如請求項1所述之方法，其中判定與該經接收該脈衝光束性質相關聯之該晶圓之該物理性質之該值包含：針對已被該光源之光束曝光在先之一晶圓，接收該曝光在先晶圓之物理性質對於在曝光在先晶圓上之一光束性質集合的一經判定值集合。
  5. 如請求項1所述之方法，其中在使該脈衝光束掃描越過該晶圓期間接收該光束在該晶圓處之該性質包含：接收該光束曝光該晶圓曝光之一位置。
  6. 如請求項1所述之方法，其中在使該脈衝光束掃描越過該晶圓期間接收該光束在該晶圓處之該性質包含：接收該光束在使該晶圓曝光時的一能量。
  7. 如請求項1所述之方法，其中修改該脈衝光束之該效能參數包含：修改該脈衝光束的一目標效能參數，該方法更包含：接收該脈衝光束之該效能參數的一測量；判定該經測量效能參數是否與該經修改目標效能參數匹配；以及如果判定該經測量效能參數與該經修改目標效能參數不匹配，送出一訊號給該光源以修改該脈衝光束之該效能參數。
  8. 如請求項1所述之方法，其中接收在該晶圓處之該光束性質包含：接收由該微影曝光設備至該光源的一控制訊號；以 及基於該經接收控制訊號來判定在該晶圓處之該光束性質。
  9. 如請求項1所述之方法，其中判定該脈衝光束之該效能參數之該修改包含：將一經儲存效能參數集合存取成在該晶圓處之光束性質的一函數；在該經存取集合內選定用於該效能參數的數值，該數值對應至該光束在該當前晶圓處之該經接收性質；以及比較該效能參數之該經選定值與該脈衝光束之該效能參數的一當前值。
  10. 如請求項9所述之方法，其更包含：如果該效能參數之該經選定值與該當前值不匹配，則判定該當前效能參數需要調整以與該經選定值匹配。
  11. 如請求項9所述之方法，其中判定該晶圓物理性質之該值包含：對於該晶圓處之一光束性質集合，接收該晶圓之一經測量物理性質集合。
  12. 如請求項11所述之方法，其更包含：對於在該晶圓處之該集合中的各個光束性質，基於該經測量晶圓物理性質來判定該脈衝光束的一效能參數；以及對於該集合內的各個光束性質，儲存該經判定效能參數。
  13. 如請求項1所述之方法，其中：使該脈衝光束掃描越過該晶圓包含：使該脈衝光束掃描越過該晶圓之一場域(field)，該場域為經曝光之該晶圓中的全部區域之一小部份(fraction)；以及接收該光束之該性質包含：在該脈衝光束掃描越過該晶圓之該場域期間，接收該光束之該性質。
  14. 如請求項1所述之方法，其中修改該脈衝光束之該效能參數包含修改：光譜特徵、光譜特徵的誤差、該脈衝光束的能量、該脈衝光束的劑量、該脈衝光束的波長誤差、該脈衝光束的頻寬、或該脈衝光束的光譜形狀。
  15. 如請求項1所述之方法，其更包含：基於修改該脈衝光束之該效能參數修正在該晶圓處的圖案化誤差。
  16. 如請求項15所述之方法，其中在該晶圓處的圖案化誤差被修正且不修改該微影曝光設備。
  17. 如請求項15所述之方法，其中在該晶圓處的圖案化誤差被修正且不修改該微影曝光設備內的光學特徵件或組件。
  18. 如請求項1所述之方法，其中修改該脈衝光束之該效能參數包含：修改該脈衝光束的一光譜特徵，該方法更包含：每次在接收到該光束性質時，產生一光譜特徵的一估計值。
  19. 如請求項1所述之方法，其中該光束性質在該晶圓之各個場域處係接收，該場域為經曝光之該晶圓的全部區域中之一小部份、且為該晶圓中之在一曝光窗口之一次掃 描中被曝光的區域。
  20. 如請求項1所述之方法，其中產生該脈衝光束包含：以脈衝至脈衝方式(pulse-to-pulse basis)干擾(perturbing)該脈衝光束的一光譜形狀。
  21. 如請求項20所述之方法，其中以脈衝至脈衝方式干擾該脈衝光束之該光譜形狀包含：使該光束之各個脈衝的一中心波長以預定義的一重覆模式方式偏離一基線(baseline)波長。
  22. 如請求項21所述之方法，其中修改該脈衝光束之該效能參數包含：修改該光束之各個脈衝之中心波長偏離該基線波長的程度。
  23. 如請求項1所述之方法，在掃描該晶圓之前，其更包含：測量在一或更多曝光在先晶圓中之各個曝光場域處的晶圓物理性質；以及對於用該脈衝光束曝光之一整個晶圓上的各個曝光場域，建立將各個經測量晶圓物理性質關聯化的一表格。
  24. 如請求項23所述之方法，其中接收該物理性質之該經判定值包含：接收來自該經建立表格之當前曝光場域的經測量物理性質。
  25. 如請求項23所述之方法，其中接收該光束性質包含：接收該晶圓之一曝光之一起動的一偵測；以及接收該晶圓之該曝光之一結束的一偵測。
  26. 一種微影系統，其係包含： 一光源，其產生一脈衝光束；一光學組件集合，其引導該脈衝光束至一微影技術曝光設備的一晶圓，以藉此用該脈衝光束使該晶圓曝光；一掃描光學系統，其在該微影曝光設備內，且係經組態成可使該脈衝光束掃描越過該晶圓；一監視模組，其在該微影曝光設備內，當該脈衝光束掃描越過該晶圓時該監視模組偵測該脈衝光束在該晶圓處的一性質，且輸出該脈衝光束之該性質；一控制系統，其連接至該監視模組及該光源，該控制系統經組態以：當該脈衝光束掃描越過該晶圓時自該監視模組接收該脈衝光束在該晶圓處的該經偵測性質；藉由基於該經接收該脈衝光束性質選擇該晶圓之一物理性質之一值判定與該經輸出該脈衝光束性質相關聯之該晶圓之該物理性質之該值；基於自該監視模組輸出之該脈衝光束性質以及該晶圓物理性質之該經判定值判定該脈衝光束之一效能參數的一修改；以及一光源模組，其係連接至該效能參數模組以接收該效能參數之該經判定修改以及連接至一光源致動系統，該光源致動系統基於該效能參數之該經判定修改來致動該光源之一或更多物理特徵，以修改該光源的一或更多效能參數。
  27. 如請求項26所述之微影系統，其更包括一度量衡(metrology)模組，其係包括：一晶圓夾持器，其接受一或更多晶圓；以及一偵測系統，其係測量該晶圓對於在該晶圓處之各個光束性質的物理性質，以及輸出對於該晶圓處之各個光束性質的經測量晶圓物理性質。
  28. 如請求項27所述之微影系統，其中該度量衡模組係整合於該微影曝光設備內使得該偵測系統可即時(in real time)並在曝光安裝至該晶圓夾持器之當前晶圓期間測量該晶圓之物理性質。
  29. 如請求項26所述之微影系統，其中在該晶圓處之光束性質包括該脈衝光束曝光該晶圓的一位置。
  30. 如請求項26所述之微影系統，其更包含：一關聯模組，其接收一晶圓之一物理性質對於在該晶圓處之一脈衝光束性質集合的一測得值集合，以及基於該等經接收值輸出該脈衝光束之一目標效能參數與在該晶圓處之該脈衝光束性質的一關聯程序配方(correlation recipe)；一效能參數模組，其自該監視模組接收該脈衝光束性質並自該關聯模組接收該關聯程序配方，且經組態以基於自該監視模組輸出之該脈衝光束性質及該關聯程序配方來判定該效能參數之該修改。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9715180B2 (en) 2013-06-11 2017-07-25 Cymer, Llc Wafer-based light source parameter control
US10066056B2 (en) 2014-06-19 2018-09-04 Sabic Global Technologies B.V. Brominated cross-linkable polycarbonate compositions
CN107075237A (zh) 2014-06-20 2017-08-18 沙特基础全球技术有限公司 交联性聚碳酸酯以及由其形成的制品的设计方法
DE202015009117U1 (de) 2014-06-20 2016-10-24 Google Inc. Integration von Online-Navigationsdaten mit gecachten Navigationsdaten während der aktiven Navigation
US10883924B2 (en) 2014-09-08 2021-01-05 The Research Foundation Of State University Of New York Metallic gratings and measurement methods thereof
WO2016044218A1 (en) 2014-09-17 2016-03-24 Sabic Global Technologies B.V. Colored cross-linkable polycarbonate compositions
US9939732B2 (en) * 2015-10-27 2018-04-10 Cymer, Llc Controller for an optical system
US9945730B2 (en) * 2016-09-02 2018-04-17 Cymer, Llc Adjusting an amount of coherence of a light beam
US10036963B2 (en) * 2016-09-12 2018-07-31 Cymer, Llc Estimating a gain relationship of an optical source
US10416471B2 (en) * 2016-10-17 2019-09-17 Cymer, Llc Spectral feature control apparatus
US9989866B2 (en) * 2016-10-17 2018-06-05 Cymer, Llc Wafer-based light source parameter control
US9997888B2 (en) * 2016-10-17 2018-06-12 Cymer, Llc Control of a spectral feature of a pulsed light beam
US9835959B1 (en) * 2016-10-17 2017-12-05 Cymer, Llc Controlling for wafer stage vibration
US10096967B2 (en) 2016-12-07 2018-10-09 Cymer, Llc Wavelength control system for pulse-by-pulse wavelength target tracking in DUV light source
US11030440B2 (en) * 2016-12-30 2021-06-08 Facebook, Inc. Systems and methods for providing augmented reality overlays
US9966725B1 (en) * 2017-03-24 2018-05-08 Cymer, Llc Pulsed light beam spectral feature control
WO2018197144A1 (en) * 2017-04-28 2018-11-01 Asml Netherlands B.V. Optimizing a sequence of processes for manufacturing of product units
US10234769B2 (en) 2017-05-22 2019-03-19 Cymer, Llc Monitoring system for an optical lithography system
EP3415988A1 (en) * 2017-06-14 2018-12-19 ASML Netherlands B.V. Device manufacturing methods
WO2019079010A1 (en) 2017-10-19 2019-04-25 Cymer, Llc FORMATION OF MULTIPLE AERIAL IMAGES IN ONE LITHOGRAPHIC EXPOSURE PASSAGE
EP3495888A1 (en) * 2017-12-06 2019-06-12 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
WO2019185230A1 (en) * 2018-03-29 2019-10-03 Asml Netherlands B.V. Control method for a scanning exposure apparatus
KR102527672B1 (ko) * 2018-04-06 2023-04-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 비선형 광학계를 갖는 검사 장치
US11747739B2 (en) * 2019-03-03 2023-09-05 Asml Netherlands Method and apparatus for imaging using narrowed bandwidth
CN115104064A (zh) * 2020-03-19 2022-09-23 极光先进雷射株式会社 曝光方法、曝光系统和电子器件的制造方法
CN115699482A (zh) * 2020-06-09 2023-02-03 西默有限公司 用于控制中心波长的系统和方法
CN115769147A (zh) * 2020-07-02 2023-03-07 极光先进雷射株式会社 曝光系统、曝光方法和电子器件的制造方法
JP2023150032A (ja) 2022-03-31 2023-10-16 株式会社Moldino ボールエンドミル
CN115267594A (zh) * 2022-07-21 2022-11-01 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种高功率脉冲氙灯光源的光特性测试和提升方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110102757A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Asml Netherlands B. V. Lithographic Method and Apparatus
US20130039460A1 (en) * 2000-09-20 2013-02-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4937619A (en) 1986-08-08 1990-06-26 Hitachi, Ltd. Projection aligner and exposure method
JP2830492B2 (ja) 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
US5303002A (en) 1993-03-31 1994-04-12 Intel Corporation Method and apparatus for enhancing the focus latitude in lithography
JP3255312B2 (ja) 1993-04-28 2002-02-12 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH09115800A (ja) * 1995-10-16 1997-05-02 Nikon Corp 露光装置
US6671294B2 (en) 1997-07-22 2003-12-30 Cymer, Inc. Laser spectral engineering for lithographic process
US6853653B2 (en) 1997-07-22 2005-02-08 Cymer, Inc. Laser spectral engineering for lithographic process
US6522386B1 (en) 1997-07-24 2003-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus having projection optical system with aberration correction element
US6393037B1 (en) 1999-02-03 2002-05-21 Lambda Physik Ag Wavelength selector for laser with adjustable angular dispersion
WO2000017916A1 (fr) * 1998-09-17 2000-03-30 Nikon Corporation Procede pour regler un systeme de projection optique
US6218077B1 (en) 1998-10-26 2001-04-17 Agere Systems Guardian Corp. Method of manufacturing an integrated circuit using a scanning system and a scanning system
AU1800201A (en) 1999-11-30 2001-06-12 Cymer, Inc. High power gas discharge laser with helium purged line narrowing unit
JP4585649B2 (ja) * 2000-05-19 2010-11-24 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
US6738406B2 (en) 2000-06-19 2004-05-18 Lambda Physik Ag Precision measurement of wavelengths emitted by a molecular fluorine laser at 157nm
EP1246014A1 (en) 2001-03-30 2002-10-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1205806A1 (en) 2000-11-09 2002-05-15 Semiconductor300 GmbH & Co KG Method for exposing a semiconductor wafer
JP4981218B2 (ja) * 2001-06-15 2012-07-18 キヤノン株式会社 露光装置および露光方法
US7337019B2 (en) 2001-07-16 2008-02-26 Applied Materials, Inc. Integration of fault detection with run-to-run control
US7154928B2 (en) 2004-06-23 2006-12-26 Cymer Inc. Laser output beam wavefront splitter for bandwidth spectrum control
US7088758B2 (en) 2001-07-27 2006-08-08 Cymer, Inc. Relax gas discharge laser lithography light source
JP4154144B2 (ja) 2001-11-13 2008-09-24 キヤノン株式会社 露光装置、発光制御方法、およびデバイス製造方法
US6952267B2 (en) 2003-07-07 2005-10-04 Cymer, Inc. Method and apparatus for measuring bandwidth of a laser output
US6829040B1 (en) 2003-11-07 2004-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography contrast enhancement technique by varying focus with wavelength modulation
US7250237B2 (en) * 2003-12-23 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Optimized correction of wafer thermal deformations in a lithographic process
JP2005191503A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc レーザ装置、露光方法及び装置
US7053979B2 (en) 2004-05-12 2006-05-30 Litel Instruments Process for amelioration of scanning synchronization error
JP2006024852A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Komatsu Ltd レーザ装置の指令値調整方法及び露光情報記憶装置
US7366219B2 (en) 2004-11-30 2008-04-29 Cymer, Inc. Line narrowing module
US20060114956A1 (en) 2004-11-30 2006-06-01 Sandstrom Richard L High power high pulse repetition rate gas discharge laser system bandwidth management
JP4580338B2 (ja) * 2004-12-23 2010-11-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、エキシマ・レーザ、およびデバイス製造方法
US20060209410A1 (en) * 2005-03-18 2006-09-21 Smith Adlai H Method and apparatus for compensation or amelioration of lens field curvature and other imaging defects by utilizing a multi-wavelength setting illumination source
WO2006126569A1 (ja) 2005-05-25 2006-11-30 Nikon Corporation 露光方法及びリソグラフィシステム
US7317536B2 (en) 2005-06-27 2008-01-08 Cymer, Inc. Spectral bandwidth metrology for high repetition rate gas discharge lasers
US7653095B2 (en) 2005-06-30 2010-01-26 Cymer, Inc. Active bandwidth control for a laser
US7701555B2 (en) 2005-07-01 2010-04-20 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and system
US7369214B2 (en) * 2005-08-11 2008-05-06 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a metrology system with sensors
US7439001B2 (en) 2005-08-18 2008-10-21 International Business Machines Corporation Focus blur measurement and control method
US7852889B2 (en) 2006-02-17 2010-12-14 Cymer, Inc. Active spectral control of DUV light source
US7822084B2 (en) 2006-02-17 2010-10-26 Cymer, Inc. Method and apparatus for stabilizing and tuning the bandwidth of laser light
JP2007329432A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Canon Inc 露光装置
US8259764B2 (en) 2006-06-21 2012-09-04 Cymer, Inc. Bandwidth control device
US7455939B2 (en) 2006-07-31 2008-11-25 International Business Machines Corporation Method of improving grating test pattern for lithography monitoring and controlling
US7659529B2 (en) 2007-04-13 2010-02-09 Cymer, Inc. Method and apparatus for vibration reduction in laser system line narrowing unit wavelength selection optical element
JP2009141154A (ja) * 2007-12-06 2009-06-25 Canon Inc 走査露光装置及びデバイス製造方法
JP2009164296A (ja) 2007-12-28 2009-07-23 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
CN101226343A (zh) * 2008-01-29 2008-07-23 芯硕半导体（中国）有限公司 一种采用灰度补偿制提高光刻曝光能量均匀性的方法
US8144739B2 (en) 2008-10-24 2012-03-27 Cymer, Inc. System method and apparatus for selecting and controlling light source bandwidth
JP2010103437A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Canon Inc 走査露光装置およびデバイス製造方法
JP2010153650A (ja) 2008-12-25 2010-07-08 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2010157620A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US8520186B2 (en) 2009-08-25 2013-08-27 Cymer, Llc Active spectral control of optical source
NL2005414A (en) * 2009-10-28 2011-05-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and patterning device.
JP2011233744A (ja) 2010-04-28 2011-11-17 Toshiba Corp 露光方法および半導体デバイスの製造方法
US8520189B2 (en) * 2010-05-03 2013-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for maintaining depth of focus
JP5821100B2 (ja) 2010-12-17 2015-11-24 カール ツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー フォトリソグラフィマスクによって処理されるウェーハ上の誤差を補正する方法及び装置
US9207119B2 (en) * 2012-04-27 2015-12-08 Cymer, Llc Active spectral control during spectrum synthesis
US9606442B2 (en) * 2012-07-30 2017-03-28 Asml Netherlands B.V. Position measuring apparatus, position measuring method, lithographic apparatus and device manufacturing method
US9715180B2 (en) 2013-06-11 2017-07-25 Cymer, Llc Wafer-based light source parameter control

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130039460A1 (en) * 2000-09-20 2013-02-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US20110102757A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Asml Netherlands B. V. Lithographic Method and Apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
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TW201500862A (zh) 2015-01-01
US9715180B2 (en) 2017-07-25
KR20160018716A (ko) 2016-02-17
JP7077243B2 (ja) 2022-05-30

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