TWI631399B - 具有線寬變化的導電層之顯示面板 - Google Patents

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Abstract

一種顯示面板，包括一第一基板、與第一基板相對設置之一第二基板、和位於第一基板與第二基板之間的一顯示層。第一基板包括位於第一基板上且沿一第一方向延伸之一導電層，導電層沿第一方向依序為位於一第一高度之一第一平面、一斜面及位於一第二高度之第二平面，第一高度大於第二高度。其中，導電層之第一平面鄰近斜面沿一第二方向具有一第一線寬，導電層之斜面沿第二方向具有一第二線寬，第二方向垂直於第一方向，第一線寬小於第二線寬。

Description

具有線寬變化的導電層之顯示面板
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種具有線寬變化之導電層的顯示面板。
具顯示面板的電子產品已是現代人不論在工作處理學習上、或是個人休閒娛樂上，不可或缺的必需品，包括智慧型手機(SmartPhone)、平板電腦(Pad)、筆記型電腦(Notebook)、顯示器(Monitor)到電視(TV)等許多相關產品。其中又以液晶顯示面板最為普遍。由於液晶顯示面板在絕大多數應用上具有更簡潔、更輕盈、可攜帶、更低價、更高可靠度、以及讓眼睛更舒適的功能，已經廣泛地取代了陰極射線管顯示器(CRT)，成為最廣泛使用的顯示器，同時提供多樣性包括尺寸、形狀、解析度等多種選擇。
顯示面板在製作時除了需注意製程上的細節，例如進行導電層圖案化時(如微影和蝕刻)需精確以避免斷線，其製得面板也需符合產品要求如電阻、電容等各項規格，使製得之面板具有穩定良好的電子特性。顯示面板的設計不良，將造成面板良率下降和可靠度降低之問題。
本發明係有關於一種顯示面板，其導電層對應於和非對應於下方元件之不同高度處係具有不同線寬。透過特殊的線寬變化設計，使導電層在圖案化步驟後可具有良好寬度，不易因過度蝕刻而斷線，並可控制導電層重疊處所產生的寄生電容避免過大，進而提高產品的良率和電性。
根據本發明，係提出一種顯示面板，包括一第一基板、與第一基板相對設置之一第二基板、和位於第一基板與第二基板之間的一顯示層。第一基板包括位於第一基板上且沿一第一方向延伸之一導電層，導電層沿第一方向依序為位於一第一高度之一第一平面、一斜面及位於一第二高度之第二平面，第一高度大於第二高度。其中，導電層之第一平面鄰近斜面沿一第二方向具有一第一線寬，導電層之斜面沿第二方向具有一第二線寬，第二方向垂直於第一方向，第一線寬小於第二線寬。
根據本發明，再提出一種顯示面板，包括一第一基板、與第一基板相對設置之一第二基板、和位於第一基板與第二基板之間的一顯示層。第一基板包括一基材；一第一導電層位於基材上方且沿一第二方向延伸，第一導電層於第二方向具有一第一邊緣；以及一第二導電層位於第一導電層上方且沿第一方向延伸。第二導電層具有與第一導電層重疊之一第一部分、未與第一導電層重疊之一第二部分及一交界連接第一部分與第二部分。其中，第一部分於交界沿第二方向具有一第一線寬，第二部分於交 界沿第二方向具有一第二線寬，第一線寬小於第二線寬。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
11‧‧‧第一基板
110‧‧‧第一基材
111、111’、M1‧‧‧第一導電層
112‧‧‧絕緣層
113、113’、M2‧‧‧第二導電層
114‧‧‧第一中間層
115‧‧‧第一透明導電層
12‧‧‧第二基板
120‧‧‧第二基材
123‧‧‧彩色光阻層
125‧‧‧第二透明導電層
13‧‧‧液晶層
131‧‧‧液晶分子
14a‧‧‧第一偏光片
14b‧‧‧第二偏光片
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
H1‧‧‧第一高度
H2‧‧‧第二高度
P1‧‧‧第一平面
P2‧‧‧第二平面
S‧‧‧斜面
W1‧‧‧第一線寬
W2‧‧‧第二線寬
W3‧‧‧第三線寬
W4‧‧‧第四線寬
O1‧‧‧第一部分
O2‧‧‧第二部分
L1‧‧‧第一邊界
L2‧‧‧第二邊界
E1‧‧‧第一邊緣
E2‧‧‧交界
A1‧‧‧第一線寬變化區
A2‧‧‧第二線寬變化區
第1圖係簡示一顯示面板之側視圖。
第2圖係簡示本揭露第一實施例之一顯示面板之導電層之局部側視圖。
第3A圖係繪示本揭露第一實施例之顯示面板中第一種導電層態樣之上視圖。
第3B圖係繪示本揭露第一實施例之顯示面板中第二種導電層態樣之上視圖。
第4圖係簡示本揭露第二實施例之一顯示面板之導電層之局部側視圖。
第5A圖係繪示本揭露第二實施例之顯示面板中第一種導電層態樣之上視圖。
第5B圖係繪示本揭露第二實施例之顯示面板中第二種導電層態樣之上視圖。
第6圖係簡示本揭露第三實施例之一顯示面板中之導電層之局部上視圖。
本揭露之實施例係提出一種顯示面板，對於一導電層對應於和非對應於下方元件之不同高度處，例如第二導電層與下方第一導電層之重疊處和非重疊處，設計不同的線寬。透過特殊的線寬變化設計，使導電層在圖案化步驟後可具有良好寬度，不易因過度蝕刻而斷線，並可控制上下兩導電層其重疊處所產生的寄生電容避免過大，進而提高產品的良率和電性。
以下係參照所附圖式詳細敘述實施態樣。需注意的是，實施例所提出的結構和內容僅為舉例說明之用，本揭露欲保護之範圍並非僅限於所述之該些態樣。實施例中相同或類似的標號係用以標示相同或類似之部分。需注意的是，本揭露並非顯示出所有可能的實施例。可在不脫離本揭露之精神和範圍內對結構加以變化與修飾，以符合實際應用所需。因此，未於本揭露提出的其他實施態樣也可能可以應用。再者，圖式係已簡化以利清楚說明實施例之內容，圖式上的尺寸比例並非按照實際產品等比例繪製。因此，說明書和圖示內容僅作敘述實施例之用，而非作為限縮本揭露保護範圍之用。
第1圖係簡示一顯示面板之側視圖。以下係提出如第1圖所示之相關結構作一實施例之說明，但此結構並非用以限制本揭露之保護範圍。顯示面板包括一第一基板11、一第二基板12和一顯示層13位於第一基板11和第二基板12之間。第一基板11和第二基板12例如分別是一薄膜電晶體基板(TFT substrate) 和一彩色濾光片基板(CF substrate)。
如第1圖所示，一實施例之第一基板11例如是包括一第一基材110、一第一導電層111、一第二導電層113、位於第一和第二導電層之間的一絕緣層112、和一第一透明導電層115。其中，第一透明導電層115例如是一ITO層用以做為畫素電極，導電層係具有多條圖案化走線。第一基板11更包括複數TFT單元(圖未示)形成於第一基材110上；一第一中間層114位於第一基材110和第一透明導電層115之間並覆蓋圖案化走線；和一第一配向膜(圖未示)例如是聚醯亞胺(polyimide,PI)位於第一透明導電層115上。第一基板11的層結構與配置為本技術領域人員所周知，在此不多贅述。
如第1圖所示，一實施例之第二基板12包括一第二基材120、彩色光阻層123形成於第二基材120上與一第二透明導電層125於彩色光阻層123上。第二基板12例如更包括一第二配向膜(圖未示)位於第二透明導電層125，和一遮光圖案層(圖未示，即一般所稱的黑色矩陣BM)形成於第二基材120上。第二透明導電層125例如是一ITO層。
一實施例中，顯示面板更包括複數間隔物(spacers)，第二基板12與第一基板11之間係藉由該些間隔物的設置而維持實質上等距之間隔而令液晶分子填充其中而形成顯示層13。在其他實施例中，顯示層13亦可為有機發光層。再者，一第一偏光片14a和一第二偏光片14b係分別形成第一基材111和第二基材 120之外側。
實施例中，透過設計使同一條導電層，如位於TFT基板(第一基板11)的第二導電層113(如資料訊號線)，在不同高度處具有不同線寬。例如一實施例中，第二導電層113在對應第一導電層111的一頂面與一底面處係具有不同的線寬。第二導電層113在對應第一導電層111的一斜面處亦具有線寬變化。以下係根據導電層線寬變化的不同態樣提出相關實施例做說明。
<第一實施例>
第2圖係簡示本揭露第一實施例之一顯示面板之導電層之局部側視圖。注意的是，雖然在實施例中係以第二導電層的線寬變化為例做說明，但本揭露並不僅限於此，其他導電層亦可在不悖離本揭露之精神下應用實施例之設計。再者，在本技術領域人員可充分瞭解的知識基礎下，圖示僅簡單繪製相關元件以利清楚說明本揭露之實施例。
一實施例中，一基板上之一導電層，如第一基板11的第二導電層(M2)113，係沿一第一方向D1延伸。第二導電層113沿第一方向D1依序為位於一第一高度H1之一第一平面P1、一斜面S及位於一第二高度H2之第二平面P2，第一高度H1大於該第二高度H2。其中，第二導電層113之第一平面P1鄰近斜面S沿著一第二方向D2具有一第一線寬W1，第二導電層113之斜面S沿第二方向D2具有一第二線寬W2，第一線寬W1係小於第二線寬W2。第一實施例中，第二導電層113之第二線寬W2係位 於(鄰近)斜面S與第二平面P2之交界處，例如是第二平面P2上線寬的最大值。
如第2圖所示，第一導電層111係沿第二方向D2延伸，第二方向D2垂直於第一方向D1。第二導電層113係經過第一導電層(M1)111上方，第二導電層113之第一平面P1係對應第一導電層111之一頂面，第二導電層113之第二平面P2係不與第一導電層111重疊，第二導電層113之斜面S亦對應第一導電層111之連接頂面和底面之一斜面。
請同時參照第1圖和第2圖。第一導電層111因斜面的形成使其上部的頂面和下部的底面形成了2個邊界，即第一邊界L1和第二邊界L2。第一導電層111的第一邊界L1係對應(但非對齊)第二導電層113之第一平面P1與斜面S之交界處，第一導電層111的第二邊界L2係對應(但非對齊)第二導電層113之斜面S與第二平面P2之交界處。
一實施例中，第二導電層113之第二線寬W2係鄰近於其斜面S與第二平面P2之交界處。再者，一實施例中，第二導電層113之斜面S係具有一變化線寬分佈，且該變化線寬分佈係自第一平面P1朝第二平面P2呈一漸增趨勢。如第2圖所示，第二導電層113之斜面S與第二平面P2之交界處係具有最大線寬。雖然實施例中第二導電層113的兩側邊在斜面S上是繪製成兩弧狀曲線來說明線寬變化，但本揭露並不以此為限，第二導電層113的兩側邊在斜面S上也可以是線性地(直線)呈漸增趨勢。
另外，如第2圖所示之第二導電層113又可區分為：具有與第一導電層111重疊之一第一部分O1(即對應第一平面P1和斜面S的部分)、未與第一導電層111重疊之一第二部分O2(即對應第二平面P2的部分)、以及一交界連接第一部分O1與第二部分O2。其中，第一部分O1於交界沿第二方向D2具有一第一寬度(如第一線寬W1)，第二部分O2於交界沿第二方向具有一第二寬度(如第二線寬W2)，第一寬度小於第二寬度。
第3A圖係繪示本揭露第一實施例之顯示面板中第一種導電層態樣之上視圖。第3B圖係繪示本揭露第一實施例之顯示面板中第二種導電層態樣之上視圖。請同時參照第1和2圖。第3A圖與第3B圖的不同之處在於，第一導電層111之斜面的傾斜程度。
若第一導電層111之斜面較緩和，第一導電層於第二方向對應具有第一邊緣E1和第二導電層113之交界E2可於上視圖中顯示，如第3A圖所示。而第二導電層113中的交界E2(即，連接第二導電層113中與第一導電層111重疊之第一部分O1和未重疊之第二部分O2)，係位於第一導電層111之第一邊緣E1的外側。
若第一導電層111之斜面較陡峭，第一導電層111於第二方向對應所具有第一邊緣E1和第二導電層113之交界E2則於上視圖中幾近疊合為同一線段，如第3B圖所示。則此時第二導電層113中的交界E2於上視圖中幾近對齊於第一邊緣E1。
應用本揭露實施例進行導電層之製作時，可在光罩上形成與線寬變化相應的開口形狀，使導電層透過該光罩上進行圖案化步驟後，形成如實施例之一具有線寬變化的導電層。實際應用時，光罩圖案隨設計之導電層圖案而決定。
根據本揭露實施例所提出之一導電層線寬變化之設計，在導電層的不同高度處(例如第二導電層與下方第一導電層之重疊處和非重疊處)，設計不同的線寬，使頂面的線寬小於底面的線寬。如實施例所示，第二導電層113位於坡頂(對應第一導電層111的第一邊界L1)的線寬(例如第一線寬W1)小於位於坡底(對應第一導電層111的第二邊界L2)的線寬。由於透過特殊的線寬變化設計，使具高度落差的導電層在圖案化步驟後可具有良好寬度，不易因圖案化步驟中蝕刻液易累積於高度較低的底面處而過度蝕刻導致斷線，並可控制上下兩導電層其重疊處所產生的寄生電容，避免重疊面積過大而產生過高的寄生電容。因此本揭露實施例可提高產品的良率和電性。
<第二實施例>
第4圖係簡示本揭露第二實施例之一顯示面板之導電層之局部側視圖。同第一實施例，第二實施例中亦以越過第一導電層111’的第二導電層113’之線寬變化為例做說明，但本揭露並不僅限於此。
請同時參照第1圖。同第一實施例，第二實施例中一基板上之一導電層，如第一基板11的第二導電層(M2)113’，係 沿一第一方向D1延伸，第一導電層111’係沿第二方向D2延伸，第二方向D2垂直於第一方向D1。第二導電層113’之第一平面P1係對應第一導電層111’之頂面，第二導電層113’之第二平面P2係不與第一導電層111’重疊，第二導電層113’之斜面S亦對應第一導電層111’之連接頂面和底面之一斜面。
第二導電層113’沿第一方向D1依序為位於一第一高度H1之一第一平面P1、一斜面S及位於一第二高度H2之第二平面P2，第一高度H1大於該第二高度H2。其中，第二導電層113’之第一平面P1鄰近斜面S沿著一第二方向D2具有一第一線寬W1，第二導電層113’之斜面S沿第二方向D2具有一第二線寬W2，第一線寬W1係小於第二線寬W2。再者，第二導電層113’之斜面S係具有一變化線寬分佈，且其變化線寬分佈係自第一平面P1朝第二平面P2呈一漸增趨勢。如第4圖所示，第二導電層113’之斜面S與第二平面P2之交界處係具有最大線寬。
第二實施例中，第二導電層113’之第一平面P1且鄰近斜面S處更包括一第一線寬變化區(a first region composed of varying line widths)A1。如第4圖所示，第二導電層113’之第一線寬變化區A1係具有朝向斜面S方向而漸增之一線寬分佈。其中第一線寬變化區A1包括第一線寬W1。再者，第二導電層113’之第一平面P1遠離斜面S沿第二方向D2係具有一第三線寬W3，第三線寬W3小於第一線寬W1。第三線寬W3亦小於第二線寬W2。
於一實施例，第二導電層113’之第一平面P1之第一線寬變化區A1的最大線寬係小於或等於斜面S的任一線寬。於一實施例，第一線寬變化區A1的最大線寬係小於第二平面P2的任一線寬。
第二實施例中，第二導電層113’之第二平面P2且鄰近斜面S處更包括一第二線寬變化區A2。如第4圖所示，第二導電層113’之第二線寬變化區A2係具有遠離斜面S方向而漸減之一線寬分佈。再者，第二導電層113之第二平面P2遠離斜面S沿第二方向D2具有一第四線寬W4，第三線寬W3係小於第四線寬W4。第四線寬W4亦小於第二線寬W2。第四線寬W4亦大於第一線寬W1。
於一實施例，第二導電層113’之第二平面P2之第二線寬變化區A2的最小線寬係大於第一平面P1的任一線寬。
第5A圖係繪示本揭露第二實施例之顯示面板中第一種導電層態樣之上視圖。第5B圖係繪示本揭露第二實施例之顯示面板中第二種導電層態樣之上視圖。請同時參照第1圖和第4圖。類似於第3A、3B圖，第5A圖與第5B圖的不同之處在於，第一導電層111’之斜面的傾斜程度。
如第5A圖所示，第一導電層111’之斜面坡度較緩，第一導電層111’於第二方向D2對應具有第一邊緣E1和第二導電層113’之交界E2可於上視圖中顯示。而第二導電層113’中，連接第二導電層113’中與第一導電層111’重疊之第一部分O1和未 重疊之第二部分O2的交界E2，係位於第一導電層111’之第一邊緣E1的外側。其中第二導電層113’之第一部分O1包括第一平面P1和斜面S的部分。如第5B圖所示，第一導電層111’之斜面坡度較陡，第一導電層111’之第一邊緣E1和第二導電層113’之交界E2則於上視圖中幾近疊合為同一線段。第二導電層113’中，連接第二導電層113’中與第一導電層111’重疊之第一部分O1和未重疊之第二部分O2的交界E2，於上視圖中幾近對齊於第一導電層111’之第一邊緣E1。
再者，第5A圖與第5B圖亦顯示第二導電層113’之第二平面P2的第二線寬變化區A2、第一平面P1的第一線寬變化區A1、第一線寬W1~第四線寬W4之位置。如第5A圖與第5B圖所示，小於第一線寬W1的第三線寬W3例如是位於第二導電層113’之第一部分O1之中點沿著第二方向D2的寬度，小於第二線寬W2的第四線寬W4例如是位於第二導電層113’之第二部分O2之中點沿著第二方向D2的寬度。第一線寬W1~第四線寬W4之間的寬度大小已詳述於上。
另外，雖然實施例中第二導電層113/113’在第一線寬變化區A1和第二線寬變化區A2的兩側邊是繪製成弧狀曲線，但本揭露並不以此為限，第一線寬變化區A1和第二線寬變化區A2的兩側邊也可以是直線。
<第三實施例>
第6圖係簡示本揭露第三實施例之一顯示面板中之 導電層之局部上視圖。第三實施例中，係以第二導電層M2越過一閘極線Gate(gate line)和一共同線Com(common line)為例做說明。但本揭露並不僅限於第6圖所繪製之態樣，而是可依據實際應用之條件需要做適當的變化和調整。
第三實施例亦假設閘極線Gate和共同線Com的斜面坡度較陡，其頂面和底面所形成的2個邊界於上視圖中幾近疊合為同一線段，如第5B圖所示。
第三實施例中係採用如第二實施例所示之線寬設計，例如：第二導電層M2之高度較高處(i.e.與閘極線Gate和共同線Com重疊的區域)具有第一線寬變化區A1，第二導電層M2之高度較低處(i.e.與閘極線Gate和共同線Com重疊之外的區域)具有第二線寬變化區A2。再者，第三實施例中，第二導電層M2之斜面(未顯示於圖中)亦具有一變化線寬分佈，且該變化線寬分佈係自頂部朝底部呈一漸增趨勢(請參照第4圖)。
如第6圖所示，第二導電層M2重疊於閘極線Gate和共同線Com頂面上的部份具有較小寬度，而不與閘極線Gate和共同線Com重疊的部份則具有較大寬度。第6圖中亦標示第一線寬W1~第四線寬W4之位置。第一線寬W1~第四線寬W4的大小關係如前述。其它元件之細節請參照第二實施例，在此不再贅述。
根據上述，本揭露實施例所提出之一導電層線寬變化之設計係在導電層的不同高度處設計不同的線寬，例如第二導 電層113/113’與下方第一導電層111/111’之重疊處和非重疊處的線寬不同，使導電層位於坡頂的線寬小於位於坡底的線寬。一實施例中，導電層位於坡面的線寬例如是呈現一變化線寬分佈。本揭露利用特殊的線寬變化設計，使具高度落差的導電層在圖案化步驟後仍可具有良好寬度，不易因圖案化步驟中蝕刻液易累積於高度較低的底面處，而過度蝕刻導致斷線，透過線寬變化亦可控制上下兩導電層其重疊處所產生的寄生電容，避免重疊面積過大而產生過高的寄生電容。因此應用本揭露之實施例可提高產品的良率和使電性更為良好。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (17)

  1. 一種顯示面板，包括：一第一基板，包括：一導電層，位於一基材上且沿一第一方向延伸，該導電層沿該第一方向依序為位於一第一高度之一第一平面、一斜面及位於一第二高度之一第二平面，該第一高度大於該第二高度；以及一第二基板，與該第一基板相對設置；以及一顯示層，位於該第一基板與該第二基板之間；其中，該導電層之該第一平面鄰近該斜面沿一第二方向具有一第一線寬，該導電層之該斜面沿該第二方向具有一第二線寬，該第二方向垂直於該第一方向，該第一線寬小於該第二線寬，其中該第二平面遠離該斜面沿該第二方向具有一第四線寬，該第四線寬小於該第二線寬。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一平面遠離該斜面沿該第二方向具有一第三線寬，該第三線寬小於該第一線寬。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該導電層之該斜面係具有一變化線寬分佈，且該變化線寬分佈係自該第一平面朝該第二平面呈一漸增趨勢。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該導電層之該第一平面且鄰近該斜面處係具有一第一線寬變化區，該第一線寬變化區係具有朝向該斜面而漸增之一線寬分佈。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其中該第一線 寬變化區包括該第一線寬。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其中該第一線寬變化區之一最大線寬係小於或等於該導電層之該斜面的任一線寬。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其中該第一線寬變化區之一最大線寬係小於該導電層之該第二平面的任一線寬。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該導電層之該第二平面且鄰近該斜面處係具有一第二線寬變化區，該第二線寬變化區係具有朝遠離該斜面而漸減之一線寬分佈。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示面板，其中該第二線寬變化區之一最小線寬係大於該導電層之該第一平面的任一線寬。
  10. 一種顯示面板，包括：一第一基板，包括：一基材；一第一導電層，位於該基材上方且沿一第二方向延伸；以及一第二導電層，位於該第一導電層上方且沿一第一方向延伸，該第二導電層具有與該第一導電層重疊之一第一部分、未與該第一導電層重疊之一第二部分、及一交界連接該第一部分與該第二部分；其中，該第一部分於該交界沿該第二方向具有一第一線寬，該第二部分於該交界沿第二方向具有一第二線寬，該第 一線寬小於該第二線寬，該第二導電層之該第二部分於遠離該第一部分的一區域中係沿該第二方向具有一第四線寬，該第四線寬小於該第二線寬；一第二基板，與該第一基板相對設置；以及一顯示層，位於該第一基板與該第二基板之間。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該第一導電層於該第二方向具有一第一邊緣，該交界與該第一邊緣分隔一距離。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該第二導電層之該第一部分於遠離該第二部分的一區域中係沿該第二方向具有一第三線寬，該第三線寬小於該第一線寬。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該第二導電層之該第一部分係具有一第一線寬變化區鄰近於該交界，該第一線寬變化區係具有朝向該第二部分而漸增之一線寬分佈。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之顯示面板，其中該第一線寬變化區包括該第一線寬。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之顯示面板，其中該第一線寬變化區之一最大線寬係小於該第二導電層之該第二部分的任一線寬。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該第二導電層之該第二部分係具有一第二線寬變化區鄰近於該交界，該第二線寬變化區係具有朝遠離該交界而漸減之一線寬分佈。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之顯示面板，其中該第二線寬變化區之一最小線寬係大於該第二導電層之該第一部分的任一線寬。
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